ELEKTRONIK

Dr. Gernot Ecke

TU Ilmenau, FG Nanotechnologie,
Zentrum fr Mikro- und Nanotechnologien, Raum 315
gernot.ecke@tu-ilmenau.de

Verbesserungen und Korrekturen bitte an:

gernot.ecke@tu-ilmenau.de
oder
simone.gutsche@tu-ilmenau.de

Literatur: - Skript Elektronik

- Lehrbriefe
Grundlagen elektronischer Bauelemente
Khler / Mersiowski, Nachauflage durch Buff / Hartmann,
TU Ilmenau 1998

- www.elektronik-kompendium.de

- Elektronik fr Physiker
K. H. Rohe
Teubener Studienbcher; ISBN 3-519-13044-0

- Gerthsen Physik
H. Vogel
Springer Verlag, 20. Auflage, ISBN 3-540-65479-8

- Taschenbuch der Elektrotechnik und Elektronik

H. Lindner, H. Brauer, C. Lehmann
Carl Hanser Verlag, Leipzig 2008, ISBN 978-3-446-41458-7

- Lehr- und bungsbuch Elektronik

G. Ko, W. Reinhold, F. Hoppe
Carl Hanser Verlag, Leipzig 2005, ISBN 3-446-40016-8
0. Vorbemerkungen

Begriffe:

Elektronik: Lehre von der Steuerung von Elektronen, Elektron (gr.) = Bernstein
Teilbereich der Elektrotechnik
Entwicklung, Modellierung und Anwendung elektronischer Bauelemente

Elektronische Bauelemente:
Bauelemente der Elektrotechnik ohne mechanische Bewegungen:
- passive elektronische Bauelemente
- aktive elektronische Bauelemente - vakuumelektronische Bauelemente
- festkrperelektronische Bauelemente
- Bauelemente sind z. B.: Widerstnde
Kondenstoren
Spulen
Dioden
Transistoren
Thyristoren
Leuchtdioden
Fotodioden
Laserdioden
LCD-Displays
Integrierte Schaltungen (IC)
Unterteilung der Elektronik in:
- Analogelektronik
kontinuierliche Signale,
Leitung, Verstrkung, Verarbeitung
Verstrker wichtigste Schaltung, OPV, Oszillator, Filter
- Digitalelektronik
Verarbeitung diskreter Zustnde (1,0)
- Mikroelektronik
Miniaturisierung und Integration von Bauelementen zu komplexen
Schaltungen
- Leistungselektronik
Erzeugung, Umwandlung, Verteilung und Regelung von groen
Leistungen (Motorsteuerungen, Lichtdimmer, Kraftwerkstechnik)
- Hochfrequenzelektronik
Signale hoher Frequenz, elektromagnetische Wellen, Funk, drahtlose
bertragung, Satelitenempfang, Mobiltelefonie, Radar
- Optoelektronik
Umwandlung von elektrischer Leistung Licht
LED, Laser-Diode
Umwandlung von elektromagnetischer Strahlung Elektrizitt
Photodiode, Solarzelle, Sensorik

Bedeutung der Elektronik

Heute unzhlige Gebiete (Nanoelektronik, Quantenelektronik), Computertechnik,

Informationstechnik.
Nicht wegzudenken, groer Stellenwert in der Gesellschaft
2
Groer Umsatz in der Industrieproduktion.

- derzeit 38 % aller Produkte in Asien/Pazifik

allein China 3 % (1995) 16 % (2007)
- Westeuropa 19 %: Reihenfolge: Deutschland, Frankreich, Grobritannien, Irland, Italien

Geschichte der Elektronik

- Bettet sich in die allgemeine Geschichte der Technik und speziell in die Geschichte der
Elektrotechnik ein.

www.telecent.de/geschichte.php

Technikgeschichte, Elektrotechnik

600 v. Chr. Thales von Milet beobachtete die elektrisierende Wirkung von
Bernstein
47 n. Chr. Spannungsschlge des Zitterrochens zur Behandlung bei
Kopfschmerzen
um 1600 Unterschiede in der magnet. Wirkung und Bernsteinwirkung werden
erkannt
1663 Otto von Guericke - Versuche zur Elektrizitt
Elektrisierungsmaschine aus Schwefelkugeln (Vakuum)
1670 Isacc Newton viele Versuche Versuche zur Elektrizitt
1750 Benjamin Franklin Blitzableiter
1774 Erste Herzwiederbelebung mit elektrischen Schlgen
1802 zwei Wege, mit Strom Licht zu erzeugen, werden vorgestellt:
glhende Metalldrhte und Lichtbogen zwischen 2 Kohlen,
Sir Humphry Dary
1801 Volta, erste Batterie
1821 Oerstedt, Ampere magnetische Wirkung elektr. Stroms, Krfte
1848 erste elektrische Morselinie in Europa
erste elektrische Beleuchtung mit Bogenlampen in Paris
ab 1850 Bau von Generatoren und Elektromotoren
1854 Heinrich Goebel: erste Glhlampe mit verkohlten Bambusfasern
1876 Bell: erstes Telefon, Grndung der Bell Telephone Company
1883 Erfindung des Transformators
1895 W.C. Rntgen Entdeckung der Rntgenstrahlen
1898 Metalldraht aus Osmium fr Glhlampen

Spezielle Geschichte der Elektronik zuerst Elektronenrhre

Edison 1884
In Glhlampe fliet
Strom von Glhwendel
zu einer weiteren Elektrode

3
EDISON-Effekt: polt man U um, kein Strom!

daraus 1906 von Lee d. Forest, R. von Lieben: TRIODE

ab 1910 - neue Anordnungen von Gittern und Kathode konzentrisch, neue Materialien

1913 erstes Patent zur Mehrgitterrhre Langmuir

Damit ab 1. Weltkrieg: Rhren als Gleichrichter und Verstrkerbauelemente Grundlage fr

Radios, Radar, Verstrker, Funk

Speziell: Geschichte der Halbleiterelektonik

1823 Jns Jacob Berzelius (S) entdeckt Si

1874 Ferdinand Braun entdeckt den Gleichrichtereffekt
ab 1925 Halbleitergleichrichter aus Kupferoxydul
1947 Bardin, Brettin Shockley Erfindung des Transistors aus Germanium
(Ge seit 1886 bekannt, Clemens Winkler (D), dafr 1956 Physik- Nobelpreis)
da schon erste Transistorradios!
1958 Erste integrierte Schaltung von Texas Instruments
von der Elektronenrhre zum IC: kleiner - schneller - billiger
hhere Lebensdauer, hhere Zuverlssigkeit , geringerer Energieverbrauch

Start der Entwicklung der IC-Industrie:

Tendenzen: Miniaturisierung (< 100 nm)
neue Materialien (GaAs, GaN, SiC)
insbesondere fr Spezialanwendungen HF, Leistung, Optoelektronik
neue Konzepte und Prinzipien Quanteneffekte, HEMT
Integration von Gesamtsystemen
MEMS Mikroelektromechanische Systeme
NEMS Nanoelektromechanische Systeme
MOEMS Mikrooptoelektromechanische Systeme

4
1. Eigenschaften fester Krper

1.1 Metalle

- Metalle sind dadurch gekennzeichnet, dass die Atome ihre ueren Elektronen leicht
abgeben.
Daraus resultieren - gute Leitfhigkeit
- Undurchsichtigkeit
- Reflexion und Glanz
Elektronen bilden im Metall-Festkrper das Elektronengas (nach P. Drude, A. Lorentz)

Legt man eine Spannung ber ein Metall an, dann fliet ein Strom:

Die Elektronen werden durch das elektrische Feld beschleunigt:

U eE
E= F = ma a=
l m
19
e = 1,602 10 As
Mit :
mc = 9,109 10 31 kg

Freie Flugdauer bis zum Sto mit einem Rumpfatom:

eE
v=
m

Die Geschwindigkeit ist der thermischen Bewegung berlagert:

vth = 10 5 m bei T = 300 K
s
diese ist aber ungerichtet, Wimmelbewegung.

mittlere Geschwindigkeit, Driftgeschwindigkeit:

1 eE
vD =
2 me

5
 Beweglichkeit: Proportionalittskonstante zwischen v und E:

v 1 e
v = E = =
E 2 m

1 e 2 n
Leitfhigkeit: = e n = (unten Herleitung)
2 m

Strom durch Metalldraht:

Q
I=
t

s
mit Driftgeschwindigkeit: v D =
t

alle Elektronen im Volumen V durchdringen in t die Flche A

Anzahl N = n A s = n V

Ladung Q = e n A s

e n A s
Strom I= = e n A vD
t

U
I = e nA E E=
l

e nA
I= U
l

Proportionaler Zusammenhang: I~U

U l
I= R=
R en A

l 1 l
R= =
A A

1
= = en

6
1.2 Energiebnder im Festkrper
Potential um ein Einzelatom:

Potential um Atome im Festkrper:

zwei Effekte: 1. die Potentialkurven berlagern sich

2. die Energieniveaus spalten sich zu Bndern auf und verbreitern sich

Je nher sich die Atome

kommen, desto weiter
werden die Bnder.

7
1.3. Fermi-Gas

- die Elektronen einer Festkrpers versuchen innerhalb der erlaubten Bnder energetisch
niedrige Zustnde zu besetzen.

- Fermi-Verteilung /Fermienergie kennzeichnen die Grenze der Besetzung mit Elektronen.

Bei Temperaturerhhung verwischt die scharfe Grenze

Verteilungsfunktion.:
Fermi-Verteilung:

1
f (w ) =
w wF

exp + 1
kT
k = Bolzmann Konstante = 1,38 10 23 J K

8
 T = Absoluttemperatur
kT 25 meV bei 300K J = 1Nm
= 1VAs
18
1J = 6,242 10 eV
Metalle: Elektronen im Leitungsband:
frei beweglich - hohe Leitfhigkeit
z.B. Kupfer: = 6 10 7 (cm )
1

m2
= 10 2 (niedrig!)
Vs
22
n 10 cm-3

Beweglichkeit ist temperaturabhngig!

1.4. Isolator

keine Elektronen im Leitungsband kein Stromfluss mglich!

