DESARROLLO EXPERIMENTAL

Para el buen desarrollo experimental de esta prctica y la obtencin de los

objetivos de la misma, ser requisito indispensable que el alumno presente por
escrito, en forma concisa y breve, la teora bsica y su interpretacin en lo que
se refiere a los tiempos de almacenamiento y decaimiento en diodos
semiconductores.

3.1. Obtener, medir y comparar los tiempos de almacenamiento ts y

decaimiento tf para distintos diodos semiconductores.

Armar el circuito de la figura 3.1., colocar el canal X y el canal Y del

osciloscopio tal como se muestra en la figura (usar el osciloscopio con base de
tiempo interna). Usando el generador aplicar al circuito una seal cuadrada de
10V pico y 100KHz.

Figura 3.1

Colocar uno a uno los diodos, en el orden indicado en la taba 3.1. y medir en
cada caso, los tiempos de almacenamiento, decaimiento y de recuperacin
inversa, as. como la corriente directa a inversa respectivamente.
TIEMPOS DE ALMACENAMIENTO Y DECAIMIENTO PARA DISTINTOS
DIODOS

(APLICANDO SEAL CUADRADA DE 10 V. Y 100 khZ.)

I0 If
( (
DIO m m
DO ts (s) tf (s) trr = ts + tf (s) A) A)

1N4
001 2 2.8 4.8 9 9

0AB
1 0 0 0 0 0

LED
ROJ
O 0 0 0 0 0

1N9
14 0 0 0 0 0

3.1.3. Reportar en la figura las grficas que se observan en la seal del circuito
de la figura 3.1 (Canal Y).
Figura 3.2 Grficas que muestran los tiempos de almacenamiento y
decaimiento para distintos diodos semiconductores.

Diodo 1N4004 LED rojo

Diodo OA81 Diodo 1N914

3.2. Obtener y medir las variaciones en los tiempos de almacenamiento y

decaimiento, por efecto de temperatura y de la relacin de corriente directa e
inversa.

3.2.1. Usando el mismo circuito de la figura 3.1, disminuir el voltaje pico de la

seal cuadrada del generador a 3 Vp, conservando la misma frecuencia y
medir nuevamente los tiempos de almacenamiento y decaimiento, as como
las corrientes directa e inversa respectivamente, reportndolas en la tabla 3.2.

Slo para el diodo de 1N914, observe y reporte los resultados que se obtienen
(en la misma tabla 3.2.), cuando se acerca un cerillo encendido por tiempo no
mayor a 5s.

TIEMPOS DE ALMACENAMIENTO Y DECAIMIENTO PARA DISTINTOS DIODOS

(APLICANDO UNA SEAL CUADRADA DE 3 V Y 100KHZ)

 I0 IF
DIO (m (m
DO ts (s) tf (s) trr = ts + tf (s) a) a)

-
1N4 2. 2.
001 1.2 1.8 3 3 3

-
0A8 2. 2.
1 0 0 0 4 4

LED
ROJ
O 0 0 0 1 -1

1N9
14 -
(t - 2. 2.
tA) 0 0 0 2 2

1N9
14
(t > 2.
tA) 0 0 0 4 0

CONCLUSIONES
Gomez Cruces Carlos Eduardo

La realizacin de la presente prctica, nos permiti conocer la importancia de

las velocidades de operacin en los diferentes tipos de diodos utilizados,
puesto que una eleccin equivocada en el momento de disear o sustituir un
diodo en algn circuito puede llevar a daarlo por no poder operar a la
velocidad requerid.

Marcos Mauricio Jimnez Castro:

En esta prctica al igual que en la primera se observ y comprendi como

obtener la curva de diferentes diodos tanto de germanio como de silicio
haciendo que el generador de frecuencias nos mandara una onda cuadra.
Obteniendo medidas del voltaje como de la corriente.
Ramrez Hernndez Alejandro Uriel

Gracias a esta prctica pudimos comprobar l diferente tiempo de

almacenamiento que tienes distintos tipos de diodos los cuales varan hasta el
tipo de material teniendo de silicio y germanio y como se muestran diferentes
los tiempos as como en otros tipos de diodos como lo puede ser un simple led
rojo, tambin pudimos observa el tiempo de decaimiento que maneja cada tipo
de led y as tener una comparacin con los datos arrojados de las mediciones y
los datos ya dados por el fabricante.

BIBLIOGRAFIA
https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo

http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Solids/diod.html