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ELEKTRONIK

Dr. Gernot Ecke TU Ilmenau, FG Nanotechnologie, Zentrum für Mikro- und Nanotechnologien, Raum 315 gernot.ecke@tu-ilmenau.de

Verbesserungen und Korrekturen bitte an:

gernot.ecke@tu-ilmenau.de

oder

simone.gutsche@tu-ilmenau.de

Literatur:

-

Skript Elektronik

-

Lehrbriefe Grundlagen elektronischer Bauelemente Köhler / Mersiowski, Nachauflage durch Buff / Hartmann, TU Ilmenau 1998

-

www.elektronik-kompendium.de

-

Elektronik für Physiker

 

K.

H. Rohe

Teubener Studienbücher; ISBN 3-519-13044-0

 

-

Gerthsen Physik

 

H.

Vogel

Springer Verlag, 20. Auflage, ISBN 3-540-65479-8

 

-

Taschenbuch der Elektrotechnik und Elektronik

 

H.

Lindner, H. Brauer, C. Lehmann

Carl Hanser Verlag, Leipzig 2008, ISBN 978-3-446-41458-7

 

-

Lehr- und Übungsbuch Elektronik

G. Koß, W. Reinhold, F. Hoppe

0.

Vorbemerkungen

Begriffe:

Elektronik:

Lehre von der Steuerung von Elektronen, Elektron (gr.) = Bernstein Teilbereich der Elektrotechnik Entwicklung, Modellierung und Anwendung elektronischer Bauelemente

Elektronische Bauelemente:

Bauelemente der Elektrotechnik ohne mechanische Bewegungen:

- passive elektronische Bauelemente

- aktive elektronische Bauelemente - vakuumelektronische Bauelemente - festkörperelektronische Bauelemente

- Bauelemente sind z. B.:

Widerstände Kondenstoren Spulen Dioden Transistoren Thyristoren Leuchtdioden Fotodioden Laserdioden LCD-Displays Integrierte Schaltungen (IC)

Unterteilung der Elektronik in:

- Analogelektronik kontinuierliche Signale, Leitung, Verstärkung, Verarbeitung Verstärker wichtigste Schaltung, OPV, Oszillator, Filter

- Digitalelektronik Verarbeitung diskreter Zustände (1,0)

- Mikroelektronik Miniaturisierung und Integration von Bauelementen zu komplexen Schaltungen

- Leistungselektronik Erzeugung, Umwandlung, Verteilung und Regelung von großen Leistungen (Motorsteuerungen, Lichtdimmer, Kraftwerkstechnik)

- Hochfrequenzelektronik Signale hoher Frequenz, elektromagnetische Wellen, Funk, drahtlose Übertragung, Satelitenempfang, Mobiltelefonie, Radar

- Optoelektronik Umwandlung von elektrischer Leistung Licht LED, Laser-Diode Umwandlung von elektromagnetischer Strahlung Elektrizität Photodiode, Solarzelle, Sensorik

Bedeutung der Elektronik

Heute unzählige Gebiete (Nanoelektronik, Quantenelektronik), Computertechnik, Informationstechnik. Nicht wegzudenken, großer Stellenwert in der Gesellschaft

Großer Umsatz in der Industrieproduktion.

- derzeit 38 % aller Produkte in Asien/Pazifik allein China 3 % (1995) 16 % (2007)

- Westeuropa 19 %: Reihenfolge: Deutschland, Frankreich, Großbritannien, Irland, Italien

Geschichte der Elektronik

- Bettet sich in die allgemeine Geschichte der Technik und speziell in die Geschichte der Elektrotechnik ein.

www.telecent.de/geschichte.php

Technikgeschichte, Elektrotechnik

600 v. Chr.

47 n. Chr.

um 1600

1663

1670

1750

1774

1802

1801

1821

1848

ab 1850

1854

1876

1883

1895

1898

Thales von Milet beobachtete die elektrisierende Wirkung von Bernstein

Spannungsschläge des Zitterrochens zur Behandlung bei Kopfschmerzen

Unterschiede in der magnet. Wirkung und Bernsteinwirkung werden erkannt

Otto von Guericke - Versuche zur Elektrizität Elektrisierungsmaschine aus Schwefelkugeln (Vakuum)

Isacc Newton – viele Versuche – Versuche zur Elektrizität

Benjamin Franklin – Blitzableiter

Erste Herzwiederbelebung mit elektrischen Schlägen

zwei Wege, mit Strom Licht zu erzeugen, werden vorgestellt:

glühende Metalldrähte und Lichtbogen zwischen 2 Kohlen, Sir Humphry Dary

Volta, erste Batterie

Oerstedt, Ampere magnetische Wirkung elektr. Stroms, Kräfte

erste elektrische Morselinie in Europa erste elektrische Beleuchtung mit Bogenlampen in Paris

Bau von Generatoren und Elektromotoren

Heinrich Goebel: erste Glühlampe mit verkohlten Bambusfasern

Bell: erstes Telefon, Gründung der Bell Telephone Company

Erfindung des Transformators

W.C. Röntgen – Entdeckung der Röntgenstrahlen

Metalldraht aus Osmium für Glühlampen

Spezielle Geschichte der Elektronik zuerst Elektronenröhre

Edison 1884 In Glühlampe fließt Strom von Glühwendel zu einer weiteren Elektrode

→ zuerst Elektronenröhre Edison 1884 In Glühlampe fließt Strom von Glühwendel zu einer weiteren Elektrode 3

EDISON-Effekt: polt man U um, kein Strom!

daraus 1906 von Lee d. Forest, R. von Lieben: TRIODE

Strom! daraus 1906 von Lee d. Forest, R. von Lieben: TRIODE ab 1910 - neue Anordnungen

ab 1910 - neue Anordnungen von Gittern und Kathode konzentrisch, neue Materialien

1913 – erstes Patent zur Mehrgitterröhre Langmuir

Damit ab 1. Weltkrieg: Röhren als Gleichrichter und Verstärkerbauelemente Grundlage für Radios, Radar, Verstärker, Funk

Speziell: Geschichte der Halbleiterelektonik

1823

Jöns Jacob Berzelius (S) entdeckt Si

1874

Ferdinand Braun entdeckt den Gleichrichtereffekt

ab 1925

Halbleitergleichrichter aus Kupferoxydul

1947

Bardin, Brettin Shockley Erfindung des Transistors aus Germanium (Ge seit 1886 bekannt, Clemens Winkler (D), dafür 1956 – Physik- Nobelpreis) da schon erste Transistorradios!

