Cours avant projet 2017

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 Les Composants passifs

I: les rsistances lectriques

Dans un matriau solide les atomes ne peuvent pas se dplacer mais
ils perdent facilement un ou deux de leurs lectrons priphriques; il
se transforment alors en ion chargs positivement. Ces lectrons sont
alors libres de se dplacer dans le matriaux alors les ions ne se
dplacent pas.
Lorsquon applique une tension au bornes du matriaux, ces lectrons se dplacent alors et se heurtent
contre les ions qui se trouve sur leur chemin. Ils sont alors frein et cdent une partie de leurs nergie
lion heurt qui se met sagiter plus fortement autour de sa position dquilibre, ce qui chauffe le
matriaux. Plus le matriaux soppose au mouvement es lectrons on dis quil a une grand rsistance.

Dfinition: La rsistance lectrique est la proprit des conducteurs lectriques de sopposer au

passage des lectrons

La rsistance dpend en premier lieu de la nature du matriau puis de ses dimensions.

= .

La temprature influe aussi sur la rsistance.

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Dans les circuits lectriques et lectroniques, il faut souvent limiter lintensit du courant afin dviter lendommagement de
certaines composantes. On utilise ces fins des rsistances avec des valeurs bien dtermines. Usuellement, elles sont
de forme cylindrique et sont constitues dun support en porcelaine, autour duquel on a enroul une couche hlicodale en
carbone. Lensemble est recouvert dune couche de vernis protecteur.
sur une rsistance on peut voir des anneaux de couleur. Chaque
couleur correspond un chiffre (voir la figure), cest ce quon appelle
le code des couleurs. Celui-ci nous permet de dterminer la valeur
en Ohm dune rsistance. Absente dans la
Absente dans la rsistance
Pour lire cette valeur, il faut dabord placer la rsistance dans le bon 5 et 4 anneaux rsistance 5 anneaux
sens. En gnral, la rsistance a un anneau dor ou argent, quil
faut placer droite. Dans dautres cas, cest lanneau le plus large
quil faut placer droite.

Code des couleur

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 II: les condensateurs
En fonction des dilectriques utiliss, il existe deux famille technologiques des
condensateurs.
2-1: les condensateurs non polariss:

a. Condensateur film plastique:

Ce ont les condensateurs les plus utiliss, ils supportent des tensions
maximales de plusieurs centaines de volts, et les valeurs de leurs capacits
varies entre 1 et quelques microfarads, leurs tolrances est de 5 10%

b. Condensateur cramiques:

Leurs caractristiques sont trs dpendantes des dilectriques utiliss.

Destins surtout des utilisations en hautes frquences, leurs capacits
varies entre 0.5 pF et 500F. Leurs tension maximale de polarisation est
de 50 200V, et elle ont une tolrance trs importante, ce qui rend leurs
utilisations limites aux applications o la valeur de la capacit nest pas
trs importante.
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2-2: les condensateurs polariss:

La tension de polarisation de ce type de condensateurs est trs importante

sous risques dendommagement.
a. Condensateur lectrolytiques:

Ils possdent une capacit entre 1F et quelques dizaines de milligrades. Ils

sont utiliss en basses frquences et leurs tension de service est de
quelques centaines de volts. Leurs tolrance est aussi trs importante 20
ce qui rend sont utilisation limits les applications de leur utilisation.

a. Condensateur au tantale:

Ce type de condensateurs possde des capacits de valeurs leves

(0,1F quelques centaines de F, avec une tension de travail de
quelques volts quelques dizaines de Volts. Plus coteux que les
lectrolytiques mais moins encombrant et plus fiables.

