TIRISTORES

Introduccin.
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de dispositivos
semiconductores de potencia. Los tiristores se utili zan en forma extensa en
los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores
biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para
muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores
o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas
caractersticas y limitaciones.
Funcionamiento bsico

El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equi valente electrnico

de los interr up tores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar
plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener ni vel
intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas
de corriente. Este principio bsico puede observarse tambin en el diodo
Shock le y.
El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al
recibir un pulso momentneo de corriente en su termi nal de control,
denominado puerta (o en ingls, gate) cuando hay una tensin positiva entre
nodo y ctodo, es decir la tensin en el nodo es mayor que en el ctodo.
Solo puede ser apagado con la interrupcin de la fuente de alimentacin,
abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido i nverso
por el dispositivo.
Si se polariza inversamente, en el tiristor existir una dbil corriente inversa
de fuga hasta que se alcance el punto de tensin i nversa mxima,
provocndose la destruccin del elemento (por avalancha en la unin).
Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado acti vo, debe
generarse una corriente de enganche positi va en el nodo, y adems debe
haber una pequea corriente en la compuerta capaz de provocar una ruptura
por avalancha en la unin J2 para hacer que el dispositivo conduzca. Para
que el dispositivo siga en el estado activo se debe i nducir desde el nodo
una corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, si n la
cual el dispositivo dejara de conducir.
A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo.
Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la
transicin OFF -> ON, usando la corriente de puerta adecuada (la tensin
entre nodo y ctodo dependen directamente de la tensin de puerta pero
solamente para OFF -> ON). C uanto mayor sea la corriente sumi nistrada al
circuito de puerta IG (intensidad de puerta), tanto menor ser la tensin
nodo-ctodo necesaria para que el tiristor conduzca.
Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe
intensidad de puerta y la tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de
bloqueo.

Formas de activar un tiristor

Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al

mismo silicio, el nmero de pares electrn-hueco aumentar pudindose
activar el tiristor.

Corriente de Compuerta: Para un tiristor polari zado en directa, la inyeccin

de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta
y c todo lo acti var. Si aumenta esta corriente de compuerta, dismi nuir el
voltaje de bloqueo directo, revirtiendo en la acti vacin del dispositivo.

Trmica: Una te mperat ura muy alta en el tiristor produce el aumento del
nmero de pares electrn-hueco, por lo que aumentarn las corrientes de
fuga, con lo cual al aumentar la diferencia entre nodo y ctodo, y gracias a
la accin regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede
acti varse. Este tipo de acti vacin podra comprender una fuga trmica,
normalmente cuando en un diseo se establece este mtodo como mtodo
de acti vacin, esta fuga tiende a evitarse.

Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el nodo hacia el ctodo es mayor

que el voltaje de ruptura directo, se crear una corriente de fuga lo
suficientemente grande para que se i nicie la acti vacin con
retroalimentacin. Normalmente este tipo de activacin puede daar el
dispositivo, hasta el punto de la destruccin del mismo.
dv/dt: Si la velocidad en la elevacin del voltaje nodo-ctodo es lo
suficientemente alta, entonces la corrie nte de las uniones puede ser
suficiente para activar el tiristor. Este mtodo tambin puede daar el
dispositivo

Aplicaciones

Normalmente son usados en diseos donde hay corrientes o voltajes muy

grandes, tambin son comnmente usados para controlar corrie nte
alter na donde el cambio de polaridad de la corriente revierte en la conexin
o desconexin del dispositivo. Se puede decir que el dispositivo opera de
forma sncrona cuando, una vez que el dispositivo est abierto, comienza a
conducir corriente en fase con el voltaje aplicado sobre la unin ctodo-
nodo sin la necesidad de replicacin de la modulacin de la puerta. En
este momento el dispositivo tiende de forma completa al estado de
encendido. No se debe confundir con la operacin simtrica, ya que la
salida es unidireccional y va solamente del nodo al ctodo, por tanto en s
misma es asimtrica.

Los tiristores pueden ser usados tambin como elementos de control en

controladores accionados por ngulos de fase, esto es una mod ulacin por
ancho de pulsos para limitar el voltaje en corriente alterna.