1958

Erste integrierte Schaltung von Texas Instruments von der Elektronenröhre zum IC: kleiner - schneller - billiger höhere Lebensdauer, höhere Zuverlässigkeit , geringerer Energieverbrauch

Start der Entwicklung der IC-Industrie:

Tendenzen:

Miniaturisierung (< 100 nm)

neue Materialien (GaAs, GaN, SiC…) insbesondere für Spezialanwendungen HF, Leistung, Optoelektronik

neue Konzepte und Prinzipien Quanteneffekte, HEMT

Integration von Gesamtsystemen MEMS Mikroelektromechanische Systeme NEMS Nanoelektromechanische Systeme MOEMS Mikrooptoelektromechanische Systeme

1.

Eigenschaften fester Körper

1.1 Metalle

- Metalle sind dadurch gekennzeichnet, dass die Atome ihre äußeren Elektronen leicht abgeben.

Daraus resultieren

- gute Leitfähigkeit

- Undurchsichtigkeit

- Reflexion und Glanz

Elektronen bilden im Metall-Festkörper das Elektronengas (nach P. Drude, A. Lorentz)

Legt man eine Spannung über ein Metall an, dann fließt ein Strom:

eine Spannung über ein Metall an, dann fließt ein Strom: Die Elektronen werden durch das elektrische

Die Elektronen werden durch das elektrische Feld beschleunigt:

E =

U

F

= m a

a =

eE

l

m

Mit :

e

=

1,602 10

19

As

m

c

=

9,109 10

31

kg

Freie Flugdauer τ bis zum Stoß mit einem Rumpfatom:

v = −

eE

τ

m

τ bis zum Stoß mit einem Rumpfatom: v = − eE τ m Die Geschwindigkeit ist

Die Geschwindigkeit ist der thermischen Bewegung überlagert:

v th

= 10

5

m s
m
s

bei T = 300 K

diese ist aber ungerichtet, Wimmelbewegung.

mittlere Geschwindigkeit, Driftgeschwindigkeit:

v

D

=−

1

eE

τ

2

m

e

Beweglichkeit: Proportionalitätskonstante zwischen v und E:

v = μE

μ =

Leitfähigkeit:

σ

v

E

e

= ⋅

n

μ

μ

1

e

τ

= 2

m

=

1

e

2

n

τ

2 m

Strom durch Metalldraht:

I =

Δ Q

Δ t

mit Driftgeschwindigkeit:

v D

=

Δ

s

Δ t

(unten Herleitung)

Driftgeschwindigkeit: v D = Δ s Δ t (unten Herleitung) alle Elektronen im Volumen V durchdringen

alle Elektronen im Volumen V durchdringen in Δt die Fläche A

Anzahl

N = n A ⋅ Δs = n V

 

Ladung

Q = e n A ⋅ Δs

 

Strom

I =

e

n

A

Δ t

⋅Δ

s

=

e

n

A

v

D

 

U

 
 

I e nAμ E

=

 

E =

 
     

l

 

e

I nA

=

μ

U

 
 

l

Proportionaler Zusammenhang:

 

I ~ U

 
 

I

=

U

R

=

l

 

R

e

n

μ

A

 

R

=

ρ

l

A

=

1

σ

l

A

ρ

=

1

σ

σ = e n μ

1.2

Energiebänder im Festkörper

Potential um ein Einzelatom:

Energiebänder im Festkörper Potential um ein Einzelatom: Potential um Atome im Festkörper: zwei Effekte: 1. die

Potential um Atome im Festkörper:

um ein Einzelatom: Potential um Atome im Festkörper: zwei Effekte: 1. die Pote ntialkurven überlagern sich

zwei Effekte: 1. die Potentialkurven überlagern sich 2. die Energieniveaus spalten sich zu Bändern auf und verbreitern sich

Je näher sich die Atome kommen, desto weiter werden die Bänder.

spalten sich zu Bändern auf und verbreitern sich Je näher sich die Atome kommen, desto weiter

1.3.

Fermi-Gas

- die Elektronen einer Festkörpers versuchen innerhalb der erlaubten Bänder energetisch niedrige Zustände zu besetzen.

- Fermi-Verteilung /Fermienergie kennzeichnen die Grenze der Besetzung mit Elektronen.

kennzeichne n die Grenze der Besetzung mit Elektronen. Bei Temperaturerhöhung „verwi scht“ die scharfe Grenze

Bei Temperaturerhöhung „verwischt“ die scharfe Grenze

Bei Temperaturerhöhung „verwi scht“ die scharfe Grenze Verteilungsfunktion.: Fermi-Verteilung: 1 f () w =
Verteilungsfunktion.: Fermi-Verteilung: 1 f () w = ⎛ w − w ⎞ F exp ⎜
Verteilungsfunktion.:
Fermi-Verteilung:
1
f
()
w
=
⎛ w
w
F
exp
⎟ +
1
kT

k = Bolzmann Konstante = 1,38 10

23 J

= ⎛ w − w ⎞ F exp ⎜ ⎟ + 1 ⎜ ⎟ kT ⎝

K

T = Absoluttemperatur kT 25 meV bei 300K

Metalle:

Elektronen im Leitungsband:

frei beweglich - hohe Leitfähigkeit

z.B. Kupfer:

6

σ = ⋅

μ =

10

n 10

10

2

7

(

m

Ωcm

2

Vs

22 cm -3

)

1

(niedrig!)

Beweglichkeit ist temperaturabhängig!

1.4.

Isolator

J

= 1

Nm

= 1 VAs

1

J

=

6,242 10

18

eV

4 . Isolator J = 1 Nm = 1 VAs 1 J = 6,242 ⋅ 10

keine Elektronen im Leitungsband kein Stromfluss möglich!

Spezifische Widerstand/Leitfähigkeit ist eine der Stoffeigenschaften, die den größten Bereich überspannt (40 Größenordnungen!!!)

lg ρ

[Ω cm]

20

15

10

5

0

-5

-10

-15

-20

Paraffin Diamant Glas Schiefer Reinstes Wasser

reines Ge

Ag

Au, Cu

Sn

Pb

Halbleiter

Halbleiter

1.5.

