Electrónica Analógica para Ingenierias Técnicas - Miguel Macías

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MIGUEL MACIAS MACIAS
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analgica p,
para Ingenierias
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mnnnm UNIVERSIDADE DE VIGO BIBLIOTECA
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MIGUEL MACAS MACAS
ELECTRNICA ANALGICA
PARA INGENIERAS TCNICAS
UNIVERSIDAD .. DE EXTREMADURA
MACAS MACAS, Miguel
Electrnica analgica para ingenieras tcnicas / Miguel Macas Macas . -

Cceres : Universidad de Extremadura, Servicio de Publicaciones, 2001
pp . ; cm . - (Manuales UEX, ISSN 11 35-870-X ; 30)
ISBN 84-7723-439-6
1 . Electrotecnia . I . Ttulo . II . Universidad de Extremadura, Servicio de
Publicaciones . III . Serie
621 .3
Edita: Universidad de Extremadura. Servicio de Publicaciones . Cceres, 2001

ISBN : 84-7723-439-6
D .L . : BA-261-2001
Diseo de cubierta e Impresin : INDUGRAFIC S .L . Badajoz
Prefacio
El libro que aqu se presenta constituye una herramienta para el

aprendizaje, desde un punto de vista general, de la electrnica analgica .
Este libro, est orientado a aquellos estudiantes que estn en primeros
cursos de ingenieras tcnicas y que tengan escasos conocimientos tanto
de electrnica como de aquellas materias en las que sta se asienta .
Por ello, el primer captulo est orientado hacia un estudio de
aquellas herramientas que, son parte de la teora de circuitos, pero que
constituirn la base para nuestros estudios posteriores .
El segundo captulo, trata el problema de la amplificacin desde
un punto de vista muy general, haciendo hincapi en aquellos aspectos
relacionados con las caractersticas de los amplificadores, pero sin entrar
en detalles sobre la construccin de los mismos .
El tercer captulo se dedica al estudio de uno de los conceptos
ms valiosos en el campo de la electrnica, la realimentacin, y de sus
distintas aplicaciones en el campo de la amplificacin, generacin de
seales, etc .
En el cuarto captulo se lleva a cabo un breve estudio del diseo
de filtros activos . Aunque se particulariza para el caso de los filtros de
Butterworth, tambin se ponen de manifiesto las propiedades generales
de otros tipos de filtros .
El estudio de los dispositivos semiconductores indispensables
hoy en da en cualquier circuito electrnico, diodos, transistores bipolares
y transistores mosfet se lleva a cabo en los tres ltimos captulos .
Adems, aparte del estudio fsico de su funcionamiento interno, se tratan
muchas de las aplicaciones que este tipo de dispositivos tiene en el campo
sobre todo de la amplificacin de seales, aunque tambin se citan otros
de forma muy general, como la modulacin, demodulacin, regulacin de
voltaje, etc .
Por ltimo, en un apndice final, se muestran simulaciones
basadas en el programa de simulacin de circuitos de libre distribucin
winspice3 de algunos de los circuitos que se han estudiado en el texto .
Definicin y Partes de la Electrnica
La Electrnica al igual que la mayora de las ramas del saber naci

en el seno de otra rama, en este caso la Fsica, y se separ de sta cuando
adquiri entidad suficiente . En estos aos (antes de 1940) la palabra
electrnica era utilizada por los fsicos y haca referencia al electrn y a sus
propiedades y fue tomando cuerpo cuando se empezaron a ver las grandes
ventajas que se obtenan controlando el flujo de electrones en los
denominados dispositivos electrnicos . De esta forma, la electrnica
constituye la rama de la Ciencia y la Tecnologa que se ocupa del estudio
de las leyes que rigen el trnsito controlado de electrones a travs del
vaco, los gases o los materiales semiconductores, del desarrollo de los
dispositivos en los que se produce dicho movimiento controlado y de las
aplicaciones que de ello se deriven .
El desarrollo de la electrnica fue propiciado por las necesidades
creadas ya por aquellas fechas (segunda mitad del siglo XIX) en el campo
de las comunicaciones que avanzaban de la mano del Electromagnetismo
y a las que siguieron posteriormente las creadas por la radio, los sistemas
de control, la televisin, la electrnica de consumo en general y,
fundamentalmente, la Informtica . El inmenso esfuerzo cientfico y
tecnolgico para atender los diversos campos han propiciado el elevado
grado de desarrollo actual y la creacin de nuevas ramas que atienden a
las aplicaciones anteriormente mencionadas .
El avance propiciado ha permitido pasar en tan solo 50 aos del
ENIAC a los computadores actuales, introducindose en todos los
sectores, cientficos, tecnolgicos, industriales, mdicos, financieros,
artsticos . . . llegando a formar parte de la mayora de los utensilios que
rodean nuestra vida cotidiana .
Un intento de divisin de la electrnica en partes constituyentes nos
llevara a separar los dispositivos electrnicos de los circuitos electrnicos,
dando lugar a dos grandes bloques Dispositivos Electrnicos y Circuitos y
Sistemas Electrnicos. Pero la gran extensin de los bloques anteriores
hacen que comnmente se hagan divisiones ms detalladas Electrnica
Fsica, Dispositivos Electrnicos y Fotnicos, Electrnica Analgica,
Electrnica de Potencia, Electrnica de Comunicaciones, Electrnica
Digital y Sistemas Digitales . De cualquier modo, cualquiera de las
clasificaciones anteriores es discutible y depende del enfoque que se le d .
Por ejemplo, podra cuestionarse si la Electrnica de Potencia debe estar
incluida en la Electrnica Analgica .
ndice
1. Resumen de teora de circuitos 1
1. Seales 1
2. Representacin de las seales 3
3. Seales analgicas y digitales 4
4. Ley de Ohm 5
5. Fuentes de tensin y fuentes de corriente 6
1 . Fuente independiente de tensin ideal 6
2 . Fuente independiente de tensin real 6
3 . Fuente independiente de corriente ideal 7
4 . Fuente independiente de corriente real 7
5 . Fuentes dependientes de tensin 7
6 . Fuentes dependientes de corriente 8
6. Leyes de Kirchhoff 8
1 . De las corrientes (lek) 8
2 . De las tensiones (ltk) 8
7. Combinacin de Resistencias en serie y en paralelo 10
8. Teoremas sobre circuitos 10
1 . Teorema 11
2 . Teorema de superposicin 11
3 . Teorema de Thevenin 11
4 . Teorema de Norton 11
5 . Teorema de Miller 12
9. Elementos pasivos de un circuito 12
1 . Combinacin de condensadores en serie y en paralelo 14
2 . Combinacin de bobinas en serie y en paralelo 15
10. Estudio de un circuito RC 16
1 . Anlisis de continua 16
2 . Anlisis para seal alterna 18
3 . Una metodologa ms sencilla 20
11 . Circuito RI, 23
12 . Respuesta en frecuencias 23
13 . Resistencia de entrada 28
14 . Resistencia de salida 29
15 . Consideraciones de potencia 31
16 . Parmetros para redes lineales de dos puertas 33
2. Amplificacin 41
1 . Introduccin 41
2 . Tipos de amplificadores 42
3 . Potencia de salida, ganancia de potencia y eficiencia de potencia 46
1 . Teorema de la mxima transferencia de potencia 47
4 . Ganancia de voltaje y respuesta en frecuencias 48
1 . Efecto de las capacidades de acoplo 50
2. Efecto de las capacidades parasitas 52
5 . Otras caractersticas de los amplificadores 55
1 . Linealidad 55
2. Salida del amplificador 58
3 . Impedancia de entrada y salida 58
4 . Ruido 58
5 . Slew-Rate 60
6 . PSRR 61
6. Amplificadores en cascada 62
1 . Ganancia 62
3 . Impedancias de entrada y salida 62
4 . Ruido 63
7 . Amplificadores diferenciales 63
1 . Amplificadores operacionales 64
2 . Caractersticas reales del amplificador operacional LM741C 66
1 . Ganancia en lazo abierto 66
2 . Ancho de banda en lazo abierto 66
3 . Impedancia de entrada y salida en lazo abierto 67
4 . Intervalo de voltajes de alimentacin 67
5 . CMRR 67
6 . Corriente de polarizacin de entrada I 68
7 . Voltaje de desplazamiento de entrada o voltaje de offset 68
8 . Capacidad de corriente y voltaje de salida I, a , max , y Vna,(mx 68
8. Hojas de caractersticas del amplificador de audio de potencia LM386 . . .69
9. Hojas de caractersticas del amplificadores operacional LM741 75
3 . Realimentacin 83
1. Introduccin 83
2. Realimentacin negativa 85
3 . Topologas de los amplificadores realimentados 87
1 . Amplificador serie paralelo 87
2 . Amplificador paralelo paralelo 88
3 . Amplificador serie serie 88
4 . Amplificador paralelo serie 89
4 . Efectos de la realimentacin negativa 89
1 . Ganancia 89
1 . Amplificador operacional 90
3 . Resistencia de entrada 91
1 . Entrada serie 92
2 . Entrada paralelo 92
4 . Resistencia de salida 93
1 . Salida serie 93
2 . Salida paralelo 94
5 . Ejemplos de circuitos realimentados 95
1 . Amplificador no inversor 95
2 . Amplificador inversor 97
3 . Restador 97
4 . Integrador 98
5 . Convertidor de tensin a corriente, amplificador de transconductancia . . . . 98
6 . Convertidor de corriente a tensin 100
6 . Estabilidad 100
7 . Osciladores senoidales 104
1 . Oscilador en puente de Wien 106
1 . Control de amplitud no lineal 107
8 . Un nuevo mtodo para la resolucin de circuitos realimentados 111
4. Filtros activos 125
1. Introduccin 125
2. Tipos de filtros 126
3. Caractersticas reales de los filtros 127
4. Diseo de filtros activos de primer 128
1 . Filtro paso alta de primer orden 128
2 . Filtro paso baja de primer orden 128
3 . Filtro pasa todo de primer orden 129
5. Diseo de filtros activos de segundo orden 129
1 . Filtro pasa baja de segundo orden 131
2 . Filtro pasa alta de segundo orden 132
3 . Filtro pasa banda de segundo orden 132
6. Filtros de Butterworth 132
1 . Caractersticas de los filtros de Butterworth pasa baja 133
2 . Diseo de filtros de Butterworth pasa baja 134
3 . Diseo de filtros de Butterworth pasa alta 135
4 . Diseo de filtros de Butterworth pasa banda y rechaza banda 136
5. Semiconductores y Diodos 139
1. Introduccin 139
2 . Propiedades elctricas de los slidos 139
1 . Conductores 140
2 . Aislantes 140
3 . Semiconductores 140
4 . Semiconductores extrnsecos 142
1 . Semiconductores extrnsecos tipo n : 143
2. Semiconductores extrnsecos tipo p : 144
5 . Corrientes en un semiconductor 146
1 . Corrientes de arrastre 146
2. Corrientes de difusin 147
6 . Campo elctrico en el interior de un semiconductor graduado 148
7 . Variacin de las concentraciones de portadores con la temperatura 149
8 . Variacin de la movilidad de los portadores con la temperatura 150
9 . Variacin de la conductividad con la temperatura 150
3 . La Unin pn 150
1 . La union pn en equilibrio 150
2 . La union pn polarizada directamente 153
3 . La unin pn polarizada inversamente 156
4. Caracterstica I-V del diodo 158
5. Modelo de diodo de gran seal 160
6. Modelo de diodo de pequea seal 161
7. Dispositivos con diodos 164
1 . Rectificador de media onda 164
2 . Rectificador de onda completa 167
3 . Demodulador o detector de envolvente 168
4 . Diodos Zener y Reguladores de tensin 171
5 . Otros tipos de diodos 174
8. Las hojas de caractersticas 175
1 . I N4001 175
2 . 1N957B 176
9. Hojas de caractersticas de los diodos rectificadores 1N4001-1N4007 ... .177
10. Hojas de caractersticas de los diodos Zener 1N957B - 1N973B 181
6. Transistores Bipolares 187
1. Introduccin 187
2 . Construccin, funcionamiento y tipos 187
1 . Construccin de un transistor bipolar 187
2 . Funcionamiento 188
3 . Caractersticas de los transistores bipolares 191
1 . Caractersticas de gran seal 191
2 . Caractersticas de pequea seal 192
1 . Caractersticas de entrada 192
2 . Caractersticas de transferencia 194
3 . Caractersticas de salida 195
4. Circuitos equivalentes del transistor bipolar para pequea seal 196
1 . Modelo hbrido en rt 197
2 . Modelo en T 197
3 . Modelo en n hbrido para alta frecuencia 198
5 . Estudio de las distintas configuraciones de amplificadores 199
1 . El amplificador en emisor comn 199
1 . Determinacin de las condiciones de reposo 200
2 . Anlisis de pequea seal 200
3 . Anlisis utilizando las rectas de carga 202
2 . El amplificador en emisor comn realimentado 203
1. Anlisis de continua del amplificador realimentado 204
2 . Anlisis de pequea seal del amplificador realimentado 205
3 . Uso de un condensador de desacoplo 207
3 . Estudio de amplificadores en colector comn 208
1 . Anlisis de continua del amplificador en colector comn 209
2 . Anlisis de pequea seal del amplificador en colector comn 209
4 . El amplificador en base comn 210
1 . Anlisis de continua del amplificador en base comn 210
2. Anlisis de pequea seal del amplificador en base comn 210
6. Polarizacin con fuente de corriente 212
7 . Respuesta en frecuencias del amplificador en emisor comn 213
1 . Respuesta en bajas frecuencias 214
1 . Efecto del condensador de acoplo de la entrada 214
2 . Efecto del condensador de acoplo de la salida 215
3 . Efecto del condensador de desacoplo 215
2 . Respuesta a altas frecuencias 217
8. Amplificadores conectados en cascada 218
1 . Acoplados en alterna 218
2 . Acoplados en continua 219
9. Fuentes de corriente constante 220
1 . Fuente de corriente constante 220
2 . Espejo de corriente 221
3 . Espejo de corriente Wilson 223
10 . Modulador de AM 223
11 . Regulador de tensin mejorado 225
12 . Amplificadores diferenciales 226
1 . Entrada diferencial-salida diferencial 227
2 . Entrada diferencial-salida asimtrica 227
3 . Par diferencial con carga activa 229
13 . Clases de amplificadores 230
1 . Funcionamiento en clase A 230
2 . Funcionamiento en clase B 233
3 . Funcionamiento en clase AB 236
4 . Funcionamiento en clase C 238
14. El Modelo de Ebers-Moll para el transistor 239
15. Las hojas de caractersticas 241
1 . 2N2222A 241
16. Hojas de caractersticas del transistor bipolar npn 2N2222A 243
17 . Hojas de caractersticas del transistor bipolar npn BC548 247
7. Transistores Mosfet 259
1 . Introduccin 259
2 . Construccin, funcionamiento y tipos de Mosfet 260
1 . Construccin de un mosfet 260
2 . Funcionamiento de un Mosfet 260
3 . Modelo de pequea seal de un transistor mosfet para baja frecuencia .269
4 . Amplificadores Mosfet 271
1 . El amplificador en fuente comn 272
1 . Anlisis de gran seal 272
2 . Anlisis de pequea seal 273
3 . Problemas con la dispersin de los dispositivos 273
2 . Estudio del amplificador en fuente comn realimentado 277
1 . Estudio de pequea seal 277
3 . Amplificadores Mosfet en drenador comn 278
1 . Estudio de pequea seal 278
5. Respuesta en frecuencias del amplificador en fuente comun 280
1 . Bajas frecuencias 280
2 . Altas frecuencias 281
6 . Las hojas de caractersticas 283
7 . Hojas de caractersticas del transistor mosfet BS170 284
8 . Algunas simulacines con Winspice3 293
1. Analisis de una simple red RC 293

2. Seguidor de Voltaje con distorsin a la salida por slew-rate 293
3. Oscilador en Puente de Wien 294
4. Multivibrador astable 294
5. Filtro pasa baja de Butterworth 298
6. Circuito demodulador 299
7. Regulador Zener 299
8. Modulador de AM 300
9. Amplificador bipolar 300
Bibliografa bsica : 306

1 Resumen de teora de circuitos
1.1 Seales
A lo largo de todo este libro hablaremos continuamente de

seales elctricas, es decir, de corrientes que circulan por determinadas
ramas de un circuito o de tensiones existentes en determinados nodos
(punto en el que confluyen dos o ms ramas) de dicho circuito .
Ejemplo 1 .1 : Entre los diversos tipos de micrfono podemos

citar el micrfono dinmico cuyo esquema podemos
observar en la figura 1 .1 . Est formado por una membrana o
diafragma de 1 .5 a 2 cm de dimetro construida con una
lmina (plstico, aluminio o papel) de espesor muy fino
(dcimas de milmetro) . Esta membrana se encuentra unida a
una bobina devanada sobre un cilindro metlico y que se
halla situada en el seno del campo magntico de un imn
permanente . Las ondas sonoras provocan el movimiento del
diafragma lo que conlleva un movimiento de la bobina con
respecto al imn . Este movimiento provoca una variacin del
flujo magntico a travs de la bobina lo que en virtud de la
ley de Faraday provoca una tensin en sus extremos cuyas
caractersticas dependen de la excitacin sonora recibida.
Generalmente, estas seales estn relacionadas con otras no
elctricas existentes en el mundo exterior y son convertidas a seales
elctricas por medio de lo que se denominan transductores para su

conveniente procesamiento . Por ejemplo, las ondas sonoras son

variaciones de presin en el medio en el que se transmiten y pueden ser
convertidas a seales elctricas por medio de un transductor apropiado, el
micrfono .
Cuando estas seales elctricas, tensiones o corrientes, son
constantes en el tiempo hablaremos de tensin o corriente continua y las
variables que las definen suelen denotarse con letras maysculas, en
cambio, hablaremos de tensin o corriente alterna cuando las tensiones o
las corrientes son funciones del tiempo y toman valores positivos y
negativos . Las referencias a tensiones o corrientes alternas suelen hacerse
con letras minsculas .
Membrana protectora
Diafragma
Bobina
r Imn
Figura 1 .1 : Esquema conceptual de un micrfono dinmico .
Adems, una tensin o corriente alterna se dice que es peridica
cuando la variacin de la tensin o de la corriente se repite en el tiempo .
Las seales alternas y peridicas ms comunes son las senoidales,
triangulares y cuadradas y todas ellas vienen caracterizadas por una
amplitud o valor pico v (Voltios o Amperios), una frecuencia w (radianes
por segundo) y un ngulo de fase 9 (grados o radianes) . Por ejemplo, la
seal v(t)=vsen(wo t+(p) representa a una tensin senoidal, alterna y
peridica de amplitud v voltios, frecuencia w o rad/s y fase 9 radianes. La
frecuencia comnmente se suele expresar tambin en hertzios (hz)
denotndose en este caso f. De esta forma la seal a la que hacamos
referencia se puede poner de la forma v(t)=vsen(2irft+(p) cumplindose
la relacin :
w(rad l s) = 2nf (hz) (1 .1)
De la misma forma, el periodo de la seal (tiempo empleado en

producirse una oscilacin completa) T se define como el inverso de la
frecuencia cuando esta se encuentra expresada en hertzios .

Resumen de teora de circuitos 3
27t
T =1 = (1 .2)
f w
En cuanto al proceso de medicin, las seales de corriente

continua (cc) o corriente directa (ed) son ms fciles de medir ya que una
medicin en cualquier instante de tiempo proporciona toda la informacin
sobre la seal . En cambio cuando las seales son alternas (ca) una
medicin en cualquier instante de tiempo no basta . Si intentsemos medir
una seal alterna de relativamente alta frecuencia con un polmetro de
continua probablemente lo que estaramos midiendo sera su valor medio
que podra ser nulo . Cuando se miden seales alternas con polmetros
adecuados lo que realmente se miden son sus valores eficaces .
Volveremos a sto ms adelante en la seccin 1.15 cuando estudiemos la
potencia disipada en un circuito .
1.2 Representacin de las seales
Cuando las seales elctricas varan con el tiempo, las podemos

representar de dos formas : en funcin del tiempo y en funcin de la
frecuencia .
La representacin en funcin de la frecuencia se conoce con el
nombre de espectro de frecuencia de la seal y se obtiene mediante la
transformada de Fourier de la misma . Esta transformada representa una
seal elctrica cualquiera como suma de ondas senoidales de diferentes
amplitudes y diferentes frecuencias . Por ejemplo la transformada de
Fourier permite expresar la funcin peridica v(t) de la figura 1.2 como la
suma de un nmero infinito de ondas senoidales cuyas frecuencias son
mltiplos de una frecuencia llamada frecuencia fundamental . Esta
frecuencia fundamental coincide con la frecuencia de la onda cuadrada
original v(t) . Esta descomposicin en frecuencias puede observarse en la
ecuacin 1.3 y se puede representar en un diagrama como el de la figura
1 .3 llamado espectro de frecuencias o lnea espectral de la seal v(t) . En
dicho diagrama en el eje x se representa la frecuencia en radianes por
segundo y en el eje y la amplitud de la seal senoidal para cada valor de
frecuencia .
V(t) = (sinwQt+ 3 sen 3w,,t+ sen5w o t+ . . .) (1 .3)

v 5
Debido a que la seal de partida v(t) es una seal peridica, el
espectro de frecuencias obtenido es discreto . En el caso ms general la
seal dependiente del tiempo puede no ser peridica por lo que el

espectro de frecuencias puede no ser discreto, siendo ms apropiado, en

este caso, el nombre de lnea espectral .
2n
v(t) .' w
+V
1 t
Figura 1 .2 : Representacin temporal de una onda cuadrada de amplitud V y

frecuencia w,, .
4y
37u
W
w
t 5w~ 7w-
7~
w(rad / s)
3w o,
Figura 1 .3 : Espectro de frecuencias de la onda cuadrada de la figura 1 .2
1.3 Seales analgicas y digitales

Se denominan seales analgicas a aquellas cuya representacin
en funcin del tiempo presenta una variacin continua de la seal a lo
largo del mismo . La mayora de las seales en el mundo real son seales
analgicas . Se llaman analgicas porque tales seales son anlogas a las
seales fsicas que representan . Los circuitos que procesan este tipo de
seales se conocen como circuitos analgicos y son el objetivo de esta
asignatura .
Una forma alternativa de representar las seales consiste en una
secuencia de nmeros cada uno de ellos representando la magnitud de la
seal cada cierto intervalo de tiempo . Al proceso de medicin de la seal
cada cierto intervalo de tiempo se le llama muestreo (sampling) o
digitalizacin de la seal . El proceso de digitalizacin viene
caracterizado por la eleccin del sistema numrico para la representacin
de las muestras y por la frecuencia del muestreo . Si el sistema numrico
elegido es el binario cada una de las muestras vendr representada, como

se puede observar en la ecuacin 1 .4, por N bits de informacin (b 0 , . . . . b N _
1 ), cada uno de los cuales tomando valores 0 o 1 . Cada uno de estos 0 o 1

se representan por medio de valores altos y bajos de tensin, por ejemplo,
una representacin comn sera utilizar OV para el nivel bajo y 5V para el
nivel alto .
2
D = b 2 +b] 2 1 +b22 + . . . + bN , 2 N-1 (1 .4)
Como estos nmeros no pueden tener infinitas cifras decimales,

estaremos siempre cometiendo una incertidumbre en la medida por lo que
la seal ya no presentar una variacin continua en el tiempo y se dice
que est cuantizada, discretizada o digitalizada . A dicha seal analgica
muestreada se le conoce como seal digital . Las seales digitales no
tienen porqu proceder necesariamente del muestreo de una seal
analgica, pero caso de que as fuese, el proceso de digitalizacin se lleva
a cabo por medio de lo que se denomina un conversor analgico digital
(ADC) . Un circuito similar al ADC es el convertidor digital analgico
(DAC) .
Debido a que los circuitos digitales tratan con seales binarias, su

diseo es mucho ms simple que el de los circuitos analgicos, adems,
los sistemas digitales pueden disearse utilizando un nmero muy
reducido de diferentes bloques de circuito pero de forma muy repetida.
Las elevadas densidades de integracin que permiten introducir millones
de estos dispositivos en pequeas reas de chip permiten que la mayora
de los sistemas electrnicos avancen haca la versin digital (TV,
telefona mvil, . . .) sin olvidar el ms importante de todos el computador
digital .
Ejemplo 1 .2 : Un ejemplo de conversin analgica digital lo

constituye el almacenamiento de sonido en los denominados
CD-ROM . Para el almacenamiento de cada una de las
muestras se utilizan 16 bits . La velocidad de muestreo es de
44 khz .
1 .4 Ley de Ohm
La diferencia de potencial o de tensin V entre los extremos

de un conductor es proporcional a la intensidad de corriente que
circula por l . Al factor de proporcionalidad se le denomina
resistencia del conductor R y se expresa en ohmios (U) cuando V
est en voltios e I en amperios .
V=RI (1 .5)
1 .5 Fuentes de tensin y fuentes de corriente
Podemos deducir de la ley de Ohm que para producir flujo de

corriente a travs de un conductor necesitaremos lo que se denomina un
generador o fuente de tensin . Distinguiremos entre fuentes
dependientes e independientes, dentro de stas diferenciaremos el caso
ideal del caso real y adems distinguiremos entre fuentes de tensin o
corriente continua (cc) o (cd) y fuentes de tensin o corriente alterna
(ca) .
. vs
( .)
Figura 1 .4 : Smbolos de fuentes ideales independientes de tensin alterna y

continua
1.5 .1 Fuente independiente de tensin ideal

Se define como un generador cuya tensin de salida v=v, es
independiente de la corriente por el suministrada, es decir su relacin I-V
viene caracterizada por una lnea vertical de pendiente infinita . Se pueden
dividir en fuentes de continua y de alterna, dependiendo de la
dependencia temporal del voltaje suministrado (ver seccin 1 .1), y sus
smbolos se muestran en la figura 1.4.
1.5 .2 Fuente independiente de tensin real

Desafortunadamente, ocurre que ninguna fuente independiente de
tensin ofrece una tensin de salida independiente de la corriente
suministrada . Cuando en la prctica conectemos un circuito a la fuente de
tensin ste absorber corriente (cargar al generador de tensin), esta
corriente tambin fluir por la circuitera interna del generador en donde
se producir por la ley de Ohm una cada inevitable de tensin . A mayor
efecto de carga, mayor corriente extrada del generador y mayor cada de
tensin en la circuitera interna del generador . Este efecto de cada de
tensin en funcin de la corriente suministrada se modela con una
resistencia que denominamos resistencia de salida del generador de
tensin . Por lo que, un generador independiente de tensin en el caso real,
generalmente se representa por medio de uno ideal en serie con una
resistencia de salida R, .
En esta resistencia adems de una cada de tensin tambin se
produce una perdida irreversible de energa en forma de calor debida al
efecto Joule .
Figura 1 .5 : Esquema de una fuente independiente de tensin alterna
1.5 .3 Fuente independiente de corriente ideal

Una fuente independiente de corriente ideal es aquel dispositivo
capaz de producir una corriente independiente de la tensin existente
entre sus bornes . Al igual que las fuentes de tensin se dividen en fuentes
de corriente continua y fuentes de corriente alterna y sus smbolos se
muestran en la figura 1 .6.
(t)
Figura 1 .6 : Smbolos para fuentes independientes de corriente continua y alterna
1.5 .4 Fuente independiente de corriente real
El caso ideal tampoco existe, por lo que la corriente ofrecida por
toda fuente de corriente es funcin, en mayor o menor medida, del voltaje
de salida . Este efecto tambin se modela con una resistencia en paralelo
con el generador ideal de corriente que denominaremos resistencia de
salida de la fuente de corriente .
Figura 1 .7 : Esquema para una fuente independiente de corriente alterna

1 .5 .5 Fuentes dependientes de tensin
Una fuente dependiente de tensin es aquella cuya tensin de
salida es funcin de la tensin (fuente dependiente de tensin controlada
por tensin) o corriente (fuente dependiente de tensin controlada por
corriente) existente en otro punto del circuito . Las controladas por tensin
vienen caracterizadas por un parmetro A, denominado ganancia de

voltaje de la fuente dependiente . Las controladas por corriente se

caracterizan por su transresistencia R,,, . Sus smbolos respectivos se
pueden observar en la figura 1 .8.
1 .5.6 Fuentes dependientes de corriente
Una fuente dependiente de corriente es aquella cuya corriente de
salida es funcin de la tensin (fuente dependiente de corriente
controlada por tensin) o de la corriente (fuente dependiente de corriente
controlada por corriente) existente en otro punto del circuito . Las
controladas por corriente se caracterizan por el parmetro A ; denominado
ganancia de corriente de la fuente . En cambio las controladas por
tensin se caracterizan por el valor del parmetro g1, denominado
transconductancia .
v. -
V. gm vi
e-
Figura 1 .8: Fuentes dependientes de corriente y de tensin

1 .6 Leyes de Kirchhoff
Las leyes de Kirchhoff representan una herramienta

imprescindible para la resolucin de cualquier circuito, permitiendo
reducir estos a una serie de ecuaciones que relacionan las corrientes y los
voltajes existentes en determinadas ramas del circuito en cuestin .
1 .6.1 De las corrientes (lck)
La suma de todas las corrientes que concurren en un nudo (punto
al que concurren dos o ms componentes del circuito) es cero . Se suelen
tomar como positivas las corrientes que parten del nudo y negativas las
que llegan a l .
1 .6 .2 De las tensiones (ltk)
La suma de las cadas de tensin a lo largo de una malla o lazo
(cualquier camino cerrado dentro de un circuito) es nula en cualquier

instante. Se considera que en una resistencia hay una cada de tensin

positiva en el sentido de la corriente y en una batera en sentido del
terminal positivo al negativo independientemente del sentido de la
corriente .
Ejemplo 1 .3 : Demuestra que en un divisor de tensin como
el de la figura 1 .9 se cumple la ecuacin 1 .6 .
V RL
(1 .6)
vs RL + Rs
Figura 1 .9
Ejemplo 1 .4 : Demuestra que en un divisor de corrientes

como el mostrado en la figura 1 .10 se cumple la ecuacin
1 .7 .
I, R2
(1 .7)
I R, +R2
Figura 1 .10
Ejemplo 1 .5 : Halla las corrientes que circulan por las

resistencias R1 , R2 y R3 y la cada de tensin en la
resistencia R3 en el circuito de la figura 1 .11 .

R 1 =1KQ R2 = 9K
Vi = 6V = 2Kf? V2 = 14V
T
Figura 1 .11
1 .7 Combinacin de Resistencias en serie y en paralelo .
Cuando varias resistencias se encuentran agrupadas en la forma

de la figura 1 .12 se dice que estn conectadas en serie y se pueden
sustituir por una nica resistencia de valor la suma de las anteriores .
R1 R2 R3
R1 = R 1 + R 2 + R 3
Figura 1 .12 : Combinacin de resistencias en serie

Cuando varias resistencias se encuentran agrupadas en la forma de la
figura 1 .13 se dice que estn conectadas en paralelo y se pueden sustituir por
una nica resistencia cuyo valor viene dado por la ecuacin 1 .8 .
i
Rt = i 1 +1 + R v (1 .8)
1 R2
Rt
R,
Figura 1 .13 : Combinacin de resistencias en paralelo
1 .8 Teoremas sobre circuitos
Mediante el uso de las leyes de Kirchhoff es posible la resolucin

de cualquier circuito, pero a veces, el problema puede simplificarse
mediante el uso de algunos teoremas que analizaremos en esta seccin .
1 .8.1 Teorema
Supongamos una situacin en la que tengamos una fuente de
corriente controlada por voltaje entre dos nodos cuya diferencia de
tensin es igual al voltaje de control de la fuente . En este caso, podemos
sustituir dicha fuente de corriente por una impedancia de valor el inverso
de la transconductancia de la fuente .
1.8.2 Teorema de superposicin
La respuesta de una red lineal que contenga varias fuentes
independientes puede hallarse considerando separadamente cada
generador y sumando luego las respuestas individuales . Al calcular la
respuesta debida a una determinada fuente las dems deben sustituirse
por un cortocircuito si son fuentes de tensin y por circuitos abiertos si
son de corriente .
Ejemplo 1 .6 : Resolver el ejemplo 1 .3 haciendo uso del
teorema de superposicin .
1.8.3 Teorema de Thevenin

Cualquier red lineal puede sustituirse con respecto a un par de
terminales por un generador de tensin VTH en serie con una resistencia
RTH . El valor de la fuente de tensin es igual a la diferencia de potencial
existente entre los dos terminales cuando estos se encuentran en circuito
abierto . El valor de la resistencia coincide con la resistencia vista desde
esos dos terminales cuando se anulan todas las fuentes independientes
existentes en el circuito .
Ejemplo 1 .7 : Reducir el circuito del ejemplo 1 .3 a una sola
malla aplicando el teorema de Thevenin .
1.8.4 Teorema de Norton

Cualquier red lineal puede sustituirse, respecto a un par de
terminales, por un generador de corriente IN en paralelo con una
resistencia . El valor de la corriente IN es igual a la corriente que circulara
por dichos terminales si se cortocircuitasen . El valor de la resistencia
coincide con la resistencia vista desde esos dos terminales cuando se
anulan todas las fuentes independientes existentes en el circuito
De los dos teoremas anteriores puede deducirse que una fuente
de tensin VTH en serie con una resistencia R TH es equivalente a una
fuente de corriente IN en paralelo con una resistencia RN siempre que
se cumplan las ecuaciones 1 .9. Lo que ocurre es que, dependiendo de la

situacin en la que nos encontremos, una de las representaciones es ms

conveniente que la otra .
Debido a que una fuente de tensin ideal equivale a una real con
resistencia de salida nula y una fuente de corriente ideal equivale a una
real con resistencia de salida infinita, para aproximarnos al caso ideal, el
equivalente Thevenin suele utilizarse cuando la resistencia Thevenin es
baja y el equivalente Norton cuando es alta .
RTH = R N
~ (1 .9)
VTH =R N IN
1.8 .5 Teorema de Miller

Consideremos un circuito cualquiera con N nudos distintos N,,
N2, .. .. NN con tensiones VI , V2 , . . .,VN respectivamente, siendo VA--O (N
nudo de referencia o tierra) . Supongamos que los nodos 1 y 2 estn
conectados a travs de una impedancia Z y supongamos conocida la
relacin V2/VI (ganancia de tensin entre dichos nudos) que llamaremos
A . Se puede demostrar que la corriente I, suministrada por N, a travs de
Z puede hallarse desconectando N del circuito y conectndolo a tierra
por medio de una impedancia Z/(1-A) . Lo mismo puede hacerse con el
nodo Nz pero en este caso conectndolo a tierra mediante una impedancia
ZA/(A-1) .
Figura 1 .14 : Equivalencia para el calculo de las corrientes por los nodos 1 y 2 por el
teorema de Miller
1 .9 Elementos pasivos de un circuito
Los elementos pasivos de un circuito son la resistencia, la

bobina y el condensador y al margen de su funcionamiento fsico, lo
que en este punto nos interesa, es la relacin entre la diferencia de tensin
entre sus terminales y la corriente que circula por ellos .
Para una resistencia ya vimos anteriormente (ley de Ohm) que la
relacin V-I era una relacin lineal .

En una bobina se cumple que la diferencia de tensin entre sus

terminales es proporcional a la variacin de la intensidad de corriente que
circula por ellos con respecto al tiempo . Al coeficiente de
proporcionalidad se le denomina inductancia de la bobina, se denota con
la letra L y se mide en Henrios (H) .
Smbolo Relacin I-V Unidades
V = RI Ohmios (l)
V = L dtt Henrios (H)
T I = C dV dt Faradios (F)
Figura 1 .15 : Relacin I-V en cada uno de los elementos pasivos .

La corriente que circula por un condensador es proporcional a la
variacin de la diferencia de tensin entre sus terminales con respecto al
tiempo . Al coeficiente de proporcionalidad se le denomina capacidad del
condensador, se denota con la letra C y se mide en Faradios (F) .
Teniendo en cuenta la ley de Ohm, en una resistencia, el flujo de
corriente elctrica entre los instantes t, y t2 provoca una perdida de
energa en forma de calor que puede calcularse mediante la ecuacin
1 .10, en la que p(t) representa a la potencia instantnea . Esta energa
como puede observarse siempre es positiva lo que indica que es cedida
irreversiblemente por el circuito .
12 i,
W = f p(t)dt =f v(t)i(t)dt = R f v2(t)dt > 0 (1 .10)
De la misma forma, la energa almacenada en un condensador

entre los instantes t, y t2 viene dada por la ecuacin 1 .11 y puede ser
positiva o negativa dependiendo de si el voltaje en los bornes del
condensador aumenta o disminuye entre los instantes t, y t2 . Bajo
condiciones de corriente alterna, cuando la tensin vara a lo largo de un
ciclo el condensador roba energa del circuito pero esta energa no se
pierde sino que queda almacenada en el condensador en forma de campo
elctrico de tal forma que puede ser cedida al circuito en el otro
semiciclo .

t 2
W = p(t)dt
t2
d 2
(1 Cv z (t))dt= 1 C(v 2 -vl z ) (1 .11)
dt 2 2
En el caso real siempre hay perdida de energa ya que en un

condensador siempre aparecen componentes resistivas e incluso
inducciones parsitas . Cuando un condensador se desconecta de la fuente
puede quedar cargado con una carga q=CV, donde C es la capacidad del
condensador y V la diferencia de tensin entre sus placas y no se
descargar hasta que dicha descarga no se provoque .
En una bobina la energa viene dada por la ecuacin 1 .12 y, al
igual que ocurra con el condensador, tambin se acumula durante un
semiciclo y es devuelta al circuito en el otro . En este caso, la energa se
almacena en forma de campo magntico y cuando la bobina se
desconecta del circuito el campo magntico desaparece y por tanto, la
energa almacenada en el elemento .
d
W = f pdt = f (1 Li z )dt = 1 C(i 2 2 z
-i, ) (1 .12)
t dt 2 2
En el caso real en la bobina si que hay una perdida de energa

positiva debida a la resistencia del propio conductor . Adems, tambin se
presentan efectos capacitativos entre las espiras que forman la bobina .
1.9 .1 Combinacin de condensadores en serie y en paralelo .
Cuando varios condensadores se encuentran agrupados en la
forma de la figura 1 .16 se dice que estn conectados en serie y se pueden
sustituir por un nico condensador cuya capacidad viene dada por la
ecuacin 1 .13 .
I
Ct = / 1 +-C + v (1 .13)
~ 1 z
C, C2 C
-HHIH ~--
Ct
Figura 1 .16 : Combinacin de condensadores en serie

Cuando varios condensadores se encuentran agrupados en la

forma de la figura 1.17 se dice que estn conectadas en paralelo y se
pueden sustituir por una nico condensador de capacidad la suma de
todas las capacidades .
1 C,
C2
11
11 C3
Cf =C,+C2 +C3
Figura 1 .17 : Combinacin de condensadores en paralelo
1 .9 .2 Combinacin de bobinas en serie y en paralelo .

Cuando varias bobinas se encuentran agrupadas en la forma de la
figura 1 .18 se dice que estn conectados en serie y se pueden sustituir por
una nica bobina cuya inductancia es la suma de las inductancias de las
otras bobinas .
L2
Lr = L,+L2 +L3
Figura 1 .18 : Combinacin de bobinas en serie

Cuando varias bobinas se encuentran agrupadas en la forma de la
figura 1 .19 se dice que estn conectadas en paralelo y se pueden sustituir
por una nica bobina cuya inductancia viene dada por la ecuacin 1 .14 .
L,
Lt
Figura 1 .19 : Combinacin de bobinas en paralelo

i
Lt = /1 + 1 + ~ \ ( 1 .14)
1 L2 3
1.10 Estudio de un circuito RC
En esta seccin vamos a estudiar una simple red RC como la de

la figura 1 .20 . Para ello aplicaremos a la entrada del circuito un voltaje de
continua y uno de alterna y calcularemos la corriente i(t) que circula por
el mismo y la diferencia de tensin en los bornes del condensador v,(t)
para cada uno de los casos .
Figura 1 .20 : Circuito RC objeto de estudio .
1.10.1 Anlisis de continua

Supongamos que en circuito de la figura 1.20 aplicamos una
tensin continua de valor v,= V. Aplicando la ltk y la relacin I-V
caracterstica de un condensador se obtiene la ecuacin diferencial 1 .15
cuya solucin viene dada por la ecuacin 1.16. Puede observarse como la
ecuacin diferencial planteada tiene infinitas soluciones en funcin de la
constante A .
RC dv` + v, = V (1 .15)
dt
v,(t) = A + V (1 .16)
El valor de dicha constante se calcula mediante lo que se

denominan condiciones iniciales . Es decir, si suponemos que el
condensador inicialmente se encontraba descargado debe cumplirse que :
V' (0) = 0 (1 .17)
La consideracin de las condiciones iniciales nos lleva a la

ecuacin 1.18 para el voltaje entre las placas del condensador .
v,. (t) = V (1- e RC) (1 .18)

De la misma forma, atendiendo a la relacin existente entre la

corriente y la diferencia de potencial entre los bornes de un condensador,
derivando la ecuacin 1 .18 se obtiene la expresin 1 .19 para la corriente
que circula por el circuito .
i(t) = e- YC (1 .19)
R
Cuando aparecen soluciones en funcin del tiempo, como es el
caso que nos ocupa, comnmente hay que distinguir entre lo que se
denomina rgimen transitorio y rgimen estacionario de las seales . El
rgimen estacionario de una seal corresponde a la forma de la misma
cuando haya transcurrido un tiempo suficiente (t=o) para que se haya
estabilizado . El objetivo de esta asignatura es tratar exclusivamente el
rgimen estacionario de las seales .
0 5 10 15 20
t (segundos)
0 5 10 15 20
t(segundos)
Figura 1 .21 : Representacin grfica del voltaje en los extremos del condensador
v,(t) y de la corriente i(t) para valores V=5V, R=5Kl2 y C=lmF .
De las ecuaciones anteriores podemos deducir que cuando t
tiende a infinito, el voltaje v,(t) coincide con el voltaje de entrada V y la

corriente i(t) se anula, es decir, bajo condiciones de corriente continua,

supuesto establecido el rgimen estacionario, el condensador se comporta
como un circuito abierto . A la constante RC se le denomina constante de
tiempo del circuito, tiene unidades de tiempo cuando R est en ohmios y
C en faradios y su valor da una idea de la rapidez con que se cargar o
descargar el condensador . Concretamente, cuando t=RC el voltaje en los
extremos del condensador v,(t) y la corriente que circula por el circuito
i(t) son iguales a 0 .632V y 0.368V/R respectivamente . En la figura 1.21 se
encuentran representadas las seales v,(t) e i(t) en funcin del tiempo para
valores de V=5V, R=5KQ y C=lmF .
1.10 .2 Anlisis para seal alterna.
Supongamos que la tensin aplicada ahora al circuito es una
funcin senoidal dependiente del tiempo v(t)=vcoswt . En este caso la
resolucin del circuito requiere la resolucin de la ecuacin diferencial
1.20 que adopta como solucin la expresin 1.21 .
dv, (t)
RC + v(. (t) = vcoswt (1 .20)
dt
r
R
v, (t) = A +~ v sen(wt +9) 9 = arctg (1 .21)
111 + (RCw)2 RCw
De nuevo la solucin completa requiere la especificacin de las

condiciones iniciales 1.22 con las que se llega a la solucin nica dada
por la ecuacin 1 .23 .
V, (0) = 0 (1 .22)
t
vC (t) = v (sen(wt + 9) - sen (pe
V1 + ( RCw) 2
(1 .23)
1
(p = arctg
RCw
En este caso, la solucin para el rgimen estacionario (t->-) del
voltaje v, .(t) viene dada por la ecuacin 1.24. Utilizando dicha ecuacin y
la relacin I-V correspondiente a un condensador es sencillo obtener la
ecuacin 1.25 para la intensidad de corriente i(t) que circula por el
circuito .

v
v, (t) = sen(wt+(p) = cos(wt+ (p- 2) (1 .24)
VI1 + (RCw) 2
2
J1 + (RCw)
vCw
i(t)= cos(wt+(p) (1 .25)
V1 + (RCw) 2
Aunque el resultado obtenido haya sido para el caso particular de

un circuito RC, puede generalizarse diciendo que en una red lineal una
excitacin senoidal de tensin o corriente provoca una respuesta
(tensin entre nudos corriente entre mallas) tambin senoidal
suponiendo establecido el rgimen permanente . Este resultado no es
aplicable a otro tipo de excitaciones como triangulares, cuadradas, .. .
De las ecuaciones 1 .24 y 1 .25 podemos deducir como el voltaje
v J t) y la corriente i(t) estn desfasados un ngulo (p-,r/2 y rp
respectivamente con respecto al voltaje de entrada, pero lo relevante en
este caso, es que la cada de voltaje en el condensador v,(t) se retrasa con
respecto a la intensidad i(t) 90, siendo el voltaje mximo cuando la
intensidad es mnima y viceversa (en valores absolutos ya que el signo de
las corrientes y los voltajes lo nico que indica es el sentido y las
polaridades de los mismos) . Adems, los valores mximos (amplitudes o
valores pico) de v c(t) e i(t) estn relacionados mediante la ecuacin 1 .26.
v` - 1 = X c (1 .26)
a wC
A la cantidad Xc =1/wC, que tiene dimensiones de resistencia, se
le denomina reactancia capacitiva . El valor de la reactancia capacitiva
depende de la frecuencia y disminuye con sta . Un condensador se opone
ms al paso de la corriente de baja frecuencia por lo que se puede utilizar
como un filtro . Para corriente continua (w=0), Xc =o y el condensador se
comporta como un circuito abierto .
Por ltimo, de la ley de Ohm, podemos deducir que el voltaje a
travs de la resistencia vR(t) viene dado por la ecuacin 1 .27 y que en
cualquier instante de tiempo, por la ley de las tensiones de Kirchhoff se
tiene que cumplir la ecuacin 1 .28.
vRCw
V
R (t) = Ri(t) = cos(wt + (P) (1 .27)
V1 + (RCw) 2
v(t) = v R (t) + v c (t) (1 .28)

1.10.3 Una metodologa ms sencilla

El problema anterior puede resolverse de una forma ms sencilla
que no implica la resolucin de ecuaciones diferenciales . Este mtodo
solo puede aplicarse para el caso de excitaciones senoidales y solo genera
el rgimen estacionario de las seales .
Para ello, llamaremos impedancia entre dos puntos A y B de un
circuito a la razn entre la diferencia de tensiones entre los puntos A y B
y la intensidad de corriente que circula por el tramo A-B y
consideraremos que las seales senoidales v(t)=vcos(wt+(p) son nmeros
complejos de mdulo la amplitud de la seal v y argumento la fase de la
seal (p.
De las consideraciones anteriores podemos deducir el valor de la
impedancia entre los terminales de un condensador como el cociente
entre las seales vc (t) e i(t) cuando ambas se encuentran expresadas en
forma mdulo argumento como aparece en la ecuacin 1 .29 .
Aplicando el mismo mtodo que el utilizado en la seccin
anterior al caso de una red RL podramos haber deducido que una bobina
tiene una impedancia ZL= jXL. A XL se le denomina reactancia inductiva
y su valor viene dado por la ecuacin 1 .30. Las impedancias se asocian
en serie y en paralelo de igual forma que lo hacen las resistencias .
V
VI +(wRC) 2 (P _C
__ V C (t) __ 2 1 _
.X (1 .29)
Zc i(t) vCw wC _n wC =_1
2
VI + (wRC)2 j
X L = wL (1 .30)
Es evidente que cuando entre los nodos A y B lo que tenemos es

una resistencia, por la ley de Ohm, el valor de la impedancia entre dichos
puntos es un nmero real que coincide con el valor de la resistencia,
ZR=R .
Aplicando las consideraciones anteriores el voltaje de entrada, la
impedancia ofrecida por el condensador Zc y la impedancia vista desde
los terminales de entrada Z se pueden expresar en forma mdulo
argumento mediante las ecuaciones 1 .31 .

v(t) = v cos wt =_v j
Z=R+1 R2 + 1 2 (1 .31)
jwC (wC) arctg(-
wRC~
j - 1
ZC _ wC _ wC ) -~/2
Aplicando la definicin de impedancia podemos tambin obtener

que la corriente que circula por el circuito i(t) y el voltaje v,(t) vienen
dados por las ecuaciones 1 .32 y 1 .33 .
v(t) - vj vCw
i(t) cos(wt + 9) (1 .32)
z
Z R2 + 1 ~1 + (wRC)
2
( WC )
arctg(- 1
wRC
1 vCw
vC (t) = Z C i(t) _-
wC -2 VI +(wRC) 2
i
(1 .33)
V
cos(wt + Cp - )
V1+ (wRC) 2 2
En ambas expresiones el ngulo de fase viene dado por

cualquiera de las expresiones que aparecen en la ecuacin 1 .34 por
tratarse la funcin arctg de una funcin impar .
1 1
(p = arctg = -arctg - (1 .34)
wRC wRC
Ejemplo 1 .8 : Para el circuito de la figura 1 .20, con valores

de R=5KSZ, C=10nF, y un voltaje de entrada v(t) de 2V de
valor pico . Calcula la constante de tiempo ti y el mdulo y la
fase de las seales v,(t) e i(t) para frecuencias de 500Hz,
3Khz y 50Khz . Dibuja en una misma grfica las seales
anteriores junto con el voltaje de entrada para cada una de
las frecuencias en funcin del tiempo . Comenta los
resultados obtenidos .

3,E-03
-Voltaje de salida (V) - - Corriente (mA) - -Voltaje de entrada (V)
-Voltaje de salida (V) - - Corriente (mA) - Voltaje de entrada (V) .
/
/ x
1 \ / t
1r . -r C
l
/
0,E+00 5,E-06 1,E-05 2,E-05 2,E-05 3,E-05 3,E-05 4,E-05 4,E-05

Tiempo (s)
I,,-Voltaje de salida (V) - - Corriente (mA) - -Voltaje de entrada (V)
Figura 1 .22 : Representacin temporal del voltaje de entrada, del voltaje de salida y
de la corriente que circula por el circuito para cada una de las frecuencias del
ejemplo 1 .8. En la ltima de ellas el intervalo temporal escogido es del orden de la
constante de tiempo del circuito por lo que se puede observar que todava no se ha
establecido el rgimen estacionario.

1.11 Circuito RL
Con la misma metodologa utilizada en la seccin anterior, puede

demostrarse que la cada de voltaje a travs de la bobina vL(t) y la
corriente i(t) que circula por el circuito de la figura 1 .23 viene dadas por
las siguientes expresiones :
L (t) = vwL
V cos (wt - tP + ) (1 .35)
2
J R 2 + ( wL)
v
i(t) = cos(wt -(p) con (p = arctg( R ) (1 .36)
.R 2 +(wL) z
vcosw
Figura 1 .23 : Circuito RL .
De las ecuaciones 1.35 y 1 .36 se deduce que en una bobina la

tensin VL(t) se adelanta con respecto a la intensidad de corriente i(t) 900 y
que los valores mximos estn relacionados por la expresin 1 .37. La
cantidad wL, denominada anteriormente reactancia inductiva, depende de
la frecuencia y su valor aumenta con sta . En corriente continua (w=0),
XL =O y la bobina se comporta como un cortocircuito .
v-`' =wL=X L (1 .37)

t
1 .12 Respuesta en frecuencias
En la seccin anterior hemos visto como, en general, la

impedancia es un nmero complejo cuyo mdulo y argumento suelen
depender de la frecuencia de la seal . Por ello, cabe esperar que, en
general, las relaciones entre las tensiones y corrientes entre diferentes
partes del circuito tambin dependan de sta .
En esta seccin vamos a estudiar la relacin v,(t)/v(t) en el
circuito de la figura 1 .20 que podramos denominar ganancia de voltaje
(aunque en este caso el valor de esta ganancia es menor que la unidad ya

que se trata de una red pasiva) o funcin de transferencia de voltaje del

circuito . Es sencillo obtener que dicha ganancia viene dada por la
ecuacin 1 .38 y que su mdulo y argumento vienen dados en las
ecuaciones 1 .39 . A la frecuencia WR se le denomina frecuencia de corte,
su valor en rad/s es igual a la inversa de la constante de tiempo del
circuito y se cumple que para dicha frecuencia el mdulo de la ganancia
es igual a 0.707 y la fase -45 .
v' (t) Z C 1 1
A(jw) _ _ = con WR =- (1 .38)
v(t) ZR + Zc 1+ j RC
w
WR
En la figura 1 .24 se puede observar la representacin grfica en

funcin de la frecuencia del mdulo y la fase de la funcin de
transferencia del circuito (ecuaciones 1 .39) . De dicha grfica podemos
deducir que el circuito se comporta como un filtro paso baja ya que deja
pasar relativamente las bajas frecuencias (mdulo de la ganancia prximo
a uno) y atena las altas (mdulo de la ganancia prximo a cero) .
1 w
IA(jw) ~P = -arctg (1 .39)
~2
w WR
+
WR
La representacin grfica anterior no suele utilizarse por dos

razones :
a) En circuitos de comunicaciones la frecuencia puede extenderse
desde unos ciclos hasta varios megaciclos por lo que suele se ms
aconsejable utilizar una escala logartmica para la frecuencias .
Llamaremos dcada a un intervalo correspondiente al aumento de la
frecuencia en un factor 10 y octava al aumento de la frecuencia en un
factor dos .
b) En algunos amplificadores el mdulo de la ganancia puede ser
del orden de 10 6 y disminuir mucho a altas o bajas frecuencias . Esto
aconseja el uso de unas unidades tambin logartmicas llamadas
decibelios (dB) . Aunque estrictamente hablando, como veremos ms
adelante, el dB es una medida de ganancia de potencia no de ganancia de
voltaje .
Se define la ganancia en decibeles como :
G(dB) = 20log A(jw) (1 .40)

w (rad/s)
0 2000 4000 6000 8000 10000
Figura 1 .24 : Representacin grfica del mdulo y la fase de la funcin de

transferencia de la ecuacin 1 .38 para una frecuencia wR=1000rad/s .
Podemos hacer ahora una representacin grfica semejante a

la de la figura 1 .24 pero utilizando ahora en el eje de abscisas el
logaritmo de la frecuencia y para el eje de ordenadas la ganancia en
dB y la fase en grados . A los diagramas obtenidos, figura 1 .25, se les
denominan diagramas de Bode para el mdulo y la fase de la
funcin de transferencia . El aspecto ms importante a tener en cuenta
es que a la frecuencia WR el mdulo de la ganancia es igual a -3dB y
la fase -45 .
Una ventaja del uso de este tipo de diagramas es que se pueden
representar asintticamente de forma muy aproximada, tomando para el
mdulo de la ganancia un valor cero para frecuencias iguales o inferiores
a la frecuencia de corte y una cada de 20dB/dec a partir de dicha
frecuencia. Para la fase en cambio se toma un valor de -45 para la
frecuencia de corte y una pendiente en dicho punto de -45/dec . Esta
curva de fase se prolonga hasta que dicha grfica alcance los valores 0 o
90, a partir de los cuales, se considerar constante e igual a dichos
valores .

pg (rad/s
1w
1,E+00 1,E+01 1,E+02 ,E+03 1,E+04 1,E+05 1,E+06
0
_ -20 --
j
-40 -
a
Iog w(rad/s)
1,E+00 1, E+01 1,E+02 1, E+03 1,E+04 1,E+05 1,E+06
0 1
,945 -
I I ~ I
I -90
I --I
Figura 1 .25 : Diagramas de Bode para el mdulo y la fase de la funcin de

transferencia de le ecuacin 1 .38 para una frecuencia de corte w R=1000rad/s.
La representacin asinttica del trmino anterior y de otros
trminos semejantes se muestra en la figura 1 .26 . Estas representaciones
sern tiles a la hora de calcular los diagramas de Bode de funciones de
transferencia mucho ms complejas que se puedan expresar como
producto de estos trminos ms sencillos . Debido, a que en primer lugar,
los productos de los mdulos de dichos trminos se convertirn en sumas
al utilizar escala logartmica y en segundo lugar, a que la fase de un
producto de funciones de transferencia es igual a la suma de las fases de
cada trmino individual, para obtener la representacin de un trmino
complejo se representan individualmente cada uno de los trminos
sencillos y posteriormente se suman dichas representaciones .
1+0.ljw
A(jw) = (1 .41)
(0.02 jw + 1)0.2 jw
Ejemplo 1 .9 : Para el circuito del ejemplo 1 .8 calcula a
frecuencia de corte y dibuja los diagramas de Bode para el
mdulo y la fase de la funcin de transferencia .

Ejemplo 1 .10 : Dibuja los diagramas de Bode para el mdulo

y la fase de la funcin de transferencia 1 .41 . Reescribe la
funcin de transferencia en funcin de la frecuencia
compleja s y calcula sus ceros y polos .
0 .01wR O.Iw, w l0w 100WR - 0.01w, O .1w, WR 10w, 100%

0dB 0
-20dB -45
-40dB -90
0.01w lw w 10w 100%, 0.01w, 0.1w, w 10w, 100%
20dB 0
0dB -45
-20dB _90
0.01% O .Iw, wR 10R IOOWR 0.01% O.Iw, wR 10w, 100w,

20dB 90
0dB 45
-20dB - 0
0 .01% O.Iw, wR 1 0% 100% 0.01w, 0 .1w, w, 10w 100w,

40dB 90
20dB 45
1+% /W
0dB ido 0
Figura 1 .26 : Diagramas de Bode para los trminos sencillos mostrados en la parte
derecha de la figura.
La representacin ms habitual de la funcin de transferencia de
un sistema cualquiera se obtiene utilizando la denominada frecuencia
compleja s jw en lugar de la frecuencia fsica w . Esta representacin
resulta muy til en el estudio de la estabilidad de los sistemas, en el
diseo de filtros y para el clculo de la respuesta de un sistema
determinado ante una seal de entrada cualquiera . Estas funciones de
transferencia, generalmente son un cociente de dos polinomios con
coeficientes reales como muestra la expresin 1 .42 y se denominan polos
de la funcin de transferencia a las races de su denominador y ceros a las
races del numerador . Estos ceros y polos pueden ser nmeros reales o
complejos, pero debido a que los coeficientes de los polinomios del
numerador y denominador son nmeros reales, si son complejos,
aparecen por pares de complejos conjugados .

-30
Figura 1 .27 : Diagramas de Bode correspondientes al ejemplo 1 .9 obtenidos con el

programa de simulacin de circuitos de libre distribucin Winspice3 .
m 5 m +bm_ I S m-1 + ...+bis+bo

A(s) = b -1
(1 .42)
sn +an-1 sn + . . .+als+ao
De esta forma la funcin de transferencia 1 .42 se puede

descomponer en factores en funcin de sus ceros y polos z i y pi
respectivamente.
A(s) = b ) . . .(S - zm)

(S-z1)(S-Z2
m (1 .43)
(s - P1)(S - P2) . . . (s - P n )
1 .13 Resistencia de entrada
Cuando se aplica un voltaje v, a la terminal de entrada de

cualquier red real, fluir una corriente i i por la misma . Se denomina
impedancia de entrada de la red al cociente entre dichas cantidades .

