EMICRO AM 2014 / 02-03 outubro 2014, Manaus

Sensores de Imagem Integrados CMOS

Davies William de Lima Monteiro

Professor Associado

OptMAlab Laboratrio para Optrnica e Microtecnologias Aplicadas

Departamento de Engenharia Eltrica / Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica

Universidade Federal de Minas Gerais Brasil

davies@ufmg.br 1/96
Contedo:

1. motivao

2. conceitos bsicos de materiais semicondutores (particularmente silcio)

3. fotodeteco (espectro, mecanismos e estruturas)

4. sensores de imagem CCD (pxeis e matrizes)

5. sensores de imagem CMOS (pxeis e matrizes)

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1. motivao

2. conceitos bsicos de materiais semicondutores

3. fotodeteco

4. sensores de imagem CCD

5. sensores de imagem CMOS

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Aplicaes

fotografia digital viso de mquina

cmeras de vdeo odontologia
videoconferncia (reunies, defesa de tese, endoscopia (videoscopia, pillcam)
equipe mdica, etc)
retinografia
webcam
controle de trfego
telefones celulares
segurana em aeroportos
cmeras em automveis (monitoramento de
mamografia
crianas, estacionamento, distncia, batida)
imagens de satlite e aeroespaciais
brinquedos
identificao de alvo
biometria (ris, impresso digital,
triangulao olhos/nariz) inspeo industrial
scanner/reprografia monitoramento e segurana pblica
viso 3D ptica adaptativa

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Exemplos cmeras semicondutoras - Silcio

camera 3D camera 1D, 12K

CSEM 3D lock-in camera

cmos p/ celular e palm (0.3 a 1.5Mpx) pill cam, 256x256 px, 2fps, 8bits

Webcam

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Fluxo

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1. motivao

2. conceitos bsicos de materiais semicondutores

3. fotodeteco

4. sensores de imagem CCD

5. sensores de imagem CMOS

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 materiais

dispositivos

circuitos

sala limpa

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 sala limpa (clean room)

Pr-filtragem

Ar externo
(micro-)eletrnica
Sistema de condicionamento de Ar.
Controle de umidade e temperatura.
semicondutores
Filtros

ptica e fotnica
Absolutos
(HEPA)

biotecnologia
Exausto

medicina

Filtro
Filtro

Ambiente com alto grau de controle ambiental: nvel de partculas, temperatura, umidade
Controle feito pela recirculao e introduo constante de ar altamente filtrado e condicionado.

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Si (silcio)

Estrutura cristalina do Silcio

tipos de arranjo:

monocristalino (substrato de chips)

policristalino (porta -gate - em FETs, chips)
amorfo (matrizes ativas - LCDs)
rede tetradrica (diamante)

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Substrato

Silcio (Si):

abundncia na natureza (2o aps o Oxignio)

possibilidade de formao de filmes finos

preciso na definio de padres utilizando fotolitografia

amplamente utilizado na indstria microeletrnica

processos maduros e acessveis

crescimento de xido de excelente qualidade

cristalino, policristalino e amorfo

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Densidade de chips

Chip: 15mm x 15mm

88 chips
Wafer 200-mm
232 chips
Wafer 300-mm

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Bandas de energia

Semicondutor Dieltrico

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Bandas de energia Si e GaAS

Eg (Si) = 1.12eV

Eg (GaAs) = 1.45eV

Eg (diamante) > 5eV

Si e GaAs cristalinos

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 Efeito trmico

Semicondutor intrnseco
(= no dopado)

portadores de carga disponveis para

conduo (ni) temperatura

temperatura , ni

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Dopagem do Si (silcio) tipo-n e tipo-p

Semicondutor extrnseco (= dopado)

Si tipo-n (dopado com As, P ou Sb) Si tipo-p (dopado com B)

impureza doadora impureza receptora
(tipo n: rico em eltrons) (tipo p: rico em buracos)