Spezifische Widerstand/Leitfhigkeit
ist eine der Stoffeigenschaften, die den 20 Paraffin
grten Bereich berspannt Diamant
(40 Grenordnungen!!!) 15 Glas
10 Schiefer
lg Reinstes Wasser
5
Halbleiter

[ cm]
reines Ge
0
-5 Ag

-10 Au, Cu

-15
Sn
-20 Pb
9
1.5. Halbleiter
Halbleiter sind: Elemente der 4. Hauptgruppe IV
Verbindungen aus 3. + 5. HG III - V
Verbindungen aus 2. + 6. HG II VI

Beispiele: IV Si, Ge, SiC

III V GaAs, AlAs, InAs, InP, GaN, InN, AlN, In Sb
II VI ZnSE, CdS, CdTe ZnS

verschiedene Kristallgittertypen:

Diamantgitter (kfz) Zinkblendegitter Hexagonales Gitter (Wurzit)

Si GaAs, ZnS, CdS GaN, SiC

1.5.1. Reine Halbleiter, Eigenhalbleiter (alles am Beispiel des Si)

Bei Raumtemperatur sind beim Si nur ca. 1010 Elektronen pro cm3 im Leitungsband
(bei Cu 1022 !) bei niedrigeren Temperaturen noch weniger!

10
Gap-Energien fr verschiedene Halbleiter:

Si 1,12 eV GaN 3,37 eV

Ge 0,67 eV InN 0,7 eV
SiC 2,36 3,28 eV InP 1,27 eV
GaAs 1,43 eV AlN 6,2 eV

Fr jedes Elektron im Leitungsband fehlt ein Elektron im Valenzband. Elektronen knnen vom
Leitungs- ins Valenzband durch Energie angehoben werden

Energie > WG Photon Licht

Phonon Wrme

cm 2
Stark unterschiedliche Beweglichkeiten n = 1350
VS

cm 2
p = 480
VS

Anzahl ist gleich! n = p = ni

ni Eigenleitungsdichte

ni ist abhngig - von der Temperatur

- von der Breite der verbotenen Zone

WG
ni2 ~ T 3 , ni2 ~ e kT

11
 ni ~ T
3

2

W
3 G
W i n ~ T 2
e 2 kT
G
ni ~ e 2 kT

WG

ni (T1 ) T1 2 e 2 kT1
3

=
ni (T0 ) T0 3 2 2WkTG
e 0

3
T1 2 2 kTG1 + 2 kTG0
W W

= e
T0

3 WG 1 1
T 2 +
2 k T1 T0


= 1 e

T0

3 WG T1 T
0
T 2
2 k T0T T0T1
= 1 e
T0

3 WG T0
T 2 2 kT0 1 T1
= 1 e
T0

WG T0
3 1
T 2 2 kT0 T
ni (T1 ) = ni (T0 ) 1 e 1

T0

ni (300 K ) = 1,5 1010 cm 3

- bei 0 K gibt es keine elektrische Leitung im Halbleiter

- bei Metallen sinkt die Leitfhigkeit mit steigender Temperatur (Beweglichkeit sinkt)

= n ne
- bei Halbleitern steigt die Leitfhigkeit mit steigender Temperatur (Ladungstrgerkonzentration
steigt)

= e( n n + p p )

1.5.2 gestrte Halbleiter, dotierte Halbleiter

jede Strung des Kristallgitters kann zustzliche Energiezustnde fr Elektronen
erzeugen, die oft in der Bandlcke liegen

z. B. - nichtstchiometrische Zusammensetzung bei Verbindungshalbleitern

- Fremdatome (Dotierung, Verunreinigung)
- unbesetzte Gitterpltze
- Teilchen auf Zwischengitterpltzen
12
 - Kristallgrenzen, Oberflchen
- Versetzungen

ungewollt / gewollt

1.5.2.1 n-Dotierung
Einbau eines 5-wertigen Atoms auf dem Gitterplatz eines Si-Atoms, blich P, As, N, Sb

Schematisch:

Phosphor wird bei Raum-

P besitzt 5 Valenzelektronen temperatur ionisiert
4 werden fr die Bindung bentigt
1 wird frei ins Leitungsband
P P+ + e

Ferminiveau steigt energetisch

Das 5-wertige Atom heit Donator
Konzentration von P im Si = N D
Bei Raumtemperatur sind alle Donatoren ionisiert: N D+ = n
Normale Dotierkonzentration = 1 P auf 107 Si
Hohe Dotierkonzentration = 1 P auf 104 Si (0,01%)

Welche Konzentration? Si N Si = 4,99 10 22 cm 3

Normale: 5 1015 cm 3
Hohe: 5 1018 cm 3

- In einem Halbleiter, der Elektronen und Lcher enthlt, wird durch n-Dotierung die
Konzentration der Elektronen erhht. (z. B. von 1,5 1010 cm 3 auf 5 1015 cm 3 ) fr die
Lcher steigt die Wahrscheinlichkeit, auf ein Elektron zu treffen und zu rekombinieren
p sinkt.

Es gilt das Massenwirkungsgesetz:

2
n p = ni

+
Elektronen Majorittsladungstrger n = ND
13
 2 2
n n
Lcher Minorittsladungstrger p = i = i , stark temperaturabhngig
n ND

Einbringen von Fremdatomen (Dotierung) erfolgt durch

- Diffusion (Wrme, Diffusionsquelle Festkrper, Flssigkeit)

- Implantation (Ionenbeschuss) + Ausheilen

1.5.2.2 p-Dotierung
Einbau von 3-wertigen Atomen auf den Gitterplatz von Si, z.B.: B, Al, Ga

Schematisch:

B besitzt 3 Valenzelektronen B bei Raumtemperatur ionisiert

4 werden bentigt
1 vom Si aus der Nachbarschaft B B + e+
Loch wird erzeugt
Ferminiveau sinkt energetisch

Das 3-wertige Atom heit Aktzeptor

Konzentration von B im Si = N A
Bei Raumtemperatur sind alle Akzeptoren ionisiert N A = p

Normale Dotierkonzentration: 1 B auf 10 6 Si = 5 1016 cm 3

Hohe Dotierkonzentration: 1 B auf 10 4 Si = 5 1018 cm 3
- Erhhung der Lcherkonzentration Verringerung der Elektronenkonzentration.

Lcher Konzentration p = N A Majorittsladungstrger

2
n 2
n 2 n p = ni
Elektronen-Konzentration n = i = i Minorittsladungstrger
p NA
Stark temperaturabhngig !

14
2. Passive elektronische Bauelemente

2.1. Widerstnde

2.1.1 Festwiderstnde
- fester Widerstandswert
- Einheit
- lineare Strom Spannungskennlinie

U l 1 l
R= R = =
I A A
dI 1
Anstieg berall gleich - >
dU R
V
Einheit 1 = 1
A

- verschiedene Bauformen: Drahtwiderstand

Kohleschichtwiderstand
Metallschichtwiderstand
Metalloxidwiderstand
- Eigenschaften technischer Widerstnde

Typ PV ,max To ,max R R / R R

[w] [C] [] % [1/K]

Draht 0,5-600 200-350 10 1 10 5 0,1-10 + 10 5

Kohleschicht 0,1-5 125 10 1 1012 1-20 10 4

Metallschicht 0,1-2 170 10 0 10 7 0,1-2 10 3

Metalloxid 0,5-200 180-250 10 1 10 6 2-10 + 10 4

- Kennzeichnung der Widerstnde durch Farbcodes

in den Farbcodes: Zahl, Einheit (Widerstandswert)
Toleranz
15
 Betriebsspannung
TK

Widerstandsrechner: http://www.uni-ulm.de/wwe/PHP/widerstand2.php
Beispiel:

- Widerstandsstaffelung (Werte errechnen sich durch E-Reihen)

Formel: Ri = n 10 i

n = Nummer der E-Reihe n = 3 2 (6 12 24 48 96)

- 96 Werte zwischen 1 und 10 k bei E96

E6 E12 E24 E6 E12 E24

20% 10% 5% 20% 10% 5%

1,00 1,00 1,00 3,30 3,30 3,33

1,10 3,60

1,20 1,21 3,90 3,90

1,30 4,30

1,50 1,50 1,50 4,70 4,70 4,70

1,60 5,10

1,80 1,80 5,60 5,60

2,00 6,20

2,20 2,20 2,20 6,80 6,80 6,80

2,40 7,50

2,70 2,70 8,20

3,00 9,10

- Toleranzen:
Toleranzen leiten sich aus den E-Reihen ab: z. B. E24

- je hher die E-Reihe, desto enger die Toleranzen

E3 = ber 20 %, E6 = 20 %, E12 = 10%, E24 = 5 %,
E48 = 2 %, E96= 1 %, E192 = 0,5 %

16
 - Temperaturabhngigkeit
wird linearer vereinfacht angegeben durch den Temperaturkoeffizienten

Allgemeine Gleichungen fr die fiktive physikalische Gre G

1 G (T )
TK (G ) = G (T ) = G (T0 )(1 + TK T )
G (T0 ) T

Angewendet auf den Widerstand R

1 R
= R = R20 (1 + T )
R20 T
T = T T20

Thermische Belastbarkeit:

- durch die umgesetzte Leistung P = U I wird der Widerstand warm

- Temperatur darf Maximaltemperatur nicht berschreiten -> maximale OF-Temp.

Integration von Widerstnden:

In IC werden Widerstande durch dotierte

Gebiete in Halbleitern hergestellt, die oftmals
lang und schmal sind und Manderform
bekommen.