Vi
Z~ = (1 .44)
li
De esta forma, en multitud de ocasiones podemos modelar el

circuito de entrada de cualquier red real por dicha impedancia de entrada,
la cual, en algunas ocasiones, ser una simple resistencia .
El proceso de medicin de la resistencia de entrada puede ser

terico o experimental . Si se conoce el circuito el calculo de la
impedancia de entrada puede hacerse tericamente suponiendo que
aplicamos en los nodos de entrada una fuente de tensin v calculando la
corriente ii que circula por dicha fuente de tensin y dividiendo las dos
cantidades . En el caso de que no se conozca el circuito, se realiza el
montaje de la figura 1 .28 el cual consiste en conectar una fuente de
tensin v a la red cuya impedancia de entrada queremos medir a travs de
un potencimetro R . De esta forma el potencimetro y la resistencia de
entrada forman un divisor de tensin . Si ajustamos la resistencia variable
para que se cumpla la relacin v .=v,/2, la resistencia de entrada del
circuito ser igual a la medida en el potencimetro . Una ventaja de esta
forma de medida es que es independiente de la resistencia de salida Rs del
generador .
Figura 1 .28 : Montaje para la medicin de la resistencia de entrada .
1 .14 Resistencia de salida
Se define la impedancia de salida de un dispositivo como el

cociente entre el voltaje que aparecera en los terminales de salida en
circuito abierto y la corriente que se obtendra con los terminales de
salida en cortocircuito . Esta impedancia de salida se puede medir
tericamente si se conoce el circuito o experimentalmente si no se
conoce .
De la definicin anterior se puede deducir que la resistencia de

salida coincide con la resistencia Thevenin vista desde los terminales de
salida . Para su clculo podemos suponer que aplicamos en los terminales
de salida una fuente de tensin v o y se calcula la corriente que circula por

la misma io cuando se anulan todas las dems fuentes independientes

existentes en el circuito . La impedancia de salida se define como el
cociente entre dichas cantidades .
V',
Zo = (1 .45)
io
Figura 1 .29 : Montaje para la medicin de la resistencia de salida .
Experimentalmente, como no es conveniente cortocircuitar los

terminales de salida para calcular la corriente en cortocircuito, la
medicin de la resistencia de salida se hace de la siguiente forma .
Supongamos que la etapa de salida se modela con un equivalente
Thevenin, una fuente de tensin v o con una resistencia Ro. Si medimos la
tensin de salida en circuito abierto, como se supone que el voltmetro es
ideal y no absorbe corriente, el voltaje medido coincidir con v o. Acto
seguido, conectamos una resistencia de carga en los terminales de salida,
como podemos observar en la figura 1 .29, que provocar un paso de
corriente por el circuito que har que el voltaje de salida vmed no coincida
con el voltaje vo medido anteriormente . Como Ro y RL forman un divisor
de tensin, utilizando la ecuacin 1 .6, la resistencia de salida Ro se puede
calcular mediante la ecuacin 1 .46 .
VI
Ro = RL ( -1) (1 .46)
Vmed
Estas dos ltimas definiciones tanto de resistencia de entrada
como de salida son extremadamente importantes para el desarrollo
de esta asignatura puesto que comnmente cualquier dispositivo se
suele reducir a lo que comnmente se le denomina modelo de
pequea seal, que, a grandes rasgos, consiste en modelar el
dispositivo con un circuito de entrada y otro de salida . El circuito de
entrada se modela con la resistencia de entrada del dispositivo y el
de salida con el equivalente Thevenin visto desde sus terminales de
salida (una fuente de tensin en serie con una resistencia llamada
resistencia de salida) .

1.15 Consideraciones de potencia
En la seccin 1 .1 vimos como una seal alterna era ms difcil de

medir que una continua puesto que en una seal alterna una medicin de
voltaje o corriente en un instante determinado no proporciona ninguna
informacin sobre la seal . Para ello vamos a definir algn tipo de
medida que proporcione informacin de la mencionada seal alterna .
Una posible medicin sera la amplitud de la onda o su valor
mximo, pero dicha medida no da informacin sobre la capacidad de la
onda de suministrar energa o suministrar carga .
Otra posible definicin, relacionada con la capacidad de la seal
para suministrar carga, sera el valor medio de la seal en el tiempo dado
por la ecuacin 1 .47. Fsicamente, este valor medio, se definira como el
valor que tendra que tener una corriente continua medio para que
suministrase una cantidad de carga igual a la suministrada por la corriente
alterna citada en un periodo T (ecuacin 1 .48) .
T
medio f i(t)dt (1 .47)

T 0
T T
Q = 'medioT = f i(t)dt => medio = f i(t)dt (1 .48)

T
0 0
Este valor tampoco es conveniente puesto que para cierto tipo de

ondas es cero lo que no ayudara a distinguir unas seales de otras .
Otra posible caracterizacin de la onda est relacionada con su
capacidad de suministro de energa, se llama el valor eficaz y viene dada
por la ecuacin 1 .49 . Matemticamente se definira como la raz cuadrada
del valor medio del cuadrado de la seal (de esta forma evitaramos que
el resultado fuese cero como ocurra en el caso del valor medio de la
seal) . Fsicamente, sera el valor que tendra que tener una corriente
continua i eff o para que entregase la misma energa en un periodo a la
carga que la onda alterna considerada .
W = Z RT = R f i 2 (t)dt i rms = f i 2 (t)dt (1 .49)

0 v
Puede demostrarse que para una onda senoidal i(t)=isenwt el

valor eficaz est relacionado con su valor pico por la siguiente expresin

l rms = ( 1 .50)
Sea una impedancia de valor Z por la que circula una corriente

i(t)=icos(wt+(p) que provoca una diferencia de tensin entre sus
terminales v(t)=vcoswt se define la potencia suministrada a la carga como
el valor medio de la potencia instantnea p(t) =v(t)i(t) y viene dada por
la ecuacin 1 .51
T
P = f v(t)i(t)dt = cos(, = vrmslrms cosgp (1 .51)

0
2
Si la carga es una resistencia, el desfase entre la corriente que

circula por ella y la tensin entre sus terminales es cero por lo que la
potencia disipada en la carga viene expresada en la ecuacin 1 .52 .
z
V rms
P = vrmslrms Rl 2 rms (1 .52)
R
En cambio si la carga es un condensador o una bobina ideales la

potencia disipada en la carga es cero ya que el desfase entre la intensidad
y la diferencia de tensin vale 90. En este caso no hay consumo de
potencia solo hay paso de potencia por la carga. A esta potencia que pasa
por un circuito de corriente alterna pero que no se disipa en la carga se le
llama potencia reactiva Q, se mide en VARS (voltios amperios
reactivos) y viene dada por la expresin 1 .53 . A la potencia P definida en
la ecuacin 1 .51 se le denomina potencia activa y es la potencia que
realmente se disipa en la carga .
Q = vrmslrms sen (p (1 .53)
Como en realidad ninguna carga es un condensador o bobina

puros siempre hay perdida de energa en la carga . Es decir,
comnmente, en la carga hay una componente activa de la potencia y
una componente reactiva y a partir de stos, se definen la potencia
aparente S y el factor de potencia pf mediante las ecuaciones 1 .54 y
1 .55 respectivamente .
S = 1jP 2 + Q2 = vrmslrms (VA) (1 .54)
Pf = cos (p = P (1 .55)
S

1.16 Parmetros para redes lineales de dos puertas
Supongamos que nos proponemos caracterizar la respuesta de

una red lineal de dos puertas como la de la figura 1.30 . Para ello, entre
los voltajes y corrientes de entrada y salida, escogemos dos como
variables independientes y dos como variables dependientes .
Supongamos tambin que . elegimos V1 y V2 como variables
independientes e II e 12 como variables independientes . Lo que nos
proponemos es deducir dos ecuaciones que nos ayuden a calcular el valor
de las variables dependientes V 1 y V2 cuando excitemos la red con fuentes
de corriente II e 12 a la entrada y a la salida .
Red lineal de +V2

V, dos puertas
Figura 1 .30
Dado el carcter lineal de la red que estamos considerando, las

ecuaciones buscadas se pueden observar en las expresiones 1.56, en las
que los coeficientes z tienen dimensiones de resistencias y se pueden
calcular, de forma terica si se conoce la circuitera interna de la red, o de
forma experimental en caso contrario, a partir de las ecuaciones 1.57.
V1 = Z 11 I1 + z 12 I2
(1 .56)
V2 = z21I1 + z22 1 2
_ V1
z12
12 =o 1 2 /, =o
(1 .57)
V2 _ V2
z 21 = Z12 I
h 12=o
z 1, =o
Las ecuaciones 1 .56 se pueden implementar con el circuito
denominado modelo con parmetros z de la red lineal de dos puertas
que se puede observar en la figura 1.31 . Una eleccin distinta de las
variables dependientes e independientes, nos lleva a otros modelos cuyos
parmetros se denotan y,h y g y que se pueden observar tambin en la
figura 1.31 .
V z11I1 +z12I2
V2 = Z21 ,1 + Z22 I2
V2 V1 = h11 I 1 + h12 V2
1
I2 = "21 I 1 + h22 V2
11 = 911 VI + 912 I2
V2 = 921 V + g22 I2
II = y11V +y12V2
Y12V2
I2 = Y21 VI +Y22V2
Figura 1 .31 : Parmetros para redes lineales de dos puertas

PROBLEMAS DE ELECTRNICA ANALGICA
RESUMEN DE TEORA DE CIRCUITOS

Ejercicio 1 .1 :
a) Calcula la intensidad de corriente i(t) que circula por el circuito
de la figura .
b) Calcula las cadas de tensin Vab, Vbc y Vid.
c) Representa en un diagrama vectorial la tensin de entrada, la

intensidad de corriente que circula por el circuito y cada una de las
tensiones calculadas en el apartado b .
(t) 20V / 50Hz
Ejercicio 1.2 :
Halla el valor de la frecuencia para la cual el mdulo de la
impedancia del circuito del ejercicio 1 .1 es mnimo y resuelve dicho
ejercicio para la frecuencia calculada .
Ejercicio 1 .3 :
Calcula las intensidades de corriente a travs de las resistencias
en el circuito de la figura.
R, = 20KS2 R2 = IKS2
E2 =5V
100KHz
Ejercicio 1 .4:
Calcula la intensidad de corriente que atraviesa la resistencia R I
del circuito del ejercicio 1 .3 aplicando el teorema de Thevenin .
Ejercicio 1 .5 :
Se dispone de un generador de tensin alterna v s=5V y resistencia
de salida Rs=100KS2 . A dicho generador se conecta una carga de
resistencia R L=1KS2 .
a) Calcula la tensin v o aplicada a la carga . Por qu no podemos
despreciar el denominado efecto de carga?
b) Calcula la corriente de salida i o que circular por la carga .
c) Encuentra el equivalente Norton del generador de tensin . En
este caso, No sera ms conveniente tratarlo como un generador de
corriente en vez de como un generador de tensin?
Ejercicio 1.6:
Calcula la potencia en cada uno de los componentes pasivos del
circuito del ejercicio 1 .1 .
Ejercicio 1.7:
Simplifica el circuito de la figura encontrando los equivalentes
Thevenin de las zonas enmarcadas .
Ejercicio 1 .8 :
Encuentra el voltaje de salida y la resistencia de salida del
circuito de la figura considerando una sucesin de equivalentes Thevenin .
IKQ 1KQ
a=
1KS2
Ejercicio 1 .9:
Dibuja los diagramas de Bode correspondientes a la magnitud y a
la fase de la siguiente funcin de transferencia :
1+0 .1 jw
A=
(0 .02 jw+1)(0 .2 jw)
Ejercicio 1 .10:
Dibuja los diagramas de Bode correspondientes a la magnitud y a
la fase de la siguiente funcin de transferencia :
0 .2jw
A=100 5
(1+0 .2 jw)(1+10_ jw)
Ejercicio 1.11 :
Encuentra la funcin de transferencia de voltaje v,1v ; del circuito
de la figura . Demuestra que la funcin de transferencia se puede hacer
independiente de la frecuencia si se cumple que C,R,=C2R2 . Cuando se
cumple dicha condicin al circuito se le denomina atenuador
compensado. Encuentra la transmisin del atenuador compensado en
funcin de R, y R2.
Ejercicio 1 .12 :
a) El circuito que se muestra a continuacin es un filtro paso-
banda. Encuentra una expresin para el mdulo y la fase de la funcin de
transferencia de voltaje de dicho circuito .
b) Demuestra que el mdulo de la funcin de transferencia
alcanza un mximo para una frecuencia w=1/RC .
c) Calcula el valor de dicho mximo .

Ejercicio 1 .13:
Utiliza el teorema de Miller para sustituir la capacidad Cp2 por
dos capacidades conectadas al nodo de tierra . Toma como ganancia de
voltaje entre los nodos a los que est conectada dicha capacidad la que
habra en ausencia de capacidades parsitas .
pl Rp vo
Ejercicio 1.14:
El circuito de la figura muestra el circuito equivalente de pequea
seal de un transistor. Se pretende encontrar la resistencia de entrada
vista desde el terminal de emisor, es decir, entre el emisor y tierra, con la
base y el colector conectados a tierra .
Ejercicio 1 .15:
Suponiendo que la representacin en funcin de la frecuencia del
mdulo de la funcin de transferencia de voltaje de un determinado
circuito viniese dado por la figura que se muestra a continuacin (filtro
paso-baja ideal) . Calcula la respuesta de dicho circuito ante una seal de

voltaje cuadrada de amplitud 2V y frecuencia 20krad/s . La frecuencia de
corte para dicho filtro wo es de 5khz.
Ejercicio 1 .16:
Encuentra el equivalente g del divisor de voltaje que se muestra a
continuacin .
Vi
Ejercicio 1.17:
Encuentra un equivalente del circuito de la figura que se
comporte como una fuente de corriente controlada por tensin . Desprecia
el parmetro responsable de que la informacin circule desde la salida del
circuito hasta la entrada del mismo .
2 Amplificacin
2.1 Introduccin
La amplificacin constituye un tipo de procesamiento de seales

que est presente, de alguna forma, en casi todos los circuitos
electrnicos . En adelante, comprenderemos el porqu de la importancia
de esta funcin .
La mayora de los dispositivos electrnicos toman una entrada
elctrica a partir de un sensor o transductor y la envan a un actuador .
Podemos definir un sensor como cualquier material que tiene una
propiedad fsica que varia en respuesta a una excitacin externa . A
nosotros nos interesan los sensores electrnicos, es decir, aquellos que
producen seales elctricas como respuesta a la excitacin externa . Ya
estudiamos en el tema anterior el funcionamiento de un tipo muy
conocido de sensor elctrico, el micrfono dinmico .
Un actuador realiza la funcin contraria a los sensores, ya que
producen una variacin en una magnitud fsica en respuesta a la seal
elctrica que reciben . Un ejemplo claro de este tipo de instrumentos lo
constituye el altavoz .
En general, los sensores producen seales elctricas que no tienen
energa suficiente para hacer funcionar convenientemente a los
actuadores, por lo que tendremos que interponer entre el sensor y el
actuador un dispositivo que convierta la seal elctrica ofrecida por el
42 Amplificacin
sensor en otra de energa suficiente para atacar al actuador . A este tipo de

dispositivos se les denomina amplificadores . Como podemos observar
en la figura 2.1, habitualmente, los amplificadores suelen constar de
varias etapas, las primeras estn orientadas a amplificar el valor pico del
voltaje de entrada y se suelen denominar preamplificadores Las ltimas,
en cambio, estn orientadas a la amplificacin de la potencia o energa de
las seales recibidas de las etapas previas y se suelen denominar
amplificadores de potencia .
Preamplificador. Etapas Amplificador

intermedias de potencia
Sensor Actuador
Amplificador
Figura 2 .1 : Esquema general de un amplificador
2.2 Tipos de amplificadores
Aunque a lo largo de todo el libro cuando hagamos referencia a

los amplificadores, entenderemos estos como amplificadores activos, una
primera clasificacin desde el punto de vista conceptual nos llevara a
distinguir entre amplificadores activos y pasivos .
Como ejemplo de amplificadores pasivos podemos considerar
un transformador elevador, el cual toma una seal de voltaje alterno
aplicada al devanado de entrada y genera una seal de voltaje mayor en la
salida, siempre y cuando, el nmero de arrollamientos del secundario N2
sea mayor que el del primario N1 . Este dispositivo, aunque aumente el
voltaje de la seal de entrada, disminuye la capacidad de suministrar
corriente a la carga, por lo que la energa suministrada a una carga
conectada a la salida del transformador siempre es menor que la energa
absorbida a la entrada. En el caso de que el transformador estuviese
hecho con bobinas ideales estas energas seran iguales, como puede
observarse en la ecuacin 2 .1, pero en el caso real hay que tener en
cuenta, sobre todo, los efectos resistivos de dichas bobinas y las perdidas
de potencia en el ncleo del transformador .

Amplificacin 43
Figura 2 .2 : Transformador
V2 N
V1 N
= V2 I 2 = VIII = P1 (2.1)
12 N
I1 N
Aunque no son interesantes desde el punto de vista de la

amplificacin, estos componentes se pueden utilizar como adaptadores
de impedancias, ya que es sencillo deducir de las ecuaciones 2 .1 que la
impedancia R'L vista desde los nodos del primario del transformador
viene dada por la ecuacin 2 .2 .
\2
V N1
RL = = RL (2.2)
Ii \ N2 J
Los amplificadores activos toman una seal de entrada y la ofrecen

a la carga con mayor energa, pero, por el principio de la conservacin de
energa, este aumento en la energa de la seal de entrada, debe ser sustrado
de alguna parte del circuito . Ya veremos en adelante como para que estos
amplificadores funcionen deben estar conectados a una fuente de
alimentacin externa que es la que proporciona de alguna manera el plus de
energa de la seal de salida. Este tipo de amplificadores es el que nos
interesa y constituye el objeto de estudio de prcticamente toda la asignatura .
En la figura 2.3 se puede observar el esquema de un amplificador con sus
terminales de polarizacin, entrada y salida .
Fuente de alimentacin
Entrada Salida
11
Fuente de alimentacin
Figura 2 .3 : Esquema de un amplificador
44 Amplificacin
Veremos en adelante que la ganancia de los amplificadores

depender en gran medida de la frecuencia de la seal de entrada .
Dependiendo de esta respuesta en frecuencias distinguiremos varios tipos
de amplificadores . Cuando un amplificador es capaz de amplificar
seales continuas hablaremos de amplificadores acoplados en continua,
directamente acoplados o amplificadores de cc (d) o incluso tambin
amplificadores paso baja ya que su respuesta en frecuencias recuerda a
la de un filtro paso-baja, en cambio cuando un amplificador es capaz
nicamente de amplificar seales de alterna hablaremos de
amplificadores acoplados en alterna, capacitivamente acoplados o
amplificadores de ca (ac) . Otro tipo de amplificadores son los
amplificadores sintonizados o amplificadores paso-banda, cuya
respuesta en frecuencias se caracteriza por presentar un pico a una
frecuencia denominada frecuencia central para luego caer rpidamente a
ambos lados de dicha frecuencia . Estos amplificadores son de vital
importancia en los circuitos sintonizadores de los receptores de radio y
TV, permitiendo la amplificacin de una de las seales recibidas, aquella
cuya frecuencia coincida con la frecuencia central del amplificador y
atenuando todas las dems .
Otro tipo de clasificacin de amplificadores surge atendiendo a
las seales de inters a la entrada y a la salida del amplificador . Desde el
punto de vista elctrico cualquier transductor puede ser modelado bien
por su equivalente Thevenin o por su equivalente Norton . Vimos en el
captulo anterior que cuando la resistencia de salida de stos es alta es
ms conveniente utilizar el equivalente Norton y considerar el transductor
como una fuente de corriente . Lo mismo ocurre con los amplificadores,
en los que, dependiendo de la resistencia de salida del amplificador en
cuestin podr considerar que la seal que entrega a la carga es un voltaje
o una corriente . Atendiendo a esto podr distinguir entre amplificadores
de voltaje (toman voltaje y entregan voltaje a la carga) de corriente
(toman una corriente y entregan una corriente a la carga) de
transimpedancia (toman corriente y entregan voltaje) y de
transconducatancia (toman voltaje y entregan corriente) .
Para trabajar con estos amplificadores se suele utilizar lo que en
captulos posteriores denominaremos modelo de pequea seal del
amplificador . Este modelo consiste en distinguir dentro del amplificador
una etapa de entrada y una de salida . La etapa de entrada se modela con
una resistencia de valor la resistencia de entrada vista entre los nodos de
entrada del amplificador y la de salida se modela con el equivalente
Thevenin o Norton (dependiendo de la seal que entregue el
amplificador) visto en los nodos de salida . En este equivalente, el
Amplificacin 45
generador es un generador dependiente de voltaje (Th) o de corriente (N)

controlado por la seal de entrada al amplificador . A la resistencia
Thevenin se le denomina resistencia de salida del amplificador .
Caractersticas . _ o
Av = v
ideales Ro = 0
v~ Caractersticas R; = 0
ideales R0 = 0
+ z
Caractersticas R; = w
Ro v
<E gm =
ideales R, =
+ Caractersticas R; = 0
% i, ideales R o = cc
Figura 2 .4 : Modelos de pequea seal de los 4 tipos de amplificadores junto con la

definicin de sus respectivas ganancias y resistencias de entrada y salida ideales .
En lafigura 2.4 se pueden observar los modelos de pequea seal de
los cuatro tipos de amplificadores considerados anteriormente junto la
definicin de sus respectivas ganancias y los valores ideales de sus
resistencias de entrada y salida . A estas ganancias de los amplificadores se
les denomina ganancia en circuito abierto . El hecho de que las resistencias
de entrada y de salida de los amplificadores no sean ideales traer como
consecuencia que su ganancia disminuya cuando le conectemos el generador
de seal con su correspondiente resistencia de salida a la entrada y la carga a
la salida. A este efecto se le denomina efecto de carga y al nuevo valor de la
ganancia se le denomina ganancia en circuito cerrado del amplificador.
Ejemplo 2 .1 : Un amplificador de voltaje con ganancia
A,,=100, resistencia de entrada Ri =1KS2 y resistencia de
salida R
.=1052 se conecta a una fuente senoidal de voltaje de
valor eficaz v5(rnl5)=2mV y resistencia de salida R 5 =10052 y a
una resistencia de carga de 5052 . Calcula el valor de la
ganancia del amplificador en circuito cerrado y el valor
eficaz del voltaje de salida

46 Amplificacin
En realidad, cualquier amplificador dado puede modelarse con

cualquiera de los cuatro modelos definidos anteriormente, solo que,
generalmente, dependiendo de los valores de su resistencia de entrada y
salida, uno de ellos suele ser el ms conveniente para trabajar con el
citado amplificador.
Los amplificadores vistos anteriormente tienen como funcin
primordial amplificar el voltaje o la corriente de la seal de entrada pero
tambin suelen aumentar su potencia . A pesar de ello, hay que considerar
otro tipo de etapas amplificadoras, las de potencia, cuya funcin
primordial es la de proporcionar grandes cantidades de potencia a la
carga . Estas etapas suelen constituir las etapas de salida de los
amplificadores .
2.3 Potencia de salida, ganancia de potencia y eficiencia de

potencia .
Se define la potencia de salida de un amplificador como la

cantidad de potencia suministrada a la carga y la ganancia de potencia
de un amplificador como el cociente entre la potencia de salida Po y la
potencia absorbida del generador de seal Pi . Esta ganancia de potencia
se mide en dB y su valor se calcula como :
G. de potencia(dB) =101og =10log 2

P,i vi
P =101og A
R~
(2 .3)
L
R.
Ya dijimos con anterioridad, que por el principio de la

conservacin de la energa, la ganancia de potencia se produce como
consecuencia de que el amplificador absorbe energa de una fuente de
alimentacin de continua . En definitiva, el amplificador absorbe energa
tanto del generador de seal P ; como de la fuente de alimentacin P,,
pero no toda esta energa es transferida a la carga ya que parte de ella, Pd
se disipa en la circuitera interna del amplificador . De esta forma, el
balance de energa viene determinado por la siguiente expresin :
P + PS . PS = Pd + Po (2 .4)
Para cuantificar este efecto, se define la eficiencia de potencia 77

como el cociente entre la potencia entregada a la carga y la absorbida de
la fuente de alimentacin . Atendiendo a este factor podra hacerse otra
clasificacin de los amplificadores : Clase A que tienen un lmite terico

Amplificacin 47
para la eficiencia de potencia del 25%, clase B en los que se cumple que
i7<78 .5%, clase AB y clase C (ver seccin 6 .13) .
17 = P 100 % (2 .5)
s
Ejemplo 2.2 : Calcula - la ganancia de potencia del

amplificador del ejemplo 1 .1 . Suponiendo que el
amplificadorest polarizado por una fuente de alimentacin
continua de 5V y que absorbe una corriente media de 0 .5mA
cuando est amplificando, encuentra la eficiencia de
potencia y la potencia disipada en el amplificador .
La eficiencia de potencia constituye un aspecto de especial
inters sobre todo en aquellos dispositivos que funcionen a partir de
bateras .
2.3 .1 Teorema de la mxima transferencia de potencia
Supongamos que disponemos de una etapa amplificadora de
voltaje con una resistencia de salida R dada y queremos encontrar el
valor de la carga RL que habra que conectar a la salida del amplificador
para conseguir transferirle la mxima cantidad de potencia manteniendo
constante el voltaje de entrada al amplificador v i .
El problema se reduce a una bsqueda sencilla del mximo de
una funcin, que se resuelve encontrando una expresin de la potencia de
salida en funcin de la resistencia de carga RL e igualando a cero la
primera derivada de dicha expresin con respecto al valor de la
resistencia de carga, como podemos observar en las expresiones 2.6.
v2P= = Avzv? RL
RL (R + RL)2
(2 .6)
dP
= 0 = RL = R
dRL
Podemos concluir diciendo que dada la etapa de salida de un

circuito la mxima potencia se transmite a la carga cuando la resistencia
de sta es igual a la resistencia de salida del citado circuito . En el caso de
que la carga sea compleja, se puede demostrar que la mxima
transferencia de potencia se alcanza cuando la impedancia de salida sea el
complejo conjugado de la impedancia de carga Z L=Z *. A este resultado
se le conoce como el teorema de la mxima transferencia de potencia

48 Amplificacin
y al proceso de seleccin de la carga para conseguir la mxima

transferencia de potencia se le denomina adaptacin de impedancias .
Para realizar esta adaptacin de impedancia, a veces, suele utilizarse un
transformador en virtud de la ecuacin 2 .2 .
Ejemplo 2 .3 : Rellena la tabla que se muestra a continuacin
tomando el circuito del ejemplo 2 .1 con los distintos valores
de resistencia de carga que se muestran .
252 552 1052 2052 5052
Av
Ap
Hay que tener en cuenta, que cuando se transfiera la mxima
potencia a la carga ocurre que :
a) La ganancia de voltaje del amplificador est muy por debajo de
su ganancia en circuito abierto ya que hay que tener en cuenta los efectos
de carga por no cumplirse la relacin Ro<RL.
b) La potencia suministrada a la carga es igual a la potencia
disipada en la etapa de salida del amplificador, solo que, esta ltima no se
aprovecha, sino que se disipa en forma de calor provocando el
calentamiento de los dispositivos . Este calentamiento hace necesario el
uso de disipadores de calor o de dispositivos preparados para disipar esta
potencia.
c) Del apartado anterior se deduce que en esta situacin la
eficiencia de potencia es muy pobre, como mnimo se est desperdiciando
la mitad de la potencia absorbida de la fuente de alimentacin .
Tenemos un dilema entre la eleccin de eficiencia de potencia o
la de ganancia de potencia que se resolver teniendo en cuenta la
situacin particular en cada caso .
2.4 Ganancia de voltaje y respuesta en frecuencias
La ganancia de voltaje de un amplificador se define como la

razn entre el voltaje de salida y el voltaje de entrada y se suele medir en
dBs a partir de la definicin de la ganancia de potencia .
Ganancia de potencia(dB) =10log P =101og 2 (2 .7)

P. v;

Amplificacin 49
En algunos circuitos de comunicaciones suele ocurrir que la

resistencia de carga (suele ser la resistencia de entrada de la etapa
posterior) sea igual a la resistencia de entrada de la etapa en cuestin, por
lo que, en este caso, se cumple la igualdad 2 .8 de la que se deduce una
expresin para la definicin de la ganancia de voltaje en dB .
Estrictamente hablando, los dBs son unidades de ganancia de
potencia y lo que sera correcto decir es que el circuito tiene una ganancia
de voltaje que corresponde a una ganancia de potencia de "x" dB .
G . de potencia(dB) =10log 1 = 201og

v = G. de voltaje(dB) (2 .8)
P vi
La definicin de la ganancia de voltaje en dB se ha extendido y se
utiliza incluso cuando la resistencia de entrada de la etapa amplificadora
Ri es distinta de su resistencia de carga RL .
Iog w (rad/s)
Figura 2 .5 : Diagrama de Bode para el mdulo de la ganancia de un amplificador

con ganancia A=100 (40 dB) y frecuencias de corte inferior y superior 1 y 1000
rad/s respectivamente.
En general, la ganancia de los amplificadores depende de la
frecuencia debido a la presencia de condensadores, a veces puestos a
propsito por el diseador, y otras veces porque aparecen de forma
indeseable. Como puede observarse en el diagrama de Bode de la figura
2.5, la respuesta en frecuencia tpica de un amplificador suele venir
caracterizada por un valor ms o menos constante, denominado ganancia
a frecuencias medias, en un determinado rango de frecuencias . Se define
el ancho de banda BW (Band-width) de un amplificador como el
intervalo de frecuencias donde el mdulo de la ganancia es mayor que la
ganancia a frecuencias medias menos 3dB . Este ancho de banda suele
coincidir (si las frecuencias de corte estn suficientemente separadas) con
50 Amplificacin
el intervalo de frecuencias comprendido entre la mayor de las frecuencias

de corte inferiores y la menor de las superiores .
Tambin suele ocurrir, que una nica etapa amplificadora no

ofrece toda la ganancia requerida por el diseo, por lo que los
amplificadores se suelen conectar en serie de tal forma que sus ganancias
se multiplican (en dB se suman) . Cuando esto ocurre se dice que los
amplificadores estn conectados en cascada . La forma de realizar dicha
conexin es lo que distingue a los amplificadores acoplados en continua y
alterna mencionados en la seccin 2 .2 .
Amplificadores acoplados en alterna : Las distintas etapas

amplificadoras se conectan a travs de condensadores denominados
condensadores de acoplo . Debido a que estos condensadores se pueden
considerar circuitos abiertos para las seales de continua, podemos suponer
que las seales de continua de cada una de las etapas no se mezclan . De esta
forma, los clculos para la polarizacin de cada etapa se pueden realizar por
separado, lo que facilita mucho el diseo . Los inconvenientes de este tipo de
diseo son que cada uno de estos condensadores imponen la presencia de
una frecuencia de corte inferior, lo que limita el ancho de banda de los
amplificadores . Adems, para que estas frecuencias de corte inferiores se
encuentren a baja frecuencia se requiere el uso de condensadores grandes .
Estos condensadores ocupan mucho espacio por lo que, en el diseo de
circuitos integrados sobre todo, son prohibitivos .
Amplificadores acoplados en continua : No hacen uso de

condensadores de acoplo . Debido a ello, las seales de continua de cada
una de las etapas se mezclan, por lo que los clculos de la polarizacin se
hacen teniendo en cuenta el diseo del circuito completo . El principal
inconveniente de estos diseos surge cuando el circuito contiene muchos
componentes ya que estos clculos suelen ser muy complicados . Este
inconveniente se va solventando con la aparicin de potentes sistemas de
simulacin de circuitos electrnicos . Como estos circuitos no tienen
frecuencias de corte inferiores, tienen un ancho de banda que se extiende
desde la frecuencia cero, por lo que son capaces de amplificar la corriente
continua. Otra ventaja de este tipo de diseo es que suelen requerir menos
resistencias para la correcta polarizacin de cada una de las etapas .
2 .4 .1 Efecto de las capacidades de acoplo .
Supongamos que disponemos de un amplificador de voltaje de

ganancia A, resistencia de entrada R i y resistencia de salida Ro . Dicho
amplificador se conecta a un generador de voltaje v,, con una resistencia
de salida R, a travs de un condensador de acoplo de capacidad C ; y a una
resistencia de carga RL como aparece en l a figura 2.6.

Amplificacin 51
v.
Figura 2 .6: Amplificador acoplado en alterna .

La ganancia de voltaje de dicho circuito vJvs en funcin de la
frecuencia viene dada por la ecuacin 2 .9 .
(2 .9)
i RL 1
con A'= Av R WR . _
i + RS R 0 + R L yR C t, (R i + RS )
En este caso, la ganancia a frecuencias medias A, ,n se definira

como la que se obtendra cuando el condensador de acoplo no existiese,
es decir, se comportase como un cortocircuito (w-o) . Por ello, dicha
ganancia se puede calcular mediante la ecuacin 2 .10 y coincide con A' .
v
Avm = W-4
lim (2 .10)
1J
S
Figura 2 .7 : Diagramas de Bode de un amplificador acoplado en alterna .

52 Amplificacin
Como puede observarse, la presencia del condensador de acoplo

aade a la expresin de la ganancia de voltaje un trmino en funcin de la
frecuencia, cuya representacin estudiamos en el captulo 1, que produce
la aparicin de una frecuencia de corte inferior a la frecuencia wri . Los
diagramas de Bode asintticos para el mdulo y la fase de la funcin de
transferencia de la ecuacin 2 .9 se pueden observar en la figura 2 .7.
2.4 .2 Efecto de las capacidades parsitas

Partiendo de la base de que un condensador no es ms que dos
placas conductoras sometidas a diferente potencial y separadas por un
dielctrico, un par de conductores paralelos, por los que circula una
corriente, pueden presentar un efecto capacitativo que produzca ciertas
corrientes de fuga . A estas capacidades que aparecen de forma indeseable
se les denominan capacidades parsitas . Como veremos en adelante, las
etapas amplificadoras se construyen con transistores y estos suelen
presentar capacidades parsitas entre sus terminales . En la figura 2 .8
podemos observar una etapa amplificadora con una capacidad parsita Cp
modelada entre el nodo de entrada y tierra. Esta capacidad ofrecer un
camino de baja impedancia a tierra para las seales de alta frecuencia
produciendo una cada del voltaje de entrada al amplificador vi .
Consecuentemente, esta cada del voltaje de entrada provocar una cada
del voltaje de salida vo y por lo tanto una cada de la ganancia de voltaje
del amplificador v,/v, a alta frecuencia .
Figura 2.8: Amplificador de voltaje con una capacidad parsita modelada entre el
nodo de entrada y tierra .
Para justificar lo anterior, es sencillo deducir que la ganancia de
voltaje del circuito de la figura 2 .8 viene dada por la expresin 2 .11 .
vo 1
A,
vs 1+j
/WRS (2 .11)
RL y wRs = 1ConA'=vRi
R . + RS Ro + RL C p (Ri 11 Rs )

Amplificacin 53
A
G(dB)
A'
-20 dB/
dec .
0.1 Wrs 1 OWrs

o O>
log w
-45 0
-900
y( 0 ) y
Figura 2 .9 : Diagramas de Bode de un amplificador de voltaje con capacidades

parsitas .
En este caso la ganancia a frecuencias medias A se calcula vm
mediante la ecuacin 2 .12, coincide con A' y representa la ganancia del

amplificador en ausencia de capacidades parsitas, ya que cuando la
frecuencia se hace muy pequea dicho condensador se comporta como un
circuito abierto .
Vo
A vm = lim (2 .12
w-,0 y
Los diagramas de Bode asintticos para la ganancia de voltaje del

circuito de la figura 2.8 se pueden observar en la figura 2 .9 . Como puede
observarse en dicha figura la ganancia de voltaje depende de la frecuencia
y viene caracterizada por la presencia de una frecuencia de corte a altas
frecuencias w rs .
El hecho de que las frecuencias de corte debidas a los

condensadores de acoplo se consideren bajas frecuencias y las debidas a
las capacidades parsitas se consideren altas frecuencias se debe a las
desigualdades siguientes :
c. Cp
= Wn < W rs (2 .13)
R .+R S R S >R . 11 R,
Generalmente, el estudio de la ganancia de voltaje de los

amplificadores incluye la presencia simultanea de varias capacidades
parsitas y condensadores de acoplo . Cuando esto ocurre, el clculo
54 Amplificacin
exacto de la funcin de transferencia se vuelve complicado debido a que

sta contiene, adems de los trminos anteriormente mencionados para
cada una de las capacidades, trminos cruzados que la hacen incluso
difcil de representar . Habitualmente, se suele llegar a una solucin
aproximada del problema que consiste en considerar los efectos de cada
una de las capacidades por separado . Esta solucin aproximada es tanto
ms valida cuanto mayor es la distancia entre las frecuencias de corte
producidas por cada una de estas capacidades . Consideraremos que la
aproximacin es vlida cuando las distintas frecuencias de corte distan
ms de una dcada.
De la definicin de ancho de banda de un amplificador se deduce
que ste viene determinado por el intervalo comprendido entre la mayor
de las frecuencias de corte inferiores y la menor de las superiores,
siempre y cuando las distintas frecuencia de corte disten al menos una
dcada .
Los amplificadores acoplados en continua estn caracterizados
por un ancho de banda que se extiende desde la frecuencia cero (no hay
frecuencias de corte inferior) hasta una frecuencia de corte superior
producida por alguna capacidad parsita . En cambio, un amplificador
acoplado en alterna tiene un ancho de banda comprendido entre una
frecuencia de corte inferior producida por algn condensador de acoplo y
una superior producida por alguna capacidad parsita .
Dependiendo del ancho de banda los amplificadores acoplados en
alterna se pueden clasificar en :
Sintonizados : Se disean para amplificar exclusivamente una
banda muy estrecha de frecuencias . Se suelen utilizar para la
amplificacin de seales moduladas y dentro de este tipo de
amplificadores podemos citar los amplificadores de radio frecuencia
(RF) y frecuencia intermedia (FI) . Un amplificador RF suele constituir
la primera etapa de una receptor de TV, AM o FM, permitiendo
amplificar nicamente una banda muy estrecha de frecuencias
correspondiente a una estacin de radio o televisin en particular, por lo
que la frecuencia central de dichos amplificadores suele ser variable . Los
de FI suelen participar en las etapas intermedias de estos receptores y
estn diseados para amplificar una banda muy estrecha de frecuencias
alrededor de una frecuencia fija, que suele ser de 455Khz para los
receptores de AM y de 10 .7Mhz para los de FM .
No sintonizados : Son capaces de amplificar una banda ancha de
frecuencias la cual da pie a una nueva clasificacin, amplificadores de

Amplificacin 55
audio y amplificadores de vdeo . Se suelen utilizar para la amplificacin

de seales en banda base (sin modular) .
Audio (30Hz-15000Hz) : En la mayora de los equipos de audio,
en los que la seal de entrada suele provenir de una cpsula fonocaptora,
de una cabeza magntica o de un micrfono, la seal debe pasar
previamente por varias etapas amplificadoras antes de ser entregada al
altavoz . De todas estas etapas la primera se suele denominar el
preamplificador . Este suele tener una elevada ganancia de voltaje, una
potencia de salida inferior a 50mW y esta construido para funcionar con
bajo ruido . A la etapa final se le suele denominar amplificador de
potencia y suele proporcionar ms de 500mW dependiendo de la
aplicacin . Como ejemplo de preamplificador de audio podemos citar el
LM381 y como amplificadores de potencia el LM386, cuyas hojas de
caractersticas se encuentran al final del captulo y el LM380 .
Vdeo o de banda ancha : (30Hz-4MHz) se suelen utilizar en
osciloscopios y receptores de televisin para amplificar la amplitud de las
seales antes de ser entregadas al tubo de rayos catdicos .
2 .5 Otras caractersticas de los amplificadores
Adems del ancho de banda existen otras caractersticas que dan

una medida de cmo realizan los amplificadores determinadas funciones .
2.5 .1 Linealidad
Para una frecuencia dada el mdulo de la ganancia del
amplificador viene dado por un determinado valor A cumplindose, por
tanto la ecuacin 2.14.
vo = Avr (2 .14)
En este caso, si representamos el voltaje de salida del

amplificador frente al voltaje de entrada deberamos obtener una lnea
recta de pendiente A. A esta representacin se le denomina caracterstica
de transferencia de voltaje VTC (voltaje transfer characteristic) del
amplificador . De esta forma la salida del amplificador es una
reproduccin exacta de la entrada solo que amplificada .
En el caso real, no existe tal lnea recta y a todas las desviaciones
de sta, se les denominan no linealidades . Esta no linealidad producir
distorsin en la seal de salida (la salida contendr informacin errnea
que no forma parte de la seal de entrada) .

56 Amplificacin
Un caso especial de no linealidad es la producida por la

denominada saturacin del amplificador . Si suponemos que el
amplificador funciona a partir de dos fuentes de alimentacin una
positiva y otra negativa el voltaje de salida no podr decrecer (exceder)
por debajo (encima) de un determinado valor por mucho de que decrezca
(aumente) el voltaje de entrada . La VTC de un amplificador de estas
caractersticas se puede observar en la figura 2 .10 . Esta no linealidad
puede evitarse siempre y cuando el voltaje de entrada se encuentre dentro
de unos mrgenes determinados, en este caso, dados por la desigualdad
2 .15 .
L- < V . < L+ (2 .15)

Av A,
Seal de salida recortada

debida a la saturacin
Figura 2 .10 : VTC de un amplificador alimentado por dos fuentes V, y V-

A este intervalo de variacin en la seal de entrada se le
denomina mxima excursin de la seal de entrada (input signal
swing) . De igual forma, la mxima excursin de la seal de salida sin
distorsin (output signal swing) sera el intervalo [L_,L +] .
Amplificacin 57
Desafortunadamente, existen otros tipos de no linealidades . En el

caso real, la VTC de la figura 2.10 no vendra dada por los tres
segmentos rectos, ya que estos suelen estar unidos por una curva
derivable en todos sus puntos . Una VTC ms real de un amplificador,
solo que alimentado exclusivamente por una nica fuente de
alimentacin, puede observarse en la figura 2.11 . En este caso, la
ganancia de voltaje (pendiente de la VTC) no es constante, sino que
depende de la magnitud del voltaje de entrada . Esto provoca una
distorsin en la seal de salida denominada distorsin no lineal .
Figura 2 .11 : VTC de un amplificador polarizado por una nica fuente de

alimentacin.
Este ltimo tipo de no linealidades se suelen superar polarizando
el amplificador, es decir, situndolo en lo que se denomina el punto de
trabajo, tambin conocido como punto de reposo o punto Q
(Quiescent) . De esta forma, en la entrada y en la salida del amplificador
tendremos determinados niveles de continua, V 0, y V que se conseguirn
a partir de la fuente de alimentacin . De esta forma los voltajes de salida
vo y entrada v, estn relacionados por una funcin no lineal f, v o f(v,),
que se puede aproximar mediante el desarrollo de Taylor en las
proximidades del punto Q . Podemos quedarnos con la aproximacin
lineal conservando exclusivamente los dos primeros trminos del
desarrollo como muestra la ecuacin 2.16 . Si expresamos el anterior

58 Amplificacin
desarrollo en funcin de los voltajes de alterna llegamos a una relacin

lineal entre el voltaje de salida vo y el voltaje de entrada v, en la que la
ganancia del amplificador viene dada por la pendiente de la VTC en el
punto Q .
vo = V0 + vo
v, = V + vi (2 .16)
v o = Vo + dv (v, -V) = vo = A,vti con = dv o

1 Iv
dv, dv 1
Q Q
La linealizacin del amplificador ser tanto ms valida cuanto
menos nos alejemos del punto Q en el proceso de amplificacin, es decir,
cuanto ms pequeas sean las seales de entrada al amplificador, de ah
que a los modelos deducidos a partir de este desarrollo se les denomine
modelos de pequea seal .
En resumen, en los distintos nodos del amplificador existirn
seales superpuestas de continua y de alterna que se estudian por
separado en virtud del teorema de superposicin . La relacin entre las
seales de alterna se puede suponer lineal bajo el rgimen de pequea
seal .
La no linealidad, sea de un tipo u otro, es una caracterstica
indeseable de los amplificadores que se suele medir en porcentaje de la
seal de salida y que da una idea de la fidelidad de los mismos .
2.5 .2 Salida del amplificador
Las caractersticas de salida de un amplificador describen los
voltajes, corrientes o la potencia mxima a la salida del amplificador y
que si se sobrepasan se puede incluso destruir el amplificador .
2.5 .3 Impedancia de entrada y salida
Se debe intentar que los valores de estos parmetros para los
amplificadores se parezcan a los ideales . Por ejemplo, un amplificador de
voltaje, debe tener una impedancia de entrada muy alta para no cargar a
la etapa amplificadora anterior (absorber poca corriente) de tal forma que
no haya cada de voltaje sustancial en la resistencia de salida de dicha
etapa. De igual forma la resistencia de salida debe ser muy pequea .
2.5 .4 Ruido
Constituye otra fuente de distorsin que se suma a las no
linealidades de los amplificadores . Se puede dividir en :

Amplificacin 59
a) Seales no deseadas que se generan externamente y que suelen

entrar al amplificador desde el exterior . Por ejemplo la interferencia
electromagntica captada por los conductores . Se denomina Zumbido al
ruido de 50Hz causado por la red de suministro elctrico .
b) Seales no deseadas que generan los componentes del
amplificador . El caso ms importante es que se conoce con el nombre de
ruido trmico o Johnson, y se genera en cualquier resistencia como el
resultado del movimiento aleatorio de los tomos . Debido a que todos los
componentes electrnicos implican en cierta medida una resistencia, este
ruido, estar presente en cualquier circuito .
El ruido generado en las resistencias se suele modelar con una
fuente de voltaje de valor eficaz dado por la ecuacin 2.17 en la que K es
la constante de Boltzman (1 .3805 10-23 J/K), B es el ancho de banda del
ruido, T es la temperatura en grados Kelvin y R es el valor de la
resistencia . De esta forma una resistencia real R se puede representar con
un equivalente Thevenin formado por la combinacin serie de un
generador de tensin de valor Vnoise en serie con una resistencia ideal de
valor R.
V noise(r .m .s .) V4KTBR (2 .17)
La seal de ruido que generan los amplificadores se listan en las

especificaciones del mismo y se expresan en trminos de voltaje efectivo .
En un amplificador, el ruido ms importante es el que se genera en la
etapa de entrada ya que aparece amplificado a la salida y se suele modelar
como aparece en la figura 2.12.
Para describir la calidad de una seal en trminos de su
corrupcin por ruido se crea una figura de mrito denominada relacin
S/N (signal to noise) como la razn entre la potencia de la seal y la
potencia del ruido en dB .
Relacin SIN =10log P (2 .18)

n
Adems si la seal y el ruido estn presentes en el mismo punto

del circuito la ecuacin 2 .18 se puede escribir en la forma 2.19 .
Relacin S / N = 201og VI (2 .19)

Vn

60 Amplificacin
Figura 2.12: Modelizacin del ruido en la etapa de entrada de un amplificador .
2.5 .5 Slew-Rate
Se define como la mxima velocidad de variacin de la tensin
de salida como se muestra en la ecuacin 2 .20, se especifica en las hojas
de caractersticas de los amplificadores en V/,us y constituye otro
fenmeno que produce distorsin en la seal de salida . Esta distorsin por
slew-rate aparece cuando la amplitud y la frecuencia de la seal de
entrada al amplificador imponen variaciones en la seal de salida
mayores que el SR del amplificador .
dv 0
SR = (2 .20)
dt max
Para medir el slew-rate se introduce una onda cuadrada en la

entrada del amplificador y se miden los tiempos de subida t i y posterior
bajada t2 de la seal de salida como se muestra en la figura 2.13. De esta
forma, el clculo del slew-rate se lleva a cabo mediante la ecuacin 2.21 .
v, (t)
Vi
v0 (t), t
Va
Ft,-> <-t, ->

1
Figura 2 .13 : Definicin del slew rate de un amplificador

Amplificacin 61
Vo Vo
SR = min (2 .21)
ti t2
600
400
200
E \ \
d 0 \ i \
>
o 1 \ i
-200
-400
-600
0 1 2 3 4 5
Tiempo (us)
-Voltaje de entrada - - Voltaje de salida
Figura 2.14 : Ejemplo de distorsin de la seal de salida de un amplificador debida
al slew-rate .
En la figura 2.14 podemos observar el voltaje de entrada y el de
salida para un amplificador de ganancia unidad (seguidor de voltaje)
construido a partir de un LM741C . Como podemos observar la seal de
salida y entrada no son iguales debido al lmite impuesto por el slew-rate
del amplificador. La seal de entrada corresponde a una seal senoidal de
valor pico 0 .5V y frecuencia 500kHz . Si se disminuyese, bien el valor
pico de la seal o bien la frecuencia de la misma, este efecto, debido al
slew-rate, desaparecera y la seal de salida sera una copia de la entrada .
Para una onda senoidal vpsen2nft se puede obtener que la
pendiente en el punto medio, Pm,,,, viene dada por la ecuacin 2 .22 . Para
evitar distorsin por SR se debe cumplir que dicha pendiente sea menor
que el SR del amplificador utilizado . En la figura 2 .14 la onda de entrada
tiene una pendiente mxima de 1 .5V/s muy superior al SR del
amplificador operacional utilizado (LM741C) de 0 .5V/s .
P = 2Jifvp (2 .22)
2 .5 .6 PSRR
El PSRR (power supply rejection ratio) o razn de rechazo a la

fuente de alimentacin mide la capacidad del amplificador para no verse
afectado por los cambios de los voltajes de las fuentes de alimentacin .
62 Amplificacin
Supongamos el caso de un amplificador cuya etapa de salida demande

una gran cantidad de corriente variable lo que provocar que el voltaje de
la fuente de alimentacin del amplificador cambie en mayor o menor
medida. Este cambio en el voltaje de alimentacin puede provocar
cambios en las condiciones de polarizacin de las dems etapas
amplificadoras, pudiendo provocar incluso inestabilidades . A este
fenmeno se le denomina diafona y suele corregirse desacoplando las
lneas de alimentacin mediante su conexin a tierra con un condensador .
Concretamente, el PSRR mide la razn entre el cambio de voltaje
de salida del amplificador y el cambio total (suma de los cambios en las
distintas fuentes de tensin que polarizan el amplificador) del voltaje de
alimentacin. Se suele especificar en tV/V o en dB .
2 .6 Amplificadores en cascada
Ya veremos en adelante como, en algunas ocasiones, si queremos

aumentar la ganancia del amplificador tiene que ser a costa de disminuir
su ancho de banda . Por ello, en aquellas ocasiones en las que se requiera
un determinado ancho de banda y la ganancia correspondiente no cumpla
las especificaciones necesarias, hay que hacer uso de la conexin de
amplificadores en serie o tambin denominada en cascada .
2.6 .1 Ganancia
Cuando se conectan en serie dos amplificadores con ganancias A
y B la ganancia del circuito resultante ser AB (A+B si la ganancia est
expresada en dB) . En el caso real lo anterior no es del todo cierto ya que
habra que multiplicar dicha ganancia por los efectos de carga que surgen
en la entrada del amplificador, en la salida y en la conexin entre ambas
etapas .
2.6 .2 Impedancias de entrada y salida
En la mayora de las ocasiones la impedancia de entrada de un
amplificador no se ve afectada por lo que est conectado a su salida (esto
no es cierto por ejemplo en la configuracin en colector comn de un
transistor bipolar) y la de salida por lo que est conectado a su entrada . Si
esto ocurre, podemos decir, que la impedancia de entrada de una serie de
amplificadores en cascada es igual a la impedancia de entrada del primer
amplificador y la de salida a la impedancia de salida del ltimo
amplificador . Estos efectos de carga pueden despreciarse mediante la
eleccin apropiada de las resistencias de entrada y salida de cada una de
las etapas .
Amplificacin 63
2.6 .3 Respuesta en frecuencias

Siempre y cuando las frecuencias de corte inferiores y superiores
de cada una de las etapas amplificadoras se consideren lo suficientemente
separadas (ms de ldec .) podemos decir que el ancho de banda del
amplificador completo corresponde al intervalo de frecuencias entre la
mayor de todas las frecuencias inferiores y la menor de las superiores,
como podemos observar en la figura 2 .15 .
G(dB) A
A+B
Figura 2 .15 : Diagramas de Bode de una conexin en cascada de dos amplificadores .
2.6 .4 Ruido
A diferencia de lo que ocurre con la ganancia de los
amplificadores el ruido producido por cada una de las etapas no puede
sumarse ya que es un fenmeno aleatorio que podra incluso cancelarse .
En estos casos, el ruido importante es el generado en la etapa de entrada
del primer amplificador ya que es el que ms se amplifica, sobre todo, si
la ganancia de voltaje de la primera etapa es alta .
2.7 Amplificadores diferenciales
Los amplificadores diferenciales son amplificadores con dos

entradas que producen una salida proporcional a la diferencia entre los
dos voltajes entrada. Tambin se llaman par de emisor acoplado o par
diferencial .

64 Amplificacin
Dadas dos seales de entrada v, y v 2 definiremos lo que se

denomina el modo comn vcm y el modo diferencial vdm de dichas
seales como :
v 1 + v2 _ v, - V 2
V cm 2 y vdm 2 (2 .23)
de esta forma, tambin se cumple que
v, = V Cm + Vd,,,
(2 .24)
V2 = Vcm - V dm
En el caso ideal, un amplificador de este tipo no debera

responder ante seales sin modo diferencial independiente del valor del
modo comn de las mismas y debera responder de igual forma ante dos
seales con el mismo modo diferencial independientemente de que
difieran en el modo comn .
En el caso real lo anterior no ocurre ya que, en general, cualquier
amplificador diferencial presenta una ganancia al modo diferencial ADM y
otra al modo comn A cM de las dos seales, de tal forma que la seal de
salida vo vendr dada por la ecuacin 2 .23 .
V 0 =ACMVcm +ADMVdm (2 .25)
El uso de estos amplificadores como amplificadores de voltaje

tiene algunas ventajas :
1 .- Pueden ser utilizados como amplificadores de una sola
entrada sin ms que conectar una de ellas a tierra .
2 .- Si los circuitos de entrada al amplificador son prximos,
ambos captarn la misma interferencia electromagntica, la cual ser
eliminada debido a que el amplificador responde nicamente a la
diferencia entre las dos seales de entrada .
2.7 .1 Amplificadores operacionales

Un tipo muy importante de amplificador diferencial lo constituye
el amplificador operacional . Este amplificador, usualmente, es de
corriente directa, de muy alta ganancia y est diseado para emplearse
con redes externas de realimentacin lo que har que se pueda usar para
un innumerable conjunto de aplicaciones .
El trmino Amp . Op . Proviene debido a que los primeros
amplificadores diferenciales de corriente directa y alta ganancia se
Amplificacin 65
disearon para llevar a cabo operaciones matemticas de suma, resta,

1 derivacin e integracin en computadores analgicos .
Los amplificadores operacionales, actualmente fabricados en
pequeos circuitos integrados, tienen caractersticas muy prximas a las
caractersticas ideales requeridas para cualquier amplificador de voltaje,
alta resistencia de entrada, baja resistencia de salida y muy alta ganancia
de voltaje y son muy lineales dentro de un rango de voltajes de entrada
bastante amplio .
Debido a su alta resistencia de entrada y baja resistencia de salida
el Amp. Op . se considera un amplificador de voltaje, de ah que, su
modelo de pequea seal sea el de la figura 2 .16 .
os
Figura 2 .16 : Smbolo de un amplificador operacional y modelo equivalente de

pequea seal .
La entrada "+" recibe el nombre de entrada no inversora ya que si

v+ es ms positivo que v_ la salida del amplificador ser positiva y la
entrada "-" recibe el nombre de entrada inversora .
En adelante, cuando trabajemos con amplificadores operacionales
supondremos que son ideales ya que, como dijimos anteriormente, sus
caractersticas se aproximan bastante al caso ideal . En definitiva
supondremos que:
a) La resistencia de entrada Ri es infinita . Esto equivale a decir
que el amplificador operacional no absorbe corriente .
b) La resistencia de salida Ro es nula, de tal forma que el voltaje
de salida vo es igual a A,(v + -v_), con independencia de los efectos de carga
a la salida del amplificador.
c) La ganancia del amplificador en lazo abierto A v (en adelante
definiremos la ganancia en lazo cerrado cuando realimentemos el
amplificador) es infinita. Esto equivale a decir que para que el voltaje de
salida sea un valor finito, la diferencia entre los voltajes de entrada debe
ser nula, es decir, v + =v_.

66 Amplificacin
Los resultados obtenidos cuando se consideran estas

aproximaciones son en general bastante validos .
Entre los amplificadores operacionales ms comunes podemos
citar los LM741 y LM158 construidos con transistores bipolares y el
CA3140A con entrada MosFET y salida bipolar . El 741 es el ms
conocido, su diseo est formador por unos 20 transistores bipolares y
una serie de resistencias y condensadores y se fabrica en pequeos
circuitos integrados como el de la figura 2.17.
w
0 LM741 C
Figura 2 .17 : Amplificador Operacional LM741C
2.7 .2 Caractersticas reales del amplificador operacional LM741C

En las pginas finales de este captulo se encuentran las hojas de
caractersticas (datasheets) que contienen ciertos parmetros que
describen la operacin del amplificador operacional LM741C . Entre ellos
que podemos destacar los siguientes :
2.7 .2 .1 Ganancia en lazo abierto
La ganancia de voltaje de este tipo de dispositivos vara mucho
con la temperatura y de unos dispositivos a otros (incluso fabricados en el
mismo lote) lo que lo hace totalmente intil si no se utiliza realimentado .
Suelen ser valores tpicos A,oL=106dB o 2 10 5.
2 .7 .2 .2 Ancho de banda en lazo abierto
El ancho de banda de este tipo de amplificadores en lazo abierto
tiene un valor tpico de BWOL=10Hz . Esta frecuencia de corte superior no
es debida a las capacidades parsitas, como estudiaremos en la seccin
3.6, est puesta a propsito por el diseador para asegurar la estabilidad
de los amplificadores cuando se construyan con el Amp . Op .
realimentado .
A los amplificadores que incluyen esta frecuencia de corte
dominante para asegurar la estabilidad se les denominan amplificadores
con compensacin interna. Se define la frecuencia unidad fT como la
frecuencia a la que la ganancia en lazo abierto del amplificador vale la
unidad y suele ser de 1MHz para el elemento estudiado como podemos
Amplificacin 67
observar en la figura 2 .18 . Otros dispositivos suelen presentar valores de

la frecuencia unidad mucho ms altas, incluso de 1GHz para dispositivos
de alta velocidad.
4,
1OHH T
O)'
Figura 2 .18 : Diagramas de Bode tpicos de un amplificador operacional .

2.7 .2 .3 Impedancia de entrada y salida en lazo abierto
Son valores tpicos Ri=1MQ y R,=5052
. Con amplificadores
operacionales fabricados con transistores FET se consiguen impedancias
de entrada del orden de 10 12 Q . El valor de estas resistencias tambin
vara mucho entre los dispositivos .
2.7 .2 .4 Intervalo de voltajes de alimentacin
Este tipo de dispositivos necesitan para un correcto
funcionamiento estar conectados a dos fuentes de alimentacin V + y V .
Estos valores no tienen por que ser fijos, pero las caractersticas de
funcionamiento del amplificador si que dependern de dichos valores . El
intervalo vlido para los voltajes de alimentacin es [+/-5V,+/-18V] .
2.7 .2 .5 CMRR
Se define el CMRR (common mode rejection ratio) o relacin de
rechazo al modo comn como el cociente en dBs entre la respuesta
producida por una seal en modo diferencial y la producida por una seal
en modo comn del mismo tamao . Idealmente vale infinito pero suelen
ser valores tpicos entre 80 y 120dB .

