Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
+ + + +
+ +
Ley de Coulomb
A medida que los cuerpos cargados se van alejando, disminuye la influencia mutua
que causa la redistribucin interna de carga, y a grandes distancias la fuerza de re-
pulsin depende en realidad de la carga neta en cada cuerpo. En experimentos rea-
lizados entre 1785 y 1791 usando una balanza de torsin, Charles-Augustin de
Coulomb cuantific la interaccin entre cargas elctricas1.
De los experimentos de Coulomb se puede generalizar una ley que da la fuerza de
interaccin entre dos cargas puntuales estticas, es decir, que no se mueven
respecto de un sistema de referencia inercial, situadas en el vaco:
1 q1 q 2
q2 F21 = R 21 F12 = F21
z F21 4 0 R 2
R21 21
q1 1 q1 q 2
F12
F(r ) = R
4 0 R 2
r2
r1 con:
= r r
R 21 = R 21 R = r r
R = RR
21 2 1
y
donde hemos usado la notacin de punto
x
fuente (la posicin de la carga que ejerce
la fuerza) y de punto campo (la posicin
de la carga donde se mide la fuerza).
Se observa adems que el par de fuerzas de interaccin entre las cargas cumple
con la ley de accin y reaccin. De la frmula de la ley de Coulomb se ve que si los
signos de las cargas son iguales, las fuerzas son de repulsin, mientras que son de
atraccin si los signos son diferentes.
El factor 1 / 4 0 que aparece en la ley de Coulomb surge del sistema de unidades
usado (SI). En este sistema, las distancias se miden en metros (m) y la carga elctri-
ca en Coulombs (C). El factor aparece para que la fuerza se mida en en Newtons
(N). 0 se denomina modernamente constante elctrica o (impropiamente), "permi-
tividad del vaco" o "constante dielctrica del vaco" y vale:
F 1 m
0 8.8542 10 12 9 109
m 4 0 F
donde F es la unidad Faradio de capacidad elctrica, que veremos ms adelante.
Ejemplo 1: Las fuerzas elctricas son de mucha mayor intensidad que las fuerzas gravitato-
rias. Halle la relacin entre la fuerza de repulsin coulombiana y la fuerza de atraccin gra-
vitatoria entre dos electrones separados en 10-10 m (el tamao medio de un tomo).
La fuerza elctrica es, en valor absoluto: e2
Fe = Fe =
4 0 d 2
G m2
y la fuerza gravitatoria: F g = Fg =
d2
1
En 1777 Coulomb public una memoria sobre la teora de torsin de cilindros y su aplicacin a la balanza de
torsin, que consider un instrumento apropiado para medir fuerzas muy pequeas. Entre 1796 y 1798 el fsico
ingls Henry Cavendish utiliz el mismo mtodo para medir la constante gravitatoria G, a sugerencia de John
Mitchell, otro fsico ingls que haba estudiado el mtodo de Coulomb. Con este valor y el valor de la acelera-
cin de la gravedad al nivel del mar estim la densidad de la Tierra como 5.448. El valor estimado actual es 5.5.
Fe 1 e2
de donde: = = 4.17 10 42
Fg 4 0 G m 2
con: e 1.60218 10 19 C m 9.11 10 31 Kg G 6.673 10 11 Nm 2 / Kg 2
Se ve que la relacin es muy grande. Por lo tanto, en la materia agregada las interac-
ciones elctricas son de mucha mayor importancia que las gravitatorias. Las fuerzas
gravitatorias slo son de importancia cuando se trata de cuerpos muy masivos (como
los planetas) que son prcticamente neutros.
Superposicin
La ley de Coulomb describe una interaccin muy restringida:
electrosttica (elctrica+esttica) cargas puntuales
entre dos cargas en el vaco
En lo que sigue iremos eliminando estas restricciones.
Dentro del anlisis electrosttico el prximo paso es analizar cmo es la interaccin
cuando hay ms de dos cargas presentes simultneamente. La experiencia indi-
ca que vale el llamado principio de superposicin:
F
F1 F
q q q
R1 R1
q1 q1
R2 r R2
= r +
r
r1 r1
q q
r2 r2
F = F1 + F2
La fuerza medida sobre la carga q cuando estn
F1 simultneamente presentes q1 y q2 es igual a
la suma vectorial de las fuerzas F1 y F2 que se
observaran si solamente estuvieran presentes
(q y q1 F1) y (q y q2 F2) respectivamente.
