Fundamentos1 PDF

se
ial
FUNDAMENTOS DE MATERIALES
er
at
Ing. Luis Marcelo L
opez L
opez
M
Universidad Politecnica Salesiana, sede Cuenca
Ingeniera Mecanica Automotriz
de
Grupo de Investigaci on en Materiales -- GIMA
o
up
Gr
Andescon 2012
GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 1 / 68

Introduccion
se
En el desarrollo profesional se debe tomar desiciones importantes y funda-
ial
mentales en la eleccion de materiales que se deben incorporar a un dise
no
y/o utilizar en un determinado elemento mecanico de manera que puedan ser
er
procesados y transformados con la finalidad de cumplir ciertas propiedades
at
requeridas para un determinado uso.
M
Se debe considerar:
La compatibilidad con los demas elementos de ensamble
de
Economico
o
Facil de reciclar
up
Comprender su comportamiento ante los efectos del medio donde

Gr
cumpla su funcion
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Introduccion
se
ial
En este contexto se pretende que el estudiante conozca [1]:
er
at
Los materiales disponibles en nuestro sector industrial y fuera del mismo.
M
Comprender el comportamiento y potencial que presentan cada uno de
ellos. de
Entender los efectos del entorno donde funcionan para tener un concepto
claro del espectro de los materiales.
o
up
Gr
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Tetaedro de la ciencia de materiales
se
ial
Ciencia de materiales Tetaedro
er
la ingeniera de materiales se
at
fundamenta en la relacion en-
M
tre propiedades - estructura -
procesamiento - desempe no, y
dise
de
na o proyecta la estructura
de un material para conseguir
o
un conjunto predeterminado de
up
propiedades.
Gr
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Tetaedro de la ciencia de materiales
se
ial
Desempeo/costo
er
at
M
Composicin
de
o
up
Sintesis y procesamiento
Gr
Micro-estructura
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Clasificacion de los materiales
De acuerdo a su estructura y propiedades:
se
Los materiales se clasifican en cinco grandes grupos presentados en la
ial
tabla 1 y 2:
er
MATERIAL PROPIEDADES
at
- Metales Alta conductividad electrica
cobre, hierro, plomo Moldeable, maquinable
M
bronce, aluminio, etc Se aplica tratamientos termicos
- Cer
amicos
Opticamente u
til, aislante termico,
SiO2 , NaO2
de punto de fuson elevado, convierten so-
nido en electricidad
o
- Polmeros
up
Termoestables
Electricamente aislante y resistente a
Termoplasticos
la humedad, facil conformado
Gr
Elast
omeros
Cuadro 1 : Clasificaci
on de materiales seg
un su estructura y propiedades. [1],[2]
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se
ial
MATERIAL PROPIEDADES
er
- Semiconductores
Silicio Comportamiento electrico u nico
at
GaAs Convierte se
nales electricas en luz
M
- Compuestos Relaci
on resistencia - peso
Matrices polimericas Relaci
on dureza - impacto
Matrices metalicas Relaci
on de costos
Matrices ceramicas
de Comportamiento con la corrosion
o
Cuadro 2 : Clasificaci
on de materiales seg
un su estructura y propiedades. [1],[2]
up
Gr
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s
De acuerdo a su funcionalidad
e
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
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De acuerdo a su micro-estructura
se
ial
1 Amorfos: La disposici
on de los atomos no tienen orden de largo alcance.
er
at
2 Cristalinos: Tienen una estructura cristalina definida o una combinacion
M
como los policristalinos, semicristalinos.
de
o
up
Gr
Micro-estructura Andescon 2012