68 Amplificacin
CMRR(dB) = 20log ADM (2 .26)

ACM
2.7 .2 .6 Corriente de polarizacin de entrada I,

Para que el amplificador operacional funcione debe absorber una
pequea corriente de entrada por cada uno de sus terminales . Esta
corriente es prcticamente igual por los dos terminales y lo que se suele
calcular es el valor promedio denominado corriente de polarizacin de
entrada. Suele tomar valores los =8OnA . (Diseos FET consiguen valores
de 10 -15 A). A la diferencia entre dichas corrientes de entrada se le
denomina corriente de deplazamiento de entrada o corriente de offset .
Son valores tpicos IofSef=2OnA .
2.7 .2 .7 Voltaje de desplazamiento de entrada o voltaje de offset
Se deben a que los transistores que componen el amplificador no
estn apareados lo que provoca que se produzca un voltaje de salida
distinto de cero an cuando los voltajes en la entrada del amplificador
sean nulos. Se define el voltaje de offset como el voltaje que se requiere
en una de las entradas del amplificador para conseguir que el voltaje de
salida sea nulo . Suele valer Vofret=2mV. Ultimamente, se emplean
tecnologas laser para minimizar este voltaje, pero no puede anularse
totalmente porque, entre otras cosas, su valor depende de la temperatura .
2 .7 .2 .8 Capacidad de corriente y voltaje de salida Isal(max.) Y
Vsal(max.)
Representan la corriente y el voltaje mximos que es capaz de
suministrar el dispositivo y suelen ser de lOOmA y +/-1OV
respectivamente .

Amplificacin 69
2.8 Hojas de caractersticas del amplificador de audio de

potencia LM386
September 1997
National Semiconductor
&
LM386
Low Voltage Audio Power Amplifier
General Description Features
The LM386 is a power amplifer designed for use in low volt- Battery operation
age consumer applications . The gain is internally set lo 20 lo Minimum externa) parts
keep externa) part count low, but the addillon of en externa) Wide supply voltage range : 4V-12V or 5V-18V
resistor and capacitor between pins 1 and 8 will increase the Low quiescent current drain : 4 mA
gain lo any value opto 200 . Voltage gains from 20 lo 200
The inputs are ground referenced while the output is auto- Ground referenced input
matically biased lo one hall the supply voltage. The quies-
Self-centering output quiescent voltage
cent power drain is only 24 milliwatts when operating from a
Low dlstortion
6 volt supply, making the LM386 ideal for battery operation .
Available in 8 pin MSOP package
Applications
AM-FM radio amplifers
Porlable tape player amplifers
Intemoms
TV sound systems
Line drivers
Ultrasonic drivers
Small servo drivers
Power converters
Equivalent Schematic and Connection Diagrams
Small Outllne,
Molded Mini Small Outiine,
and Dual-In-Una Packagos
ixN1
NIINI~
5
5N0
Top View
Order Number LM386M-1,
LM386MM-1, LM386N-1,
LM386N-3 or LM386N-4
Sea NS Package Number
M08A, MUA08A or N08E
O 1999 National Semiconductor Corporation DS006976 www.national .com

70 Amplificacin
Absolute Maximum Ratings (Note 2) Dual-in-Line Package
Soldering (10 sec) c-260'C

It MllltarylAerospace specitled devicos are requlred,
Alease contact the National Semiconductor Sales Office/ Small Outllne Package
Dlstributors tor avallabillty and specllicatlons . (SOIC and MSOP)
Vapor Phase (60 sec) +215'C
Supply Voltage
Infrared (15 sec) +220'C
(LM386N-1, -3, LM386M-1) 15V
Sea AN-450 "Surface Mounting Methods and Their Effect
Supply Voltage (LM386N-4) 22V
on Product Reliability" for olher methods of soldering
Package Dissipation (Note 3) surface mount devlces .
(LM386N) 1 .251Y
Thermal Resistance
LM386M) 0 .73W O,c (DIP) 3TCIW
(LM386MM-1) 0 .595W 0,,,, (DI P) 10TC/W
Input Voltage 0.4V O,,c (SO Package) 35'C/W
Storage Temperatura -65'C lo +150'C

Oc,, (SO Package) 172'C/W
Operatlng Temperatura O'C lo +70'C 210CAN
@,,A (MSOP)
Junction Temperature +150'C Ojo (MSOP) 56'C/W
Soldering Informatlon
Electrical Characteristics (Notes 1, 2)
T A = 25'C
Conditlons Min Typ Max Units
Parameter
Operating Supply Voltage (Vs )

4 12 V
LM386N-1, -3, LM386M-1, LM386MM-1
5 18 V
LM386N-4
Vs = 6V, V,R = 0 4 8 mA
Quiescent Current (I c )
Output Power (Pou,)

LM386N-1, LM386M-1, LM386MM-1 Vs = 6V, R1
. = 80
M, THD = 10% 250 325 mW
500 700 mW
LM386N-3 Vs = 9V, R, = 812, THD = 10%
700 1000 mW
LM386N-4 Vs = 16V, R5 = 3252, THD = 10
26 dB
Voltage Gain (Av ) Vs = 6V, f = 1 kHz
46 dB
10 pi` from Pin 1 lo 8
300 kHz
Bandwidth (BW) Vs = 6V, Plns 1 and 8 Open
Total Harmonic Distortion (THD) Vs = 6V, R 5 = 80, P c _ = 125 mW 02
f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Open
50 dB
Power Supply Rejection patio (PSRR) Vs = 6V, f = 1 kHz, Cevpnss = 10 pF
Pins 1 and 8 Open, Retorced lo Outpul
50 k52
Input Resista- (R, N )
V s = 6V, Plns 2 and 3 Open 250 nA
Input Blas Current (islas)
Natal : Al voltages ere measured with reapect to the ground pin, unlew othemise speotad .
:ng Rafings ind,cate eondibons forwhich the dente a lunc-
Note 2 : Absoluto Maximum Rabngs,ndicate limita beyond which damege lo (he device i55 oca,, Operat
tional, but do rol guarenlee apeafic performance limita . Electrical Cha,edevatics grata DC andAC eleddcal speoficabons under partwlar test condrbons whlch guar-
-,'hin Ihe Opereling Ratngs. Specifications are rol guaranteed b, parameters where no llmil is
antae spedfic pedormance l:mils. Thia asumes that the d - is
given, however Ihe. typicel .u . Is a good Indicebon of d . performance .
lancel
Nota 3 : F., operahon in ambant tamperatires aboye 25C, the device must be dentad baaed on a 150'C maximum juncbon temperatura and 1) a Ihermal
0SC/W juncton lo ambent tor Ihe dual-in-Ilne package and 2) a thermal resistente of 170'C/W lor rho amall supina package .
www.national.com 2
Amplificacin 71
Application Hints
GAIN CONTROL INPUT BIASING
Te make ihe LM386 a more versatile amplifer, two pins (1 The schematic shows ihat boln inputs are biased lo ground
and 8) are provided for gain control . With pins 1 and 8 open wiih a 50 kfl resislor . The base currenl of ihe input lransis-
ihe 1 .35 kfl resistor sets tire gain al 20 (26 dB) . If a capacitor tors is aboul 250 nA, so ihe inputs are al about 12 .5 mV
is puf from pin 1 te 8, bypassing ihe 1 .35 kfl resislor, ihe when left oyen . If ihe de source resistance driving ihe LM386
gain will go up te 200 (46 dB) . If a resistor is placed in sedes is higher tiran 250 kfl it will contribute very liltle addilional
wiih ihe capacitor, ihe gain can be set lo any value from 20 offset (aboul 2.5 mV at tire input, 50 mV al ihe oulput) . If the
lo 200. Gain control can also be done by capacilively cou- de source resistance is less Iban 10 kfl, tiren shortlng ihe
pling a resistor (or FET) from pin 1 te ground. unused input te ground will keep tire offset low (aboul 2 .5 mV
Additional externa) componente can be placed in parallel at ihe input, 50 mV at ihe outpul) . For de source resistances
wiih tire Internal feedback resistors lo lailor the gain and fre- belween these values we can eliminate excess offset by pul-
quency response for individual applicalions . For example, ling a resistor from ihe unused input lo ground, equal in
we can compensale peor speaker bass response by fra- value lo ihe de source resistance . Of course eff offset prob-
quency shaping tire feedback path . This is done wiih a series lems are eliminaled If the input is capacillvely coupled .
RC from pin 1 te 5 (paralleling lhe infernal 15 ka resistor) . When using the LM386 wiih higher gains (bypassing ihe
For 6 dB effective base boost : R =_ 15 kfl, the lowest value 1 .35 kfl resislor belween pins 1 and 8) it is necessary te by-
for good stable operalion Is R = 10 kfl if pin 8 is open . If pins pass the unused input, preventing degradation of gain and
1 and 8 are bypassed tiren R as low as 2 kfl can be usad . possible instabililies . This is done wiih a 0 .1 pF capacilor or
This restriction is because ihe amplifer is only compensated a short te ground depending en tire de source resistance en
for closed-loop gains greater tiran 9 . ihe driven input .
3 Vaco nacional sorn

72 Amplificacin
Typical Performance Characteristics

Oulescent Supply Current Power Supply Relectlon Ratio Peak-to-Peak Output Voltaga
va Supply Voltage (Reterred to the Output) Swing va Supply Voltage
va Fraquency
a

c2snir
s , 7 la u v NIIIIII'NIIIIIIVNIIIIINNIIIIIfl 0 0, 7 1 9 11 11 H
SOnLYVOLTROElOaLnl lo IL 1e 1041
,010
.00011710E,04L01
11(001441(40 osmrmsiz
Voltage Gain va Frequency Distortion va Fraquency Dlstortlon va Output Power

.
11111111 lu IIIII'i1111111 E u
vf -10 E // Y. ~Y III11111111II llill
~ IYb
milii 1.,
/mlr N!!!'1111111 r
0 a
1x1 r
ou=e
IIIIIIIlilllllIIIIIII
IIIIIII, IIllll,~1111I,
agua
EV=A 11111111/4444,(,/VIII,,
/,NIIIII//NIIIII. 1111111
ill11111IZ ::;!Illil
/VIIIIIIUIVIII,,/1111111
1111111111IIIIIIIIIIIIhIIIIh'! =iii1
/
/PI
_/ NNUliIIImlllh
/,NIIIII/11111111~1111111V
~!nnpl~mgul 7111111
IIIIIIIIIIIIIIIIi11111RV111111111 ,
1A 11 114 1011 Ie a 44 la a4 001 14 x1 61 4p ue ,Jl 0I 1J
141401000 11$ 14400144V401) I0a1R 007 x)00114

Device Disalpatlon va Output Devlce Dlasipatlon va Output Device Disalpatlon va Output
1. .r-4f2 Load Power-8Q Load Power-1612 Load
L 1.0
1~y
E F .
1J
%ht~ola
s ~ OJ
/%/NI/
9 IaIT s
L0L
0x4
1 L Y L
I/ 97
1,RTxa
1510 4
LEV , ,2
a0 4
v L /
1
, 01 u1214I45.4LI .,OJ1 .1 0 u20
.0iiu1.e12111 .4111.1
00100000545 0R O4)nIT14n1R4a
www.national .crom 4
Amplificacin 73
Typical Applicatlons
Ampllllor wlth Gain = 20 Amplhler wlth Gain = 200
Mlnlmum Parta
1.
AmpiBler with Gain = 50 Low Dlstortlon Power Wlenbrldge Osclllator

m
1:1
v,
1 aYYAU
Amplifler wlth Basa Boost Squaro Wavo Oaclllator
uwr
s -nalional.con
74 Amplificacin
Typical Applications (Continued)
Frequency Response wlth Base Boost

27
26
25
24
23
22
21
L
20
19
18
17
20 50 100 200 500 1k 2k 5k 10k 20k
FREOUENCY (H )
AM Radio Power Amplliler
8.
SPEAKER
Note 4: Twist Suppy leed and wrppy grwnd vory tghtIy

Note 5: Twist speaker leed and gmund very fightly.
Note 6: Fordte bead In Ferroxcube K5-001-00113B with 3 turna ol vire .
Note 7: RICl bandtundoInput090010
Note 0 : All componente musl be spaced very dosely to IC.
www.national .m m 6

Amplificacin 75
2 .9 Hojas de caractersticas del amplificadores operacional

LM741
November 1994
0National Semiconductor
LM741 Operational Amplifier

General Description
-
The LM741 series are general purpose operational amplifi- output, no latch-up when the common mode Tenga is ex-
ers which feature improved performance over industry stan- ceeded, as well as freedom from oscillations .
dards like the LM709 . They are direct, plug-in replacements The LM741C/LM741E are identical lo the LM741/LM741A
torthe 709C, LM201, MC1439 and 748 in most applications . except that the LM741C/LM741E Nave their performance
The amplifiers offer rnany matutes which make their appli- guaranteed over a 0C tO +70 C temperature range, in-
cation nearly foolproof : overload protection on the input and stead of -55`C to +125C.
Schematic Diagram
11
NON-1 RING
NPUT
IN>
03
2 INVERTNG
INPUT
R3
39K
CI
30 pF
a e
6
UnTUr
610
50
017
06 010
05 020
OFFSET NULL 5 OFFSET

NULL
R2 RI1
1K i 50
y-
n/H/9341-1
Offset Nulgng Clrcult
OUTPUT
TL/H/9341-7
1696N .Uo,IS.s,wx c9rym91bn TL/H/9341 RRP93Ou115/P+Sd in U . S . A .

76 Amplificacin
Absolute Maximum Ratings

It Mllitary/Aerospace apeclfled devices are requlred, pies** contact the National Semiconductor Sales Ottlce/
Dlstrlbutora for avallablllty and apecilicatlona
(Note 5)
LM741A LM741E LM741 LM741C
SupplyVoltage 22V 22V +22V +18V
Power Dissipation (Note 1) 500 mW 500 mW 500 mW 500 mW
DifferentialInput Voltage 30V 30V + 30V +30V
Input Voltage (Note 2) +15V 15V +15V 15V
Output Short Circuft Duration Continuous Continuous Continuous Continuous
Operating Temperature Range -55C te + 125'C 0C te +70C -55'C te + 125'C WC te + 70'C
Storage Temperatura Range -65C te + 150'C -65'C lo + 150C -65C te + 150'C -65C lo + 150C
Junetion Temperatura 150'C 100'C 150'C 100C
Soldering Information
N-Package (10 seconds) 260C 260'C 260'C 260'C
J- or H-Package (10 seconds) 300'C 3OWC 300C 300'C
M-Package
Vapor Phase (60 seconds) 215'C 215C 215'C 215C
Infrared (15 seconds) 215'C 215C 215'C 215'C
Sea AN-450 "Surface Mounting Methods and Their Effect en Product Reliahility' ta other methods el soldering
sudace mount devices .
ESO Tolerante (Note 6) 400V 400V 400V 400V
Electrical Characteristics (Note3)

LM741A/LM741E LM741 LM741C
Parameter Conditlona unlts
Min Typ a Min Typ Max MM Typ Max
Input Offset Voltage TA = 25C
RSS10kft 1 50 20 60 mV
RS<5091 08 30 mV
TAMIN 5 TA 5 TAMAX
SS s 5091 4 mV
RS510k91 60 75 mV
Average Input Offset 15 V/C
Voltage Driff
Input Offset Voltage TA = 25C, VS = 20V -15 V
+10 +15
Adjustment Range
Input Offset Current TA = 25'C 30 30 20 200 20 200 nA
TAMIN 5 TA s TAMAX 70 85 500 300 nA
Average Input Offset 0 5 nA/C
Cunent Drt
Input Bias Current TA = 25'C 30 80 80 500 80 500 nA
0 210 t 08 A
TAMIN 5 TA s TAMAX
Input Resistance TA = 2WC, VS = +20V 60 0 3 2 0 0 3 2 0 M91
TAMIN S TA 5 TAMAX 05 M91
VS = 20V
Input Voltage Range TA = 25C -13 V
TAMIN S TA 5 TAMAX -12 13 V
Large Signal Voltage Gain TA = 25C, RL > 2 kit
VS = 20V, V0 = 15V 50 V/mV
VS = +15V, VO = 10V 50 200 20 200 V/mV
TAMIN S TA S TAMAX
RL > 2 kCt,
V S = 20V, V0 = +15V 32 V/mV
VS = +15V, VO = +10V 25 15 V/mV
VS = +5V, V0 = 2V 10 V/mV
Amplificacin 77
Electrical Characteristics (Note 3)(Continued)

Parameter Conditione LM741A/LM741E LM741 LM741C Unite
Min Typ Max Mln Typ Max Mln Typ Max
Output Voltage Swing VS = +20V
RL a 10 kf1 316 V
RL a 2 kfb +15 V
VS = +15V
RLa10kf2 -12 -14 312 14 V
RL>2k10 310 13 +10 -13 V
Oulput Short Circuil TA = 25C 10 25 35 25 25 mA
Cument TAMIN < TA < TAMAX 10 40 mA
COmmon-Mude TAMIN S TA S TAMAX
Rejectiort Ratio RS < 10 kf2, VCM = 312V 70 90 70 90 dB
RS < 5012, VCM = 12V 80 95 dB
Supply Voltage Rejection TAMIN < TA < TAMAX,
Ratio VS = 320V to VS = +5V
RS < 50f2 86 96 dB
RS 5 10 k12 77 96 77 96 dB
Transient Response TA = 25C, Unity Gain
RiseTime 025 08 03 03 NS
Overshoot 6 0 20 5 5 %
Bandwtdlh (Note 4) TA = 25C 0 437 1 5 MHz
Slew Rete TA = 25C, Unity Gain 03 07 05 05 VI"
Supply Current TA = 25C 28 1 7 2 8 mA
Power Consumption TA = 25C
V5 = 20V 80 150 mW
VS = +15V 50 85 50 85 mW
LM741A VS = 20V
TA = TAMIN 165 mW
TA = TAMAX 35 mW
LM741E VS = +20V
TA = TAMIN 50 mW
TA = TAMAX 50 mW
LM741 VS=+15V
TA = TAMIN 60 100 mW
TA = TAMAX 45 75 mW
Note . (Balad under "Absoluta Medmum
Raange'1:) For
. TIopereaon at elevated
= TA + (djA PD) temperaturas, these devices must be delatad basad on thennel resistanoe, and TI msa
.
ThsrmMRalstanoe Cordip(J) DIP(N) H08 (H) S08 (M)
ejA(JunctiontoAmbien5 00C) 00'C/ 70'C/W 180C/
b)c(JunoaonroCase) IVA N/A 25C/W N/A
Nota 2 : For supoy vonages leas Ihen 1 15V. lbs absoluta mvcinum input v~e is epuel to Ore supply 00)1590,
Note 3: Unless otherwse epecified, these specificeaons epply for VS = 215V, 55 C s TA s +125C (LM7411LM741A) . For the LM74 1 C/ LM741 E, Ciase
epecificaf s are limIed to 0C s TA s +70C .
Note 4 : Celculated valus horro eW(MHz) = 0 .35/Rice Time(os).
Note 5 : For military specxicaaons se, RETS741X ron LM741 and RETS741AX for LM741A .
Note 6 : Humee body del . 1 .5 1,41 in seres olla 100 pF.
78 Amplificacin
Connection Diagrams
Metal Can Package Ceramic Dual-in-Lino Package
NC
C
NC C
OFFSET NULL
.OFFSET NULL C
-IN V1
~NO INPUT OUTPUT
-IN OUT
NON-INVERTING INPUT V- -OFFSET NULL

OFFSET NULL
C
TL/N/9341-2
Order Number LM741H, LM741H/883`, Order Number LM741J-14/883', LM741AJ-14/883"

LM74 AH/883 or LM741 CH Sea NS Package Number J14A
Se* MS 1 Package Number H08C
-W50ilebls per JM38510110101
"also avareble per JM38510110102
Dual-In-Lino or S.O. Package
Ceramlc Flatpak
OFFSET NULL Nc
C NC
NVERTING INPUT -OFFSET NULL NC
-INPUT V4
NON-INVERTING OUTPUT INPUT OUTPUT
INPUT
-OFFSET NULL
V- OFFSET NULL TL/W9341-6
TL/N/33Q-3 Order Number LM741 W/883

Order Number LM741J, LM741J/883, Sea NS Package Number W 10A
LM741CM,LM741CN orLM741EN
See NS Package Number JORA, MESA or NO8E
'LM741H iS available per JM38510110101
4
Amplificacin 79
EJERCICIOS DE ELECTRNICA ANALGICA
AMPLIFICACIN
Ejercicio 2.1 :
Un amplificador tiene una ganancia de voltaje en circuito abierto

de 20, una resistencia de entrada de 10M2 y una resistencia de salida de
7552 . El amplificador est conectado a una fuente de CA de 1 V rms, que
tiene una resistencia de salida de 2005 y a una resistencia de carga de
1 K52 . Calcula :
a) El valor rms del voltaje de salida
b) Potencia transferida a la carga .
c) La ganancia de potencia .
d) Estaramos transfiriendo la mxima potencia a la carga? .
e) Cul sera el valor de la carga para la mxima transferencia de

potencia? Cul sera ahora el valor de la potencia transferida a la carga?
Qu potencia se disipara en el amplificador? .
Ejercicio 2.2 :
Un amplificador con una resistencia de entrada de 1OK52 est

conectado a un generador de voltaje mediante un condensador de
acoplamiento de 100nF . Si el generador tiene una resistencia de salida de
1K52, Cul ser la frecuencia de corte producida por esta conexin?, Se
trata de una frecuencia de corte superior o inferior? .
Ejercicio 2 .3 :
El circuito de la figura es un amplificador de tres etapas en

cascada . El amplificador est alimentado por una fuente de seal con una
resistencia de salida de 100k52 y entrega su salida a una carga de 1005 .
La primera etapa tiene una alta resistencia de entrada y una modesta
ganancia de 10 . La segunda tiene una ganancia muy alta pero una
resistencia de entrada ms baja . Finalmente la ltima o etapa de salida
tiene ganancia unidad pero baja resistencia de salida . Se desea evaluar la
ganancia de voltaje, v L1vs , la ganancia de corriente y la ganancia de
potencia .

80 Amplificacin
Fuente Etapa 1 Etapa 2 Etapa 3 Carga

i;
1K5) 1K52 1052
il i2 100v i2 vi3 L
=10052
Ejercicio 2.4:
Dibuja los diagramas de Bode para el mdulo y la fase de la
ganancia G=vjv s del amplificador cuyo modelo de pequea seal se
puede observar en la figura .
R, = 60052
Cq = 1F -
R = 5052 C L = 1F
R;
l OOK51 l 00v; V, = lKO
Ejercicio 2 .5 :
a) Para el circuito mostrado en la figura encuentra una expresin
para la funcin de transferencia de voltaje v o/vs . Dibuja los diagramas de
Bode para dicha funcin de transferencia y calcula el ancho de banda del
amplificador .
b) Encuentra tambin el valor de la ganancia de voltaje a
frecuencias medias .
c) Deduce una expresin para la resistencia de entrada del
amplificador .
R, =1 M52 C2 = l OOnF
= l O pF = l OK52 v0 3
R = 20KO
m
G = 1 OOmA / V
Ejercicio 2 .6:
Utiliza el teorema de Miller para dibujar los diagramas de Bode
para el mdulo y la fase de la ganancia de voltaje v ewge del circuito de la

Amplificacin 81
figura . Utiliza como ganancia de voltaje entre los nodos b' y c la que
habra a bajas frecuencias, es decir considerando que las capacidades
parsitas son tan pequeas que ofrecen una impedancia infinita al paso de
la corriente .
b rbb' Cb'c
- - II
'e e
Cb'e
e
T
Ejercicio 2.7:
Encuentra la resistencia de entrada entre los terminales B y G, la
resistencia de salida entre los terminales C y G, la ganancia de voltaje
vcG/v s , la ganancia de corriente y la ganancia de potencia .
Ejercicio 2.8 :
Se dispone de una conexin en cascada de dos amplificadores
alimentados por dos fuentes de alimentacin de +15 y -15V y acoplados
en continua . Si los amplificadores tienen ganancias de voltaje Av1 =5 y
A2 =1, encuentra el voltaje de salida ante una entrada vi=l+lsenwt
voltios . Supn despreciables los efectos de carga . Encuentra tambin la
mxima excursin para las seales de entrada y salida al amplificador
suponiendo que se debe mantener el nivel de 1 V de continua a la entrada
del amplificador . Repite el problema si los amplificadores estuviesen
acoplados en alterna por medio de un condensador ideal .
Ejercicio 2.9 :
Supn que un diodo es un dispositivo electrnico cuya relacin
iD , es de la forma iD =loexp(20vD _) . Se quiere encontrar una relacin
VD
lineal para pequea seal que relacione los voltajes y las corrientes de
82 Amplificacin
alterna aplicados al diodo una vez polarizado el diodo en el punto de

trabajo mediante un voltaje VD=1 V . Toma .5
I,=1
10-9A
Ejercicio 2 .10:
Compara los resultados obtenidos para la ganancia de voltaje del
circuito de la figura cuando se utiliza la aproximacin ideal para el
amplificador operacional y cuando se utiliza el modelo de pequea seal
con los valores de ganancia de voltaje, resistencia de entrada y resistencia
de salida en lazo abierto propios del LM741C .
w
3 Realimentacin
3.1 Introduccin
Se dice que un sistema es realimentado cuando, de alguna

manera, la salida producida por el sistema influye en la entrada del
mismo . Cuando la realimentacin se usa de forma correcta o conveniente
el sistema se regula automticamente . Supongamos que en un sistema
realimentado la seal de salida aumenta de forma inesperada, es de
esperar que, por el camino de realimentacin, tambin aumente la seal a
restar de la entrada, por lo que, la seal que se introduce en el camino
directo tambin disminuye provocando una disminucin en la seal de
salida . Es decir, un sistema realimentado tiende a mantener la seal de
salida a pesar de posibles variaciones de la ganancia del camino directo,
bien por sustitucin del dispositivo, variaciones de temperatura u otras .
La realimentacin constituye la base del funcionamiento de la
mayora de los sistemas de control automtico e incluso de los sistemas
biolgicos .
El esquema de un sistema realimentado se puede observar en la
figura 3.1, en la que hay que distinguir lo que se denomina camino
directo de ganancia A y camino de realimentacin de ganancia B .
Si aplicamos una seal de entrada x ; y llamamos x,, a la salida
producida por el sistema en el circuito restador se debe cumplir que :

84 Amplificacin
xo
x ; - Bxo =
A (3 .1)
de donde se obtiene que la ganancia del sistema realimentado
viene dada por la ecuacin 3 .2, donde A representa la ganancia en lazo
abierto o ganancia en directo, B la ganancia del camino de
realimentacin y AB la relacin de retorno o ganancia de lazo .
Restador
+ A
Entrada > Salida
_A Camino direc
B
Camino de realimentacin
Figura 3 .1 : Esquema general de una red de realimentacin
G = x0 = A (3 .2)
xi l+AB
Dependiendo de los valores de la ganancia de lazo AB en la

ecuacin 3.2 se pueden considerar los siguientes casos especiales :
a) AB>0 : En este caso la ganancia del sistema G es menor que la
del camino directo y se dice que el sistema presenta realimentacin
negativa. A pesar de tener una perdida de ganancia veremos como otros
factores como, el ancho de banda, la distorsin, la impedancia de entrada,
la impedancia de salida, etc, se ven mejorados con respecto a los valores
del sistema sin realimentar . Adems, dentro de la realimentacin negativa
nos interesan las situaciones en las que AB1, ya que, en este caso, la
ganancia del sistema viene dada por la ecuacin 3 .3 y se hace
independiente de la ganancia del camino directo .
A 1
G= A (3 .3)
1+AB AB B
b) Lgicamente, cuando la ganancia del camino de
realimentacin B es nula la realimentacin desaparece y el sistema se
comporta como un sistema en lazo abierto cuya ganancia coincide con la
del camino directo G=A .
c) -1<AB<O : En este caso la ganancia del sistema es mayor que la
ganancia del camino directo por lo que a la realimentacin se le llama
realimentacin positiva . Se utilizaba antiguamente cuando las vlvulas
amplificadoras no proporcionaban los ndices de ganancia deseada, pero
Amplificacin 85
tiene el inconveniente de que se pueden encontrar problemas de

estabilidad .
d) AB=-1 : En este caso la ganancia del sistema se hace infinita,
lo que equivale a decir, como se explicar en adelante, que el sistema
producir una salida an en ausencia de entrada alguna . Esta
caracterstica es la base del funcionamiento de los circuitos osciladores
que en adelante estudiaremos .
e) AB<-1 : Ya justificaremos que, en este caso, el sistema es
totalmente inestable y cualquier seal de ruido puede provocar que la
salida del sistema crezca hasta su saturacin en uno de los voltajes de
alimentacin .
3.2 Realimentacin negativa
La mayora de los dispositivos activos presentan el problema de

que la ganancia vara mucho con la temperatura y entre los dispositivos
(incluso para dispositivos fabricados dentro de un mismo lote) . Estas
dependencias impondrn, por ejemplo, limitaciones a la hora de sustituir
dispositivos averiados, ya que, generalmente, no presentarn la misma
ganancia . Estos problemas se solventan mediante la realimentacin
negativa ya que como vimos con anterioridad, en el caso en que la
ganancia de lazo sea mucho mayor que la unidad, la ganancia del sistema
viene determinada, casi exclusivamente, por el inverso de la ganancia de
la red de realimentacin, ecuacin 3 .3 . El objetivo es construir esta red de
realimentacin con elementos pasivos (resistencias y condensadores) ya
que estos son muy estables frente a variaciones con la temperaturas y
muy precisos en el proceso de fabricacin . Al estar dicha red de
realimentacin construida con elementos pasivos su ganancia ser menor
que la unidad, por lo que, la ganancia del sistema G=1/B ser mayor que
la unidad .
Supongamos los casos de dos sistemas realimentados en los que
A 1 =100 .000, B 1 =1/100, A2=200 .000 y B2=1/100 .
Podemos observar como,
en ambos casos, estaramos bajo realimentacin negativa (AB>O) y
adems dentro del caso que nos interesa AB>1 . Si ahora calculamos la
ganancia en lazo cerrado por medio de la ecuacin 3.2 obtendremos que
G,=99 .90 y que G2=99 .95 . De lo anterior podemos deducir que un
cambio en la ganancia en lazo abierto del 100% produce nicamente un
cambio del 0 .05% en el valor de la ganancia global del sistema . En
adelante diremos que un sistema de estas caractersticas tiene una
ganancia aproximada de 1/B, en nuestro caso 100 .
86 Amplificacin
Vamos a plantearnos en este momento la construccin de un

sistema realimentado como el visto con anterioridad . Dicho sistema se
compone de tres elementos fundamentales : el camino de realimentacin
de ganancia 1/100 que puede construirse mediante un sencillo divisor de
voltaje como el de la figura 3.2 superior izquierda y, por otro lado, el
restador y el amplificador de ganancia A que pueden implementarse, a la
vez, por medio de un amplificador diferencial como el de la figura 3 .2
inferior izquierda (recordemos que estos dispositivos amplifican la
diferencia entre las dos seales de entrada) .
Figura 3 .2: Representacin temporal de una onda cuadrada de amplitud V

Si el amplificador diferencial se implementa con un amplificador
operacional 741 (ganancia en lazo abierto es del orden de 10 5), el
dispositivo que aparece en la figura 3.2 derecha es un amplificador no
inversor de ganancia 100 . Por ltimo, nos queda elegir los valores exactos
de las resistencias del divisor de voltaje que deben ser pequeas, en
comparacin con la resistencia de entrada del amplificador operacional, y
grandes, en comparacin con la de salida, para que sea ms valida la
aproximacin ideal para el amplificador operacional en la que se
considera que su resistencia de salida es cero y la de entrada infinito . Por
ello, los valores ptimos son del orden del KQ .
En resumen, los sistemas de realimentacin negativa :
1 .- Tienden a mantener su salida a pesar de las variaciones en el
camino directo o en el medio en el que se encuentran .
2 .- Requieren una ganancia del camino directo mayor que la que
sera necesaria para lograr la salida necesaria en ausencia de realimentacin .
3 .- El comportamiento global del sistema est determinado por el
camino de realimentacin .
Amplificacin 87
3.3 Topologas de los amplificadores realimentados
En el captulo anterior se estudi como dependiendo de los

valores de ciertas magnitudes los amplificadores se pueden clasificar en
cuatro categoras, de voltaje, de corriente, de transconductancia y de
transimpedancia . Dependiendo del tipo de amplificador requerido se
utilizar una determinada red de realimentacin que adems de estabilizar
la ganancia (de voltaje, corriente, transconductancia o transimpedancia),
mejore las resistencias de entrada y de salida, aumentndolas o
disminuyndolas, segn convenga con respecto a los valores del
amplificador sin realimentar . Es decir, si disponemos de un amplificador
de voltaje, con alta resistencia de entrada y baja de salida, la
realimentacin convenientemente utilizada aumentara todava ms el
valor de la resistencia de entrada y disminuir la de salida . Debido a ello,
a cada tipo de amplificador le corresponde una red de realimentacin
adecuada, dando lugar a cuatro tipos de amplificadores realimentados
serie-paralelo, paralelo-paralelo, paralelo-serie y serie-serie .
3.3 .1 Amplificador serie paralelo
En este caso, la realimentacin detecta el voltaje de salida y resta
a la entrada de la etapa amplificadora un voltaje proporcional al mismo .
Este tipo de montaje se muestra en la figura 3 .3 y se le denomina
retroalimentacin de tensin-resta de tensin o tambin
realimentacin de tensin proporcional a la tensin de salida . Debido
a la forma de conexin de la red de realimentacin tambin se le
denomina amplificador serie paralelo . En este caso la realimentacin
aumentar la resistencia de entrada del amplificador y disminuir la de
salida con respecto a los valores del amplificador sin realimentar, rasgos
deseados en un buen amplificador de voltaje .
Figura 3 .3 : Topologa serie-paralelo

88 Amplificacin
3.3 .2 Amplificador paralelo paralelo

En este caso la realimentacin tambin detecta el voltaje aplicado
a la carga, pero resta una corriente a la entrada del amplificador
proporcional a dicho voltaje de salida . Por ello, se denomina
realimentacin de corriente proporcional al voltaje de salida o
retroalimentacin de voltaje-resta de corriente, o tambin,
amplificador paralelo . Una conexin de este tipo aparece en la figura 3 .4
y reduce la impedancia de entrada y la de salida con respecto a sus
valores en lazo abierto lo que hace que este amplificador sea un buen
amplificador de transimpedancia .
vo,
Figura 3 .4 : Topologa paralelo-paralelo
3.3 .3 Amplificador serie serie

Como puede verse en la figura 3 .5, esta realimentacin detecta la
corriente de salida y resta un voltaje a la entrada proporcional al valor de
dicha corriente y se denomina realimentacin de voltaje proporcional a
la corriente de salida o retroalimentacin de corriente resta de
voltaje . Este montaje aumenta la impedancia de entrada y la de salida lo
que hace al dispositivo un buen amplificador de transconductancia o
convertidor de tensin a corriente .
io
Rs
Figura 3 .5 : Topologa serie-serie .

Amplificacin 89
3.3 .4 Amplificador paralelo serie

Este ltimo tipo de realimentacin, figura 3 .6, resta una corriente
a la entrada proporcional a la corriente de salida, por lo cual se denomina
realimentacin de corriente proporcional a la corriente de salida o
tambin retroalimentacin de corriente resta de corriente . Este tipo de
realimentacin disminuye la, resistencia de entrada y aumenta la
resistencia de salida con respecto a los valores del amplificador sin
realimentar .
ii lo
Figura 3 .6 : Topologa paralelo-serie
3.4 Efectos de la realimentacin negativa
En esta seccin nos centraremos en el caso de realimentacin

negativa y estudiaremos como afecta dicha realimentacin a la ganancia,
ancho de banda y resistencias de entrada y salida para cada una de las
topologas de amplificadores vistas en la seccin anterior.
3.4 .1 Ganancia
Recordemos que bajo realimentacin negativa G<A, es decir, la
ganancia del sistema en lazo cerrado es menor que la ganancia del
camino directo . Es el precio que hay que pagar si se quieren mejorar otros
parmetros . Recordemos que una forma de aumentar la ganancia si una
simple etapa no cumple nuestros requerimientos es conectar varias etapas
amplificadoras en cascada .
3.4 .2 Respuesta en frecuencias
Como vimos en captulos anteriores, la ganancia de un
amplificador en general depende de la frecuencia y viene caracterizada
por un ancho de banda BW y una serie de frecuencias de corte superiores
e inferiores . Podra pensarse, que en el caso de que la ganancia de lazo
AB1, como la ganancia del sistema G es igual a lIB y depende
90 Amplificacin
exclusivamente de la red de realimentacin, en el caso de que sta este

construida nicamente con resistencias, la ganancia en lazo cerrado G no
depender de la frecuencia y ser un valor constante para todo el rango de
frecuencia (BW=o) . Desafortunadamente, sto no es cierto debido a que
existir un rango de frecuencias en el que la ganancia del camino directo
disminuir tanto que ya no se cumplir la desigualdad AB>l dejando
de ser cierta la igualdad G =lIB . El ancho de banda de un amplificador
realimentado puede deducirse del diagrama de Bode del mdulo de la
ganancia del camino directo como puede observarse en la figura 3.7 .
Al
T
AB 1
AB =1
AB<1
log w
Figura 3 .7 : Efecto sobre la ganancia y el ancho de banda de un amplificador
realimentado.
Como puede observarse en dicha figura, la realimentacin
negativa, efectivamente, disminuye la ganancia del amplificador pero
mejora considerablemente el ancho de banda . Aquellas aplicaciones que
requieran un gran ancho de banda necesitarn una red de realimentacin
con B1, lo que provocar que el sistema tenga una ganancia muy baja .
La forma de aumentar esta ganancia consiste en colocar varias etapas
amplificadoras en cascada.
3 .4 .2 .1 Amplificador operacional
En el caso particular de un amplificador operacional, la respuesta
en frecuencias viene caracterizada por la presencia de un polo dominante
w, a una frecuencia aproximadamente igual a 10 Hz como puede
observarse en la figura 2 .18 . De esta forma, la ganancia de dicho
amplificador en lazo abierto AVOL vendr dada por la ecuacin 3 .4 . Si
realimentamos dicho amplificador con una red de realimentacin de
ganancia B, la ganancia del sistema realimentado A cL vendr dada por la
ecuacin 3 .5, que tiene la misma forma general que la del amplificador
sin realimentar (ecuacin 3.4) excepto que la ganancia a frecuencias
medias se reduce en un factor (1 +A^ y el ancho de banda aumenta justo

Amplificacin 91
en la misma cantidad (ntese que por solo tener frecuencia de corte

superior, el ancho de banda coincide con el valor de dicha frecuencia) .
AoL 1+ (3 .4)
W/
J w
1
A,
A,
1+
AOL _ 1+AB
AcL (3 .5)
1+AoLB A,
1+ B 1+7 /w,(1+Av B)
1+
De esta forma, el producto ganancia-ancho de banda del sistema

permanece constante para cualquier valor de la ganancia del camino de
realimentacin B . Adems, el valor de esta constante coincidir con el
valor de la frecuencia unidad fT definida en el captulo anterior . El valor
tpico de esta frecuencia para una amplificador operacional 741 suele ser
de 1 MHz .
BWOL AoL = BWcL AcL = cte = fT (3 .6)
A,
i
log w
Figura 3 .8 : Efectos de la realimentacin negativa sobre un amplificador
operacional .
3.4 .3 Resistencia de entrada

Dentro de esta seccin, distinguiremos entre las topologas que
presentan una conexin serie a la entrada y las que presentan una
conexin en paralelo .

92 Amplificacin
3.4 .3 .1 Entrada serie

Estos amplificadores toman un voltaje de entrada por lo que
deben tener una alta impedancia de entrada . Vamos a demostrar que la
red de realimentacin elegida en cada caso aumenta el valor de dicha
resistencia de entrada con respecto al valor de la del amplificador sin
realimentar .
Serie-paralelo
Para un clculo aproximado de la resistencia de entrada del
amplificador de la figura 3.3 vamos a suponer que la impedancia de
salida del amplificador es despreciable frente al valor de la carga por lo
que podemos suponer que no produce cada de tensin alguna . De esta
forma se cumple que :
v' ; = v i + v f = v ; + BA v vl = vi (1 +BAv ) (3 .7)
de donde se obtiene que la impedancia de entrada del

amplificador realimentado viene dada por la siguiente expresin :
Z', - vI = v` (1 + BA v ) = Z i (1 + BA v ) (3.8)
La ecuacin 3.8 desprende que la impedancia de entrada del

amplificador realimentado Z,' se ve aumentada en un factor (1+A vB) con
respecto al valor del amplificador sin realimentar .
Serie-serie
En este caso, figura 3.5, el amplificador entrega una corriente a la
carga por lo que es de esperar que tenga una impedancia de salida tan alta
que vamos a suponer, para un clculo aproximado de la impedancia de
entrada, que es infinita . Por ello, se cumple que :
vi v i +v f -v; +Bg,,,v; =v,(1+Bg m ) (3.9)
v
' = VIS = (1+Bg m )=Z ;(1+Bg m ) (3 .10)
i~ ar
De nuevo la realimentacin mejora la impedancia de entrada en

un factor (1+g mB).
3 .4 .3 .2 Entrada paralelo
Estos amplificadores toman corriente por lo que deben tener una
baja impedancia de entrada .

Amplificacin 93
Paralelo paralelo
Si en el amplificador de la figura 3.4 suponemos que la
impedancia de salida es cero podemos escribir :
i ' i =ii+if -ii+BZ m i i =i i (1+BZm ) (3 .11)

Z' . = Vi = vi = Zi (3 .12)
i' (1+BZ m ) ( 1+BZ m )
La realimentacin mejora la impedancia de entrada en un factor

(1+BZm).
Paralelo-serie
Si en el amplificador de la figura 3 .6 suponemos ahora que la
impedancia de salida es infinita se satisfacen las siguientes expresiones :
i ' i = ii + if - i i + BA i i i = i i (1 + BA i ) (3.13)

Z' . = Vi = Vi
= Z (3 .14)
i 'i ii (1+BA i) (1+BAi )
de las que se obtiene que la impedancia de entrada del

amplificador mejora en un factor (1+A iB).
3.4 .4 Resistencia de salida
Para este estudio cabe tambin distinguir entre los amplificadores
que presentan una conexin serie a la salida y los que la presentan
paralelo .
3 .4 .4 .1 Salida serie
Los amplificadores entregan corriente a la carga por lo que deben
tener una alta impedancia de salida que ser mejorada con respecto a su
valor sin realimentar por la red de realimentacin .
Paralelo-serie
Para calcular la resistencia de salida del amplificador de la figura
3.6 se anulan todas las fuente independientes del circuito (,=O) y se
supone que la impedancia de salida del generador R,, es muy grande en
comparacin con Ri, cumplindose por tanto las siguientes expresiones :
v o = (io - Ai ii )Z o = (io + Ai Bi o )Zo (3 .15)
Z' o = vo = Zo (1 + BAi ) (3 .16)

io

94 Amplificacin
En la ecuacin 3.16 podemos observar como la impedancia de

salida tambin mejora en un factor (1+A iB) .
Serie-serie
De igual forma podra deducirse que en el amplificador de la
figura 3.5 la impedancia de salida viene dada por la ecuacin 3.17.
Z'o =- =Z o (1+g m B) (3 .17)

Zo
3.4 .4 .2 Salida paralelo

Los amplificadores entregan voltaje a la carga por lo que deben
tener una baja impedancia de salida .
Serie-paralelo
Si en el amplificador de la figura 3.3 hacemos v r=0 y suponemos
despreciable la impedancia de salida del generador Rs, se obtiene que :
vo = Z + Avi = Z - A vBvo (3 .18)
de donde
= 1 ZAo
Z' o = 00 (3 .19)
o A, B
De igual forma se puede deducir que en el amplificador de la

figura 3.4 la impedancia de salida viene dada por la ecuacin 3.20 .
Z10
= v = Z (3 .20)
io 1+Z m B
Ejemplo 3 .1 : Para el amplificador no inversor de la figura

3.9, con R,=100K y R2=1K, calcula la ganancia del camino
directo, la ganancia del camino de realimentacin, la
ganancia de lazo, la resistencia de entrada y la resistencia de
salida .
Todos los resultados obtenidos anteriormente se han basado en la
suposicin de que la red de realimentacin es una fuente dependiente
ideal . En el caso real, esto no ocurrir, por lo que la modelaremos con su
equivalente h, g, y o z dependiendo del caso como vimos en la seccin
1 .16. El siguiente paso para considerar la red de realimentacin como una
fuente dependiente ideal, consiste en tomar sus respectivas resistencias de
Amplificacin 95
entrada y salida como partes del camino directo . En la seccin 3.8 se

muestra un ejemplo de la aplicacin del mtodo que estamos citando .
3.5 Ejemplos de circuitos realimentados
En esta seccin estudiaremos una serie de circuitos construidos a

partir de un amplificador operacional, en los que, es la estructura de la red
de realimentacin la que va a imponer la funcionalidad global del
circuito .
3.5 .1 Amplificador no inversor
El amplificador que vamos a estudiar en esta seccin se
denomina amplificador no inversor debido a que la seal de salida esta en
fase con la seal de entrada y su esquema se puede observar en la figura
3.9 .
Figura 3 .9 : Amplificador no inversor

Para el clculo de la ganancia del mencionado circuito se debe en
primer lugar encontrar su modelo de pequea seal, figura 3 .10, que se
obtiene sustituyendo el amplificador operacional por su correspondiente
modelo de pequea seal visto en la figura 2 .16.
R
A
Figura 3 .10 : Modelo de pequea seal del amplificador no inversor .

La resolucin exacta de dicho circuito nos conduce a una
expresin para la ganancia excesivamente aparatosa, con trminos que se
pueden despreciar cuando tengamos en cuenta los valores de las
resistencias y de la ganancia de voltaje del amplificador que interviene en

96 Amplificacin
el circuito (R,_10 652, Ro _5052 y A_10 5 en el caso de LM741C) . Por ello,

es mejor considerar de antemano para la obtencin de una expresin
sencilla, pero muy aproximada, que la resistencia de salida es tan pequea
que se puede considerar un cortocircuito y que la de entrada es tan grande
que se puede considerar un circuito abierto . Haciendo estas suposiciones
es sencillo obtener que la ganancia del amplificador considerado viene
dada por la ecuacin 3 .21 .
AcL= A,R (3 .21)

1+Av 2
R, +R2
Adems, si se cumple que la cantidad A vB es mucho mayor que la

unidad, la ganancia del sistema vendr dada por el inverso de la ganancia
del camino de realimentacin B .
R2 +R2
A
A, 1= ACL
cL = R' R2 (3 .22)
R l + R2
Existe otra forma mucho ms sencilla de llegar a esta ltima

expresin para la ganancia del sistema sin la obtencin, ni siquiera, del
modelo de pequea seal, que consiste en suponer que el amplificador
operacional es ideal :
1 .- La resistencia de entrada es infinita de tal forma que no
absorbe corriente por sus terminales de entrada . De esta forma, podemos
considerar que la red de realimentacin se comporta como un divisor de
tensin .
2 .- La resistencia de salida es nula .
3 .- La ganancia de voltaje es infinita lo que implica que para que
la salida sea un nmero finito la diferencia entre las seales de entrada
debe ser nula o lo que es lo mismo v + = v_ .
De las suposiciones anteriores se pueden deducir las siguientes
igualdades :
R2 v R, + R2
v; = v + = V_ =Vo = AcL = - (3 .23)
R, +R2 v; R2
Este circuito constituye un ejemplo de realimentacin de tensin

proporcional a la tensin de salida .

Amplificacin 97
Un caso particular de este amplificador surge cuando se toman

las resistencias de realimentacin de valores R2 =o y R1 =0. Puede
comprobarse como, en este caso, la ganancia del amplificador vale la
unidad y al circuito se le denomina seguidor de voltaje . Adems su alta
resistencia de entrada y baja resistencia de salida lo hacen ideal para su
utilizacin como etapa separadora o adaptador de impedancias .
3.5 .2 Amplificador inversor

Se denomina amplificador inversor al montaje de la figura 3 .11 .
A partir de la suposicin de amplificador operacional ideal es sencillo
obtener que su ganancia viene dada por la ecuacin 3.24 .
v_ =v, =O=> A CL =_R2 (3 .24)
Como puede observarse en la ecuacin 3 .24, se puede considerar

que la entrada inversora del amplificador operacional tambin se puede
considerar conectada a tierra y se dice que es un punto de tierra virtual .
El amplificador se denomina inversor por que la seal de salida est
desfasada 180 con respecto a la seal de entrada y constituye un ejemplo
de realimentacin de corriente proporcional a la tensin de salida o
amplificador paralelo-paralelo .
Figura 3 .11 : Amplificador inversor
3.5.3 Restador
Si observamos el circuito de la figura 3.12 y calculamos la
expresin de su ganancia a partir de la suposicin de amplificador
operacional ideal obtendremos las expresiones 3 .25 .
R2
;V + = v = v0 _ - (v2 - v,) (3 .25)
v+> R > R2
+ R2 v R v2 Ri + R 2 i
Adems en el caso particular de que las resistencias R, y R2 sean

iguales, la salida del amplificador ser justamente la resta de los voltajes
de entrada.

98 Amplificacin
Figura 3 .12 : Restador

3.5.4 Integrador
El circuito de la figura 3.13 recibe su nombre debido a que el
voltaje de salida es justamente proporcional a la integral en el tiempo del
voltaje de entrada .
Aplicando en dicho circuito el principio de tierra virtual y la
relacin i-v que se produce en un condensador, se pueden obtener las
siguientes ecuaciones :
t r/ r
vo (t) = 1 f i, (r)di = 1
Co
f
C o`
_ v` (z)
R
dr = -
1
RC o
f v; (r)dz (3 .26)
ie C
Figura 3 .13 : Integrador

En este circuito hay que tener un cuidado especial con el voltaje
de offset a la entrada del amplificador puesto que podra provocar que la
tensin de salida se saturase en uno de los voltajes de alimentacin .
3.5 .5 Convertidor de tensin a corriente, amplificador de
transconductancia
Este tipo de circuitos entregan una corriente a la carga proporcional
a la tensin de entrada e independiente del valor de la carga. Un ejemplo de
este tipo de circuitos se encuentra en la figura 3 .14, en el que aplicando el
Amplificacin 99
principio de tierra virtual es sencillo deducir que la corriente i1 que circula por
la carga es igual al cociente entre el voltaje de entrada vs y la resistencia de
carga RL como muestra la ecuacin 3.27. Los inconvenientes de este circuito
son que en primer lugar la carga no esta aterrada y en segundo lugar que la
corriente suministrada a la carga debe ser suministrada por el generador vs.
Figura 3 .14 : Convertidor de tensin a corriente
S
l L -- -
V (3 .27)
R
El circuito de la figura 3.15 mejora el diseo anterior, ya que en
este caso la corriente de salida no es suministrada por el generador de
seal . De nuevo, bajo las suposiciones de comportamiento ideal para el
amplificador operacional, se puede demostrar que la corriente que circula
por la carga viene dada por la ecuacin 3.27.
Figura 3 .15 : Convertidor de tensin a corriente

El circuito de la figura 3 .16 realiza la misma funcin que los
anteriores, solo que en este caso, la carga si que esta aterrada . Es sencillo
demostrar que la corriente que circula por la carga viene dada por la
ecuacin 3 .28 . Adems, si las resistencias se escogen de tal forma que se
cumpla la igualdad R4/R1=R3/R2, la corriente que circula por la carga
viene dada por la ecuacin 3 .29 .
vs
lL = (3 .28)
R'
RL - R3 (RL + R2)
R4 R2

100 Amplificacin
(3 .29)
R2
Figura 3 .16: Convertidor de tensin a corriente
3.5 .6 Convertidor de corriente a tensin

El circuito de la figura 3.17 entrega una tensin a la carga
proporcional a la corriente de entrada is. Aplicando el principio de tierra
virtual puede observarse como la corriente que circula por la resistencia
RS es nula y que por tanto el voltaje de salida viene dado por la ecuacin
3.30 .
Figura 3 .17 : Convertidor de corriente a tensin
vo =-i s R (3 .30)
En este circuito, el lmite inferior de la corriente que debe

suministrar el generador lo impone la corriente de polarizacin de la
entrada inversora .
3.6 Estabilidad
En las secciones anteriores hemos visto las ventajas de utilizar la

realimentacin negativa . Pero la realimentacin mal utilizada puede hacer
que el sistema se haga inestable, provocando que la salida del
amplificador se sature en unos de los voltajes de alimentacin V + o V . En

Amplificacin 101
la seccin 3.1 pusimos de manifiesto que si la ganancia de lazo de un

sistema realimentado cumple para alguna frecuencia que AB < -1, es
decir, que su mdulo es mayor que la unidad (0 dB) cuando la fase es
180, el sistema es inestable .
Una forma de observar porque un amplificador realimentado con
AB<-1 es inestable y si en cambio AB>-1 es estable puede realizarse
deduciendo iterativamente el valor de la salida de los sistemas
realimentados que aparecen en la figura 3.18. En el caso en que A2B 2=-
0.1 tenemos realimentacin positiva y la salida del sistema tiende a un
valor estable G=11 .11, que es justamente la ganancia en lazo cerrado del
sistema . En el caso en que A1B1=-10 el sistema se hace totalmente
inestable y la salida crece indefinidamente .
La situacin en la que un amplificador es inestable se puede
producir en algunos amplificadores para ciertas frecuencias, aunque en
otro intervalo de frecuencias tengamos realimentacin negativa . Esta
situacin, puede observarse en la figura 3.19, concretamente en la lnea
continua, y es provocada por la presencia de las capacidades parsitas .
Restador
> IA21=1o
1V > Salida
Sumador ya que
el desfase es 180 11321=0 .01
1
Figura 3 .18 : Sistemas realimentados estable e inestable
Para estudiar la estabilidad de un amplificador se definen los

conceptos margen de fase y margen de ganancia a partir de la ganancia de
lazo AB .
Se define el margen de fase de un amplificador, como el ngulo
de fase que falta para que la fase de la ganancia de lazo llegue a 180
cuando su mdulo valga la unidad .
Se define el margen de ganancia de un amplificador, como la
cantidad, en dB, que el mdulo de la ganancia de lazo AB es menor que
0dB cuando su fase valga 180 .
Segn todo lo dicho con anterioridad, un sistema en lazo cerrado
es estable cuando el margen de fase es positivo, o tambin, cuando el
margen de ganancia es positivo . Como puede observarse en la figura
3.19, un amplificador es estable o inestable dependiendo del valor del
102 Amplificacin
mdulo de la ganancia de lazo a frecuencias medias y de la posicin de

las frecuencias de corte debidas a las capacidades parsitas . En el caso
particular en el que la ganancia de lazo de un sistema venga dada por la
lnea continua de la figura 3 .19, el amplificador es inestable y cualquier
seal de ruido con una frecuencia, en la que el modulo de AB sea mayor
que la unidad cuando el ngulo de fase valga 180, crecera
indefinidamente hasta saturar la salida del amplificador en uno de los
voltajes de alimentacin .
Existen varias formas de estabilizar un amplificador, es decir, que
su margen de fase sea positivo .
1 .- Disminuir la ganancia de lazo AB . Como puede observarse en
la figura 3 .19, la lnea se obtiene disminuyendo el mdulo de la
ganancia de lazo sin que por ello se alterare su fase, ya que esta ltima,
depende nicamente de la posicin de las frecuencias de corte . Este
nuevo diseo correspondera al de un amplificador estable . Esta forma de
estabilizar el amplificador no es aconsejable porque reduciramos las
ventajas ofrecidas por la realimentacin negativa . Recordemos que todos
los parmetros mejorados por esta realimentacin lo hacan en un factor
1+AB .
2 .- Otra forma alternativa, consiste en introducir una
frecuencia de corte a bajas frecuencias, de tal forma que la primera
frecuencia de corte debida a las capacidades parsitas se convierta
ahora en la segunda . El valor de esta nueva frecuencia de corte
depender del margen de fase requerido . Un valor tpico del MF en los
amplificadores es de 45, que se consigue haciendo que el mdulo de
AB sea de 0dB en la primera frecuencia de corte debida a las
capacidades parsitas . A esta tcnica, se le denomina compensacin
por polo dominante y puede observarse grficamente con la lnea
- - - de la figura 3.19 .
Un ejemplo de amplificador compensado es el amplificador
operacional LM741C . En dicho amplificador se coloca una primera
frecuencia de corte a los 10Hz para que la frecuencia unidad sea de
1Mhz (frecuencia a la que aparece la primera frecuencia de corte
debida a las capacidades parsitas) . De esta forma, se asegura la
estabilidad del amplificador con cualquier red de realimentacin con
B<1 (AB<A) .
Existen otras tcnicas de compensacin como la denominada
cancelacin polo-cero pero escapan del objetivo de este libro .
104 Realimentacin
Otra forma alternativa de estudiar la estabilidad de un sistema

consiste en estudiar los polos de su funcin de transferencia . Un sistema
es estable cuando todos los polos de la funcin de transferencia tienen
parte real negativa. Desde este punto de vista, para observar como la
realimentacin puede inestabilizar un sistema, consideremos un sistema
cuya ganancia en lazo abierto A(s) presenta tres polos reales s , s2 y s3.
Cuando este sistema se realimenta con una red de realimentacin de
ganancia B, independiente de la frecuencia, el hecho de aumentar la
ganancia de la red de realimentacin equivale a que los polos se muevan
de acuerdo con las trayectorias de la figura 3 .20 . Es decir, existe un valor
mximo para la ganancia de la red de realimentacin para la cual los
polos permanecen en la parte izquierda del plano s . En los casos en los
que la ganancia en lazo abierto del sistema realimentado tenga menos de
tres polos el sistema es estable, independientemente del valor de la
ganancia de la red de realimentacin, puesto que la fase de la ganancia de
lazo nunca alcanzar los 180 .
r
Figura 3 .20 : Localizacin de los polos de un amplificador realimentado cuya
funcin de transferencia en lazo abierto presenta tres polos reales.
3.7 Osciladores senoidales
Como mencionamos en la seccin 3.1, cuando la ganancia de

lazo de un sistema realimentado es igual a -1 para alguna frecuencia
(MF=0), la ganancia del sistema es infinita y el sistema produce salida
an en ausencia de entrada . Esto puede explicarse observando la figura
3 .21 izquierda . Supongamos que en instante t=0 la entrada del camino
directo est conectada a la seal de entrada x i que llamaremos tensin de
arranque . Si en un instante posterior cambiamos el interruptor y
conectamos la entrada del camino directo a la salida del restador,
seguiremos teniendo la tensin xi, con lo que la salida del sistema se
mantendra constante indefinidamente a pesar de que el circuito no reciba
ninguna tensin exterior .
Realimentacin 105
. X0
1A
Figura 3 .21 : Esquemas de osciladores
Por otro lado, anteriormente, la presencia del restador era

conveniente debido a que el camino directo se implementaba con un
amplificador diferencial cuya salida es proporcional a la diferencia entre
las tensiones de entrada . Si ahora queremos ahorrarnos la presencia del
restador, tambin se puede conseguir ganancia infinita mediante el
montaje que aparece en la figura 3 .21 derecha, es decir, en ausencia de
restador y haciendo que la ganancia de lazo valga exactamente la unidad .
Lo mencionado anteriormente es una utopa, ya que es
prcticamente imposible que la ganancia de lazo AB valga exactamente la
unidad y si por cualquier motivo sta crece, la seal de salida crecer
indefinidamente hasta saturarse en uno de los voltajes de alimentacin . Si
por el contrario AB disminuye por debajo de la unidad, la ganancia del
sistema ser finita y al no haber tensin de entrada aplicada al circuito, la
salida se atenuar hasta desaparecer . Adems, en el planteamiento
anterior necesitamos la presencia de lo que denominamos una tensin de
arranque que en la prctica no ser necesaria .
En el diseo de un oscilador prctico hay que mencionar tres
aspectos fundamentales :
1 .- Cualquier resistencia en el circuito genera ruido trmico
(debido al movimiento aleatorio de los tomos) . Este ruido es una mezcla
de pequeas seales a todas las frecuencias incluso por encima de los
1000Ghz .
2.- Para que el oscilador funcione se debe hacer que la ganancia
de lazo sea ligeramente superior a la unidad . aproximadamente 1 .05,
(IABI=1 .05 (PAB =O) para una nica frecuencia, la frecuencia de
oscilacin. Esto suele hacerse utilizando caminos de realimentacin cuyo
ngulo de fase es 0 (180) para una frecuencia dada y un amplificador no
inversor (inversor) de ganancia un poco mayor que el inverso de la
ganancia de la red de realimentacin a la frecuencia para la cual la fase es
de 0 (180) .