F2
Este principio puede extenderse a ms cargas.
Supongamos que tenemos N cargas puntuales de
valores qi en las posiciones ri , y una carga puntual de prueba de valor q en la posi-
cin r . Nos queda entonces que la fuerza electrosttica que el conjunto de cargas
"fuentes" ejerce sobre la carga de prueba es:
N N N
q qi q (r ri' )
F(r ) =
i =1
Fi (r ) =
4 0 i =1 Ri3R i =
4 0 i =1
qi
r r'
3
i
Campo electrosttico
Definimos el campo electrosttico creado por un conjunto de car-
gas como la fuerza por unidad de carga que ejerce el conjunto so-
bre una carga de prueba de valor infinitesimal.
N
(r ri' )
F( r ) 1
E(r ) = lim = qi
3
[E ] = V
q 0 q 4 0 m
i =1 r ri'
Esta expresin nos permite calcular el campo creado por una distribucin de carga
dentro del volumen (distribucin volumtrica) de un cuerpo extenso2.
En la prctica es til considerar otras distribuciones de carga: distribuciones superfi-
ciales (sobre una superficie - esto ocurre en cuerpos conductores, como veremos
luego) y distribuciones lineales (a lo largo de una lnea - esto es til para cables don-
de la longitud es mucho mayor que las dimensiones transversales). Tenemos enton-
ces en estos casos:
1 ( r r )
densidad superficial de carga: s (r ) = (r ) E(r ) =
4 0 S s (r )
r r
3
ds
1 (r r )
densidad lineal de carga: l (r ) = (r ) E(r ) =
4 0 C l (r )
r r
3
dl
2
El volumen V debe contener toda la carga cuyo campo quiere calcularse. Esto significa que:
a) el volumen puede ser mayor que el recinto donde existe la carga, sin alterar el resultado.
b) el volumen puede encerrar slo parte de toda la carga, pero en este caso el campo calculado se debe sola-
mente a esa parte de la carga.
Q r
Ejemplo 2: Carga puntual en el origen de coordenadas: E(r ) =
4 0 r 2
Aunque la carga puntual no es una distribucin de carga, se puede demostrar que a
muy grandes distancias de cualquier distribucin de carga de extensin acotada, el
campo tiene aproximadamente simetra esfrica, como si estuviera generado por la car-
ga neta de la distribucin concentrada en el origen de coordenadas. Para demostrar
esto, vemos que para puntos lejanos de la distribucin ( r >> r r 0 ) tenemos:
1 ( r r ) 1 ( r ) r Q r
E(r ) =
4 0 V
( r )
r r
3
dv
4 0 V r 3
dv =
4 0 r 2
donde Q es la carga total de la distribucin.
En este clculo hemos despreciado r frente a r. Una aproximacin mejor es desarro-
llar en serie de Taylor el integrando, con lo que aparecen trminos de orden superior
(multipolares - ver el Ejemplo16). En tal caso, an cuando la carga neta sea nula,
existir campo elctrico debido a la inhomogeneidad en la distribucin.
Ejemplo 3: Calcular el campo electrosttico creado por una lnea cargada infinita con den-
sidad de carga lineal 0 constante.
Se trata de una lnea recta de espesor idealmente nulo.
Para simplificar el clculo usamos consideraciones derivadas de la simetra que pre-
senta la distribucin de carga:
Como existe simetra de revolucin alrededor de la lnea elegimos un sistema de co-
ordenadas cilndrico, con el eje z sobre la lnea.
El campo no puede depender de por la simetra de revolucin, y tampoco puede
depender de z porque la lnea es infinita y todos los planos de z constante son fsica-
mente equivalentes. El campo entonces slo depende de la distancia desde la l-
nea al punto de observacin: E(r ) = E( ) .