Halbleiter

Halbleiter sind:

Elemente der 4. Hauptgruppe Verbindungen aus 3. + 5. HG Verbindungen aus 2. + 6. HG

IV III - V II – VI

Beispiele:

IV III – V II – VI

Si, Ge, SiC GaAs, AlAs, InAs, InP, GaN, InN, AlN, In Sb ZnSE, CdS, CdTe … ZnS

verschiedene Kristallgittertypen:

ZnSE, CdS, CdTe … ZnS verschiedene Kristallgittertypen: Diamantgitter (kfz) Si Zinkblendegitter GaAs, ZnS, CdS

Diamantgitter (kfz) Si

Zinkblendegitter GaAs, ZnS, CdS

Hexagonales Gitter (Wurzit) GaN, SiC

1.5.1. Reine Halbleiter, Eigenhalbleiter (alles am Beispiel des Si)

Halbleiter, Eigenhalbleiter (alles am Beispiel des Si) Bei Raumtemperatur sind beim Si nur ca. 10 1

Bei Raumtemperatur sind beim Si nur ca. 10 10 Elektronen pro cm 3 im Leitungsband (bei Cu 10 22 !) … bei niedrigeren Temperaturen noch weniger!

Gap-Energien für verschiedene Halbleiter:

Si

1,12 eV

GaN

3,37 eV

Ge

0,67 eV

InN

0,7 eV

SiC

2,36 … 3,28 eV

InP

1,27 eV

GaAs

1,43 eV

AlN

6,2 eV

Für jedes Elektron im Leitungsband fehlt ein Elektron im Valenzband. Elektronen können vom Leitungs- ins Valenzband durch Energie angehoben werden

Energie > W G

Photon Licht Phonon Wärme

i e > W G Photon → Licht Phonon → Wärme Stark unterschiedliche Beweglichkeiten μ n

Stark unterschiedliche Beweglichkeiten

μ

n

= 1350

cm 2

V

S

μ

p

= 480

cm 2

V

S

Anzahl ist gleich!

n = p = n

n i Eigenleitungsdichte

i

n i ist abhängig

n

2

i

~T

3

,

- von der Temperatur - von der Breite der verbotenen Zone

n

2

i

~

e

W

G

kT

3 ⎫ n ~ T 2 W G i ⎪ 3 − n ~ T
3
n
~ T
2
W
G
i
3
n
~ T
2
2 kT
W
G
⋅ e
i
n
~ e
2 kT
i
W
G
3
(
)
2
kT
n i T
T
2
e
1
1
1
=
n i T
(
)
3
W
G
T
2
0
0
2
kT
e
0

=

3 W 2 ⎛ W G G ⎞ ⎛ T ⎞ − + 1 ⎜
3
W
2
W G
G
T ⎞
+
1
2
kT
2 kT
e
1
0
T
0
3 W ⎛ 1 1 ⎞ 2 G ⎛ ⎞ ⎜ − + ⎟ T
3
W
1
1
2
G
⎜ −
+
T
1
2
k
T
T
=
⋅ e
1
0
T
0
3
W G
2
⎛ T ⎞
T 1 ⎞
T 0
2 k
T 0 T
T T
1
0
1
= ⎜
⋅ e
T
⎝ ⎜
0
3
T
W G
2
0
T
⎜ 1 −
⎟ ⎞
1
2 kT
T
=
e
0
1
⎠ ⎟
T
0
⎟ ⎞
G
T 0
3 W
⎜ 1 −
⎛ ⎜ T ⎞
2 2 kT
T
0
()
T
=
n
(
T
)
1
⋅ e
⎜ ⎝
1 ⎟ ⎠
n i
1
i
0
T
⎝ ⎜
0
)
10
− 3
n i (
300 K
=
1,5 10
cm

- bei 0 K gibt es keine elektrische Leitung im Halbleiter

- bei Metallen sinkt die Leitfähigkeit mit steigender Temperatur (Beweglichkeit sinkt)

σ=μ ⋅ ⋅

n

n

e

- bei Halbleitern steigt die Leitfähigkeit mit steigender Temperatur (Ladungsträgerkonzentration steigt)

e(

σ= μ ⋅ +μ

n

n

p

p)

1.5.2 gestörte Halbleiter, dotierte Halbleiter

jede Störung des Kristallgitters kann zusätzliche Energiezustände für Elektronen erzeugen, die oft in der Bandlücke liegen

z. B.

- nichtstöchiometrische Zusammensetzung bei Verbindungshalbleitern

- Fremdatome (Dotierung, Verunreinigung)

- unbesetzte Gitterplätze

- Teilchen auf Zwischengitterplätzen

- Kristallgrenzen, Oberflächen

- Versetzungen

ungewollt / gewollt

1.5.2.1

n-Dotierung

Einbau eines 5-wertigen Atoms auf dem Gitterplatz eines Si-Atoms, üblich P, As, N, Sb

Schematisch:

latz eines Si-Atoms, üblich P, As, N, Sb Schematisch: P besitzt 5 Valenzelektronen 4 werden für

P besitzt

5 Valenzelektronen

4 werden für die Bindung benötigt

1 wird frei – ins Leitungsband

Phosphor wird bei Raum- temperatur ionisiert

P P

+

+ e

Ferminiveau steigt energetisch

+

D =

n

Das 5-wertige Atom heißt „Donator“

Konzentration von P im

Bei Raumtemperatur sind alle Donatoren ionisiert: N Normale Dotierkonzentration = 1 P auf 10 7 Si

Hohe Dotierkonzentration

Si = N

D

= 1 P auf 10 4 Si (0,01%)

Welche Konzentration? Si

N =

Si

4,99 10

cm

cm

3

3

Normale:

5 10

Hohe:

5 10

15

18

22

3

cm

- In einem Halbleiter, der Elektronen und Löcher enthält, wird durch n-Dotierung die

Konzentration der Elektronen erhöht. (z. B. von 1,5 10

Löcher steigt die Wahrscheinlichkeit, auf ein Elektron zu treffen und zu rekombinieren p sinkt.