106 Realimentacin
3 .- Cuando el sistema se pone en funcionamiento, las nicas seales

en el circuito son el ruido trmico generado en las resistencias . Todas las
seales de ruido con frecuencias distintas a la frecuencia de oscilacin se
atenuarn y las que tienen frecuencia igual a la de oscilacin crecern, debido
a que para esta frecuencia se cumple que AB=1 .05>1 . Dicho de este modo, la
seal de salida sera una onda senoidal de frecuencia, la frecuencia de
oscilacin y de amplitud creciente - indefinidamente . El hecho de que la
amplitud de la seal de salida crezca indefinidamente es indeseable, pero
afortunadamente, en este caso, aparecen las no linealidades del amplificador .
Estas no linealidades harn que la ganancia del amplificador disminuya
cuando el voltaje de salida alcance un nivel determinado, hasta alcanzar un
estado de equilibrio cuando AB=l, en el que el sistema se estabilizar
manteniendo su salida constante .
En resumen, en todo oscilador prctico la ganancia de lazo es
ligeramente mayor que la unidad, y la amplitud de oscilacin esta
limitada por el inicio de la no linealidad .
3.7 .1 Oscilador en puente de Wien
El oscilador en puente de Wien utiliza como camino de
realimentacin un filtro paso banda como el de la figura 3.22 . Puede
demostrarse como la funcin de transferencia de dicho camino de
realimentacin viene dada por la ecuacin 3.31 y que a la frecuencia
wR=1IRC (frecuencia a la que se anula la parte imaginaria) toma el valor 1/3 .
vo _ 1
(3 .31)
v; ~1-w zK2 C2
3-j
wRC
i
Figura 3 .22 : Filtro paso banda .
De los resultados anteriores podemos deducir que para construir

el amplificador completo necesitamos un amplificador no inversor que
proporcione una ganancia para el camino directo igual, o un poco

Realimentacin 107
superior a 3 . De esta forma, el diseo completo de un oscilador en puente

de Wien lo podemos observar en la figura 3 .23 . En dicha figura se puede
distinguir claramente el camino directo, formado por un amplificador no
inversor de ganancia 3 y la red de realimentacin de la figura 3.22 .
Figura 3 .23 : Oscilador en puente de Wien

La resistencia R2 suele sustituirse por un potencimetro que
permita ajustar la ganancia del amplificador a un valor adecuado para
conseguir las oscilaciones .
Para pequeos cambios en la frecuencia de oscilacin se suelen
utilizar condensadores variables (apareados) y para cambios grandes
(cambios de escala) se suelen utilizar distintas resistencias .
Adems, existen otros mtodos para limitar el valor de la oscilacin,
por ejemplo reemplazar la resistencia variable R2 por un termistor de
coeficiente de temperatura negativo (NTC) . La resistencia se elige de tal
forma que a temperatura de ambiente la ganancia sea un poco mayor que la
requerida para la oscilacin, y por tanto aumente la amplitud de salida .
Cuando la amplitud de la seal de salida aumente considerablemente, el
termistor disipara ms potencia y se calentar, por lo que disminuye su
resistencia y por tanto la ganancia del camino directo . La amplitud de
oscilacin se estabilizar en el punto el que AB= 1 .
3.7 .1 .1 Control de amplitud no lineal .
Son mtodos que permiten controlar al usuario la amplitud de la
seal ofrecida por el oscilador . En la seccin anterior, esta amplitud
estaba controlada por las caractersticas del amplificador, es decir, por el
momento en que aparecan las no linealidades en su VTC . En esta seccin
F se presenta un circuito empleado para controlar la forma de la VTC del
amplificador, controlando por ello el momento en que aparecen las no
linealidades . Dichos circuitos estn basado en los circuitos limitadores de
seal construidos con diodos que estudiaremos en el captulo 5.

108 Realimentacin
Un ejemplo de amplificador con control no lineal de amplitud

utilizado para el diseo de osciladores puede observarse en la figura 3 .24 .
Figura 3 .24 : Amplificador con control de amplitud no lineal .
La VTC del circuito de la figura 3.24 puede observarse en la figura

3.25, en la que los valores L + y L_ vienen dados por las ecuaciones 3.32 .
/
L_ =-V R 3 -VD 1+ R 3
R2 R2 ,
(3 .32)
R R ~ ~
=V 4 +VD 1+ 4
R5 \ R5
Rf IR 4
Pendiente =_
R,
Rt
Pendiente= R,
vi
t I IR,
Pendiente = - R
R,
Figura 3 .25 : VTC de un amplificador con control de amplitud no lineal

0
y ci 1--~

110 Realimentacin
En la figura 3.26 se muestra un diseo de amplificador en puente

de Wien con control de amplitud no lineal y un diseo alternativo que
incluye la presencia de un potencimetro que permite variar la amplitud
de las oscilaciones .
Por otro lado, en las grficas que se muestran en las figuras 3 .27,
3.28 y 3.29, se muestran las salidas del oscilador en Puente de Wien de la
figura 3.26b para distintos valores del potencimetro . Este potencimetro
se ha simulado mediante dos resistencias R ia y R lb en serie y la
simulacin se ha llevado a cabo con el programa para la simulacin de
circuitos de libre distribucin Winspice3 . En el apndice final de este
libro se encuentran algunos detalles de la simulacin del citado circuito .
15
-5
-10
-15
0,04 0,042 0,044 0,046 0,048 0,05 0,052 0,054 0,056
Tiempo (s)
Figura 3 .27 : R1=19K y R2=31 K .
15
-5
-10
-15 I
0,02 0,022 0,024 0,026 0,028 0,03 0,032 0,034
Tiempo (s)
Figura 3 .28 : R1=18K y R2=3 2K

Realimentacin 111
15
J J
-15
0,005 0,006 0,007 0,008 0,009 0,01 0,011 0,012 0,013 0,014 0,015
Tiempo (s)
Figura 3 .29 : R1=15K y R2=35K
3.8 Un nuevo mtodo para la resolucin de circuitos

realimentados
En esta seccin proponemos un nuevo mtodo que nos permite de

forma ordenada la obtencin de la ganancia del camino directo, del
camino de realimentacin y la resistencia de entrada y salida de cualquier
circuito realimentado . El mtodo, como comentamos en la seccin
3.4 .4.2, est basado en la modelizacin de la red de realimentacin con
una fuente dependiente para que sean validos todos los resultados
obtenidos en las secciones 3.4.3 y 3 .4.4 . Para una mayor comprensin
vamos a aplicarlo a la resolucin del amplificador inversor de la figura
3.9 y requiere los siguientes pasos :
1 .- Identificar el tipo de realimentacin y de amplificador, en este
caso, realimentacin de tensin proporcional a la tensin de salida o lo
que es lo mismo amplificador serie-paralelo .
2.- Para este tipo de amplificador, si observamos la figura 3.3, la
red de realimentacin es una fuente de tensin controlada por tensin .
Luego el siguiente paso consiste en reducir nuestra red de realimentacin,
en este caso, formada por el divisor de tensin de las resistencias R, y R2
a una fuente dependiente de tensin controlada por tensin . Para ello se
utilizan los parmetros g, que son los que en definitiva modelan la red
lineal de dos puertas mediante la fuente dependiente deseada como se
puede observar en la figura 1 .31 .
Es tambin comn suponer que por el camino directo la
informacin va desde la entrada a la salida del amplificador y por el
camino de realimentacin la nica informacin que circula es la que va
desde la salida del amplificador (entrada de la red de realimentacin),
112 Realimentacin
hasta la entrada del mismo (salida de la red de realimentacin) . Esto es lo

mismo que considerar el parmetro 9 12 , que modela como se ve afectada
la seal de entrada a la realimentacin por el valor de las seales a la
salida, de valor nulo . De esta forma, el clculo de los parmetros gll, 921
y g22 nos lleva a la modelizacin de nuestra red de realimentacin por el
cuadripolo de la figura 3 .30 .
R, 1R2
Figura 3 .30 : Modelo con parmetros g de la red de realimentacin formada por el

divisor de tensin de las resistencias R, y R2-
3 .- Considerando ahora el modelo de pequea seal del

amplificador operacional y el modelo con parmetros g de la red de
realimentacin obtenido en el apartado anterior, el modelo de pequea
seal del amplificador inversor se puede observar en la figura 3.31 .
R.
Figura 3 .3 1 :
4 .- Por otro lado para considerar nuestra red de realimentacin

como una fuente dependiente ideal sus resistencias de entrada y salida las
vamos a suponer parte del camino directo, de esta forma, el circuito de la
figura 3 .31 se transforma en el de la figura 3 .32 .

Realimentacin 113
R0
Figura 3 .32 :
5.- Como el amplificador serie-paralelo es un amplificador de

voltaje, la ganancia del camino directo viene dada por la ganancia en
ausencia de realimentacin del circuito de la figura 3.32 y se deduce de
las ecuaciones 3.33 .
vo R1 +R2
oL
Ro + R1 +R 2
vi Ri
(3 .33)
V S OL
Ri + (R 1 11 R2)
R1 +R 2 Ri
A=-
V A A
vS oL Ro + R 1 +R2 Ri +(R 1 II R2) -
6.- Una vez calculadas la ganancia del camino directo A y la

ganancia del camino de realimentacin B, igual al parmetro g21
calculado con anterioridad, es inmediato calcular la ganancia total del
sistema :
Ri RZ
(3 .34)
G 1 AB R2 =
R2
1+AA,,
v
Rt +R2
7.- De la misma forma, utilizando la ecuacin 3.8 para la

resistencia de entrada del amplificador serie paralelo y teniendo en cuenta
que la impedancia que se ve desde los terminales de entrada del

114 Realimentacin
amplificador de la figura 3 .32 en lazo abierto, no es R i , sino Ri +(R1 1IR2 ),

se obtiene que :
R2R
Ri = (R i + (R1 II R2 ))(1 + AB) _ (Ri + (R 1 II R 2 ))(1 + Av ) (3 .35)
R1 2
Y utilizando la ecuacin 3 .19 para la resistencia de salida se
obtiene que :
II (Rt + R2) _ R II (Ri + R2)
R
-- R _ (3 .33)
1+AB R2
1+Av
R l +R2
Realimentacin 115
EJERCICIOS DE ELECTRNICA ANALGICA
REALIMENTACIN
Ejercicio 3.1 :
El circuito de la figura muestra un amplificador de
transconductancia cuya salida es realimentada a su entrada . Encuentra la
resistencia de entrada .
Ejercicio 3.2 :
En el circuito de la figura la resistencia R E representa una
realimentacin, Qu tipo de realimentacin es? . Encuentra una
expresin para la ganancia de voltaje VCG/VBG y para la resistencia de
entrada . Encuentra tambin una expresin para la ganancia de corriente
ic/ib y para la ganancia de potencia .
Ejercicio 3.3 :
Para el circuito de la figura expresa el voltaje de salida en funcin
de los voltajes de entrada y las resistencias de entrada vistas desde v l,
desde v2, desde una fuente conectada entre vl y v2 y desde una fuente de
tensin conectada simultneamente entre los nodos VI y v2 .
116 Realimentacin
Ejercicio 3.4:
En el diseo de un amplificador se prev que tendr una primera
frecuencia de corte debida a las capacidades parsitas en torno a los
10Mhz . Se quiere estabilizar el amplificador mediante la tcnica de
compensacin por polo dominante y se desea que el margen de fase para
dicho amplificador en cualquier red realimentada con B<1 sea al menos
de 67 .5. Calcula la frecuencia del polo dominante para los siguientes
casos :
a) A=105
b) A=10
Ejercicio 3 .5:
La relacin de retorno o ganancia de lazo de un amplificador de
tres polos es :
70
T(jw) =
estudia la estabilidad de dicho amplificador en los siguientes casos :

a) T,= 104, w1=106rad/s
6
b) T,= 104, w1=100rad/s .

c) T,=10, W1=106rad/s .
Podras sugerir de los apartados anteriores dos mtodos para la
estabilizacin de un amplificador. Cul es el ms conveniente? Por
qu?
Ejercicio 3 .6:
Considera un amplificador realimentado cuya funcin de
transferencia en lazo abierto es :
Realimentacin 117
1000
104 1 + j 10 5
si la ganancia del camino de realimentacin B es independiente
de la frecuencia, encuentra el mximo para que el sistema sea estable .
Ejercicio 3.7:
Deduce una expresin para el voltaje de salida en funcin del
voltaje o los voltajes de entrada para los siguientes circuitos .
10Kg)
aha
1 OK12
Ejercicio 3.8 :
Deduce una expresin para la corriente que circula por la carga
en funcin del voltaje de entrada para los circuitos que se muestran a
continuacin .
~hMh-,
Ejercicio 3 .9:
Deduce los valores de la ganancia, resistencia de entrada, y
resistencia de salida (suponiendo AmpOp LM741C) de los circuitos que
se muestran a continuacin

118 Realimentacin
330M
330K12
Ejercicio 3.10 :
Encuentra, para el circuito de la figura, la ganancia de voltaje, la
resistencia de entrada y la resistencia de salida . Supn que el
amplificador operacional tiene una ganancia en lazo abierto de 10 4V/V
una resistencia de entrada de 100KQ y una resistencia de salida de 1KS2 .
Ejercicio 3.11 :
El circuito de la figura muestra um aplificador de corriente
diseado con un amplificador operacional realimentado con la topologa
paralelo-serie .
a)Demuestra que la ganancia de corriente, para grandes ganancias
de lazo, es aproximadamente :
oa _ 1+ Rf
ts r

Realimentacin 119
b) Encuentra la ganancia en lazo cerrado, la resistencia de entrada

(excluyendo RS ) y la resistencia de salida (excluyendo RL) suponiendo
que la ganancia en lazo abierto del amp . Op . es 104V/V, la resistencia de
entrada 100M2, la resistencia de salida 1KS2, R S =RL=1OKS2, R=10052 y
R=1KS2 .
Ejercicio 3.12 :
Demuestra que la ganancia de lazo AB del circuito del ejercicio
anterior, considerando que el Ampl . Op . tiene una ganancia en lazo
abierto, resistencia de entrada y resistencia de salida A, R; y Ro
respectivamente, viene dada por la siguiente expresin :
A r(RS IR )
Ro +RL +rII[(RS II R,)+Rf ]r+Rf +(RS IIRi )
Ejercicio 3.13:
Suponiendo que el amp . Op . del circuito es ideal, deriva una
expresin para la ganancia en lazo cerrado . Utiliza el circuito para disear
un amplificador inversor con una ganancia de 100 y una resistencia de
entrada de .1M12
Compara los resultados obtenidos si hubieses utilizado
el diseo de amplificador inversor visto en la teora .
120 Realimentacin
Ejercicio 3 .14:
Dado el circuito de la figura
a) Encuentra una expresin para la funcin de transferencia v o/vs.
(Para realizar este apartado no es necesario encontrar el modelo de
pequea seal del amplificador . Basta con llegar a una solucin
aproximada basada en la aproximacin de amplificador operacional
ideal .)
b) Encuentra la resistencia de entrada para continua del
amplificador. (Ahora si es necesario utilizar el modelo de pequea seal
del circuito . Se pretende llegar a una solucin aproximada tomado la
resistencia de salida del amplificador operacional igual a cero y teniendo
en cuenta la desigualdad R2<(A+1)R;+
c) Encuentra los valores de los componentes pasivos del circuito
para que el amplificador tenga una ganancia en continua de 40 dB, una
resistencia de entrada de 1K y una frecuencia de corte debida al
condensador C2 de 1KHz .
d) Dibuja los diagramas de Bode para el mdulo y la fase de la
funcin de transferencia de voltaje del citado amplificador .
Ejercicio 3.15:
El circuito que se muestra a continuacin es muy utilizado en
sistemas de instrumentacin donde se exige que los amplificadores
tengan un CMRR muy alto (para ignorar las posibles interferencias
superpuestas a las seales producidas por los transductores) .
a) Encuentra una expresin para el voltaje de salida en funcin de
los voltajes de entrada .
b) Deduce una interrelacin entre las resistencias para que el
circuito, en el caso ideal, responda exclusivamente al modo diferencial de
las dos entradas .
1
Realimentacin 121
c) Teniendo en cuenta la relacin obtenida en el apartado b)

encuentra la resistencia de entrada del circuito vista desde los dos nodos
de entrada tambin llamada resistencia de entrada diferencial .
El inconveniente de diseo anterior radica en que si se requiere

una alta ganancia en modo diferencial tiene que ser a costa de utilizar una
resistencia R 2 tan alta que puede ser impracticable o una baja resistencia
de entrada.
Un diseo alternativo se puede observar en la figura siguiente
d) Encuentra una expresin para el voltaje de salida en funcin de

los voltajes de entrada. Cmo ser ahora la resistencia de entrada de
dicho amplificador? .
e) Ten en cuenta que en este tipo de amplificadores suele
obtenerse casi toda la ganancia de la primera etapa . La segunda etapa
suele utilizarse para rechazar el modo comn de las dos seales por lo
que se suelen disear con ganancia unidad . Luego las resistencias de la
segunda etapa se suelen tomar todas iguales a 1M2 . Sustituyendo la
resistencia Rl por una combinacin serie de una resistencia fija Rif y una
122 Realimentacin
resistencia variable R I,, (potenciometro de 100KS2 .) encuentra los valores

de dichas resistencias para obtener una ganancia variable en el intervalo
2-1000.
Ejercicio 3 .16:
El circuito que se muestra a continuacin se le denomina circuito de
Antoniou y se utiliza para implementar bobinas en filtros de segundo orden
RLC . Demuestra que la relacin entre la tensin de entrada vl y la corriente
de entrada il es semejante a la obtenida si sustituimos el circuito completo
por una bobina . Cul es el valor de la inductancia de dicho circuito? .
Ejercicio 3 .17:
El circuito de la figura constituye la base de un biestable . Deduce
el voltaje de salida si en cualquier momento aparece un pequeo y
positivo voltaje de ruido en el nodo v +. Que hubiese ocurrido si el voltaje
de ruido hubiese sido negativo .
A partir de lo dicho anteriormente estudia el siguiente circuito en

funcin del voltaje de entrada . Este circuito puede utilizarse para el
diseo de memorias, comparadores, generadores de ondas cuadradas, . . .
Realimentacin 123
Al circuito de la figura que se presenta a continuacin se le

denomina un multivibrador astable(dicho circuito no tiene ningn estado
estable pero tiene dos estados cuasiestables en los que permanece durante
un cierto intervalo de tiempo) estudia su funcionamiento .
Ejercicio 3 .18:
Se denominan osciladores RC a aquellos que utilizan la red de
realimentacin que se observa en la figura . Disea un oscilador RC con
una frecuencia de oscilacin de lkhz .
4 Filtros activos
4.1 Introduccin
El filtrado de una seal, junto con la amplificacin, constituyen

los dos tipos ms importantes de procesamiento de seales elctricas . El
filtrado de seales constituye un paso fundamental en cualquier sistema
de comunicacin, bien para seleccionar las seales deseadas en los
receptores, o para eliminar ruidos y seales no deseadas .
Podemos definir un filtro como un dispositivo electrnico capaz
de eliminar porciones no deseadas del espectro de frecuencia de una
seal . La red RC estudiada en el captulo 1 tena una respuesta en
frecuencias cuyos diagramas de Bode se pueden observar en la figura
1 .27. Este circuito se comporta como un filtro pasa baja debido a que deja
pasar las seales con frecuencias inferiores a la frecuencia de corte del
filtro y atena las seales con frecuencias superiores . En este caso, el
filtro est construido exclusivamente con elementos pasivos por lo que no
tiene ganancia alguna. Los filtros activos, como veremos en adelante,
pueden producir ganancia y se suelen disear con resistencias,
condensadores y circuitos integrados . Existe otro tipo de diseos
alternativos de filtros basados en el comportamiento de las redes pasivas
RLC, en el que las bobinas se sustituyen por circuitos construidos con
amplificadores operacionales, resistencias y condensadores y cuya
relacin I-V es como la de una bobina . Un ejemplo de este tipo de
circuitos es el circuito de Antoniou estudiado en el ejercicio 3.15 . El uso
de bobinas para el diseo filtros sobre todo a bajas frecuencias es

126 Filtros activos
incompatible con las nuevas tecnologas para el diseo de circuitos

debido al tamao de las mismas .
El uso de filtros activos presenta algunas ventajas sobre los diseos
pasivos como son : capacidad de producir una determinada ganancia que se
adapte a los requerimientos del sistema y, sobre todo, su buen aislamiento,
que hace que los filtros complejos se pueden tratar como muchos filtro
simples conectados en cascada . Sus grandes inconvenientes son la necesidad
de una fuente de alimentacin para su funcionamiento, y los lmites en la
frecuencia y en el tamao de la seal que imponen la respuesta en frecuencia
y la linealidad del propio amplificador operacional .
4.2 Tipos de filtros.
Ya hemos visto en la seccin anterior una posible clasificacin de

los filtros en activos y pasivos, en funcin de los elementos utilizados en
su diseo . Otra posible clasificacin de los filtros atiende al intervalo de
frecuencias que el filtro es capaz de eliminar, distinguindose en este
caso, filtro paso baja, filtro paso alta, filtro paso banda y filtro
rechaza banda . El comportamiento ideal de cada uno de estos filtros en
funcin de la frecuencia se puede observar en la figura 4 .1 .
Si suponemos que un filtro se comporta como un sistema de una
entrada y una salida, lineal e invariante en el tiempo su funcin de
transferencia en trminos de la frecuencia compleja se puede representar
por el cociente entre dos polinomios en s con coeficientes reales, como
podemos observar en la ecuacin 4.1 . Esta funcin de transferencia se
obtiene de la resolucin de la ecuacin diferencial que relaciona la
entrada con la salida del filtro .
Dicha funcin de transferencia T(s), adems coincide con la
transformada de Laplace de la respuesta del filtro a un impulso unidad . Para
que un filtro no distorsione una seal de entrada, todas las componentes de
frecuencia de la seal deben caer dentro de la banda de paso del filtro, adems
la respuesta del filtro en la banda de paso debe ser plana y la respuesta de fase
debe ser lineal con la frecuencia. De esta forma el filtro slo producira una
amplificacin de la seal y un retardo en el tiempo .
Otra posible clasificacin de los filtros se realiza atendiendo a su
orden n, entendindose ste como el grado del polinomio del
denominador de la funcin de transferencia del filtro .
bm S m +bm- 1 S m-1 + .. .+b1s+bo

T(s) = (4.1)
s n +an-1 S n-1 + ...+a1s+ao

Filtros activos 127
/TI* ITI * ITI * ITI A
Pasa baja
log w ----T
Pasa alta
w log
Pasa banda
log log w
Rechaza banda
Figura 4.1 : Comportamiento ideal de los distintos tipos de filtro .
La funcin de transferencia del filtro T(s) coincide con la
transformada de Laplace de la respuesta del filtro a un impulso unidad . Para
que un filtro no distorsione una seal de entrada, todas las componentes de
frecuencia de la seal deben caer dentro de la banda de paso del filtro, adems
la respuesta del filtro en la banda de paso debe ser plana y la respuesta de fase
debe ser lineal con la frecuencia . De esta forma el filtro slo producira una
amplificacin de la seal y un retardo en el tiempo .
4.3 Caractersticas reales de los filtros .
En la figura 4.1 aparece la respuesta en frecuencia de los distintos

tipos de filtros en el caso ideal . Para el caso real la respuesta de un filtro,
por ejemplo paso baja, se parece ms a la de la figura 4.2, en la que se
definen la banda de paso, desde la frecuencia cero hasta la frecuencia
wp, la banda de transicin desde la frecuencia wp hasta la frecuencia ws
y la banda de rechazo para frecuencias superiores a w s. Con relacin a
estas frecuencias se define el factor de selectividad del filtro como la
razn ws/wp. El parmetro Ap define la mxima variacin permitida en el
mdulo de la funcin de transferencia del filtro dentro de la banda de
paso y A S representa la mnima atenuacin permitida en la banda de
rechazo. El diseo de un buen filtro persigue un valor bajo de A p, un valor
alto de AS un valor del factor de selectividad cercano a la unidad .
Figura 4 .2 : Caracterstica de transmisin real de un filtro pasa baja .

128 Filtros activos
4.4 Diseo de filtros activos de primer .
En esta seccin nos centraremos en estudio del circuito de la

figura 4.3 cuya funcin de transferencia viene dada por la ecuacin 4.2 .
Esta funcin de transferencia corresponde a la de un filtro activo general
de primer orden que puede ser reducida dependiendo de los valores de las
resistencias y condensadores a cada uno de los casos particulares como se
muestra en las siguientes secciones .
vi
Figura 4 .3 : Circuito para la implementacin de filtros activos de primer orden
T(s) = (4 .2)
R 3 +R 4 R C
s+/
4.4 .1 Filtro paso alta de primer orden .

Si en la funcin de transferencia 4.2 tomamos los valores de las
resistencias para que se cumpla la relacin RIR4=R2R3, la nueva funcin
de transferencia viene dada por la ecuacin 4.3, cuya forma recuerda a la
de un filtro paso alta en el que la ganancia a frecuencia cero es cero .
R4 s
T(s) = (4 .3)
R3 +R4 s+
YR 2 C
Ejemplo 4 .1 : Dibuja los diagramas de Bode para la funcin

de transferencia 4 .3 y comprueba que corresponde a un filtro
pasa alta .
4.4 .2 Filtro paso baja de primer orden.
El diseo de un filtro paso baja a partir del circuito de la figura
4 .3 consiste en elegir un valor de la resistencia R3 lo suficientemente

Filtros activos 129
grande . De esta forma, si en la funcin de transferencia 4.2 tomamos el

lmite cuando R3 tiende a infinito, se convierte en la ecuacin 4.4 cuya
forma recuerda a la de un filtro paso baja .
T(s) = C (4 .4)
4.4 .3 Filtro pasa todo de primer orden

El diseo del filtro pasa todo a partir del circuito de la figura 4.3
consiste en hacer que 2RIR4 =R 2R3 , de tal forma que la funcin de
transferencia 4.2 se transforme en la dada por la ecuacin 4.5 . Este tipo
de filtros presenta una respuesta en frecuencia totalmente plana para el
mdulo de la ganancia, cosa que no ocurre con su fase, por lo que
cuentan con un innumerable conjunto de aplicaciones .
s
T(s) = R4 - / ZC
(4 .5)
R3 + R4 s+
l'IR 2C
4.5 Diseo de filtros activos de segundo orden .
Al igual que ocurre con los filtros de primer orden, existen

determinados circuitos construidos a partir de un nico amplificador
operacional junto con algunas resistencias y condensadores capaces de
implementar las funciones de transferencia correspondientes a los
distintos tipos de filtros de segundo orden . Antes de entrar en el diseo de
estos filtros vamos a discutir algunas nociones generales sobre la forma
de la funcin de transferencia .
2
a2S +a i s+a o
T(s) = 11
(4 .6)
+ wo s+w
S 2
\ Q /
La funcin de transferencia general de un filtro de segundo orden
se puede expresar en la forma de la ecuacin 4.6 en la que a Q se le
denomina factor de calidad del filtro y nos dice de alguna manera la
distancia a la que se encuentran los polos del eje jw . Las funciones de
transferencia que nos interesan son aquellas en las que los polos de la
funcin de transferencia son nmeros complejos es decir Q>0 .5 . En la
figura 4.4 se encuentran representadas las caractersticas de transmisin

130 Filtros activos
de los filtros de segundo orden pasa baja, pasa alta y pasa banda junto con
sus funciones de transferencia .
Funcin de
Caracterstica de transmisin
transferencia
ITI
0
ao w I-
4Q2
1
T(s) - i
2 w W02 I
s + o + wo a
o / =
WO V 1-
1 2Q 2
~ Q ~
Pasa baja
wmax w0 w
/T/ A
z
1
a2s2 4Q2
T(s)=
w0
a2
S 2 +~ + w0
2
~ Q i m
-
~ z
Pasa alta 2Q
w0 wmax w
ITI
at s IQ tiv =w 1+ 1
T(s) =
w (~ 4Q2 - 2Q
S2 + Q s+w
o 0 .7 u '~ 1 1
0 W2-w n 11+
4Q2
uV~ + 2Q
Pasa banda
w1 wo W2 w
Figura4 .4 : Caractersticas de transmisin de algunos filtros de segundo orden .
En la figura 4.5 se puede observar como influye el valor de Q para
un filtro pasa baja. Podemos ver como para Q=0 .707 el pico resonante
desaparece y la respuesta en la banda de paso del filtro desaparece y se hace
mximamente plana. Podemos observar tambin como para Q=0 .3<0 .5 los
polos de la funcin de transferencia son reales de valores aproximados 33khz
y 300khz . Por otro lado en la figura 4 .4 podemos observar como el ancho de
banda de un filtro pasa banda de segundo orden viene dado por la diferencia

Filtros activos 131
w 2 -w i =wo/Q. El ancho de banda de un filtro pasa banda suele especificarse

como porcentaje de la frecuencia central del filtro .
Figura 4 .5 : Caracterstica de transmisin de un filtro pasa baja para distintos valores

de Q .
Ejemplo 4.2 Calcula los polos de la funcin de transferencia

4.6 y demuestra que estos son complejos siempre y cuando
Q>0.5 . Encuentra cuanto distan dichos polos del eje jw del
plano s .
4.5 .1 Filtro pasa baja de segundo orden .

El circuito de la figura 4 .6 tiene como funcin de transferencia la
ecuacin 4.7 que implementa un filtro pasa baja de segundo orden .
T (s) = 1 (4.7)
R,R2C,C 2s2 +(R1 +R2 )C2 s+1
Figura 4.6 : Filtro pasa baja de segundo orden .

132 Filtros activos
4.5 .2 Filtro pasa alta de segundo orden .

El intercambio de las resistencias por los condensadores en el
circuito de la figura 4.6 nos lleva a la funcin de transferencia 4.8
caracterstica de un filtro pasa alta de segundo orden .
2
s
T(s) = (4 .8)
1 1 1
S 2 +( )s+
R2C1 + R2C2 R1R2C1C2
4 .5 .3 Filtro pasa banda de segundo orden .
El circuito de la figura 4.7 tiene una funcin de transferencia
dada por la ecuacin 4.9 y caracterstica de un filtro pasa banda de
segundo orden.
S
T(s) = iR1C1 (4 .9)
s2 +/C2)(/3)s+(RI +R R1R2R3C1C2
+(/C1
Figura 4 .7 : Filtro pasa banda de segundo orden .
4.6 Filtros de Butterworth .
Los diseos de filtros que hemos visto anteriormente permiten

disear un filtro de orden superior mediante la conexin en cascada de
filtros de segundo orden si el orden del filtro es par y de filtros de
segundo orden con uno de primer orden si el orden del filtro es impar .
Este procedimiento de diseo es til si conocemos la funcin de
transferencia del filtro que se va a disear . Generalmente, para el diseo
de un filtro no se parte de una funcin de transferencia sino de una serie
de especificaciones en cuanto a la respuesta en frecuencia del filtro, lo
que hace intil el procedimiento anterior . An ms, lo ms comn es que

Filtros activos 133
tampoco se conozca el orden del filtro que cumplir las especificaciones

de diseo.
En esta seccin estudiaremos un caso particular de filtro que nos
ayudar al diseo de determinados filtros que cumplan unas
caractersticas de diseo especificas en cuanto a los valores de A p, A, wp
y w, los filtros de Butterworth . Indudablemente existen otros tipos de
filtros con la misma finalidad como son los de Chebyshev, Bessel,
Papoulis, gausiano, elpticos y parablicos que utilizan mtodos de
diseos similares a los que veremos en esta seccin .
Los filtros de Butterworth se conocen tambin como filtros de
respuesta mximamente plana ya que la respuesta en frecuencias dentro
de la banda de paso del filtro no presenta rizo alguno . Esta caracterstica,
es la principal ventaja de los filtros de Butterworth . Los filtros de
Chebyshev se caracterizan por tener un rizado en la banda de paso del
filtro pero una mayor pendiente en la banda de transicin que los de
Butterworth lo que los hace ms selectivos . Los filtros de Bessel
presentan una banda pasante plana y una pendiente en la banda de
transicin peor todava que los de Butterworth . Lo que hace interesante a
los filtros de Bessel es que estn optimizados para presentar un desfase
lineal con la frecuencia, lo que constituye una de las caractersticas
indispensable para que el filtro no distorsione la seal de entrada y
produzca nicamente un retardo de la misma . De hecho, el filtro de
Bessel es el que presenta una mejor respuesta ante una seal de entrada
tipo escaln .
4.6.1 Caractersticas de los filtros de Butterworth pasa baja
El mdulo de la funcin de transferencia para un filtro paso baja
de Butterworth de orden n viene dado por la ecuacin 4.10, donde wp
representa el borde de la banda de paso del filtro, y su representacin en
funcin de la frecuencia se puede observar en la figura 4.8 para distintos
valores del orden del filtro n.
1
!T (jw) = (4 .10)
w
Los parmetros Ap, A, wp y ws estn relacionados por las

ecuaciones 4 .11 y 4.12 . Eliminando el parmetro e de dichas ecuaciones
llegamos a la ecuacin 4 .13 . El orden del filtro buscado viene dado por el
menor nmero entero que cumpla dicha ecuacin .

134 Filtros activos
2 (4.11)
Ap = T(jO)I -IT(jwp )I = 201ogV1+E (dB)
\2n
11
AS = T ( jO)I - T ( jws ) = 20log 1+E 2 (dB) (4.12)
1 Ti
2,5 w/w
Figura 4 .8 : Modulo de la funcin de transferencia para filtros de Butterworth de

ordenes 1,2,4 y 9 y e=1 .
10 A,110 -1
log l0Ap/10 - 1
n? (4.13)
s
109 w
wp
4.6.2 Diseo de filtros de Butterworth pasa baja

Una vez descritas las especificaciones del filtro, y calculado el
orden del filtro . El paso siguiente consiste en conocer la funcin de
transferencia del filtro y el circuito capaz de implementarla .
n T(s)
1 1/(s+1)
2 1/(s2+1 .41s+1)
3 s3+2s 2+2s+1
4 s4+2 .61s 3+ 3 .41s2+2 .61s+1
5 s5 +3 .24s4+5 .24s3+ 5.24s2+3 .24s+1
6 s6+3 .86s5+7 .46s4+9 .14s 3+ 7.46s2+3 .86s+1
Figura 4 .9 : Funciones de transferencia para filtros pasa baja normalizados de
Butterworth .

Filtros activos 135
Si suponemos filtros de Butterworth normalizados, es decir, w p=1

y e--l las funciones de transferencia cuyo mdulo se adaptan al de la
ecuacin 4.10 para distintos valores de n se muestran en la tabla de la
figura 4.9 . Se puede observar tambin, que los polos de dichas funciones
de transferencia se encuentran sobre una circunferencia unitaria en el
semiplano izquierdo del plano s y separados de forma simtrica .
El diseo de los filtros pasa baja de Butterworth est basado en el
uso de los circuitos de las figuras 4.6 y 4 .10 que implementan filtros pasa
baja de dos y tres polos respectivamente. Un diseo de un filtro pasa baja
de orden superior se consigue conectando en cascada filtros de segundo
orden y uno de tercero dependiendo de si el orden del filtro es par o
impar .
Figura 4 .10 : Filtro pasa baja de tres polos para el diseo de filtros de Butterwortb .
El mtodo para la eleccin de los valores de los componentes de
los circuitos de las figuras 4.6 y 4 .10 consiste en escoger las resistencias
iguales a un valor R estndar y calcular los valores de los condensadores
de acuerdo con la ecuacin 4.14 en la que la constantes a l se escogen de
la tabla de la figura 4.11 de acuerdo con el orden del filtro deseado .
a`
C; = (4 .14)
wp R
4.6 .3 Diseo de filtros de Butterworth pasa alta

La funcin de transferencia de un filtro de Butterworth pasa alta
se obtiene intercambiando s por lis en la funcin de transferencia pasa
baja normalizada, lo que en la prctica, equivale a intercambiar las
resistencias por los condensadores en los circuitos que implementan los
filtros pasa baja. Por tanto, el diseo prctico de filtros pasa alta de
Butterworth requiere intercambiar las frecuencias wp y ws en la ecuacin
4.13 para la eleccin del orden del filtro y el intercambio de las
resistencias por los condensadores en los circuitos de las figuras 4.6 y
4.10. En este caso se escogen todos los condensadores de valor C y las
136 Filtros activos
resistencias se calculan utilizando los coeficientes de la tabla de la figura

4 .11 de acuerdo con la ecuacin 4.15.
1
(4.15)
wp Ca .
n al a2 a3 n al a2 a3
2 1 .414 0.0701 g 1 .020 0.9809
3 3.546 1 .392 0.2004 1 .202 0.8313
4 1 .082 0.9241 1 .800 0.5557
2.613 0 .3825 5.125 0.1950
5 1 .7532 1.354 0.4214 9 1 .455 1 .3270 0.5170
3 .2352 0.3090 1 .305 0.7661
6 1 .035 0 .9660 2.000 0.5000
1 .414 0.7071 5.758 0.1736
3 .863 0.2588 10 1 .012 0.9874
7 1 .531 1 .3360 0.4885 1 .122 0.8908
1 .604 0.6235 1 .414 0.7071
4 .493 0 .2225 2.202 0 .4540
6.390 0.1563
Figura 4 .11 : Coeficientes para el diseo de filtros de Butterworth pasa alta y pasa
baja.
Ejemplo 4.3: Disea un filtro de Butterworth pasa baja que

cumpla las siguientes especificaciones : wp=lKhz, ws=5Khz,
Ap=3dB, AS=40dB .
4.6.4 Diseo de filtros de Butterworth pasa banda y rechaza banda
Los filtros de Butterworth pasa banda y rechaza banda se disean
a partir de filtros pasa bajas y pasa altas conectados en serie y en paralelo
respectivamente .

Filtros activos 137
FILTROS ACTIVOS
Ejercicio 4.1 :
Disea un filtro pasa alta de primer orden con ganancia en alta
frecuencia de 0 .5 y frecuencia de corte de 3Khz .
Ejercicio 4.2 :
Disea un filtro pasa todo de primer orden con ganancia 0 .5 y
frecuencia de corte de 3Khz .
Ejercicio 4.3 :
Utiliza un solo amplificador operacional para disear un filtro
pasa baja de segundo orden cuya funcin de transferencia se muestra a
continuacin . Dibuja su funcin de transferencia .
100
T(s) =
lOs 2 +lOs+100
Ejercicio 4.4:
pasa banda de segundo orden cuya funcin de transferencia se muestra a
continuacin . Dibuja su funcin de transferencia.
-los
T(s) = los 2 +10s+100
Ejercicio 4.5:
pasa banda de segundo orden con frecuencia central de 600khz, Q=10 y
ganancia 10 .
Ejercicio 4.6:
Disea un filtro de Butterworth pasa baja que cumpla las
siguientes especificaciones : wp= 600rad/s, ws=5khz, Ap=3dB y AS=40dB .
Ejercicio 4.7:
Disea un filtro de Butterworth pasa banda que cumpla las
siguientes especificaciones : w51 =300hz, ww1=600hz, ww2=4Khz, ws2=8Khz,
Ap=3dB y A S=30dB.
138 Filtros activos
Ejercicio 4.8:
Disea un filtro de Butterworth rechaza banda que cumpla las
siguientes especificaciones : wp1=500hz, wsl=lKhz, ws2=lKhz,
wp2=2Khz, Ap=3dB y As=40dB .
Ejercicio 4.9 :
El circuito de la figura representa el modelo de pequea seal de
un amplificador sintonizado . Este tipo de amplificadores es importante en
el diseo de receptores de radio y TV . Para dicho circuito:
a) Halla la funcin de transferencia de voltaje .
b) Calcula la frecuencia a la que el mdulo de la funcin de
transferencia presenta un mximo . Y calcula el valor de dicho mximo .
c) Calcula el denominado ancho de banda a los 3dB, que no es
ms que el intervalo comprendido entre las frecuencias a las que el
mdulo de la ganancia de voltaje vale su valor mximo menos 3 dB. En
muchas aplicaciones se requiere que el ancho de banda a los 3dB sea
menor que el 5% de la frecuencia central del filtro .
d) Otro factor que define la calidad de estos tipos de
amplificadores es la selectividad del filtro, skirt selectivity, definido como
el cociente entre el ancho de banda a los 3dB y el ancho de banda a los
30dB . Calcula el valor de dicho factor.
.V,
9 C 0 L
Ejercicio 4.10:
Resuelve de nuevo el ejercicio 1.12 .
Ejercicio 4.11 :
El circuito de la figura es un filtro de segundo orden . Dibuja su
respuesta en frecuencias y calcula el factor de calidad del filtro .
R
5 Semiconductores y Diodos
5.1 Introduccin
Hasta ahora, hemos tratado a los amplificadores como cajas

negras y los hemos utilizado sin saber nada a cerca de su funcionamiento
interno . Pero en multitud de ocasiones, sobre todo para el estudio de
efectos de segundo orden, es necesario conocer con detalle la arquitectura
interna de cada uno de los dispositivos activos .
Hace unos aos estos elementos amplificadores se construan con
vlvulas que, a grandes rasgos, estaban formadas por un ctodo que
cuando se calentaba lo suficiente emita electrones y un nodo que los
recoga . El ctodo y el nodo se introducan en el interior de un tubo en el
que se practicaba el vaco. Estos dispositivos tenan muchos
inconvenientes, gran tamao, calentamiento, consumo, rotura, etc .
La verdadera revolucin de la electrnica vino en torno a 1950
con la construccin de este tipo de dispositivos con materiales
semiconductores y ms adelante con el uso del circuito integrado CI.
La construccin de la mayora de los dispositivos activos
modernos esta basada en el uso de materiales semiconductores .
5.2 Propiedades elctricas de los slidos
Los materiales slidos se pueden dividir atendiendo a sus

propiedades elctricas en : conductores, aislantes y semiconductores . Las
140 Semiconductores y diodos
diferencias entre ellos radican en la distribucin de sus electrones de

valencia (electrones de las rbitas exteriores de los tomos) .
5.2 .1 Conductores
En los materiales conductores los electrones de valencia estn
unidos de forma muy dbil a los ncleos de los tomos, de tal forma que
se pueden considerar libres a cualquier temperatura por encima del cero
absoluto . Si se aplica un campo elctrico a travs de un material de este
tipo se tendr una corriente elctrica debida al movimiento de los
electrones libres . Como ejemplo de estos materiales podemos considerar
el cobre y el aluminio .
5.2 .2 Aislantes
Los electrones de valencia estn ligados fuertemente a los
ncleos de los tomos por lo que la aplicacin de un campo elctrico no
causa prcticamente corriente elctrica alguna .
5.2 .3 Semiconductores
La movilidad de sus electrones de valencia depende de la
temperatura . De tal forma que, a temperaturas muy bajas se comportan
como un aislante y a temperaturas altas se comportan como un conductor
pobre . A la conduccin que presentan los materiales semiconductores se
le denomina conduccin intrnseca .
Los materiales semiconductores ms utilizados para la
construccin de dispositivos electrnicos son el Silicio, Germanio y el
Arseniuro de Galio .
El Silicio tiene cuatro electrones de valencia y el tomo tiende
hacia un estado estable con ocho electrones en la ltima capa, lo que le
lleva a formar estructuras como la de la figura 5 .1, mediante enlaces
covalentes con otros tomos de silicio . A estas estructuras se les llaman
cristales.
A temperaturas muy bajas tendramos la estructura ideal y el
material se comportara como un aislante ya que los portadores de carga
estn fuertemente anclados a la red cristalina, pero cuando la temperatura
del cristal aumenta algunos electrones adquieren la suficiente energa
trmica para romper el enlace covalente y producir un electrn libre y un
hueco, que se pueden mover por el cristal cuando se aplique un campo
elctrico . Este electrn libre no se comporta como tal indefinidamente,
sino que en su movimiento por el cristal se aproximar a un hueco y ser
atrado cayendo en l . A este proceso se le denomina recombinacin, y

Semiconductores y diodos 141
al tiempo medio que transcurre entre la creacin y la desaparicin de un

electrn libre recibe el nombre de tiempo de vida t.
Figura 5 .1 : Estructura interna de un cristal de silicio .

Los electrones son cargas negativas que se mueven en sentido
contrario al campo y los huecos se consideran cargas positivas que se
mueven en sentido del campo . En realidad el movimiento de huecos no se
trata sino de movimiento de electrones en sentido del campo . La
diferencia entre estos dos tipos de movimientos (electrones libres o
electrones movindose de hueco a hueco) hace que se consideren como
partculas diferentes cada una con sus correspondientes propiedades
(movilidad, coeficiente de difusin, etc) . De esta forma, la conduccin
por huecos puede considerarse una forma de conduccin de electricidad
que no precisa electrones libres, y el hueco puede considerarse una
partcula con una carga igual a la del electrn pero positiva .
Si llamamos p a la concentracin de huecos y n a la de electrones,
en un semiconductor intrnseco n=p=n i, donde el valor de ni depende de
la temperatura y se le denomina concentracin intrnseca. La
dependencia de la concentracin intrnseca de portadores en funcin de la
temperatura viene dada por la siguiente expresin :
E,
ni2 = A T3e kT (5 .1)
en la que k=8 .62 10-5 eV/K es la constante de Boltzmann, q=1 .6

10-19 Cul . es la carga del electrn y T es la temperatura en grados Kelvin .
Para el Silicio a temperatura ambiente n,=10 10 cm3, mientras que su
concentracin de tomos es 10 22 tomos/cm3. Es decir, slo un tomo
entre 10 12 contribuye con un electrn y un hueco debido a la ruptura del
enlace covalente, de ah que la conduccin intrnseca en este tipo de
materiales sea muy pobre .
Se pueden entender los conceptos anteriores considerando la
presencia de niveles de energa para los electrones en el interior del

semiconductor. Consideremos la presencia de dos bandas de energa : la

banda de valencia y la banda de conduccin, separadas por una
cantidad de energa que depende del cristal que estemos considerando
(para el Silicio 1 .1 eV a temperatura ambiente) . A este nivel intermedio
entre las bandas de valencia y la banda de conduccin se le llama GAP y
no puede estar ocupado por ningn electrn . A la energa correspondiente
a este nivel de energa prohibido se le denota E G . En un material
intrnseco, en el cero absoluto, se puede considerar que todos los
electrones estn en la banda de valencia y ninguno en la de conduccin,
pero cuando la temperatura del cristal aumente algunos de estos
electrones rompern los enlaces covalentes y se pueden considerar
electrones libres en la banda de conduccin que dejan un hueco en la
banda de valencia . Si se aplica un campo elctrico al cristal los electrones
libres de movern por la banda de conduccin y los huecos a travs de la
banda de valencia .
Banda de conduccin
Banda prohibida (GAP E,3
O
Banda de valencia
Figura 5 .2: Niveles de energa en un semiconductor intrnseco .

En los aislantes la regin prohibida es muy amplia del orden de
los 6eV para el diamante, en cambio, en los conductores las bandas de
valencia y la de conduccin se superponen, por lo que se puede decir que
no existe la banda de energa prohibida .
5 .2 .4 Semiconductores extrnsecos
Para aumentar el nmero de portadores y por tanto la

conductividad de un semiconductor intrnseco, lo que se hace es
introducir de forma controlada una pequea cantidad de impurezas,
tomos trivalentes dando lugar a un semiconductor extrnseco tipo p, o
tomos pentavalentes dando lugar a un semiconductor extrnseco tipo
n, como podemos observar en la figura 5 .3 . Cuando el proceso
anterior se lleva a cabo se dice que se ha dopado al semiconductor y
el nivel de dopado es del orden de una impureza por cada 10 6 tomos
de Silicio .

5 .2.4.1 Semiconductores extrnsecos tipo n :

Se consiguen, como se menciono anteriormente, dopando un
cristal intrnseco con tomos pentavalentes (antimonio, bismuto, . ..),
llamados impurezas donadoras . Debido a que los tomos son
qumicamente estables cuando tienen ocho electrones en la ltima capa,
se podra decir, que cada tomo pentavalente presenta un electrn
dbilmente ligado al ncleo en una capa ms exterior . De tal forma que a
temperatura de ambiente prcticamente todos estos electrones, uno por
cada impureza donadora, rompen sus enlaces y se convierten en
electrones libres, sin olvidar que cuando uno de estos electrones rompe su
enlace para convertirse en un electrn libre no deja atrs hueco alguno .
De esta forma el dopado con impurezas donadoras aumenta
considerablemente el valor de n y disminuye el valor de p, ya que los
huecos generados trmicamente al encontrarse rodeados por tal cantidad
de electrones tendrn una velocidad de recombinacin mayor. Se puede
demostrar que en condiciones de equilibrio trmico el producto de las
concentraciones de huecos y electrones libres es igual a una constante que
no depende de la cantidad de impurezas donadoras, pero si de la
temperatura . A este enunciado se le conoce con el nombre de ley de
accin de masas y viene expresado por la ecuacin 5.2.
n , p=n i 2 (5 .2)
Figura 5 .3 : Estructuras internas de dos semiconductores extrnsecos construidos

con cristales de silicio dopados con impurezas donadoras y aceptoras
respectivamente.
Por otro lado, como el cristal es elctricamente neutro el nmero
de cargas positivas debe coincidir con el de cargas negativas, lo que
implica que :
ND +p=n (5.3)
y como p es del orden de 1 por cada 10 12 tomos de silicio y ND
del orden de 1 por cada 106 tomos de silicio se cumple que :

2
pND =:> n-N D p-n (5 .4)
ND
Figura 5 .4 : Niveles de energa en un semiconductor tipo n .

Mediante la teora de bandas, se puede decir que dopar un
material con impurezas tipo n equivale a introducir un nivel de energa en
el interior de GAP llamado nivel donador, con energa ED y muy
prximo a la banda de conduccin (0 .05 eV), como puede observarse en
la figura 5 .4 . De tal forma que incluso a temperaturas muy bajas los
electrones adquieren la suficiente energa para saltar desde este nivel
intermedio a la banda de conduccin convirtindose en electrones libres .
As, la banda de conduccin estar formada por muchos electrones
provenientes del nivel intermedio y de algunos que debido a la energa
trmica han sido capaces de romper sus enlaces covalentes y saltar desde
la banda de valencia, dejando tras de s algunos huecos en la banda de
conduccin . Si ahora aplicamos un campo elctrico, se podra suponer
que toda la corriente elctrica ocasionada sera debida al movimiento de
electrones libres en la banda de conduccin (movimiento de
mayoritarios) .
5.2.4.2 Semiconductores extrnsecos tipo p :
Se consiguen dopando un cristal intrnseco con tomos
trivalentes, llamados impurezas aceptoras . Cada uno de estos tomos
trivalentes presenta dentro de la red cristalina siete electrones en su
ltima capa. Debido a que los tomos son qumicamente estables cuando
tienen ocho electrones en la ltima capa, se podra decir que cada tomo
trivalente atraer fuertemente un electrn que se aproxime a sus
alrededores, lo que se podra representar mediante la presencia de un
hueco (portador de carga positiva) . En un material de este tipo, tambin
se cumple la ley de accin de masas,
n- p=n ; 2 (5 .5)

lo que equivale a decir, que el dopado de un material intrnseco

con impurezas tipo p hace que aumente de forma muy considerable el
nmero de huecos en el interior del material y disminuya el nmero de
electrones generados trmicamente, ya que al haber tantos huecos en sus
alrededores tendrn una velocidad de recombinacin mucho mayor, o lo
que es lo mismo, un tiempo de vida mucho mas corto .
Como el cristal es elctricamente neutro, el nmero de cargas
positivas debe coincidir con el de cargas negativas, lo que implica que :
NA +n=p (5 .6)
y como n es del orden de 1 por cada 10 12 tomos de silicio y NA

del orden de 1 por cada 106 tomos de silicio se cumple que :
2
nNA = p-N A = n=_N (5 .7)

A
Mediante la teora de bandas se puede decir que dopar un

material con impurezas tipo p equivale a introducir un nivel de energa en
el interior de GAP, denominado nivel aceptor, muy prximo a la banda
de valencia (0 .05 eV), como puede observarse en la figura 5.5 . De tal
forma que, incluso a temperaturas muy bajas, los electrones adquieren la
suficiente energa para saltar desde la banda de valencia a este nivel
intermedio, dejando tras de s huecos en la banda de valencia . As, la
banda de conduccin estar llena de algunos electrones libres que
mediante energa trmica han roto sus enlaces covalentes y han dejado
huecos en la banda de valencia y la banda de valencia estar formada por
los huecos anteriormente mencionados y por un mucho mayor nmero de
huecos dejados por los electrones que han saltado al nivel intermedio .
Estos electrones no saltan a la banda de conduccin por lo que no son
electrones libres. Si ahora aplicamos un campo elctrico se podra
suponer que toda la corriente elctrica ocasionada sera debida al
movimiento de huecos en la banda de valencia .
Banda de conduccin
Banda prohibida (GAP EG
-~----*-Nivel aceptor
0 O 0 O
0
anda de valencia
Figura 5 .5 : Niveles de energa en un semiconductor tipo p .