Estructura atomica
se
ial
er
Se estudia la estructura atomica de la materia, los enlaces entre atomos
at
y las moleculas para determinar las caractersticas y propiedades de un
material. Ademas de comprender que al cambiar la estructura se puede
M
obtener otros parametros fsicos particulares que reponden a una necesidad
o uso determinado y ayuda a entender porque responden bien a ciertos tipos
de
de procesos de manufactura y mal o nada a otros.
o
up
Gr
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Estructura atomica
se
ial
Estructura at
omica
er
Unidad estructural fundamental
at
Atomo
de la materia
El nucleo del atomo esta com-
M
puesto con carga positiva y neu- Protones y neutrones
tra
Al nucleo esta rodeado por un
n
de
umero suficientes de cargas
negativas
Electrones
El n
umero de electrones y protones son iguales e identifican el n
umero at
omico
o
up
Gr
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Estructura atomica
e s
Estructura del
ial

atomo Estructura seg
un Bohr
er
Estructura atmica
at
M
Nucleo
de Neutrn
o
up
Electrn Protn
Gr
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Estructura electronica del atomo
se
Los electrones ocupan diferentes niveles de energa dentro del atomo, cada
ial
electron posee una energa partcular, no existen dos electrones con la misma
energa.
er
at
N
umeros cu
anticos
M
El nivel de energa que corresponde cada electr
on esta determinado por los
tres primeros n de
umeros cuanticos:
o
1 N
umero cuantico principal
up
2 N
umero cuantico acimutal y magnetico
Gr
3 N
umero cuantico de espn
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se
ial
1 N
umero cu antico principal n= 1,2,3,4,5,.. que correspoden las letras
K,L,M,N,... respectivamente.
er
2 Numero cu antico acimutal asignado l = 0,1,2,3, n-1 ; si n = 2
at
entonces existen dos acimutales l=0 y l=1 donde: s para l=0 ; d para
M
l=2 ; p para l=3 ; f para l=4. El numero cu antico magnetico mi da
el n
umero de niveles de energa u orbitales para cada n
umero cuantico
acimutal. de
3 Numero cu antico de espn m se asignan los valores de + 12 y 21 para
o
representar los distintos giros que seg
un el principio de Pauli no puede
up
haber mas de dos electrones con giros propios opuestos en cada orbital.
Gr
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e s
ial
Al n
umero cuantico principal n se asignan los valores enteros 1,2,3,4,5,.....
que se refieren a cada capa cuantica, tambien se les asigana una letra K, L,
er
M, ..... respectivamente.
at
Niveles de energa
n=3
M
n=2
n=1
de K L M
o
up
Ing. Luis Lpez

Gr
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e s
ial
er
at
M
de 1 2 3 4 5 6
o
up
Gr
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se
N
umeros cu
anticos
ial
Sodio
er
at
M
de
o
up
Gr
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se
ial
er
at
M
de
o
up
Para los once electrones del sodio se tiene:

1s2 2s 2 2p6 3s1
Gr
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Enlaces atomicos
se
ial
Existen cuatro enlaces importantes mediante los atomos se enlazan o unen
er
formando solidos. En tres de los cuatro mecanismos, el enlace se consigue
at
cuando los atomos llenan sus niveles externos s y p.
M
Enlace metalico
Enlace covalente de
Enlace ionico
o
Enlaces de Van der Waals
up
Gr
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Enlaces atomicos
se
ial
El enlace met
alico
tomos electrones
er
Los elementos metalicos tie-
at
nen electronegatividad baja lo
que ceden sus electrones pa-
M
ra formar un mar de electro-
nes que se asocian con varios
de
nucleos atomicos cargados po-
sitivamente por lo que se man-
o
tienen unidos mediante una
up
atraccion mutua a los electro-

Gr
nes.
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Enlaces atomicos
se
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
La carga positiva de los n

ucleos at
omicos se unen por la mutua atracci
on a
la carga negativa de los electrones.
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Enlaces atomicos
es
El enlace covalente
ial
El enlace covalente entre dos tomo de hidrogeno
er
atomos se origina cuando es- tomo de carbono
at
tos comparten electrones que
completan su capa de valencia.
M
Aunque los enlaces son muy
de
fuertes los materiales enlaza-
dos de esta manera por lo ge-
neral tienen pobre ductibilidad
o
up
y mala conductividad electrica

y termica, para que se mueva
Gr
el electr
on debe romperse el
enlace.
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Enlaces atomicos
e s
ial
er
Enlaces covalentes
at
M
Comparten los electrones
de Los enlaces covalentes
y llenan sus orbitales sp son direccionales
o
up
El silicio con valencia cuatro debe formar