2.1.2 Andere Widerstnde

Einstellbare Widerstnde

17
 - Widerstandswert durch Drehen zwischen 0 und Maximalwert einstellbar
- lineare, logarithmische und exponentielle Kurvenlufe mglich
- Anwendung: Lautstrkeregler, Einstellung des Arbeitspunktes

Temperaturabhngige Widerstnde:

Spannungsabhngige Widerstnde, Varistoren, VDR:

2.2. Kondensatoren

2.2.1. Allgemeines

Kapazitt = Ladungsspeicherung

18
 dQ A
Formeln: C= C = 0 r
dU d
As
0 = 8,854 10 12
Vm
r Tabelle

Q dU 1
C
C= I =C U= I dt
U dt

As
Einheit: =F gebruchlich pF, nF, F
V

Bei Wechselspannung: U = U 0 sin t

I = I 0 sin (t + 90)

19
 1
Komplexe Schreibweise: ZC =
jC

Im Zeitbereich:

Ersatzschaltbild fr hohe Frequenzen

- Zuleitungsinduktivitt
- Induktivitt von Wickelkondensatoren
- Zuleitungswiderstand
- Widerstand des Dielektrikums
- Widerstand der Auenisolation (Lack)

2.2.2. Technische Ausfhrungen von Kondensatoren

Keramik Kondensatoren
Dielektrikum Keramik > 1000
0,5 pF 0,2 F, hoher TK
Keramik, auf beiden Seiten Metall aufgedampft

Folienkondensatoren/Wickelkondensatoren
zwischen zwei Metallfolien Kunststoff oder Papier
< 10 F

20
 Polyester, Polykarbonat, Polystyrol u.a.

Speziell: Styroflexkondensatoren
Dielektrikum Polystryrol
Spezielle Herstellungstechnologie
geringe dielektrische Verluste, geringe Alterung, linearer TK

Elektrolytkondensator

Al 2 O3 hohe Dielektrizittskonstante r ~ 10
hohe Spannungsfhigkeit 800 V/m

Polaritt beachten! Sure lst Oxid auf bei falscher Polung

Formierspannung bestimmt die Oxiddicke: 1,2 nm/V

Groe Kapazitt, weil A gro, d klein, gro

C > 10 F F

Materialdaten der drei in der Elektronik verwendeten Elektrolytkondensator-Bauarten:

Anode Dielektrikum Dielektrizittskonstante Spannungsfestigkeit V/m

Aluminium Al2O3 8.4 700

Tantal Ta2O5 28 625

Niob Nb2O5 42 455

21
Gold-Cap-Kondensatoren

Spezieller Kondensator (Panasonic) aus Aktivkohle + Elektrolyt

dielektrische Doppelschicht wirkt als Dielektrikum
Parallelschaltung viele kleine Kap. mit Verbindungswiderstnden

Nicht fr HF oder NF-Anwendungen, sondern Spannungsversorgungen, Pufferbauelemente steht

zwischen Kondensator und Akkumulator, typische Werte: 0,1 F.10 F50 F

Vernderliche Kondensatoren/ Drehkondensatoren

Aufbau:

Isolation:
Luft oder Kunststoff

Variation 0 C C max
lineare Einstellung C = K , 0 < < 180

Getriebe, Seilzge... mechanische Konstruktion

Hauptanwendung: Senderwahl in Analogradios
Einmalige Einstellung: Trimmer

2.3. Spulen, Induktivitten

2.3.1. Allgemeines

Symbol: alt:

Haupteigenschaft der Spule ist ihre Induktivitt

Formelzeichen: L
Vs
Einheit: Henry 1H = (Joseph Henry 1797 1878)
A
22
Wird ein Leiter von einem vernderlichen Strom durchflossen, so induziert das vom
Strom erzeugte vernderliche Magnetfeld eine Spannung U(t)

dI
U ind = L
dt

Angelegte Spannung und Selbstinduktionspannung sind einander entgegengesetzt und

gleich gro
dI
U = U ind = L
dt

fr Sinussignal U = j wL I

komplexe Schreibweise Z L = j w L

im Zeitbereich:

Induktivitt einer Spule

0 r A
L = N2 Spulenlnge: l , Kernquerschnitt: A
l
0 = mag. Permeabilitt des Vakuums
H Vs
0 = 1,25664 10 6 = 1,26
m As
r = relative Permeabilitt, Eisen: 2000 5000
23
 reale Induktivitt: der Draht besitzt einen ohmschen Widerstand

Ersatzschaltbild:

in kompl. Darstellung

Im

ZL = j L

R Re

R
= arctan
wL
R
tan =
wL

wL 1
Gte einer Induktivitt = =
R

24
2.3.2. Technische Ausfhrung von Spulen/Induktivitten

Spulendraht guter Leiter, meist Cu

isoliert mit Lack
fr hohe Frequenzen Litze (> 100 kHz Oberflchenleiter)

entweder Kern aus Luft (Luftspulen) oder:

2.3.3. Spezielle Anwendungen von Spulen

2.3.3.1 Das Relais

- ein durch elektrischen Strom betriebener Schalter
- Steuerstromkreis, Laststromkreis

niedrige Spannung, Laststromkreis
niedrige Leistung hohe Leistung

Relaistypen:
Kleinrelais (DIL, SMD)
Schtz (Relais fr hohe Leistungen)
Fernmelderelais
Bistabile Relais /Stromstorelais (Licht, Drehkern)
REED-Relais in Glas gekapselte Kontakte (rechts)

25
2.3.3.2 Der Transformator
Zusammenschaltung von 1, 2 oder mehreren Spulen auf einen gemeinsamen Kern,
zur Transformation von Wechselspannungen.

Primrspule vom Wechselstrom durchflossen erzeugt vernderliches Magnetfeld

induziert Wechselspannung in der Sekundrspule.

UP NP IS
Gesetzmigkeiten: = =
US NS IP

PP = PS

das gilt nur im Leerlauffall.

praktisch unter Nennlast: Verluste in Transformator PV

(durch Streuinduktivitt und inneren elektrische Widerstand)

Kernverlust Spulenverlust
belastungsunabhngig belastungsabhngig

PV
z. B. = 0,1 10 % Verluste
PP

Sekundrspule muss mehr bewickelt werden:

US
Korr
U SEK =
P
1 V
PP

Praktische Ausfhrung von Transformatoren:

Eisenkerntransformatoren (Eisenlamellen)
Ferritkerntransformatoren/Ringkerntransformatoren
- je grer der Trafo, desto besser der Wirkungsgrad (< 99,8 %)
- bertragene Leitung steigt mit der 4. Potenz der Gre
- Oberflche wchst nur quadratisch Khlprobleme lkhlung

26
2.4. Zusammenschaltungen passiver Bauelemente

2.4.1. Hochpass/Tiefpass

2.4.1.1. Der Tiefpass

Tiefpass lsst tiefe Frequenzen durch und dmpft hohe Frequenzen:

bertragungsfunktion:
ua
Rechnung im Komplexen
ue

u e = U e sin (t ) Amplitude und Phase, im Zeitbereich

Komplexe Rechnung ist in der Lage, Amplitude und Phase zu bercksichtigen!

Drei Darstellungen im Komplexen sind mglich:

Z = Re+ j Im

Z = Be i

Z = B(cos + j sin )

Berechnung der komplexen bertragungsfunktion einfach (Seminar)

U
a
aus der komplexen bertragungsfunktion
U
e

kann das Verhltnis der Amplituden und der Phasen

U
a
= Re 2 + Im 2
U
e

Im
= arctan berechnet werden
Re

27
 bertragungsfunktion in doppelter logarthmischer Darstellung

100

0 80
10
Tiefpass 60 Tiefpass
Amplitudenverhltnis

Phasendrehung []
40

20

0
-1
10
-20

-40

-60

-80

-2
10 -100
2 3 4 5 6 2 3 4 5 6
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10

Frequenz Frequenz

blich: Darstellung in dB (deziBel):

dB Verhltnis von Ausgangs- zu Eingangsleistung bei

Dmpfung und Verstrkung:
P
L = 10 lg 1 dB
P2
Wenn man Spannungsverhltnisse darstellt.

P ~U2

P U2 U
L = 10 lg 1 dB = 10 lg 12 dB = 20 lg 1 dB
P2 U2 U2

1 Dekade = bei Leistungen 10dB = bei Spannungen 20 dB

Grenzfrequenz
bertragungsfunktion
Des Tiefpasses in dB
0 dB

Tiefpass
Amplitudenverhltnis
-20 dB
-40 dB

2 3 4 5 6
10 10 10 10 10

Frequenz

28
 Grenzfrequenzen des Tiefpasses:

Re=Im, Schnittpunkt der Verlngerung der linearen Bereiche

1 1
fG = G = G = RC
2RC RC

Bei der Grenzfrequenz: Abfall des Amplitudenverhltnisses auf

1
0,71 oder auf -3dB
2

2.4.1.2. Der Hochpass

Der Hochpass lsst hohe Frequenzen ungehindert durch und bedmpft tiefe Frequenzen.

U
a
Komplexe bertragungsfunktion im Seminar
U
e

U
a
Daraus ableitbar das Amplitudenverhltnis und Phasenlage
U
e

Grenzfrequenz wird genauso berechnet wie beim Tiefpass

100
Grenzfrequenz
0 80
10
Tiefpass 60 Tiefpass
Amplitudenverhltnis

Hochpass Hochpass
Phasendrehung []

40

20

0
-1
10
-20

-40

-60

-80

-2
10 -100
2 3 4 5 6 2 3 4 5 6
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10

Frequenz Frequenz

29
Zusammenschaltung von Hoch- und Tiefpass = Bandpass

Bandbreite B ist die Differenz der Frequenz f 2 f 1 ,

bei denen das Signal auf -3 dB abgefallen ist

- Frequenzen zwischen f1 und f 2 werden durchgelassen

- mittlere Frequenz = geometrisches Mittel f 0 = f1 f 2
- Bandbreite B = f 2 f 1
- hohe und tiefere Frequenzen werden bedmpft.

2.4.2. Der Schwingkreis

Zusammenschaltung von Spule und Kondensator

Erklrung, wie es zur Schwingung kommt, durch abwechselnde

- Ladungsspeicherung im Kondensator
- Energiespeicherung im Magnetfeld der Spule

idealer Schwingkreis -> real kommt es zur Bedmpfung durch ohmsche Widerstnde, Abklingen
der Schwingung

30
zwei Spezialflle des Schwingkreises

2.4.2.1. Der Parallelschwingkreis

- ber beide Bauelemente liegt die Gleiche Spannung

- unterschiedlicher Strom

Spule Kondensator Zusammenschaltung

Bei einer bestimmten Frequenz f 0 sind die beiden Blindwiderstnde von Spule und Kondensator
betragsmig gleich gro:

1
L =
C

Der resultierende Strom wird zu 0, der Widerstand gro

eine bestimmte Frequenz, gerade f 0 , wird nicht durchgelassen!
im Resonanzfall:

1
L =
c
1
2 =
CL
1
=
LC

1
Resonanzfrequenz f0 =
2 LC

Realer Schwingkreis Widerstnde vorhanden, die bedmpfen

charakteristischer Wert fr die Gte eines Schwingkreises (wie lange
kann die Schwingung aufrechterhalten werden)
1 L
Gte Q =
R C
31
 - die Gte bestimmt auch die mgliche Abweichung von der Resonanzfrequenz
hohe Gte steile, schmale Kurven
kleine Gte breite, flache Kurven
f
- B (Bandbreite) Q= 0
B
B = f 2 f1 bei f 2 , f 1 ist die Schwingungsamplitude auf -3 dB bzw.
auf 1 abgefallen
2
f 0 = f 2 f1

2.4.2.2. Der Reihenschwingkreis

- durch beide Bauelemente fliet der gleiche Strom
- Spannungen knnen verschieden sein.

bei der Resonanzfrequenz f 0 heben sich die Spannungen auf trotz

flieenden Strom I fllt keine Spannung ab Widerstand O eine
bestimmte Frequenz wird durchgelassen!
1
Resonanzfrequenz wie beim Parallelschwingkreis f0 =
2 Lc

Spule Kondensator Zusammenschaltung

Formeln fr Q, B, f1 und f 2 gelten sinngem genauso

Erzwungene Schwingungen am Reihenschwingkreis:

Externer Oszillator (Wechselspannungsquelle) wird an L-C-Schwingkreis angeschlossen

bei f f0 kein Strom

bei f = f 0 Widerstand wird zu O
Resonante Schwingung wird angeregt
Spannungs- und Stromamplituden steigen!