En circuitos digitales tambin se pueden encontrar tiristores como fuente

de energ a o potencial, de forma que pueden ser usados como i
nterruptores automticos magneto-trmicos, es decir, pueden interrumpir
un circ uito elctrico, abrindolo, cuando la intensidad que circula por l se
excede de un determinado valor. De esta forma se i nterrumpe la corriente
de entrada para evitar que los componentes en la direccin del flujo de
corriente puedan ser daados. El tiristor tambin se puede usar en
conjunto con un diodo
Ze ner enganchado a su puerta, de forma que cuando el voltaje de energa de
la
fuente supera el voltaje zener, el tiristor conduce, acortando el voltaje de
entrada proveniente de la fuente a tierra, fundiendo un f usible.

La primera aplicacin a gran escala de los tiristores fue para controlar la

tensin de entrada proveniente de una fuente de tensin, como un e nc hufe ,
por ejemplo. A comienzo de los 70 se usaron los tiristores para estabili zar el
flujo de tensin de entrada de los receptores de te le visin en color.
Se suelen usar para controlar la rectificacin en corriente alterna, es decir,
para transformar esta corriente alterna en corriente conti nua (siendo en este
punto los tiristores onduladores o inversores), para la realizacin de
conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos.

Otras aplicaciones comerciales son en electrodomsticos (iluminacin,

calentadores, control de temperatura, activacin de alarmas, velocidad de
ventiladores), herramientas elctricas (para acciones controladas tales como
velocidad de motores, cargadores de bateras), equipos para exteriores
(aspersores de agua, encendido de motores de gas, pantallas electrnicas...)

Principales variantes de tiristores

Los tiristores se fabrican casi exclusi vamente por difusin. La corriente del
nodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la
unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando i nicia la seal de la
compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de
activacin y el tiempo de desacti vacin, los fabricantes utili zan varias
estructuras de compuerta.

Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de acti vacin y

desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse en nueve
categoras:

1. Tiristores de control de fase o rectificador de silicio controlado(SCR).

2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR).
3. . Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
4. . Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. . Tiristores de conduccin inversa (RTC).
6. . Tiristores de i nduccin esttica (SITH).
7. . Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. . Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. . Tiristores controlados por MOS (MCT)

10.- Transistor de unin programable

(PUT) 11.- Transistor Unijuntura (UJT)

El SCR
Un SCR es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn
con tres uniones pn y que tiene tres termi nales: nodo ctodo y compuerta.
La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres uniones
pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Un tiristor o SCR es un rectificador co ntrolado, donde la corriente circula de
forma unidireccional desde el nodo al ctodo .Esta circulacin de corriente
es iniciada por una pequea corriente aplicada a la puerta .

La cada de tensin, en conduccin, se deber a la resistencia de las cuatro

capas y ser pequea, por lo comn 1V. En conduccin , la corriente nodo
ctodo est limitada por una impedancia o una resistencia externa, RL,
como se muestra en la fig. 2.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como
corriente de enganche IL, a fi n de mantener la cantidad requerida de flujo
de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al reducirse el voltaje del
nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La
corriente de enganche, IL, es la corriente del nodo mni ma requerida para
mantener el tiristor en estado de conduccin i nmediatamente despus de
que ha sido acti vado y se ha retirado la seal de la compuerta. En la fig. 2b
aparece una grfica caracterstica V-I de un SCR.
 Fig.2 Circuito SCR y caracterstica v-i

Una vez que el SCR es acti vado, se comporta como un diodo en

conduccin (Fig-2) y ya no hay control sobre la corriente del dispositivo. El
tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de
agotamiento lo que da vida a movimientos de portadores libres. Sin
embargo, si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de un nivel
conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera una regin de
agotamiento alrededor de la unin J2 debida al nmero reducido de
portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de
mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente
de enganche, IL. Esto significa que IL >IH . La corriente de mantenimiento IH
es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de
rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la
corriente de enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin
J2 tiene polari zacin directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polari zacin
inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje i
nverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una
corriente de fuga inversa, conocida como IR, fluir a travs del dispositivo
MODELO DE SCR DE DOS TRANSISTORES

La accin regenerati va o de enganche genera retroalimentacin directa

que se puede demostrar mediante un modelo de SCR de dos transistores.
Un SCR se puede considerar como dos transistores complementarios, un
transistor PNP, Q1, y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la
figura 3.