5 .2 .5 Corrientes en un semiconductor
En el interior de un semiconductor pueden coexistir dos tipos

distintos de corrientes elctricas denominadas de arrastre y de difusin .
5 .2 .5 .1 Corrientes de arrastre
Si en el interior de un dispositivo semiconductor existe un campo
elctrico, producido exteriormente o dentro del dispositivo por la
existencia de alguna zona del material con densidad volumtrica de carga
distinta de cero, por ejemplo la zona de deplexin, se producir un
movimiento de portadores, huecos en el sentido del campo y electrones
en sentido contrario, con velocidades proporcionales a dicho campo,
como se puede observar en las ecuaciones 5.8. A los coeficientes de
proporcionalidad ,u,, y ,, se les denomina movilidades de los portadores y
generalmente n > n
vn =,u n E V p =,u p E (5 .8)
Este flujo de portadores lleva asociado una corriente elctrica

cuya densidad de corriente (carga elctrica positiva que atraviesa la
unidad de superficie en la unidad de tiempo) puede calcularse
considerando la cantidad de carga que atraviesa una superficie S, como la
mostrada en la figura 5.6, en un tiempo t .
E
1
vn = n E

l = vnt
Figura 5 .6
La cantidad de carga que atraviesa la superficie S en un tiempo t
debida al movimiento exclusivamente de electrones, se calcula
conociendo el nmero de electrones que en el instante t=0 se encuentran
dentro del cilindro de lado l=v nt=nEt mostrado en la figura 5 .6. Los

electrones que en el instante t=0 estn fuera de dicho cilindro no podrn

alcanzar la superficie S en un tiempo t . En la ecuacin 5.9 aparece que la
cantidad de carga dentro del cilindro se calcula como el producto de la
concentracin de electrones, el volumen del cilindro y la carga del
electrn .
Q=n u EtS q (5 .9)
A partir de la cual se deduce que la densidad de corriente J n,

debida al flujo de electrones, viene dada por un vector, cuyo mdulo
viene dado por la ecuacin 5.10, y cuya direccin y sentido son los del
campo elctrico . El sentido de la densidad de corriente debida al flujo de
electrones es igual al del campo elctrico, es decir, contrario a la
velocidad de los electrones, por tener lo electrones carta negativa y por
definirse la densidad de corriente como la cantidad de carga positiva que
atraviesa la unidad de superficie en la unidad de tiempo .
Jn =Q = n n Eq (5 .10)
Del mismo modo, puede deducirse que la densidad de corriente

debida al flujo de huecos que se mueven en sentido del campo elctrico
es un vector cuyo mdulo viene dado por la ecuacin 5.11 y cuya
direccin y sentido son los del campo elctrico .
J p = gp p pE (5 .11)
La densidad de corriente total J ser la suma de las corrientes

producidas por los electrones y huecos y viene dada por la ecuacin 5 .12,
donde o representa la conductividad elctrica del semiconductor. A las
corrientes elctricas producidas por la presencia de campos elctricos en
el interior del semiconductor se les llama corrientes de arrastre .
J = q( n n + P p)E = 6E donde 6 = q( n n +,uP p) (5 .12)
5 .2 .5 .2 Corrientes de difusin
Existe otro mtodo de conduccin, que no precisa la aparicin de
campos elctricos, que es debido al gradiente de la concentracin de
portadores en el interior del semiconductor .
Supongamos una situacin, como la que aparece en la figura 5 .7,
en la que existe una diferencia de concentracin de electrones a los lados
de una determinada superficie. Debido al movimiento aleatorio de los
mismos, ms electrones cruzarn la superficie hacia el lado derecho que
hacia el lado izquierdo, provocando un paso neto de carga elctrica

negativa desde el lado izquierdo de la superficie hacia el lado derecho, o

lo que es lo mismo, una densidad de corriente elctrica J, en sentido
contrario . Es decir, la densidad de corriente debida a la diferencia de
concentracin de electrones es un vector cuyo mdulo viene dado por la
ecuacin 5.13 y sentido el del gradiente de la concentracin . En el caso
de los huecos, es sencillo deducir que el sentido de la densidad de
corriente Jp es contrario al gradiente de la concentracin de huecos . Los
coeficientes de proporcionalidad D y Dp se denominan coeficientes de
difusin para ambos tipos de portadores .
can
x
Figura 5 .7
ap
J n = qD an J , = -qD, (5 .13)
ax ax
A la corriente producida por un gradiente en la concentracin de
portadores se le llama corriente de difusin .
5.2 .6 Campo elctrico en el interior de un semiconductor graduado
Supongamos un semiconductor dopado gradualmente, es decir, la
concentracin de portadores no es constante, sino que depende de la
ubicacin dentro del semiconductor, p=p(x) y por la ley de accin de
masas, n=n(x) . Supongamos que el dispositivo no est conectado a
ninguna fuente externa que inyecte portadores . Esto hace pensar que
pasado un tiempo no haya movimiento estable de cargas, slo un
movimiento aleatorio debido a la agitacin trmica. Como p no es
constante, este movimiento aleatorio produce una corriente de difusin de
huecos no nula, por lo que debe haber otra corriente de arrastre de huecos
igual y en sentido contrario a la corriente de difusin . Como una corriente
de este tipo requiere la presencia de un campo elctrico, podemos
concluir diciendo que un dopado no uniforme genera un campo elctrico
en el interior del semiconductor . La expresin para el campo elctrico se

puede obtener igualando a cero la suma las expresiones 5.11 y 5.13

correspondientes a las densidades de corriente de difusin y de arrastre .
Adems, para llegar a la expresin 5 .15 del campo elctrico en el interior
de un semiconductor graduado, hemos utilizado la ecuacin 5.14
conocida como relacin de Einstein . A VT se le denomina voltaje termal
y su valor es de 25mV a temperatura de ambiente .
kT DP
VT = - _ (5 .14)
q P
E= VT p
d (5 .15)
p dx
Si tenemos tambin en cuenta que :
E-- dV
(5 .16)
dx
se obtiene que la diferencia de potencial entre dos puntos en el
interior de un semiconductor graduado viene dada en funcin de las
concentraciones de portadores en ambos puntos por la siguiente
expresin :
P2
V21 = - f Edx = VT In p1 (5 .17)

Pi p2
Si hubisemos razonado con la concentracin de electrones, de la

misma forma, habramos obtenido que :
n2
V21 =VT In (5 .18)
n,
Igualando la diferencia de potencial V 21 obtenida de las

ecuaciones 5.17 y 5.18 se puede deducir la expresin 5.19 que justifica la
ley de accin de masas .
n2P2 = n,p, (5 .19)
5.2 .7 Variacin de las concentraciones de portadores con la

temperatura
En un material intrnseco un aumento de la temperatura provoca
la ruptura de ms enlaces covalentes lo que conlleva un aumento de n y p .
En un material tipo n ocurre lo mismo, solo que a pesar del

aumento en el nmero de electrones generados trmicamente, todava
siguen siendo despreciables frente al nmero de electrones provenientes
de las impurezas donadoras, por lo que se considera que el nmero de
electrones permanece constante . En cambio, el aumento en el nmero de
huecos si que es significativo, por existir nicamente los generados
termicamente . En un semiconductor tipo p ocurrira al contrario .
En un material semiconductor extrnseco un aumento de la
temperatura trae consigo un aumento en la concentracin de portadores
minoritarios mientras que se puede considerar que el nmero de
portadores mayoritarios permanece constante .
5.2.8 Variacin de la movilidad de los portadores con la
temperatura
El aumento de la temperatura, como se dijo con anterioridad,
lleva consigo un aumento del nmero de portadores y de su agitacin
trmica . Estos factores aumentan el nmero de colisiones y reducen la
movilidad .
5.2.9 Variacin de la conductividad con la temperatura
En las secciones anteriores pusimos de manifiesto que en un
semiconductor intrnseco las concentraciones de portadores aumentan con
la temperatura y las movilidades decrecen con sta . Teniendo en cuenta la
ecuacin 5.12 y que el aumento de la concentracin de portadores debida
al aumento en la temperatura es mayor que la disminucin de las
movilidades, la conductividad aumenta .
En un semiconductor extrnseco, en el que la conductividad se
debe casi totalmente a los portadores mayoritarios, el nmero de
portadores mayoritarios permanece casi constante y su movilidad decrece
lo que conlleva un descenso de la conductividad .
5.3 La Unin pn
Los materiales semiconductores tipo p o tipo n no tienen mayor
funcionalidad por si solos que una resistencia cuyo valor depende, entre
otros muchos factores, del ndice de dopado . Lo que realmente hace
interesante el uso de semiconductores y constituye la base de la electrnica
moderna es la unin de un semiconductor tipo p con uno tipo n .
5.3.1 La unin pn en equilibrio
Cuando se une un material tipo p con otro tipo n, debido a la
diferencia en las concentraciones de portadores a ambos lados de la

unin, aparece una corriente de difusin de electrones desde el lado n

hacia el lado p y de huecos desde el lado p al lado n . Estos electrones que
pasan al lado p, al encontrarse rodeados por una concentracin muy alta
de huecos, se recombinan, dejando tras de s la desaparicin de un
electrn del lado n y un hueco del lado p . De este modo, en la figura 5.8
podemos observar como en la regin cercana a la unin queda una zona
vaca de portadores de carga mviles . A esta regin se le llama zona de
deplexin o zona de carga espacial .
Cada electrn del lado n que se recombina con un hueco del lado
p trae consigo la formacin de un dipolo elctrico, por lo que en la zona
de carga espacial existen regiones con densidades de carga elctrica no
nulas que crean un campo elctrico que tiende a oponerse al paso de los
portadores que se difunden a travs de la unin . Este campo elctrico
puede calcularse, utilizando la ecuacin de Poisson, a partir de la
ecuacin 5.20, en la que p representa la densidad de carga elctrica y e la
constante dielctrica del medio .
E = ~x (5 .20)
J E
El proceso de difusin de portadores no continua

indefinidamente . Se alcanza un estado de equilibrio cuando, la
corriente de difusin, cada vez ms pequea debido a la oposicin del
campo elctrico (cada vez ms grande), se ve compensada por una
pequea corriente de arrastre debida a los portadores que se generan
trmicamente en la zona de carga espacial y que son empujados por el
campo elctrico en sentido contrario a los movimientos de difusin . A
la diferencia de potencial entre los extremos de la zona de carga
espacial una vez alcanzado el estado de equilibrio se le llama
potencial de contacto y se denota VD . El valor de dicho potencial de
contacto se puede deducir fcilmente a partir de las ecuaciones 5.17 y
5.18 y viene dado por la ecuacin 5 .21 donde n no y P o son las
concentraciones de electrones y huecos en el lado n y np ,, y pp,, las
concentraciones del lado p de la unin en condiciones de equilibrio
(figura 5 .10 superior) .
VD =VT In n"o VT =lnppo -VT ln N" =VT 1n N A ND (5 .21)

nP0 P',0 ni ni
ND

Zona p Zona n
O+ O+ O O O O O O O O
O+ O+ O+ O+ O+ 000000
O O~- + O+ O+ 0 0 0 0 0
O O O+ 0 0 0 0 0
_'1 Smbolo de la unin pn
O+ OOO
O+ OO
O O O (T
+ O+
0 O+ O + O-O
O O O O 0
<E Zona de
carga espacial
Figura 5 .8 : Campo elctrico y barrera de energa potencial para los electrones en

una unin pn en equilibrio

Dicho de otro modo, en estado de equilibrio, la diferencia en la

concentracin de portadores entre los extremos de la zona de carga
espacial, crea una diferencia de potencial VD entre los extremos de la
misma, que las corrientes de difusin debidas al gradiente en la
concentracin de portadores y las corrientes de arrastre debidas al campo
elctrico son iguales y de sentido contrario . En resumen, en el interior de
unin pn en equilibrio trmico no hay flujo neto de carga .
De la ecuacin 5.21 se pueden obtener las siguientes expresiones
que sern tiles ms adelante .
-qVD
K -qVD/T
pno = pp0e np0 = n n0 e (5 .22)
Como podemos observar en la figura 5.8, el potencial de contacto

lleva asociado una barrera de energa potencial de altura qVD, de tal
forma que, para que un electrn del lado n se difunda hacia el lado p debe
adquirir una energa superior a la de la barrera de energa potencial .
5.3 .2 La unin pn polarizada directamente
Supongamos que se hace el lado p de la unin positivo con
respecto al lado n, lo que se denomina polarizar directamente el diodo,
mediante una fuente de tensin de valor V. Adems, supongamos tambin
que la dicha diferencia de potencial cae ntegramente en la zona de carga
espacial . Esta accin, conllevar una disminucin de la diferencia de
potencial entre los extremos de la zona de carga espacial, o lo que es lo
mismo, una disminucin del campo elctrico o de la altura de la barrera
de energa potencial como podemos observar en la figura 5.9 . Dicho de
otro modo, estamos rompiendo el equilibrio mencionado en la seccin
anterior, haciendo que la corriente de difusin sea mayor que la corriente
de arrastre y, por tanto, provocando un flujo neto de portadores a travs
de la unin (electrones desde el lado n hacia el lado p y de huecos desde
el lado p hacia el n) .
1 V D t
T t
X
E,, = q(VD - V )
Figura 5 .9
Si consideramos exclusivamente los huecos, el flujo de stos

provoca, en el borde de la zona de carga espacial del lado n, un exceso de

portadores minoritarios Ap. Por otro lado, por la necesaria neutralidad

elctrica en todas las regiones del dispositivo, excepto en la zona de carga
espacial, tambin se provoca un exceso de portadores mayoritarios en
dicha zona . El mismo razonamiento se puede extender al borde de la zona
de carga espacial en la regin p . As, la concentracin de huecos en el
borde de la zona de carga espacial del lado n, p (x=0) viene dada por la
siguiente expresin:
pn (x = 0) = pno + Ap (5 .23)
zona p z.c .e zona n

pp0
Concentraciones de portadores
en equilibrio
pno
pP o
no
bajo polarizacin directa
pno
1
y 0 x=0
pP o
n n0
bajo polarizacin inversa
pno
n po
1 t
Figura 5 .10 : Concentraciones de portadores en una unin pn bajo condiciones de
equilibrio trmico, polarizacin directa y polarizacin inversa .
Por otro lado, resolviendo las ecuaciones de continuidad, hecho i,
que escapa del objetivo de este libro, se obtiene que, en primera
aproximacin, desde x=0, el exceso de huecos se difunde con perfil
exponencial segn la ecuacin 5 .24, en la que Lt, representa la longitud

de difusin de los huecos en la zona n y en la que se pone de manifiesto

que, para valores de x de dos o tres veces la longitud de difusin las
concentraciones son prcticamente las de equilibrio y, por tanto, las
corrientes en esta zona son debidas al flujo de portadores mayoritarios .
Bajo estas condiciones las concentraciones de electrones y huecos en
ambos lados de la unin se pueden observar en la parte central de la
figura 5.10 .
x
pn (x) = pn0 +Ape L con LP = I DPZP (5 .24)
Este gradiente en la concentracin de huecos producir una

densidad de corriente que, justo en la frontera de la zona de carga
espacial, viene dada por la ecuacin 5.25, en la que se ha utilizado la
ecuacin 5.24 para la concentracin de huecos y en la que el incremento
en la concentracin de huecos Ap se ha substituido utilizando la ecuacin
5 .23 . Este resultado muestra que la densidad de corriente de difusin es
proporcional al exceso de portadores minoritarios en x=0, siendo el factor
de proporcionalidad igual a gDP/LP .
gDp(Pn(x=0)-Pn0)
Jzonan (x = 0) = -qDP dp = (5 .25)
x=0 LP
Teniendo en cuenta la expresin 5 .21 y suponiendo que la

diferencia de potencial en los extremos de la zona de carga espacial es
ahora VD-V se obtiene que
Vo -V = V, . 1n pp0 (5 .26)
pn (x = 0)
de la cual, utilizando la expresin 5.22, se puede obtener que
V,-V V
pn (x = 0) = pp0e VT = p OeVT (5 .27)
Combinando las ecuaciones 5.25 y 5.27, la densidad de corriente

de huecos viene dada por la siguiente expresin :
J zonan (x = 0) = qDP Pno (e -1)

P (5 .28)
LP
De forma anloga se puede obtener la densidad de corriente de

difusin para los minoritarios de la zona p es

j zona P
n p0
(x = 0) = qDn - 1) (5 .29)
n Ln
Por ltimo, suponiendo que en la zona de carga espacial no hay

recombinacin, la intensidad de corriente total por el diodo vendr dada
por las expresiones 5.30 y 5.31 denominadas ley del diodo y en las que A
representa el rea de la unin .
ZOnan zonap (y=0)
I =AJ=A(J (x=0)+J
p n
(5 .30)
+ gDnnpo
= A( qDp Pno
)(e -1)
Lp Ln
DP
z
I = qAn ( +Dn )(e -1) = Io (e -1) (5 .31)
L P ND L NA
Bajo condiciones de polarizacin directa, el 1 que aparece
restando en la ecuacin 5.31 es despreciable frente a la exponencial, por
lo que la corriente que circula por el diodo tiene una dependencia
exponencial con el voltaje aplicado y se puede expresar mediante
ecuacin 5.32 . La constante n sirve para ajustar los datos tericos con los
obtenidos experimentalmente para diodos construidos con distintos
materiales semiconductores y para distintas condiciones de polarizacin .
Para el germanio n=1 y para el silicio n=1 .3 y dependiendo del nivel de
polarizacin suele tomarse n=2 para polarizaciones muy pequeas del
orden de las pocas dcimas de voltios y n=l para altos niveles de
polarizacin .
V
I = Io e n`'T (5 .32)
A la constante Io se le denomina corriente inversa de

saturacin, su valor es del orden del nA y depende fuertemente de la
temperatura de la unin .
5.3.3 La unin pn polarizada inversamente
Si ahora se hace positivo el lado n de la unin con respecto al
lado p la diferencia de potencial en la zona de carga espacial aumentar,
aumentando el campo elctrico y la altura de la barrera de energa
potencial como se muestra en la figura 5.11 . Esta accin, tambin
romper el equilibrio, haciendo que la corriente de arrastre sea mayor que
la corriente de difusin, y por tanto, creando un flujo neto de corriente
desde el lado n de la unin hacia el lado p . Bajo esta situacin, las

concentraciones de portadores se pueden observar en la parte inferior de
la figura 5.10, donde se observa que la polarizacin inversa tiende a
atraer los portadores prximos a los extremos de la zona de deplexin,
produciendo un vaciamiento de portadores en las proximidades de la
misma y un aumento de su longitud .
EPA
1 V D
X
T T
E, = q(VV + V )
Figura 5 .11
Si tenemos en cuenta que esta corriente de arrastre es producida

por los electrones y huecos generados trmicamente en la zona de
deplexin y que la aparicin de estos portadores no depende del voltaje
inverso aplicado sino de la temperatura de la unin, cabe esperar, que
dicha corriente, bajo condiciones de polarizacin inversa, tenga un valor
independiente del voltaje inverso aplicado . Se puede demostrar que, bajo
estas condiciones, el valor la corriente que circula por el diodo es
justamente la corriente inversa de saturacin anteriormente definida.
I = -I (5 .33)
Como este valor es del orden del nA, en la mayora de las

aplicaciones se supondr despreciable .
Efectos de segundo orden hacen que, contrariamente a lo dicho
con anterioridad, si se toman valores de la corriente inversa de saturacin
para distintos valores de polarizacin inversa, se obtenga, aunque de
forma muy dbil, un aumento de esta con el voltaje aplicado . Este
aumento puede explicarse por la aparicin de lo que se denominan
corrientes de fuga . Estas corrientes de fugas se originan en los bordes
del diodo debido a que los tomos que forman el semiconductor, tanto en
la zona n, como en la zona p, no tienen vecinos, o lo que es lo mismo,
tienen sus enlaces covalentes rotos . Esto, es equivalente a decir, que la
superficie del semiconductor entero se comporta como un semiconductor
a tipo p capaz de conducir una pequea corriente elctrica que aumenta con
el voltaje aplicado .
Adems, si el voltaje inverso aplicado aumenta mucho, la

corriente puede empezar a aumentar muy bruscamente por dos motivos :
En los semiconductores muy dopados la zona de carga
espacial es muy estrecha del orden del nanometro . De esta
forma, voltajes dentro de la unin de unos cuantos de voltios,
pueden ocasionar campos elctricos muy intensos, capaces de
arrancar a los portadores de sus enlaces covalentes y de
producir una corriente inversa grande . A este fenmeno se le
denomina ruptura Zener .
Por otro lado, cuando los semiconductores no estn
muy dopados la zona de carga espacial es ancha, de tal forma
que, cuando el voltaje inverso aplicado es grande, los
portadores pueden acelerarse tanto que son capaces de
colisionar con los tomos del cristal y de ionizarlos, generando
pares electrn-hueco . Este fenmeno produce una
multiplicacin de portadores y por lo tanto un aumento
vertiginoso de la corriente elctrica . A este efecto se le llama
avalancha .
Al voltaje en que la corriente empieza a crecer vertiginosamente
bajo condiciones de polarizacin inversa se le llama voltaje de ruptura
VR. Cuando el voltaje de ruptura es menor que 5V la ruptura suele ser
debida al efecto Zener, en caso contrario, suele ser debida al efecto
avalancha . Cuando se supera el voltaje de ruptura del diodo hay que
limitar la corriente por medio de resistencias externas ya que la corriente
puede aumentar tanto que la potencia disipada por el diodo puede
destruirlo .
5.4 Caracterstica I-V del diodo
Si llamamos is a la corriente que circula por un diodo para una

tensin vs aplicada entre sus terminales, ambas variables estarn
relacionadas por la ecuacin 5.34 denominada ley del diodo . La
representacin grfica de dicha ecuacin, junto con la representacin
de la relacin I-V en la zona de ruptura, se puede observar en la figura
5.12 .
VS
l S =I0 (e nVT - 1~ (5 .34)

is(A)
t
0,5
0,2 0,4 0,6 0,8 1 vS (V)
Figura 5 .12 : Caracterstica i-v tpica de un diodo .

En dicha representacin se pueden distinguir las distintas
regiones de funcionamiento :
Polarizacin directa v s>O: En este caso, el trmino
dominate de la ecuacin 5 .34 es la exponencial y la corriente es
prcticamente nula hasta que el voltaje aplicado no supera un
determinado valor denominado voltaje umbral Vy El valor de
este voltaje umbral depende del material con el que este
construida la unin y en este caso es del orden de 0 .7 V .
Polarizacin inversa vs<O: En este caso, por ser el
exponente de la exponencial de la ecuacin 5 .34 negativo, el
trmino dominante es el uno por lo que se obtiene una primera
zona de corriente casi constante e igual a la corriente inversa de
saturacin I, aunque ya dijimos anteriormente que dicha
corriente aumenta, aunque de forma muy dbil, con el voltaje
inverso aplicado .
Si seguimos aumentando el voltaje inverso por encima del
voltaje de ruptura VR , en este caso del orden de -50V, entramos
en la zona de ruptura en la que la corriente aumenta
vertiginosamente con el voltaje inverso aplicado .
Por otro lado, la dependencia de la corriente inversa de saturacin
y del voltaje termal con la temperatura hacen que la relacin i-v del diodo
dependa de la misma, provocando, como se puede observar en la figura
5 .13, que a un valor de corriente constante, la cada de voltaje a travs del

diodo se reduzca aproximadamente en 2mV por cada C . Esta

dependencia ha propiciado el diseo de termmetros electrnicos basados
en el uso de diodos .
is
Figura 5 .13 : Dependencia de las caractersticas del diodo con la temperatura .
5.5 Modelo de diodo de gran seal .
Si observamos la grfica de la figura 5.12, podemos considerar,

como aproximacin, que este dispositivo no conduce para voltajes
directos por debajo de la denominada anteriormente tensin umbral (0 .6-
0.7 V para el silicio y 0 .2V para el germanio) y se comporta como una
resistencia (dependencia lineal) una vez que la tensin directa aplicada es
lo suficiente para eliminar la barrera de potencial . De esta forma, cuando
el voltaje directo aplicado es mayor que la tensin umbral se puede
considerar al diodo como una resistencia cuyo valor ser la suma de las
resistencias de las zonas n y p . Esta resistencia, como se vio en las
secciones referentes al estudio de semiconductores, depende del nivel de
dopado de estos y de los tamaos de las zonas p y n y para diodos
rectificadores suelen ser menores que 152 . A esta resistencia se le llama
resistencia interna del diodo rs y el modelo del diodo para gran seal se
puede observar en la figura 5.14 .
VI Vs
V>V V<V,
Figura 5 .14 : Curva del diodo para la tercera aproximacin y modelo de diodo para
gran seal .
El valor de la resistencia interna del diodo se puede calcular

conociendo dos puntos sobre la zona de polarizacin directa de la curva
del diodo que denotaremos (VrIvy) y (VON,IVON) . Si utilizamos la ecuacin
de la recta que pasa por los puntos anteriores, como aproximacin para
gran seal de la curva del diodo en la zona de polarizacin directa, la
resistencia interna del diodo ser la inversa de la pendiente de dicha recta,
como muestra la ecuacin 5.35:
VON - Vy
rs = (5 .35)
J1 I vy
VON -
A esta aproximacin se le suele denominar en la bibliografa

tercera aproximacin para el diodo pero a veces es comn trabajar con
las denominadas segunda aproximacin (rs =O) y primera
aproximacin (VEO, rs =O) . Esta ltima aproximacin representa al diodo
como un interruptor ideal que conduce cuando la tensin aplicada entre
sus terminales es positiva y que se comporta como un circuito abierto en
caso contrario .
5 .6 Modelo de diodo de pequea seal .
Supongamos que ahora estamos interesados en estudiar el

comportamiento del diodo cuando, como podemos observar en la figura
5.15, una vez elegido el punto de trabajo mediante la correspondiente
tensin de continua V s entre sus terminales (hemos polarizado el diodo),
aplicamos una pequea seal de alterna v s . La notacin utilizada para las
seales de continua, alterna y la suma de ambas se defini en la figura
2.11 .
Figura 5 .15
Hasta ahora sabemos que Vs e Is, al igual que vs e is, estn
relacionadas por la ley del diodo, pero no conocemos la relacin entre las
seales de alterna vs e i5, que a pesar de que, como podemos deducir de la

figura 5.16 no mantengan una relacin lineal, vamos a linealizar a partir

de una aproximacin basada en el desarrollo de Taylor de primer orden
de la curva del diodo en las proximidades del punto de trabajo .
Figura 5 .16 : Caracterstica de pequea seal de una unin pn .

La aproximacin lineal de la relacin i-v del diodo a partir del
desarrollo de Taylor en torno al punto de polarizacin escogido viene
dada por la siguiente expresin :
_ di s
is Is + dvs (vs - Vs ) (5 .36)
S - IS
que en funcin de las componentes de alternas de las seales se

transforma en :
v1
dis dis VS nVT
iS = v r=-= (5 .37)
iS
dv s IS
dv s S=IS S S=IS i
De lo que se obtiene que, en primera aproximacin, la razn entre

el voltaje v s y la corriente is es una constante, por lo que el diodo se
comporta como un dispositivo lineal cuya resistencia viene dada por la
ecuacin 5 .37 y coincide con la inversa de la pendiente de la curva del
diodo en el punto de trabajo . A esta resistencia r se le denomina
resistencia incremental o dinmica de la unin y su valor depende del
punto de polarizacin, pudiendo variar desde valores inferiores al ohmio
para polarizaciones directas hasta varios cientos de MS2 para ciertas
polarizaciones inversas .

La aproximacin utilizada, por estar basada en el desarrollo de

Taylor, ser tanto ms valida cuanto menos nos alejemos del punto de
polarizacin (figura 5 .16), es decir, cuanto ms pequeas sean las seales
de alterna aplicadas, de ah, que a estos modelos se le denominen
Por otro lado se denomina resistencia en continua del diodo al
cociente entre la tensin y la corriente del diodo en el punto de trabajo . Se
denota RF si el diodo est polarizado directamente y R R si lo esta
inversamente y sus valores pueden oscilar entre R F=100Q y RR=800MQ .
Adems, debido a que estamos trabajando con seales que varan
con el tiempo, cuando stas sean de alta frecuencia, habr que tener en
cuenta las capacidades parsitas que se generen en el interior del dispositivo .
Recordemos, que cuando la unin pn se polariza inversamente la anchura de
la zona de deplexin aumenta y a mayor voltaje inverso aplicado mayor
anchura de la misma . Tenemos un almacenamiento de carga en funcin de
un voltaje aplicado, o lo que es lo mismo, un efecto capacitativo que
representaremos con una capacidad denominada capacidad de transicin
CT, cuyo valor depende del voltaje inverso aplicado y del tipo de unin
construida (abrupta, lineal, . . . ) . Se puede deducir que :
CT a 1 para uniones abruptas C T a 1 para lineales (5 .38)

VR 3 VR
Adems, en la parte central de la figura 5 .10 se observa que bajo

condiciones de polarizacin directa, tambin se producen excesos de
portadores minoritarios a ambos lados de la unin, otro almacenaje de
carga en funcin del voltaje aplicado que se modela mediante la presencia
de una capacidad parsita llamada capacidad de difusin CD . El valor de
esta capacidad de difusin es proporcional a la corriente de polarizacin
Is y a el tiempo de vida media de los portadores minoritarios r y viene
dado por la ecuacin 5.39 .
rls
CD - (5 .39)
nVT
C, r +CD
T
Figura 5 .17 : Modelos de diodo para pequea seal bajo condiciones de polarizacin
inversa y directa respectivamente .
En resumen, podemos modelar el diodo bajo condiciones de

polarizacin inversa con una capacidad C T, y bajo polarizacin directa
con una capacidad CD en paralelo con la resistencia incremental del
diodo . De esta forma la constante de tiempo del circuito bajo condiciones
de polarizacin directa rCD es justamente la vida media de los
minoritarios z. El hecho de que no se considere resistencia incremental
bajo condiciones de polarizacin inversa es debido a que el valor de sta
es muy grande comparado con la impedancia que presenta el condensador
para altas frecuencias .
5.7 Dispositivos con diodos

Existen multitud de tipos de diodos construidos para una gran
cantidad de aplicaciones, desde los construidos para trabajar con corrientes y
voltajes bajos llamados diodos de seal los cuales tienen limitaciones de
corriente del orden de 100mA y tensiones inversas de ruptura de 75V, hasta
los que se utilizan dentro de fuentes de alimentacin para convertir corriente
alterna en corriente continua llamados diodos rectificadores capaces de
manejar corrientes de varias decenas de amperio y con tensiones de ruptura
del orden de varios cientos de voltios .
5.7.1 Rectificador de media onda
Uno de los usos ms extendidos de los diodos es la rectificacin
en fuentes de alimentacin para generar voltajes de continua a partir de
voltajes alternos . Si aplicamos un voltaje de alterna al circuito de la
figura 5 .18 y no consideramos la presencia del condensador, obtendremos
un voltaje de salida exactamente igual al de entrada durante el semiciclo
positivo (excepto la pequea cada de tensin a travs del diodo) y
prcticamente nulo durante el semiciclo negativo de la seal de entrada,
como podemos observar en la figura 5.19 . Si ahora tenemos en cuenta la
presencia del condensador en paralelo con la resistencia de carga,
estabilizaremos la seal de salida, ya que este se cargar durante el
semiciclo positivo de la seal y se descargar exponencialmente (ver
captulo 1) a travs de la resistencia cuando el diodo no conduzca . A este
dispositivo se le llama rectificador de media onda y su seal de salida
para una entrada senoidal se puede observar en la figura 5.19.
Podemos observar que la seal de salida no es una seal de
continua pura, sino que presenta oscilaciones denominadas tensin de
rizado VR, que sern tanto menores cuanto mayor sea la constante de
tiempo RC del circuito . Adems, el valor de esta tensin de salida es
menor que el valor pico de la seal de entrada debido a la cada de voltaje
que se produce en el diodo (tensin umbral del diodo) .

Figura 5 .18 : Convertidos de alterna a continua utilizando un rectificador de media

onda .
Una estimacin aproximada de la tensin de rizado sera, si
observamos la figura 5.19, la cada de voltaje sufrida por la exponencial
en un periodo . Si llamamos A a la amplitud de la onda rectificada y T a su
periodo, la tensin de rizado vendra dada por la ecuacin 5.40.
T
VR - A-Ae RC (5 .40)
2 \.
W o i Z + i

-2 ~
-4
-5
0,01 0,015 0,02 0,025
Tiempo (s)
- - Voltaje de entrada - - Salida sin condensador -Salida con condensador
Figura 5 .19 : Ejemplo de seal rectificada bajo simulacin con Winspice del circuito
de la figura 5 .17 con R=1OK, 5F, v ;,,=6sen21t100t y un diodo I N4001 .
Si realizamos un desarrollo de Taylor de la exponencial,
obtendremos la ecuacin 5.41, que ser tanto ms valida cuanto mas
valida sea la desigualdad T< < <RC.
VR A T (5 .41)
De otro modo, si denominamos I a la corriente que circula por la

carga y suponemos que es constante, suposicin que ser valida siempre
y cuando se cumpla que VR A, tendremos que la tensin de rizado
vendr dada por la siguiente expresin :

T
VR - I (5 .42)
Por otro lado, en la figura 5.20 hemos representado la corriente

que circula por el diodo . Podemos ver como el diodo solo conduce un
pequeo intervalo de tiempo en cada ciclo, suficiente para recargar el
condensador con la carga que pierde durante el intervalo en que el diodo
est cortado . Esta grfica tambin pone de manifiesto como el primer
pico de corriente es mayor que los dems, puesto que la carga inicial del
condensador es nula, pudiendo provocar si no se toman precauciones, la
ruptura del diodo . Este pico de corriente es tanto menor cuanto menor sea
la constante de tiempo del circuito, pero no olvidemos, que cuanto menor
sea la constante de tiempo mayor ser la tensin de rizado .
0,02
Z 0,015
0 0,005 0,01 0,015 0,02 0,025 0,03 0,035

Tiempo (s)
Corriente que circula por el diodo en el proceso de la rectificacin
Figura 5 .20 : Intensidad de corriente que circula por el diodo del circuito de la figura
5 .17 .
En la figura 5.21 podemos observar la corriente que circula por el
diodo y la corriente que circula por la carga para el circuito de la figura
5 .17. Se puede demostrar que la amplitud de los picos de corriente de la
figura 5.20 viene dada por la expresin 5.43, donde I, como se defini
anteriormente, representa la corriente que circula por la carga .
2A
(5 .43)
VR /
Adems el intervalo de tiempo At durante el que conduce el diodo

tiene un valor aproximado de :

Semiconductores y diodos . 167
I2%
At = (5 .44)
2nf A
0,009
0,008
Q 0,007
e
0,006
0,005
d
v 0,004
Hc 0,003
cd 0,002
0,001
0
0,01 0,012 0,014 0,016 0,018 0,02 0,022 0,024 0,026
Tiempo (s)
Corriente que circula por el diodo
Corriente que circula por la carga R
Figura 5 .21 : Intensidad de corriente que circula por el diodo y por la resistencia de
carga del circuito de la figura 5 .17 .
5.7 .2 Rectificador de onda completa

Un mtodo alternativo para disminuir el rizado consiste en
utilizar un rectificador de onda completa como el que se muestra en la
figura 5 .22 . De esta forma, durante el semiciclo positivo los diodos D2 y
D3 tienen polarizacin directa y conducen y los D I y D4 estn cortados y
durante el otro semiciclo ocurre lo contrario . Sin embargo, podemos
observar como la direccin de la corriente en la resistencia de salida es la
misma, luego la polaridad del voltaje de salida no cambia .
Figura 5 .22 : Convertidor de alterna a continua utilizando un rectificador de onda

completa .
Este circuito, como podemos observar en la figura 5 .22,
minimiza la tensin de rizado con respecto al utilizado en la seccin
anterior aumentando tambin la frecuencia de la misma . Un razonamiento

anlogo al de la seccin anterior permite deducir la ecuacin 5.45 para la

tensin de rizado en funcin de la corriente media que circula por la
carga, el periodo de la onda de entrada y de la capacidad del condensador .
VR _ (5 .45)
12C
En la figura 5 .23 podemos observar el voltaje de salida del

rectificador de onda completa en ausencia de condensador y una
comparacin entre los voltajes de salida del rectificador de media onda y
del de onda completa para los mismos valores de R y C . Cabe notar que
el rectificador de onda completa reduce la tensin de rizado a costa de
duplicar la frecuencia de la misma .
0 0,005 0,01 0,015 0,02

Tiempo (s)
- -Voltaje de entrada
-Salida del rectificador de onda completa
- - Salida del rectificador sin condensador
- - Salida del rectificador de media onda
Figura 5 .23 : Comparacin entre el voltaje de rizado producido por el rectificador de

media onda y el de onda completa para los mismos valores de R =1 K y C= 10 .11` y
los mismos modelos de diodos .
5.7.3 Demodulador o detector de envolvente

Para comprender el porqu de este circuito, es conveniente, en
primer lugar comprender en que consiste la modulacin en amplitud de
una seal . La modulacin de amplitud completa (AM completa)
produce una onda portadora de alta frecuencia v s(t) cuya amplitud est
modulada mediante una seal de baja frecuencia vm(t), denominada onda
moduladora . La modulacin en amplitud se utiliza en las emisoras de
radio para transmitir la informacin de la seal vm (t) mediante la

portadora v s (t) . La onda portadora es una onda de frecuencia w, y de

amplitud variable en el tiempo y se obtiene a partir de la ecuacin 5.46,
en la que al parmetro a se le denomina ndice de modulacin y al
parmetro b ganancia de tensin en reposo. Puede deducirse, a partir de
la ecuacin 5.46, que la ganancia de tensin en reposo es igual a la
amplitud de la onda portadora en los puntos en los que la amplitud de la
seal moduladora vale cero .
v s (t) = A(t)sinw,t = b(1 + av m (t))sinw,t (5 .46)
Suponiendo que la seal vm(t) es una onda senoidal de amplitud

unidad y frecuencia 10hz y que la portadora tiene una frecuencia
ff=500hz, para un ndice de modulacin a=0 .5 y una ganancia en reposo
de b=2, la seal portadora se puede observar en la figura 5.24 .
c
-2 S
-3 i
0,79 0,8 0,81 0,82 0,83 0,84 0,85 0,86 0,87 0,88
Tiempo (s)
-Seal moduladora - - Seal portadora)
Figura 5 .24 : Seal original y seal modulada en amplitud mediante una seal
portadora de mayor frecuencia .
Los parmetros a y b controlan los valores mximos y mnimos
de la portadora, de tal forma para el caso que estamos estudiando se
cumple que :
Ami = 2(1 + 0 .5) = 3
(5 .47)
Amin =2(1 - 0.5) = 1
Una vez que el receptor recibe la seal portadora, se debe llevar a
cabo el proceso inverso, la demodulacin, o lo que es lo mismo la
deteccin de la onda moduladora que coincide con la envolvente de la
onda portadora, salvo un desplazamiento del nivel de continua .

Seal
portadora
Figura 5 .25 : Circuito demodulador .

El demodulador se puede observar en la figura 5 .25 . La primera
etapa del circuito no es ms que un rectificador de media onda que
requiere, para obtener un funcionamiento ptimo, que se cumplan las
siguientes condiciones :
1 .- La constante de tiempo r,=R1C1 debe ser grande en
comparacin con el periodo de la seal portadora para evitar que la
descarga del condensador C, entre los picos de la misma sea grande y por
tanto, tengamos una elevada tensin de rizado .
1
R, C, (5 .48)
2 .- La constante de tiempo r,=R,C, debe ser lo suficientemente

pequea para ser capaz de seguir a la envolvente de la seal portadora en
los puntos en los que la pendiente de sta es negativa . Como la pendiente
de la envolvente de la seal modulada depende del ndice de modulacin,
estudios detallados demuestran que se debe cumplir la desigualdad 5 .49,
en la que f,,, representa la frecuencia mxima de la seal moduladora . En
el caso ms general, la seal moduladora no ser una onda senoidal pura,
sino que tendr un espectro de frecuencias amplio .
l
27CR, C, a (5 .49)
Para la demodulacin de la portadora de la figura 5 .24, las

condiciones anteriores se cumplen tomando R1=4K y C1=lptF .
La segunda etapa del demodulador constituye un filtro paso alta
que elimina la componente continua de la seal recibida .
En la parte superior de la figura 5 .26 se pueden observar la salida
de cada una de las etapas anteriormente descritas y en la inferior una w
comparacin entre la onda moduladora y la salida del demodulador .
Puede observarse que, no teniendo en cuenta la tensin de rizado, la
salida del circuito de la figura 5 .25 es igual a la seal moduladora, solo

que amplificada en un factor aproximadamente igual al producto ab, en

este caso igual a la unidad . La tensin de rizado puede disminuirse
utilizando una frecuencia mayor para la seal portadora, debe cumplirse,
al menos, que la frecuencia de la portadora sea 100 veces mayor que la de
la seal moduladora .
3
-2
-3
0,79 0,8 0,81 0,82 0,83 0,84 0,85 0,86 0,87
Tiempo (s)
Salida del filtro - - Salida del detector de envolvente
-3
0,79 0,8 0,81 0,82 0,83 0,84 0,85 0,86 0,87 0,88
Tiempo (s)
-Seal moduladora - - Salida del detector de envolvente
Figura 5 .26 : Seal portadora, salida del detector de envolvente y salida del circuito
de la figura 5 .25 .
5.7 .4 Diodos Zener y Reguladores de tensin

Los reguladores de tensin son circuitos que se utilizan para
estabilizar voltajes mal regulados (variables), en aquellos casos en los que se
requieran que las variaciones de los voltajes a lo largo del tiempo sean
mnimas . Un ejemplo de la aplicacin de estos circuitos sera la

minimizacin de la tensin de rizado producida por un circuito rectificador .
Para la construccin de estos dispositivos se utiliza un tipo de
diodo de propsito especial que se conoce como diodo Zener . Estos
diodos se fabrican para trabajar en la zona de ruptura como voltajes de
referencia . Debido a que una vez sobrepasado el voltaje de ruptura la
relacin I-V del diodo es casi vertical, ste se puede utilizar como un
regulador de tensin ya que suministra un voltaje casi constante
independientemente de la corriente que circula por l . La relacin I-V de
un diodo Zener junto con los parmetros que se suelen definir en las hojas
de caractersticas (ver seccin 5 .8) aparece en la figura 5.27.
-VZ VZO-V/K
4
>.
Vs
,~- IZK
Pendiente 1 , -I
r ZT
Figura 5 .27 : Relacin I-V tpica de un diodo Zener .
En dicha grfica podemos observar que para corrientes mayores

que IZK la caracterstica I-V del diodo es prcticamente una lnea recta de
pendiente Ure , cuya prolongacin corta al eje de abscisas en VZO . A rz se
le conoce como impedancia Zener y sus valores tpicos van desde varios
ohmios hasta las decenas de ohmios .
El smbolo del diodo Zener, junto con sus modelos de gran seal en
las tres zonas de funcionamiento puede observarse en la figura 5.28 y en la
figura 5.29 aparece el circuito empleado para efectuar la regulacin del
voltaje aplicado a la resistencia de carga RL. Suponiendo que el voltaje de
entrada al circuito de la figura 5 .28 oscila entre dos valores Vmax y Vmin el
problema radica en encontrar el valor de la resistencia R necesario para que
cuanto el voltaje de entrada este en su valor ms bajo, el voltaje en los bornes
del diodo se encuentre un poco por encima de la tensin Zener (en valor

absoluto) . De esta forma, aseguramos que el diodo este siempre funcionando

dentro de la regin que nos interesa, la zona Zener, y se comporte como una
buena fuente de tensin. Un ejemplo de cmo calcular el valor de dicha
resistencia se encuentra en el ejercicio 5.3 .
V>V VZ > V
.
DZ
UI IV Y - VZ
VY >V >VZ
Figura 5 .28 : Diodo Zener junto con sus modelos de gran seal para sus tres
regiones de funcionamiento ON, OFF y zona Zener .
Figura 5 .29 : Circuito regulador de tensin .
En la figura 5 .30 podemos observar un ejemplo de regulacin de

voltaje mediante el circuito de la figura 5.29 . El voltaje de entrada al circuito
presenta variaciones entre los 14 y los 16 voltios y a su salida tenemos un
voltaje regulado en los 12 voltios debido a que el diodo Zener utilizado es un
D1N963B cuya tensin Zener es de 12V como se puede observar en las
hojas de caractersticas de la pgina 132 . La descripcin del circuito
utilizado para la obtencin de dichas grficas se encuentra en el apendice .
17

16 /
la .~
13
e
3
12
11
10
0 0,004 0,008 0,012 0,016

Tiempo (s)
Voltaje de entrada -Voltaje regulado
Figura 5 .30 : Ejemplo de regulacin de voltaje mediante el circuito de la figura 5 .29 .

5.7 .5 Otros tipos de diodos

Existen otros muchos tipos de diodos para un innumerable
conjunto de aplicaciones :
Diodos led (light-emitting diode) capaces de emitir radiacin
visible bajo condiciones de polarizacin directa . Esta radiacin es emitida
cuando los portadores minoritarios inyectados en cada una de las regiones
bajo polarizacin directa se difunden y recombinan con los mayoritarios .
En este tipo de diodos, este proceso de recombinacin puede liberar
energa en forma de radiacin visible . Estos diodos encuentran su
principal campo de aplicacin en la construccin de displays
(calculadoras, voltmetros digitales, . . .) . Se puede conseguir que la luz
emitida por el diodo sea de varios colores y una de sus grandes ventajas
es que son prcticamente irrompibles si no se exceden sus lmites de
potencia .
Diodos tunel que tienen la propiedad de presentar una resistencia
negativa al paso de la corriente bajo ciertas condiciones de polarizacin .
Diodos varactor que se utilizan como capacidades variables con
el voltaje inverso aplicado . Se usan en circuitos sintonizados LC o RC .
Otra posible aplicacin es la modulacin en frecuencias en las emisoras
de FM .
Diodos schottky basados en una unin metal semiconductor que
puede realizar las mismas funciones que una unin pn. Se usan en
aplicaciones de alta frecuencia y circuitos digitales integrados de alta
velocidad, debido a que presentan un almacenamiento de minoritarios
mucho menor y por lo tanto, un menor tiempo de conmutacin .
Fotodiodos y celulas solares capaces de conducir bajo ciertas
condiciones de iluminacin . Basan su funcionamiento en que cuando una
unin pn est polarizada inversamente y es iluminada, los fotones que
provienen de la radiacin incidente son capaces de romper los enlaces
covalentes y generar pares electrn-hueco en la regin de deplexin,
provocando una corriente a travs de la unin . Estos dispositivos
encuentran su campo de aplicacin en la optoelectrnica, en la que los
circuitos electrnicos y pticos se combinan para realizar procesamiento
de seales, almacenamiento y transmisin (transmisin por fibra ptica,
lectores de CD-ROM, . . .) . La transmisin por fibra ptica suele permitir
anchos de banda muy grandes y muy baja atenuacin y el
almacenamiento ptico densidades de almacenamiento muy altas . En
estos dispositivos la electrnica se utiliza para el procesamiento de las
seales .
La combinacin de un dispositivo LED con un fotodiodo en un

mismo dispositivos constituye un optoaislador . El led convierte una
seal elctrica aplicada al optoaislador en luz, la cual cuando es detectada
por el fotodiodo se reconvierte a seal elctrica a la salida del
optoaislador . Estos dispositivos se suelen utilizar para aislar
elctricamente ciertas partes de un circuito (por ejemplo para reducir la
interferencia elctrica de las seales) . El led y el fotodiodo pueden estar
comunicados a muy larga distancia por un cable de fibra ptica .
5.8 Las hojas de caractersticas .
Las hojas de caractersticas son documentos en los que el

fabricante facilita informacin de los dispositivos electrnicos a los
diseadores de circuitos . En esta seccin vamos a estudiar aquellos
parmetros de ms relevancia para el diseo de circuitos con diodos,
basndonos en la hoja de caractersticas de uno de los diodos
rectificadores ms conocidos el 1N4001 y de un diodo Zener el 1N957 .
5.8 .1 1N4001
VRRM : Este parmetro se denomina tensin inversa repetitiva de
pico e indica la tensin inversa mxima que se puede aplicar al diodo
antes de que se produzcan los efectos de avalancha que puede destruir el
diodo . Para el 1N4001 dicha tensin es de 50V .
IF(AV) : Representa la corriente media rectificada mxima con
polarizacin directa y su valor para el diodo considerado es de lA . Esta
corriente depende de cmo se haya construido el rectificador . Si el
rectificador se ha construido con un puente de diodos o con un
rectificador de onda completa esta corriente es igual a la mitad de la
corriente continua en la carga ya que cada diodo conduce durante un ciclo
de la seal . Para rectificadores de media onda la corriente media en el
diodo es igual a la corriente continua en la carga .
VF : Cada de tensin mxima con polarizacin directa, 1 .1 V para
el 1N4001 . Quiere decir que cuando circula una corriente por el diodo de
lA (IF) si se prueban muchos diodos, slo algunos presentarn una cada
de tensin tan alta de 1 .1 V . Un valor ms comn de cada de tensin para
dicha corriente es de 0 .93V .
IR : Representa la corriente inversa mxima que pueden presentar
algunos diodos cuando se les aplica una polarizacin inversa VR =50V
(VRRM) y es de 10A a 25C y de 50 A a 100C (recordemos que la
corriente inversa de saturacin depende fuertemente de la temperatura) .
Aunque estos son los valores mximos los valores ms comunes o tpicos
suelen ser de 0 .05A y 1A respectivamente .
IFSM : Representa la limitacin de corriente para el pico de
corriente que aparece en la figura 5.20 y es de 30A para el 1N4001 . Esto
es cierto siempre y cuando la carga inicial del condensador se realice
durante un ciclo, en caso contrario el lmite baja dependiendo del nmero
de ciclos necesarios para cargar el condensador por ejemplo 24A para dos
ciclos, etc .
5.8 .2 IN957B
Vz: Haciendo uso de la figura 5 .26 correspondiente a la curva I-V
de un diodo Zener, Vz se define como la tensin Zener y coincide con la
tensin en el diodo cuando circula por el una corriente de prueba IzT. En
este caso Vz=6.8V para una corriente de prueba de 18 .5mA .
Zz: Es la denominada impedancia Zener y coincide con el inverso
de la pendiente de la curva 1-V del diodo Zener en el punto (Vz,IzT) . Para
el diodo considerado tiene un valor de 4 .50. Esta resistencia tiene un
valor ms o menos constante siempre que nos mantengamos por debajo
del codo de la curva de la figura 5 .27.
IzM : Este parmetro corresponde a la corriente mxima que puede
circular por el diodo Zener sin exceder la potencia mxima que puede
disipar. Para el diodo IN957B es de 47 mA . Es ptimo que la corriente
que circule por el diodo Zener cuando est regulando sea parecida a la
corriente de prueba IzT.
A partir de este dato se puede calcular el lmite de potencia para
el diodo como el producto de la tensin Zener V z por la corriente mxima
IzM en este caso de 320mW .
VzK,IzK: Como puede observarse en la figura 5 .27 es un punto
sobre el "codo" de la curva del diodo . A partir de este punto se puede
considerar que dicha curva es una recta de pendiente 1/Z z.
5.9 Hojas de caractersticas de los diodos rectificadores

1N4001-1N4007
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DIVI, O[ C.O
1 N4001 ID to 1 N40071D
Rectifiers
Product specification 1996 Jun 10
Supersedes data of April 1992
File under Discrete Semiconductors, SCO1
Philips
Semitonducton PH I LI PS

Philips Semiconductors Product apeciflcation
Rectifiers 1 N4001 ID to 1 N400711)
FEATURES DESCRIPTION This package is hermetically sealed

and fatigue free as pads area of
Glass passlvated Cavity free cylindrical glass package expansion of al usad pars
High maximum operating thmugh Implotec~tll technology, matched .
temperatura
(1) Irrploleclsatradernerko1Phillps .
Low leakage current
Excellent stability
Available in ammo-pack.
@ ==4 =~ - l
Fig .1 Simplified outline (SOD81) and symbol .
LIMIiING VALUES
In accordance with the Absoluta Maximum Rating System (IEC 134) .
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX UNIT
Vgnv repetitiva peak reverse voltage
1 N4001 I D 50 V
1 N40021 D 100 V
1N40031D 200 V
1N40041D 400 V
1N40051D 600 V
1N40061D 800 V
1N40071D 1000 V
V8 continuous reverse voltage
1N4001ID 50 V
1N40021D 100 V
1N40031D 200 V
1N40041D 400 V
1 N40051D - 600 V
1N40061D 800 V
1 N40071D 1000 V
1 nvi average fonvard cunent averaged ovar any 20 ms 00 A
period ; T,y = 75 C; sea Fig .2
averaged ovar any 20 ms 0 75 A
period ; T, ,5 = 100 C ; sea Fig.2
repetitive peak forward current 10 A
Irs non-repetitive peak fonvard current hall sinewave; 60 Hz 20 A
storage temperatura 65 75 C
Tes
junction temperature -65 175 C
T
1996 Jun 10 2

Philips Semiconductors Product specification
Rectifiers 1 N4001 ID to 1 N40071D
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TI = 25 C; unless otherwise specified .
SVMBOL PARAMETER CONDITIONS MAX UNrr
VF forward voltage IF = 1 A; see sea Fig .3 V
VF Av fui-cycle average forward voltage IF1nv1= 1 A

0 8 V
IR reverse current Va=V0, ljA

va =VR...;T,,,,n=100C 50 LA
la ovl fui-cycle average reverse current Va- VRRMma2; T,,,,s= 75 C 30 pA
THERMAL CHARACTERISTICS
SVMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
themial resistance from junction to tie-point leed length = 10 mm 60 K/W
P
Rh ther nal resistance from junction to ambient note 1 20 KM
Note
1 . Device mounted on epoxy-glass printed-circuit board, 1,5 mm thick ; thickness of copper 740 pm, sea Fig,4,
For more information please refer to the "General Part of Handbook SCO1 ".
1996 Jun 10 3

Philips Semiconductors Product specification
Rectifiers 1 N4001 ID to 1 N4007113
GRAPHICAL DATA
v) ,s
i9 r, . -mac .
(3) r,,,,_-Saro
Fig,3 Forward current as a function of forward
voltage ; typical values .
D1-1.- In-
Fig .4 Device mounted on a printed-circuit board.
1996 Jun 10 4

5 .10 Hojas de caractersticas de los diodos Zener 1N957B -

1N973B
Di t. POWER & Sigral

FAIRCHILD TecMalogleo
SEMICONDUCTOR m
1 N957B - 1 N973B Series Half Watt Zeners
AbsoluteMaximumRatlngs' Tolera-B=5%
P.remeter VaIoe Unlte
StaagsTeapealureRango 650 200 C
Maomum Juncos, Oparating Temperatura C
LealTemperalure(1/16"h0mcasefor105ecands) 230 C
Taal Dame Diseipalion 500 mW
D~ 25C 333 mWPC
mxe re0npe ve ummnp vaues emve mim ine esrviosseeiH o, ma mooe mey oe urpaveo .
DO-35
,lime reanpsereoaseoanemmmum~uncnonkmperawreol2aooeareesc .
rlr~ eawa, ~ .~~ vaawooaaonaw.o ~p ucnainwvmppo .ea
Electrical Characteristics m e b~ a
Vz zz lz, Z06 196 IR Vn T0 Izrj
Device M (m A) (.A) (160)
(a) (01) 1 M (.A)
1N9576 6 .8 4.5 18 .5 700 1D 150 5 .2 D05 47
1N9588 75 5.5 16 .5 700 05 75 5 .7 0058 42
1N9596 8 .2 6.5 15 700 0.5 50 6 .2 0062 38
1N960B 91 75 14 700 05 25 6 .9 0068 35
1 N961 B 10 85 125 700 025 10 7 .6 0 0 2 32
119620 11 9.5 11 .5 700 0 .25 5 8 .4 00 28
1 N9836 12 115 105 700 025 5 9 .1 0 0 8 26
1 19648 13 13 95
85 700 0 25 5 99 0 079 24
1N965B 15 18 700 0 .25 5 114 0082 21
1N0668 18 17 7.8 700 0 .25 5 12 .2 0183 19
118676 18 21 70 750 0 .25 5 13 .7 0085 17
1 N968B 20 25 6 2 750 0 .25 5 152 0086 15
1N969" 22 29 5.6 750 0 .25 5 16 .7 0087 14
1 N970B 24 33 5.2 750 0 .25 5 18.2 0 088 13
1N971 B 27 41 4.8 750 0 .25 5 206 1190 11
1N972B 30 49 4.2 1000 0.25 5 22.8 009 10
1N973B 33 58 3.8 1,000 025 5 25.1 0092 92
zupnaor ro annp~v2esanos,asoaoodo,aoJeoecmmpmiaoomm-anewnaemeauuooenervonepenzau,nxn
a, pwmuypoin~, m enmumaenamrem y m_roueoenowemnedoy .naer g ne
SEMICONDUCTORES Y DIODOS
Ejercicio 5.1 :
Un rectificador de media onda se conecta a una fuente de 50 Hz y
genera un voltaje pico de salida de 1OV a travs de un condensador de
filtro de lOmF . Calcula el voltaje pico del rizado si la carga es de 50052 .
Qu efecto tendr sobre la tensin de rizado del ejercicio
anterior sustituir el rectificador de media onda por uno de onda
completa? . Utiliza la segunda aproximacin para los diodos .
Ejercicio 5.2 :
Utiliza un diodo Zener con el conveniente montaje para aplicar a
la carga del ejercicio anterior un voltaje constante de 6 .8V .
Ejercicio 5.3 :
Se desea aplicar un voltaje constante de 5 .6V a una red cuya
resistencia de entrada es de 1KS2, a partir de una fuente V cuyo voltaje
puede variar de 10 .5 a 12.5V . Para ello se monta el circuito que aparece
en la figura . Explica como funciona y calcula el valor de la resistencia R,
la tensin de ruptura del diodo Zener y los valores de la potencia
requerida por cada uno de los componentes del circuito .
= I K12
Ejercicio 5.4 :
En el circuito de la figura anterior R=50052, el diodo Zener es un
1N957B y el voltaje de entrada es nominalmente de 1OV pero puede
variar +/- IV . Se pide calcular:
a) El voltaje de salida sin resistencia de carga y con el voltaje de
entrada a su valor nominal .
b) El cambio en el voltaje de salida provocado por el cambio de
+/- 1 Ven el voltaje de entrada .
c) El cambio en el voltaje de salida cuando se conecta una

resistencia de carga de 2K5i
d) Voltaje de salida para una resistencia de carga de 0.5K52 .
e) El mnimo valor de la resistencia de carga para el que el diodo
an opera en la regin de ruptura .
Ejercicio 5.5:
Deduce el voltaje de salida de los siguientes circuitos :
v
Es
Ejercicio 5.6:
Determina la tensin de salida Vo y el estado de los diodos del
circuito de la figura en los siguientes casos :
a) V1=V2=5V
b) V1=5V, V2=0
c) V1=V2=0
Supnganse los diodos de silicio con tensin umbral 0 .6V y
resistencia interna 3052 .
5V

Ejercicio 5.7:
Calcula la corriente, la tensin y la potencia en la carga, as como
la potencia del diodo para los siguientes circuitos
1N4001 I N4001

T 20V RL =1K52 -I
r- 15V
T T
R L = 4705
Ejercicio 5.8:
Describe el funcionamiento del siguiente circuito :
Preampl/cedo
Eta" Amplificados
ermedi de potencia
Se sor Actuador
Amplificador
Ejercicio 5.9:
Dibuja el voltaje de salida de los siguientes circuitos suponiendo
diodos ideales .
1OV 1OV
Ejercicio 5.10 :
Dibuja el voltaje de salida de los siguientes circuitos .
Ejercicio 5.11 :
Calcula la tensin en los extremos de la carga de 2KS2 del
circuito de la figura, donde VA=9V y v,,=0 .2V . Supn el diodo de silicio
con tensin umbral 0.6V, resistencia interna 1OS2 y un valor de n en la
caracterstica corriente-tensin del diodo igual a 2 .
6 Transistores Bipolares .
6.1 Introduccin
Los transistores bipolares, tambin llamados BJT (Bipolar

Junction Transistor) fueron los dispositivos que sustituyeron a las
vlvulas en los primeros tiempos de la electrnica . Hoy en da, su uso
todava predomina en aplicaciones analgicas aunque, tambin es cierto,
que cada vez menos . Fueron propuestos por Bardeen y Brattain en 1947 y
refinados por Shockley en 1949 .
Son ms complejos que los transistores unipolares, suelen
consumir ms energa y, en general, presentan mayor ganancia . Se les
denomina bipolares por que la corriente que circula por ellos es debida a
el movimiento de huecos y electrones .
6.2 Construccin, funcionamiento y tipos.
6.2 .1 Construccin de un transistor bipolar .

Para la construccin de un transistor bipolar npn (figura 6.1
derecha) se parte de un semiconductor tipo n que formar el denominado
colector . En dicha regin se difunde una regin con impurezas tipo p
(boro) para formar la base y en la que a su vez, se difunde una nueva
regin tipo n (fsforo) llamada emisor . En todos los procesos se utilizan
las propiedades pasivantes y de mscara del Si0 2 (tecnologa planar) . Por
razones que se explicarn ms adelante, el emisor est fuertemente
dopado mientras que la base y el colector son regiones con contaminacin

188 Transistores bipolares
muy baja . De la misma forma, puede deducirse el proceso de fabricacin

de un transistor bipolar pnp. Los smbolos utilizados para representar los
transistores bipolares se pueden observar en la f gura 6.1 .
E B C
B J`
~E C n
npn pnp
Figura 6 .1 : Smbolos utilizados para los transistores npn y pnp y seccin transversal
de un transistor bipolar npn .
6.2 .2 Funcionamiento
El funcionamiento de un transistor bipolar npn depende de las
tensiones aplicadas en cada uno de sus terminales . Dependiendo de
dichas tensiones se obtienen cuatro regiones distintas de funcionamiento
activa directa o simplemente activa, activa inversa, saturacin y
corte . Nosotros nos centraremos en la regin activa directa, la cual se
consigue polarizando la unin BE directamente y la BC inversamente
mediante los correspondientes voltajes VBE y VBC, como puede observarse
en la figura 6.2 . El funcionamiento de este dispositivo se diferencia del
funcionamiento de dos uniones pn polarizadas directa e inversamente por
dos razones :
1 .- La longitud de la base es pequea en comparacin con la
longitud de difusin de los electrones en ella .
2.- La contaminacin de la base es baja en comparacin con la
del emisor.
Como la unin BE est polarizada directamente, existir un flujo
neto de electrones desde el emisor hasta la base . Debido a que la regin
de base est poco dopada, estos electrones se difundirn en la regin de la
base con un tiempo de vida media grande, lo que, junto con la suposicin
de que la longitud de la base es pequea, provocar que la mayora de
ellos alcancen la zona de la unin base-colector . Como esta ltima unin
esta polarizada inversamente, en la zona de deplexin existe la presencia
de una campo elctrico que aspira los electrones que llegan a dicha unin
inyectndolos en la regin de colector . De esta forma, la mayora de los
electrones que salen del emisor alcanzan el colector, los otros, se

Transistores bipolares 189
recombinan con algunos de los huecos de la base y fluyen hacia el

terminal positivo de la fuente VBE constituyendo lo que se denomina la
corriente de base .
Emisor Base Colector
n n
Elec trones
inyectados
- Eles
que se ditunden
Electrones
colectados C
1
r
I
Hueco
inyectados Electrones,
que se recombman
Flujos de os
aspa ados oy la
la unin
uni BC
polanzada inversamente
Ti,
V BE + - V CB +
Figura 6.2: Flujos de portadores y corrientes en un transistor bipolar npn polarizado

en la regin activa directa.
Si el transistor est bien construido, aproximadamente el 95% de

los electrones que salen del emisor alcanzan el colector y solo el 5%
constituyen la corriente de base . Esto, nos lleva a definir una relacin
entre las corrientes de colector y emisor dada por la ecuacin 6.1, en la
que al parmetro a se le denomina ganancia de corriente en base
comn y suele tener un valor prximo a la unidad .
ic = ai E (6 .1)
Adems, segn las leyes de Kirchoff se debe cumplir

i c + iB = i E (6.2)
de lo que se puede deducir que :

l c= a =/3
(6.3)
lB 1-a
Al parmetro /3 se le denomina ganancia de corriente en emisor

comn del transistor . Esta ganancia en corriente suele tomar valores entre
100 y 300 pero variar de forma considerable con la temperatura, las
condiciones de funcionamiento (punto de reposo) y de unos dispositivos a
otros .

