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Introduo 5
O circuito da base 9
Fator de estabilidade 19
O processo de estabilizao trmica 19
Apndice 22
Questionrio 22
Bibliografia 23
Espao SENAI
Introduo
Um fator que sempre representa um problema na utilizao dos
componentes semicondutores a dependncia trmica dos parmetros materiais.
O transistor no foge regra. Circuitos transistorizados so sensveis s
variaes de temperatura, sofrendo mudanas no ponto de operao.
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Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso
Polarizao por
divisor de tenso
A polarizao da base de um transistor pode ser feita a partir da utilizao
de um divisor de tenso, atravs do qual aplica-se uma tenso VBE entre a base e
o emissor do transistor.
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Srie de Eletrnica
Normalmente os circuitos
polarizados por diviso de tenso
tm ainda um resistor de emissor RE,
como mostrado na Fig.2. Esse
resistor tem por finalidade melhorar
a estabilidade trmica do circuito.
A incluso de um resistor
de emissor no circuito de
polarizao de um transistor Fig.2 Emprego de um resistor de emissor
melhora a estabilidade trmica em um circuito transistorizado.
do circuito.
Fonte de alimentao.
Resistor de coletor.
Transistor.
Resistor de emissor.
Fig.3 Malha de coletor de um transistor
polarizado por divisor de tenso.
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Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso
VCC VR VCE VE 1
onde
V Rc RC I C 2
VE RE I E 3
VE RE I C I B 4
IC IB IC
VE RE I C 5
V Rc 1.000 0 ,004 A 4 V
Fig.4 Circuito transistorizado do
V E 270 0 ,004 A 1,08 V Exemplo1.
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Srie de Eletrnica
V CE 4 ,92 V
O CIRCUITO DA BASE
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Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso
CORRENTE DE EMISSOR
IE IC
GANHO DO TRANSISTOR
PARMETROS DE ENTRADA
VCC
VRcQ 7
2
V EQ 0 ,1VCC 9
0 ,1VCC
RE 10
I CQ
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Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso
Com base na Fig.9, a queda de tenso sobre RB1 pode ser obtida de
VB1 VCC V B 12
Dispondo dos dois valores de tenso sobre os resistores, deve-se assumir
um valor conhecido para a corrente ID atravs do divisor. Esse valor deve ser
suficientemente grande para que pequenas variaes na corrente de base no
alterem significativamente a proporo de diviso da tenso sobre os resistores.
Dessa forma, prtica usual adotar uma corrente atravs do divisor satisfazendo
condio
I D 0 ,1I CQ 13
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Srie de Eletrnica
VCC V B
R B1 14
ID
V BEQ V EQ
R B2 15
ID
0,1VCC
Resistor de emissor RE
I CQ
Tenso no resistor RB2 V B V BEQ V EQ
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Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso
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Srie de Eletrnica
Parmetros de entrada
Tenso de alimentao VCC = 12 V
Tenso coletor-emissor VCEQ = 7 V
Corrente de coletor ICQ = 12 mA
Parmetros de sada
Tenso no resistor de emissor V EQ 0 ,1 12 1,2 V
Tenso no resistor de coletor VRcQ 12 7 1,2 3,8 V
1, 2
Resistor de emissor REQ 100
0, 012
3, 8
Resistor de coletor RC 317
0, 012
Tenso no resistor RB2 V B 0 ,6 1,2 1,8 V
Tenso no resistor RB1 V B1 12 1,8 10,2 V
Corrente no divisor I D 0 ,1 12 1,2 mA
EMBED Equation
Resistor RB2 0 ,6 1,2
R B2 1.500
0 ,0012
12 1,8
R B1 8.500
Resistor RB1 0 ,0012
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Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso
Os estgios transistorizados
polarizados por divisor de tenso
possuem tima estabilidade
trmica, no necessitando de
correes quando submetidos a
variaes de temperatura. Dessa
forma, a alterao intencional do
ponto de operao s pode ser
obtida pela modificao de alguns
elementos de circuito.
VRc
IC VCE
VE
Como a corrente IC proporcional a IB , para reduzir IC deve-se reduzir IB.
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Srie de Eletrnica
IC IB
A corrente IB varia com a
tenso VBE de acordo com a curva
mostrada na Fig.14 e, portanto,
uma reduo na corrente IB pode
ser obtida diminuindo-se a tenso
VBE.
RB1
VBE
RB2
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Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso
RB1
VB VBE
RB2
IB
VCE VRc IC
VE
Fig.16 Diagrama representativo do processo de aumento da tenso VCE.
Para se obter uma reduo na tenso VCE do transistor, deve-se reduzir RB1
e aumentar RB2, como sugere o diagrama mostrado na Fig.17.
RB1 VB VBE
RB2
IB
VCE VRc IC
VE
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Srie de Eletrnica
FATOR DE ESTABILIDADE
RE RB
S 16
RB
RE
1
R B1 RB2
RB 17
RB1 RB2
I C I B 1 I CBO 18
varivel com
a temperatura
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Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso
I C I B I CBO 19
variaes em ICBO so compensadas
por variaes opostas em IB
A correo automtica
sugerida na Eq.(19) pode ser
facilmente compreendida analisando-
se o comportamento do circuito
mostrado na Fig.18, quando sujeito a
variaes trmicas.
A partir do momento em que a
temperatura aumenta, a corrente de
coletor IC tende a aumentar como Fig.18 Circuito transistorizado com base
conseqncia do aumento da corrente polarizada por divisor de tenso.
de fuga ICBO.
T ICBO IC
A modificao produzida em IC aumenta a corrente IE, visto que IE IC,
que por sua vez provoca um acrscimo na tenso VE = REIE.
IC IE VE
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Srie de Eletrnica
VE VBE
Com base na curva caracterstica mostrada na Fig.14, essa diminuio na
tenso VBE provoca um decrscimo na corrente de base IB.
VBE IB
T
ICBO
IC
IC IE
IB
VBE
VE
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Transistor bipolar: polarizao por divisor de tenso
Apndice
QUESTIONRIO
1. Quais so os elementos bsicos que compem um circuito transistorizado
com base polarizada por divisor de tenso?
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Srie de Eletrnica
BIBLIOGRAFIA
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