La corriente del colector IC de un SCR se relaciona, en general, con la

corriente del emisor IE y la corriente de fuga de la unin colector-base ICBO,
como

Ic = IE + ICBO (1)

La ganancia de corriente de base comn se defi ne como =IC/IE. Para el

transistor Q1 la corriente del emisor es la corriente del nodo IA , y la
corriente del colector IC1 se puede determinar a partir de la ecuacin (1):

IC1 = IA + ICBO1 (2)

a) Estructura bsica b) Circuito

equivalente Fig. 3 Modelo de SCR con dos

transistores .

Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga

para Q1. En forma similar para el transistor Q2, la corriente del colector
I C2 es:
IC2 = 2IK + ICBO2 (3)
Donde 2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de
fuga correspondiente a Q2. Al combi nar IC1 e IC2 , obtenemos:

IA = IC1 + IC2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2 (4)

Pero para una corriente de compuerta igual a IG, IK=IA +IG resolviendo la
ecuacin anterior en funcin de IA obtenemos:

IA = 2 IG + ICBO1 + ICBO2
(5) 1 - ( 1
+ 2)

Disparo del SCR

Un SCR es encendido haciendo su puerta positiva con el respecto a su
ctodo, lo cual, hace que circule corriente en la compuerta.
Cuando el tensin de compuerta alcanza el valor de umbral V GT, hace que la
corriente de compuerta IGT, llegue al valor umbral dentro de un tiempo muy
corto conocido como tiempo de encendido controlado por compuerta, tgt,
As, la corriente de carga puede fluir desde nodo a ctodo..
Cuando la corriente aumente, hasta el valor de corriente de enganche
(latchi ng) del SCR, la corriente de carga se mantendr , an ,
despus de quitar la corriente de
compuerta. As ,el SCR conti nuar conduciendo y la
corriente de carga conti na circulando, , sin la corriente de compuerta. Esto
es
lo que denominamos tiristor disparado.
.
REGLA. Para disparar un SCR(tiristor) (o triac), una corriente de compuerta /
IGT debe aplicarse hasta que la corriente de carga sea IL. Esta condicin
debe encontrarse tambin al bajar la temperatura de funcionamiento
esperada. incrementada por encima de Tjmax, en este punto las corrientes
de fuga son tales que pueden alcanzar la corriente de disparo del SCR o
triac. Por lo cual puede ser conveniente su reemplazo o bien tener en
cuenta este efecto al momento de su utili zacin.

Apagado (conmutacin).
Para apagar al tiristor, la corriente de carga debe reducirse por debajo de la
I H (corriente de mantenimiento), por el tiempo suficiente para permitir a todos
los portadores evacuar la juntura. Esto es logrado por "conmutacin forzada"
en circuitos CC o al fi nal del hemiciclo de conduccin en circuitos de CA. (La
conmutacin forzada es cuando la corriente de carga neta del circuito
ocasiona que la misma se haga cero de forma tal, que el tiristor se apague).
A este punto, el tiristor habr vuelto totalmente a su estado de bloqueo .
Si la corriente de carga no es mantenida por debajo de IH por el tiempo
suficiente, el tiristor no habr vuelto totalmente al estado de bloqueo, y
cuando la tensin nodo ctodo suba nuevamente, el tiristor podr volver
al estado de conduccin sin excitacin de puerta.
Note que esta IH se especifica tambin a la temperatura de ambiente , y se
reduce a altas temperaturas. Por lo tanto , el circuito debe permitir tiempo
suficiente para qu la corriente de carga caiga por debajo de IH a la
mxima temperatura esperada, para una conmutacin exitosa.

Triac
Un triac poder mirarse como un "tiristor bidireccional" debido a que conduce
en ambas direcciones. Por el triac , la corriente circula en cualquiera de las
dos direcciones entre los termi nales principales MT2 y MT1. Esto es iniciado
por una corriente pequea aplicada entre el termi nal de puerta , Gate,
y MT2.
 FIG-3 A: Representacin de un Triac

FIG-3B: Curva caracterstica de un Triac (verFig-5)