Si profundizamos un poco en el funcionamiento del transistor

bipolar npn, en la figura 6.2, podemos ver otros flujos de portadores,
distintos de los mencionados anteriormente . Estos flujos de portadores
originan corrientes de fuga que a veces no pueden despreciarse, por
ejemplo, cuando los transistores son de germanio o cuando la
temperatura es alta, y son los responsables del funcionamiento del
transistor en las otras regiones de funcionamiento . Estos flujos de
portadores son :
1 .- Debido a que la unin BE est polarizada directamente,
tendremos que considerar los huecos que la base inyecta en el emisor .
Teniendo en cuenta la ley del diodo podemos definir una relacin entre la
corriente de emisor iE y la tensin base emisor VBE por medio de la
expresin 6.4, en la que IEO representa la corriente inversa de
saturacin de la unin BE y en la que estn incluidas las corrientes
debidas al flujo de electrones y huecos que atraviesan la unin BE .
iE =I EO (e" nv' -1) donde I EO =gAn i 2 ( D" + Dp ) (6 .4)

N A L" ND Lp
Puede demostrarse que cuando la regin de la base es muy

delgada en comparacin con la longitud de difusin de los electrones en
la zona p, la concentracin de electrones, que como sabemos presenta un
perfil exponencial, se puede suponer lineal, pasando a depender de la
anchura de la base en lugar de la longitud de difusin de los electrones L" .
Por ello, bajo esta aproximacin la corriente inversa de saturacin vendra
dada por la siguiente expresin :
D"
I EO =
qAn 2 ( + Dp ) (6.5)
N A W ND L p
Una forma de minimizar esta corriente de huecos consiste en

construir el transistor con una base muy estrecha (W muy pequeo) y
contaminar la regin de emisor fuertemente con respecto a la base,
(ND> NA) de tal forma que el segundo trmino de la ecuacin 6.5 sea
pequeo en comparacin con el primero y, por tanto, la corriente de
huecos que cruza la unin BE puede despreciarse frente a la de
electrones
2 .- Por otro lado no podemos olvidar la corriente inversa de
saturacin que cruza la unin BC polarizada inversamente . Lo que ocurre
es que las corrientes inversas de saturacin son muy pequeas, del orden
del nA, por lo que podrn despreciarse generalmente en primera
aproximacin .
6.3 Caractersticas de los transistores bipolares .
Para el estudio que sigue a continuacin nos basaremos en el

amplificador de la figura 6.3, construido con un transistor bipolar, y
denominado amplificador en emisor comn . Para esta topologa, la
seal de entrada al amplificador se introduce por el terminal de base y la
salida se recoge por el colector .
Figura 6 .3
Vimos en el captulo 2 que para que un amplificador funcione

correctamente, debe tener establecidas a la entrada y a la salida unas
determinadas tensiones de continua, que sitan el denominado punto Q en
un lugar ptimo sobre la VTC del amplificador . Vimos tambin, como la
eleccin de un punto Q ptimo es fundamental en el diseo de
amplificadores, puesto que fijar la ganancia del amplificador, la
excursin de la seal de salida, etc.
Por ello, cuando trabajemos con amplificadores distinguiremos
entre las seales de continua y alterna a la entrada y a la salida del
amplificador y las trataremos por separado basndonos en el principio de
superposicin .
6.3 .1 Caractersticas de gran seal .
Para el estudio de las relaciones entre las corrientes y las
tensiones de continua en el transistor del amplificador de la figura 6.3,
vamos a suponer que la tensin de alterna aplicada a la entrada del
transistor, Vbef es nula. La suposicin anterior hace que en todos los nodos
y ramas del circuito existan nicamente tensiones y corrientes continuas
que vendrn relacionadas, segn vimos en las secciones anteriores por
medio de las ecuaciones que se muestran a continuacin :

I = ( e VBE inVT -1)

E IEO
Ic = ai E (6.6)
Ic = NB
Adems, el voltaje de salida VcE puede ser obtenido por la

relacin 6.7 .
Vcc = I c Rc +VcE (6 .7)
La solucin de las ecuaciones anteriores definen el valor del

punto de reposo del transistor, el cual, como veremos ms adelante,
deber cumplir una serie de especificaciones .
6.3 .2 Caractersticas de pequea seal .
Una vez polarizado el transistor, vamos a utilizar aproximaciones
lineales basadas en los desarrollos de Taylor de las ecuaciones del
transistor alrededor del punto de trabajo . Estos desarrollos, nos permitirn
definir relaciones lineales entre los pequeos voltajes de alterna aplicados
y las corrientes que circulan por el transistor .
VBE VBE
Vbe C
Figura 6 .4 Dependencia de la corriente de base con el voltaje base emisor para un

transistor bipolar.
6 .3 .2 .1 Caractersticas de entrada .
De acuerdo con las secciones anteriores, la dependencia no lineal
entre la corriente de base iB y la tensin base-emisor vBE viene dada por la
ecuacin 6.8, la cual se encuentra representada grficamente en la figura
6.4 .

i B - _ = ( 1-a)I EO
l TlV r (6 .8)
c i
La aproximacin lineal de la relacin B-VBE entorno al punto de
reposo (IB,VBE ) nos lleva a la ecuacin 6.9, de la que puede obtenerse la
expresin 6.10 que relaciona los voltajes y corrientes de alterna V be e ib .
Adems, ocurre que la aproximacin lineal es tanto mejor cuanto menos
nos alejemos del punto de reposo, es decir, cuanto ms pequeas sean las
seales de alterna que apliquemos a la entrada del amplificador . De ah,
que a los modelos deducidos de la aproximacin lineal, se les denomine
aiB
1 B = IB + (V BE VBE ) (6 .9)
aVBE
Vbe (6 .10)
V BE 1 B = 'B
De esta forma, se define la resistencia de entrada de pequea

seal vista desde el terminal de base como el cociente entre el voltaje
Vbe y la corriente ib , se le denota r,r, viene dada por la ecuacin 6.11 y
coincide con la inversa de la pendiente de la curva de la figura 6.4 en el
punto de trabajo .
'-1
ai B 17VT
r,r _ - 1 (6 .11)
aVBE
, B=~B
I B 40I B
De la misma forma, se puede definir la resistencia de entrada de
pequea seal vista desde el terminal de emisor re mediante la
ecuacin 6.12 .
)1 VT r
V be = re t e con re = - 1 (6 .12)
IE 40IE
De las ecuaciones 6 .11 y 6.12 se desprende una relacin entre las
resistencias de entrada vistas desde el terminal de base y el terminal de
emisor .
r,, =(/3+1)re

Por otro lado, si tenemos en cuenta efectos de segundo orden, en

la grfica de la figura 6.4 apareceran infinitas lneas, cada una de ellas
para un valor distinto del voltaje vcE. De tal forma que, conforme
aumente el voltaje vcE tambin aumente el voltaje vBE necesario para
producir una corriente i B dada . Por ello, podemos definir un parmetro
que mida la relacin de cambio de VBE con respecto a vcE para una iB
dada . A este parmetro se le - denomina relacin de transferencia
inversa de voltaje, se denota hre y se define a partir de la ecuacin 6.13.
El valor de la relacin de transferencia inversa de voltaje es muy pequeo
por lo que en adelante no lo tendremos en cuenta .
_ aVBE
hre (6 .13)
a v cE Q
6 .3 .2 .2 Caractersticas de transferencia
Se define la transconductancia g,,, como el cociente entre la
corriente de colector ie y el voltaje base emisor Vbe y representar la
pendiente de la curva C-vBE en el punto de trabajo. Su valor viene dado
por la siguiente expresin :
aic
l c = 9 . Vbe con g, = (6 .14)
aV BE Q
Adems, teniendo en cuenta las ecuaciones 6.2, 6.3 y 6 .4 se
obtiene que :
N 1 I EOe40VBE
lC = lE = fl (6 .15)
flp 1
de lo que se puede deducir que el valor de la transconductancia

g,,, viene dado por la ecuacin 6.16.
9M = avic _ 1 40,E =a40I E = a = Siemens (6 .16)

BE re rc
Cabe destacar en este punto, que la transconductancia de los

transistores bipolares es proporcional a la corriente en reposo de colector
o emisor, a diferencia de lo que ocurrir con los transistores FET en los
que la transconductancia ser proporcional a la raz cuadrada de la
corriente de drenador . Esto, tendr como consecuencia mayores
ganancias de voltaje para los amplificadores construidos con transistores
bipolares que con transistores FET . Adems, tambin se constata el hecho

de que la transconductancia depende fundamentalmente de la eleccin del

punto de trabajo del transistor .
Se puede definir otro parmetro de transferencia de pequea seal
denominado ganancia de corriente de pequea seal como el cociente
entre la corriente de colector i, y la corriente de i b. Puede verse fcilmente
que el valor de dicho parmetro coincide con el valor de 3 .
6.3.2.3 Caractersticas de salida
La caracterstica de salida del montaje en emisor comn viene
definida por la relacin c-v cE, la cual podemos observar en la figura 6.5
para distintos valores de la corriente de base B . En dicha grfica, se
pueden distinguir dos regiones, la zona de saturacin y la zona activa.
En la zona de saturacin el voltaje vcE es tan pequeo (<0 .2-0 .3V) que las
dos uniones pn estn polarizadas directamente, lo que provoca que la
corriente de colector aumente bruscamente con el voltaje colector emisor .
En la zona activa (unin base emisor polarizada directamente y unin
base colector polarizada inversamente) cabra esperar que la corriente de
colector fuese constante con respecto al voltaje colector emisor para una
corriente de base dada, ya que dicha corriente de colector depende
nicamente del voltaje vBE. Sin embargo, podemos observar como esto no
ocurre, ya que las curvas presentan una ligera pendiente responsable de
que la corriente i c, para una corriente iB dada, aumente con el voltaje vcE .
Esta dependencia c -vcE es debida a que cuando el voltaje vcE
aumenta, la unin base-colector se polariza ms inversamente,
provocando un ensanchamiento de su zona de deplexin y por tanto una
disminucin de la anchura efectiva de la base W . Este efecto causa un
aumento de (3 para valores crecientes de vcE.
De esta forma, se define la resistencia de salida ro como el
inverso de la pendiente de las curvas ic-vcE en el punto de reposo elegido
de la zona activa y viene dada por la ecuacin 6.17. A este efecto se le
denomina efecto Early .
ai c
lc 1 Vce con ro = (6 .17)
ra a v cE Q /
Para dar una estimacin del valor de la resistencia de salida,

habra que observar que la prolongacin de las lneas de la zona activa de
la grfica de la figura 6.5 llevaran todas a un mismo punto de
interseccin con el eje de abscisas . Dicho punto tiene coordenadas (-
VA ,O) y una buena estimacin de la pendiente de cada una de estas lneas

en la zona activa es ic/VA . De esta forma, la resistencia de salida vendra

dada por la expresin 6.18 . El valor del voltaje VA suele ser del orden de
75-100V y el de la corriente Ic del mA, por lo que el valor de ro suele ser
del orden de los 100kQ .
= VA (6 .18)
IC
iB=IB+K
Q
Ic
VCE
Figura 6 .5 : Dependencia de la corriente de colector con el voltaje colector-emisor
en un transistor bipolar .
Otro aspecto importante a tener en cuenta de la grfica de la
figura 6.5, es que las curvas correspondientes a corrientes de base
equidistantes son tambin equidistantes, lo que pone de manifiesto la
dependencia lineal de la corriente de colector iC con la corriente de base
iB . Esto no ocurre con los transistores FET, en los que aparecer una
dependencia cuadrtica de la corriente de drenador iD con el voltaje VGS
aplicado, lo que har que los amplificadores construidos con este tipo de
transistores sean menos lineales que los construidos con transistores
bipolares .
6 .4 Circuitos equivalentes del transistor bipolar para

pequea seal
En esta seccin vamos a estudiar algunos circuitos equivalentes

del transistor bipolar para pequea seal . Estos modelos son circuitos
lineales que pretenden implementar las ecuaciones de pequea seal que
vimos en la seccin anterior, y que, despreciando el parmetro de
transferencia inversa de voltaje se pueden reducir a las ecuaciones 6.19 .
Describiremos dos modelos que nos sern tiles en las secciones
posteriores denominados modelo hbrido en n y modelo T .

V be = rrz l b
V be = re l e (6.19)
1
lc = F'lb + 1 Vce = 9 . Vbe + V ce
ro
Aunque los dos modelos son equivalentes el modelo T simplifica
mucho los clculos en aquellas configuraciones en las que el amplificador
presenta una resistencia en el terminal de emisor y sobre todo cuando se
supone que la resistencia de salida ro es infinita.
6.4.1 Modelo hbrido en ?t
Este modelo representa el transistor como una fuente de corriente
controlada por corriente o por voltaje como podemos observar en lafigura 6.6.
E
Figura 6.6 : Modelo hbrido del transistor bipolar.
Podemos ver fcilmente que, utilizando las relaciones entre los
parmetros g, n , r,, y re dadas en la ecuacin 6 .16, el modelo predice las
ecuaciones 6.19 .
6.4.2 Modelo en T
El modelo de la figura 6.7 tambin representa al transistor como
una fuente de corriente controlada por voltaje o por corriente . Puede
verse fcilmente como, utilizando las relaciones dadas en la ecuacin
6.16, dicho modelo es capaz de predecir las ecuaciones 6.19 .
ie
Figura 6 .7 : Modelo en T del transistor bipolar .

El elevado valor de la resistencia de salida ro hace que en primera

aproximacin se pueda sustituir por un circuito abierto simplificando en
gran medida los clculos .
6.4.3 Modelo en n hbrido para alta frecuencia
El modelo con parmetros hbridos estudiado anteriormente
proporciona un buen modelo del transistor bipolar a bajas frecuencias,
pero no es capaz de predecir el funcionamiento a altas, ya que no tiene en
cuenta las capacidades parsitas del dispositivo .
Para el estudio del transistor en el rgimen de altas frecuencias,
se suele tomar un modelo ms complejo que podemos observar en la
figura 6.8 . Con la presencia del nodo b' se quiere indicar como en el
efecto transistor no participa toda la regin de base, sino la zona de sta
ms delgada, justo debajo del emisor, que recibe el nombre de zona
efectiva de la base . La resistencia hmica entre la terminal de base y el
nodo b' que representa la zona efectiva de la base se denota rbb' y su valor
suele oscilar entre los 5 y 50 ohmios .
rb ,l
VA-
r, b , B' c1 , 1
+ . C
11
e gm Vh . ,
1
E
Figura 6 .8 : Modelo hbrido en it del transistor bipolar para alta frecuencia .
Como se defini con anterioridad, r,r representa la dependencia de

la corriente de base con el voltaje Vb'e, es decir, la corriente de
recombinacin en la base ante el exceso de minoritarios inyectados y ro
es la resistencia de salida debida al efecto Early . Cbe es igual a la suma de
las capacidades de difusin y de transicin de una unin BE y toma
valores aproximados a las decenas de picofaradios . rb ,, tiene en cuenta la
dependencia de la corriente de base con la tensin base colector debida al
efecto Early y no suele tenerse en cuenta ya que su impedancia es mayor
que la del condensador Cb ',, incluso en el rgimen de frecuencias medias .
Por ltimo, Cb ', representa la capacidad de transicin de la unin base-
colector y toma valores del orden del picofaradio o una fraccin de este .
6.5 Estudio de las distintas configuraciones de

amplificadores .
En esta seccin, estudiaremos varias configuraciones de

amplificadores monoetapa construidos con transistores bipolares,
denominadas, amplificador en emisor comn, en emisor comn
realimentado, en base comn y en colector comn . Todos ellos estn
polarizados mediante resistencias a partir de una nica fuente de
alimentacin. En secciones posteriores estudiaremos otros esquemas de
polarizacin .
6.5 .1 El amplificador en emisor comn .
Se denomina amplificador en emisor comn al diseo de la figura
6.3 en el que la entrada al amplificador es el terminal de base y la salida
el colector . Dicho diseo se modifica debido a que la tensin continua
VBE, no se consigue a partir de una fuente de alimentacin, sino mediante
una resistencia conectada a la fuente de alimentacin Vcc, dando lugar al
diseo de la figura 6.9 .
Figura 6.9 : Amplificador en emisor comn .

En dicho diseo la resistencia de base RB aplica un voltaje
positivo a la base del transistor, brindando polarizacin directa a la unin
BE y produciendo una corriente de base. Esta corriente de base debido al
efecto transistor produce una corriente de colector que genera una cada
de voltaje en la resistencia Rc, situando el voltaje de reposo de salida a
una fraccin del voltaje de alimentacin . Si ahora aplicamos un voltaje
positivo a la entrada del amplificador, tendremos un aumento del voltaje
base emisor y por tanto un aumento en la corriente de emisor, lo que se
traducir en un aumento tambin de la corriente de colector . Este
aumento en la corriente de colector, aumenta la cada de voltaje en la
resistencia de colector disminuyendo el voltaje de salida por debajo de su
valor de reposo . Tenemos pues un amplificador inversor cuyo estudio,
segn lo dicho con anterioridad, requiere en primer lugar un anlisis de

las condiciones de reposo en continua y posteriormente un anlisis de

pequea seal, cuyos parmetros, como vimos en las secciones
anteriores, dependern del punto de reposo .
6.5 .1 .1 Determinacin de las condiciones de reposo .
Las condiciones de reposo del circuito de la figura 6.9 vienen
determinadas por los valores de las resistencias RB y Rc y por el valor de /3.
Un sencillo estudio del amplificador se basa en utilizar la
segunda aproximacin para la unin BE polarizada directamente, de esta
forma, el voltaje VBE se puede suponer constante e igual a 0 .7V . De lo que
se deduce que la corriente de base viene dada por la siguiente expresin :
IB Vcc- VBE (6 .20)

= RB
Adems, una vez conocido el valor de la corriente de base, se

pueden calcular los valores para la corriente de colector y el voltaje de
reposo de salida a partir de las ecuaciones 6.21 y 6.22 respectivamente .
I c = /3I B (6 .21)
Vo = Vcc - Rc Ic (6 .22)
6.5 .1 .2 Anlisis de pequea seal

Para hacer un anlisis de pequea seal, aquel que nicamente
tiene en cuenta las componentes alternas de las seales que se generan en
el amplificador, es necesario en primer lugar obtener su modelo
equivalente de pequea seal, el cual, se obtiene sustituyendo el transistor
bipolar por uno de sus modelos y considerando todos los nodos en los
que existen exclusivamente seales continuas a tierra para seal .
De esta forma, el modelo de pequea seal del amplificador de la
figura 6.9, utilizando el modelo hbrido en n para el transistor, aparece en
la figura 6 .10 . De dicho circuito es evidente el clculo de la ganancia de
voltaje dada por la ecuacin 6.23 .
9.vbe
Figura 6.10: Modelo de pequea seal del amplificador en emisor comn .

v o -gmvbe(ro II Rc) -
``w = - - g m(ro II RC)
V a Vbe (6 .23)
-g .Rc =-40Ic Rc
Como podemos observar la ganancia de voltaje de pequea seal

est condicionada por las condiciones de reposo . El gran inconveniente
de este diseo es que las condiciones de reposo en continua vienen
impuestas por el valor de /3, que vara de forma considerable con la
temperatura y de unos dispositivos a otros, hasta el punto de que, en los
transistores bipolares de propsito general suelen ser comunes
variaciones de la ganancia de corriente en el intervalo de 80 a350 . Las
consideraciones anteriores hacen que el diseo de la figura 6.9 sea un mal
diseo, puesto que la ganancia del amplificador estar mal definida . De
G nuevo, ocurre el mismo problema que apareci con la ganancia en lazo
abierto de los amplificadores operacionales, problema que se solvent
con el uso de la realimentacin negativa . En la prxima seccin
estudiaremos un nuevo diseo de amplificador, con una resistencia entre
el terminal de emisor y tierra, que realimenta negativamente al
amplificador, y que elimina prcticamente la dependencia del punto de
reposo del amplificador con el valor de /3 .
Del mismo modo, es sencillo deducir que la impedancia de
entrada y salida del amplificador que estamos estudiando vienen dadas
por las siguientes expresiones :
r,. =R B IIrr -r,
(6 .24)
=R c IIro -R c
Adems, si consideramos a la resistencia R, como la resistencia

de carga del amplificador, es decir, consideramos la corriente de salida
como la corriente que circula por dicha resistencia, la ganancia de
corriente del amplificador viene dada por la ecuacin 6.25, de ah, que al
parmetro /3 lo definisemos anteriormente como la ganancia de corriente
en emisor comn .
Ejemplo 6 .1 : Calcula para un amplificador en EC como el
estudiado con RB=910K, R =4.7K y /3=100 las condiciones
de reposo, las resistencias de entrada y salida y la ganancia
de voltaje de pequea seal . Construye una tabla con todos
los valores y repite el proceso para valores de /3 de 80, 150 y
200 . Toma un valor de ro=105SZ .

A, =Ay Ri = g(6 .25)

L
6 .5 .1 .3 Anlisis utilizando las rectas de carga

Existe un anlisis grfico alternativo para la resolucin de este
tipo de problemas que consiste en localizar el punto de funcionamiento
del transistor a partir de las representaciones grficas, ofrecidas por el
fabricante, de las figuras 6.11 y 6.12 .
El primer paso consiste en calcular la corriente de base en reposo,

para ello, sabemos que se deben cumplir simultneamente, la relacin iB-
VBE del transistor en cuestin y la ecuacin 6.20 que desprende una
relacin lineal entre la corriente de base y la tensin base emisor . Por
ello, el punto de reposo del amplificador ser la interseccin entre ambas
lneas como puede observarse en la figura 6.11 .
Una vez conocida la corriente de base IB , el punto Q sobre el

diagrama i c -v cE se obtiene mediante la interseccin de la curva de salida
del transistor correspondiente a la corriente de base IB y la recta de carga
dada por la ecuacin 6.22 .
VBE VCC V
BE
vi
Figura 6 .11 : Dependencia de la corriente de base con el voltaje base-emisor y recta

de carga para el amplificador en emisor comn .
Por otro lado, en la figura 6.12 aparece tambin sombreada la zona
de funcionamiento del transistor marcada por los lmites de, la zona de
corte (inferior), zona de saturacin (izquierda), limitacin de corriente 1
mxima (superior), potencia mxima (superior derecha) y por la limitacin

de que el voltaje de salida no puede sobrepasar el voltaje de alimentacin
Vcc (derecha) . Debido a que el voltaje de salida de pequea seal coincide
con el voltaje colector emisor, en dicha grfica podemos ver tambin su

excursin mxima, VcE por la izquierda, despreciando la existencia de la
zona de saturacin, y Vcc-VcE=IcRc por la derecha . Por ello, el punto de
reposo del transistor debe estar en la regin sombreada, y dentro de ella, en
un punto optimo que satisfaga ciertos requerimientos impuestos como,
excursin de la seal de salida, consumo de potencia en reposo, etc .
Este estudio grfico, con algunos cambios en las pendientes de
las rectas de carga, es aplicable a todas las configuraciones que
estudiaremos a continuacin . Adems, en la mayora de los casos hay que
distinguir entre las rectas de carga de alterna y las de continua, debido a
la presencia de condensadores que modifican la topologa del circuito en
virtud del estudio que estemos considerando .
Vcc / R c
Ic
V,
Figura 6 .12 : Dependencia de la corriente de colector con el voltaje colector-emisor,

recta de carga para el amplificador en emisor comn .
6.5 .2 El amplificador en emisor comn realimentado.

El diseo de amplificador en emisor comn realimentado se
puede observar en la figura 6.13 . En dicho diseo, la resistencia de
emisor RE juega el papel de una realimentacin de tensin proporcional a
la corriente de salida y supone la solucin prctica al problema de la
dispersin en la ganancia en corriente de los dispositivos .
En este caso, el voltaje de polarizacin de base se consigue por
medio de dos resistencias R1 y R2 . Si los valores de dichas resistencias se
escogen de forma adecuada, se puede despreciar la corriente de base que

entra en el transistor, y se puede considerar que forman un divisor de

voltaje.
Esta realimentacin traer un aumento en la resistencia de entrada
y tender a mantener constante la corriente de salida mediante un
aumento tambin en la resistencia de salida .
Vcc
Figura 6 .13 : Topologa del amplificador en emisor comn realimentado .

6 .5 .2 .1 Anlisis de continua del amplificador realimentado
Si observamos el circuito de la figura 6.13 y denominamos 12 e II
a las corrientes que circulan por las resistencias R 2 y Rl respectivamente,
se pueden plantear las siguientes ecuaciones :
Vcc = R, I, + R 2 I 2
I, = I B + 1 2
(6 .26)
R212 =VBE + R E I E
IE =(/3+1)I B
de las que se puede obtener fcilmente la expresin 6.27 para la

corriente de emisor .
Vcc Rz
R, +RZ -VBE
IE (6 .27)
R, II R2
RE +
(/3+1)
De tal forma que, si lo que se quiere es fijar una corriente de

polarizacin constante, es decir, independiente de factores como la
temperatura y cambios en el voltaje VBE, deberemos tomar las siguientes
suposiciones : f
1 .- /3 es grande de tal forma que se puede asumir la siguiente

desigualdad :

R, I I R2
RE (6 .28)
> (fl + 1)
2 .- Si los valores de las resistencias RI y R2 se escogen para que

se cumpla la desigualdad 6.29, se podrn despreciar las pequeas
fluctuaciones en el voltaje VBE , y tomar, para dicho voltaje, un valor
constante de 0 .7V .
VccR2
VBE (6 .29)
R, +R2
As, las corrientes de emisor y de colector pueden ser calculadas

sencillamente a partir de la expresin 6.30.
VccR2 -0.7
= R, +RZ
Ic _ I E (6 .30)
RE
El resultado anterior tambin puede obtenerse partiendo de la

base de que las resistencias RI y R2 forman un divisor de voltaje
(suposicin valida ya que si el parmetro /3 es grande la corriente de base
ser pequea y podr despreciarse), por lo que la corriente de colector se
deduce de las expresiones 6.31 .
VccR2 -0
.7
VE B - 0.7 = R, +R 2
I c _ IE = = V (6 .31)
RE RE RE
Por ltimo, el voltaje de reposo de salida puede calcularse

conociendo la corriente de colector por medio de la ecuacin 6.32 .
Vo =Vcc -I cRc (6 .32)
Como podemos observar, en este diseo las condiciones de reposo

en continua del amplificador no dependen del valor exacto de (3, eso si, es
necesario que ste tenga un valor grande para poder despreciar la corriente de
base IB y por tanto, que el valor de VB sea independiente de esta .
6.5 .2 .2 Anlisis de pequea seal del amplificador realimentado
Para el estudio de pequea seal utilizaremos el modelo T del
transistor bipolar y por simplificacin supondremos que la resistencia de
salida del transistor ro es infinita. Bajo estas consideraciones, el modelo
de pequea seal del amplificador en emisor comn realimentado se

puede observar en la figura 6 .14, donde RB representa el paralelo de las

resistencias de polarizacin de la base R I y R 2.
De dicho modelo es sencillo deducir que la ganancia de voltaje
del amplificador viene dada por la ecuacin 6.33 . Ntese que cuando la
resistencia de realimentacin toma el valor cero el valor de la ganancia
coincide con el del amplificador sin realimentar .
- v o - - - aieRc - - aRc - - Rc
A
v E (6 .33)
vi ( re + R E )i e re + R
E RE
Para el clculo de la resistencia de entrada del amplificador
suponemos que aplicamos una tensin de entrada vi que produce una
corriente ii hacia la entrada del amplificador, de tal forma que se cumplen
las siguientes ecuaciones :
- (i i - ib )RB (6 .34)
Vi ='e (re + RE) (6 .35)
Figura 6.14 : Modelo de pequea seal del amplificador en emisor comn

realimentado .
A partir de las ecuaciones anteriores y de la expresin 6.36 es
sencillo obtener que la resistencia de entrada del amplificador viene dada
por la ecuacin 6.37.
G = (P +1)ib (6 .36)
vi - R B (~3 + 1)(R E + re ) =
R - R BI I (/3 + 1)(R EE re ) =- R B(6 .37)
` ii RB + (p3 + 1)(RE + re)
De la ecuacin 6.37 se deduce que para aumentar la resistencia

de entrada del amplificador es conveniente utilizar valores altos para R 1 y

R2, pero sin olvidar que deben ser lo suficientemente pequeos para que
la desigualdad 6.28 sea cierta y por tanto, el punto de reposo sea
independiente del valor de /3 .
El hecho de que la resistencia de entrada venga controlada por el
valor de elementos pasivos, a diferencia del amplificador sin realimentar
en el que la resistencia de entrada vena controlada por el parmetro r,
har que el circuito sea ms predecible y est menos afectado por la
dispersin de los dispositivos .
Ejemplo 6 .2 : Disea un amplificador de una sola etapa, con
una ganancia de voltaje de pequea seal de -4 y un margen
dinmico de salida de 1OV pico a pico (cuando se usa con
una carga de impedancia alta) . El amplificador debe
funcionar a partir de una lnea de alimentacin de 15V y
debe estar acoplado en CA, pero debe tener una ganancia
que sea aproximadamente constante hasta 100 hz .
Si aplicamos un voltaje a la salida del amplificador v que
provoca una corriente i, entrante en el amplificador y anulamos las dems
fuentes independientes, es decir, v,=0, la corriente de emisor ser nula, y
por tanto, la fuente dependiente de corriente un circuito abierto . Por ello,
bajo estas condiciones se cumple la ecuacin 6.38 de la que se deduce el
valor de la resistencia de salida .
vo = R c io = R o = R c (6 .38)
6 .5 .2 .3 Uso de un condensador de desacoplo
Hemos visto en la seccin anterior como la resistencia de emisor
estabiliza la ganancia de voltaje y las resistencias de salida y entrada ante
cambios de los parmetros de los dispositivos activos, pero ocurre, que
esto se hace a costa de una reduccin significativa del valor de la
ganancia . A veces, esta reduccin de ganancia es impermisible, por lo
que se necesita la presencia de un condensador de desacoplo en paralelo
con la resistencia de emisor, para reducir la presencia de realimentacin
negativa en corriente alterna, mantenindola presente para corriente
continua. De esta forma, el condensador de desacoplo de emisor no afecta
para nada los valores de reposo del circuito y permite que la ganancia de
voltaje a frecuencias medias sea igual a la del amplificador sin resistencia
de emisor . El problema es que, este aumento en la ganancia a frecuencias
medias se consigue a costa de una perdida de ancho de banda, ya que la
presencia de dicho condensador impondr la presencia de un polo y un
cero a bajas frecuencias como veremos a continuacin .
Por otro lado, si se quiere un compromiso intermedio entre

ganancia y ancho de banda, la solucin consiste en sustituir la resistencia
de emisor por una combinacin de dos resistencias en serie y desacoplar
nicamente una de ellas .
En los circuitos de baja frecuencia que requieren altas ganancias
son necesarios condensadores muy grandes que produzcan frecuencias de
corte inferiores lo suficientemente bajas . Debido a que en los circuitos
discretos los transistores son mucho menos costosos y ms pequeos que
los condensadores grandes y que en los circuitos integrados los
transistores requieren mucho menos rea de chip que incluso los
condensadores pequeos (en este ltimo caso hablar de un condensador
grande es impracticable), a veces es mejor utilizar varias etapas
amplificadoras realimentadas en cascada que utilizar el condensador de
desacoplo para elevar la ganancia.
Volveremos a tratar estos aspectos en la seccin 6.7 cuando
estudiemos la respuesta en frecuencias del amplificador en emisor comn
realimentado .
6.5 .3 Estudio de amplificadores en colector comn
Estos amplificadores, figura 6.15, se construyen con un diseo
igual que el del amplificador realimentado en emisor comn, solo que la
salida se toma del emisor y no del colector . Se denomina amplificador en
colector comn debido a que para pequea seal el colector est
conectado a tierra y por tanto, es comn a los circuitos de entrada y
salida . La presencia de una resistencia de colector no influye
prcticamente en el comportamiento de pequea seal del circuito y a
veces se incluye para proteger el transistor en el caso en que se
cortocircuiten los terminales de salida .
vcc
Figura 6.15 : Topologa del amplificador en colector comn .

Este diseo tambin usa realimentacin negativa, pero en este
caso, el voltaje que se resta en la entrada es proporcional al voltaje de

salida, lo que traer un aumento de la resistencia de entrada y una

disminucin de la resistencia de salida .
6 .5 .3 .1 Anlisis de continua del amplificador en colector comn

Si nos basamos en las suposiciones que hicimos en el caso de la
configuracin en emisor comn, es sencillo ver que se cumplen las
siguientes relaciones :
_ R
(6 .38)
VB R 1 +R 2 Vcc
VO = VE = VB - VBE = VB - 0 .7 (6 .39)
= VE
Ic = IE (6 .40)
RE
Debido a que la seal de salida est desplazada 0 .7V por debajo
de la entrada, la ganancia de voltaje de pequea seal del amplificador
ser aproximadamente igual a la unidad .
6.5 .3 .2 Anlisis de pequea seal del amplificador en colector
comn
Para el estudio de pequea seal volveremos a utilizar el modelo
T del transistor bipolar, y supondremos que su resistencia de salida r o es
infinita . De esta forma, el modelo de pequea seal del amplificador
puede observarse en la figura 6.16 y de l, es sencillo obtener la
expresin 6.41 para la ganancia de voltaje .
Av = v = REI e = RE =1 (6 .41)
vi (RE + e )ie (RE + r,)
Figura 6 .16 : Modelo de pequea seal del amplificador en colector comn .

La resistencia de entrada viene dada por la ecuacin 6 .42 y su
clculo es anlogo al del amplificador en emisor comn realimentado :

R = RB II (/i + 1)(R E + re ) _ RB (6 .42)
Para el clculo de la resistencia de salida, aplicamos a la salida

del amplificador un voltaje v o que produce una corriente io y anulamos
todas las fuentes independientes, es decir, v,=0 . Las suposiciones
anteriores dejan el nodo de salida conectado a tierra por el paralelo de las
resistencias de emisor, por lo que se cumple que :
R o = v = RE II re - re (6 .43)
Debido a que los amplificadores en colector comn presentan

resistencias de entrada muy altas y resistencias de salida muy bajas se
suelen utilizar como etapas separadoras de ganancia unidad .
6.5 .4 El amplificador en base comn

La topologa en base comn se puede observar en la figura 6 .17,
es la menos utilizada y se caracteriza por que la base esta conectada a
tierra a travs de un condensador . Si suponemos que el condensador es
ideal, la base est conectada a tierra para pequea y es comn al circuito
de entrada y al de salida .
Figura 6 .17 : Topologa del amplificador en base comn.

6 .5 .4 .1 Anlisis de continua del amplificador en base comn
Como el condensador es un circuito abierto para continua, el
anlisis de continua de este circuito es igual al que se realiz para el
amplificador en emisor comn realimentado y por tanto, son aplicables
todas las ecuaciones obtenidas en la seccin 6.5 .2 .1 .
6 .5 .4 .2 Anlisis de pequea seal del amplificador en base
comn
El modelo de pequea seal del amplificador en base comn lo
podemos observar en la figura 6 .18. En dicho circuito no aparece la

resistencia de polarizacin de base debido a que est en paralelo con el

cortocircuito que realiza el condensador para seal .
Figura 6 .18 : Modelo de pequea seal del amplificador en base comn .

Es sencillo deducir las expresiones 6.44, 6.45 y 6.46 para la
ganancia de voltaje, resistencia de entrada y resistencia de salida
respectivamente .
- ocie = aRc
Ay = V _ = g .Rc (6 .44)
vi - re l e re
R i = re IR_, =re (6 .45)
R, = R c (6 .46)
El amplificador en base comn es un amplificador no inversor

con una ganancia de voltaje igual a la del amplificador en emisor comn
sin realimentar. El hecho de que el amplificador sea no inversor, es
debido a que un aumento en la tensin de entrada produce, al encontrarse
la tensin de base a tensin constante, una reduccin de la tensin base
emisor, reducindose a su vez la corriente de emisor y por tanto la de
colector. Esta reduccin de la corriente de colector produce un aumento
del voltaje de salida .
Si consideramos la resistencia de colector como la resistencia de
carga del amplificador, la ganancia de corriente de pequea seal del
amplificador en base comn viene dada por la ecuacin 6.47. Como
poda esperarse, debido a que la corriente de emisor es prcticamente
igual a la de colector, la ganancia de corriente es prxima a la unidad .
Ai = l =A R` =g m re =a (6 .47)
ii RL
Los amplificadores en base comn no son tiles como

amplificadores de voltaje debido a su baja resistencia de entrada y alta de
salida . Pero si suelen utilizarse como amplificadores de transimpedancia,
es decir, amplificadores que toman una corriente de entrada y producen
un voltaje de salida .
En la tabla que se muestra a continuacin se muestran, a modo de
resumen, los valores de algunos de los parmetros, resistencias de entrada
y salida, ganancia de voltaje, corriente y de potencia, as como terminales
de entrada y salida para las distintas configuraciones estudiadas en las
secciones anteriores .
Terminal de Base Base Emisor

entrada
Terminal de
Colector Emisor Colector
salida
Ganancia de -gmRc (Alta) 1 gmRc (Alta)
voltaje
Ganancia de RB/RE (Moderada)
-0(Alta) a
corriente -(3 (Alta) si RB=OO
Ganancia de
AA ; (Muy alta) A; (Moderada) A,, (Alta)
potencia
Impedancia de
R11IR2 (Moderada) R111R2 (Moderada) re (Muy baja)
entrada
Impedancia de
Rc(Alta) re (Muy baja) Rc (Alta)
salida
6 .6 Polarizacin con fuente de corriente .
Otro esquema de polarizacin distinto al visto en los diseos

anteriores, en los que las condiciones de reposo venan fijados por los
valores de una serie de resistencias, consiste en utilizar una fuente de
corriente que sea la encargada de fijar el valor de la corriente de emisor .
De esta forma, el amplificador en emisor comn realimentado polarizado
mediante una fuente de corriente constante aparece en la figura 6 .19, en
la que el condensador se supone ideal para que el estudio de pequea
seal sea igual al del otro esquema de polarizacin .
Este diseo presenta dos grandes ventajas con respecto al
utilizado anteriormente :
1 .- El valor de la corriente de emisor y por tanto de colector es
constante y esta fijado por la fuente de corriente constante . En el caso
real, como la fuente de corriente puede estar construida con transistores

bipolares tambin tendremos la dependencia de la corriente de salida con

el parmetro /3, pero esta dependencia puede minimizarse con algunos
diseos de fuentes de corriente constante, como veremos en la seccin
6.9.
2 .- En el diseo de la figura 6.13 el anlisis de pequea seal
reflejaba que la resistencia de entrada vena dada aproximadamente por el
valor de RB, por lo que el valor de dicha resistencia deba escogerse
grande, pero limitado por la desigualdad 6.28. En este diseo el valor de
RB es infinito por lo que la resistencia de entrada viene dada por la
expresin 6.48 y es mayor que en el caso anterior .
R, = (/3 + 1)(re + RE ) (6.48)
Figura 6.19 : Topologa del amplificador en emisor comn polarizado con fuente de
corriente constante .
Las expresiones para la ganancia de voltaje y la resistencia de
salida son iguales que en el caso de polarizacin con resistencias .
6.7 Respuesta en frecuencias del amplificador en emisor

comn .
Para el estudio en frecuencias del amplificador en emisor comn

realimentado supondremos que las frecuencias de corte producidas por
cada uno de los condensadores estn lo suficientemente separadas, por lo
que el estudio en frecuencias se puede hacer considerando los efectos
aislados de cada una de las capacidades por separado . Para ello
distinguiremos :
Rgimen de bajas frecuencias : donde se supone que la
impedancia ofrecida por los capacidades parsitas es tan grande en
comparacin con los dems elementos del circuito que las supondremos
circuitos abiertos .
Rgimen de altas frecuencias : donde la impedancia ofrecida por
los condensadores de acoplo y desacoplo es tan pequea que se pueden
suponer cortocircuitos .
6.7 .1 Respuesta en bajas frecuencias
En esta seccin estudiaremos la respuesta en frecuencias de un
amplificador realimentado en emisor comn con dos condensadores de
acoplo Cl y C2 para la entrada y la salida respectivamente y un
condensador de desacoplo para la resistencia de emisor C E. El diseo de
dicho amplificador se puede observar en la figura 6.20.
Generalmente, en un amplificador de estas caractersticas, es el
condensador de emisor el responsable de la respuesta a bajas frecuencias .
Para obtener dicha respuesta en frecuencias habra que obtener el
modelo de pequea seal del amplificador con los tres condensadores y
obtener la funcin de transferencia lo que nos dara una solucin exacta
pero difcil de alcanzar .
Vcc
Figura 6.20: Topologa de amplificador en emisor comn realimentado con

condensadores de acoplo para la entrada y salida y de desacoplo para RE
Bajo el punto de vista del diseo suele bastar con considerar el
efecto de cada condensador por separado suponiendo que los dems son
ideales, en este caso, cortocircuitos . Esto conlleva a una solucin
aproximada, pero adecuada siempre y cuando, las frecuencias de corte
producidas por cada uno de los condensadores estn lo suficientemente
separadas (ms de una dcada) de tal forma que los trminos cruzados
puedan despreciarse .
6.7 .1 .1 Efecto del condensador de acoplo de la entrada
En este estudio supondremos los condensadores C2 y CE de
capacidad infinita, llamaremos RB al paralelo de las resistencias R, y R2 y

supondremos que ro=o. Bajo estas consideraciones el modelo de pequea

seal del amplificador se puede observar en la figura 6.21 .
Figura 6 .21 : Modelo de pequea seal del amplificador de la figura 6 .20 tomando
CE= Y C2=--
Puede obtenerse fcilmente que la ganancia de voltaje de pequea

seal del amplificador viene dada por la expresin 6.49, en la que aparece
una frecuencia de corte inferior igual a la inversa de la constante de
tiempo producida por el producto del condensador C, y la resistencia de
entrada del amplificador (en este caso R E=O). Si hubisemos tenido en
cuenta la resistencia de salida del generador habra aparecido en serie con
la resistencia de entrada del amplificador en la expresin de la frecuencia
de corte y habra modificado el valor de la constante A' .
A = A' 'l con w`l - /Cl (R B Ir, ) (6 .49)

A' =- g,,RC
6.7 .1 .2 Efecto del condensador de acoplo de la salida

Lgicamente, el estudio de la respuesta en frecuencias producida
por este condensador no puede realizarse sin una conexin a la salida del
mismo . Si suponemos conectada una resistencia de carga RL a la salida
del amplificador de la figura 6 .20, es sencillo deducir a partir del modelo
de pequea seal, que dicho condensador produce una frecuencia de corte
inferior igual a la inversa de la constante de tiempo producida por el
condensador C2 y la conexin en serie de las resistencia de carga RL y la
resistencia de colector Rc.
6.7 .1 .3 Efecto del condensador de desacoplo
En este caso, si suponemos C1 y C2 infinitos, el modelo de
pequea seal del amplificador utilizando el modelo en T del transistor se
puede observar en la figura 6.22 .
De dicho modelo se pueden deducir las expresiones 6 .50, en las
que ZE representa el paralelo de la resistencia de emisor R E con el
condensador de emisor y de las que puede deducirse que la ganancia de

voltaje presenta a bajas frecuencias un cero y un polo a las frecuencias

1/CEre y 1/CERE respectivamente .
C,=oo y C2=- -
Vi =le(re +
ZE)
v o =-0i e R C (6 .50)
vo aR c aR C 1+jWC E RE R c l+jWC E R E
A _ v i re +Z E re +RE 1+ jwC E (R E II re ) R E l+ JWCE re
La ganancia a frecuencias medias A,,,, vendra dada por la

siguiente expresin:
RC
Avn = lim A =- (6 .51)
w->- re
wn = wi l 1 1 wsi ws,
log w
CE RE
Con condensador de emisor Sin condensador de emisor'.
Figura 6 .23 : Respuesta en frecuencias tpicas del amplificador en emisor comn

realimentado con y sin condensador de emisor .

Como puede observarse en la lnea discontinua de la grfica de la

figura 6.23 la presencia del condensador de emisor introduce un cero y un
polo a bajas frecuencias . Es importante destacar tambin que la frecuencia
del cero es menor que la del polo . En dicha figura la lnea continua
corresponde a la respuesta en frecuencia del amplificador realimentado sin
condensador de emisor . Se ve claramente como la presencia del
condensador conlleva un aumento de la ganancia a frecuencias medias a
costa de una disminucin en el ancho de banda del amplificador . Tambin
podemos observar la presencia de la frecuencia de corte inferior w ;l debida
al condensador C, que dedujimos en la seccin anterior .
6.7 .2 Respuesta a altas frecuencias
Para el estudio a altas frecuencias del amplificador realimentado
en emisor comn, utilizaremos el modelo en n hbrido del transistor
bipolar que tiene en cuenta las capacidades parsitas responsables de la
respuesta del amplificador en dicho rgimen . Adems, como dijimos con
anterioridad, en este estudio las capacidades de acoplo y desacoplo se
consideran cortocircuitos, por lo que el modelo de pequea seal del
amplificador se puede observar en la figura 6.24 .
CF=, C,=-, C2=- y el modelo hbrido para alta frecuencia del transistor bipolar
que tiene en cuenta las capacidades parsitas .
Por cuestiones de simplificacin se han supuesto las resistencias
r0 y rb ,C infinitas, ya que la presencia de dichas resistencias es debida al
efecto Early y, aunque no infinitas, si que son muy grandes . Por otro
lado, dicho estudio se puede simplificar utilizando el teorema de Miller
entre los nodos b' y c, sabiendo que la ganancia entre dichos nodos K
viene dada por la expresin 6.52 .
K = Vce _ -g,,,RC (6 .52)

Vb'e
Aplicando dicho teorema, el modelo de pequea seal del

amplificador para alta frecuencia aparece en la figura 6.25, donde los
valores de las capacidades Ci y Co vienen dadas por las ecuaciones 6.53 .

Ci = C b , e + Cb . c (1- k)
k-1 (6 .53)
Co = C, C
k
Figura 6 .25 : Resultado de aplicar el teorema de Miller al circuito de la figura 6.24.
Teniendo en cuenta que si no consideramos el efecto de la

resistencia de salida de la fuente v i la resistencia de polarizacin de la
base no afecta al funcionamiento del circuito, y que la primera frecuencia
de corte superior suele venir fijada por el efecto capacitativo de la
entrada, la expresin para la ganancia del amplificador para altas
frecuencias viene dada por la expresin 6.54 . La ganancia a frecuencias
medias A,,,, se obtiene a partir de dicha ecuacin tomando el lmite
cuando la frecuencia tiende a cero y coincide con el valor de A' .
1 1
A = A con ws (6 .54)
l+j = ( rbb ' I I rb, e )(C
b'e + (-b', (1 + g",o
R)
6.8 Amplificadores conectados en cascada
Vimos con anterioridad que, para aumentar la ganancia de los

amplificadores, a veces convena ms utilizar dos etapas amplificadoras
conectadas en cascada que usar un condensador de desacoplo para la
resistencia de emisor, debido al gran tamao que tena que tener este
condensador si se quera una buena respuesta sobre todo a baja
frecuencia . Tambin estudiamos en temas anteriores que la conexin en
cascada se puede hacer de dos formas, en alterna y en continua, cada una
con sus propias ventajas e inconvenientes .
6.8 .1 Acoplados en alterna
Un ejemplo de conexin de dos amplificadores acoplados en
alterna se puede observar en la figura 6.26. El estudio de continua de este
circuito es muy sencillo, ya que, debido a que el condensador de acoplo
asla las etapas amplificadoras para seales de continua, se pueden
calcular las condiciones de polarizacin para cada una de las etapas por
separado . En este caso, el voltaje de reposo de salida de la primera etapa

no tiene nada que ver con el voltaje de polarizacin de base de la etapa
posterior. El principal inconveniente de este diseo es que el uso de estos
condensadores de acoplo limita la respuesta a baja frecuencia y hace que
se necesite mucha rea de chip en la construccin de circuitos integrados .
Vcc
Figura 6 .26 : Amplificador de dos etapas acopladas en alterna .

Para el estudio de pequea seal, segn se vio en el captulo 2,
bastara con calcular la ganancia, la resistencia de entrada y la resistencia
de salida de cada etapa. De tal forma que, si se pueden pasar por alto los
efectos de carga, se puede suponer que la ganancia del amplificador es el
producto (suma en DB) de las ganancias individuales de cada etapa, que
la resistencia de entrada coincide con la de la primera etapa y que la de
salida es la de la ltima etapa amplificadora .
cc
Figura 6 .27 : Amplificador de dos etapas acopladas en continua .
6.8.2 Acoplados en continua.

En la figura 6.27 se puede observar la conexin de dos
amplificadores acoplados en continua . En dicho diseo hay que tener en
cuenta que el voltaje de reposo de salida de la primera etapa coincide con
el voltaje de polarizacin de la base de la etapa posterior, por lo que se
puede prescindir de las resistencias de polarizacin de base de la segunda

etapa.
Estos amplificadores son capaces de amplificar hasta seales de
continua y ocupan menos espacio, pero cuando en el diseo intervienen
muchas etapas amplificadoras, la polarizacin es compleja . Aunque
tambin es cierto que dicha complejidad se reduce significativamente con
el uso de software especfico para la simulacin de circuitos bajo
ordenador .
6.9 Fuentes de corriente constante
En esta seccin estudiaremos algunos diseos que ofrecern una

corriente de salida cuyo valor deber ser constante y no dependiente, en
la medida de lo posible, de parmetros como por ejemplo, la ganancia en
corriente de los transistores o la temperatura . Adems, como es necesario
en una buena fuente de corriente, su resistencia de salida debe ser muy
alta, para que la corriente suministrada sea muy independiente del valor
la impedancia de carga .
6.9 .1 Fuente de corriente constante
El anlisis de los circuitos de la figura 6.28 desprende que ambos
producen una corriente constante a travs de la carga, por lo que
podramos clasificarlos como fuentes de corriente constante . Su
funcionamiento se basa en que el voltaje de base es constante . Por tanto
el voltaje de emisor tambin es constante produciendo una corriente de
emisor constante . Como la corriente de colector que circula por la carga
es aproximadamente igual a la corriente de emisor, se puede decir, que
esta tambin es constante. La diferencia entre ambos circuitos es que el
circuito correspondiente al transistor pnp produce una corriente a tierra
por lo que se suele llamar fuente de corriente, mientras que el del
transistor npn extrae corriente de la fuente de alimentacin por lo que se
suele llamar disipador de corriente . Estos circuitos suelen mejorarse
mediante el uso de un diodo Zener en lugar de la resistencia R 2 para
mejorar la constancia del voltaje de base y por tanto del de emisor.
El estudio del circuito de la figura 6.28 izquierda es anlogo al
estudio de continua de una etapa amplificadora en emisor comn
realimentada por lo que, bajo la suposicin de que la corriente de colector
es aproximadamente igual a la de emisor, la corriente que circula por la
carga de dicho circuito viene dada por la ecuacin 6.27 . Adems, si se
suponen ciertas las desigualdades 6.28 y 6 .29, la corriente de salida se
puede expresar en funcin del voltaje de alimentacin y de los valores de
un cierto nmero de resistencias mediante la ecuacin 6.30.

Vcc Vcc
RL
Figura 6 .28 : Topologas de fuentes de corriente constante .

Por otro lado, la impedancia de salida de dicha fuente har que la
corriente entregada a la carga dependa, en cierto modo, del valor de la
misma. Siendo esta dependencia menor, cuanto mayor sea el valor de
dicha impedancia de salida. Para el clculo de la impedancia de salida del
circuito de la figura 6.28 izquierda utilizamos el modelo de pequea
seal de la figura 6.29. Dicho modelo se ha obtenido a partir del modelo
en n del transistor bipolar, en el que se ha utilizado el equivalente Norton
para la fuente dependiente de la salida y del que se desprende que la
impedancia de salida de la fuente de corriente viene dada por la ecuacin
6 .55. El trmino ms significativo de dicha ecuacin es /aro, por lo que la
impedancia de salida es del orden de varios cientos de kiloohmios .
r0
Figura 6 .29 : Modelo de pequea seal de la fuente de corriente de la figura 6 .28 .
Ro = Vo = r, + (Pro + r r + R B ) RE (6.55)
lo R E + R B + rr
6 .9 .2 Espejo de corriente
El espejo de corriente se puede considerar un tipo de fuente de

corriente constante, en la que la corriente producida es igual a alguna
corriente de referencia . Su construccin se refleja en la figura 6 .30 y se

puede utilizar para la creacin de varias corriente iguales dentro de un

mismo circuito . Su funcionamiento se basa en que los dos transistores
que intervienen en dicho circuito tienen los mismos voltajes VBE, por lo
que, si son idnticos, producirn las mismas corrientes de colector . De
este modo, las corrientes de colector para los transistores del circuito de
la figura 6.30, como se deduce a continuacin, son prcticamente iguales
a una corriente de referencia .
Vcc
R
21 E /(R+1) LI
Figura 6 .30 : Espejo de corriente .
IRE2 (6 .56)
I REF -I E + 21E =I + 210
~3+1 0 /3+1 0 1+
/3 + 1
Si en la ecuacin anterior tomamos un valor infinito para la

ganancia de corriente nos quedara que la corriente de salida del espejo de
corriente viene determinada por los valores del voltaje de alimentacin, el
voltaje base-emisor de los transistores y el valor de la resistencia R .
cc -VBE
I =- I REF _ V
I, (6 .57)
R
Este diseo se suele utilizar mucho en los circuitos integrados, en
los que se consigue que los transistores estn muy bien apareados y en los
que la proximidad de los mismos, asegura que se encuentren
aproximadamente a la misma temperatura .
Por otro lado, si lo que se quiere reflejar son mltiplos de la
corriente de referencia, teniendo en cuenta la ecuacin 6.4, que marca la
dependencia entre el voltaje base-emisor y la corriente de emisor, bastara
con utilizar transistores cuya rea sea mltiplo del transistor que fija la
corriente de referencia .

Adems, el espejo de corriente tambin goza de una elevada

impedancia de salida cuyo valor es aproximadamente la resistencia de
salida del transistor r.
6.9 .3 Espejo de corriente Wilson
El espejo de corriente Wilson ofrece una corriente de salida que
obedece a la ecuacin 6.58 . Dicha corriente, todava es ms
independiente del valor de /3 que la obtenida en la seccin anterior para el
espejo de corriente. Por otro lado, este diseo aumenta la resistencia de
salida en un factor /3/2, cosa siempre deseable en un dispositivo que
entregue corriente a la salida.
I _ IREF -VBE3 -VBE2

- VCC
2 con IREF
(6 .58)
R
1+
/3 (/3 + 1)
R - P2 (6 .59)
c
IRE
Figura 6.31 : Espejo de corriente Wilson .
6.10 Modulador de AM
En la seccin 6.7.3 de este libro ya introdujimos, de forma breve,

algunos conceptos relacionados con la modulacin en amplitud . En esta
seccin vamos a estudiar el circuito de la figura 6.32, construido a partir
de un transistor bipolar y que es capaz de realizar dicha modulacin .
El circuito en cuestin es un sencillo amplificador en emisor
comn, en el cual la ganancia se modifica dependiendo de la amplitud de
la seal v, n (t) . Es decir, la seal moduladora v m(t) es parte de la

polarizacin del circuito y acta sobre el valor del voltaje de emisor o lo
que es lo mismo sobre la corriente de emisor y por tanto, sobre la
corriente de colector en reposo . Como la ganancia de voltaje de dicho
amplificador es igual a -g, mRc y la transconductancia depende
fundamentalmente de la corriente de colector, podemos concluir diciendo
que la ganancia del amplificador va a venir controlada por la amplitud de
la seal v m(t) . De este modo, la seal de salida v s(t) es una seal senoidal
de frecuencia w, y amplitud dependiente de la amplitud de la seal
moduladora vm(t) . Es decir, la seal de salida es una onda portadora
modulada en amplitud cuya expresin analtica viene dada por la
ecuacin 6.44 y en la que los parmetros a y b dependen de las
caractersticas del amplificador .
.-- . v,. (t)

1
i Vcc
Figura 6.32 : Esquema de un modulador-amplificador de AM .
En la figura 6.33 podemos observar un ejemplo de modulacin

en amplitud utilizando el circuito de la figura 6.32 con los valores de las
resistencias, condensadores y seal portadora que se muestran en el
ejercicio 6.14 . En este caso la seal moduladora es la suma de tres ondas
senoidales de amplitud 1V y frecuencias 1Khz, 2Khz y 3Khz
respectivamente . En dicha grfica la seal moduladora aparece con lnea
discontinua y la seal portadora de alta frecuencia bajo fondo gris .
Aunque a simple vista ambas seales no tienen relacion podemos
observar que si dividimos la seal moduladora por -20 y le sumamos
0.4V obtenemos la seal que aparece con lnea continua y que coincide
con la envolvente de la seal portadora . Esto pone de manifiesto que,
salvo un factor ganancia y un nivel de continua, la envolvente de la seal
portadora coincide con la seal moduladora . Dicho circuito se ha

simulado con el programa winspice3 y los detalles de su simulacin se

pueden observar en el apndice final .
2,5
0 0,0001 0,0002 0,0003 0,0004 0,0005
Tiempo (s)
Figura 6.33 : Ejemplo de modulacin en AM de una seal .
6.11 Regulador de tensin mejorado
El uso de las propiedades del amplificador en colector comn o

seguidor de emisor a la salida de un regulador Zener como el estudiado
en el captulo anterior, figura 6.29, puede aportar algunas ventajas al
funcionamiento del mismo .
De este modo, el diseo de un regulador de tensin con seguidor
se puede observar en la figura 6.34. Aunque ambos diseos son
equivalentes, el de la parte izquierda es ms intuitivo y el de la derecha es
el que suele encontrarse en la bibliografa .
En este caso el voltaje entregado a la carga es el que habra en
ausencia de seguidor Vz, menos la cada producida en la unin base-
emisor del transistor VBE, pero este circuito presenta dos grandes ventajas :
En primer lugar, la resistencia de salida, dada por la ecuacin
6.60, es menor que la del regulador Zener normal, en el que la
impedancia de salida viene dada por el valor de la resistencia Zener r Z del
diodo .
Ro = re + (6 .60)
Por otro lado, en el primer diseo las variaciones de corriente

producidas en la carga son absorbidas por el diodo Zener, mientras que en
este diseo, las variaciones de corriente producidas en el diodo Zener son
producidas por las variaciones en la corriente de base del transistor, del
orden de 3 veces menor que la corriente que circula por la carga . Esto,
hace que por el diodo Zener pase una corriente mucho menor que la que
circula por la carga, pudindose utilizar diodos Zener menores .
RL
Figura 6 .34 : Regulador de tensin con seguidor de emisor .
6.12 Amplificadores diferenciales
En el captulo 2 estudiamos la existencia de un tipo de

amplificadores que respondan a la diferencia entre dos seales de
entrada, los amplificadores diferenciales . Estos, basan su funcionamiento
en el par diferencial, cuyo esquema podemos observar en la figura 6.35 y
cuyo funcionamiento podemos deducir del modelo de pequea seal de la
figura 6 .36, donde se ha supuesto que los dos transistores sean
completamente idnticos .
Vcc
Figura 6.35 : Par diferencial .