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 lectrolytiques
tantale

plastiques
cramiques

1pF 100pF
1nF
10nF 1F 100F 10m C
10pF 100nF 10F 1mF F

Ordre de grandeur des capacits des condensateurs des diffrentes technologies

cramiques

plastiques

tantale

lectrolytiques

1Hz 100Hz 10KHz 1MHz 100MHz 10GHz C

1KHz 100KHz 10MHz 1GHz
10Hz

Domaines de frquences des utilisations des diffrents types de condensateurs

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2-1: les condensateurs en CMS

a. Technologie:
Ce sont des condensateurs de dimensions trs rduites et de poids trs faible.
Ils possdent une meilleurs fiabilit que les classiques et la surface de leurs
circuit se voie trs rduite.
Pour les technologie CMS, il existe des condensateurs cramique qui
recouvrent la gamme de capacit allant de 0,47pF 10F, et des
condensateur lectrolytiques et en tantale qui recouvrent la gamme allant de
0,1 220F.

b. Marquage des condensateurs en CMS:

On peut rencontrer plusieurs critures de la valeur de la capacit dun

condensateur, et de la tension maximale de fonctionnement des CMS.
Par exemple: une lecture de 106 veut dire c=10 . 106 F.
Ou encore: 10-16 qui veut dire 10F une tension e travail maximale de
16V
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On peut retrouver une lettre qui prcde la valeur de la capacit; elle donne la
valeur de la tension de service.
A= 10V, C=16V, D=20V, E=50V, e=2,5V, G=4V, H=50V, J=6,3V, V=35V
Il existe aussi des lectures suivant des recommandation dorganismes internationaux,
comme la CECC 32101-002 (type 1) et la CECC30101-003 (type 2) pour lesquelles on
peut donner un exemple de lecture:
Pour la valeur lue sur un condensateur de la srie E24

XA1
Valeur nominale:
Multiplicateur(chiffre)
a 2.5 y 9.0 R 4.3 Z 9.1 Valeur Nominale (lettre)
b 3.5 j 2.2 S 4.7 Sigle du fabriquant (logo)
c k 2.4 T 5.1
Multiplicateur
e 4.0 L 2.7 U 5.6
0 1 2 3 4 5 6
E 1.5 f 5.0 M 3.0 V 6.2 chiffre
F 1.6 m 6.0 N 3.3 W 6.8 Mult par 1 10 102 103 104 105 106
G 1.8 n 7.0 P 3.6 X 7.5
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H 2.0 t 8.0 Q 3.9 Y 8.2
 Dimensions des botiers:
H
l

Les dimensions des botiers des condensateurs en CMS varies

de (L,l,H)=(1.0,0.5,0.5)mm3 pour le type 0402
(L,l,H)=(5.0,2.0,0.3)mm3 pour le type 2220

2.3: Les pertes dans un condensateur

Les pertes dans un condensateur sont dus au pertes dans les dilectriques,
elle sont prises quivalentes une rsistance en parallle au condensateur
suppos idal.
C

Rp

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2.3: comportement dun condensateur

Lorsquil est compltement dcharg et soumis une diffrence de potentiel, un

condensateur idal se comporte comme un court circuit. Il se charge alors et le
courant qui le traverse diminue avec laugmentation de la tension ses bornes.
Une fois charg le condensateur se comporte alors comme un circuit ouvert et
aucun courant ne le traverse.
Lors de la dcharge dun condensateur cest la tension es bornes qui diminue
avec la diminution du courant quil fournie

E
I(t)
V(t)
E Imax
V(t)

I(t)

Charge dun condensateur t

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III- Les selfs (ou les bobines)
3.1: dfinition S N

Une self est un enroulement de fil conducteur en spires. Le passage de courant

lectrique I dans ces spires cre un flux dinduction magntique dont les ligne
dinduction encercle la bobine en passant dun ple un autre, cest donc un
composant qui est utilis pour ces proprits lectriques et magntiques.

3.2: comportement dune self

Si le condensateur se comporte comme un court circuit lorsquil est

compltement dcharg, une bobine tendance sopposer la variation
de lintensit du courant qui la traverse.
Une self est caractrise principalement par son inductance qui se
mesure en Henry.

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3.4: Schma quivalent

Une bobine ne prsente jamais une inductance pure (bobine idale), elle
prsente une rsistance en srie due la rsistance du conducteur qui la
comporte. En plus de la prsence dun effet capacitif du au rapprochement
des spires les unes des autres.