32
3. Aktive elektronische Bauelemente

3.1. Halbleiterdioden

3.1.1. Der p-n-bergang

Strme im Halbleiter

Der Feldstrom:
hervorgerufen durch elektrische Feldstrke

J = e(n n + p p )E aus J = v
und v = E
allgemein gilt: = e(n n + p p )
bei dotierten Halbleitern ein Beitrag meist vernachlssigbar

Der Diffusionsstrom:
Bei Konzentrationsgradienten diffundieren bewegliche Ladungstrger von Orten
hoher Konzentration zu Orten niedriger Konzentration.

hervorgerufen durch Konzentrationgradienten

dn
Elektronenstrom J Dn = e Dn
dx
dp
Lcherstrom J D p = e D p
dx

33
 Diffusionskoeffizienten hngen von der Beweglichkeit ab:
(Nach Nernst, Townsend, Einstein)
kTn
Dn =
e
kT p
Dp =
e

kT kT
= Temperaturspannung, bei 300 k = 25.83 mV
e e

3.1.1.1. p-n-bergang im stromlosen Zustand

Symmetrischer p-n-bergang, abrupt mit konstanter Dotierung (Modellfall, real meist

komplizierter) NA ND
Dotierung

x0 x
Dotierprofil

An der Grenzflche hoher Konzentrationsgradient

Elektronen diffundieren ins p-Gebiet nach den Gesetzen der Diffusion und
Lcher diffundieren ins n-Gebiet des Diffusionsstromes

Wenn die bew. Ladungstrger wegdiffundieren Ladungstrgerneutralitt verletzt.

Im Bereich der Grenzflche entsteht Raumladung (+) im n-Gebiet
(-) im p-Gebiet

Folge elektrisches Feld Feldstrom, der dem Diffusionsstrom entgegengesetzt ist

so lange, bis sich ein Gleichgewichtszustand einstellt

Diffusionsstrom = Feldstrom: I D = I F

34

Konsequenzen: = = Laplace-Operator

Poisson-Gleichung
2
mit einer Ortskoordinate: =
x 2

E=
x

E
=
x
__________________________________________________________________________

=

2
=
x 2

d
d
dx = E=
d
E=
U
=

dx dx d x

dE
= d = Edx
dx

1
E=
(x )dx = E ( x )dx

E (0) = 0 (0) = 0

_________________________________________________________________________

daraus Entwicklung des Diagramms

- Konzentration ortsfester Ladungen

- Konzentration beweglicher Ladungstrger (log.)
- Konzentration beweglicher Ladungstrger (lin.)
- Konzentration der Raumladung
- Berechung des Feldverlaufs
- Berechnung des Potentialverlaufs

35
Konzentrationen
beweglicher Ladungs-
trger in log. Darstellung

Konzentrationen
beweglicher Ladungs-
trger und Dotandenionen
in lin. Darstellung

Resultierende Raumladung
in lin. Darstellung

Elektrische Feldstrke

Potentialverlauf

36
Stromgleichgewicht fr Elektronen und Lcher:

dp
eDp = e p p E
dx
Lsung der DG mglich
dn
eDn = en n E Gesetzmigkeit des p-n-bergangs
dx

im stromlosen Zustand

Darstellung des p-n-bergangs im stromlosen Zustand im Bnderdiagramm:

3.1.1.2. Der p-n-bergang bei angelegter Spannung

1. Fall: negative Spannung am n-Gebiet
positive Spannung am p-Gebiet

37
Verringerung der Potentialschwelle
leicht geringere Sperrschichtbreite
leicht geringere Raumladungszonenbreite
leicht geringerer Feldstrom
Diffusionsstrom > Feldstrom
Minorittsladungstrger diffundieren in die gegenberliegenden Bahngebiete und
rekombinieren dort Diffusionsschwnze
Diodenstrom fliet!

Diodenstrom hngt exponentiell von der angelegten Spannung ab

U

I~ e UT

2. Fall:

positive Spannung am n-Gebiet

negative Spannung am p-Gebiet

Potentialschwelle wird hher

Feldstrke im p-n-bergang wird hher
p-n-bergang wird breiter
Raumladungszone wird breiter
Strom sinkt bis auf ein Minimum I S ,
dass durch Generation bestimmt
2
wird I S ~ ni

38
- Konzentration der beweglichen Ladungstrger im p-n-bergang sinkt.
- an den Raumladungszonen (RLZ) - Grenzen Absenkung der
Minorittsladungstrgerkonzentration -> 0 (durch Feld ber p-n-bergang)

Ergebnis: p-n-bergang hat Ventilwirkung fr elektrischen Strom

U


in Durchlassrichtung durchlssig I ~ e UT


In Sperrrichtung undurchlssig (I = I S )

3.1.2. Die Diode, Gleichstromverhalten

Herzstck: p-n-bergang
Aufbau:

Symbol:

Pfeil in Durchlassrichtung

39
 Das Gleichstromverhalten der Diode:

nUU
I = I S e T 1

Beschreibt Sperr- und Durchlassbereich

I S Sperrstrom, Sttigungsstrom
U T Temperaturspannung U T = 25mV bei Raumtemperatur
kT
UT =
e
n Emissionskoeffizenten, Idealittsfaktor 1 2

in Durchlassrichtung in Sperrrichtung
U U

e nU T
>> 1 e nU T
<< 1

Flussspannung
und Sperrstrom sind
abhngig vom Halbleiter-
material
abhngig vom Bandabstand
Wg I S U F

Einfluss des Halbleiters

auf Flussspannung und
Sperrstrom

40
 Durchbruchsspannung (maximale Belastbarkeit in Sperrrichtung)
hngt ab von der Dotierung
Hohe Dotierung schmaler p-n-bergang kleine Durchbruchsspannung
Niedrige Dotierung breiter p-n-bergang hohe Durchbruchsspannung

empirische Formel fr asymmetrisch dotierte Dioden:

3

U BR = 2,72 1012 N A, D 2

N A, D Dotierung des niedriger dotierten Gebietes

Temperaturabhngigkeit der Diodenkennlinie

Fast alle Gren, die den Diodenstrom bestimmen, sind temperaturabhngig:

ni , ni2 , I S , U T ,
Diffusionskoeffizienten fr n und p Dp, Dn
Trgerlebensdauer n , p
Strkste Temperaturabhngigkeit hat I S ~ ni2
Temperaturabhngigkeit durch Minorittsladungstrgerdichte ~ ni2
3 Wg T
T 1 0
I s ~ n (T ) = n (T0 ) e kT0 T
2
i
2
i
T0

3
T
Wg

oder einfacher: I S ~ e kT
T0

In der Diodengleichung wirkt I S im Durchlass- und im Sperrbereich:

mit steigender Temperatur:
- verschiebt sich die Kennlinie im Durchlassbereich nach links zu
kleineren Spannungen/hheren Strmen
- verschiebt sich die Sperrkennlinie nach unten zu hheren
Sperrstrmen
oder Rechnung mit TK:
Temperaturkoeffizient der Sperrstrme:
Si: 0,03 0,06 K-1
Ge: 0,04 0,12 K-1

Der Strom einer Si-Diode verdoppelt sich alle 10 K.

3.1.3. Kleinsignalverhalten

3.1.3.1. Das quasistatische Verhalten

nderung des Stromes I bei nderung der Spannung

Berechnung durch Aufstellen der Taylor-Reihe

41
 1 d 2I 1 d 3I
I = I 0 + I = I (U 0 ) +
dI
U + U + 2
U 3 + ...
dU U0 2! dU 2 U0
3! dU 3 U0

dI 1 d 2I
I = U + U 2 + ....
dU U 0 2! dU 2 U
1444444 4244404444 3

nUU dI I
U
d 2I IS
U

I = I S e T 1 = S e nU T = e nU T



dU nU T dU 2
(nU T ) 2

Vereinfachte Betrachtung: Abbruch der Taylorreihe nach dem linearen Glied:

U0
dI I
I = U = S e nU T U
dU U 0 nU T
123

Einfhrung des differentiellen Widerstands r

1 dU nU T
I = U r= = U0
r dI AP
IS e nU T

Was verbirgt sich dahinter?

Bei kleinen nderungen beschreibt die linearisierte Kennlinie bzw. der differentielle Widerstand
die Stromnderung gut.
Abweichungen bei greren Spannungsnderungen.
Bei greren Abweichungen Verzerrungen
Eingangssignal: Sinusfrmig
Ausgangssignal: verzerrter Sinus (Sinus mit Oberwellen)

42
Erklrung an der Diodenkennlinie, gemessen mit Oszillograph:

3.1.3.2. Das dynamische Verhalten

Bei hohen Frequenzen: parasitre Kapazitten,
in Durchlassrichtung Diffusionskapazitt
in Sperrrichtung Sperrschichtkapazitt

dQ
C= wenn Spannungsnderungen dann Ladungsnderung C!
dU
43
 QD
Durchlassrichtung: C D =
U

Ladungen in den Diffusionsschwnzen gespeichert

Spannungsnderung bewirkt Ladungsnderung
Abbau der in den Diffusionsschwnzen gespeicherten Ladung beim Umschalten
von Durchlass- in Sperrrichtung
C D Minorittsladungstrger in den Bahngebieten

Sperrrichtung

- Ladungsspeicherung durch Atmung der Raumladungszone

je grer die Sperrspannung desto breiter die Raumladungszone

Sperrschichtkapazitt Majorittsladungstrger
44
 C SO = Nullspannungskapazitt
CS (U 0 ) =
CSO
m m = Gradationsexponent
U abrupter p-n-bergang: 0,5
1 D
U DIFF linearer p-n-bergang: 0,33
U DIFF = Diffusionsspannung

Sperrschichtkapazitt hngt selbst von der Spannung ab!