De dicho circuito se pueden extraer las siguientes ecuaciones :
V 2 = i ei (re + RE ) + i e2 R E
v, = ,1RE + i e2 (re + RE ) (6 .61)
V3 =-aie ,R c
V4 = -aie2 R c

de las que se puede deducir que :
V3 __ _
(v i - v2 )RE +
C v, re
re (2RE + re )
(6 .62)
(v, -v2)RE V 2 r,
v4 =
~ re (2RE + r,)
V 3
Figura 6 .36 : Modelo de pequea seal del par diferencial de la figura 6 .35 .
Para calcular la ganancia de voltaje del amplificador diferencial,
hay distinguir entre varios modos de funcionamiento. Vamos a estudiar
dos de ellos, entrada diferencial-salida diferencial y entrada diferencial-
salida asimtrica .
6.12 .1 Entrada diferencial-salida diferencial
En este caso, la salida del amplificador se tomara como la
diferencia entre los voltajes de los colectores de los transistores, por lo
que la ganancia de voltaje vendra dada por la expresin 6.63, en la que
se han sustituidos los voltajes de salida del amplificador por las
expresiones obtenidas en la seccin anterior .
- v3
V4 = aR c
Av = _- - g .Rc
v2 - vi (6.63)
Como podemos observar, para este modo de funcionamiento, el
amplificador responde exclusivamente a la diferencia entre las dos seales
de entrada, rechazando por completo el modo comn de las mismas . Un
resultado distinto se obtendra si se considerasen los desapareamientos
entre los transistores o entre las propias resistencias de colector .
6.12.2 Entrada diferencial-salida asimtrica
Ahora, la salida del amplificador se tomara exclusivamente de
uno de los colectores, de tal forma que el voltaje de salida del

amplificador vendra dado por la ecuacin 6.64 . En dicha ecuacin se

puede observar que la salida del amplificador no solo depende de la
diferencia entre las dos seales de entrada, sino tambin del valor
absoluto de una de ellas, lo que quiere decir, que el amplificador va a ser
sensible al modo comn de las entradas .
= (v, - v2 )R E - v2 re
vo aRc (6 .64)
re (2RE + r)
La expresin anterior puede ponerse en funcin de los voltajes en
modo diferencial y modo comn definidos en el captulo 2 como :
v = - 2 vdmRE-( Vem+ vdm) r = aRc
aRc m cvam- (2R
- gR v,. (6 .65)
re (2R E + re) E - r) cm
en la cual, si consideramos que re2RE se obtiene que :
g2Rc (v 2 aR2RC
vo = - -V 1) - vem (6 .66)
E
De la expresin anterior podemos deducir los valores de la
ganancia al modo diferencial y modo comn de las seales y como el
valor del CMRR.
A DM = - aRc Aem = - aRc CMRR = RE (6 .67)

2r 2R E re
En el caso ideal el amplificador diferencial solo debera

responder al modo diferencial de las entradas, por lo que el CMRR
debera ser infinito . En el caso real no ocurre as . La respuesta al modo
comn es debida a la corriente de pequea seal que circula por la
resistencia de emisor ve/RE, por lo que, para reducir la respuesta al modo
comn habra que hacer RE muy grande . Esta tcnica no es deseable, ya
que para mantener las condiciones de polarizacin del circuito tomando
un valor de RE muy alto habra que utilizar una fuente de tensin -VEE
muy alta, cosa indeseable en circuitos transistorizados .
La forma de reducir la corriente de pequea seal de emisor
consiste en sustituir la resistencia de emisor por una fuente de corriente
constante(espejo de corriente), que aunque no ideal, tiene una resistencia
de salida muy grande . Esta fuente de corriente har que la corriente de
emisor sea ms o menos constante, por lo que la corriente de pequea
seal va a ser muy pequea . El diseo del par diferencial con espejo de
corriente se puede observar en la figura 6.37.

' .Vcc
Figura 6 .37 : Par diferencial polarizado con fuente de corriente .

Este amplificador suele tener una gran linealidad, mejor que la
que se suele obtener con circuitos que utilizan un nico transistor, por lo
que se suele utilizar tambin como un amplificador de una nica entrada
conectando la otra a tierra . Este circuito constituye la entrada de la
mayora de los circuitos operacionales aunque el diseo completo de
dichos amplificadores operacionales es ms complicado .
6.12.3 Par diferencial con carga activa
Segn vimos en las secciones anteriores la ganancia de voltaje
del amplificador operacional es directamente proporcional al valor de R c,
por lo que suelen ser necesarios valores altos de dichas resistencias que
pueden ocupar mucho rea de Silicio . La solucin a este problema
consiste en sustituir dichas resistencias por fuentes de corrientes
constantes con alta resistencia de salida, cuya construccin requiere
menos rea de silicio que la requerida por resistencias de gran y mediano
tamao . De esta forma, una posible configuracin de un par diferencial
con carga activa puede observarse en la figura 6 .38 .
Se puede demostrar que la ganancia de voltaje del circuito en
cuestin viene dada por la ecuacin 6.68 y suele ser elevada .
Av v(' - gm( 2 II 4) (6 .68)

v2 - v,
Existen otros diseos que escapan del objetivo de este libro que
aumentan la ganancia del par diferencial a base de utilizar como cargas
dispositivos activos con una mayor resistencia de salida (configuracin
cascode, etc) .
cc
Figura 6 .38 : Par diferencial con carga activa .
6.13 Clases de amplificadores
En esta seccin se realiza una nueva clasificacin de los

amplificadores en base al consumo de corriente y a la eficiencia de
potencia de su etapa de salida . Distinguiremos entre amplificadores de
clase A, clase B, clase AB y clase C .
6.13 .1 Funcionamiento en clase A
Vimos en la seccin 6.5.3 .2 que la resistencia de salida de la
configuracin en colector comn es muy pequea, por lo que suelen
utilizarse como etapas de salida de algunos amplificadores .
Figura 6.39 : Etapa de salida en clase A y rectas de carga para continua y alterna .
Supongamos una etapa de salida como la de la figura 6.39, en la
que consideraremos que el transistor est polarizado para poder transferir

la mxima potencia a la carga, cosa que ocurrir cuando el voltaje

efectivo en la carga sea mximo . Es decir, el transistor debe estar
polarizado en el punto Q que permita la mxima excursin de la seal de
salida, lo cual ocurre cuando se cumpla la expresin 6.69 . Adems, bajo
estas condiciones, el mximo voltaje pico de salida v,,,, es siempre
menor que Vcci2 .
VCc
v o~ = I cQ (RL I I RE ) = VCEQ < (6 .69)
Segn lo dicho anteriormente, la mxima potencia transferida a la

carga viene dada por la siguiente expresin :
z
_v _ I cQ (RL II RE ) z
Pomax < Vcc (6 .70)
2R L 2R L 8R L
PD
VCEQ ICQ
n p
J
vo " v 0
Figura 6 .40 : Representacin temporal de la corriente de colector, voltaje colector

emisor, voltaje en la carga y potencia instantnea en el transistor para mxima
excursin de la seal de salida para el amplificador en clase A . As como
representacin de la potencia disipada en el transistor en funcin de la amplitud del
voltaje de salida .
Para los clculos que vienen a continuacin en la figura 6.40 se
pueden observar los diagramas para la corriente de colector que circula

por el transistor, el voltaje colector emisor, la potencia instantnea

disipada en el transistor y la tensin en la carga, cuando tenemos mxima
excursin de la seal de salida .
Adems de la potencia mxima transferida a la carga, una
magnitud importante en las etapas de salida de los amplificadores es la
eficiencia de potencia, definida en el captulo 2 como el cociente entre la
potencia transferida a la carga y la absorbida de la fuente de alimentacin .
En este caso, la potencia absorbida de la fuente de alimentacin es igual
al voltaje de alimentacin Vcc por el valor medio de la corriente extrada
de dicha fuente de alimentacin, en este caso IcQ .
PS = VCC I CQ (6 .71)
De las ecuaciones 6.70 y 6.71 se obtiene que la eficiencia de

potencia viene dada por la expresin 6.72 y que su valor mximo ocurre
cuando vo es igual a vo,,,,,,. Del mismo modo, utilizando la desigualdad
6.69 puede demostrarse que dicho mximo est por debajo del 25% como
se muestra en las expresiones 6.73.
(6 .72)
I~Q (R L IIR )
2
2R L I CQ (R L II RE)
n max
VCCICQ 2VCC R L (6 .73)
VCC (R L II RE) < 0 .25
2 2VCC RL
Generalmente, la eficiencia de potencia est muy por debajo del

25% puesto que la excursin de salida suele ser ms baja que su valor
mximo para evitar la saturacin del amplificador . Este valor tan bajo de
la eficiencia de potencia hace que este diseo no se utilice en las etapas
de salida de los amplificadores de potencia y su uso suele estar
restringido a aquellos diseos que necesiten entregar una potencia a la
carga menor de 1 W.
En este tipo de diseos tambin es interesante estudiar la potencia
disipada en el transistor, la cual, viene dada por el promedio de la
potencia instantnea como puede observarse en la ecuacin 6.74 . Esta
ecuacin pone tambin de manifiesto que la potencia disipada en el
transistor es mxima cuando no hay seal en la entrada del amplificador y

disminuye a medida que aumenta la seal de entrada . Con lo que aparece

otro gran inconveniente, en los amplificadores de clase A, el transistor
consume potencia an cuando no se est amplificando seal alguna .
2n
1
PD =- J(I cQ +i e sen wt)(VCEQ +Vce sen(wt+tc)dt
2tr o
(6 .74)
lcVCe
= VCEQ I CQ -
2
De la ecuacin 6.74 se obtiene que cuando la salida del

amplificador tiene amplitud v 0,,,,,, la potencia disipada en el transistor es
mnima y su valor viene dada por la expresin 6.75. En la figura 6.40 se
puede tambin observar la dependencia de la potencia disipada en el
transistor con la amplitud del voltaje de salida .
2
- V
_ vCEQ I CQ _ VCEQ I CQ _ VCEQ
(6 .75)
PD. in CEQ1CQ
2 2 2(R L 11 R E)
Existe un diseo alternativo de amplificadores, denominado clase

B, en el que se eliminan algunas de las resistencias y en el que se emplea
el transistor de manera ms eficiente . En este tipo de circuitos se puede
demostrar que el lmite terico de la eficiencia de potencia est en el
78.5% .
6.13.2 Funcionamiento en clase B
En este tipo de amplificadores el transistor solo amplifica la
mitad de un ciclo de la seal . De esta forma, para la amplificacin de la
seal completa se utilizan dos seguidores de emisor (npn y pnp)
conectados en contrafase o push-pull, cada uno de ellos conduciendo
durante un semiciclo de la seal como puede observarse en la figura 6.41 .
Adems, para un funcionamiento ptimo se requiere que los transistores
sean complementarios, es decir, a pesar de ser de distinto tipo, deben
tener las mismas propiedades .
El anlisis de continua del circuito de la figura 6.41 nos lleva a
que, por simetra, los voltajes de continua a la entrada y la salida del
amplificador son iguales a la mitad del voltaje de alimentacin . De esta
forma, ambos transistores tienen un voltaje base emisor nulo, por lo que
se encuentran cortados, es decir, sus corrientes de colector son nulas . Este
resultado es importante, ya que a diferencia de lo que ocurra en el
funcionamiento en clase A, la potencia consumida por el amplificador en
ausencia de seal de entrada es nula .

Figura 6 .41 : Topologa de un amplificador en clase B .

Si ahora aplicamos una seal de alterna en la entrada del
amplificador, cuando esta sea mayor que el voltaje necesario para brindar
polarizacin directa a la unin base emisor, el transistor Q, entrar en la
zona activa mientras que Q2 seguir cortado por lo que tendremos un
circuito equivalente a un colector comn de ganancia unidad . De igual
forma, en el otro semiciclo de la seal de entrada, ser Q2 el que alcance
polarizacin directa comportndose como un seguidor de emisor . La
seal de salida del amplificador, ante una seal de entrada senoidal,
aparece distorsionada debido a que el circuito no funciona como seguidor
mientras que el transistor no este polarizado en la zona activa . A esta
distorsin se le denomina de cruce por cero o crossover y puede
observarse en la figura 6.42 .
Para el clculo de la eficiencia de potencia en la figura 6.43 se
pueden observar la dependencia temporal de las corrientes que circulan
por cada uno de los transistores y del voltaje de salida .
A
1IN 1
t
~ i -Vot t
V
Figura 6 .42: Distorsin crossover producida en la salida de un amplificador en clase B .
La potencia absorbida de la fuente de alimentacin ser igual al

producto del voltaje de alimentacin por el valor medio de la corriente
que circula por el transistor Q l . Teniendo en cuenta que el valor medio de

la mitad de una onda senoidal es igual a su valor pico dividido por n, la

potencia absorbida vendr dada por la siguiente expresin:
v
Ps =Vcc (6 .76)
nRL
icA
Vcc l 2R,
Vcc / 2
Q V,
vo
i ce
Figura 6 .43 : Representacin de las corrientes de colector y rectas de carga para

cada uno de los transistores en el amplificador en clase B .
a partir de la cual puede obtenerse la ecuacin 6 .77 para la
eficiencia de potencia . Puede verse como la eficiencia de potencia ser
mxima cuando el valor pico de la seal de salida sea mximo (Vcc/2) y
el valor de este mximo es de un 78 .5% .
2
vo
= PL = 2RL - O
< - = 78 .5% (6 .77)
PS Vcc vo 2Vcc 4
irR L
Por otro lado, el balance de potencia indica que la potencia

disipada en cada uno de los transistores vara en funcin del valor pico del
voltaje de salida de acuerdo con la ecuacin 6.78 . Es sencillo demostrar
que dicha potencia alcanza un mximo tal como se muestra en la figura
6.44 y que en dicho mximo la eficiencia de potencia es de un 50% .
2 \
P - PS - PL - 1 'VCC

cc v
- (6.78)
- 2 2 nRL 2RL
PD A
= z
rI = 50%
PDmax VCC / 47C z RL = 78 .5%
~~
t
V,c / n Vcc / 2 vo
Figura 6 .44 : Potencia disipada en el transistor en funcin de la amplitud del voltaje
de salida en un amplificador en clase B .
6.13.3 Funcionamiento en clase AB
El funcionamiento en clase AB es prcticamente igual que el
anterior, solo que en este caso, las uniones base-emisor de los transistores
presentan una ligera polarizacin directa que fija una pequea corriente
de polarizacin Ic.
As, se elimina casi por completo la distorsin de cruce por cero,
y a diferencia del caso anterior, cada uno de los transistores se encuentra
conduciendo durante algo ms de un semiciclo de la seal . En cuanto a
consideraciones de potencia, los resultados obtenidos en la seccin
anterior son casi validos, pero cabe destacar una pequea diferencia, bajo
condiciones de reposo la etapa AB disipa una potencia Vcclc, que ser
pequea puesto que la corriente de reposo I c es pequea.
Figura 6 .45 : Amplificador en clase AB polarizado con resistencias .
Existen varias tcnicas para polarizar los transistores, una de ellas

se puede observar en la figura 6.45, en la que la polarizacin directa de
las uniones BE de los transistores se consigue mediante los divisores de
tensin formados por las resistencias R, y R2 . Este diseo presenta
algunos problemas :
1 .- La corriente de colector es muy sensible a cambios en el

voltaje base-emisor, por lo que se suelen utilizar potencimetros para
ajustar dicha corriente a los valores deseados .
2.- Cuando la temperatura aumenta, como la tensin base emisor
es fija, la corriente de colector aumenta (figura 6 .13) . Este aumento de la
corriente de colector conlleva un aumento de la potencia disipada por los
transistores y por tanto un aumento de la temperatura . Es decir,
entraramos en un bucle que puede llevar a que el transistor disipe tanta
potencia que se destruya. A este efecto se le denomina escape trmico .
Otra forma de polarizacin, puede observarse en la figura 6.46 y
consiste en utilizar diodos, que bajo condiciones de polarizacin directa,
produzcan la cada de tensin aproximada de 2VBE entre las bases de los
transistores . Para ello, se deben utilizar diodos cuyas curvas i-v coincidan
con las de los transistores en un amplio rango de temperaturas, cosa que
puede ser difcil de conseguir en un circuito discreto, pero no en un
integrado. Bajo este esquema de polarizacin, lo que se fija realmente es
la corriente que circula por los diodos de polarizacin, por lo que un
aumento de temperatura produce una disminucin de la tensin para cada
uno de los diodos, o lo que es lo mismo, en las tensiones base emisor de
cada uno de los transistores mantenindose por tanto la corriente de
colector ms o menos constante . Dicho de otro modo, lo que se tiene en
el circuito de la figura 6.46 son espejos de corriente que obligan a que la
corriente de colector sea igual a la corriente que circula por los diodos, de
tal forma que, si dicha corriente es fija, tambin lo ser la que circula por
cada uno de los transistores .
RL
Figura 6.46 : Amplificador en clase AB polarizado con diodos .

La forma de excitar un amplificador de estas caractersticas se
lleva a cabo sin la necesidad de los condensadores que aparecen en la
figura 6.46 y se puede observar en el amplificador del ejercicio 6.15, en

el que una fuente de corriente constante como la de la figura 6.28 fija la
corriente por los diodos en cuestin . Para pequea seal, como los diodos
se encuentran polarizados directamente se pueden modelar con una
pequea resistencia (seccin 6.4), por lo que se puede considerar que las
bases de los dos transistores se encuentran a la misma tensin .
Otra forma de conseguir la tensin necesaria entre las bases de
los transistores consiste en utilizar el circuito de la figura 6.47 . Dicho
circuito ofrece un voltaje de salida dado por la ecuacin 6.79 y una gran
estabilidad trmica .
Figura 6 .47 : Otro esquema para polarizar los amplificadores en clase AB .

Z
VBB = VBE (1+ R
R ) (6 .79)
i
6.13.4 Funcionamiento en clase C

En el funcionamiento en clase C el transistor conduce durante
menos de medio ciclo de la seal y a diferencia de los casos anteriores no
hay otro transistor que proporcione la corriente durante el otro semiciclo .
De esta forma, las seales en el transistor no son sinusoidales sino en
forma de pulsos . Combinando lo anterior con el uso de cargas no
resistivas que realicen el conveniente filtrado de la seal, se pueden
obtener a la salida del amplificador seales senoidales de frecuencia igual
o mltiplo de la seal de entrada . Al circuito que realiza el mencionado
filtrado se le denomina tanque resonante y su presencia es una
caracterstica de cualquier amplificador de clase C .
Por ejemplo, si en el amplificador de la figura 6.48 la frecuencia
de resonancia del circuito tanque resonante se sintoniza a la frecuencia de
la seal de entrada, la salida ser una onda sinusoidal de frecuencia igual
a la de la seal de entrada y amplificada .
Un anlisis cualitativo del circuito en cuestin indica que el
transistor est cortado para continua ya que no hay polarizacin alguna
para el terminal de base . Por ello, la corriente de colector ser nula

excepto cuando el voltaje de entrada supere los 0 .7V . De esta forma, la
corriente de colector tiene forma de picos a una frecuencia igual a la de la
seal de entrada . Esta corriente de colector, convenientemente filtrada,
puede producir un voltaje de salida senoidal de frecuencia igual o
mltiplo de la citada frecuencia .
RL
Figura 6 .48 : Topologa de amplificador en clase C.
En este tipo de diseos, la eficiencia de potencia depende de la

fraccin de ciclo que est conduciendo el transistor, siendo esta mayor
cuanto menor es el tiempo que conduce el transistor . Se pueden alcanzar
eficiencias de potencia muy prximas al 100% .
6 .14 El Modelo de Ebers-Moll para el transistor
Pretende dar un modelo del funcionamiento del transistor ms

profundo que el estudiado en las secciones anteriores, prediciendo el
funcionamiento de ste en la regin de corte, saturacin, activa inversa y
activa directa y teniendo en cuenta los componentes de segundo orden de
las corrientes del transistor que pueden jugar un papel importante sobre
todo cuando la temperatura es alta . El modelo parte de la base de que el
transistor est compuesto de dos uniones pn y calcula las corrientes por
cada uno de los terminales como la suma de las corrientes debidas a cada
una de las uniones pn anteriormente mencionadas .
Supongamos un transistor bipolar npn en el que se toman las
corrientes y las tensiones base-emisor y base-colector como en la figura
6.49 . El modelo de Ebers-Moll predice que la corriente total de colector
para un BJT npn, est dada por la ecuacion 6.80, donde el primer trmino
corresponde a la fraccin de la corriente de electrones de emisor
inyectados y recolectados por el colector, viniendo dicha fraccin medida

por el parmetro aF y el segundo trmino corresponde a la corriente que

circula por la unin base-colector por estar sometida a una tensin VBC.
Figura 6.49
-1)_I co e VBCIVT (6 .80)
ic =aFIEO(evBEInuT
De la misma forma, se puede deducir que la corriente de emisor

viene dada por la ecuacin 6.81, donde aR describe la fraccin de la
corriente de electrones inyectada desde el colector y que llega al emisor
por la accin del campo elctrico de la regin de agotamiento de la unin
BE.
iE =I EO(e v BE inrT -1)-a R Ico((e BC /n ''T -1) (6 .81)
De las ecuaciones 6.80 y 6.81 se pueden deducir las expresiones

6.82 que relacionan la corriente de colector con la de emisor y viceversa .
En dichas expresiones IcRO representa la corriente de saturacin de la
unin BC cuando el emisor est en circuito abierto e IEBO es la
corriente inversa de saturacin de la unin BE cuando el colector
est en circuito abierto . Tambin, a partir de dichas ecuaciones se puede
obtener la ecuacin 6.83 para la corriente de base .
ic =a F i E - ( l - aFaR)IcO((e vBC"nT -1) = aFiE - Icao((e v- /nVT -1)

(6 .82)
iE =(1+aFaR)IEO((evBEinVT -1)-aR'C =IEBO((ev8EinVT -1)-aR i C
n'T hnvr
iB =(l-aF)IEO(e vBE' -1)+(1-aR)ICO((e vB ` -1) (6 .83)
Adems, demostraron que :

a F IEO =a R ICO (6 .84)
Las ecuaciones 6.82 nos llevan a un modelo no lineal del

transistor denominado modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar
que podemos observar en la figura 6.50 .

a RIC aF I E
Figura 6 .50 : Modelo de Ebers-Moll para el transistor bipolar (base comn).

Si nos centramos en la regin activa directa (vBE>0 y vB C<O), las
ecuaciones anteriores se podran aproximar por las siguientes :
iB = ( 1- aF)IEOe vBEI0'T - ( 1- aR)ICO

=IEOevBE1nvT
E +aRICO
VBEInVT (6 .85)
iC =aFIEOe +ICO
iC = a F IE + ICBO
aF
lC - l3jB + I CEO donde I CEO = I3I CBO Y f -
1-a F
que ponen de manifiesto la independencia prctica de las

corrientes de emisor y de colector con el voltaje base-colector . Al igual
que en un diodo, el transistor entra en la regin activa cuando la tensin
base-emisor supera la tensin umbral V, por debajo de este valor, las
corrientes son prcticamente nulas .
6.15 Las hojas de caractersticas
En esta seccin estudiaremos algunos de los parmetros ms

importantes, desde el punto de vista del diseo, que el fabricante ofrece
en las hojas de caractersticas de los transistores bipolares . Para ello, nos
basaremos en las hojas de caractersticas de un transistor bipolar npn, el
2N2222A, que se ofrecen al final del captulo .
6.15.1 2N2222A
Los primeros parmetros que nos encontramos en las hojas de
caractersticas de estos dispositivos hacen referencia a las limitaciones
mximas para la corriente de colector, potencia disipada en el transistor y
voltajes que llevan a las uniones pn que existen en el dispositivo a la zona
de ruptura .
VcBO : Indica la mxima tensin inversa que soporta la unin

colector base con el emisor abierto y es de 75V .
VcEO : Indica la mxima tensin colector emisor con la base
abierta y es de 40V para el 2N2222A.
VEBO : Indica la mxima tensin inversa para la unin base emisor
con el colector abierto y es de 6V en el caso considerado .
Ic: Indica la mxima corriente continua de colector que puede
soportar el transistor en este caso de 800mA .
PTOT : Representa el lmite mximo para la disipacin de potencia

en el transistor para temperaturas menores de 25C . Cuando la
temperatura a la que nos referimos es la temperatura de ambiente el lmite
mximo de potencia es de 0 .5W y cuando lo es la temperatura del
encapsulado es de 1 .8W . En este caso, jugara un papel importante el
parmetro conocido como factor de ajuste que ndica cuanto hay que
disminuir esta limitacin mxima de potencia por cada grado que
aumenta la temperatura por encima de la temperatura a la cual viene
especificado el valor de PTOT. Debido a lo anterior, para una mayor
limitacin de potencia lo lgico es mantener el transistor a la temperatura
ms baja posible, por lo que, en ciertas ocasiones, se colocan disipadores
de calor en contacto con el propio encapsulado de los dispositivos .
Otro parmetro importante para la operacin de estos dispositivos
es la ganancia en corriente 3 que, aunque en este captulo no se haya
hecho referencia a ello, tiene valores distintos, aunque muy parecidos,
para alterna y para continua denotados hfe y hFE respectivamente . Por
ejemplo para el dispositivo considerado la ganancia de corriente de gran
seal para una corriente de colector Ic=0 .1mA y un voltaje colector
emisor VcE=10V puede oscilar dependiendo de dispositivo entre 35 y
300 .
6 .16 Hojas de caractersticas del transistor bipolar npn

2N2222A
y SGS-THOMSOM
2N2218A-2N2219A
2N2221 A-2N2222A
HIGH SPEED SWITCHES
DESCRIPTION
The 2N2218A, 2N221 9A, 2N2221A and 2N2222A
are silicon planar epitaxial NPN transistors in Jedec
TO-39 (for 2N2218A and 2N221 9A) and in Jedec
TO-18 (for 2N2221A and 2N2222A) metal cases .
They are designed for high-speed switching applr
cations at collector cu rrents up lo 500 mA, and tea-
ture useful current gein over a wide rango o collec
tor current, low leakage currents atol low saturation
voltages . OZZZ7 ez:z~
c 2N2218A12M2219A approved lo CECC
50002-100, 2N2221N2N2222A apprwed lo
TO-39 TO-18
CECC 50002-101 available on request .
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter Value Unit
VCBO Collector-base Vottage (IE =0) 75 V
VCEO Collector-emRter Voltage (IB = 0) 40 V
VEeo Emitter-base Vottage (le = 0) 6 V
Ic Collector Current 0.8 A
P, 0 Total Power Dissipation al T amo < 25 C
for 2N221 8A and 21,1221 9A 0.8 W
for 2N2221A and 2N2222A 0.5 W
at T_. <- 25 C
'or2111912218A and 2192219A 3 W
bar 21112221A and 21112222A 1 .8 W
T a ,, Storage Temperatura -65 to 200 C
T, Junction Temperatura 175 C
January 1989 1/8

2N2218A-2N221 9A-2N2221 A-2N2222A
THERMAL DATA
2N221 8A 2N2221A
2N221 9A 2N2222A
Rh Thermal Resistance Junction-case Max 50 C/W 83 .3 C/W
RIh 1 ame Thermal Resistance Junction-ambient Max 187.5 C/W 300 C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T,mb = 25 40 unless otherwise specified)
Symbol Parameter Test Conditions Min . Typ . a Unit

Collector Cutoff Current VCe = 60 V 10 nA
Icen
(IE=0) VCB=60V Tamb=150 C 0 pA
ICE Collector Cutoff Current VCE = 60 V

(VBE = - 3 V)
IEBO Emitier Cutoff Current VEB = 3 V 10 nA
(lc =0)
, BE Base Cutoff Current VCE = 60 V 20 rol
(VBE = - 3 V)
V BR CB0 Collector-base Breakdown V
IC = 10 pA 75
Voltage (IE = 0)
V(BR CEO Collector-emitter Breakdown Ic 40 V

= 10 rnA
Voltage (la = 0)
V(BR) EBO Emittter-base Breakdown IE -10 pA 6 V
Voftage (Ic = 0)
Collector-emi0er Saturation le = 150 mA IB = 15 mA 0 3 V
VCE
Voltage Ic=500mA IB=50mA V
VBE a Base-emitter Saturation le = 150 mA IB = 15 mA 0 6 V

Vottage Ic = 500 mA IB = 50 mA 2 V
hEE DO Current Gain for 2N221 8A and 2N2221A

1C=0.1rA VCE=10V 20
le =l mA VCE=10V 25
1C=10mA VCe=10V 35
le = 150 mA VCE = 10 V 40 120
1C = 500 mA VCE = 10 V 25
IC = 150 mA VCE = 1 V 20
Ic=10mA VCE=10V
Tamb =- 55 C 15
hFE DO Current Gain for 2N221 9A and 2N2222A

le =0.1mA VCE=10V 35
IC=1rA VCE=10V 50
Ic=10mA VCE=10V 75
1c = 150 mA V CE = 10 V 100 300
1C=500mA VCe=10V 40
Ic=150mA VCE=1V 50
Ic=10mA VCE=10V
T,,,,b =- 55 C 35
Pulsad : pules duraran = 3m m, duty cyde = 1 M .
2/8
MWT

2N2218A-2N2219A-2N2221A-2N2222A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ . Max . Unit

Small Signal Current Gain Ic = 1 mA VGE = 10 V
f = 1 kHz
for214221BA and2N2221A 30 50
for2142219A and 2N2222A 50 300
Ic=10mA VcE=10V
f=1 kHz
for 2N221 8A and 21 42 21A 50 300
for211912219A and 2N2222A 75 375
Transiion Frequency le= 20 MA VcE=20 V
f = 100 MHz
for2N2218A and 2N2221A 250 MHz
for2N2219A and 2N2222A 300 MHz
CEBO Emitter-base Capacitance Ic = 0

1 = 100 kHz VEB = 0 .5 V 25 pF
Ccso Collectar-base Capacilance lE =0

VGB = 10 V 8 pF
f = 100 kHz
R. (h,. Real Part of Input Ic =20 mA

VcE = 20 V 60 (1
Impedance f=300 MHz
NF Noise Figure le = 100 MA VCE = 10 V
4 dB
Rs = 1 kG2 1 = 1 kHz
Input Impedance le = 1 mA VcE= 10 V
for2192218A and2142221A 1 35 tZ
for 2N221 9A and 2142222A 2 8 11
Ic=10mA Vce=10V
for2N2218A and2N2221A 02 1 G
lar 2N2219A and 2N2222A 0 25 1 25 fG
a Reverse Voltage Ratio le = 1 mA VcE = 10 V
for2N2218A and 2N2221A 5 10 4
lar 2N2219A and 2N2222A 8 10-a
le =10mA Vce=10V
for2N2218A and 2142221A 25. 0- "
for2N2219A and 2N2222A 4x10- "
h Output Admittance le = 1 mA VcE = 10 V
for2142218A and 2N2221A 3 15 pS
for2N2219A and 2N2222A 5 35 PS
le =10rA Vce=10V
for2N2218A and 2N2221A 00 pS
for2N2219A and 2N2222A 25 200 pS
Delay Time le = 150 MA Vcc = 30 V
10 ns
IB1=15mA VBB= - 0 .5V
Rise Time le = 150 mA Vcc = 30 V
25 ns
al =15rA VBB=-0 .5V
t,"' Storage Time 1e = 150 MA Vcc = 30 V 225 ns
lar _- IBa = 15 MA
Fa Time le = 150 mA Vcc = 30 V
60 ns
lar _- lea = 15 MA
bb Cb Feedback Time Constant Ic = 20 mA
VcE = 20 V 150 ps
f = 31 .8 MHz
t = 1 kHz
" sea test circuil .
3/8
y

2N2218A-2N2219A-2N2221A-2N2222A
Normalizad DC Current Gain . Collector-emitter Saturaticn Voltage .
k~
ra
o., Ic( ) w 1 ,a ,00 I,Im1U
Contours of Constani Narrow Band N oise Figure . Switching Time vs. Collector Current.

R
O+I
If
R
w
,R,
10;
u,
AO 1
eol ' H MI u ,00 ICIMI

6.17 Hojas de caractersticas del transistor bipolar npn

BC548 .
MOTOROLA orden 5h1 . do-~

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BC54BII0
Amplifier Transistor*
NPN Silicon BC546, B
C547, A, B, C
C548, A, B, C
COLLECTOR
2
BASE
EMIIIER
MAXIMUM RATINGS
BC BC BC
Rating Symbol 545 547 548 Unh
Collector-Emtter Voltage VCEO 85 45 30 Vdc

Collector-Base Voltage 80 50 30 Vdc
VCBO
Emulen-Base Vollege VEBO 8 .0 Vdc
CaIIeclorCurrenl-Continuous IO 100 nAdc
Total Devira Dissipaon 0 TA 25 -C PD 825 ,w

Derale aboye 25C 5 .0 mWFC
Total Devine Dissipalion 9 TC = 25C PD Wal

Derete aboye 25C mWFC
Operating era Storage Junclion Tj Tstg -551-150 C

Temperatura Rango
Ch .raetarlatic Symbol Mas Unto

e1,
Thermel Resislance, Junolion to AmbieM ROJA 200
Thermel Resistanoe, Junction lo Case ROJO 83 .3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA =25C unless otherwise notad)
I Ch.raet.rl.tle I Symbol I MIn I T p I Ma. I Unto I

OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage BC548 V(BR)CEO 65 - V

(IC=1 .0mA,IB=0) BC547 45 - -
BC548 30 -
C011001or-Base Breekdown Voltage 8C546 V(BR)CBO BO - - V

(IC=100lAdc) BC547 50 - -
BC548 0 - -
Emitler-Base Breakdnwn Voltage BC548 V(BR)EBO 6 0 - - V

(IE=10 A,IC=0) BC547 60 - -
BC548 6 0 - -
Collector Cuto6 C.- ICES

IVCE=70V,VBE=0) BC548 02 nA
(VCE=50 V,VBE=O) BC547 - 02
(VCE=35 V,VBE=0) BC548 - 02
(VCE=30V,TA=125C) BC548/547/548 - - 0 LA
REV 1
J.
Moronda Inc . tose
~~LA

BC646, B BC647, A, B, C BC646, A, B, C
1 1 1 1111 1 .0
VCE .lov
TA = 25 _C 09
IIIIIIIIIIIIIIIIIIII!1!!
03 IIIIII!%oiIIII
07 ~~~~
_:; :iuIIII
05
05 iiil11111II 111111
04 .IIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIII
03
02
.IIIIIIIIII//IIIIIIIIIIIII'.111
01
UIIIIIIIII VCEIr%11@Ci1B=ID IIalI111
02 6
02 05 1 .0 2 .0 50 10 20 50 100 200 01 0203 0 .50710 2.030 5.0 2030 5070700
IC, COLECTOR CURREM ImAdt) IC, CONECTOR CURREM (mAnt)
FIgure 1 . Nonnallzed DC Current Galo Figure 2 "SaturaBon" and "Orl" Voltages
2.0 1 .0
s
IIIIIIIIIIIIIIIIiII L9IIIII 1g 1/u/u111111/u/IIIIIII
Wnm1IUI11111UUII111i
2
10 IIIREMO IIIIIIII 1191111 /u..111111... .111111... .111111
IIIIIIIIIIIIIIIIIIIIII !I~ /111111/U//P! :iil
1 .6 //1111111
12 IIIIIIIIIIIIIIIIIIIgI las
uuunnuuuuuunnr.mnu
III t
111 20 mA
EMIII( IIIIII 20
UUU11111I Iu1!l :Sdr U u1111I
0,8
III IIIIIIIII\iIIIIIIIIII /m/111111/lii111111/////11111
IIIIIIIIIIII\IIIIIIIIIi\IIIIIIIII 24 //!:aillIIIIIII/UIIIII1
iiiU111111iU 111111000IIII111
04
I/IIIIIIIIIIhU/IIIIIIIII~IIIIIIII / ./.111111. .. .111111.// .111111
23
IIL111;!IIII\'IIIIIIIIIIIIIIIIII
6
i/111111//111111u u 111111
002 01 10 ,0 20 02 10 10 100
IB. BASE CURRENT (IA) IC. CONECTOR CURREM ImA)
Figure 3 . Collector Saturation Reglen Figure 4. Base-Emitler Temperatura Coeffcient
BC547/BC548
400
I I 1 300
TA =25C-
60 ama 200
_-
5 uii.u. s
_ _-11'. 100
VCE
TA=25=C
60
~ 30
30
0
04 06 08' 0 20 40 6 .0 8010 20 40
r 2
'05 07 10 2.0 30 50 7 .0 10 20 30 50
VR . REVERSE VOLTAGE IVOLTS) IC, CaLLECOOR CURREM (mAdt)
Figure 5 . Capacltances Figure 6 . Current-Galn - Bandwklth Product
Motorola Small-Signal Transistors, FETS and Diodos De Data

C546, e c547, A, e, C BC/4/, A, e, c

BC547/SC548
/1I IIIII11111111/11180 0$
///IIIIII~III!!!~'
/111111/111111/11111 ~IIIII~i%11111

VBElsat)@ICIIB=1a
uIuIIIIIIIIIuIIIIIIIuuuIIIIIII
/////IIIII//111111/111111111111 2i 0.e
"ii11~~1IIIIII
I lIIII/1/1IIIIII!~:i~IIIIIuIIIIIIIII ,~,~ ~111111~111111~
~/IIIIIfn~uIIIIII-IIIlIII
ii m
0

.11111111111IIII11111111s\1.1111111 IuIIIIIIIU .uIIIIII-IIIIIII
///(IIII//111111//111111/~//111111 UIIIIIIIIU .uIIIIII-IIIIIII
uii11IIIII .IuuuIIIII .I.IIIIIII~IuiiiIIII _'IIIIII
///11111/11111/111111117/111111
I UIIIIIII IIIIIIIII IUIIlllliUiUlllllll
~cE(1)~IdIB=1o
sa jj :IIIII/
01 02 10 1o 100 02 0.5 1o 2 0 5.0 10 20 50 100 200
IC, COLLECTOR CURREM lOA) 1C, COLLECTOR CURREM (r1)
Figure 7. DC Current Gain Figure 9. "On" Voltage
2.0
te I IIIII~III iu~uui'IIIuiuiI~IIIiTIyi
12
I~~ III i l 1 iIII E IWIII~I
El 111III~~I1IIIII IIUUIIIIIIII~~
C BAO
Br 'BE
II IIIIII IC 'IIIlII ~/~~IiIIII~~ 10 125C
AC
0$
II!:;iI 10 ~ ,1111111\IllIIIIIIhl
0.a
IUIIII'IU/UI'IIIIIIIIhUIIIIIIIhI
uUf;lIIII~hIi1uIIIII~UhII'IIIII_
o
0.02 0.05 01 02 05 1 .0 2.0 50 10 20 05 10 20 50 10 20 50 100 200
IB, BASE CURRENT (rrA) IC, COLLECTOR CURRENT (m4)
Figure 9. Callentor Saluradon Reglan Figure 10 . Dase-Emltter Temperature CoeRIcient
8C546
40
Ve E 5 V .RRE;:IlI
TA=25'C I/IllillI/111111 ERRE ;: : :
20 II//1111111/111111///11111
IuIIIIIIIuIuuuII!!! : ;;; ;!IIIIIIuIIIIIII
c 10 IIIIIIIIIC%lIIIIIIIIIIIIIIIIUIIIIIIIII
80
111111111111111111111111.1111111
0
///11111////111111/111111///11111
40
IuIIIIIIIIIuuuIIIIIuI.IIIIIII .IuIIIIIII
1.1111111.1 ./1111111/111111 ././111111
1/IIIIIII/lulllllll/1/IIIIIII///IIIIIII
20
0.1 02 0.5 10 20 50 10 20 50 100 50 10 50 1w
VR, REVERSE VGLTAGE /VOLTS) Ic, COLLECTOR CURREM (m4)
Figure 11 . Capacltance Figure 12. Current-Galn-BarWwldth Product
4 Motorola Small-Signal Transistors, FETs and Diodos Device Data

TRANSISTORES BIPOLARES
Ejercicio 6.1 :
Deduce el valor de la ganancia de voltaje del amplificador en
emisor comn realimentado teniendo en cuenta la resistencia de salida del
generador de alterna Rs y el valor de la resistencia de carga RL .
Ejercicio 6.2 :
En el circuito de la figura, emplea los valores dados a menos que
se indique lo contrario . Determina si el transistor est saturado para cada
uno de los siguientes casos :
a) RB =47K y /3=100
b) VB=10V y /3=500
c) Re-- 10K y /3=100
d) Vcc=10V y X100
Vcc = 5V
1 T
Ejercicio 6.3 :
Disea un amplificador de una sola etapa con una ganancia de
voltaje de pequea seal de -4 VN y una mxima excursin de salida de
1OV pico a pico (cuando se usa con una carga de alta impedancia) que
funcione a partir de una lnea de alimentacin de 15V . El amplificador
debe estar acoplado en CA y su ancho de banda se debe extender hasta
100 hz . La corriente de colector en reposo para el transistor debe ser de
1mA .
Ejercicio 6.4:
Calcula el voltaje de reposo de salida y la ganancia de voltaje de
pequea seal del siguiente circuito .
Ejercicio 6.5:
En el circuito que se muestra a continuacin, calcula :
a) El punto de polarizacin IcQ,VcEQ.
b) La mxima excursin del voltaje de salida . (Supn que la
regin activa directa se extiende hasta la zona V cr-O) .
c) El punto Q que permite la mxima excursin de la seal de
salida . Este punto Q debe moverse variando la resistencia de emisor pero
sin variar el voltaje de emisor.
d) Una expresin que permita calcular el valor de la resistencia de
emisor necesaria para situar al amplificador en el punto de continua
obtenido en el apartado anterior .
Ejercicio 6.6:
Calcula, con el punto de polarizacin obtenido en el apartado 3
del ejercicio anterior, la ganancia de potencia de pequea seal y la
eficiencia de potencia . La eficiencia de potencia del amplificador,

evidentemente no es del 100%, donde se ha disipado la potencia .
Ejercicio 6.7:
En el circuito de la figura halla el punto de polarizacin y la
ganancia de voltaje con y sin condensador de acoplo de la salida .
Ejercicio 6.8:
En el circuito de la figura, tomando /3=100, calcula :
a) Impedancia de entrada .
b) Tensin en la base si /3 flucta en un intervalo de 50 a 350 .
c) El voltaje de pequea seal en la base .
d) La ganancia de tensin y la tensin de salida .
e) El MPP de la tensin de salida .
Ejercicio 6.9:
En el circuito de la figura se muestra un esquema distinto de
polarizacin para un amplificador en emisor comn . Explica, a parte de
situar el terminal de base a cierto nivel de continua, el papel que juega la
resistencia Rf. Calcula el valor de la ganancia de voltaje, resistencia de

entrada y resistencia de salida del circuito tomando un valor de /3=100 .
Ejercicio 6.10:
Calcula el valor de la ganancia de tensin en los circuitos que se
muestran a continuacin . Qu se mejora y cmo en el segundo diseo
con respecto al primero?, En el segundo amplificador cunto vale el
MPP de la primera etapa si /3=100? Y el de la segunda?
1 .5KS2
o
1KS 33052
Ejercicio 6.11 :
Si los transistores del amplificador de la figura tienen ambos
ganancias de corriente iguales a 100, Cul es la tensin de salida? Y el
MPP de cada una de las etapas? .
15V
v, = 5mV
Ejercicio 6.12 :
En el circuito de la figura, se pide calcular :

a) Mxima seal simtrica de salida sin distorsin .
b) Cmo se podra aumentar la mxima seal simtrica de salida
sin modificar la corriente de saturacin de Q 3 ?. Entendiendo por corriente
de saturacin la corriente de colector necesaria para el voltaje colector-
emisor sea nulo.
c) Tensin de salida del circuito en el caso de que
v 1 =2senwt(mV) y v 2=0 a frecuencias medias .
d) Si se pretende amplificar tensin, Qu utilidad tiene la etapa
final?
e) El CMRR y alguna solucin para mejorarlo .
f) Si v 2 =0, calcula la expresin de la ganancia de tensin vo /v l a
alta frecuencia .
Q1=Q2 : r,1=1 .7K, /100 ; rbb'=O, Cb'e=Cb'c=0
Q 3 : r,=0 .5K, / 100 ; rbb'=0, Cb ' e =150pF, Cb ',=2pF
vi

Ejercicio 6.13 :
Para el amplificador diferencial de la figura, tomando como
entrada diferencial v -v2 se pide calcular :
i
a) El punto de polarizacin en continua de cada uno de los

transistores y el valor del parmetro r,, suponiendo que Rc toma su valor
nominal .
b) Los valores mximos y mnimos de la ganancia para entrada
diferencial Ad, y Ad2 con salida asimtrica teniendo en cuenta que las
resistencias empleadas tienen una tolerancia del 10% .
c) Los valores mximos y mnimos de la ganancia en modo
comn A,, y A tomando salida asimtrica y teniendo en cuenta la
c2
tolerancia de R c.
d) El CMRR mnimo para salida asimtrica y para salida

diferencial . (toma para este apartado el caso de mxima asimetra) .
RB o RB
1000 l 0052
VI , WP - V2
I RE
6 K0
15V
T1
Ejercicio 6.14:
El circuito que se muestra a continuacin es un modulador de
AM . Explica como funciona y encuentra los valores mximo y mnimo
de la ganancia del amplificador en funcin de la amplitud de la seal
moduladora. Encuentra tambin la ganancia de tensin en reposo y el
ndice de modulacin .

20Kf
0 .01F
~1
vp 10KQ
lomV
500KHz
Ejercicio 6.15:
Para el amplificador de la figura tomando todas las /3=100 se pide
calcular la ganancia de tensin y la descripcin cualitativa de cada una de
las etapas . Qu sentido tendra sustituir la resistencia R, por un
potencimetro .
1OK 1KO
Qa
Q
1KS2
Ejercicio 6.16:
Estudia la ganancia en modo comn de una etapa diferencial
como la estudiada en el caso de entrada diferencial-salida diferencial
cuando las resistencias de colector difieren en una cantidad AR c .
7 Transistores Mosfet .
7.1 Introduccin
En este captulo nos centraremos en el estudio de uno de los

denominados transistores de efecto campo o tambin transistores fet (field
effect transistor). El mosfet (metal oxide semiconductor field effect
transistor) es un dispositivo de tres terminales en los que la corriente que
circula por dos de ellos se controla mediante un campo elctrico generado
por un voltaje aplicado en el otro . Tambin se conocen con el nombre de
most o igfet . Estos transistores fueron propuestos por Shockley en 1952
pero hubo de transcurrir ms de una dcada para que se pudieran
construir de forma fiable .
En definitiva, al igual que ocurra con el transistor bipolar
tenemos una especie de vlvula de control en la que aplicando una seal
relativamente dbil en uno de sus terminales somos capaces de controlar
una seal no tan dbil entre los otros dos . En este caso, a diferencia de lo
que ocurra con los transistores bipolares, la seal de control es un voltaje
y la seal controlada una corriente .
Estos dispositivos se caracterizan por una muy alta resistencia de
entrada, bajo consumo de energa y muy pequeas dimensiones . Como
veremos en adelante, existen varios tipos de mosfet, de acumulacin o
enriquecimiento y de deplexin o empobrecimiento y dentro de cada
uno de ellos hay que distinguir entre los de canal n y los de canal p .

260 Transistores mosfet
G D
1 I
metal
aisl:utte St0
camal u
n+
D D D D
J B J KB
GJ- B GJ i B G
S S S S
Acumulacin Acumulacin Deapletdn Deplexin

cana n cana p c .,,9al n
Figura 7 .1 : Smbolos utilizados para los transistores mosfet y seccin transversal de

un transistor mosfet de deplexin de canal n .
7.2 Construccin, funcionamiento y tipos de Mosfet .
7.2 .1 Construccin de un mosfet

La construccin de un transistor mosfet de deplexin de canal n,
la podemos observar en la figura 7.1 derecha . Para ello, partimos de una
barra de material semiconductor (silicio) tipo p que formar el sustrato,
en la que se crecen por difusin o por implantacin inica dos regiones
fuertemente dopadas tipo n denominadas drenador y fuente y separadas
del orden de 10m, y una no tan dopada que une las dos anteriores
denominada canal . Posteriormente se crece una capa de aislante (Oxido
de silicio) de 1000-2000A de espesor y se hacen los contactos para el
drenador y la fuente . Por ltimo se forma por evaporacin una capa de
metal dnominada compuerta en la regin en la que el aislante est
encima del canal .
La construccin de un mosfet de enriquecimiento es similar solo
que no existe el canal que une el drenador con la fuente . Los smbolos
utilizados para distinguir los dispositivos aparecen en la figura 7.1
izquierda .
7.2 .2 Funcionamiento de un Mosfet

De forma muy cualitativa, el funcionamiento del mosfet de
deplexin o empobrecimiento de canal n est basado en el efecto
capacitativo que aparece en la unin conductor-aislante-semiconductor,
ya que, un voltaje aplicado en la compuerta con respecto al sustrato
crear un campo elctrico en el xido que atraer a los electrones y
repeler los huecos produciendo un ensanchamiento (acumulacin) del
canal n si es positivo o repeliendo a los electrones y atrayendo los huecos
produciendo un estrangulamiento (deplexin) del canal si es negativo .
Como cabe esperar, existe otro transistor mosfet de deplexin de canal p
en el que el sustrato es un semiconductor tipo n y cuyo funcionamiento es
a Transistores mosfet 261
el mismo, excepto que cambian los signos de los voltajes aplicados y los
sentidos de las corrientes .
En un mosfet de empobrecimiento de canal n se denota Vcs(OFF) al
voltaje que hay que aplicar en la compuerta con respecto a la fuente para
producir la desaparicin del canal . En este tipo de dispositivos se cumple
que Vcs(oFF)<0 y siempre que se cumpla que VGS> Vcs(oFF) existir canal
entre drenador y fuente, por lo que, la aplicacin de un voltaje v DS>0
provocar un flujo de corriente desde drenador hasta la fuente, debido al
flujo de electrones que se mueven por el canal desde la fuente hasta el
drenador.
Aunque este tipo de dispositivos es muy til en situaciones
especiales, el que verdaderamente revolucion la industria de la
electrnica, debido a su enorme importancia en la electrnica digital y en
las computadoras, fue el mosfet de enriquecimiento . Sin l no existiran
las computadoras personales tan extendidas en la actualidad .
Vamos pues a describir de forma ms cuantitativa el
funcionamiento de uno de estos dispositivos empezando por la situacin
en la que los voltajes VDS Y VGS son nulos y el sustrato est cortocircuitado
con la fuente (suposicin que adoptaremos a lo largo de todo el captulo) .
De esta forma, lo nico que hay que destacar son las zonas de
vaciamiento en las proximidades del drenador y la fuente, como podemos
observar en la figura 7.2, debido a que en dichas regiones tenemos
uniones pn en equilibrio.
=0
n
li
zonas' de p
vaciamiento
B
Figura 7 .2 : Transistor mosfet con voltajes nulos aplicados en el drenador y en la

compuerta.
Si ahora aplicamos un voltaje positivo en la puerta, aparecer un
campo elctrico uniforme en la zona del oxido que repeler los huecos de
la regin cercana al xido, pudiendo producir una nueva regin vacia de
portadores en la zona cercana al aislante como se puede observar en la

figura 7.3 .
0 < VGS < VGS(TH)
1 111~IILE
zonas de p
vaciamiento
B
Figura 7 .3 : Transistor mosfet con un pequeo voltaje aplicado en la compuerta

suficiente para crear una zona vaca de portadores en la zona prxima al xido.
Si seguimos aumentado el voltaje aplicado a la puerta, el campo
elctrico puede ser tan intenso, que sea capaz de atraer tantos electrones a
la regin vaca de portadores debajo del aislante, que cree una capa
delgada de semiconductor tipo n en dicha regin, como aparece en la
figura 7.4 . A este fenmeno se le denomina inversin y al voltaje puerta
fuente al que se produce se le denomina tensin umbral o de pinch-off y
se denota Vcs(TH) . Esta tensin umbral dependiendo del dispositivo suele
oscilar entre menos de 1 y algo ms de 5V . La tensin umbral es positiva
para los dispositivos de canal n y negativa para los de canal p .
5 > V GS( , .H)
n+ n+
1 V DS 0
r
zonas de canal p
vaciamiento inducido
B
Figura 7 .4: Transistor mosfet con voltaje aplicado en la compuerta mayor que la
tensin umbral .
Segn lo dicho anteriormente, para que en los transistores de
enriquecimiento de canal n exista corriente entre el drenador y la fuente
se debe cumplir que VGS> Vcs(TH) en caso contrario se dice que el
dispositivo se encuentra en la zona de corte .

Transistores mosfet 263
Si una vez creado el canal aplicamos una pequea diferencia de

potencial entre el drenador y la fuente VDS>O, la nica corriente que puede
circular por el dispositivo es debida al flujo de electrones que salen del
drenador y se mueven por el canal hasta la fuente . El hecho de que no
existan otras corrientes por el dispositivo es debido a que el canal, el
drenador y la fuente se encuentran rodeados por el aislante y por las
zonas de vaciamiento de las uniones pn polarizadas inversamente . Segn
lo anterior en este tipo de dispositivos la corriente se debe exclusivamente
a un tipo de portadores, electrones en los de canal n y huecos en los de
canal p, por lo que se suelen denominar transistores unipolares . A dicha
corriente le denominamos corriente de drenador, se denota iD y
lgicamente depender del voltaje VDS aplicado y de otros factores como
el espesor del canal, longitud del canal, etc . Adems, como se explic con
anterioridad, el espesor del canal puede controlarse mediante el voltaje
aplicado a la compuerta VGS, por lo que el valor de la corriente de
drenador tambin depender de dicho voltaje. Se puede demostrar que en
esta zona la corriente de drenador viene dada por la ecuacin 7.1 donde
y es la movilidad de los electrones, e,, es la permitividad dielctrica del
xido, t0 el espesor de la capa de xido y W y L son la anchura y la
longitud de la compuerta o del canal respectivamente .
21
iD = K`2(vGS - VGS(TH>)vDS -vDS con k ='U "-W (7 .1)
2toX L
De la ecuacin anterior se desprende que cuando el voltaje VDS

aplicado es muy pequeo, el termino cuadrtico se puede suponer
despreciable, y la dependencia de iD con VDS es prcticamente lineal . La
constante de proporcionalidad viene controlada por la construccin del
dispositivo y por el voltaje de compuerta .
En resumen, cuando el voltaje VDS es muy pequeo el dispositivo
se comporta como una resistencia cuyo valor depende del voltaje
aplicado a la compuerta. En esta situacin se dice que el dispositivo se
encuentra en la regin hmica. Si seguimos aumentando VDS las curvas
iD- VDS dejan de ser lineales debido a que el factor cuadrtico cada vez
adopta mayor peso .
Por otro lado si observamos la figura 7.5 la cada de tensin en la
capa de xido, que es quien controla en definitiva la anchura del canal, se
puede considerar aproximadamente igual a vGs en las proximidades de la
fuente y aproximadamente igual a v GD en las proximidades del drenador .
Como por otro lado se cumple que VGD = VGS- vDS, para voltajes VDS
pequeos se puede suponer que vcD=-vcs, teniendo una cada de tensin

en el aislante ms o menos uniforme a lo largo de todo el canal, pudiendo

por tanto, suponer que el espesor del mismo es uniforme .
S VI,(TH)
1%
1
ycn
1 V DS > O
11111 1 E ~~VDS VGS)
n+ n+
1 B
-_vGS =>canal uniforme
VGG = vGS -vos
Figura 7 .5 : Canal inducido en un transistor mosfet de enriquecimiento para

VDSVGS .
Cuando el voltaje VDS aumenta la cada de tensin a lo largo del

canal deja de ser uniforme dejando de serlo tambin el espesor del
mismo . Adems, si en algn momento se cumple la desigualdad 7.2, el
canal llega a estrangularse en las proximidades de la regin de drenador
como puede observarse en la figura 7.6, debido a que la cada de tensin
en el xido vGD en dicho punto es justo la necesaria para que se produzca
el canal . Al voltaje drenador fuente que produce un estrangulamiento del
canal en la regin cercana al drenador se le denota VDSAT y es mayor
cuanto mayor es el voltaje puerta fuente VGS como se muestra en la
ecuacin 7.2 .
(7 .2)
VGD =V GS - VDS CVGS(TH) ==~ VDS >V GS - VGS(TH) = VDSAT
DS
V DS = v GS - VGS(TH) = VDSAT

VDS=VDSAT .
A pesar de que el canal se estrangule, la corriente de drenador no

se hace cero, debido a que los electrones inyectados desde el canal, en la
regin cercana al drenador, son empujados hacia ste por el campo
elctrico existente en la zona de deplexin de la unin pn sustrato-
drenador polarizada inversamente . El valor de la corriente en este punto
viene dada por la ecuacin 7.3 .
z z
i D = KvDSAT = KwcS -VGS(TH> (7 .3)
Si seguimos aumentando el voltaje de drenador por encima del

voltaje de saturacin, el punto en el que el canal se estrangula ir
alejndose de la regin de drenador . Pero lo realmente importante es que,
como podemos observar en la figura 7.7, la diferencia de potencial en la
regin en la que an existe canal es constante e igual a VDSAT. De esta
forma, el aumento en el voltaje v DS se invierte en un aumento del campo
elctrico a travs de la regin vaca de portadores, que no puede hacer
otra cosa que empujar hacia el drenador los electrones que le llegan desde
el canal . Pero el flujo de electrones que llegan desde el canal es
prcticamente constante ya que la cada de tensin a lo largo del mismo
se mantiene constante e igual a v DSAT. Esto producir que las lneas D-vDS
sean prcticamente planas en la regin en la que se cumple que vDS>VDSAT,
denominada regin de saturacin . En resumen suponiendo que la
longitud del canal permanece constante, como un aumento de v DS no trae
consigo un aumento de la cada de voltaje a lo largo del canal, el campo
elctrico en el interior del mismo permanecer constante, lo que
provocar una corriente de drenador constante tambin .
> VGS(TH)
DS
n+,
VGS(TH)
I
V DSIT
p
B
V DS > V DS4T

VDS>VDSAT .
Esta regin de saturacin es precisamente la que nos interesa,

puesto que la corriente de drenador es prcticamente independiente del
voltaje VDS y est nicamente controlada por el voltaje aplicado en la
puerta. En definitiva, tenemos el dispositivo electrnico buscado, una
fuente dependiente en la que la corriente que circula entre el drenador y la
fuente se controla por el voltaje vGS aplicado en la puerta .
El anlisis cuantitativo de un dispositivo de empobrecimiento es
prcticamente el mismo, pudiendo distinguir tambin las zonas hmica y
de saturacin en la que tambin se cumple la ecuacin 7.3, si cambiamos
la tensin VGS(TH) por la VGS(oFF) caracterstica de los dispositivos de
empobrecimiento . La nica diferencia en el funcionamiento de estos
dispositivos a la hora de construir amplificadores, como ya veremos en
adelante, surge a la hora de la polarizacin, ya que como dijimos
anteriormente el de deplexin es capaz de conducir corriente con una
tensin de compuerta nula o incluso negativa, mientras que en el de
acumulacin hay que aplicar una tensin positiva a la puerta suponiendo
canal n .
Las caractersticas de un mosfet de deplexin vienen descritas
mediante la definicin del voltaje VGS(oFF) y de la corriente de drenador a
fuente cuando la puerta est cortocircuitada con la fuente, llamada
corriente de saturacin IDSS. En cambio las caractersticas de un mosfet
de acumulacin se describen mediante el voltaje VGS(TH) y algn valor
especificado de la corriente de drenador para un determinado voltaje de
compuerta (VGS(oN),ID(oN)) . Estos valores permiten calcular, de forma
experimental, el valor de la constante K, de tal forma que la ecuacin 7.3
se transforma en las ecuaciones 7.4 y 7.5 que describen la dependencia de
la corriente de drenador con el voltaje de compuerta en la zona de
saturacin para los dispositivos de enriquecimiento y empobrecimiento .
-,2
VGS - VGS(TH)
l D - I D(ON) (7 .4)
VGS(ON) - VGS(TH)
\2
' D - IDSS VGS-t (7 .5)

~ VGS (OFF)
La representacin grfica de la corriente de drenador iD con el

voltaje drenador fuente VDS aplicado para un dispositivo de
enriquecimiento de canal n se puede observar en la figura 7.8 . En dicha
figura se pueden observar las tres regiones de funcionamiento
anteriormente mencionadas corte, hmica y saturacin . Como dijimos
anteriormente, en la zona hmica la dependencia es lineal por lo que el
dispositivo se comporta como una resistencia de valor dependiente del

voltaje vGS. Tambin podemos observar como en la zona de saturacin las
curvas son totalmente planas, lo que ndica, que la corriente de drenador
es independiente del voltaje VDS y est controlada nicamente por el
voltaje puerta fuente v GS . Otra caracterstica importante es que, para que
exista corriente de drenador, el voltaje puerta fuente debe cumplir que
vcs>VGS(TH), en este caso positivo.
20 Zona de saturacin
vis ? V GS - VGS(TH
vcs = 6V
15
Z
E 10 VGS = 5V

v Gs = 4V
5
vGS = 3V
VGS = VGS(TH) = 2V
0 2 4 6 Zona de corte 10
VGS <_ VGS(TH)
VDS (V)
Figura 7 .8 : Caracterstica de salida de un Mosfet de enriquecimiento de canal n con
K=1mA/V2 y VGS(TH)=2V .
0 2 4 6
VGS (V)
Figura 7 .9 : Caracterstica de transferencia de un Mosfet de enriquecimiento de
canal n con voltaje umbral VGS(TH>=2V y K=1 mA/V2 .
Por otro lado, en la figura 7.9, podemos observar, para el
dispositivo de enriquecimiento de canal n, la dependencia cuadrtica en la
zona de saturacin de la corriente de drenador iD con el voltaje vcs
aplicado . Adems esta dependencia cuadrtica hace que las lneas
obtenidas en la grfica de la figura 7.8 no estn equiespaciadas para
valores equiespaciados del voltaje VGS, a diferencia de lo que ocurra con

los transistores bipolares, produciendo una alta no linealidad a la hora de

la amplificacin .
En las grficas de las figuras 7.10 y 7.11 se puede observar la
dependencia de la corriente de drenador con los voltajes VDS y VGS
respectivamente para un dispositivo de empobrecimiento de canal n . La
diferencia ms significativa, es que en este dispositivo hay corriente de
drenador incluso para voltajes puerta fuente negativos, eso si, siempre
que sea mayores que el voltaje VGS(oFF) que caracteriza al dispositivo, en
este caso negativo por ser de canal n .
Zona de saturacin
VDS ? VGS VGS(OFF)
v cs = 2V
VGS = OV
vGS = -2V
v GS = -4V
8 Zona de corte
0 4 12
VGS - VGS(OFF)
VAS (ul
Figura 7 .10 : Caracterstica de salida de un Mosfet de empobrecimiento de canal n
con IDSS=l0mA y VGs(oFF)=-4V .
16

E
12
= l OmA
Zona de saturacin
VDS ~ V GS 'GS(OFF)
-6 -3 0 3 6
VGS MV)
Figura 7 .11 : Caracterstica de transferencia de un Mosfet de empobrecimiento de
canal n con voltaje umbral Vos(orr)= 4V y Ioss=IOmA .
En la tabla de la figura 7.12 se encuentran, a modo de resumen,

los signos de los voltajes y de las corrientes y la condicin de saturacin
para cada uno de los dispositivos estudiados .
Tipo de
VGS VGS(TH) VGS(OFF) VDS iD Saturacin
dispositivo
>0 >0 >0 >0 VDS>VGS - VGS(TH)

Enrique-
cimiento
p <0 <0 <0 <0 VDS<VGS-VGS(TH)
>0 o <0
n con v GS
1D T <0 >0 >0 VDS>VGS - VGS(OFF)
Empobre- ms positivo
cimiento <0 o >0
P iD T con vGs >0 <0 <0 VDS<VGS - VGS(OFF)
ms negativo
Figura 7.12 : Signos de los voltajes y corrientes y condicin de saturacin para cada
uno de los transistores mosfet .
7 .3 Modelo de pequea seal de un transistor mosfet para

baja frecuencia .
Al igual que hicimos con los transistores bipolares, vamos a dar
un modelo de pequea seal del transistor mosfet que nos facilite el
estudio de los amplificadores construidos con este tipo de dispositivos y
que implemente las ecuaciones de partida en la zona que nos interesa para
construir amplificadores, aquella en que la corriente de drenador viene
exclusivamente controlada por el voltaje aplicado a la compuerta, o lo
que es lo mismo, la zona en que el dispositivo se comporta como una
fuente dependiente, es decir, la zona de saturacin .
Aunque tratemos con un tipo diferente de dispositivo todos los

conceptos de gran y pequea seal, polarizacin, as como los de recta de
carga estudiados en el captulo anterior son igualmente aplicables en este
caso .
Vimos en la seccin anterior como la puerta de un transistor

Mosfet est aislada del resto del dispositivo mediante una capa de xido .
Esto har que los transistores mos tengan una impedancia de entrada muy
grande, lo que les aventaja con respecto a los transistores bipolares . A
altas frecuencias esto no es del todo cierto, ya que aparecen capacidades
parsitas que harn que la impedancia del dispositivo baje a valores
considerables .
La etapa de salida la modelaremos con un equivalente Norton,

dado que el dispositivo se comporta como una fuente dependiente de
corriente controlada por voltaje en la zona de saturacin . Para el clculo
de la resistencia de salida habra que tener presente una relacin entre la
corriente de drenador y el voltaje drenador fuente en la zona de
saturacin, hasta ahora supuestos independientes .