10

cm

3

auf

5 10

15

cm

3

) für die

Es gilt das Massenwirkungsgesetz:

n p = n

i

2

Elektronen – Majoritätsladungsträger

n = N

D

+

Löcher – Minoritätsladungsträger

p =

2

2

n

i

n

i

=

n N

D

, stark temperaturabhängig

Einbringen von Fremdatomen (Dotierung) erfolgt durch

- Diffusion (Wärme, Diffusionsquelle Festkörper, Flüssigkeit)

- Implantation (Ionenbeschuss) + Ausheilen

1.5.2.2

p-Dotierung

Einbau von 3-wertigen Atomen auf den Gitterplatz von Si, z.B.: B, Al, Ga

Schematisch:

auf den Gitterplatz von Si, z.B.: B, Al, Ga Schematisch: B besitzt 3 Valenzelektronen 4 werden

B besitzt

3 Valenzelektronen

4 werden benötigt

1 vom Si aus der Nachbarschaft

Loch wird erzeugt

Das 3-wertige Atom heißt „Aktzeptor“

Konzentration von B im Si =

Bei Raumtemperatur sind alle Akzeptoren ionisiert N

N

A

A =

p

B bei Raumtemperatur ionisiert

B B

+ e

+

Ferminiveau sinkt energetisch

Normale Dotierkonzentration:

Hohe Dotierkonzentration:

- Erhöhung der Löcherkonzentration Verringerung der Elektronenkonzentration.

1

1

B auf

B auf

10

10

6

4

Si

Si

=

=

5

5

10

10

16

18

cm

cm

3

3

Löcher – Konzentration

Elektronen-Konzentration

Stark temperaturabhängig !

p

= N

A Majoritätsladungsträger

 

2

2

n

=

n

i

=

n

i

Minoritätsladungsträger

 

N

 

p

A

n p = n

i

2

2.

Passive elektronische Bauelemente

2.1.

Widerstände

2.1.1

Festwiderstände

- fester Widerstandswert

- Einheit

- lineare Strom – Spannungskennlinie

- Einheit Ω - lineare Strom – Spannungskennlinie R = U l 1 ⋅ l R
- Einheit Ω - lineare Strom – Spannungskennlinie R = U l 1 ⋅ l R

R =

U

l

1

l

R =

ϑ

I A

σ A

=

dI

Anstieg dU

überall gleich -

Einheit Ω

1Ω= 1

V

A

>

- verschiedene Bauformen:

Drahtwiderstand

Kohleschichtwiderstand Metallschichtwiderstand Metalloxidwiderstand

- Eigenschaften technischer Widerstände

Typ

Draht

Kohleschicht

Metallschicht

Metalloxid

P

V ,max

[w]

0,5-600

0,1-5

0,1-2

0,5-200

T

o,max

[°C]

200-350

125

170

180-250

R

[]

10

10

10

10

0

1

1

1

10

10

10

7

10

5

12

6

ΔR / R

α R

 

%

[1/K]

0,1-10

+

10

5

1-20

10

4

0,1-2

10

3

2-10

+−

10

4

1

R

- Kennzeichnung der Widerstände durch Farbcodes

in den Farbcodes:

Zahl, Einheit (Widerstandswert) Toleranz

Betriebsspannung

TK

Widerstandsrechner: http://www.uni-ulm.de/wwe/PHP/widerstand2.php Beispiel:

http://www.uni-ulm.de/wwe/PHP/widerstand2.php Beispiel: - Widerstandsstaffelung (Werte errechnen sich durch

- Widerstandsstaffelung (Werte errechnen sich durch E-Reihen)

Formel:

R

i

=

n i 10
n
i
10

n = Nummer der E-Reihe

- 96 Werte zwischen 1 und 10 kbei E96

α

n = 3 2 (6 12 24 48 96)

E6

E12

E24

E6

E12

E24

20%

10%

5%

20%

10%

5%

1,00

1,00

1,00

3,30

3,30

3,33

   

1,10

   

3,60

 

1,20

1,21

 

3,90

3,90

   

1,30

   

4,30

1,50

1,50

1,50

4,70

4,70

4,70

   

1,60

   

5,10

 

1,80

1,80

 

5,60

5,60

   

2,00

   

6,20

2,20

2,20

2,20

6,80

6,80

6,80

   

2,40

   

7,50

 

2,70

2,70

   

8,20

   

3,00

   

9,10

- Toleranzen:

Toleranzen leiten sich aus den E-Reihen ab: z. B. E24

Toleranzen leiten sich aus den E-Reihen ab: z. B. E24 - je höher die E-Reihe, desto

- je höher die E-Reihe, desto enger die Toleranzen E3 = über 20 %, E6 = 20 %, E12 = 10%, E24 = 5 %, E48 = 2 %, E96= 1 %, E192 = 0,5 %

- Temperaturabhängigkeit wird linearer vereinfacht angegeben durch den Temperaturkoeffizienten

Allgemeine Gleichungen für die fiktive physikalische Größe G

()

TK G

=

1

(

G T

0

)

()

G T

T

G(T ) = G(T )(1 + TK ⋅ ΔT )

0

Angewendet auf den Widerstand R

α

=

1

R

R

20 T

Thermische Belastbarkeit:

R = R

20

(1+αΔT )

ΔT = T T

20

- durch die umgesetzte Leistung P = U I wird der Widerstand warm

- Temperatur darf Maximaltemperatur nicht überschreiten -> maximale OF-Temp.

nich t überschreiten -> maximale OF-Temp. Integration von Widerständen: In IC werden Widerstande

Integration von Widerständen:

In IC werden Widerstande durch dotierte Gebiete in Halbleitern hergestellt, die oftmals lang und schmal sind und Mäanderform bekommen.

2.1.2 Andere Widerstände

Einstellbare Widerstände

die oftmals lang und schmal sind und Mäanderform bekommen. 2.1.2 Andere Widerstände Einstellbare Widerstände 17
die oftmals lang und schmal sind und Mäanderform bekommen. 2.1.2 Andere Widerstände Einstellbare Widerstände 17

- Widerstandswert durch Drehen zwischen 0 und Maximalwert einstellbar

- lineare, logarithmische und exponentielle Kurvenläufe möglich

- Anwendung: Lautstärkeregler, Einstellung des Arbeitspunktes

Temperaturabhängige Widerstände:

des Arbeitspunktes Temperaturabhängige Widerstände: Spannungsabhängige Wide rstände, Varistoren, VDR: 2.2.

Spannungsabhängige Widerstände, Varistoren, VDR:

Spannungsabhängige Wide rstände, Varistoren, VDR: 2.2. Kondensatoren 2.2.1. Allgemeines Kapazität =

2.2.

Kondensatoren

2.2.1.