Encendido
Distinto de los SCR, el triac estndar puede ser disparado por circulacin de
corriente positiva o negativa entre compuerta y MT2 . (Las reglas para V GT,
IGT e
 IL son al igual SCR. Vea Regla 1). Esto permite el disparo del triac en cuatro
cuadrantes" como se muestra en el Figura 4.
La compuerta debe ser excitada por Corriente Continua o por pulsos
unipolares en el cruce por cero de la corriente de carga. Corriente negati va
de compuerta es la preferida por las siguientes razones.
La construccin interna de los triac hace que la compuerta est ms alejada
de
la regin de portadores mayoritarios cuando opera en el 3 cuadrante. Esto
resulta en:
1. IGT ms alta, esto implica un pico ms alto de IG requerido.
2. Retraso mayor entre IG y el pri ncipio de la circulacin de corriente
principal, esto requiere una mayor duracin de IG.
3. Mucha menor capacidad de di/dt esto puede implicar una degradacin
progresiva de puerta cuando controlamos cargas con di/dt i niciales
(P.E: filamentos de lmpara incandescente fra).
4. Mayor IL (tambin cierto para la 1 operacin) - > IG ms largo, la duracin
mayor podra necesitarse para cargas muy pequeas cuando conduzcan
desde el comienzo de un hemiciclo para permitir la corriente de carga
alcanzar el IL .
En controles comunes de ngulo de fase, como por ejemplo atenuadores de
luces y controles de motores uni versales (taladros de mano), la polaridad
de la tensin entre compuerta y MT2 son siempre las mismas. Esto significa
que la operacin es siempre e n el 1 o 3 cuadrante, en los cuales los
parmetros de conmutacin del triac son iguales. Por ello se habla de un
funcionamiento simtrico de funcionamiento de conmutacin del triac ,donde
la puerta est en su estado. ms sensible
Mtodos alternativos de disparo.
Hay algunas maneras i ndeseables con las que un triac pueden encenderse.
Algn son benignas, mientras otras son potencialmente destructivas.
(a) Seal de ruido en la compuerta.
En ambientes elctricamente ruidosos, disparos espurios pueden ocurrir si el
nivel de ruido excede la tensin V GT y si suficiente corriente de puerta circula
para iniciar accin regenerati va dentro del triac. La primea lnea de defensa
es minimizar la ocurrencia del ruido en primer lugar. Uno de los mejores
resultados es logrado por realizar las co nexiones de puerta tan corta como
sea
posible y asegurando que el retorno comn desde el circuito de disparo se
conecte directamente al termi nal MT1 (o ctodo en el caso de un SCR). (los
tiristores y triac de potencia i ncluyen este termi nal en su dispositivo). En
situaciones donde las conexiones de puerta son de conductor macizo, par
torcido o apantallado podra minimi zarse acortndolas..
 La inmunidad adicional de ruido puede proveerse agregando un resistor de

1kOhm

Tambin es posible la utilizacin de un capacitor de tipo cermico o de

poliester para filtrar las altas frecuencia o dv/dt.
(b) Excediendo el valor permitido de dv/dt
Esta es la mas probable ocurrencia cuando tenemos una carga altamente
reactiva, donde existe un considerable desfasaje entre la tensin de carga y
la corriente de la misma. Cuando el triac se bloquea , esto es la corriente se
hace cero, la tensin aplicada en los bornes del mismo no es cero, debido al
desfasaje entre ambas magnitudes, como es mostrado en la figura N6.
El triac entonces repenti namente requerir bloquear esta tensin.
3 REGLA. C uando diseamos un circuito de disparo para triacs, trataremos
de no dispararlo al mismo en el 3 cuadrante. (MT2 -,G+), cuando esto sea
posible. 4 REGLA. Para minimi zar el ruido que toma la compuerta, el largo
de conexin tiene que ser lo mas corta
posible. El retorno al terminal MT1 (o ctodo) tiene
que retornar en forma directa al terminal propiamente dicho. Colocar una
resistencia de no mas de 1 o
ctodo. Una red snubber es aconsejable para la compuerta. La alternati va de
utili zar la serie H de triacs, es vlida si lo anterior es i nsuficiente .Sin
conmutacin se puede forzar al triac a volver al estado de conduccin si se
excede el valor permitido de dv/dt. Esto es debido a que los portadores en la
juntura no tienen el tiempo suficiente para abandonarla totalmente.
La capacidad para soportar dv/dt es afectada por dos de condiciones:
1. El valor de la cada de corriente en la conmutacin esto es la di/dt. Alta di/dt
implica una capacidad de dv/dt.
2. La temperatura de juntura Tj. Si esta temperatura aumenta disminuye la
capacidad de soportar dv/dt.
Si el triac supera la mxima dv/dt permitida por el dispositivo, es probable
,tambin, que sufra falsos disparos. La manera ms comn para mitigar este
problema es con el uso de una red RC de amortiguacin.
Estas redes se las conoce como red snubber.
Esta deber estar entre los terminales MT1-MT2 para limitar el valor de
cambio de voltaje. Los valores comunes son: resistencia de 100 Ohm