Gr
cuatro enlaces covalentes
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Enlaces atomicos
s
Jjkk
e
ial
Molecula del agua
er
O
at
H H
M
de
o
up
Gr
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Enlaces atomicos
se
El enlace i
onico
ial
La atraccion electrostatica en-
er
tre atomos de diferente carga
at
electrica genera un tipo de en-
M
lace conocido como enlace ioni-
co. Es necesario que para que
de
pueda darse dicho enlace uno
de los atomos pueda ceder elec-
o
trones y por el contrario el otro
up
pueda ganar electrones, es de-

cir, se produce la union entre
Gr
atomos que pasan a ser catio-

nes y aniones.
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Enlaces atomicos
se
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
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Enlaces atomicos
se
ial
Enlaces de Van der Waals Unin de la molculas de Agua
er
Unen moleculas o grupos de
at
atomos mediante una atrac-
cion electrostatica debil. Mu-
M
Van der Waals
chos plasticos, ceramicos, agua
y otras moleculas estan polari-
de
zadas de manera permanente,
algunas porciones positivamen-
o
te y otras negativamente que
up
hace que se atraigan mutua-

Gr
mente.
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Jjkk
Enlaces atomicos
se
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
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Enlaces atomicos
se
ial
er
Enlaces mixtos
at
En la mayor parte de los materiales, el enlace entre atomos es la mezcla
M
de dos o mas tipos. Por ejemplo, el hierro esta enlazado mediante una
combinacion de enlaces metalicos y covalentes, lo que impide que los atomos
de
se empaqueten tan eficientemente como pudieramos esperar.
o
up
Gr
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Enlaces atomicos
se
ial
er
Energa de enlace y espaciamiento interat
omico
at
Espaciamiento inter atomico. La distancia de equilibrio entre atomos se
M
debe a un equilibrio entre fuerzas de repulsion y de atracci
on. El espaciamiento
de equilibrio ocurre cuando la energa total del par de atomos llega a un
de
mnimo o cuando ya ninguna fuerza neta act ua, sea para atraer o repeler los
atomos.
o
up
Gr
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Enlaces atomicos
Energa de enlace y espaciamiento interat