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1. motivao

2. conceitos bsicos de materiais semicondutores

3. fotodeteco (espectro, mecanismos e estruturas)

4. sensores de imagem CCD

5. sensores de imagem CMOS

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Espectro ptico

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Espectro visvel

litografia

136 250 850 1300 1550

esterilizao comunicaes pticas

corona termografia

350nm Silcio 1100nm

E = h.f = h.c/
f, frequncia (Hz)
h, constante de Planck (6.626 x 10-34 J s)
Eazul = 2.6 eV
c, velocidade da luz (3 x 108 m/s)
Everde = 2.3 eV
, comprimento de onda (m)
Everm = 1.9 eV

davies@ufmg.br 1 eV = 1.602 x 10-19 J 20/96

Olho Humano

O olho humano um excelente fotodetector

Viso fotpica (cones e bastonetes)

intensidade mdia e alta
Luminncia: 1 106 cd/m2 - Predominncia central

Viso escotpica (bastonetes) intensidade baixa

Luminncia: 10-6 a 10-2 cd/m2 sem percepo de cor,
Predominncia perifrica

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Espectro solar (II) AM 1.5

UV infravermelho

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 GaAs

Si

Ge

InGaAs

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Unidades Fotomtricas/ Radiomtricas mais relevantes (I)

Iluminncia: lux

Fluxo radiante (potncia): W = J/s

Irradincia (densidade de potncia): W/m2

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Unidades Fotomtricas/ Radiomtricas (II)

1 lux = 1/683 W/m2 @ 555nm

1 W/m2 = 683 lux @ 555nm

Iluminncia [lux] = Irradincia [W/m2] x 683 x V()

V(): eficincia luminosa (CIE)

cu limpo 104 lux

cu nublado 103 lux
luz de escritrio 250 lux
alvorecer 10 lux
noite lua cheia 10-1 lux
noite nublada 10-4 lux
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Estruturas bsicas para fotodeteco

juno p-n (diodo) capacitor MOS

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Fotodiodo juno p-n

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Mecanismo de fotodeteco Juno PN

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Eficincia Quntica () e Responsividade ( R )

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Parmetros da juno (I)

Espessura da juno: Wd

2 Si N A + N D
Wd = (bi + Vb )
e N AN D NA , dopagem da regio p
ND , dopagem da regio n

bi , potencial embutido
Vb , tenso reversa aplicada
mat , constante dieltrica = K material 0
K Si = 11.9, 0= 8.85 x 10
-12 As/Vm (ou 10-14 F/cm)

k , cte de Boltzmann = 1.38066 x 10-23 J/K

T , temperatura (K, 0oC = 273.15K )
e = 1.602 x 10-19 C

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Curva I-V de um fotodiodo

Equao de Schockley: ip , corrente fotogerada

i0 , corrente de saturao reversa

e
n , fator de idealidade ( 1 n 2 )

i = i0 e 1 i p
V Dx, difusividade portad. majoritrios = (kT/e)x
n . kT
Lx, compr. difuso de portadores minoritrios
Nx, nvel de dopagem (tomos/cm3)

Dp Dn
i0 = e A n 2
i +
L p N D Ln N A
rea juno

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Capacitor MOS

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luz incidente

balde de
sinal

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Capacitor MOS - elemento CCD bsico

xd , extenso da regio de depleo no

substrato do tipo p
xd
S , potencial na superfcie do
semicondutor abaixo do xido de porta
(gate oxide)

Si

Si

Cox = K SiO2 0 / tox [ F / cm 2 ]

material , constante dieltrica = K material 0 A , rea da porta (gate)
K Si= 11.9, K SiO2=3.9 tox, espessura do xido
0 = 8.85 x 10-12 As/Vm (ou 10-14 F/cm) q=e

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 Capacitor MOS - modo de acumulao

+ + +
+ +

+ buracos
eltrons gerados termicamente

VG < 0
acmulo de portadores majoritrios na interface Si/SiO2
na superfcie pp> NA = dopagem do substrato
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Capacitor MOS - modo de depleo