elegida por su manejo de corriente y un capacitor de 100nF.

Ntese que la resistencia de la red snubber nunca debe omitirse, porque si
as fuere cuando el triac se dispare, pueda sufrir daos, debido a el
dispositivo puede superar el valor mximo de di/dt permitido al descargarse
el capacitor entre los bornes MT1 y MT2 sin limitacin de corriente.

(b) Excediendo el valor permitido de di/dt

Altas di/dt son causadas por cargas altamente inductivas, alta frecuencia de
lnea u onda no senoidal de corriente de carga. Una causa bien conocida de
corrientes de carga no senoidales y de di/dt un rectificador que alimenta una
carga inducti va. Esto puede generalmente implicar una conmutacin fallada
en un triac comn. Como la tensin de alimentacin baja mas, el EMF la
corriente de la carga y de el triac baja rpidamente a cero.
El efecto de esto se muestra en la Figura 7.

Durante la condicin de corriente cero por el triac, la corriente de carga ser

transiente sobre el circuito rectificador. Las cargas de esta naturaleza pueden
generar di/dt tan altas que el triac no puede soportar una leve dv/dt
realimentada de 50 Hz que sube desde cero Volt. En este caso no trae ni ngn
beneficio poner una red snubber, ya que el problema no es la dv/dt. La di/dt
tendr que ser limitada agregando una i nductancia de algunos mH en serie
con la carga.
(d) Excediendo el valor permitido de dv/dt
Si se produce un cambio de tensin muy alto a travs de un triac bloqueado
(o el tiristor sensible de puerta en particular) sin exceder su VDRM (en Figura.
8), debido a capacidad interna puede circular corriente suficiente para acti var
al triac. Esta condicin se ve magnificada por el aumento de la temperatura.
Cuando ocurre este problema, la dv/dt debe ser limitada por una red snubber
entre sus termi nales MT1 y MT2 (o nodo y ctodo, para el caso del tiristor).
La utili zacin de Hi-com triacs ,en este caso ,puede ser beneficioso.
e) Excediendo el valor permitido
de
VDRM (Tensin mxima repetiti va de
trabajo
)

Si el voltaje de MT2 excede VDRM, tal como podra ocurrir durante un

severo y anormal transiente de lnea, la corriente de fuga entre los termi
nales MT2 y MT1, podr hacer que el dispositivo pase al estado de
conduccin. Esto se ve en la Figura 9.
Si la carga permite que un alto incremento de corriente fluya hacia la misma,
la
densidad de corriente dentro de la pastilla del semiconductor puede hacer
que se forme un "punto caliente", estos puntos van destruyendo las
caractersticas del triac (o tiristor), hasta su destruccin total del mismo.
Las lmparas incandescentes, cargas capacitivas y protecciones del
tipo
crowbar son circuitos que frecuentemente ocasionan estos
inconvenientes.
El encendido por superacin de VDRM no es necesariamente la amenaza
principal a su seguridad. S, lo es, la di/dt que le sigue. Esta si es muy
probable que pueda ocasionar el dao. ,debido al tiempo requerido para que
la conduccin sea generali zada en toda la Juntura

