El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una seal

de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones

de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de transferencia). Actualmente se
encuentra prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, aunque
casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Transistor de contacto puntual[editar]

Llamado tambin "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz de
obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una
base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer resistor. Se
basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las puntas
se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo
convivi con el transistor de unin debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha
desaparecido.

Transistor de unin bipolar[editar]

Artculo principal: Transistor de unin bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction transistor) se
fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el germanio, el silicio o
el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor
elctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy
controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con tomos de elementos donantes de electrones, como
el arsnico o el fsforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o huecos) se logran contaminando con tomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la regin de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el
colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas
contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin
(difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

Transistor de efecto de campo[editar]

-Smbolo del transistor JFET, en el que se indican: drenador, surtidor y compuerta

El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de

campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o
P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor
de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una
barra de material N y se conectan externamente entre s, se producir una puerta. A uno
de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensin positiva
entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una
corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un
potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la
conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente
en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la

compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-

Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.
Fototransistor[editar]
Artculo principal: Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas

a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la
luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).
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[fecha de consulta: 31 de marzo del 2017]. Disponible en
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