15 Pe die

~(7
-VA =
-6 v = V,,,,, = -4V
-1 4 9 14
Vos (V)
Figura 7 .13 : Efecto de la modulacin del canal sobre las curvas D -VDS .
De hecho, se puede demostrar que, en la regin de saturacin la

corriente de drenador viene dada por la ecuacin 7.6 donde, al igual que
ocurra con los transistores bipolares, VA coincide con el punto del diagrama
D-vDS donde la prolongacin de las curvas de la zona de saturacin, para los
distintos valores del voltaje de compuerta, cortaran al eje de abscisas, como
puede observarse en la figura 7.13, aunque este efecto aparece aqu un tanto
exagerado . Para los mosfet se define el parmetro 11--1/VA denominado
factor de modulacin de la longitud del canal .
9 v
(7 .6)
iD =K(VGS -VGS(TH))2(1+
VA S
)
iD = K(vGS -Vcs(TH)) 2 (1 + 2,v DS ) (7 .7)
Este efecto es debido a que cuando se aumenta el voltaje VDS por

encima del voltaje de saturacin VDSAT, la cada de voltaje a travs del
canal permanece constante e igual a VDSAT, pero tambin ocurre que la
longitud del canal disminuye, provocando un aumento del campo
elctrico a travs del mismo a medida que aumenta el voltaje v DS , lo que
obviamente produce una mayor corriente de drenador .
De esta forma teniendo en cuenta las consideraciones hechas
sobre los modelos de pequea y gran seal vistas en el captulo anterior,
la resistencia de salida ro del transistor viene dada por la ecuacin 7.8. El
valor de esta resistencia coincide con el inverso de la pendiente de la
curva D-v DS en el punto de trabajo y su valor suele ser tan alto que el
dispositivo se comporta como una buena fuente de corriente .
\-1
i id al
v-1 = D ' = 1
ro = (7 .8)
\ Vds , aVDS IQ ~J D
r
4
t

Del mismo modo, la caracterstica de transferencia vendra dada

por la transconductancia g,, que representa la dependencia entre la
corriente de drenador y el voltaje puerta fuente, como se obtiene en la
ecuacin 7.9 . Dicha transconductancia representa la pendiente de la curva
D-VAS en el punto de trabajo .
id _' ai D
G _ = 2 . jKI D (7 .9)
aVGS
Vgs ,Q
De las consideraciones anteriores se deduce que el modelo de

pequea seal del transistor mosfet, una vez polarizado en la regin de
saturacin, es el que aparece en la figura 7.14 .
Figura 7 .14 : Modelo de pequea seal de un transistor Mosfet

En las ltimas secciones de este captulo, estudiaremos el modelo
de pequea seal del mosfet para alta frecuencia, que incluir las
capacidades parsitas responsables de la respuesta para altas frecuencias
de los amplificadores construidos con este tipo de dispositivos .
7.4 Amplificadores Mosfet
En la seccin anterior no hemos distinguido entre los distintos

tipos de transistores mos debido a que, una vez polarizados en la zona de
saturacin, todos se comportan de igual manera a la hora de la
amplificacin . Lo que si es diferente a la hora de utilizar este tipo de
dispositivos en la construccin de amplificadores son los esquemas de
polarizacin, ya que como vimos con anterioridad, los de enriquecimiento
necesitan un determinado voltaje puerta fuente para su funcionamiento
mientras que los de empobrecimiento pueden funcionar incluso con un
voltaje puerta fuente nulo . Adems, dependiendo de la naturaleza del
canal, tambin son distintos los signos de dichos voltajes y las
condiciones que debe cumplir el voltaje drenador fuente para que el
transistor se encuentre en la regin de saturacin .
En adelante, nos centraremos en la construccin de
amplificadores con transistores mosfet de enriquecimiento de canal n,

pero es sencillo extrapolar las conclusiones que vamos a deducir al caso

de amplificadores construidos con otros dispositivos .
Figura 7 .15 : Amplificador mosfet en fuente comn.
7.4 .1 El amplificador en fuente comn

En la figura 7.15 podemos observar un amplificador construido
con un dispositivo de enriquecimiento de canal n en el que el voltaje de
compuerta debe tener un determinado valor positivo y suficiente para que
el canal n se forme . Este voltaje positivo se consigue de las lneas de
alimentacin mediante un divisor de tensin . A este montaje se le conoce
como amplificador en fuente comn, por ser dicho terminal comn a la
entrada y a la salida para pequea seal .
7 .4 .1 .1 Anlisis de gran seal
La alta resistencia de entrada de los transistores mos hace que, en
este caso, sea ms fiable suponer que las resistencia RI y R2 del circuito
de la figura 7.15 forman un divisor de tensin que cuando el dispositivo
utilizado es un transistor bipolar . Teniendo sto en cuenta y suponiendo
que el dispositivo se encuentra en la regin de saturacin, el punto de
trabajo del transistor podra obtenerse de las siguientes ecuaciones :
R,
VGS = VDD (7 .10)
R +R2
) (7 .11)
= K(Vcs -Vcs(Tx) (7)
VDD = ID RL +VDS (7 .12)
Una vez obtenido el punto de trabajo, para que las ecuaciones

utilizadas hayan sido validas, se debe corroborar la suposicin de que el
dispositivo se encuentra polarizado en la regin de saturacin . Adems,
para que el amplificador funcione correctamente, el punto de trabajo debe

estar centrado en dicha regin, teniendo en cuenta los lmites que marcan
la regin hmica, la de mxima corriente de drenador, el voltaje de
alimentacin y las limitaciones de potencia del dispositivo .
Tambin habra que tener en cuenta que el punto elegido debe
satisfacer algunas condiciones impuestas como excursin de las seales
de entrada y salida, consumo de potencia en reposo, etc .
7 .4.1 .2 Anlisis de pequea seal
El estudio de pequea seal del amplificador de la figura 7.15 se
lleva a cabo a partir del circuito de la figura 7.16, construido utilizando el
modelo de pequea seal del transistor y teniendo en cuenta que todos
aquellos nodos en los que existan seales continuas se consideran a tierra
para seal.
Puede demostrarse fcilmente que la ganancia de voltaje de
pequea seal para el amplificador de la figura 7.16 viene dada por la
ecuacin 7.13 . Dicha ganancia es negativa lo que convierte al
amplificador en un amplificador inversor, cuya ganancia viene dada por
el producto de la transconductacia del FET y de la resistencia de
drenador .
Av =- = - gm (a II RD) - - g,,,RD (7 .13)

vi
Figura 7 .16 : Modelo de pequea seal del amplificador en fuente comn de la

figura 7 .15 .
En cuanto a las resistencias de entrada y salida es obvio que son
iguales a la combinacin en paralelo de las resistencias R 1 y R 2 y de las
resistencias ro y RD respectivamente .
7 .4 .1 .3 Problemas con la dispersin de los dispositivos
Al igual que ocurra en el captulo anterior, el amplificador
estudiado presenta el problema de que el punto de polarizacin depende
ampliamente de los parmetros del dispositivo, ecuacin 7.11, en este
caso, del valor de la constante K, que varia mucho de unos dispositivos a
otros . Por otro lado, como la transconductancia depende a su vez del
punto de polarizacin, como se muestra en la ecuacin 7 .9, la ganancia de

voltaje del amplificador depende del valor de la constante K del
dispositivo utilizado . La solucin a este problema consiste en introducir
una resistencia entre el drenador y tierra que juega un papel de
realimentacin como podemos observar en la figura 7 .17 .
De un modo grfico, el esquema de polarizacin presentado en
las secciones anteriores, se denomina polarizacin fija ya que el valor de
VAS permanece constante . Una vez fijado de forma conveniente el valor
de VAS la corriente de drenador se calcula, si el dispositivo se encuentra
en la regin de saturacin (suposicin que siempre hay que validar),
mediante la ecuacin 7.11 .
Figura 7 .17 : Amplificador en fuente comn realimentado .

De esta forma, el valor de la corriente de drenador, fijado el valor
de VAS, queda a merced del valor de la constante K. Un valor u otro de
dicha constante nos situara en una de las dos curvas de la grfica de la
figura 7.18, lo que dara lugar a que la corriente de drenador estuviera
mal definida pudiendo tomar los valores IDA e IDB
V Ocsa
Figura 7 .18 : Variacin de la corriente de drenador con la constante del dispositivo
con y sin realimentacin .

Necesitamos un mtodo que minimice en la medida de lo posible

la distancia entre los puntos IDA e IDB o dicho de otro modo, necesitamos
que la corriente de drenador dependa lo menos posible de la constante K.
El incluir la resistencia Rs entre el drenador y tierra, suponiendo
que el dispositivo se polariza en la regin de saturacin, conlleva a que se
satisfaga la ecuacin 7.14, que junto con le ecuacin 7.11 dan lugar a la
expresin 7.15.
VGG = VGS + I D R s (7 .14)
I D 2 R S 2 - ID + 2RS (VGG -VGS(TH)) +VGG - VGS(TH) ) 2 = 0

(7 .15)
1
De tal forma que si se escoge un valor de Rs que satisfaga la

desigualdad 7.16, la ecuacin 7.15 se transforma en la 7.17, que tiene
como solucin para la corriente de drenador la expresin 7.18.
(7 .16)
RS(VGG - VGS(TH))
K <
(7 .17)
ID2Rs2 -2IDRs(VGG - VGS(TH))+(VGG -VGS(TH))2 =0
VGG -VGS(TH)
ID = R
(7 .18)
s
En resumen, para grandes valores de la resistencia de
realimentacin R s , la corriente ID se hace independiente del parmetro K
del transistor . Esta resistencia slo tiene esta utilidad en el caso d los
amplificadores con mosfet de enriquecimiento . En los mosfet de
empobrecimiento se suele utilizar para aquellas ocasiones en las que se
quiera conseguir un voltaje VGS negativo a partir de una nica fuente de
alimentacin positiva .
Volviendo al mtodo grfico, el voltaje VGS ahora no es fijo ya
que se debe cumplir la ecuacin 7.19, obtenida de despejar la corriente de
drenador de la ecuacin 7.14, lo que hace que el punto de polarizacin se
mueva, para distintos valores de la constante K a travs de la lnea recta
de pendiente -1/R s de la figura 7.18 . En este caso, el intervalo de
indecisin de la corriente de drenador I'DA, I'DB es ms pequeo, estando
por tanto mejor definida .
VGS + VGG
ID (7 .19)
RS RS
Por otro lado, al introducir la resistencia R s el punto de

polarizacin baja hacia la zona de valores de corrientes de drenador y
voltajes de compuerta ms bajos . Esto podra sacar al transistor de la zona
de saturacin o de la zona de funcionamiento requerida por el diseador,
lo que se podra corregir tomando un voltaje VG G ms alto, eligiendo para
ello de forma adecuada las resistencias R I y R2 .
El papel de la resistencia RS , ya se ha estudiado en temas
anteriores, y no es ms que el de una realimentacin de voltaje
proporcional a la corriente de salida . Si por alguna razn (cambio de
temperatura, ...) la corriente de drenador aumenta, el voltaje VGs
disminuye, produciendo un cambio de corriente en sentido contrario . Por
otro lado, esta realimentacin traer consigo una disminucin de la
ganancia del amplificador .
Como ya sabemos, la solucin para que la resistencia este
presente para la polarizacin y no este presente para la seal de alterna, es
decir, no modifique la ganancia del dispositivo, consiste en desacoplarla
mediante el uso de un condensador en paralelo con la resistencia R s .
Figura 7 .19 : Amplificador en fuente comn realimentado con parte de la resistencia

de realimentacin desacoplada para alterna .
Este condensador, adems de ocupar espacio, producir una
frecuencia de corte a bajas frecuencias, lo que traer consigo el dilema
ganancia-ancho de banda . En la mayora de las ocasiones, para cumplir
los requisitos impuestos, al diseador no le interesa suprimir para la seal
de alterna toda la resistencia R s . En este caso, lo que se hace es dividir
dicha resistencia en dos resistencias en serie Rs1 y Rs2 y desacoplar
nicamente una de ellas, como podemos observar en la figura 7.19 . De
esta forma, podemos distinguir una resistencia de fuente para el modelo
de pequea seal Rsca =R sl y una resistencia de fuente para continua
Rscd=Rs1+Rs2 .

7.4.2 Estudio del amplificador en fuente comn realimentado .

El estudio de gran seal de este amplificador se llevara a cabo
utilizando las ecuaciones estudiadas en la seccin 7.4.1 .3 por lo que en
este punto solo tendramos que deducir las expresiones para la ganancia
de voltaje, resistencia de entrada y resistencia de salida de pequea seal .
7 .4 .2 .1 Estudio de pequea seal
Para el estudio del amplificador realimentado de la figura 7.17 es
necesario construir el modelo de pequea seal el cual se puede observar
en la figura 7.20 .
Puede demostrarse fcilmente que la ganancia de voltaje de
pequea seal para el amplificador realimentado de la figura 7.20,
tomando la resistencia de salida del transistor ro infinita, viene dada por la
siguiente expresin:
vo g,,, (RD II RL )v gs _ (RD II RL )

g m
A =
A, (7 .20)
v; (1 + g,,,R s )v gs 1 + g,R s
Figura 7 .20 : Modelo de pequea seal del amplificador de la figura 7 .18 .

La resistencia de entrada del amplificador, si seguimos
suponiendo que la compuerta est aislada del resto del dispositivo, no se
ve modificada por la realimentacin y sigue siendo la combinacin
paralela de RI y R2.
En cuanto a la resistencia de salida, se puede comprobar que si
hacemos el voltaje de entrada v i =0 y sustituimos la resistencia de carga RL
por una fuente de tensin v0 que suministra una corriente io, la resistencia
de salida del amplificador viene dada por la expresin 7.22 que se deduce
de las ecuaciones 7.21, donde id representa a la corriente que pasa por la
resistencia de drenador RD.

1 - V gs = v s = (io -i d )Rs
v o = R D id (7 .21)
V o = (lo - id - g m V gs )ro + VS
R o -- v - RD (7 .22)
1 1+R +

s
RD
gmRs ro + ro
La ganancia en corriente del amplificador objeto de estudio se

puede poner en funcin de la ganancia de voltaje de la siguiente manera :
A = R Rl 11 R2 g,,, (Rl 11 R 2 ) RD
=Lo A R L = 4 RL =-

1+gi1Rs RL+RD
(7 .23)
7.4 .3 Amplificadores Mosfet en drenador comn

El montaje de un amplificador en drenador comn puede
observarse en la figura 7.21 aunque, para que nuestro diseo satisfaga las
condiciones que se impongan, a veces, es necesario desacoplar mediante
un condensador una fraccin de la resistencia R s . El anlisis de gran seal
es prcticamente igual al del amplificador estudiado en la seccin 7.4 .1 .3,
por lo que pasaremos directamente a estudiar las caractersticas de
pequea seal .
Figura 7 .21 : Amplificador MOSFET en drenador comn .

7 .4 .3 .1 Estudio de pequea seal
Para el estudio de la ganancia de voltaje, corriente y resistencia
de entrada y salida se construye el modelo de pequea seal, el cual,
puede observarse en la figura 7.22 .

t Vg_r -
+ +
V R2 / gm vgs RD RL
V
- D -
Figura 7 .22 : Modelo de pequea seal del amplificador de la figura 7 .21 .

Puede demostrarse fcilmente como la ganancia de voltaje de
pequea seal para el amplificador de la figura 7.21, tomando la
resistencia de salida del amplificador infinita, viene dada por la siguiente
expresin :
v = 1 (7 .24)

vi 1 + 1
g (R5 I I RL )
Ntese como la ganancia de voltaje de un amplificador de estas

caractersticas es menor que la unidad. En cambio, si conseguimos hacer
que el denominador de la expresin 7.24 se aproxime a la unidad, la
ganancia de voltaje tambin se aproximar a esta cantidad . En este caso,
v o =vi, o lo que es lo mismo, el voltaje de fuente sigue al voltaje de
compuerta para pequea seal. Por ello, a estos circuitos se les llaman
seguidores de fuente. Adems, como presentan muy altas resistencias de
entrada y relativamente bajas resistencias de salidas se suelen utilizar
como amplificadores separadores (buffers) de ganancia unidad .
La resistencia de entrada del amplificador sigue siendo la
combinacin paralela de R l y R2 . Por otro lado, es sencillo comprobar,
que si hacemos el voltaje de entrada v i =0 y sustituimos la resistencia de
carga por una fuente de tensin de valor v o por la que circula una
corriente io , la resistencia de salida viene dada por la siguiente expresin :
R vo R s II ro
R, = = = 1 (7 .25 )
io 1+g m (R s II ) gm
Esta resistencia de salida depende de la corriente de drenador y es

de unos cuantos cientos de ohms para corrientes de varios miliamperios .
La ganancia en corriente del amplificador objeto de estudio se
calcular a partir de la ganancia de voltaje obteniendo la siguiente
expresin :

Ri _ Rl II R2 = gm(Ri II R 2 ) Rs (7 .26)
RL RL 1 + g,n (Rs 11 RL ) R L + Rs
7.5 Respuesta en frecuencias del amplificador en fuente

comun
Al igual que hicimos en el captulo anterior, para el estudio de la

respuesta en frecuencias de un amplificador mosfet distinguiremos entre
bajas y altas frecuencias, ya que la respuesta a bajas frecuencias viene
caracterizada por los condensadores externos utilizados para el
acoplamiento y paso de las seales y a altas por las capacidades parsitas
del transistor .
Figura 7 .23 : Modelo de pequea seal del amplificador en fuente comn con
condensadores de desacoplo de la resistencia de fuente y de acoplo de la carga .
7.5 .1 Bajas frecuencias

Para el estudio aproximado de la respuesta a bajas frecuencias del
amplificador de la figura 7.19, no consideraremos los efectos del
condensador C que acopla la entrada del amplificador . Esto, es debido a
que la resistencia de entrada del transistor es muy grande, lo que produce
una constante de tiempo de la combinacin RC muy alta en comparacin
con la que producen el condensador de acoplo de la salida C, y el que
desacopla parte de la resistencia de fuente C2. Adems, si suponemos
tambin que la resistencia de salida del transistor ro es infinita, el modelo
de pequea seal del amplificador considerado puede observarse en la
figura 7.23.
Es sencillo demostrar que la ganancia de voltaje en funcin de la
frecuencia viene dada por la expresin 7.27 en la que generalmente
wR3>WR2>WRI . Dicha respuesta en frecuencias viene caracterizada por la
presencia de un cero a frecuencia wR2 y de dos polos a frecuencias wR3 y
WRI lo que produce un diagrama de Bode para el mdulo de la ganancia
de voltaje como el de la figura 7.24. En dicho diagrama, A,, se obtiene

como el lmite de la ganancia de voltaje cuando la frecuencia tiene a

infinito, como muestra la ecuacin 7.28, y A ve coincide con A' .
= g m (R D I R L )
A'
1+g,n R s
WRI =
WR2 con C1 1 D +R L)
A =-A (7 .27)
WR2 -
C2Rs2
1+g n,R s
WR3
C2RS2 (1+ g .Rs1)
A,(dB)
A
AV 2
7
WRI wu logw
Figura 7 .24: Tpica respuesta asinttica a bajas frecuencias del amplificador de la
figura 7.19.
A , = lim A = A ' WR3 = gm (RII R L ) (7 .28)

w- WR2 1 +gmRS1
De la ecuacin 7.28, aplicndola a los casos particulares Rs1 =0 y

R s2=Rs (amplificador en fuente comn sin realimentar para pequea seal)
y Rs1=Rs y R s2=0 (amplificador en fuente comn realimentado con
resistencia de fuente sin desacoplar para pequea seal) se deducen las
ecuaciones 7.13 y 7.20 para la ganancia de voltaje de pequea seal
obtenidas en las secciones anteriores .
7 .5 .2 Altas frecuencias
La respuesta a altas frecuencias del amplificador de la figura 7.19
viene condicionada por las capacidades parsitas que aparecen en el
transistor.
El modelo de pequea seal del transistor mosfet para altas
frecuencias se obtiene aadiendo tres condensadores al modelo
desarrollado en las secciones anteriores C gs , Cgd y Cds . Supondremos
adems, para facilitar los clculos, que la resistencia de fuente se
encuentra totalmente desacoplada para pequea seal y consideraremos la
presencia de la resistencia de salida del generador R que jugar un papel

decisivo en el valor de la frecuencia de corte a altas . De esta forma, el

modelo de pequea seal para altas frecuencias del amplificador de la
figura 7.19 viene representado por el circuito de la figura 7.25.
G Cgd D
t +
gmvg RL
R Cgs Cds %
Figura 7 .25 : Amplificador Mosfet en fuente comn con capacidades parsitas .

Aplicando el teorema de Miller al condensador Cgd del circuito de
la figura 7.25 obtenemos el circuito de la figura 7.26, ms sencillo de
analizar y en el que las capacidades Ci y C o vienen dadas por las
expresiones 7.29 .
Ci =C gs +C g d(l+g m (RD IIR L ))
1 (7 .29)
Co =Cds+Cgd(l+
g m (R D IIRL ) )
G D
a
gm vga Co RL
R C s
S
T
Figura 7 .26 : Modelo de pequea seal de la figura 7.25 simplificado mediante el
teorema de Miller .
Debido a que, generalmente, el condensador de la entrada C i es
mayor que el de la salida C 0 , lo consideraremos el responsable de la
presencia del polo dominante a altas frecuencias . De esta forma, la
frecuencia de corte a altas viene dada por la siguiente expresin :
WR = 1 (rad l s) (7 .30)
( RI IRz II R; )C
Cuando la resistencia de fuente no est totalmente desacoplada, el

valor de Ci debe calcularse teniendo en cuenta la ganancia de voltaje A
del amplificador a frecuencias medias (donde los condensadores de
acoplo y desacoplo se consideran cortocircuito) y teniendo en cuenta la
resistencia de fuente R i . Por otro lado, cuando la resistencia Ri se

aproxima a cero, el polo dominante se desplaza del circuito de entrada al

de salida y la frecuencia de corte a altas es :
WR 1 (rad l s) (7 .31)
= (ro II R D II RL )(C gd + Cds)
En cualquier caso, cualquier capacitancia de carga existente se

debe aadir a Cgd y Cgs, reduciendo la respuesta en frecuencia del
amplificador .
7.6 Las hojas de caractersticas
En esta seccin estudiaremos algunos de los parmetros ms

importantes que definen la operacin de un transistor mosfet, basndonos
en las hojas de caractersticas del transistor mosfet de enriquecimiento de
canal n BSI70, que se muestran al final de este captulo .
Los primeros parmetros que aparecen, al igual que en las hojas
de caractersticas de los transistores bipolares, son las especificaciones
mximas, para los voltajes de ruptura en inversa, corrientes de drenador y
potencia disipada por el dispositivo .
VDSS, VDGR, Vcss : Representan los voltajes de ruptura en inversa
del drenador con respecto a la fuente, del drenador con respecto a la
puerta y de la puerta con respecto a la fuente y son de 60V, 60V y 20V
respectivamente.
ID : Representa el valor mximo de la corriente de drenador y su
valor mximo cuando se trata de corriente continua es de 500mA para el
dispositivo estudiado .
P D : Representa el lmite mximo para la potencia disipada por el
transistor a una temperatura de 25 y es de 830mW . Otro factor
importante es el factor de ajuste, en este caso, de 6 .6mW/C, que nos
indica que la limitacin mxima de potencia debe reducirse de 830mW,
6.6mW por cada grado de temperatura por encima de los 25C .
VGs(TH) :Como cabe esperar, representa el valor de la tensin

umbral o de pinch-off del dispositivo y tiene un valor tpico de 2 .1 V .
RDS(ON) : Representa la resistencia del mosfet en la zona hmica
medida para un voltaje puerta fuente V AS=10V y una corriente de
drenador ID = 200mA y tiene un valor tpico de 1 .251
gFs :Representa la transconductancia del transistor cuando se
utiliza como fuente de corriente controlada por el voltaje de compuerta y
tiene un valor tpico de 320mS .

7 .7 Hojas de caractersticas del transistor mosfet BS170.
FA IR C H I LC April 1995
SEMICONDUCTOR m,
BS170 / MMBF170
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description Features

These N-Channel enhancement moda field effect High density cell design for low R w 1,
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high
Voltage controlled small signal switch .
cell density, DMOS technology . These producs have been
designad lo minimiza on-state resistance while provida Rugged and reliable.
rgged, reliable, and fast switching performance . They can
High saturation cument capability .
be usad in most applications requiring up lo 500mA DC .
These producto are particulady suited for low voltage, low
current applications such as small servo motor control,
power MOSFET gata drivers, and other switching
applications .
D
3
G
S TO-92 (97) G
SOT-23
Absoluta MaximumRatlngs T,-25Cudessotherwaenoted

Symbol Parameter BS170 I MMBF170 Unlts
V oy Drain-Source Voltage 60 V
VocR Drain-GateVOllage(R_51MS2) 60 V
V_ Orate-Source Voltage t 20 V
Ip DrainCurrent-Continuous 500 500 mA
-Pulsad 1200 800
Pp Maximum Power Dissipation 830 300 mW
DerateAbove25t 6 .6 2.4 mW/'C
TT_ Operairg and Storaga Temperatura Range -55 to 150 t
TL MaximuntLoad TenperatlreforSdderirg 300 `C
Puposes, 1/16' from Case for 10 Seconds
R_ I Thermal Resstacne, Juncton-to-Ambient I 150 I 417 I 90/W
05, 70 RW 0I MMBF170 R ... D

Electrical Characterlstlcs(r,-25Conksxothermesrnted)
Symbol 1 Parernetar Condltfons I Typa I Mln Typ Max Untts

1
OFF CHARACTERISTICS
BV- DrairrSource Brsakdown Vdlage V_=0 V, l0 = 10017A NI 00 V
Zerc Gafe Vcltage Dran Current Vos = 25 V, V-= 0 V NI 0 5 pA

I-
I F, .. Gala -BodyLe~ .Forward vas =15 V, .0V
vos NI 10 nA
ON CHARACTERISTICS ye. y
Gafe Threslwld Vollage V_= Ves, lo -1 mA NI 0 s 3 V
Pba_, SlaticDrairrSarceOr-Resistance Vs =10V,1 0 =200mA NI 12 5 S
3 FmwardTranscondudanoe V_=10V,1 0 =200mA BS170 320 mS
Vm 22V,l0 =200mA MMBF170 320
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C,= Irpul Capadtance V-= 10 V, V = 0 V, NI 24 40 PF
t -1 .0 MHz Ap 17 30 pF
C, = Oulpuo Capadlance
ReverseTransrerCapadtanoe AO 7 10 pF
SWrrCHING CHARACTERISTICS Moro n
Tu-n-OnTime V1r,=25 V, 1, =200 mA, BS170 10 ns

V as = 10 V, R. =25 C
V_=25 V, lo =500 mA, MMBF170 10

VOS =10 V, Rea =50 C
Turn-0H Time V_=25 V. lo =200mA

. BS170 10 ns
V05 =10 V, Rea = 25 .Q
V00 =25 V, 10 =500 nA, MMBF170 10

V_=10V,R.a =500
nce
i . v0~0 ram r- w0ms a00, . 0.11 qha s 2 o z.
8.1 70 0 . r, 7 MUBF, 70 nw o

Typical Electrical Characteristics

BS170 / MMBF170
z 3
VGS-10V 9,0 VGS =4 .OV
8.0 4 .5
a
7 .0
60
P/ 7 .0
a .0
j
90
05
2 3 5 0 00 72
VOS , DRAIN .SOURCE VOLTAGE (V)
10 DRAIN CURRENT (A)
Figure 1 . On-Region Characteristics. Figure 2 . On-Resistance Variation with Gato Voltage

and Drain Current .
I I
V 55 0V
v os =lov
-10=500mA
Tj = 1251
,'
25 -C
55C
'.
05
50 25 0 zs so 75 ,00 125 ,so
JUNOTION TEMPERATURE (c) 1, ORAINCURRENT(A)
Figure 3 . On-Resistance Variation Figure 4. On-Resistance Variation with Drain

with Temperatura . Current and Temperatura.
`\
.-.
Vos = 1 -
1 0 -1 A
w 1 .2
,.
5 5e
.
s+
RENMENME
-\
o a s e ,0 25 50 75 100 125 150
V DS . DATE 7O SOURCE VOLTAOE (V) i JUNCTIONTEMPERATURE(O)
Figure 5. Transter Characteristics . Figure 6. Gato Threshold Variation with

Temperatura.
es, 7s Rey . c r MMRP, 7o R~. n

Typica 1 Electrical Characteriatica(ccnlinuedj

BB1ml MM9Fl7a
.?
w,wra~www
rar~.
Figur T. Breakdarn Yah~eVarmlic n Figura. BodyDhdeFonaardVahageVaialionnrilh

.h T. . pe d . . . Cu rmnl and Tem pe ralu re.
r~~!//II11r-~a~eir
s
MuumMw
F~ure9.Capaci naCharacledrlica . Fgu re 1 a. Gafe C harge C ha mcler'1 ia .
F~ure 11 .bYachingTe1Circ i1 . Figure 12.8Wilching lyeveFaana .
aar7aw C Y YZi~aa D
68170 Rw. C/ MMBF,7o Rav o

TRANSISTORES MOSFET
Ejercicio 7.1 :
Encuentra para el circuito de la figura el valor de la corriente de
drenador ID que marca la frontera entre la operacin en la regin triodo y
la de corriente constante si el dispositivo utilizado tiene parmetros
K=0.2 mA/V2 y Vcs(TH)=2V .
= 5KS2
V<,
VGG
T
Ejercicio 7.2 :
Encuentra para el circuito del ejercicio anterior el valor de VGG
que polarice a Vo a dos terceras partes de la distancia desde el punto de
corte del Mosfet hasta la entrada del Mosfet a la regin triodo . Calcula el
valor mximo del voltaje v gs que producir un voltaje de salida dentro de
la zona entre la regin triodo y la de corte y la ganancia de voltaje del
circuito .
Ejercicio 7.3 :
Repite el ejercicio 7 .2 polarizando a Vo en el punto medio entre el
punto de corte y la regin triodo. Compara los resultados con los
obtenidos en el ejercicio anterior y encuentra el punto Q que permita la
mxima excursin de las seales de alterna .
Ejercicio 7.4:
Encuentra los valores de polarizacin de ID y VDS en el circuito de
la figura si RD=1KQ, R2 = 6MS2, R 1 =4MS2, Vcs(TH)=2V, k=1mA/V2 y
VDD=10V .
Se sabe que el transistor tiene un lmite superior en la corriente de

drenador de lOmA y se desea disear un amplificador con ganancia de
voltaje A v=-3 polarizando al transistor en la zona intermedia de la regin
de funcionamiento . Es posible con el diseo anterior? . Encuentra un
! diseo apropiado para la resolucin del problema .
Ejercicio 7.5 :
a Un mosfet decremental con parmetros k=0 .5mA/V2 y VGS(OFF)=-

4 1 .6V est conectado al circuito de la figura con RD=5.6K y VDD =15V .
Determina los valores resultantes de ID y VDS .
Ejercicio 7.6:
Un mosfet decremental con parmetros Vcs(OFF)=-2V e IDSS=4mA
est conectado en el circuito del ejercicio anterior con RD=1K y
VDD = 16V .
a) Encuentra los valores de polarizacin de ID y VDS .
b) Demuestra que el punto de polarizacin ID=lmA, VDS=14V no
se puede conseguir sin modificar la configuracin de este circuito .
c) Disea la red de polarizacin para conseguir el punto de
polarizacin del apartado b.

Ejercicio 7.7:
Un mosfet de canal n con Vcs(TH)=2V y k=0.5mA/V 2 est
conectado en la configuracin de polarizacin por retroalimentacin de la
figura . Con VDD =12V, R2=1M52, R 1=2MS2, R D=1KS2 y R s=5K52 .
Encuentra el valor exacto de ID y su valor aproximado. Repite el clculo
si K se modifica a 1mA/V2. Compara los resultados obtenidos . Como
hubiese cambiado la corriente de drenador si la polarizacin del
dispositivo se hubiera hecho sin la resistencia Rs.
Ejercicio 7.8 :
Disea un amplificador mosfet de fuente comn con una
ganancia de tensin A=-4, R;=100K52, RL=20K52, IDSS=6 .67mA,
Vcs(oFF)=-3 .33V y VDD=20V .
Ejercicio 7.9 :
Analiza el amplificador de la figura y determina A, A ;, y R;.
Toma IDSS=2mA y Vcs(OFF)=-2V .
VDD = 20V
+ = 10052
R
Vi
Rs2 _L 2 67KO
30052Ti
Ejercicio 7.10:
A partir del circuito de la figura disea un amplificador en
drenador comn que cumpla: R,=12KS2, A ;=10, RL=50052, VDD =20V .
Toma el punto Q en VDSQ =IOV, VGsQ =-3V, IDQ=7mA y g,=2 .3mS .
DD
Ejercicio 7.11 :
Disea, a partir de un mosfet de canal n, un amplificador en
a fuente comn que cumpla Av=-2, VDD=18V, RL=2KS2 y R;=100KS2 .
Determina el valor de todas las resistencias y condensadores para que el
punto de 31313 est a 20 Hz . El punto Q para el amplificador debe cumplir
IDQ=2mA, VDSQ=-1V, V DSQ =9V con g,n=2 x 103S .
1
8 Algunas simulacines con Winspice3
Esta seccin muestra una serie de ejemplos de simulacin de

circuitos con el programa de libre distribucin winspice3, que han
dado pie a muchas de las grficas que se han mostrado a lo largo del
libro .
8.1 Analisis de una simple red RC
Para la simulacin del circuito al que hace referencia el ejemplo

1 .8 basta con editar el fichero de texto de la figura 1 y asignarle la
extensin ".cir" . La ejecucin del mencionado circuito con el programa
winspice3 .exe ofrece las grficas de la figura 1 .22 (en concreto la
correspondiente a una frecuencia de 50khz) que muestran, en una misma
grfica, los voltajes de entrada y salida del circuito en voltios y la
corriente que circula por el mismo en miliamperios, y las grficas de la
figura 1 .27 que hacen referencia a la respuesta en frecuencia de una red
RC .
8.2 Seguidor de Voltaje con distorsin a la salida por slew-

rate
Para la obtencin de las grficas de la figura 2.14 se ha simulado

un seguidor de voltaje con un amplificador opercional LM741
realimentado, y se le ha sometido a una seal de entrada de elevada
amplitud y frecuencia para que se sobrepase el Slew-Rate del propio
amplificador operacional y por tanto el voltaje de salida no sea capaz de

294 Algunas simulaciones bajo winspice3
seguir al de entrada . El fichero para la simulacin del circuito descrito

anteriormente aparece en la figura 2 .
8.3 Oscilador en Puente de Wien
Como ejemplo de oscilador en puente de Wien, en la figura 3 se

puede observar el fichero para la simulacin del circuito de la figura 3.25
derecha, en el que el potencimetro se ha simulado por medio de las
resistencias Rla y Rlb conectadas en serie . La simulacin de dicho circuito
ofrece la grfica de la figura 3 .27.
Analisis de una simple red RC
*Fuentes independientes de tension

vin 1 0 AC 1 sin(0 2 50khz 0 0)
*Resistencias
Rl 1 2 4K
R2 2 3 1k
*Condensadores
Cl 3 0 10n
.END
*Analisis
.control
ac DEC 10 100 0 .09MEG
tran los 40us 0 0 .01us
plot tranl .v(1) tranl .v(3) tranl .v(2)-tranl .v(3)
plot db(acl .v(3)/acl .v(1))
set units=degrees
plot ph(acl .v(3)/acl .v(1))
.ende
Figura 1 : Fichero de texto para la simulacin bajo winspice3 de una simple red RC .
8.4 Multivibrador astable
El circuito de la figura 4 permite la simulacin del multivibrador

astable al que se hace referencia en el ejercicio 3 .15 y su ejecucin
permite observar la onda cuadrada que produce el circuito como
consecuencia de sus dos estados cuasiestables .

Algunas simulaciones bajo winspice3 295
Amplificador seguidor con slew yate
*Fuentes de tension
VCC 4 0 15V
VSS 5 0 -15V
Vin 1 0 AC lm sin(-2m 0 .5 500khz 0 0)
*Subcircuito : Operacional LM741C seguidor de tension

Xoper 1 2 2 4 5 7 8 9 LM741C
.END
*Analisis
.control
tran 0 .01us 5us 0 0 .01us
plot v(1) v(2) title "SLEW RATE"
.endc
.SUBCKT LM741C 10 20 30 40 50 1 2 3
* OPAMP : +IN- OUT +SUP- VI,V2,V3
*
MODEL DP D(IS=1 .0E-14, N=1 .921)
.MODEL DN D(IS=1 .032E-14,N=1 .921)
.MODEL DV D(IS=1 .0E-14, N= .1)
.MODEL DI D(IS=5 .0E-11, N= .2)
*
VP 10 11 OV
VN 20 21 OV
DP 11 1 DP
DN 21 1 DN
FA 20 0 VN .197X
I1 1 0 145 2NA
Cl 1 0 .0307PF IC=- .783V
*
FP 4 0 VP 146 .7X
FN 0 4 VN 136 .6X
GC 0 4 1 0 6 .5N
RT 4 0 1
CT 4 0 80NF
G2 0 2 4 0 1X
R2 2 0 100K
CC 2 3 30PF
GO 3 0 2 0 96 .7X
RDO 3 0 45
DH 3 5 DV
DL 6 3 DV
VH 40 5 .65V
VL 6 50 2 .OV
*
D1 3 7 DI
D2 8 3 DI
Vi 7 9 \ .6V
V2 9 8 .6V
EX 9 0 30 0 lx
RAO 3 30 30
.ENDS LM741C
Figura 2: Fichero de texto para la simulacin de un seguidor de voltaje que presenta

distorsin por slew-rate .

Oscilador en Puente de Wien

*Fuentes de tension
VCC 7 0 DC +15V
vSS 8 0 DO -15V
*Resistencias
Rla 6 0 18K
R1b 6 5 32K
R2 5 4 10K
R3 2 0 1OK
R4 3 4 10K
*Condensadores
C3 2 0 16nF IC=O
C4 2 3 16nF IC=O
*Diodos
D1 4 5 D1N4148
D2 5 4 D1N4148
*Modelos
.MODEL D1N4148 D RS= .8 IS=2 .4P N=1 .77 BV=75 IBV= .001
CJO=1 .5P
+ VJ= .75 M= .5 TT=5 .8N
*Subcircuito : Amplificador operacional

Xoper 2 6 4 7 8 10 11 12 LM741C
.END
*Analisis
.control
tran 10us 30ms lOms 10us
plot v(5)
.ende
.SUBCKT LM741C 10 20 30 40 50 1 2 3
* OPAMP : +IN- OUT +SUP- V1, V2, V3
.MODEL DP D(IS=1 .0E-14, N=1 .921)
.MODEL DN D(IS=1 .032E-14,N=1 .921)
.MODEL DV D(IS=1 .0E-14, N= .1)
.MODEL DI D(IS=5 .0E-11, N= .2)
VP 10 11 0V
VN 20 21 0v
DP 11 1 DP
nN 21 1 DN
FA 20 0 VN .197X
I1 1 0 145 . 2NA
Cl 1 0 .0307 PF IC=- .783V
FP 4 0 VP 146 .7X
FN 0 4 VN 136 .6x
GC 0 4 1 0 6 .5N
RT 4 0 1
CT 4 0 80NF
G2 0 2 4 0 1X
R2 2 0 100K
CC 2 3 30PF
GO 3 0 2 0 96 . 7X
RDO 3 0 45
DH 3 5 DV
DL 6 3 DV
VH 40 5 .65V
VL 6 0 2 .OV
D1 3 7 DI
D2 8 3 DI
Vi 7 9 .6V
V2 9 8 .6V
EX 9 0 30 0 1X
RAO 3 30 30
.ENDS LM741C
Figura 3: Fichero para la simulacin de un oscilador en puente de Wien .

Multivibrador astable
*Fuentes de tension
VCC 4 0 l0V
VSS 5 0 -10V
*Resistencias
Rl 1 0 100K
R2 1 3 1MEG
Rt 3 2 1MEG
*Condensadores
Ct 2 0 0 .01uF
XUnic 1 2 3 4 5 7 8 9 LM741C
.END
*Analisis
.control
tran lms 30ms lms
r plot tranl .v(3)
.endc
.SUBCKT LM741C 10 20 30 40 50 1 2 3
* OPAMP : +IN- OUT +SUP- V1,V2,V3
.MODEL DP D(IS=1 .0E-14, N=1 .921)
.MODEL DN D(IS=1 .032E-14,N=1 .921)
.MODEL DV D(IS=1 .0E-14, N= .1)
.MODEL DI D(IS=5 .0E-11, N= .2)
VP 10 11 0V
VN 20 21 OV
DP 11 1 DP
DN 21 1 DN
FA 20 0 VN .197X
I1 1 0 145 .2NA
C1 1 0 .0307PF IC=- .783V
*
FP 4 0 VP 146 .7X
FN 0 4 VN 136 .6X
GC 0 4 1 0 6 .5N
RT 4 0 1
CT 4 0 80NF
G2 0 2 4 0 1X
R2 2 0 100K
CC 2 3 30PF
*
GO 3 0 2 0 96 .7X
RDO 3 0 45
DH 3 5 DV
DL 6 3 DV
VH 40 5 .65V
VL 6 50 2 .OV
*
D1 3 7 DI
D2 8 3 DI
Vl 7 9 .6V
V2 9 8 .6V
EX 9 0 30 0 1X
RAO 3 30 30
.ENDS LM741C
Figura 4: Fichero para la simulacin de un multivibrador astable .

8.5 Filtro pasa baja de Butterworth
El circuito que se muestra en la figura 5 corresponde al filtro pasa

baja de Butterworth solucin del ejemplo 4 .3 . En la figura 6 podemos
observar como el mdulo de la funcin de transferencia de voltaje de
dicho filtro cumple las especificaciones que se especificaron para el
diseo de dicho filtro .
Filtro pasa baja de Butterworth de tres polos
*Fuentes de tension
VCC 4 0 15V
VSS 5 0 -15V
Vin 10 0 AC 1m
*Resistencias
R1 10 3 1K
R2 3 6 1K
R3 6 1 1K
*Condensadores
Cl 6 2 0 .56u
C2 3 0 0 .22u
C3 1 0 0 .03u

XUnic 1 2 2 4 5 7 8 9 LM741C
.END
*Analisis
.control
ac DEC 10 500 10K
plot db(v(2)/v(10))
.endc
Figura 5 : Fichero para la simulacin del filtro de Butterworth .

i 10 100
m
9
d

o
d
9
-20
Y~ .
C
W
C
OI
W
R -40
d
L
O
7
-60 -
Frecuencia (hz)
Figura 6 : Respuesta del filtro de Butterworth pasa baja del ejemplo 4 .1 .

8.6 Circuito demodulador
El circuito que se muestra en la figura 7 corresponde al

demodulador al que se hace referencia en la seccin 5.7.3 y su simulacin
da lugar a las grficas de las figuras 5.24 y 5 .26. En dicho circuito se
puede observar que la seal portadora se obtiene utilizando la ecuacin
5.46 mediante la fuente dependiente de voltaje Bl .
Circuito demodulador
*Fuentes independientes
v 1 1 0 sin(0 1 0 .5Khz 0 0)
Rl 1 0 1K
v2 2 0 sin(0 1 10hz 0 0)
R2 2 0 1K
*Fuentes dependientes
B1 3 0 V=2*(0 .5*v(2)+l)*v(1)
*Diodos
dl 3 4 D1N4001
*Resistencias
R3 4 0 4k
R4 5 0 10k
*Condensadores
C3 4 0 luF
C4 4 5 lOuF
*Modelos
.MODEL D1N4001 D( IS=1 .02E-08 RS=0 .054 N=1 .9017 TT=4 .39E-
06
+ CJO=3 .00E-11 VJ=0 .81000 M=0 .50000 )
.END
*Analisis
4
.control
tran 1ms 960ms 790ms 0 .lms
plot tranl .v(2) tranl .v(3)
.ende
Figura 7 : Fichero para la simulacin de un demodulador o detector de envolvente .
8.7 Regulador Zener
Para la simulacin de un regulador Zener como el de la figura

5 .29 basta con editar el fichero de texto que aparece en la figura 8. La
1 ejecucin de dicho circuito ofrece la grfica de la figura 5 .30 .
k
Regulador zener
vin 1 0 PWL(O 15 2ms 14 4ms 14 6ms 16 l0ms 16 14ms 14 16ms 18 l0ms 18)
*Resistencias
R 1 2 330
RL 202K
*Diodos
dz 0 2 D1N963B
*Modelos
.MODEL D1N963B D( IS=4 .25E-12 RS=11 .500 N=1 .1622 TT=1 .12E-07
+ CJO=3 .83E-10 VJ=0 .75000 M=0 .50000 BV=12.00 IBV=1 .04E-02 )
*
.END
.control
tran lm 20m Om lm
plot v(1) v(2)
.endc
Figura 8 : Fichero para la simulacin de un regulador Zener .
8.8 Modulador de AM
El fichero de la figura 9 simula el modulador de AM de la figura

6.32 y su ejecucin da lugar a las grficas de la figura 6.33 .
8.9 Amplificador bipolar
En esta seccin se pretende estudiar algunas de las caractersticas

del amplificador de transresistencia (baja impedancia de entrada y baja
impedancia de salida del orden de 10052) de la figura 10 mediante la
simulacin bajo winspice3 .
El fichero de texto para la simulacin del circuito de la figura 10
se puede observar en la figura 11 . Como aspecto a destacar podemos
observar entre los nodos 7y 1 una fuente independiente de tensin de
voltaje OV, la cual nos perinitira conocer la intensidad de corriente que
circula por dicha rama del amplificador, ya que winspice3 slo permite
conocer la intensidad de corriente que circula por una determinada fuente
de tensin . Tambin hay que tener en cuenta las dos definiciones de la
fuente de corriente alterna definida entre los nodos 0 y 7, la primera de
ellas en la que nicamente se especifica el valor pico de la seal y que se
utiliza para los posteriores anlisis del tipo AC y la segunda en la que se
define la forma exacta de la seal con valor de frecuencia incluido y que
se utiliza para los posteriores analisis del tipo TRAN.

Modulador AM
VCC 2 0 30
v1 10 0 sin(0 lv 1k 0 0)
v2 11 0 sin(0 lv 2k 0 0)
v3 12 0 sin(0 lv 3k 0 0)
vport 6 0 sin(0 10m 500k 0 0)
*Fuentes dependientes
bmod 5 0 v=v(10)+v(11)+v(12)
*Resistencias
R1 2 1 20K
R2 1 0 10K
Rc 2 3 10K
Re 4 5 10k
Rl 7 0 1 .5K
*Condensadores
Ce 4 0 0 .luF
Cin 6 1 O .OluF
Cout 3 7 0 .00luF
*Transistores
Ql 3 1 4 M302
.END
*Modelos
.MODEL M302 NPN(BF=203,IS=2 .395E-15,RB=4,RC=8 .3,RE= .22,
+VA=160,IK= .743,NE=1 .337,TF=1 .5E-
l0,CJE=19 .94P,PE= .722,ME= .4,
+CJC=11 .96P,PC= .824,MC= .5,EG=1 .11)
CJCO 2 3 1 .88E-12
CJEO 2 1 2 .4E-12
.control
tran 0 .0001ms 0 .5ms Oms 0 .0001ms
plot v(5) v(7)*-1 v(5)/-20+0 .4
.endc
Figura 9 : Fichero de texto para la simulacin de un modulador de AM bajo

winspice3 .
0 .05mA
100hz
Figura 10 : Amplificador bipolar objeto de estudio
Como podemos observar el primer anlisis que se realiza en

el circuito es del tipo OP y nos permite conocer el punto de trabajo o
de reposo del transistor bipolar . Los resultados del mencionado
anlisis son guardados en el fichero de texto datos .doc cuyo aspecto
es el de la figura 12 .
t
Posterioremente se realizan tres anlisis del tipo AC para
distintos valores de la resistencia de realimentacin Rf que permiten
obtener los diagramas de bode de las figuras 13 y 14 del mdulo y la
fase de transresistencia del amplificador en funcin de los valores de
dichas resistencias . En la figura 15 tambin se puede observar la
representacin del mdulo de la resistencia de entrada del
amplificador en funcin de la frecuencia .
Por ltimo, se realizan anlisis transistorios de los que se

obtienen, por un lado la figura 16 que muestra la VTC del
amplificador y por otro la figura 17 en la que se puede observar el
voltaje de salida para dos valores distintos del valor pico de la
corriente de entrada 0 .05mA y O .lmA . Puede observarse como en el
segundo de los casos se supera la mxima excursin de la seal de
entrada y la seal de salida aparece saturada .

Amplificador bipolar
*Fuentes de tension y corriente

VCC 5 0 5V
is 0 7 ac 0 .1m de 0 sin(0 0 .05m 100hz 0 0)
vl 7 1 ac 0 de 0
*Resistencias
RS 7 0 100K
RB 2 0 100K
RL 4 0 10K
RC 5 3 2 .7K
RF 3 2 15K
*Condensadores
Ci 1 2 47uF
Co 3 4 lOOuF
*Transistores
Ql 3 2 0 T2N2222A
*Modelos
.MODEL T2N2222A NPN BF=200 BR=1 RB=6 .735 RC= .667 RE= .00667
+ CJC=11 .56P PC= .75 MC= .33 TR= .1762U IS=1 .649E-14
+ CJE=19 .37P PE= .75 ME-5 TF= .2654N NE=1 .14 IK= .2
.END
.control
destroy all
echo PUNTO DE OPERACION DEL CIRCUITO :> datos .doc
op
print opl .all datos .doc
echo FUNCION DE TRANSFERENCIA PARA DISTINTOS VALORES
echo DE LA RESISTENCIA DE REALIMENTACION :
foreach resistencia 5K 15K 30K
alter RF=$resistencia
ac DEC 5 0 .01 99MEG
end
plot db(ac) v(4)/i(vinl)) db(ac2 .v(4)/i(vinl))
db(ac3 .v(4)/i(vinl)) title "Modulo de la funcion de
transferencia"
set units = degrees
plot v(4)/i(vinl)*-1)-180
ph(ac0 ph(ac2 .v(4)/i(vinl)*-1)-180
ph(ac3 .v(4)/i(vinl)*-1)-180 title "Fase de la funcion de
transferencia" ylimit -90 -360 ydelta 90
alter RF=15K
echo RESISTENCIA DE ENTRADA
plot mag(ac2 .v(1)/ac2 .i(vinl)) title "Resistencia de entrada del
amplificador" xlimit 100 99MEG ylimit 0 200
echo ANALISIS TRANSITORIO
TRAN 0 .8ms 20ms Oms 0 .8ms
alter @ien[VA]=0 .lm
TRAN 0 .8ms 20ms Oms 0 .8ms
plot tran3 .v(4) tran4 .v(4)
echo VTC DEL SISTEMA
alter @ien[VA]=0 .25m
TRAN 0 .lms 100ms Oms 0 .lms
plot v(4) vs i(vinl)
.endc
Figura 11 : Fichero de texto para la simulacin del amplificador de la figura 1 0 .

PUNTO DE OPERACION DEL CIRCUITO :

v(1) = 0 .000000e+00
v(2) = 6 .532024e-01
v(3) = 8 .658207e-01
v(4) = 0 .000000e+00
v(5) = 5 .000000e+00
v(7) = 0 .000000e+00
ql#base = 6 .531509e-01
ql#collector = 8 .648089e-01
ql#emitter = 1 .016939e-05
vl#branch = 0 .000000e+00
vcc#branch = -1 .53118e-03
Figura 12 : Resultado del analsis del punto de reposo del circuito .

100
40
1,00E-02 1,00E+00 1,00E+02 1,00E+04 1,00E+06 1,00E+08
Frecuencia (hz)
1- Rf=5K - - Rf=15K - Rf=30K
Figura 13 : Modulo de la transresistencia del amplificador para distintos valores de

la resistencia de realimentacin .
Frecuencia (hz)
1,00E-02 1,00E+00 1,00E+02 1,00E+04 1,00E+06 1,00E+08
-90
-270
- Rf=5K - - Rf=15K - Rf=30K
Figura 14 : Fase de la transresistencia del amplificador para distintos valores de la

resistencia de realimentacin .

200
tu
a
m
de 160
v
ra
,120
d o
E
40
0
1,00E+02 1,00E+04 1,00E+06 1,00E+08
Frecuencia (hz)
I-Rf-15K I
Figura 15 : Modulo de la resistencia de entrada vista desde el nodo 1 .
m 2
v
no
e
v
e
O 0
7
-2
-2,5E-04 -1,5E-04 -5,0E-05 5,0E-05 1,5E-04 2,5E-04
Corriente de entrada (A)
I-Rf-15KI
Figura 16 : VTC del amplificador .
2-
-2
0,0E+00 1,0E-02 2,0E-02
Tiempo (s)
-Corriente de entrada 0.05mA - Corriente de entrada 0 .1 mA . Ambas para Rf=15K I
Figura 17 : Voltaje de salida para distintos valores de la corriente de entrada .
Bibliografa bsica :
Ctedra de Electrnica II y III E .T .S .I . de Telecomunicacin Madrid .

Circuitos Electrnicos . Analgicos I . Servicio de publicaciones ETSI de
Telecomunicacin de Madrid .
Ctedra de Electrnica II y III E .T .S .I . de Telecomunicacin Madrid .
Circuitos Electrnicos . Analgicos II . Servicio de publicaciones ETSI
de Telecomunicacin de Madrid .
Mark N . Horenstein . Microelectronic Circuits and Devices . Prentice
Hall . 1996
Albert Paul Malvino . Principios de Electrnica . McGraw-Hill . 1994 .
Jacob Millman y Arvin Grabel . Microelectrnica . Hispano Europea .
199 L,_
Neil Storey . Electrnica de los sistemas a los componentes . Addison-
Wesley Iberoamericana . 1995 .
C.J . Savant, Martin S . Roden y Gordon L . Carpenter . Diseo
Electrnico, Circuitos y Sistemas . Addison-Wesley Iberoamericana .
1992
Adel S . Sedra y Kenneth C . Smith . Microelectronic Circuits . Oxford
University Press, 1998 .

UNIVERSIDAD DE EXTREMADURA

Electrónica Analógica para Ingenierias Técnicas - Miguel Macías

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MIGUEL MACIAS MACIAS

mnnnm UNIVERSIDADE DE VIGO BIBLIOTECA

Electrnica analgica para ingenieras tcnicas / Miguel Macas Macas . -

Edita: Universidad de Extremadura. Servicio de Publicaciones . Cceres, 2001

El libro que aqu se presenta constituye una herramienta para el

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Figura 1 .13 : Combinacin de resistencias en paralelo

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