Imperfecciones Cristalinas

Defectos Puntuales
* De ubicacin en la red
* Vacancias (Defecto Frenkel y Schottky)
Defectos Lineales o dislocaciones
* Dislocacin de Borde
* Dislocacin de Tornillo
* Movimiento de las dislocaciones o deslizamiento
Defectos en los materiales y efecto en las propiedades
Defectos Planares
* Superficies externas
* Bordes de grano
* Bordes de macla
* Defectos de apilamiento
Defectos Volumtricos
Los tomos y sus electrones vibran alrededor de
sus posiciones originando que los cristales no
sean perfectos, encontrndose:

Defectos subatmicos, puntuales, lineales

(dislocaciones), planares y volumtricos

Todos los tipos de defectos son importantes por

que afectan las propiedades de los materiales
 Defectos puntuales
* De ubicacin en la red
Un tomo (in) diferente al tomo (in) que forma la red
del cristal puede ocupar una de las dos posiciones
siguientes dentro de la red :
Si sustituye un tomo de la red del solvente se dice
que es un tomo sustitucional.
Si el tomo ocupa un intersticio en la red del
solvente se dice que es un tomo intersticial.
When a divalent cation replaces a monovalent cation, a second monovalent
cation must also be removed, creating a vacancy.
Diffusion mechanisms in material: (a) vacancy or substitutional atom
diffusion and (b) interstitial diffusion
Los tomos de tamao menor a los tomos del solvente
tendrn mayor probabilidad de ocupar un espacio
intersticial.
Los tomos intersticiales ms importantes son:
El Carbono, Nitrgeno, Oxgeno con un radio menor a
0.8 A.
 Defecto Frenkel (vacancia-intersticial) y Schottky
La vibracin de los tomos en la red aumenta con el
incremento de la temperatura.
Si en una regin de la red sta vibracin es intensa,
el tomo o in se puede desplazar de su posicin y
forma una vacancia.
Point defects: (a) vacancy, (b) interstitial atom, (c) small substitutional atom,
(d) large substitutional atom, (e) Frenkel defect, (f) Schottky defect. All of
these defects disrupt the perfect arrangement of the surrounding atoms.
 Defectos de lnea
El tipo ms comn es una dislocacin, que puede
ser :
Dislocacin de borde

Compresin

Tensin

b : Vector de Burgers
Regions of compression (green) and tension (yellow) located
around an edge dislocation. (Adapted from W. G. Moffatt, G.W.
Pearsall, and J.Wulff, The Structure and Properties of Materials,
Vol. I, Structure, p. 85. Copyright 1964 by John Wiley & Sons,
New York. Reprinted by permission of John Wiley & Sons, Inc.)
Energa de la dislocacin
Movimiento de una dislocacin con
aplicacin de una fuerza

Mas oscuros (comprimidos)

Mas claros (tensionados)
Atomic rearrangements that accompany the motion of an edge
dislocation as it moves in response to an applied shear stress. (a) The
extra half-plane of atoms is labeled A. (b) The dislocation moves one
atomic distance to the right as A links up to the lower portion of plane B;
in the process, the upper portion of B becomes the extra half-plane. (c) A
step forms on the surface of the crystal as the extra half-plane exits.
(Adapted from A. G. Guy, Essentials of Materials Science, McGraw-Hill
Book Company, New York, 1976, p. 153.)
Figure 4.5 The perfect crystal in (a) is cut and an extra plane of atoms is
inserted (b). The bottom edge of the extra plane is an edge dislocation
(c). A Burgers vector b is required to close a loop of equal atom
spacings around the edge dislocation. (Adapted from J.D. Verhoeven,
Fundamentals of Physical Metallurgy, Wiley, 1975.)

18
Dislocacin de tornillo
Movimiento de las dislocaciones

Una alternativa de bajo

esfuerzo para deformar
plsticamente un cristal
involucra el movimiento de
una dislocacin a lo largo de
un plano de deslizamiento
Representation of the analogy between
caterpillar and dislocation motion.
The formation of a step on the surface of a crystal by the motion of(a) an edge
dislocation and (b) a screw dislocation. Note that for an edge, the dislocation line
moves in the direction of the applied shear stress for a screw, the dislocation line
motion is perpendicular to the stress direction. (Adapted from H.W. Hayden,W. G.
Moffatt, and .Wulff, The Structure and Properties of Materials,Vol. III, Mechanical
Behavior, p. 70. Copyright 1965 by John Wiley & Sons, New York. Reprinted by
permission of John Wiley & Sons, Inc.)
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

Figure 4.4 the perfect crystal (a) is cut and sheared one atom spacing, (b) and (c).
The line along which shearing occurs is a screw dislocation. A Burgers vector b is
required to close a loop of equal atom spacings around the screw dislocation.

25
Formacin de
dislocaciones por
corte
Figure 4.6 A mixed dislocation. The screw
dislocation at the front face of the crystal
gradually changes to an edge dislocation at the
side of the crystal. (Adapted from W.T. Read,
Dislocations in Crystals. McGraw-Hill, 1953.)