+ =

3.3: domaines dutilisation des self

La frquences est un lment clefs dans le comportement de la bobine, cest--

dire que si la frquence du signale traversant la bobine est nulle (DC) alors la
rsistance se comporte comme une rsistance pure.
elles sont donc utilises dans tous les domaines ou la frquences est un
paramtre important:
Transformateur dalimentation, Alimentation dcoupage, Filtrage,
Accordement dimpdance, et dans llectrotechnique pour les moteurs et
Alternateurs cours AP 2017
3.4: circuits magntiques et transformateurs

3.4.1.Circuits magntiques

Un circuit magntique est compos dun gnrateur de ligne de champs

magntique (bobine du primaire dans un transformateur), dun noyau magntique
(qui doit tre un base de matriau conducteur magntique) et en pour plusieurs
applications dun rcepteur magntique (qui doit aussi tre une bobine
secondaire)

3.4.1. Transformateurs

Dans un transformateur la puissance est conserve,

cest--dire que nous retrouvons la puissance fournie
par le primaire dans le secondaire. P1=P2

Par contre les courant et tensions sont fonction du rapport de transformation m

U1/U2=I2/I1=n1/n2
Telle que U tension, I courant et n nombre de spires dans 1 (le primaire) et 2 ( le
secondaire du transformateur
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 Les composants actifs
IV- les composants actifs discrets
1. Diodes de signal

-Diple semiconducteur
-Conducteur dans un sens bloque dans lautre.
-Principales caractristiques:
Intensit de courant direct admissible
Tension inverse maximale supportable
Rapidit (temps de rponse).

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 Circuit redresseur simple diode

Circuit redresseur pont de diodes

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 2. Les transistors
2.1. transistors Bipolaires
Le transistor bipolaire est compos de deux jonctions places en srie, trs
proche lune de lautre. Et de polarit oppose.
collecteur
collecteur
-on distinguent deux types, le NPN ET LE PNP: (voir fig) o:
-IB: courant de Base.
Base Base
- IC : courant de Collecteur.
- IE : courant dEmetteur.
- VCE : tension Collecteur Emetteur (VEC pour le transistor PNP). Emetteur
Emetteur

- VBE : tension Base Emetteur (VEB pour le transistor PNP).

-Fonctionnement: le courant IC =IB o est le gain du transistor.
On pourra donc commander IC en envoyant un courant IB qui sera amplifi.
Rgime de fonctionnement Remarques
Bloqu Si IB = 0 alors VRB = 0 donc Ve = VBE.
Le transistor est bloqu tant que 0,6V
Aucun courant dans RC, donc aucune tension aux
bornes de RC,
donc VCE = VCC
Linaire IC varie proportionnellement IB
jusqu la limite de saturation dfinie par
ICsat = (VCC - VCEsat) / RC = VCC / RC
Saturation IC est limit par le circuit ICsat = VCC / RC
mme si IB augmente au-del de ICsat / b.
Plus IB augmente, plus le transistor est satur.
Il existe un retard pour repasser au blocage, d des
capacits parasites (capacits de stockage) internes au
transistor.
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 satur linaire
En rgime linaire Ic est indpendant de VCE
Dans ce cas : IC=.IB

En rgime satur le courant Ic nest pas proportionnel IB

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 2- Structure MIS et Transistor MOS
2.1. Structure MIS
La structure MIS ( mtal Isolant Semi-conducteur) est un
empilement de trois couches actives de caractristiques
lectriques trs diffrentes.

Mtal : caractristiques mtallique ou un conducteur dlectricit

Isolant : une couche fine disolant lectrique dans le seul but disoler le mtal du SC.
Semi-conducteur : dans ce matriaux les porteurs sont contrls par lutilisateur de la
structure avec des potentiels quon lui applique et des potentiels lectrique quon
applique sur le mtal.
les caractristiques dune structure MIS sont utilises pour construire un composant actif
qui est le transistor MOS.

Le principe du transistor MOS est de polariser la grille mtallique par rapport au

substrat pour attirer des porteur minoritaires vers linterface isolant/semiconducteur, ces
minoritaires accumuls dans une zone troite deviennent majoritaire et le
semiconducteur change ainsi de type momentanment dans cette zone.