5 REGLA. C uando ocurran altas dvD/dt o dvCOM/dt es probable que causen

problemas. Una solucin es la colocacin de una red snubber entre los
terminales MT1 y MT2.
Del mismo modo, cuando altas di/dt son probables causas del problema, la
colocacin de un inductor de algunos mH en serie con la carga mitiga
el problema.
El uso de Hi-com Triacs es una solucin alternati va para ambos casos.
. El valor permitido de di/dt en estas condiciones, es inferior al que se
produce si el triac es encendido correctamente por una seal de compuerta.
Si de alguna manera se puede proteger al triac para que la di/dt no
sobrepase este valor( dado en los manuales de datos del dispositivo), es
muy probable que el Triac o tiristor en cuestin sobreviva.
Esto podra lograrse adaptando un inductor no saturable (ncleo de aire), de
algunos uH en serie con la carga.
Si la solucin anteriormente es i naceptable o poco prctica, una solucin
alternati va sera proveer un filtro adicional y clamping para impedir que
los picos de tensin alcancen los bornes del semiconductor. Esto i
nvolucrara probablemente el uso de un Varistor (de Oxido Metlico-
MOV) como un limitador de los picos de voltaje de la lnea de
alimentacin , en serie con la inductancia seguida por el paralelo del
capacitor y MOV.
Las dudas han sido expresadas por algunos fabricantes sobre la confiabilidad
de circuitos que usan MOVS, debido principalmente que en temperaturas
ambientales altas, las caractersticas de los mismos fallan catastrficamente.
Esto se debe al hecho que su voltaje acti vo posee un coeficiente de
temperatura negativo. Sin embargo, si el grado recomendado de voltaje de
275V RMS se usa para 220V de tensin de alimentacin, el riesgo de que el
MOV falle, debera ser insignificante. Los tales fracasos son ms probables si
MOVS de Vn = 250V RMS se usan, son utili zados para 220 VAC, a
temperaturas ambiente potencialmente altas.
Encendido diT/dt
Cuando un triac o SCR es disparado por el mtodo correcto, esto es va
compuerta, la conduccin comienza en el rea adyacente a la compuerta,
entonces rpidamente se esparce para cubrir el rea acti va entera. Esta
demora de tiempo impone un lmite sobre el valor permisible de incremento
por unidad de tiempo de la corriente de carga. En otras palabras estamos
hablando de la di/dt que es la causa de "puntos calientes" dentro de la
juntura. Estos puntos son fusiones, lo cual lleva en un corto tiempo a un
corto circuito entre los terminales MT1 y MT2.
Si el disparo es en el 3 cuadrante, un mecanismo adicional reduce la di/dt
permitida. Es posible momentneamente tomar la puerta en la avalancha
inversa durante el rpido incremento i nicial de corriente. Esto no llevar a la
destruccin i nmediata si no que habra progresi vos puntos calientes en la
juntura compuerta - MT1 (dados como disminucin de la resistencia efecti
va), despus de la exposicin repetida a estos procesos. Esto dara lugar a
un aumento de la IGT hasta que el triac no podr ser mas disparado. Los
triacs sensibles son probablemente los ms susceptibles.

6 REGLA. Si la tensin VDRM del triac es probablemente superada, por

transitorios de lnea se pueden adoptar las siguientes medidas:
inductancia no saturable de algunos mH en
serie con la carga.

la alimentacin.
La capacidad de soportar di/dt es a fectada por cuan rpido aumenta la
corriente de compuerta (diG/dt) y el valor pico de I
. Un alto valor de diG/dt y de IG(sin exceder las caractersticas de
compuerta), dan como resultado un mayor capacidad de absorber diT/dt.
Como se ha mencionado, una carga comn con una corriente alta inicial es la
lmpara i ncandescente que tiene una resistencia de filamento fra muy baja.
Para cargas resisti vas tal como esta, la diT/dt estara a su ms alto valor si la
conduccin comienza en el pico de la senoidal de la tensin de alimentacin.
Si es probable que la corriente exceda la caracterstica de di/dt del triac
adoptado, se debe limitar esta di/dt con la inclusin de un inductor de unos
mH
o con un termistor de Coeficiente Negati vo de Temperatura con la carga, de
forma de que con la carga fra el ngulo de disparo sea grande (<Vef).
Nuevamente, el inductor no debe saturarse durante el pico de corriente
mximo. Si lo hace, su i nductancia se derrumbara y no limitara ms la
diT/dt. Un inductor de ncleo de aire es aceptado para este requerimiento.
Una solucin ms elegante que puede evitar el requerimiento de un limitador
de corriente en serie dispositivo estara en usar el disparo en el cruce por
cero. Esto permitira a la corriente comenzar a crecer mas gradualmente,
desde el comienzo de la onda senoidal.
NOTA: Es importante recodar que el disparo por el cruce de cero es
nicamente aplicable sobre cargas resisti vas. Usar el mismo mtodo para
cargas inducti vas donde hay desfasaje entre el voltaje y la corriente puede
ocasionar conducciones en media onda o unipolares, conduciendo a la
saturacin de las cargas reactivas, produciendo recalentamientos y
corrientes de pico mayores y posibles destrucciones. Ms avanz el control
y en la actualidad se da el disparo por corriente cero o disparo de ngulo
variable como requiere en este caso.
Apagado
Desde que apareci en el mercado el triac se usa en los circuitos de
Corriente Alterna, ellos conmutan naturalmente al final de cada ciclo medio
de corriente de la carga a menos que una seal de puerta se aplique en el i
nicio del siguiente hemiciclo para mantener conduccin. Las reglas para IH
son al igual que para el tiristor. Vea la Regla 2.
Hi-Com triac
El triac Hi-Com tiene una construccin interna diferente al triac convencional.
Una de las diferencias es que las dos mitades de tiristor "son bien separadas
para reducir la influencia que ellos tienen sobre el uno al otro. Esto ha rendido
varios beneficios:

1- Ms alto dVCOM/dt. Esto los permite controlar cargas reacti vas sin la
necesidad que una red snubber en la mayora de los casos, mientras
todava evite la falla de conmutacin. Esto reduce la cantidad de
componentes, baja los costos y elimi na disipacin de potencia de la
red snubber.
 7 REGLA . Un buen circuito de disparo y evitar los disparos en el
3 cuadrantes mejora notablemente la capacidad de absorcin de
diT/dt

8 REGLA . Si la di T/dt se espera superar un inducto r de ncleo de aire de

algunos mH o una termistor NTC debe ser colocado en serie con la carga, o
en el circuito de control (este ltimo circuito de disparo).
Una alternati va puede ser el empleo de circuitos de disparo por cruce por
cero para cargas resisti vas.

2- Ms alto dICOM/dt. Esto drsticamente mejora las oportunidades de

conmutar a frecuencia mas alta o seales no senoidales, si n la necesidad
de un limitador de diCOM/dt (inductor en serie con la carga).
3- Ms alta dvD/dt. El Triacs llega a ser ms sensible a temperaturas acti vas
altas. La mayor capacidad de dvT/dt del triac Hi-com reduce su tende ncia a
disparos aleatorios producidos por dv/dt, cuando el dispositivo esta a una alta
temperatura. Esto los habilita a ser utili zados en aplicaciones de alta
temperatura, como control de cargas resisti vas como: hornos elctricos,
cocinas elctricas, donde el uso de triacs comunes se dificulta por su
temperatura de entorno.
La construccin interna diferente tambin significa, que el disparo en el 3
cuadrante no es posible. Esto no debera ser un problema en la gran
mayora de los casos porque este es el el cuadrante en el cual no debera
dispararse un triac, o sea que es conveniente en reemplazo de un triac
convencional por uno Hi-com. Siempre que sea posible.

Diac: Fundamentos Bsicos

El D IAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado
para Disparar T r i a c s y Tiristor es (es un dispositivo disparado por
tensin). Tiene dos terminales: A1 y A2. Ver el diagrama.
FIG-10: Representacin de un Diac y estructura i nterna