omico
se
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
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Enlaces atomicos
se
ial
Propiedades que se relacionan con la energa de enlace y el espacia-
er
miento interat
omico
at
Modulo de elasticidad: Se relaciona directamente con la fuerza apli-
M
cada y la distancia interatomica, se puede observar en graficas de
fuerza-distancia y energa-distancia.
Coeficiente de expansi de on t
ermica: Determina cuanto se expandira o
se contraera un material al modificar la temperatura que esta relacionado
o
con la fuerza de los enlaces atomicos.
up
Gr
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Organizacion atomica
se
Si no se consideran las imperfecciones que aparecen en los materiales,
ial
entonces existen tres niveles de arreglo at
omico:
er
Sin orden. No tienen orden y llenan de manera aleatoria un espacio
at
como los gases. Ejm: arg
on.
M
Orden de corto alcance. Se extiende solo a los vecinos mas cercanos
de dicho atomo. Ejm: agua.
de
Orden de largo alcance. Los atomos muestran un orden mostrando
un patron repetitivo, regular en forma de rejilla o red. La red difiere
o
de un material a otro tanto en tama no como forma dependiendo del
up
tama no de los atomos y del tipo de enlace entre ellos. Ejm: metales,
ceramicos, polmeros.
Gr
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s
Arreglo at
omico
e
ial
er
at
M
Sin orden Corto alcance
de
o
up
Gr
Largo alcance Red cristalina
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se
Celdas unitarias
ial
La celda unitaria es la subdivision de la red cristalina que sigue conservando
er
las caractersticas generales de toda la red.
at
M
de
o
up
Gr
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Par
ametro de red
se
Los parametros de red describen el tama
no y la forma de la celda unitaria,
ial
incluyen las dimensiones de los costados de la celda unitaria y los angulos
entre sus costados.
er
at
M
de
o
up
Gr
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Redes de Bravais
se
Los catorce tipos de redes de bravais agrupados en siete sistemas cristalinos.
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
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se
ial
Redes c
ubicas
er
at
M
de
o
up
Gr
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s
Determine el n umero de puntos de red o atomos por celda en los sistemas
e
cristalinos c
ubicos:
ial
er
C
ubica simple
at
puntos de red
= (8 esquinas) 18 = 1 atomo
M
celda unitaria
de
o
up
Gr
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se
C
ubica centrada en el cuerpo BCC
o CC
ial
er
puntos de red
= (8 esquinas) 18 + 1(centro) = 2 atomos
at
celda unitaria
M
de
o
up
Gr
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se
C
ubica centrada en las caras FCC
o CCC
ial
er
puntos de red
celda unitaria = (8 esquinas) 18 + 6(caras) 12 = 4 atomos
at
M
de
o
up
Gr
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se
ial
er
Radio at
omico comparado con el par
ametro de red
at
M
Las direcciones en la celda unitaria a lo largo de las cuales los atomos
de
estan en contacto continuo son las direcciones compactas, se utilizan para
calcular la relacion entre el tama
no aparente del atomo y el tama
no de la
celda unitaria.
o
up
Gr
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Determine la relaci
on entre radio at
omico y el parametro de red en las
se
estructuras CS, CC, CCC cuando existe un atomo en cada punto de red.
ial
C
ubica simple
er
at
a0 = 2r
M
de
o
up
Gr
a = 2R
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se
ial
C
ubica centrada en el cuerpo
er
4r
a0 =
3
at
M
de
o
up
Gr
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C
ubica centrada en las caras
se
4r
ial
a0 =
2
er
at
M
de
o
up
Gr
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se
ial
N
umero de coordinaci
on
er
El n
umero de coordinacion es el n umero de atomos tocando un atomo en
at
particular, o el n
umero de vecinos mas proximos para ese atomo en particular.
M
Nmero de coordinacin
12 6
de 8
o
up
FCC
Gr
BCC
CS
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se
ial
Factor de empaquetamiento
er
El factor de empaque o fraccion de empaquetamiento atomico es la fraccion
at
de espacio ocupados por atomos, suponiendo que los atomos son esferas
M
duras.
de
La expresion general par el factor de empaquetamiento es:
o
up
(N
umero de
atomos/celda)(Volumen del a
tomo)
Factor de empaquetamiento = Volumen de la celda
Gr
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Caractersticas de cristales metalicos comunes
s
e
ial
Estructura a0 en funci
on
atomos N
umero de Factor de
er
de r por celda coordinaci
on empaquetamiento
at
CS a0 = 2r 1 6 0.52
M
4r
BCC a 0 =
3
2 8 0.68
4r
FCC a0 = 4 12 0.74
Hexagonal a0 = 2r
2 de 2 12 0.74
compacta c0 = 1.633 a0
o
up
Gr
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se
ial
Densidad
er
at
La densidad teorica de un metal se puede calcular utilizando las propiedades
de la estructura cristalina.
M
La expresion general es: de
o
(
atomos/celda)(masa at omica del a
tomo)
Densidad =
up
(volumen de la celda)(n
umero de avogadro)
Gr
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s
La estructura hexagonal compacta
e
ial
Una forma especial de la red hexagonal, se muestra en la figura. La celda
er
unitaria es el prisma sesgado, que se muestra por separado, tiene un punto
at
de red por celda en cada esquina y asociado a dos atomos cada punto.
M
de
o
up
Gr
Red hexagonal compacta

Celda unitaria Andescon 2012

se
ial
er
Transformaciones alotr
opicas o polim
orficas
at
M
Los materiales que pueden tener mas de una estructura cristalina se llaman
alotr
opicos o polim orficos. El termino alotropa por lo general se reserva
de
para este comportamiento a materiales puros, en tanto que el polimorfismo
es un termino mas general.
o
up
Gr
Andescon 2012

