ENGEMBANGAN DIVAIS SEL SURYA LAPISAN TIPIS

STRUKTUR TANDEM TRIPLE-CELL BERBASIS

SILIKON POLYMORPHOUS DENGAN TEKNIK VHF-
PECVD
Ida Usman, Toto Winata, dan Muhammad Zamrun F.,
Sel surya (solar cell) yang secara langsung dapat mengubah energi matahari menjadi energi
listrik merupakan sumber energi alternatif paling menjanjikan dan sangat cocok
dikembangkan di Indonesia yang secara geografis menerima pancaran sinar matahari
sepanjang tahun. Penelitian tentang divais sel surya lapisan tipis berbasis a-Si:H pada
dasarnya telah dilakukan di Laboratorium PECVD ITB dengan efisiensi konversi tertinggi
yang diperoleh mencapai ~11%, masih lebih rendah dibanding efisiensi konversi tertinggi sel
surya berbasis a-Si:H yang telah diproduksi massal (efisiensi ~13%). Upaya untuk
memperbaiki kualitas divais sel surya yang dihasilkan sampai saat ini masih terus dilakukan,
terutama pada upaya peningkatan efisiensi dan stabilitasnya. Berdasarkan laporan dari
sejumlah peneliti bahwa efisiensi dan stabilitas secara bersama-sama dapat ditingkatkan pada
sel surya struktur tandem material-material yang memiliki celah pita optik yang berbeda.
Sebagaimana diketahui bahwa pembuatan sel surya struktur tandem selain dimaksudkan
untuk mengatasi efek Staebler-Wronski, juga dapat meningkatkan efisiensi konversi dengan
mengoptimalkan pemanfaatan gelombang cahaya pada range energi rendah. Material yang
cocok digunakan adalah material yang memiliki celah pita optik yang lebih rendah dibanding
a-Si:H yang lazim digunakan sebagai sel atas. Oleh karena itu, penelitian ini diarahkan pada
pembuatan divais sel surya struktur tandem dengan menggunakan a-Si:H sebagai material sel
atas, silikon mikrokristal terhidrogenasi (c-Si:H) sebagai material sel tengah, dan silikon
polikristal (poly-Si) sebagai material sel bawah. Pemilihan struktur dan jenis material tersebut
didasarkan pada perbedaan celah pita optik satu sama lain dan untuk meminimalisasi
ketidaksesuaian kisi pada persambungan dua material yang berbeda. Target akhir yang
diharapkan dari penelitian ini adalah prototipe divais sel surya dengan efisiensi yang tinggi
dan stabil terhadap efek penyinaran intensitas tinggi. Penelitian ini direncanakan akan
diselesaikan secara intensif dalam waktu tiga tahun yang meliputi tahapan optimasi parameter
dan tahapan pembuatan divais sel surya. Pada tahun ke-1, penelitian difokuskan pada
optimasi parameter penumbuhan lapisan tipis a-Si:H, c-Si:H, dan poly-Si. Hal ini
dimaksudkan agar dihasilkan material yang memiliki kualitas terbaik dan sesuai untuk
aplikasi sel surya struktur tandem. Dua parameter deposisi utama yang akan dioptimasi
adalah temperatur substrat yang berperan mengatur kekuatan ikatan antar atom dan
meningkatkan vibrasi permukaan pertumbuhan serta daya discharge mengatur mekanisme
pemutusan ikatan molekul gas menjadi radikal-radikal bebas yang reaktif. Lapisan tipis a-
Si:H ditumbuhkan di atas substrat gelas Corning 7059 dengan mengoptimasi temperatur
substrat antara 150oC sampai 300oC serta optimasi daya discharge antara 6W sampai 15W.
Berdasarkan hasil pengukuran XRD, UV-Vis, dan konduktivitas terlihat bahwa semua lapisan
yang diperoleh belum memperlihatkan pembentukan struktur kristalin. Namun demikian,
gejala yang mengarah pada perbaikan struktur lapisan terlihat dari penyempitan celah pita
optik seiring peningkatan daya RF, sejalan dengan hasil pengukuran konduktivitas lapisan
yang mengalami peningkatan seiring meningkatnya daya RF. Berdasarkan hasil tersebut
maka penumbuhan lapisan tipis c-Si:H dilakukan dengan Mengoptimasi daya RF antara
20W sampai 70W. Berdasarkan hasil pengukuran UV-Vis, celah pita optik terendah 1,51eV
diperoleh pada daya 40W, sebagai Indikasi awal tentang pembentukan struktur
mikrokristalin. Hasil ini ditunjang dengan pengukuran XRD dimana puncak-puncak difraksi
jelas terlihat pada sudut difraksi ~28o untuk orientasi kristalin <111> dan pada sudut difraksi
~48o untuk orientasi kristalin <220>. Berbeda dengan penumbuhan dua jenis lapisan tipis di
atas, penumbuhan lapisan tipis poly-Si dilakukan dengan metode MIC (metal induced
crystallization) menggunakan aluminium (Al) sebagai logam penginduksi. Logam Al
ditumbuhkan di atas substrat silikon wafer melalui proses evaporasi. Lapisan Al kemudian
dioksidasi selama beberapa minggu di udara terbuka untuk membentuk butiran-butiran Al-O
yang berfungsi sebagai katalis saat pembentukan butiran polikristal. Lapisan a-Si:H
kemudian ditumbuhkan di atas lapisan Al-O melalui teknik VHF-PECVD,kemudian
diannealing pada temperatur 500oC selama 1 jam. Dari hasil karakterisasi yang dilakukan,
butir polikristalin silikon terinduksi atom Al terbentuk dengan baik, sebagaimana terlihat dari
pembentukan puncak-puncak difraksi sinar-X pada sudut difraksi 30,85o untuk kristal Al4Si
pada orientasi (211) dan sudut 37,5o untuk kristal Al4Si pada orientasi (220).
Diterbitkan pada: Laporan Penelitian Strategis Nasional, Tahun 2012. Lembaga Penelitian
Universitas Haluoleo, Tahun 2012.