Fundamentos Bsicos del D IAC

El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en paralelo,

pero orientados en formas opuestas. La conduccin se da cuando se ha
superado el valor de tensin del zener que est conectado en sentido
opuesto.
El D IAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de
fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el D IAC se reduce y
entra en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del
SCR o TRIAC. Se utili za pri ncipalmente en aplicaciones de control depoten
cia mediante control de fase.
Es un componente electrnico que est preparado para conducir en
los dos sentidos de sus terminales, por ello se le denomi na bidireccional,
siempre que se llegue a su tensin de cebado o de disparo (30v
aproximadamente, dependiendo del modelo). Hasta que la tensin aplicada
entre sus extremos supera la tensin de disparo VBO; la intensidad que
circula por el componente Ees muy pequea. Al superar dicha tensin la
corriente aumenta bruscamente y disminuyendo, como consecuencia, la
tensin anterior. La aplicacin ms conocida de este componente es el
cont rol de un triac para regular la potencia de una carga.
2.-)Funcionamiento:
 Un diac es un elemento semiconductor utilizado normalmente en el
control de potencia, lo que significa que servir para controlar
electrnicamente el paso de corriente elctrica.
La palabra diac quiere decir Diodo de Corriente Alterna. Este
componente es simtrico, por lo que se podr conectar i ndistintamente en
cualquiera de los dos sentidos posibles. Dicho componente cuenta con dos
patillas de conexin.
El diac es un componente simtrico porque est formado por dos
diodos conectados en paralelo y en contraposicin, por lo que cada uno de
ellos permitir el paso de corriente de cada uno de los semiciclos de la
corriente alterna a que se le somete.
Para que un diac comience a funcionar, necesitar que se le
apliquen entre sus bornes una tensin determinada, momento despus del
cual empezar a trabajar. La tensin mnima necesaria se denomina
tensin de disparo. Dicha tensin de disparo ser aproximadamente de 30
V. Normalmente, este tipo de componentes se emplean para controlar el
disparo de tipo de componentes, como lo son los tiristores y,
fundamentalmente, para el disparo de Triacs.
Fundamentos Bsicos del D IAC
3.-) Pri ncipio de operacin y curva caracterstica:
La operacin del D IAC consiste fundamentalmente en llevar la
estructura NPN hasta un voltaje de ruptura equi valente al BVCEO del
transistor bipolar. Debido a la simetra de construccin de este dispositivo,
la ruptura puede ser en ambas direcciones y debe procurarse que sea la
misma magnitud de voltaje. Una vez que el dispositivo empieza a conducir
corriente sucede un decremento en el voltaje de ruptura BVCEO,
presentando una regin de impedancia negativa (si se sigue aumentando la
corriente puede llegar hasta la segunda ruptura), entonces se logra que el
dispositivo maneje corrientes muy grandes.
Figura 11.- Curva caracterstica del D IAC

TRANSITOR MONOUNION (UJT)

El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales

de disparo en los SCR. En la fig.10 se muestra un circuito bsico de disparo
UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y
base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una
resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el
rango de 4.7 y
9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el
capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT
est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es
T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del
capacitor llega a un valor pico Vp, se acti va el UJT y el capacitor se descarga
a travs de RB1 a una velocidad determi nada por la constante de tiempo
T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se
reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desacti va el UJT
y se repite el ciclo de carga.
El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como
para
activar el SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente i ndependiente del
voltaje de alimentacin Vs y est dado por:

T = 1/f = RC ln 1/1-n

Fig.12.- Circuito bsico de disparo de un UJT

TRANSISTOR MONOUNIN PROGRAMABLE

El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que

aparece en la fig.11. Un PUT se puede utili zar como un oscilador de
relajacin, tal y como se muestra en la fig.7b. El voltaje de compuerta VG se
mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y
R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp. En el caso del UJT, Vp est fi
jo para un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd, pero en un PUT
puede variar al modificar al modificar el valor del di visor resisti vo R! y R2. Si
el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG, le
dispositivo se conservar en su estado inacti vo, pero si el voltaje de nodo
excede al de compuerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el
punto de pico y el dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente
del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta
RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de alimentacin en cd Vs. N general Rk
est limitado a un valor por debajo de 100 Ohms.
R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilacin T
est dado en forma aproximada por:

T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)

Fig.13.- Circuito de disparo para un PUT y simbologa

Diodo Shockley

FIG- 14.- Smbolo del diodo Shockley.

FIG-15.- Grfica V-I del diodo Shockley

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos

estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se
debe confundir con el diodo de barrera Sc hot tk y.

Est formado por cuatro capas de semicond ucto r tipo n y p,

dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristo r.

La caracterstica V-I se muestra en la figura 15. La regin I es la regin de

alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del
estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar V s ,
tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente,
haciendo que la corriente que lo atraviese se i ncremente y disminuya la
tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para
volver al estado OFF, se dismi nuye la corriente hasta Ih , corriente de
mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava
ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus termi nales, cruzando
la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A).

Vrb es la tensin inversa de a va lanc ha .

Este dispositivo fue desarrollado por W. S hock ley tras abandonar los
Laboratorios Bell y fundar Shock le y Semico nduc tor. Fueron fabricados por
Clevite-Shockley