Diffusionskapazitt:

1
C D (U D ) = T T = Zeitkonstante, Trgerlebensdauer [us]
rD
r0 = differntieller Widerstand

Diffusionskapazitt hngt ab vom Diodenstrom

C D >> C S

Zustzlich zu den parasitren Kapazitten der Diode

Bahnwiderstnde: ohmsche Widerstnde der Bahngebiete (p- und n-Gebiet)
Berechenbar aus Dotierung und Geometrie

Dynamisches Ersatzschaltbild der Halbleiterdiode:

3.1.4. Das Schaltverhalten der Diode

Beim Umschalten der Diode von Sperrrichtung in Durchlassrichtung, und umgekehrt mssen die
Kapazitten umgeladen werden:

45
 Prinzipschaltung

idealer Verlauf ohne Vorhan- realer Verlauf mit Umladung

densein der Kapazitten der Kapazitten

in der Speicherzeit t s Entladung Diffusionskapazitt

in der Abfallzeit t f Aufladung der Sperrschichtkapazitt

t rr - einige ns einige 100 ns

kritisch beim Schalten von Rechtecksignalen

3.1.5. Gleichrichterschaltungen
Hauptanwendungsgebiet der Diode: Gleichrichtung von Wechselsignalen

3.1.5.1. Die Einweggleichrichtung

46
 Maximale Ausgangsgleichspannung: U DC = U U D = 2U eff U D
U weff
Welligkeit der Ausgangsspannung: W = 100% ;
U DC
Frequenz der Welligkeit f W = f PRIM
1 I L mA
Abschtzung der Restwelligkeit: W = 6 100%
C F U DC V
1 1
W = 6 100%
C F R k
bei groer Last (I 2 , R2 ) und kleiner Welligkeit wird groer Kondensator
gebraucht.

3.1.5.2. Die Zweiweg-Gleichrichtung

Schaltung und Trafo mit Mittelanzapfung

47

maximale Ausgangsspannung: U DC = U U D = 2U eff U D

Welligkeit der Ausgangsspannung:

U W eff
W = 100%, Frequenz: f W = 2 f PRIM
U DC
1 I mA
Abschtzung: W = 3 L 100%
C F U DC V

1 1
W = 3 100%
C m R k
Welligkeit nur halb so gro oder C halb so gro bei gleicher Welligkeit wie
Einweggleichrichtung

Brckengleichrichtung, Graetzgleichrichtung

Schaltung:

andere Variante zur Nutzung jeder Halbwelle!

Spannungsverlufe wie zuvor, Schaltung mit Mittelanzapfung

aber: U DC = U 2U D (siehe Strompfad!)
Welligkeit wie Schaltung zuvor
Brckengleichrichtung ist die verbreitetste Schaltung zur Erzeugung von
Gleichspannungen, weil:
- bessere Gleichspannung, geringere Welligkeit als
Einweggleichrichtung
- Platzersparnis, Gewichtsersparnis gegenber Trafo mit
Mittelanzapfung
- Graetzbrcken als ein Bauelement mit 4 Anschlssen lieferbar

3.1.6. Spezielle Halbleiterdioden

3.1.6.1. Die Schottkydiode

anstelle der p-Schicht im p-n-bergang eine Metallelektrode

wenn Austrittsarbeit des Metalls > Austrittsarbeit des Halbleiters Elektronen

verlassen die HL-Oberflche Verarmungszone Diodenverhalten

48
 Energieniveauschema:

Symbol

Eigenschaften: - sehr schnelle Dioden, kleine Schaltzeiten

- zum Gleichrichten hochfrequenter Signale
- C S ~ 1 pF
- t rr = 50 ps 1ns
- Durchlassspannungen 0,4 V
- Sperrspannung ca. 50 V

3.1.6.2. Kapazittsdiode
- vernderliche Kapazitt in Sperrrichtung
- groflchige p-n-bergnge
- Formel fr die Abhngigkeit der Sperrschichtkapazitt
CS 0
(siehe 3.1.3.2) CS =
U0
1
U DIFF m

- elektrisch einstellbarer Kondensator

- Abstimmung von Schwingkreisen, in Sendern, Tunern
(Ersatz der mech. Drehkondensatoren)

Symbol:

49
3.1.6.3. Tunneldiode

- Kennlinie mit negativem differentiellem Widerstand NDR

- schnelle Schaltdioden, Diskriminator
Symbol:

3.1.6.4. Zenerdiode

- exakte Durchbruchspannung mit steiler Kennlinie

- Spannungsreferenz, Netzteile

Umdrehen von Spannung und Strom

schiebt den III. Quadranten in den I.

50
3.1.6.5. Leuchtdiode (LED)

Symbol:

Emission von Licht durch Ladungstrgerrekombination in der Raumladungszone

und angrenzenden Diffusionsgebieten
Bandlcke Wg bestimmt Wellenlnge h

hc
E = h c = =
Wg

h = 4,136 10 15 eV s c = 2,9978 108 m s 1

hoher Wirkungsgrad: 90% Elektroenergie Strahlung

allerdings: nur 30% verlassen den Chip
Lichtausbeuten 90 lm/W erreichbar
LEDs haben, abhngig von der Farbe und Material, hohe Flussspannungen
GaAIAs/GaAs (rot und infrarot): 1,21,8 V
InGaAIP (rot und Orange): 2,2 V
GaAsP/GaP (gelb): 2,1 V
GaP, InGaAlP (grn, ca. 570 nm): 2,22,5 V
GaN/GaN (grn): 3,03,4 V
InGaN (grn, 525 nm): 3,54,5 V
InGaN (blau und wei): 3,34 V

3.2. Bipolartransistoren

3.2.1. Grundlagen

Bipolartransistor Arbeitspferde der Elektronik

Bipolartransistor Verstrkerbauelement, hat die Verstrkerrhre abgelst
Name: transfer resistor vernderbarer Durchgangswiderstand
nach vielen Voruntersuchungen in der Halbleiter- und Festkrperphysik
1947 von Shockley, Bardeen & Brattain erfunden.
Erfindung des Transistors Anfang einer rasanten Bauelemente-Entwicklung

3.2.1.1. Aufbau des Bipolartransistors

Besteht aus zwei p-n-bergngen die gegeneinander gepolt sind:

51
 Auffbau des Bipolartransistors:
Beispiel: Si-Planartransistor

verschiedene Technologien, verschiedene Bauformen, Leistungen, Gehuse

Emitter am hchsten dotiertes Gebiet
Basis sehr dnn, niedrig dotiert
Kollektor hochdotiert, groe Flche

3.2.1.2. Transistorwirung
Das Wesen der Transistorwirkung ist, dass in beiden p-n-bergngen Strme
flieen, die von beiden Spannungen abhngen.
p-n-bergnge mssen sich einander sehr nahe sein (nher als die
Diffusionslnge)

Transistorwirkung
am Beispiel der
Basisschaltung:

- Eingangsdiode in
Durchlassrichtung
- Ausgangsdiode in
Sperrrichtung

52
 Strme - Injektion von Elektronen in die Basis
- Feldstrom von Minorittsladungstrgern im BC-bergang
- Injektion von Lchern aus Basis in dem Emitter
- Rekombination von Elektronen in der Basis
- Generation von Elektronen-Loch-Paaren im BC-bergang

Was kann man erkennen?

grter Strom: Emitterstrom
IC
Kollektorstrom etwas kleiner als Emitterstrom <1
IE
Sehr kleiner Basisstrom
kleine EB Spannung
groe BC- Spannung

Verstrkerwirkung: Eingangsleistung I E U EB klein

Ausgangsleistung I C U BC gro
Strme im Transistor beschreibbar durch Ersatzschaltbild nach Ebers-Moll:

UnUEB
(1) I E = I ES e T 1 AI I C/

UnUCB
(2) I C = I CS e T 1 AN I e/

UnUEB UnUCB
(1)
I E = I ES e T
1 + AI I CS e T 1

U EB U CB
(2) I C = AN I ES e nUT 1 I CS e nUT 1

Transistorgrundgleichungssystem
AN - Stromverstrkung in Normalanrichtung
AI - Stromverstrkung in Inversrichtung

53
3.2.2. Basisschaltung
(benannt nach gemeinsamer Elektrode fr Ein- und Ausgang)

Eingangsdiode (EB) in Durchlassrichtung

Ausgangsdiode (CB) in Sperrrichtung

Herleitung: wovon hngt der Kollektorstrom (Ausgangsstrom) ab?

UEB UCB
nUT nUT
(1) IE = -IES (e -1 ) + AI CS
I (e -1 )

UEB UCB
nUT nUT
(2) IC = AN IES (e -1 ) - CS
I (e -1 )

U EB U EB

I E = I ES e nU T
AI I ES I ES e nU T
= AI I CS I E

U EB U EB

I C = AN I ES e nU T
+ I CS I ES e nU T
= (I C I CS ) / AN

I C I CS
AI I CS I E =
AN

I C = AN I E + I CS (1 AN AI )
14 4244 3

I C = AN I E + I CB 0

Kennlinien fr Eingang und Ausgang

Eingang: I E = f (U BE )
Ausgang: I C = f (U CB )

laut Gleichung: I C hngt nicht von U CB ab, sondern von I E

I E wird Parameter (AKL)
I E hngt von U EB ab (Diodenverhalten!)