+ + - - -+ - - - - - +
+ ++ + + + + -+ - - - -

+ buracos
- ons negativos fixos na rede

eltron gerado termicamente

par gerado termicamente
+ buraco gerado termicamente

VT > VG > 0
ausncia de portadores majoritrios na regio de depleo
ons fixos negativos na regio de depleo
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Capacitor MOS - modo de depleo VG2 > VG1

+ + + +
+ +

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Capacitor MOS - modo de inverso

+ + + +

VG VT > 0
VT, tenso limiar (threshold voltage)
ocorre se houver um nmero suficiente de eltrons gerados termicamente
eltrons (originalmente minoritrios) se acumulam na interface
largura W max atingida no ponto de inverso

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Capacitor MOS - modo de inverso

VG > VT > 0
VT, tenso limiar (threshold voltage)
s ocorre se houver um nmero suficiente de
eltrons gerados termicamente ou fotogerados
eltrons (minoritrios) se agrupam na interface

Para inverso (# eltrons ~ NA): 2 Si e N A (2 F )

s = 2 F VT = 2 F +
Cox
F , potencial de Fermi
kT NA
F = ln
e ni Cox em F/cm2

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 Capacitor
MOS
Sensor de CCD
Imagem
Capacitor
MOS
modificado

Silcio Processo de
Fabricao

Fotodiodo

CMOS Fotoporta

Quntico

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1. motivao

2. conceitos bsicos de materiais semicondutores

3. fotodeteco

4. sensores de imagem CCD

5. sensores de imagem CMOS

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Transporte de carga

Credits: http://harvestimaging.com
Prof. Albert Theuwissen

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Transporte de carga - chaveamento

Credits: http://harvestimaging.com
Prof. Albert Theuwissen
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CCD - 3 fases

fases
pxel 1 pxel 2
(portas/gates)

tempo
imagem incidindo
nos pxeis

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CCD 2D full-frame (FF)

Full-Frame CCD
ausncia da rea de armazenamento
necessidade de shutter (obturador)

Credits: http://harvestimaging.com
Prof. Albert Theuwissen

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CCD 2D frame-transfer (FT)

Credits: http://harvestimaging.com
Prof. Albert Theuwissen

davies@ufmg.br 46/96
CCD 2D interline-transfer (IL)
Credits: http://harvestimaging.com
Prof. Albert Theuwissen

davies@ufmg.br 47/96
CCD 2D frame-interline-transfer (FIT)

Credits: http://harvestimaging.com
Prof. Albert Theuwissen

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CCD 2D frame-transfer (FT)

160m

rea de armazenamento

Registrador serial de sada

Barramento
Amplificador

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1. motivao

2. conceitos bsicos de materiais semicondutores

3. fotodeteco

4. sensores de imagem CCD

5. sensores de imagem CMOS

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microeletrnica processo CMOS
Receita com vrios ingredientes (materiais) e etapas subsequentes para produo de
circuitos integrados em uma lmina (wafer)

porta (gate) (semi)condutor

dreno fonte
dieltrico

Transistor MOS(FET)
substrato - Si
semicondutor

CMOS: Complementary Metal-Oxide-Semicondutor

transistores NMOS e PMOS no mesmo chip

MOSFET-N MOSFET-P
(eltrons) (lacunas/buracos)

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1. tecnologia madura e em constante evoluo
2. processo mais utilizado hoje na indstria de semicondutores/eletrnica
3. processo +/- genrico
4. dezenas a centenas de milhes de transistores lgicos / cm2
5. baixa tenso / baixo consumo de energia
6. NMOS e PMOS
7. funcionalidade digital
8. funcionalidade analgica
9. modelos de dispositivos e de processos confiveis
10. ferramentas de simulao e de processamento atualizadas
11. taxa razoavelmente alta de sucesso na fabricao: rendimento (yield)
12. interesse de mercado: investimentos macios
13. disponibilidade de foundries e de processos multichips/multi-usurios (MWP)