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2.2. Transistors MOS

SiO2 Grille G
D Drain
Grille G Source S
Source S D Drain

N- - -+ - - - +-- --+-- --N

+ -+ + +
--- -
+ +N + + + + + N+ +
--- - - - - -
- - -- --- - + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + + + +
+ + + + + + + + +
+ + + + + + + + +
+ + + + + + + + + P + + Substrat
P + + +B + + +
+ + + Substrat
+ + B + + +
Structure du Transistor NMos
Transistor mos polaris. VG

Si VGS est suffisante (VGSVT avec VT la tension de seuil) pour crer une zone N linterface SiO2 substrat
alors les deux zones N du transistor sont relies par un canal du mme type (N) les charges ngatives ne
trouveront alors pas dobstacles pour passer du Drain la source.

D Gnralement le potentiel de du substrat est le mme que celui de la source

D

G B
G

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S S
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 2.2. Transistor MOS

Transistor CMOS. Par 3 procds de fabrication: a)- caisson p, b)- caisson n, c)-
double caisson

Dessin du masque
Ou layout
Image relle de contacts

Dessin de masque pour un intelcours AP 2017

P4 90nm complet
-Caractristiques du transistor Mos

Caractristiques de transfre Caractristiques de sortie

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Rsum de tapes de fabrication dun inverseur transistor MOS NMOS et PMOS
sur un mme substrat
1- Ralisation du caisson 2- Ralisation de SiO2 , Masquage de zone actives

3- Ralisation du contact en polysilicium 4- Ralisation des zones P

5- Ralisation des zones N 6- Ralisation des contacts

6- Mtallisation

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 2.2. Etapes de fabrication dun Transistor MOS
Pour raliser un transistor MOS, il faut passer par plusieurs tapes dcrites ci-aprs:
La figure suivante montre la courbe dvolution de la largeur de grille en fonction du
temps, et des photos pour deux technologie diffrentes ( 70nm et 30nm)

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Les Amplificateurs oprationnels
Caractristique dun ampli op: e-
- Gain infini
- Impdance dentre trs grande (thoriquement infini) e+
- Impdance de sortie trs faible (thoriquement nul)
- Ve+=Ve-
- Vs = A . (Ve+ - Ve-) = A.Vd

Fonctionnement en amplificateur
Le suiveur

VS = R.I + + VE VE
Si VE > VS alors la sortie VS va tendre vers +Vcc ce qui va la
rendre infrieure VE. Et dans ce cas aussi VS va se mettre la
masse (ou Vcc)
Donc Vs va osciller entre les valeurs de VE des valeurs trs
faible de celuici. On dis que cest un suiveur

Linverseur

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Fonctionnement en comparateur

Convertisseur analogique numrique

VCC

r
Dans ce circuit tous les amplificateurs oprationnels font une
comparaison entre les potentiels es deus entres e+ et e-. 5.Vcc/6
la tension de rfrence de chacun est fournis par sa position dans Le diviseur
0
r
de tension. Cest--dire que lampli 1 compare la tension Ve Vcc/6 alors
que celui du poids le plus fort compare 5Vcc/6. les sortie seront alors 4.Vcc/6
Numrique. Le code numrique en sortie sera fonction de la tension dentre; 0
r
3.Vcc/6 0
r

2.Vcc/6
1
r
Vcc/6
Ve
1
r

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 Chapitre II: Technique de ralisation des circuits imprims

I- Introduction
I.1.Gnralits

On appel circuit lectronique un ensemble de composants relis lectriquement

par des liaisons conductrice de manire raliser une fonction.
Dfinitions:
On utilise un support isolant ( rsine, baklite, poxy,) sur lequel les
connexions entre les composants sont pralablement colles, puis on places les
composant on les reliant a leur connexions par des soudure en tain.
Une plaque pr sensibilis est une plaque disolant rigide sur lequel un film de
cuivre recouvre toute la surface et qui est lui-mme protg par une rsine rsistant
au perchlorure de Fer mais qui est sensible aux UV. Cette rsine est protg par un
film de plastique opaque au UV.