Allgemeines

Kapazität = Ladungsspeicherung

Wide rstände, Varistoren, VDR: 2.2. Kondensatoren 2.2.1. Allgemeines Kapazität = Ladungsspeicherung 18
Formeln: C = dQ dU ε = 0 8,854 10 − ⋅ ε → r

Formeln:

C

=

dQ

dU

ε =

0

8,854 10

ε

r

Tabelle

C =

12 As

Vm

εε 0

r

A

d

10 − ⋅ ε → r Tabelle C = 12 As Vm εε 0 r A

Einheit:

C

=

Q

U

As =

V

dU

dt

1

C

I = C

U =

I dt

F gebräuchlich pF, nF, µF

Bei Wechselspannung:

U

I = I

=

U

0

0

sinωt

sin (ωt + 90°)

Komplexe Schreibweise:

1 = Z C j ω C
1
=
Z C
j
ω
C
Komplexe Schreibweise: 1 = Z C j ω C Im Zeitbereich: Ersatzschaltbild für hohe Frequenzen -

Im Zeitbereich:

Komplexe Schreibweise: 1 = Z C j ω C Im Zeitbereich: Ersatzschaltbild für hohe Frequenzen -

Ersatzschaltbild für hohe Frequenzen

- Zuleitungsinduktivität

- Induktivität von Wickelkondensatoren

- Zuleitungswiderstand

- Widerstand des Dielektrikums

- Widerstand der Außenisolation (Lack)

des Dielektrikums - Widerstand der Außenisolation (Lack) 2.2.2. Technische Ausführungen von Kondensatoren Keramik

2.2.2. Technische Ausführungen von Kondensatoren

Keramik – Kondensatoren Dielektrikum Keramik ε > 1000 0,5 pF … 0,2 µF, hoher TK Keramik, auf beiden Seiten Metall aufgedampft

Folienkondensatoren/Wickelkondensatoren zwischen zwei Metallfolien Kunststoff oder Papier < 10 µF

Polyester, Polykarbonat, Polystyrol u.a.

Speziell: Styroflexkondensatoren Dielektrikum Polystryrol Spezielle Herstellungstechnologie geringe dielektrische Verluste, geringe Alterung, linearer TK

Elektrolytkondensator

Al O

2

3

hohe Dielektrizitätskonstante hohe Spannungsfähigkeit

hohe Dielektrizitätskonstante hohe Spannungsfähigkeit

ε

r

~ 10

800 V/µm
800 V/µm

800 V/µm

hohe Spannungsfähigkeit ε r ~ 10 800 V/µm Polarität beachten! Säure löst Oxid auf bei falscher

Polarität beachten! Säure löst Oxid auf bei falscher Polung

Formierspannung bestimmt die Oxiddicke: 1,2 nm/V

Große Kapazität, weilA groß, d klein, ε → groß

C > 10 µF… F

Materialdaten der drei in der Elektronik verwendeten Elektrolytkondensator-Bauarten:

Anode

Aluminium

Tantal

Niob

Dielektrikum

Al 2 O

Ta 2 O

3

5

Nb 2 O 5

Dielektrizitätskonstante

Spannungsfestigkeit V/µm

8.4

700

28

625

42

455

Gold-Cap-Kondensatoren

Spezieller Kondensator (Panasonic) aus Aktivkohle + Elektrolyt dielektrische Doppelschicht wirkt als Dielektrikum Parallelschaltung viele kleine Kap. mit Verbindungswiderständen

viele kleine Ka p. mit Verbindungswiderständen Nicht für HF oder NF-Anwendungen, sondern Span

Nicht für HF oder NF-Anwendungen, sondern Spannungsversorgungen, Pufferbauelemente steht zwischen Kondensator und Akkumulator, typische Werte: 0,1 F….10 F…50 F

Veränderliche Kondensatoren/ Drehkondensatoren

Aufbau:

F Veränderliche Kondensatoren/ Drehkondensatoren Aufbau: Isolation: Luft oder Kunststoff Variation lineare

Isolation:

Luft oder Kunststoff

Variation lineare Einstellung

0 C C C = K ϕ , 0 < ϕ < 180°

max

Getriebe, Seilzüge

mechanische Konstruktion

Hauptanwendung: Senderwahl in Analogradios

Einmalige Einstellung: Trimmer

2.3. Spulen, Induktivitäten 2.3.1. Allgemeines alt: Symbol:
2.3.
Spulen, Induktivitäten
2.3.1.
Allgemeines
alt:
Symbol:

Haupteigenschaft der Spule ist ihre Induktivität Formelzeichen: L

Einheit: Henry

Vs

A

1H =

(Joseph Henry 1797 – 1878)

Wird ein Leiter von einem veränderlichen Strom durchflossen, so induziert das vom Strom erzeugte veränderliche Magnetfeld eine Spannung U(t)

U

ind

=

L

dI

dt

Ma gnetfeld eine Spannung U(t) U ind = − L dI dt Angelegte Spannung und Selbstinduktionspannung
Ma gnetfeld eine Spannung U(t) U ind = − L dI dt Angelegte Spannung und Selbstinduktionspannung
Angelegte Spannung und Selbstinduktionspannung sind einander entgegengesetzt und gleich groß dI U =− U =
Angelegte Spannung und Selbstinduktionspannung sind einander entgegengesetzt und
gleich groß
dI
U
=−
U
=
L
ind
dt
für Sinussignal
U =
j ⋅ wL ⋅ I
komplexe Schreibweise
Z
j
w
L
L =
im Zeitbereich:
Induktivität einer Spule

L

µ

=

N

2

µ µ

0

r

A

l

Spulenlänge: l , Kernquerschnitt: A

0 = mag. Permeabilität des Vakuums

H

µVs

µ 0 =

µ

= 1,26

r = relative Permeabilität, Eisen: 2000 … 5000

1,25664 10

6

m

As

→ reale Induktivität: der Draht besitzt einen ohmschen Widerstand Ersatzschaltbild: in kompl. Darstellung Güte einer

reale Induktivität: der Draht besitzt einen ohmschen Widerstand

Ersatzschaltbild:

Draht besitzt einen ohmschen Widerstand Ersatzschaltbild: in kompl. Darstellung Güte einer Induktivität Im Z jωL

in kompl. Darstellung

Güte einer Induktivität

Im Z jωL L = δ R Re R δ = arctan wL R tan
Im
Z
jωL
L =
δ
R
Re
R
δ = arctan
wL
R
tan δ =
wL
wL
1
θ =
=

R δ

2.3.2.