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processo CMOS Lmina (Wafer) 450mm

pizza de silcio

lingote de silcio
(Processo Czochralski)

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Leitura de sinal

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 Conceitos de
eletrnica integrada
(microeletrnica)

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Transistor MOSFET tipo NMOS

dispositivo para transporte superficial de carga na regio entre fonte e dreno

Silcio dopado ou metal ou siliceto
xido/isolante
porta (gate)
Silcio dopado
fonte (S: source) dreno (D: drain)
Silcio dopado
G
n+ L n+
-- ++
comprimento da porta
S D
Lmin = rtulo da tecnologia
G
p - camada epitaxial Silcio dopado

S D

B
p+ substrato original Silcio dopado

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Transistor MOSFET tipo NMOS
Jaeger - p. 9 Fig. 1.6f dreno dreno
fonte fonte
contatos

contatos
porta trilhas metal
porta

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Transistor MOSFET tipo PMOS

dispositivo para transporte superficial de carga na regio entre fonte e dreno

porta (gate)

fonte (S) dreno (D)

G
p+ p+
++ --
S D

G n - camada epitaxial

S D

B n+ substrato original

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Chip com NMOS e PMOS: CMOS (MOS complementar)

camadas empilhadas
de metal e xido

NMOS PMOS
porta porta
fonte dreno fonte dreno

n+ n+ p+ L p+
L

poo n (n-well)

Substrato Si monocristalino

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 metal

dreno/fonte
VCC poo n (Si dopado n) (Si dopado p)

HI porta metal
M1 LOW M1
(Si policristalino)
input output
input output
LOW M2 HI

substrato
(Si monocristalino) M2
Ground
dreno/fonte
(Si dopado n)
metal

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Pxel Passivo (PPS)

rudo kTC em nmero de eltrons capacitncia equivalente:

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pxeis ativos CMOS - APS (3T: trs transistores)

pxel ativo CMOS (Active Pixel Structure/Sensor APS): fotodetector + eletrnica

OBJETIVO

medir a intensidade de luz no fotodetector

transistor M1 atuado (ON) e fixa o potencial no

ponto P; sendo desligado logo em seguida

corrente fotogerada altera o potencial em P

(V proporcional intensidade incidente)

V no gate de M2 altera Vout

capacitncia de juno
M3 fora M2 para regime de saturao

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pxel ativo para cmera digital CMOS ( layout ) VLSI: Very-Large-Scale Integration

pulso select VDD

FOTODIODO
reset/M1
pulso reset

sinal fotodiodo

sinal de sada, Vout

buffer/M2

select/M3

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cmera digital

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sensor ptico de posio CMOS

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AMS Austria MicroSystems XFAB

CEITEC
CMP

TSMC
Onde fabricar? MOSIS

UMC ST-Microelectronics
AMIS

ON Semiconductors
Tower-Jazz Semiconductors
Europractice

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 Escolher da tecnologia CMOS (rtulo), ex.: 0,35m
1 Escolher da empresa de fabricao (foundry) CMOS

Obter modelos dos dispositivos (NMOS, PMOS, etc)

2 Obter regras de projeto (design rules)

Escolher topologias dos circuitos

3 Simular circuitos (esquemtico SPICE) - desempenho

Realizar leiaute/desenho (layout) geometria dos circuitos

4 Comparar circuito desenhado com circuito simulado

Extrair arquivo GDSII e enviar projeto do chip para a fabricao

5

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 Concluses
Microeletrnica / circuitos integrados estratgico

Dominar tecnologia de sensores de imagem importante

H sensores tipo CCD e CMOS para o visvel e IR prximo

CMOS tem maiores possibilidades para empresas fabless

H desenvolvimentos para sensores no infravermelho

Sistemas com valor agregado

Necessidade de formao de pessoas na rea

Possibilidades profissionais variadas

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