54
 Eigenschaften der Basisschaltung:
Kleiner Eingangswiderstand: (z.B.. 20 )
Mittlerer bis groer Ausgangswiderstand
Stromverstrkung < 1
Groe Spannungsverstrkung (z.B. 100)
Phasenverschiebung 0
Hohe Grenzfrequenz

3.2.2. Die Emitterschaltung

Herleitung des I C aus dem Transistorgrundgleichladungssystem:

AN 1 AN AI
IC = IB + I CS
1 AN 1 AN
123

I CB 0
I C = B N I B + I CE 0 I CE 0 =
1 AN

Erinnerung I B sehr klein

I C und I E fast gleichgro

55
 Knotensatz: I B + I C + I E = 0
Maschensatz: U CE U BE U CB = 0

3.2.3.1 Kennlinien

1. Ausgangskennlinienfeld: I c = f (U CE )
2. Eingangskennlinien: I B = f (U BE )
3. bertragungskennlinie: I C = f (I B )
4. Spannungsrckwirkung: U BE = f (U CE )

zu 1.) Ausgangskennlinienfeld

Gleichung I C = B N I B + I CE 0

Early-Effekt: mit wachsender Sperrspannung ber der Ausgangsdiode

wird die Sperrschicht breiter Folge: Basisweite wird krzer Strom
steigt

Fr pnp-Transistor: alles umpolen (-IC, -UCE, -IB )

56
 zu 2.) Eingangskennlinie I B = f (U BE )
Strom an der Eingangsdiode
UnUEB UnUCB
(1)
I E = I ES e T
1 + AI I CS e123T 1

Diodenverhalten exp. Diodenkennlinie

Wenn UCE > 0
Ausgangsdiode in
Sperrrichtung 0

Ausgangsdiode in
Durchlassrichtung bewirkt
Verschiebung

Eingangskennlinie und
Ausgangskennlinienfeld in
Emitterschaltung

zu 3.) bertragungskennlinie, Stromsteuerkennlinie I C = f I B ( )

Gleichung I C = B N I B + I CE 0
vereinfacht linearer Zusammenhang

In der Praxis Abweichungen von der Geraden

57
 zu 4.) Spannungsrckwirkungskennlinie U BE = f (U CE )
Spannungsrckwirkung des Ausgangs auf dem Eingang (10-4)
- geringe Verschiebung der Eingangskennlinie durch Einfluss von U CE

Darstellung aller 4 Kennlinienfelder in einem kombinierten Diagramm:

4-Quadranten-Kennlinienfeld

4-Quadranten-Kennlinienfeld eines Si-npn-Transistors

58
3.2.3.1. Widerstandsgerade und Arbeitspunkt:

3.2.3.2. Verlustleistungshyperbel

Maximalleistung des Transistors PVmax = U CE I C

Hyperbelform mit I C U CE = const
Schrnkt den Arbeitsbereich des Transistors ein, darber wird er zu hei,
dann Zerstrung
ebenso I Cmax und U CEmax drfen nicht berschritten werden
Grenzwerte: Das berschreiten von bestimmten Maximalwerten
Strme I C und I B , Sperrspannungen U CB , U CE , und U EB
und der Verlustleistung Pv fhrt evtl. zur Zerstrung des Transistors.

59
3.2.3.3. Stromversorgungsschaltung
Zum Verstrkerbetrieb: Eingangsdiode in Durchlassrichtung
Ausgangsdiode in Sperrrichtung

Grundschaltung mit nur einer Spannungsquelle:

Berechnung der Schaltungen, Dimensionierung der Widerstnde im Seminar!

1. Richtwerte: U BE = 0,7V
Uq
2. U CE = fr maximale Aussteuerung
2
3. I R1 10 I B fr Schaltung 3
Richtwerte 2. und 3. kann man zur Optimierung der Schaltungskennwerte auch
weglassen!

60
3.2.3.4. Einfluss der Temperatur auf die Kennlinienfelder des
Bipolartransistors in Emitterschaltung

Einfluss der Temperatur auf die Eingangskennlinie wie bei Diode

bewirkt eine Verschiebung die Eingangsdiodenkennlinie nach links bzw. oben

bei U BE = const steigt I B , bei T = 10k Verdoppelung

3 Wg T
T kT 1 T0
I B (T ) = I B (T0 ) e
T0

TK (I B ) 0,065K 1

1 AN AI I
I CEO stark temperaturabhngig I CEO = I CS = CBO
1 AN 1 AN

ber I C = B N I B + I CEO

verschiebt sich KLF nach oben [Bild I CBO ]

I CEO (T ) = I CEO (T0 )e C E (T T0 ) C E = 0,08...0,12k 1

1 dB N
auch B N temperaturabhngig TK = 5 10 3 K
B N dT

Temperaturabhngigkeit des ICB0 und des Ausgangskennlinienfeldes in

Emitterschaltung

61
3.2.3.5. Temperaturkompensationsschaltungen
Stromgegenkopplung

R4 wirkt auch als Gegenkopplung auf das Signal in gleicher Weise wie auf
Temperaturnderungen. Um das zu verhindern, kann R4 durch einen C berbrckt
werden.

Spannungsgegenkopplung

Eigenschaften der Emitterschaltung

hohe Stromverstrkung 50 1000

hohe Spannungsverstrkung 50 1000
mittlere Ein- und Ausgangswiderstnde
z. B. Z e 10 k
Z a 10 k
grere Leistungsverstrkung
obere Grenzfrequenz ca. 10 MHz
Phasenverschiebung 180 zwischen U a und u e

Anwendungsgebiete: HF- und NF-Verstrker,

Leistungsverstrker Endstufen
Schalter

62
3.2.4. Das Kleinsignalersatzschaltbild, h-Parameter
Der Transistor als Verstrker, black box

mathematische Darstellungen der Abhngigkeiten

mindestens 2 Gleichungen sind ntig, z.B.

u1 , i2 = f (i1 , u 2 ) 1. h-Parameter
i1 , i2 = f (u1 , u 2 ) 2. y-Parameter
u1 , u 2 = f (i1 , i2 ) z-Parameter
i1 , u 2 = f (u1 , i2 ) d-Parameter
u1 , i2 = f (u 2 , i2 ) a-Parameter
u 2 , i2 = f (u1 , i1 )

1. Linearisierung der Abhngigkeiten

u1 = h11i1 + h12 u 2 (1)
i2 = h21i1 + h22 u 2 (2)

bersetzung fr Emitterschaltung Basisschaltung

u BE = h11E i B + h12 E u CE (1) u EB = h11B i E + h12 B u CB (1)

iC = h21E i B + h22 E u CE (2) iC = h21B i E + h22 B u CB (2)

Gleichungssystem fr die Emitterschaltung

u BE = h11E i B + h12 E u CE (1)

iC = h12 E i B + h22 E u CE (2)

63
 u BE U BE
h11E = = Kurzschlusseingangswiderstand
iB uCE = 0
I B U CE = const

zu bestimmen aus dem Anstieg der Eingangskennlinie (III. Quadrant)

u BE U BE
h12 E = = Leerlaufspannungsrckwirkung
u CE iB = 0
U CE I B = const

zu bestimmen aus dem Anstieg der Kennlinie Spannungsrckwirkung (IV. Quadrant)

iC I C
h21E = = Kurzschlussstromverstrkung
iB u EE = 0
I B U CE = const

zu bestimmen aus dem Anstieg der Stromverstrkungskennlinie (II. Quadrant)

in der Praxis h21E = , wenn alles linearer Verlauf h21E = B N

iC I C
h22 E = = Leerlaufausgangsleitwert
u CE iB = 0
U CE I B = const .

zu bestimmen aus dem Anstieg der Ausgangskennlinie (I. Quadrant)

wenn man die Parameter einer Schaltungsart kennt, kann man die einer anderen daraus berechnen
z.B.:

.
h-Parameter-Gleichungssystem:

u1 = h11i1 + h22 u 2 (1)

i2 = h21i1 + h22 u 2 (2)

daraus wird ein Ersatzschaltbild entwickelt:

64
Kleinsignal-Ersatzschaltbild des Bipolartransistors in h-Parameterdarstellung

Bestimmung der h-Parameter von Transistoren:

1. Durch Berechnung aus dem Grundgleichungssystem (nur fr den inneren

Transistor, ungenau!)
2. Durch Bestimmung in 4-Quadranten-KLF (Quasistatische Parameter)
Seminar
3. Durch Messungen unter bestimmten Voraussetzungen (Datenbltter)

Mit den Transistor-h-Parametern lassen sich bei komplexeren Schaltungen deren Eigenschaften
berechnen. Wichtige Eigenschaften von Transistorverstrker-Schaltungen sind:
u
Eingangswiderstand Z E = E
iE
u
Ausgangswiderstand Z A = A
iA
i
Stromverstrkung Vi = A
iE
u
Spannungsverstrkung VU = A
uE
Fr den Transistor (ohne Beschaltung) lassen sich diese Gren aus dem h-Parametern einfach
berechnen.

RS Gesamtwiderstand am Eingang des Transstors bei kurzgeschlossener Signalquelle

RL Gesamtwiderstand am Ausgang des Transistors
h Determinante der h-Matrix
65
h-Parameter sind
Arbeitspunktabhngig:

3.2.5. y-Parameter

i1 , i2 = f (u1 , u 2 )

Linearisiertes Gleichungssystem:

i1 = y11u1 + y12 u 2 (1)

i2 = y 21u1 + y 22 u 2 (2)

I 1
y11 = Eingangskurzschlussleitwert
U 1 U 2 = konst

I 1
y12 = bertragungsleitwert rckwrts
U 2 U1 = konst

I 2
y 21 = bertragungsleitwert vorwrts (Steilheit)
U 1 U 2 = konst

I 2
y 22 = Ausgangskurzschlussleitwert
U 2 U1 = konst

Daraus entwickeltes Ersatzschaltbild:

66
 1 1
y-Parameter und y11 = h11 =
h-Parameter sind h11 y11
ineinander
umrechenbar h12 y12
y12 = h12 =
h11 y11

h21 y21
y21 = h21 =
h11 y11

h y
y22 = h22 =
h11 y11

h = h11h22 h12 h21 y = y11 y22 y12 y21

3.2.6. Der Transistor als Schalter

mechanischer Schalter, Relais Transistor als Schalter
langsam (ms, s) schnell (ns)
groe Leistung zur Bettigung kleine Leistung
schlecht automatisierbar voll steuerbar

aber: minimaler Strom im Aus-Punkt

Restspannung im EIN-Zustand
Umladungen von Diodenkapazitten

dynamisches Transistorersatzschaltbild:

67
Prinzipschaltung:

Am Kollektorstromverlauf:

t d - Verzgerungszeit
- Entladung der C S
t r - Anstiegszeit
- Aufladen der C d
t s - Speicherzeit
- Entladen der C d
t f - Abfallzeit
- Aufladen der C s

68
3.3. Feldeffekttransistoren (FET)
- Bei FET beeinflusst das elektrische Feld der Steuerspannung den Querschnitt und/oder
die Leitfhigkeit des Halbleiterwiderstandes, durch den der zu steuernde Strom fliet.
- keine Injektion und Diffusionsmechanismen
- nur Majorittsladungstrger Strom (Unipolartransistoren)
- spannungsgesteuert, leistungsarme Steuerung
- zwei Unterarten: Sperrschicht-FET, und MOS-FET (auch IG-FET (isoliertes Gate))

3.3.1. Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET engl. JFET)

3.3.1.1. Aufbau und Funktion

Sperrspannung an GS-Diode Raumladungszone vergrert sich

69
Aufbau (schematisch) und Schaltsymbol eines n-Kanal-SFETs

Aufbau und Schaltsymbol eines p-Kanal-SFETs

Steuerwirkung: Einengung des Kanalquerschnitts

1 l
R=
A U GS

3.3.1.2. Kennlinien
Am Beispiel des n-Kanal-SFET:

bertragungskennlinie
Ansteuerung nur mit U GS
GS-Diode in Sperrrichtung!
der Transistor ist bei U GS = 0
am leitfhigsten!
Beispiel:
U GS = 1V , U DS = 0
_._. U GS = 1V , U DS = 2V
berlagerung von U GS und U DS fhrt
Drain-seitig zur Abschnrung!