Trabajo en Clases
Ejercicio 1
se
El Mn- tiene una estructura c
ubica con a0 = 0.8931 nm y una densidad de
ial
7.47 g/cm3 . El Mn- tiene una estructura c
ubica distinta con a0 = 0.6326
er
3
nm y una densidad de 7.26 g/cm . El peso atomico del manganeso es de
54.938 g/mol y el radio at
omico es de 0.112 nm.
at
Determine el porcentaje de cambio en volumen que ocurrira si el Mn-
M
se transforma en Mn-.
Ejercicio 2
de
La densidad del torio, que tiene una estructura CCC y un atomo por punto
o
up
de red es de 11.72 g/cm3 . El peso atomico del torio es de 232 g/mol. Calcule:
Gr
el parametro de red
el radio atomico
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Puntos en la celda unitaria
s
Coordenadas de los puntos
e
ial
La distancia se mide en funcion del n umero de parametros de red que
er
habra que moverse en cada una de las coordenadas x, y y z para pasar desde
at
el origen hasta el punto en cuesti
on.
M
de
o
up
Gr
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Direcciones, ndices de Miller
se
Direcciones en la celda unitaria
ial
er
Ciertas direcciones son importantes especialmente en los metales donde
los atomos estan mas estrechos. Se utilizan los ndices de Miller con
at
una notacion abreviada para estas direcciones. A continuacion se indica el
M
procedimiento para determinar los ndices:
Se utiliza el sistema de coordenadas dextr
de ogiro.
Se resta las coordenadas del punto inicial de las del punto final de cada
o
eje.
up
Reducir las fracciones y los resultados presentarlos en enteros.

Encierre los n
umeros en corchetes [ ]. Si se obtiene un n
umero
Gr
negativo, representelo con una barra sobre el numero.

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Direcciones
se
Direcciones en la celda unitaria
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
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Direcciones
se
Direcciones en la celda
ial
Resoluci
on
unitaria
er
at
M
de
o
up
Gr
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Densidad lineal
es
La densidad lineal es el n umero de puntos de red por unidad de longitud a
ial
lo largo de una direccion.
er
Donde:
at
M
# de distancias de repetici
on
Densidad lineal = distancia de repetici
on
Ejemplo: de
En el cobre, existen dos distancias de repeticion a lo largo de la direccion
o
[110] en una celda unitaria, entonces:
up
2 distancias
de repetici
on 2
Densidad lineal = = = 3,91puntos de red/nm
Gr
2a0 0,51125
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Fraccion de empaquetamiento
s
La fracci on de empaquetamiento es la fracci
on verdaderamente cubierta
e
por los atomos en una direcci
on.
ial
Donde:
er
at
Fraccion de empaquetamiento = (densidad lineal)(#de atomos en la direcci
on)(radio at
omico)
M
Ejemplo:
de
En el cobre, existen dos distancias de repeticion a lo largo de la direccion
[110] en una celda unitaria CCC, entonces:
o

up
r = 2a0 /4 = 0,12781nm
F. empaquetamiento = (densidad lineal)(2)(r )
Gr
F. empaquetamiento = (3,91)(2)(0,1278)
F. empaquetamiento = 1,0
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Densidad lineal y fraccion de empaquetamiento
se
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
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Planos en la celda unitaria
se
ial
Algunos planos son muy significativos; en los metales las deformaciones se dan
por aquellos planos de atomos que estan empaquetados mas estrechamente.
er
Se utiliza los ndices de Miller para su notacion, con el siguiente procedi-
at
miento:
M
Identifique los puntos de intersecci
on con los ejes x,y,z. Si el plano
pasa por el origen, el sistema de coordenadas debera de moverse.
de
Tome los recprocos de estas intersecciones.
Elimine las fracciones pero no reduzca a los mnimos enteros.
o
Encierre los n
umeros resultantes entre parentesis ( ), los n
umeros
up
negativos se representan con una barra sobre los mismos.