Por comodidad elegimos el plano de z = 0 de nuestro sistema de coordenadas de mo-
do que contenga al punto de observacin donde deseamos calcular el campo.
z Por otra parte, como se observa en la figura, el campo dE1
creado por un elemento de longitud dl1 est en el plano for-
-E0 (
z / z2 + a2 )3 / 2
para z . Desarro-
llando en serie de Taylor tenemos:
z 1 3 a 2 15 a 4
1 + + ...
( z2 + a2 )
3/ 2 z 2 2 z2 8 z4
Se ve que los sucesivos trminos son proporcionales a a2n/z2n con n creciente, y por lo
tanto cada vez son ms pequeos para z . Tomando slo el primer trmino de la
Q z
serie queda: E( r ) para z
4 0 z 2
que tiene la forma funcional del campo de una carga puntual (inversamente proporcional
al cuadrado de la distancia y proporcional a la carga total). Los siguientes trminos del
desarrollo en serie, que se han despreciado, constituyen correcciones a este comporta-
miento que cobran ms relevancia a medida que nos acercamos al anillo.
Ejemplo 5: Calcular el campo a una distancia d de un plano infinito cargado con densidad
superficial
Este problema se puede resolver de varias formas. Nosotros utilizaremos el resultado
del ejemplo previo. Podemos dividir el plano en anillos concntricos de radio variable a
y espesor da.
Hemos visto en esta seccin ejemplos de campos elctricos creados por distri-
buciones de carga de alta simetra:
esfrica: Campo radial. Depende como 1/r2.
cilndrica: Campo radial (coordenadas cilndricas). Depende como 1/r.
plana: Campo constante.
Estas dependencias son usadas en la prctica para modelizar aproximada-
mente los campos de distribuciones de carga ms complejas
donde S es la superficie frontera del recinto V. Debe tenerse en cuenta que en esta
expresin la carga es nicamente la encerrada dentro de la superficie .
En resumen, la ley de Gauss dice que el flujo del campo elctrico a travs de una
superficie cerrada S es proporcional a la carga encerrada por esta superficie. La
constante de proporcionalidad es la inversa de la constante elctrica del vaco 0.
Q (r )
E n dS =
S
0
E(r ) =
0
3
Esto surge del teorema de Leibniz (derivacin bajo el signo integral) ya que adems el recinto de integracin no
depende de las variables del operador divergencia.
S
Alternativamente, podemos demostrar la
V ley de Gauss en su forma integral con-
siderando un recinto V que contiene
n carga y una superficie cerrada S que
n contiene parcialmente a V. La carga en-
R2 dS n cerrada en V crea un campo:
R1 1 (r )R
d dS E(r ) =
4 0 v R 3
dv
Ejemplo 7: Una juntura semiconductora tiene una densidad de carga espacial unidimensio-
nal: (r ) = 0 sen( x / a ) para a x a y cero fuera de ese intervalo. Determine el
campo elctrico en la zona de la juntura.
En este modelo sencillo la juntura es un plano de separacin entre dos semiespacios.
La densidad de carga se extiende en toda direccin pero es constante segn y y z.
(r )
Para hallar el campo usamos la forma diferencial de la ley de Gauss: E( r ) =
0
1 (r )
E(r ) = (r ) con ( r ) =
4 0 V r r
dv
r
camino C es cualquiera, y entonces:
Cr
(r ) = E dl = E dl
Ejemplo 8: Calcular el potencial electrosttico creado por una carga puntual en el origen de
coordenadas.
Como se trata de una distribucin de extensin acotada:
r Q r r dl
(r ) = E dl =
4 0 r 2
donde se ha usado el resultado del Ejemplo 2. Como el camino es irrelevante y el cam-
po tiene simetra esfrica, tomaremos una recta radial desde hasta el punto r :
r r r dr r
Q Q Q 1 Q
(r ) =
4 0 r 2
dr =
= =
4 0 r 2 4 0 r 4 0 r
Ejemplo 9: Calcular el potencial electrosttico creado por una lnea infinita cargada unifor-
memente.
0 r
r dl
Como ahora la distribucin no es acotada, tenemos: (r ) = E dl =
r0
2 0 r0
donde r0 es un punto de referencia arbitrario. Como el campo tiene simetra cilndrica,
d
nos conviene tomar un camino radial: (r ) = 0
2 0 0
= 0 ln
2 0 0
donde 0 es un radio arbitrario. El potencial electrosttico de una lnea infinita se conoce
como potencial logartmico.