Technische Ausführung von Spulen/Induktivitäten

Spulendraht guter Leiter, meist Cu isoliert mit Lack für hohe Frequenzen Litze (> 100 kHz Oberflächenleiter)

entweder Kern aus Luft (Luftspulen) oder:

entweder → Kern aus Luft (Luftspulen) oder: 2.3.3. Spezielle Anwendungen von Spulen 2.3.3.1

2.3.3.

Spezielle Anwendungen von Spulen

2.3.3.1

Das Relais

- ein durch elektrischen Strom betriebener Schalter

- Steuerstromkreis, Laststromkreis

niedrige Spannung,

Laststromkreis

niedrige Leistung

hohe Leistung

Laststromkreis niedrige Leistung hohe Leistung Relaistypen: Kleinrelais (DIL, SMD) Schütz (Relais für

Relaistypen:

niedrige Leistung hohe Leistung Relaistypen: Kleinrelais (DIL, SMD) Schütz (Relais für hohe

Kleinrelais (DIL, SMD) Schütz (Relais für hohe Leistungen) Fernmelderelais Bistabile Relais /Stromstoßrelais (Licht, Drehkern) REED-Relais in Glas gekapselte Kontakte (rechts)

25

2.3.3.2

Der Transformator

Zusammenschaltung von 1, 2 oder mehreren Spulen auf einen gemeinsamen Kern, zur Transformation von Wechselspannungen.

gemeinsamen Kern, zur Transformation von Wechselspannungen. Primärspule vom Wechselstrom durchflossen → erzeugt

Primärspule vom Wechselstrom durchflossen erzeugt veränderliches Magnetfeld induziert Wechselspannung in der Sekundärspule.

Gesetzmäßigkeiten:

U

P

N

P

I

S

=

=

U

S

N

S

I

P

P

P

= P

S

das gilt nur im Leerlauffall.

praktisch unter Nennlast: Verluste in Transformator P V (durch Streuinduktivität und inneren elektrische Widerstand)

z. B.

P

V

P

P

Kernverlust

belastungsunabhängig

= 0,1

10 % Verluste

Spulenverlust

belastungsabhängig

Sekundärspule muss mehr bewickelt werden:

U

Korr

SEK

=

U

1

S

P

V

P

P

Praktische Ausführung von Transformatoren:

Eisenkerntransformatoren (Eisenlamellen) Ferritkerntransformatoren/Ringkerntransformatoren

- je größer der Trafo, desto besser der Wirkungsgrad (< 99,8 %)

- übertragene Leitung steigt mit der 4. Potenz der Größe

- Oberfläche wächst nur quadratisch Kühlprobleme Ölkühlung

2.4.

Zusammenschaltungen passiver Bauelemente

2.4.1.

Hochpass/Tiefpass

2.4.1.1.

Der Tiefpass

Tiefpass lässt tiefe Frequenzen durch und dämpft hohe Frequenzen:

lässt tiefe Frequenzen durch und dämpft hohe Frequenzen: Übertragungsfunktion: u a → Rechnung im Komplexen

Übertragungsfunktion:

u

a

Rechnung im Komplexen

u

e

 

u

e

=

U

e

( t)

sin ω

Amplitude und Phase, im Zeitbereich

Komplexe Rechnung ist in der Lage, Amplitude und Phase zu berücksichtigen!

Drei Darstellungen im Komplexen sind möglich:

Z

Z

Z

= Re+ j Im

= Be

= B(cosϕ + j sinϕ)

iϕ

− = Re + j Im = Be = B ( cos ϕ + j sin

Berechnung der komplexen Übertragungsfunktion einfach (Seminar)

aus der komplexen Übertragungsfunktion

U

a

U

e

kann das Verhältnis der Amplituden und der Phasen

U − a 2 2 = Re + Im U − e Im ϕ =
U
a
2
2
=
Re + Im
U
e
Im
ϕ = arctan
berechnet werden
Re

Übertragungsfunktion in doppelter logarthmischer Darstellung

0 10 Tiefpass -1 10 -2 10 10 2 10 3 10 4 10 5
0
10
Tiefpass
-1
10
-2
10
10 2
10 3
10 4
10 5
10 6
Amplitudenverhältnis

Frequenz

üblich: Darstellung in dB (deziBel):

100 80 60 Tiefpass 40 20 0 -20 -40 -60 -80 -100 10 2 10
100
80
60
Tiefpass
40
20
0
-20
-40
-60
-80
-100
10 2
10 3
10 4
10 5
10 6
Phasendrehung [°]

Frequenz

dB Verhältnis von Ausgangs- zu Eingangsleistung bei Dämpfung und Verstärkung:

L

= 10 lg

P

1

dB

P

2

Wenn man Spannungsverhältnisse darstellt.

P ~ U

2

L

= 10 lg

1 Dekade

P

1

lg

U

2

1

dB = ⎜

dB =

20 lg

U

1

P

2

U

2

2

U

2

10

dB

= bei Leistungen 10dB

= bei Spannungen 20 dB

⎟ ∧ = bei Leistungen 10dB ∧ = bei Spannungen 20 dB Übertragungsfunktion Des Tiefpasses in

Übertragungsfunktion Des Tiefpasses in dB

Grenzfrequenz

Tiefpass 10 2 10 3 10 4 10 5 10 6 Amplitudenverhältnis dB-40 dB 0
Tiefpass
10 2
10 3
10 4
10 5
10 6
Amplitudenverhältnis
dB-40
dB
0 dB-20

Frequenz

Grenzfrequenzen des Tiefpasses:

Re=Im, Schnittpunkt der Verlängerung der linearen Bereiche

f G

=

1

2π

RC

ω

G

=

1

RC

τ =

G

RC

Bei der Grenzfrequenz: Abfall des Amplitudenverhältnisses auf

-3dB

1

2
2

0,71

oder

auf

2.4.1.2. Der Hochpass

Der Hochpass lässt hohe Frequenzen ungehindert durch und bedämpft tiefe Frequenzen.

ungehinde rt durch und bedämpft tiefe Frequenzen. U − a Komplexe Übertragungsfunktion → im Seminar U

U

− a Komplexe Übertragungsfunktion → im Seminar U − e U − a Daraus ableitbar
a
Komplexe Übertragungsfunktion
→ im Seminar
U
e
U
a
Daraus ableitbar das Amplitudenverhältnis
und Phasenlage
U
e

Grenzfrequenz wird genauso berechnet wie beim Tiefpass

Grenzfrequenz 0 10 Tiefpass Hochpass -1 10 -2 10 10 2 10 3 10 4
Grenzfrequenz
0
10
Tiefpass
Hochpass
-1
10
-2
10
10 2
10 3
10 4
10 5
10 6
Amplitudenverhältnis
Phasendrehung [°]