U t - Schwellspannung UP-Abschnrspannung

70
bertragungskennlinie und Ausgangskennlinienfeld eines n-Kanal-SFET

Beim p-Kanal-SFET: alle Dotierungen und Spannungen ndern:

71
3.3.2. Feldeffekttransistoren mit isolierendem Gate (IGFET)
Metall-Oxid-Halbleiter-FET (MOS-FET) - abgeleitet nach Aufbau/Schichtfolge

3.3.2.1 Aufbau

Aufbau eines n-Kanal-MOSFET (schematisch) Aufbau eines p-Kanal-MOSFET

Der Kanal wird durch die Spannung am Gate gesteuert.

Das Kernstck eines MOS-FET ist die MOS-Kapazitt.

3.3.2.2. MOS-Kapazitt

72
Prinzip der quivalenzladung:
- Feldlinien beginnen an positiver Ladung, enden an negativer
quivalenten Ladung
- fr jede Ladung auf der Metall-Platte muss eine quivalente
Ladung mit entgegengesetztem Vorzeichen im existieren.

Raumladung im Halbleiter

gleich gro, versch. Vorzeichen

Flchenladung auf Metall

Raumladung im Halbleiter kann gebildet werden durch:

- Anhufung von Majorittsladungstrgern, negativ (-) bei n-HL

Anreicherung
flchenhafte Verteilung bewegliche Ladungstrger
- Entblung von ionisierten Strstellen (+)
Verarmung
Verteilung bers Volumen ortsfeste Ladungstrger
- Anhufung von Minoritsladungstrgern (+)
Inversion
flchenhafte Verteilung bewegliche Ladungstrger

Berechnung des Potentials- und Feldstrkeverlaufs durch die Poissongleichung

=

X0

U GB = E d + Ei d i Randbedingung
123 {
H x
0 imHalbleiter Isolator

73
74
- In einer Kondensatoranordnung kann die Leitfhigkeit und der Leitungstyp (n oder p) einer
Halbleiteroberflche leistungslos beeinflusst werden
das ist die Grundlage fr die Funktion eines MOS-FET!

3.3.2.3. Funktion des MOSFET

ohne U GS kein Kanal kein Drainstrom

U GS stark positiv starke Inversion

Kanal Drainstrom

Beispiel:

U t sei 3V

1. U GS = 4V , U DS = 0V
2. U GS = 6V , U DS = 0V
3. U GS = 6V , U DS = 3V - Abschnrung des Kanals
Selbstregulierung, Stabilisierung

75
Formeln

Aktives Gebiet:
2
U DS
I D = K (U GS U t )U DS U DS < U GS U t
2

Abschnrgebiet:
I D = (U GS U t )
K 2
U DS > U GS U t
2

Transistorkonstante
u W
K = n 0 0x
d0x L

3.3.2.4. Typen von MOSFEs

- Die Schwellspannung U t hngt ab

- von der Dotierung des HL
- von festen Ladungen im Oxid und an der SiO2 Si -Grenzflche
- von der Technologie (Oxid-Dicke)
- Austrittsarbeitsdifferenz Gatemetall-HL
- Durch gezielte Beeinflussung (Ionenimplantation) kann U t eingestellt werden.
- Man kann einen Kanal erzeugen, der auch ohne angelegte Gate-Source-Spannung schon
vorhanden ist:
Verarmungs-MOSFET, Depletion-Transistor, Normally-ON-FET
- Im Gegensatz dazu, muss bei anderen Transistoren erst eine Gate-Source-Spannung > U T
angelegt werden
Anreicherungs-MOSFET, Enhancement-Transistor, Normally-OFF-FET

76
Daraus ergeben sich 4 Typen von MOSFETs

n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET
n-Kanal-Verarmungs-MOSFET
p-Kanal-Anreicherungs-MOSFET
p-Kanal-Verarmungs-MOSFET

Schaltsymbole und bertragungskennlinien:

Anreicherungs-MOSFET Verarmungs-MOSFET

Ausgangskennlinienfeld und bertragungskennlinie eines n-Kanal-Verarmungs-MOSFET

77
3.3.2.5. Grundschaltungen von MOSFETs
wie beim Bipolartransistor sind alle 3 Schaltungsarten mglich
- Sourceschaltung (hufigste)
- Gateschaltung
- Drainschaltung

Schaltung fr Anreicherungs-MOSFETs mssen U GS > U t sicher stellen!

Schaltung fr Verarmungs-MOSFETs funktionieren auch fr U GS = 0

3.3.2.6. CMOS-Technologie
- Abkrzung fr Complementary-MOS-Technology
- Verwendet p-Kanal und n-Kanal-MOSFETs fr logische Funktionen
- Hauptvorteil gegenber anderen: absolut geringer Energieverbrauch!
- Standardtechnologie fr Mikroprozessoren, Speicher und anwenderspezifische
Schaltkreise (ASIC)
- Strom wird nur beim Schaltvorgang verbraucht, sonst nicht

Demonstration am Beispiel des CMOS-Inverters

Inverter einfachstes logisches Bauelement

78
Eingang NMOS PMOS Ausgang

1 U GS = 1 U GS = 0 0
leitend sperrt
0 U GS = 0 U GS = 1 1
sperrt leitend

ein Transistor sperrt immer! kein Strom in der Ausgangsmasche! (nur beim Umschalten)

79
 Realisierung komplizierter: n-Kanal im p-Substrat
p-Kanal im n-Substrat

Lsung: z.B. p-Substrat mit n- Wannen fr PMOS

- in C-MOS-Technologie wird die Mehrzahl aller ICs hergestellt.

3.3.2.7. Kleinsignalersatzschaltbild von MOSFETs

blich: KSEB in y-Parameter-Darstellung

y 21 - bertragungsleitwert vorwrts (Steilheit)

y 22 - Ausgangskurzschlussleitwert (sehr klein, oft vernachlssigbar!)

dI 2 dI D
y 21 = = =S
dU 1 U DS = konst
dU GS U DS = konst

im Abschnrbereich I D =
K
(U GS U t )2
2
S = k (U GS U t )
u W
S = n 0 r (U GS U t )
d ox L

Entwurfsparameter, Beweglichkeit und Oxideigenschaften gehen direkt in die Steilheit ein!

80
3.4. Operationsverstrker (OPV)

3.4.1. Aufbau und Prinzip

Herzstck des OPV ist ein Differenzverstrker:
Verstrkt wird die Differenz der Eingangsspannungen.

Ausgangsspannung U A 2 U A1

Ausgang am Differenzverstrker U A 2 U A1 = V (U E 2 U E1 )

Aufbau des OPV an verschiedenen Blocks:

1. Differenzverstrker
2. Verstrkerstufe
3. Kurzschlusssicherung
4. Endstufe

Zwei Schaltungen von Differenzverstrkern (im zweiten Bild mit Signalen an den Ein- und
Ausgngen)

81
Komponenten des OPV

Einfache Schaltung eines OPV

3.4.2. idealer Opertionsverstrker

Verstrkung des idealen OPV unendlich gro
Eingangswiderstand (keine Strombelastung der Eingangsspannung)
Ausgangswiderstand 0
Frequenzbereich 0
Vollstndig symmetrisch keine Offsetspannung
Gleichtaktverstrkung von 0
Verlustleistung unendlich
Verstrkung/Gleichtaktverstrkung (Gleichtaktunterdrckung)

82
3.4.3. realer Opterationsverstrker
Temperaturbereich: normal -20 70C
Militr -55 125C
Versorgungsspannung: 15 V (< 18V)

Verlustleistung: 8-Pin-Plastikgehuse 310 mW

Eingangsspannung: bis max. Versorgungsspannung
Ausgangskurzschluss: unbegrenzt mglich
Eingangswiderstand: ca. 2 M
Offsetspannung: ca. 2 mV
Gleichtaktunterdrckung: < 30.000
Leerlaufverstrkung: 200.000

3.4.4. 2 Grundschaltungen mit OPV

Invertierender Verstrker

RE = IE = 0
V= U ED = 0

U E = I 1 R1 + I 2 R2 + U A Knotensatz I 1 = I 2
U E = I 1 R1 U A R
= 2
U A = I 2 R2 U E R1

83
Hebelmodell:

Nichtinvertierender Verstrker:

U ED = 0 IE = 0

U E = I 1 R1
U A = I 2 R2 + I 1 R1

U A R2
= 1 +
U E R1

Vielzahl von Schaltungen heute mit Operationsverstrkern wegen:

- Verstrkung einstellbar
- Preiswert, klein
- Hervorragende elektronische Eigenschaften
- Etablierte Technologie
- Ersetzt weitgehend diskrete Bauelemente

84
Beispiele fr Schaltungen mit OPV:

4. Herstellungstechnologie von integrierten Schaltungen

4.1. Halbleitergrundmaterial: Si
Ausgangsmaterial: Sand (SiO2)

Reduktion:
(braucht viel Energie!)

Danach wird Si gemahlen und gereinigt

(Gasphasenproze)
Ergebnis: polykristallines Silizium
hoher Reinheit

hochreines Si wird geschmolzen

aus der Schmelze wird in einem
komplizierten Verfahren ein mglichst
groer Einkristall gezogen

85
Zonenziehen oder Tiegelziehen (Czochralski-Verfahren)

wenig Defekte - gute elektrische Eigenschaften (perfekter Einkristall)

Einkristall wird zersgt - geschliffen - poliert - verpackt

Grundmaterial
fr
Schaltkreisherstellung

4.2. Schaltkreisherstellung

4.2.1. Einfhrung
Herstellung von IC technisch und technologisch sehr anspruchsvoll !
Wissensgebiet: Halbleitertechnologie (Mikro- und Nanoelektronik-Technologie)
Zusammenwirken von Physik, Chemie, Werkstoffwissenschaften
Bearbeitung ganzer Si-Scheiben: Scheibenproze

Ziel: mglichst viele Schaltkreise auf jede Si-Scheibe

grere Scheiben - kleinere Strukturen (Frage der Kosten und Zuverlssigkeit)

Si-Scheibendurchmesser
1970 50 mm
1980 100 mm
1990 150 mm
1995 200 mm
2001 300 mm
ca. 2012 450mm
kleinere Strukturen - kleinere Schaltkreisflchen oder komplexere IC

86
Jahr Strukturbreite Speicherkapazitt das entspricht:
1975 5 m 4 kbit DRAM 1/4 A4-Seite
1985 1,5 m 1 Mbit DRAM 64 A4-Seiten
1990 1 m 4 Mbit 256 A4-Seiten
1995 0,6 m 16 Mbit 1000 A4-Seiten
2000 0,18 m 256 Mbit 16000 A4-Seiten
2003 0,13 m 512 Mbit 32000 A4-Seiten (100 Bcher)
2009 0,050 m 4 Gbit 800 Bcher = 1 Bibliothek ?