Ejemplo 10: Calcular el potencial electrosttico creado por la esfera cargada del Ejemplo 6.
En este caso existe expresiones diferentes del campo dentro y fuera de la esfera. En
ambas situaciones el campo es radial, con simetra esfrica y la distribucin es acotada.
r
Tomamos entonces:
(r ) = E dr
r r dr E a2 0 a3
Para r > a:
ext (r ) = E ext dr = E 0 a 2
r2 = 0
r
=
4 0 r
Para r < a:
a r
E
int (r ) = E ext dr E int dr = E 0 a 0
r
E
(
r 2 dr = E 0 a 0 r 3 a 3 )
a a2 a 3a 2
2
E a r 3 0 a 3
4 r
y finalmente: int (r ) = 0 4 =
3 a 3 12 0
a 3
Para r = a: int (r ) = ext (r ) = E 0 a y el potencial es continuo al cruzar el bor-
de de la esfera.
Ejemplo 11: El potencial en la juntura del Ejemplo 7 tiene solamente componente x:
2 0 a
cos(x / a ) + C para a x a
E(r ) = E x x = 0
2 a
0 +C para x a y x a
0
Fuera del intervalo [-a, a] donde se halla la distribucin de carga, el campo es constante
y el potencial vara linealmente:
2 a
(r ) = 0 + C x + D para x a y x a
0
Esto llevara a que el potencial se hiciera infinito para x , lo que no tiene sentido f-
sico. Por lo tanto el potencial debera ser constante fuera del intervalo con carga. Esto
2 0 a D1 para x a
lleva a que elijamos: C= (r ) =
0 D2 para x a
Las constantes de integracin deben ser diferentes porque hay una diferencia de poten-
cial entre ambos lados de la juntura. Finalmente, el campo para la juntura es:
2 0 a
E(r ) = E x x = 0
[1 + cos(x / a )] para a x a
0 para x a y x a
Ahora calculamos el potencial. Tomamos (por ejemplo) como referencia D2 = 0 (x a) y
x x
2 0 a x
tenemos, para a x a : ( r ) = E x dx = E x dx =
a 0 a
[1 + cos( x / a ) ]dx
2 0 a
= ( x a ) sen( x / a ) para a x a
0
4 a
de donde: (r ) = 0 para x a y (r ) = 0 para x a
0
Conductores y dielctricos
Desde el punto de vista elctrico, los materiales pueden clasificarse en dos catego-
ras extremas: conductores, donde existen portadores de carga libres que se mue-
ven sin esfuerzo ante cualquier campo elctrico aplicado y aisladores o dielctri-
cos, cuyas partculas cargadas estn fuertemente unidas entre s y un campo apli-
cado slo puede desplazarlas levemente de sus posiciones de equilibrio (sin campo).
Los conductores se caracterizan por transportar corriente elctrica, que describire-
mos ms abajo. Los casos tecnolgicamente ms importantes de materiales con-
ductores son los metales y las soluciones inicas.
En la prctica, los conductores no poseen carga completamente libre, es decir,
existe siempre una interaccin entre los portadores de carga cuasi-libres y el con-
junto del material. Estas interacciones dan lugar a la resistencia elctrica al paso a
la corriente, que analizaremos en una seccin posterior. Por otra parte, tales interac-
ciones se hacen muy dbiles y despreciables a fines prcticos en los materiales su-
perconductores.
Anlogamente, los dielctricos no tiene carga libre slo hasta cierto valor mximo de
campo que se conoce como campo de ruptura dielctrica. Para campos superiores
a este valor, los tomos del material se ionizan y se produce carga cuasi-libre que
se mueve como por un conductor. Este fenmeno es responsable de las fallas en
capacitores, la cada de rayos y el llamado efecto corona de las lneas de alta ten-
sin. Estos dos ltimos casos se dan cuando se ionizan las molculas del aire por
accin de un campo elctrico mayor que el de ruptura (3106 V/m). Veremos ms
sobre estos temas ms abajo.