Frequenz

100 80 60 Tiefpass Hochpass 40 20 0 -20 -40 -60 -80 -100 10 2
100
80
60
Tiefpass
Hochpass
40
20
0
-20
-40
-60
-80
-100
10 2
10 3
10 4
10 5
10 6

Frequenz

Zusammenschaltung von Hoch- und Tiefpass = Bandpass

Zusammenschaltung von Hoch- und Tiefpass = Bandpass Bandbreite B ist die Differenz der Frequenz bei denen

Bandbreite B ist die Differenz der Frequenz

bei denen das Signal auf -3 dB abgefallen ist

f f

2

1

,

- Frequenzen zwischen

- mittlere Frequenz = geometrisches Mittel

-

- hohe und tiefere Frequenzen werden bedämpft.

f

1

und

f

2

werden durchgelassen

f 0

1 2
1
2

= f f

Bandbreite

B =

f

2

f

1

2.4.2. Der Schwingkreis

Zusammenschaltung von Spule und Kondensator

Erklärung, wie es zur Schwingung kommt, durch abwechselnde

- Ladungsspeicherung im Kondensator

- Energiespeicherung im Magnetfeld der Spule

idealer Schwingkreis -> real kommt es zur Bedämpfung durch ohmsche Widerstände, Abklingen der Schwingung

Spule idealer Schwingkreis -> real kommt es zur Bedämpfung durch ohmsche Widerstände, Abklingen der Schwingung 30

zwei Spezialfälle des Schwingkreises

2.4.2.1. Der Parallelschwingkreis

des Schwingkreises 2.4.2.1. Der Parallelschwingkreis - über beide Bauelemente liegt die Gleiche Spannung -

- über beide Bauelemente liegt die Gleiche Spannung

- unterschiedlicher Strom

liegt die Gleiche Spannung - unterschiedlicher Strom Spule Kondensator Zusammenschaltung Bei einer bestimmten

Spule

liegt die Gleiche Spannung - unterschiedlicher Strom Spule Kondensator Zusammenschaltung Bei einer bestimmten Frequenz

Kondensator

Gleiche Spannung - unterschiedlicher Strom Spule Kondensator Zusammenschaltung Bei einer bestimmten Frequenz f

Zusammenschaltung

Bei einer bestimmten Frequenz f betragsmäßig gleich groß:

0

L =

ω

1

ω C

sind die beiden Blindwiderstände von Spule und Kondensator

Der resultierende Strom wird zu 0, der Widerstand groß

eine bestimmte Frequenz, gerade

im Resonanzfall:

f

0

, wird nicht durchgelassen!

Resonanzfrequenz

f 0 , wird nicht durchgelassen! Resonanzfrequenz 1 ω L = ω c 1 2 ω
1 ω L = ω c 1 2 ω = CL 1 ω= LC 1
1
ω L =
ω
c
1
2
ω =
CL
1
ω=
LC
1
f 0 =
LC
ω L = ω c 1 2 ω = CL 1 ω= LC 1 f 0

Realer Schwingkreis Widerstände vorhanden, die bedämpfen charakteristischer Wert für die „Güte“ eines Schwingkreises (wie lange kann die Schwingung aufrechterhalten werden)

Güte Q

=

1 L R C
1
L
R
C

31

- die Güte bestimmt auch die mögliche Abweichung von der Resonanzfrequenz

hohe Güte

kleine Güte breite, flache Kurven

steile, schmale Kurven

- B (Bandbreite) B = f − f 2 1 f = f ⋅ f
- B (Bandbreite)
B =
f
− f
2
1
f
=
f
⋅ f
0
2
1

Q

f 0 = B bei , f f 2 1 1 auf 2
f
0
=
B
bei
, f
f 2
1
1
auf
2

ist die Schwingungsamplitude auf -3 dB bzw.

abgefallen

2.4.2.2. Der Reihenschwingkreis

auf -3 dB bzw. abgefallen 2.4.2.2. Der Reihenschwingkreis - durch beide Bauelemente fließt der gleiche Strom

- durch beide Bauelemente fließt der gleiche Strom

- Spannungen können verschieden sein.

bei der Resonanzfrequenz

fließenden Strom I fällt keine Spannung ab Widerstand O eine bestimmte Frequenz wird durchgelassen!

Resonanzfrequenz wie beim Parallelschwingkreis

f

0

heben sich die Spannungen auf trotz

f 0 =

1

2π Lc
Lc
heben sich die Spannungen auf → trotz f 0 = 1 2π Lc Spule Kondensator Zusammenschaltung

Spule

Kondensator

auf → trotz f 0 = 1 2π Lc Spule Kondensator Zusammenschaltung Formeln für Q, B,

Zusammenschaltung

Formeln für Q, B,

f

1

und

f

2

gelten sinngemäß genauso

Erzwungene Schwingungen am Reihenschwingkreis:

Externer Oszillator (Wechselspannungsquelle) wird an L-C-Schwingkreis angeschlossen

bei f f 0

kein Strom

bei

Resonante Schwingung wird angeregt Spannungs- und Stromamplituden steigen!

f

= f

0

Widerstand wird zu O

3. Aktive elektron ische Bauelemente 3.1. Halbleiterdioden 3.1.1. Der p-n-Übergang Ströme im Halbleiter

3.

Aktive elektronische Bauelemente

3.1.

Halbleiterdioden

3.1.1.