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I.2. Technique de ralisation de circuit Imprims

Pour raliser pratiquement un circuit lectrique on procde en premier lieu la ralisation

de circuit imprim qui, pour le raliser on procde de la manire suivante:

On ralise le masque ( typon) qui protgera la rsine photosensible des UV lors de

linsolation.
La protection en plastique de la rsine est retire de la surface de la plaque prsensibilis.
On pose ce typon sur la plaque cot rsine on prenant en considration le cot de
limplantation des composant et le cot cuivre.
On procde linsolation dans le but daffaiblir la rsine sur les surfaces non-protges(
Insolation) .
On plonge la plaque dans une solution basique appele rvlateur (Rvlation).
On rince la plaque puis on la plonge dans du perchlorure de Fer. (gravure).
Rq: les temps de linsolation et de la gravure doivent tre soigneusement choisis.

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 I.3. Ralisation du typon
Nous pouvons procder de deux manire pour la ralisation du typon/
Avec un logiciel
A la main

I.3.1. ralisation de typon avec un logiciel

Il existe des logiciel de dveloppement de circuits imprims qui donnent la possibilit de faire
le dessin du typon dune manire automatique ou semi-automatique.

I.3.2. ralisation de typon la main

Pour le dveloppement du typon la main, le trac doit se faire premirement au crayon puis
sera retrac a une ancre opaque au UV.
Il faut toujours avoir le schma lectrique sous les yeux.
Rpertorier les composants qui prendrons place sur le circuit imprim.
Inventorier les point de branchement de la carte (alimentation, transformateur,
composants extrieurs .)

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I.3.3. Dimension du circuit et largeur des pistes

Limite infrieur: la limite infrieur des dimension de la carte est dict par lencombrement
des composants.
Limite suprieure: la limite suprieur est dict par les dimensions du botier qui va labriter.
Les Pas normaliss: lcartement des broches des composants lectroniques sont toujours un
multiple dun pas normalis donn par 1/10 de pouce ou 2.54mm, il faudra donc dessiner son
typon sur une feuille quadrille.
Entres et Sortie: dans la mesure du possible, les entres et sorties sont disposes sur des
cots opposs.
Largeurs des pistes: on fonction de lpaisseur du film de cuivre nous raliserons la largeur
de la piste en fonction du courant max qui va traverser une temprature de 30C.

Courant(A) 1.8 1.9 3.5 4.6 5.8 8.2 10.5 12 14 16.1

70m Cu 0.36mm 0.6mm 0.6mm 0.9mm 1.75mm 2.3mm 2.9mm 3.5mm

35m Cu 0.35mm 0.4mm 0.72mm 1.14mm 1.78mm 2.5mm 3.5mm 4.5mm 5.8mm 7.1mm

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 Ecart entre les pistes: on fonction de la tension entre les pistes on doit respecter les distance
qui sparent ces dernires.

Tension (V) 0-50 50-100 100-170 170-250 250-500

Ecart minimum (mm) 0.5 0.7 1.0 1.2 3.0

Dimension des pastilles et des forets: en fonction des composant utiliser les dimension
des foret de perage sont choisis. Les dimension des foret en fonction des composant sont
donns dans le tableau suivant.
composant Res W Res W Res 1 W Res 2W condensateur Diode & transistor Circuit
faible puissance integr
du fil (mm) 0.5 0.7 1 1.1 0.5-0.8 0.5 ou 0.6 0.6

du foret (mm) 0.8 0.8 1.1 1.3 0.8 ou 1.1 0.8 0.8

mini de la pastille 1.39 1.3 1.98 1.98 1.98 1.98 1.3

optimal de pastille 1.98 1.98 2.54 2.54 2.54 2.54 2.54

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I.3.4. Quelques rgles pour les circuits imprims:

Quelques rgles sont obligatoire alors quil faut viter quelques autres erreurs. Le tableau
suivant montres les quelques rgles dobligations et dinterdiction dans les circuits imprims.