Bei der Herstellung von IC auf einer Si-Scheibe - Abfolge bestimmter

technologischer Schritte, die mehrfach durchlaufen werden, bis der IC fertig ist.
Am Ende des Scheibenprozesses: Zersgen der Scheibe (Trennschleifen),
Vereinzeln der Chips. Herstellen des fertigen Bauelements

4.2.2. Wichtige Teilschritte der Bauelementefertigung

4.2.2.1. Dotierung
Fr die Funktion von Bauelementen ist wichtig:

Leitfhigkeitstyp des Halbleiters (n- oder p-HL)

Leitfhigkeit des HL

Gezielter Einbau von Fremdatomen in den Halbleiter = Dotierung

Was? (3- oder 5- wertiges Element in Si (4-wertig) )

Wieviel?

Dotierung durch Diffusion und Implantation

eingebrachte Fremdatome (Verteilung) mssen in das Si-Gitter
eingebaut werden (Temperatur) Ionenimpanter (Schema)

4.2.2.2. Schichtherstellung
Alle Bauelemente sind aus einer Vielzahl von Schichten aufgebaut.
Unterschiedliche Materialien - unterschiedliche Funktionen

Halbleiter, Metalle, Isolatoren

aktive Schichten, elektrische Verbindungen (Verdrahtung), Isolationen,

Schutzschichten, Maskenschichten (werden wieder entfernt)

Verfahren:

Thermische Oxidation von Si

bei Temperaturen um 1000 C und O2 wird

Si zu SiO2 (mit H20)
SiO2 - guter Isolator
dnne Schichten (20 nm) Gateoxid
dickere Schichten (1 m) Schutzschichten Oxidationsofen im ZMN
87
Schichtabscheidung aus der Gasphase

verbunden mit chemischer Reaktion (CVD)

Halbleiter-, Isolator- und Metallschichten mglich

dnne, hochperfekte Si-Schichten:

bei Temp. 800 C - 1200 C Umwandlung von SiH4

Isolationsschichten SiO2 und Si3N4:

SiH4 und O2 oder NH3

ohne chemische Reaktion, z. B. Verdampfen (PVD)

Im Hochvakuum werden Materialien (Metalle) in einem

Tiegel geschmolzen
Material verdampft und schlgt sich als dnne Schicht
auf der Si-Scheibe nieder.
Schichtdicken zwischen 10 ... 2000 nm

Erwrmung des Verdampfungsgutes durch

stromdurchflossene Widerstandstigel oder
Widerstandswendel (Wendel- oder Tigelverdampfer) mit
Elektronenstrahl (Elektronenstrahlverdampfer)

Oder durch Ionenverfahren (Sputtern):

Mittels Plasma werden durch energiereiche Ionen die
Atome des Targets zerstubt und schlagen sich auf der Sputteranlage
Si-Scheibe nieder.

Die PVD-Verfahren unterscheiden sich hinsichtlich Abscheiderate,

Abscheidegeschwindigkeit und Kantenbedeckung stark.

Prozekontrolle: Schichtdicke, Materialzusammensetzung, Schichtstruktur, Reinheit

Metallschichten zur Herstellung der Leitbahnen (innere Drhte des IC)

4.2.2.3. Schichtstrukturierung
zur Erzeugung laterale Strukturierung der abgeschiedenen Schichten

Die Struktur ist in einer fotographischen Maske gespeichert.

Maskenherstellung ist ein komplizierter und teurer technologischer Proze

bertragung der Struktur aus der Maske auf den Schaltkreis mit Licht
(Spezialprojektor 10:1, kurzwelliges Licht: UV) auf lichtempfindlichen Lack.
immer nur ein Chip wird belichtet - Waferstepper
nach Belichten des Fotolackes - Entwickeln, Auslsen (analog Fotografie)
durch die ffnungen im Fotolack ist die selektive Bearbeitung mglich
(tzen von Isolatorschichten, Dotieren)

88
tzen

Abtragen von darunterliegenden Schichten durch die Lackmaske

Nachemisches tzen: sehr reaktionsfreudige Chemikalien (HNO3, HF, H3PO4) in wssriger

Lsung, Schichtmaterial wird 'aufgelst', jedoch nicht nur senkrecht, auch Untertzen unter der
Abdeckschicht - Strukturverbreiterung!

Trockentzen
(Plasmatzen)
Im Vakuum wird eine
elektrische Entladung
erzeugt (wie
Leuchtstofflampe), Ionen
werden auf die Si-Scheibe
beschleunigt und tragen
dort Material ab (mit oder
ohne chemische Reaktion)

Wegen Kompliziertheit des

Chipaufbaus sehr viele
Lithographie- und
tzschritte mit hoher
Reproduzierbarkeit. D.h. ->
teuere Maschinen, hoher
Zeitaufwand (30 ... 40 %
der Prozesskosten)

4.2.2.4. Verkappen und Anschlieen (Packaging)

Nach etwa 200 ... 300 Prozeschritten ist die Chipherstellung abgeschlossen
Vereinzeln: Scheibe (auf Folie) wird mit einer Trennscheibe (50 m dick) zersgt.

danach mu der Chip

1.auf einem Trgerstreifen befestigt werden (Chipbonden)

2.elektrisch angeschlossen werden (Drahtbonden)
3.hermetisch von der Umgebung abgeschlossen werden (Verkappen)
4.elektrisch getestet werden

Erste Tests der ICs auf der Scheibe vor dem

Vereinzeln
Defekte Chips werden mit Farbklecks
markiert (geinkt) und nicht weiterverarbeitet

Chipbonden (Diebonden) der fertigen Chips

auf dem Trgerstreifen durch Kleben, Lten
Wichtig: gute Wrmeleitfhigkeit groe
Flchen

Drahtbonden mit Temperatur, Druck und

Ultraschall
offener, gebondeter (re.), und verkappter
(Au- oder Al-Drhtchen, 50 m)
Chip (li.)
89
Verkappen durch Plast-Spritzgu oder Metallgehuse

dann elektrische Tests, Kontrollmessungen, Belastungstests, mechanische Stabilittstests

(Zentrifuge),
thermische Stabilittstests (-50 C ... 150 C),
Betrieb bei 100 % berspannung ...

IC-Ausfallraten 10-10/h (Elektronenrhre 10-4/h)

Produkt: IC Funktionsgruppe Gert

4.2.3. Reinraumtechnik
Zur Produktion von IC - absolute Voraussetzung: Staubfreiheit !

wegen:
kleine Strukturen
viele Strukturen, komplexe Schaltungen
viele Prozessschritte
hohe Zuverlssigkeit

Reinrume (Cleanrooms) mit extrem gereinigter Luft:

10 ... 100 Partikel pro m2, normal 106 - 109
definierter Luftstrom

Mensch als Hauptschmutzquelle weitgehend

fernhalten durch:
- spez. Reinraum-Kleidung, Mundschutz
etc.
- Spezielle Luftstrmung vom Menschen
weg
- Hermetisch gedichtete Maschinen
- Trennung von Wartungs- und
Prozessrumen (Grau- und Blick in den Cleanroom einer Chipfabrik
Weibereiche)

In einem OP-Saal knnte man keine IC herstellen!

Herstellungsfabriken fr IC sind sehr teuer

4.2.4. Technologiebegleitende Analytik

4.2.4.1 Ziele und Aufgaben der Analytik

Kontrolle der Prozessschritte
Aufspren von Fehlern
Fehlerhafte Scheiben schon frhzeitig erkennen und aussondern
Qualittssicherung
Hilfe bei der Entwicklung und Einfhrung neuer Technologien und Materialien

Beispiele: Schleier (Verunreinigungsschichten), Kristallfehler, Haftprobleme bei Schichten,

Staubdefekte, inhomogene Schichtdicken, unerwnschte Diffusionen, Kontaktprobleme u.v.a.m.

90
Analytik auf den folgenden Gebieten:

4.2.4.2. Atomar-chemische Analytik

Das bedeutet: Woraus besteht die Schicht?
Welche Elemente, Welche Verunreinigungen?
Wie sind Grenzflchen, Welche Atome sind an der Oberflche?

vielfltige physikalische Analyseverfahren:

Chemische Analyse, Auger-Spektroskopie, Elektronenstrahl-Mikroanalyse u.a.

4.2.4.3. Strukturelle Analytik

Das bedeutet: Welche kristalline Perfektion der Schichten?
Welche Kornstruktur?
Welche Spannungen in den Schichten?
Welcher Gittertyp?
Welche Texturen?

Rntgenbeugung, Elektronenbeugung

4.2.4.4. Elektrische Analytik

Das bedeutet: Welche Schichtwiederstnde und Ladungstrgerkonzentrationen?
Welche Leitfhigkeiten?
Welche Kontaktwiderstnde?
Welche Elektronenbeweglichkeiten?
Wie gro sind die Widerstnde, Kapazitten?
Welche Steilheiten haben die FETs?

Elektrische Mepltze mit Strom-, Spannungsmessungen, Kapazittsmepltzen (CV-Kurven),

Mercury-Probe, Hochfrequenzmesspltze, Hallmesspltze u.v.a.m.

4.2.4.5. Morphologische Analytik

Das bedeutet: Welche Oberflchenbeschaffenheit?
Welche Kanten- und Stufenbedeckungen?
Wie sehen die Kontaktfenster aus?
Gibt es Terassen?
Wie hoch sind die Stufen?
Wie dick sind die Schichten?
Wie gut funktioniert das CMP (chemisch-
mechanisches Polieren) ? Elektronenmikroskpisches Bild
einer getzten Al-Schicht
Lichtmikroskopie, Raster- und Transmissionselektronenmikroskopie, Rasterkraftmikroskopie,
Tastschnittgerte, Nanopositionier- und memaschine

91