Der p-n-Übergang

Ströme im Halbleiter

Der Feldstrom:

hervorgerufen durch elektrische Feldstärke

J

=

e(µ

n

n

+

µ

p

p)E

aus

und v = µE

J =

ρ v

µ

allgemein gilt:

bei dotierten Halbleitern ein Beitrag meist vernachlässigbar

e(µ

n

n

+

p

p)

σ =

Der Diffusionsstrom:

Bei Konzentrationsgradienten diffundieren bewegliche Ladungsträger von Orten hoher Konzentration zu Orten niedriger Konzentration.

hervorgerufen durch Konzentrationgradienten

Elektronenstrom

J

Löcherstrom

J

D

D

n =

e

D

n

dn

dx

e

p =− ⋅

D

p

dp

dx

Diffusionskoeffizienten hängen von der Beweglichkeit ab:

(Nach Nernst, Townsend, Einstein)

kT

e

D

n =

D p =

kTµ

n

e

kTµ

p

e

= Temperaturspannung,

kT bei 300 k = 25.83 mV

e

3.1.1.1. p-n-Übergang im stromlosen Zustand

Symmetrischer p-n-Übergang, abrupt mit konstanter Dotierung (Modellfall, real meist

komplizierter) Dotierung
komplizierter)
Dotierung

N A

N A N D
N A N D
N A N D
N A N D

N D

N A N D
N A N D
N A N D
N A N D

x 0

Dotierprofil

x

An der Grenzfläche hoher Konzentrationsgradient

Elektronen diffundieren ins p-Gebiet Löcher diffundieren ins n-Gebiet

in s p-Gebiet Löcher diffundieren ins n-Gebi et nach den Gesetzen der Diffusion und des Diffusionsstromes

nach den Gesetzen der Diffusion und des Diffusionsstromes

nach den Gesetzen der Diffusion und des Diffusionsstromes Wenn die bew. Ladungsträger wegdiffundieren →

Wenn die bew. Ladungsträger wegdiffundieren Ladungsträgerneutralität verletzt. Im Bereich der Grenzfläche entsteht Raumladung (+) im n-Gebiet (-) im p-Gebiet

Folge elektrisches Feld Feldstrom, der dem Diffusionsstrom entgegengesetzt ist so lange, bis sich ein Gleichgewichtszustand einstellt

Diffusionsstrom = Feldstrom:

I

D

= I

F

Konsequenzen:

ρ Δϕ =− ε Poisson-Gleichung
ρ
Δϕ =−
ε
Poisson-Gleichung

Δ = Laplace-Operator

2

ϕ

mit einer Ortskoordinate: ∂ ϕ E =− ∂ x ∂ E ρ=ε⋅ ∂ x ρ
mit einer Ortskoordinate:
ϕ
E =−
∂ x
∂ E
ρ=ε⋅
∂ x
ρ
Δϕ=−
ε
2 ϕ
ρ
=−
2
x
ε
d
ϕ
d

dx

 

ρ

=−

dx

ε

dE

ρ

 

=

dx

ε

E =

1

()

ε

ρ x dx

ρ

=−

x

2

ε

d

ϕ

U

E = =−

d

Δ

ϕ

Δ

x

E =−

dx

dϕ = −Edx

ϕ = −

()

E x dx

E(0)= 0

ϕ(0)= 0

daraus Entwicklung des Diagramms

- Konzentration ortsfester Ladungen

- Konzentration beweglicher Ladungsträger (log.)

- Konzentration beweglicher Ladungsträger (lin.)

- Konzentration der Raumladung

- Berechung des Feldverlaufs

- Berechnung des Potentialverlaufs

Konzentrationen beweglicher Ladungs- träger in log. Darstellung

Konzentrationen beweglicher Ladungs- träger und Dotandenionen in lin. Darstellung

Resultierende Raumladung in lin. Darstellung

Elektrische Feldstärke

Potentialverlauf

in lin. Darstellung Resultierende Raumladung in lin. Darstellung Elektrische Feldstärke Potentialverlauf 36

Stromgleichgewicht für Elektronen und Löcher:

eDp

eDn

dp

dx

=

dn

dx

=

n

p

n

p

E

E

im stromlosen Zustand

Lösung der DG möglich

Gesetzmäßigkeit des p-n-Übergangs

Darstellung des p-n-Übergangs im stromlosen Zustand im Bänderdiagramm:

p-n-Übergangs im stro mlosen Zustand im Bänderdiagramm: 3.1.1.2. Der p-n-Übergang bei angelegter Spannung 1. Fall
p-n-Übergangs im stro mlosen Zustand im Bänderdiagramm: 3.1.1.2. Der p-n-Übergang bei angelegter Spannung 1. Fall

3.1.1.2. Der p-n-Übergang bei angelegter Spannung

1. Fall:

negative Spannung am n-Gebiet positive Spannung am p-Gebiet

Der p-n-Übergang bei angelegter Spannung 1. Fall : negative Spannung am n-Gebiet positive Spannung am p-Gebiet

Verringerung der Potentialschwelle

leicht geringere Sperrschichtbreite

leicht geringere Raumladungszonenbreite

leicht geringerer Feldstrom

Diffusionsstrom > Feldstrom

Minoritätsladungsträger diffundieren in die gegenüberliegenden Bahngebiete und

rekombinieren dort Diffusionsschwänze

Diodenstrom fließt!

Diffusionsschwänze • Diodenstrom fließt! • • Diodenstrom hängt exponentiell vo n der angelegten

Diodenstrom hängt exponentiell von der angelegten Spannung ab

2. Fall:

I ~

e

U

U

T

positive Spannung am n-Gebiet negative Spannung am p-Gebiet

Potentialschwelle wird höher

Feldstärke im p-n-Übergang wird höher

p-n-Übergang wird breiter

Raumladungszone wird breiter

Strom sinkt bis auf ein Minimum

I

S ,

dass durch Generation bestimmt wird

I

S

~

n

i

2

wird breiter → Strom sinkt bis auf ein Minimum I S , dass durch Generation bestimmt
- Konzentration der beweglichen La dungsträger im p-n-Übergang sinkt. - an den Raumladungszonen (RLZ) -

- Konzentration der beweglichen Ladungsträger im p-n-Übergang sinkt.

- an den Raumladungszonen (RLZ) - Grenzen Absenkung der Minoritätsladungsträgerkonzentration -> 0 (durch Feld über p-n-Übergang)

Ergebnis:

p-n-Übergang hat „Ventilwirkung“ für elektrischen Strom

in Durchlassrichtung durchlässig

I ~ e

In Sperrrichtung undurchlässig (

I = I

S )

U

U

T

3.1.2. Die Diode, Gleichstromverhalten

Herzstück: p-n-Übergang Aufbau:

⎟ ⎠ 3.1.2. Die Diode, Gleichstromverhalten Herzstück: p-n-Übergang Aufbau: Symbol: Pfeil in Durchlassrichtung 39

Symbol:

⎟ ⎠ 3.1.2. Die Diode, Gleichstromverhalten Herzstück: p-n-Übergang Aufbau: Symbol: Pfeil in Durchlassrichtung 39

Pfeil in Durchlassrichtung

Das Gleichstromverhalten der Diode:

Das Gleichstromverhalten der Diode: I = I S ⋅ ⎜ ⎛ ⎜ ⎝ U e nU

I

=

I

S