Interdiction Obligation
Les angles 90 sont viter Les pistes sont disposes soit horizontalement soit
verticalement soit 45(soit en arrondi)
Les pistes ne doivent pas passer au dessous dun
transistor
Pas de pastille pour deux ou plusieurs broches de Chaque broche dun composant doit avoir sa propre
composant pastille
De placer deux broches dans un trou

interdit viter correct

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interdit viter correct

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I.3. Procd de gravure du circuit imprim

Le trac du typon est reproduit sur du papier transparent aux ultraviolets, celui-ci est
plac entre les rayons ultraviolet est le cuivre dans ltape insolation
(1)- insolation: des lampes rayons ultraviolets clairent violemment ensemble.
Dans cette opration il faut choisir un temps assez long pour permettre daffaiblir la
rsine qui nest pas protge mais pas trop long pour ne pas agir sur celle protge
par le typon.
(2)- la plaque est plonge pendant quelques secondes, dans une solution rvlatrice
(appele rvlateur). Cette dernire permet de rendre soluble la rsine au seuls
endroits ou elle est touche par les UV.
(3)- le cuivre nest maintenant protg que par la rsine, le perchlorure de fer peut
alors extraire le cuivre des surface o il est apparent (surface non protges par la
rsine)
(4) avant dimplanter les composant il est conseill de vrifier la continuit des
pistes et labsence de court-circuit qui pourrait endommager les composants.

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1.4- construction finale de la maquette
1.4.1 - perage des trous

On supposant que la plaque est pralablement bien dcoupe nous procdons

au perage, on doit connatre les composants implanter pour pouvoir choisir les
foret. Les foret utiliser sont choisis en fonction des diamtres des trous percer.
1.4.2 la soudure
- Le soudage doit toujours se faire avec soin.
- Utiliser le minimum de soudure pour mettre en contact le maximum des deux
surfaces (patte et piste).
-Le fer souder est mis sur les deux surfaces souder, mais il ne faut pas le
laisser trop long temps sous risque dendommager le circuit souder.

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Chapitre III: Technique de fabrication de circuits intgrs
1- Introduction:
Un circuit intgr est un empilement de couches successive actives et non actives
sur un substrat dans le but dobtenir une fonction ou plusieurs. La technologie la plus
rpondu est la plus facile pour la fabrication des circuit intgr est la technologie
CMOS.
Le silicium est le moteur des industrie de microlectronique. Il est la base de la
technologie CMOS.
Le substrat en technoogie CMOS est du silicium
La grille est du polysilicium
Et lisolant est de loxyde de silicium.

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3- les diffrent circuits integrs
3.1- circuits standard
des composants ou la conception est ralise pralablement par le fabriquant
pour raliser une certaine fonction
3.2- Les ASICs: ( circuit intgr spcifique)
-Pour une plus grande vitesse dexecution
- moindre encombrement
- faible consommation
- Fiabilit
3.2.2- circuits semi-spcifiques
* les circuits programmable:
La personnalisation du circuit, de manire rversible ou irrversible est faite par le
concepteur, mais lensemble des tapes de fabriquant sont ralis par le fabriquant
* circuit prdiffus:
Les premires tapes de fabrication sont ralises pralablement la conception. l
utilisateur va personnaliser une matrice standard caractrise par un nombre de
transistore et de plots dentres/sorties limiten
cours AP 2017concevoant les masques finaux de
fabrication (contacts, mtalisation)
 3.2.3- circuit spcifiques
* circuits pr-caractriss
* circuits sur mesure

3.3- les circuits programmables

Ce sont des composants standards programmables une seule ou plusieurs fois.
Dans ces circuits, les architectures offrent un ensemble de ressources logiques
(portes, bascules) qui peuvent tre interconnectes de diffrentes faons;
Les technologies de fabrications sont nombreuses:
-Fusibles en mtal
-Antifusibles (capacits)
-Transistors MOS grille flottante (EPLD)
-Mmoire RAM statique (FPGA-SRAM) ou flash.

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