Entre estos extremos de comportamiento elctrico hay toda una gama de posibilida-
des, entre las que son de inters tecnolgico los semiconductores, materiales del
grupo IV de la tabla peridica (silicio, germanio, etc.) y compuestos de propiedades
similares que se utilizan en circuitos electrnicos de estado slido.
Ejemplo 12: a) Dos esferas de radios a y b < a estn separadas en D >> a y tienen respecti-
vamente cargas Q1 y Q1. Halle el potencial electros-
ttico que crean.
Q1 R1 R2
Q2 Como las esferas estn muy separadas, pueden
a despreciarse los efectos de redistribucin de carga
b
por induccin entre ellas, de modo que cada una
genera un potencial con simetra esfrica respecto
D de su centro:
Q1 Q2
(r ) = 1 (r ) + 2 (r ) = +
4 0 R1 4 0 R2
El potencial sobre y dentro de cada esfera es constante y como los radios son distintos
los potenciales son distintos. Despreciando la influencia de la otra esfera por su lejana:
Q1 Q2
1 2
4 0 a 4 0 b
b) Suponga ahora que las esferas estn unidas por un hilo conductor muy fino. Deter-
mine la redistribucin de carga que tiene lugar.
Al conectar las esferas por medio de un conductor se transfiere carga hasta que todo
Q1 Q 2
est al mismo potencial. Tenemos entonces que: 0 . Por otra parte, la
4 0 a 4 0 b
carga total del conjunto debe conservarse. Entonces: Q1 + Q2 = Q1 + Q2 . De estas dos
ecuaciones podemos despejar las nuevas cargas sobre las esferas:
a(Q1 + Q2 ) b(Q1 + Q2 )
Q1 = Q2 =
a+b a+b
Campo en dielctricos
El campo en el interior y sobre la superficie de un cuerpo dielctrico no
tiene restricciones. A pesar de la fuerte ligazn entre las partculas car-
gadas que forman sus tomos, se puede inducir carga por contacto y
transferencia de carga, ya que las fuerzas de cohesin en la superficie
del material son menores que en su interior.
El campo elctrico produce redistribucin de las cargas ligadas dentro de
los materiales dielctricos, que llamamos polarizacin. Esta redistribu-
cin genera un nuevo campo elctrico, llamado campo inducido, que se
superpone al campo original. Veremos en detalle el proceso de polariza-
cin y sus consecuencias ms abajo.
HBM
El modelo ms antiguo y ms comn es el Modelo de Cuerpo Humano, que simula la
carga que adquiere un cuerpo humano por contacto. En este modelo R = 1 - 10 M,
C = 100 pF, y la impedancia de descarga en serie con el dispositivo a testear es pu-
ramente resistiva: Z = 1.5 K. El tiempo de cada al 36.8% de la corriente pico (Ip
VHT/Z) es del orden de 150ns y las oscilaciones son habitualmente menores del 10%
del valor pico. Este modelo proviene del siglo XIX, cuando fue desarrollado para in-
vestigar el comportamiento de mezclas de gases explosivos en minas. Luego fue
adoptado por normas militares y civiles dado que la situacin ms comn de ESD se
da en la manipulacin humana de objetos.
Del ensayo con este modelo se clasifica la susceptibilidad del dispositivo en testeo.
Por ejemplo, en la norma britnica HBM - ESD STM5.1-1998 de la ESD Association:
Clase Rango de voltaje aceptable Clase Rango de voltaje aceptable
Clase 0 < 250 V Clase 2 2000 V a 4000 V
Clase 1 250 V a 500 V Clase 3A 4000 V a 8000 V
Clase 1B 500 V a 1000 V Clase 3B 8000 V
Clase 1C 1000 V a 2000 V
Una variante del HBM es el modelo creado por la IEC (International Electrotechnical
Commission) IEC 1000-4-2. En este modelo se simula la descarga producida por un
operador que lleva una herramienta metlica en la mano, por lo que los efectos son
ms severos. La capacidad es mayor: C = 150 pF, y la resistencia de descarga en
serie con el dispositivo a testear es menor: R = 300 . La forma de onda presenta un
pico inicial del orden de cinco veces el del HBM, sin oscilaciones importantes, y el
tiempo caracterstico de la descarga decrece a alrededor de 150 ns.