27
Figure 4.7 Schematic of slip line, slip plane, and slip (Burgers) vector for (a) an
edge dislocation and (b) for a screw dislocation. (Adapted from J.D.
Verhoeven, Fundamentals of Physical Metallurgy, Wiley, 1975.)

28
31
 Defectos en los materiales y efecto en las
propiedades
El proceso de deslizamiento es til para comprender el
comportamiento mecnico de los metales:
El deslizamiento explica porque la resistencia de los
metales es mucho mas baja que el valor calculado a
partir de la unin metlica. Debido al deslizamiento
slo una parte de las uniones metlicas necesitan
romperse, requiriendo solo fuerzas del orden de los
miles de PSI.
El deslizamiento proporciona ductilidad a los metales.
Si no se presentaran dislocaciones, el material sera
frgil y los metales no podran ser conformados en
forma tiles.
 Es posible controlar las propiedades del material,
interfiriendo el movimiento de las dislocaciones. Un
obstculo introducido en el cristal impide que se deslice
una dislocacin aumentando la resistencia del material.
 Defectos planares
Los defectos planares o de superficie son
los lmites que separan un material en
regiones diferentes pero con la misma
estructura cristalina.

Vista sencilla de la
superficie de un material
cristalino
Borde de grano
Interfase entre cristales que difieren en la orientacin
cristalogrfica o dimensiones de la celda cristalina.
El borde de grano es una zona
estrecha en donde los tomos
no se encuentran espaciados de
manera apropiada.
(a) Los tomos cerca a los lmites de los tres (3) granos no tienen
un espaciamiento equilibrado o arreglo atmico
(b) Granos y bordes de grano de una muestra de acero inoxidable.
(Courtesy Dr. A. Deardo.)
Reduciendo el tamao de grano se incrementa el
nmero de granos por unidad de volumen t por
tanto la cantidad de fronteras o bordes de grano.
Cualquier dislocacin encontrar un lmite de grano
al moverse un poco, incrementndose la resistencia
del metal al obstaculizar el movimiento de la
dislocacin.
La Norma ASTM clasifica los tamaos de grano en
grupos o ndices: N = 2 n-1
N=nmero de granos por pulgada
cuadrada (para un aumento de 100)
n = ndice del tamao de grano INDICE N ( medio) Dimetro real (mm)
1 1 0.2870
2 2 0.2030
3 4 0.1440
4 8 0.1010
5 16 0.0718
CLASIFICACIN DE LOS TAMAOS DE GRANO.
 Borde de macla
Es un plano que separa dos partes de
un grano que tiene una pequea
diferencia en la orientacin de sus
planos.
Formando una imagen especular en el
borde de macla.
Las maclas se forman cuando una
fuerzas cortante acta sobre el borde
de grano haciendo que los tomos
abandonen su posicin.

Defectos de Apilamiento
Ocurren generalmente en los cristales FCC y HCP
y representan un error en al secuencia de
apilamiento de los planos compactos
 Defectos volumtricos

Generalmente por su tamao son visibles:

Poros
Grietas
Inclusiones extraas
Otras fases

Normalmente se introducen en la etapa de

fabricacin
 Microscopio electrnico de Transmisin (TEM)

Esquema del microscopio electrnico y ptico

Microscopio metalrgico con el trazado del haz luminoso a travs del sistema ptico
 Estructura de solidificacin Detalle MEB de la
Latn 65/35, colado en coquilla. Microestructura del latn Microestructura anterior
65/35, colado en coquilla. del latn 65/35, dendrtica observada estructura anterior,
Estado de pulido Ataque con dicromato, campo tcnica de interfe-rometria mediante microscopa X1000.
claro, X100 de Nomarski, X100 electrnica de barrido, MEB,
X250

Bronce al aluminio 90/10, Microestructura del bronce Detalle X400 de la Micrografa anterior observada Detalle de los granos
laminado. 10 Al, campo claro. microestructura anterior mediante tcnica de Nomarski, aciculares, 90 Cu-10Al,
Estado de pulido, campo Ataque con dicromato, X400. X1500
claro, X100. X100.
Schematic representation of (a) a dislocation
loop, (b) edge dislocation and (c) screw dislocation.
Schematic arrangement of ions in two typical oxides. (a)
Zn>1O, with excess metal due to cation interstitials and
(b) Cu<2O, with excess non-metal due to cation vacancies.
Slip caused by the movement of an edge dislocation.
Slip caused by the movement of a screw dislocation
Process of slip by the expansion of a
dislocation loop in the slip plane.
Schematic describing the operation of an
SEM.
Schematic of the electron optics constituting
the SEM
Schemahc representation for the ray paths of
both unscattered and scattered
electrons beneath the sample.
Schematic of inner shell ionization and
subsequent deexcitation by the Auger
effect and by X-ray emission.