Gr
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Planos en la celda unitaria
se
Ejemplo:
ial
Resoluci
on
er
Determine los planos
at
M
de
o
up
Gr
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Densidad Planar y fraccion de empaquetamiento
e s
ial
La densidad planar es el n umero de atomos por unidad de superficie cuyo
er
centro esta sobre el plano; la fracci
on de empaquetamiento es el area
at
sobre dicho plano cubierta por dichos atomos.
M

atomos por cara
Densidad planar =
de
area de la cara

area de los
atomos por cara
Fracci
on de empaquetamiento =
o

area de la cara
up
Gr
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Indices de miller para celdas unitarias hexagonales
El sistema coordenado utiliza cuatro ejes (a1 , a2 , a3 y c) en vez de tres, el eje
s
e
a3 es redundante. Los ndices encontrados en los tres ejes se les representa
ial
con las letras (hkl) donde los valores que representan a los cuatro ejes
er
(hkil) se representan de la siguiente manera:
at
Ejes coordenados
M
h = 13 (2h k)
k = 13 (2k h) de
o
i = 13 (h + k)
up
l = l0
Gr
Por razones de consistencia hay que asegurarse de que h + K = i

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Indices de miller para celdas unitarias hexagonales
Resoluci
on
es
ial
er
at
M
de
o
up
Gr
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Planos basales, comportamiento isotropico, anisotropico y
distancia interplanar
se
ial
Los planos basales son faciles de encontrar en la celda unitaria HC,
son planos que se pueden apilar y construir una celda.
er
Un material es anisotr opico si el valor de sus propiedades depende de
at
la direccion cristalografica a lo largo que se mide la propiedad.
M
Si los valores de las propiedades son identicos en todas las direcciones,
entonces el cristal es isotr
de opico.
La distancia entre dos planos de atomos paralelos adyacentes con los
mismos ndices de Miller se conoce como distancia interplanar dhkl .
o
La distancia interplanar en materiales c
ubicos esta dada por la
up
ecuacion general:
a
Gr
dhkl =
h + k2 + l2
2
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Sitios intersticiales
s
En cualquiera de las estructuras cristalinas que han sido descritas, existen
e
peque
nos huecos entre los atomos de la red en los cuales se pueden colocar
ial
atomos mas pequenos . Estos espacios se conocen como sitios intersticiales.
er
C
ubico con n
umero de coordinacion de ocho, ocurre en las estructuras
at
CS.
M
Octa
edrico con n
umero de coordinaci
on de seis.
Tetra
edricos con n
umero de coordinaci
on de cuatro.
de
o
up
Gr
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Trabajo en Clases
Ejercicio 1
se
Esboce los planos y direcciones siguientes dentro de una celda unitaria
ial
hexagonal: [2110]; [1121]; [1010]; (1210); (1122); (1230).
er
at
Ejercicio 2
Determine la distancia de repeticion, la densidad lineal, y la fraccion de
M
empaquetamiento del litio CC, que tiene un parametro dered de 0.35089
nm, en las direcciones [100], [110], y [111]. Cual de estas direcciones es
de
compacta?
o
up
Ejercicio 3
El UO2 tiene la estructura del cloruro de sodio, de la blenda de zinc o de la
Gr
fluorita? En funcion de la respuesta determine: (a) El parametro de red. (b)

La densidad. (c) el factor de empaquetamiento.
Andescon 2012

Referencias I
se
ial
er
Donald Askeland.
at
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PWS Publishing Company, 1998.
M
Mikell Groover.
de
Fundamentos de manufactura moderna.
McGraw-Hill, 2007.
o
up
Gr
Andescon 2012

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GIMA (UPS) Fundamentos de materiales 1 / 68

Comprender su comportamiento ante los efectos del medio donde

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Ing. Luis Lpez

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Para los once electrones del sodio se tiene:

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atraccion mutua a los electro-

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La carga positiva de los n

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y mala conductividad electrica

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El silicio con valencia cuatro debe formar

cuatro enlaces covalentes

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pueda ganar electrones, es de-

atomos que pasan a ser catio-

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hace que se atraigan mutua-

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Energa de enlace y espaciamiento interat

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Largo alcance Red cristalina

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