MM
En el Modelo de Mquina se simula la descarga desde un objeto conductor, como
una herramienta o dispositivo de anclaje metlico. Este modelo se origin en el Ja-
pn como modelo de peor caso en la manipulacin de dispositivos. En este modelo
R > 10 M, C = 200 pF, y la impedancia de descarga en serie con el dispositivo a
testear es nula o se usa un inductor de L = 0.5 Hy, que limita la amplitud del pico
precursor inicial de corriente. La siguiente tabla, de la norma ANSI/ESD-S5.2-1994 da
la clasificacin de acuerdo al Modelo de Mquina:
Clase Rango de voltaje aceptable Clase Rango de voltaje aceptable
Clase M0 < 25 V Clase M3 200 V a 400 V
Clase M1 25 V a 100 V Clase M4 400 V a 800 V
Clase M2 100 V a 200 V Clase M5 800 V
1 CDM
El modelo de dispositivo cargado simula la
L descarga generada por el propio dispositivo
cuando se ha cargado previamente. Esta
>10 M carga puede generarse, por ejemplo, en el
C1 Descarga
deslizamiento en una lnea de produccin
automtica. El posterior contacto con alguna
Fuente herramienta o sujetador metlicos produce la
de HT Disposi- descarga. Este evento puede ser ms des-
tivo Placa de tructivo que la descarga desde un operador
tierra porque, aunque el tiempo de descarga es
C2 muy corto (del orden de 1 ns), la corriente pi-
co puede ser de 10 A o ms, concentrada
Departamento de Fsica Facultad de Ingeniera Universidad de Buenos Aires www.fi.uba.ar
Electromagnetismo 2002 43
sobre conectores muy delgados, lo que da densidades de corriente muy altas. Este
modelo es mucho ms complejo que los anteriores y los mtodos de testeo son en-
tonces ms elaborados. Un mtodo actualmente en uso involucra colocar el disposi-
tivo sobre una placa metlica con sus pines hacia arriba, cargarlo y finalmente des-
cargarlo, como se ilustra en la figura. C1 es la capacidad parsita del dispositivo a
tierra, C2 la capacidad distribuida entre el dispositivo y la placa de tierra, L es la in-
ductancia parsita del dispositivo y sus elementos de conexin, y la resistencia de
1 es la del medidor de corriente. Otros mtodos de testeo estn en estudio y nor-
malizacin.
La siguiente tabla, de la norma EOS/ESD-DS5.3-1993 da la clasificacin de acuerdo
al Modelo de Dispositivo cargado:
Clase Rango de voltaje aceptable Clase Rango de voltaje aceptable
Clase C0 < 125 V Clase C3 500 V a 1000 V
Clase C1 125 V a 250 V Clase C4 1000 V a 2000 V
Clase C2 250 V a 500 V Clase C5 2000 V
Un componente est adecuadamente caracterizado si se ha clasificado segn estos
tres modelos (u otros equivalentes). Por ejemplo, un dado dispositivo puede tener los
siguientes datos: Clase 1B (500 1000V, HBM), clase M1 (25 100V, MM), clase
C3 (500 1000V, CDM). Esto debera alertar a un potencial usuario acerca de la
necesidad de un ambiente controlado tanto en el ensamblado como en el uso de los
equipos donde se involucre el dispositivo.
Estas clasificaciones se deben tomar como gua de accin, no como valores abso-
lutos, dado que los eventos ESD son mucho ms complejos que los modelos utiliza-
dos para describirlos, y constituyen solamente una parte de los programas de con-
trol y proteccin contra ESD. Adems, estos modelos slo analizan la descarga.
Los programas preventivos deben tener en cuenta adems mecanismos para evitar
la carga triboelctrica de operadores, herramientas, dispositivos y objetos auxiliares.
Tcnicas de proteccin
Existen diversas tcnicas de prevencin de los daos causados por fenmenos
ESD. En general, debemos distinguir dos entornos diferentes: el entorno de pro-
duccin, donde se emplean dispositivos susceptibles a ESD para fabricar aparatos
y equipos, y el entorno de uso, donde se usan los aparatos y equipos que contie-
nen dispositivos susceptibles.
Proteccin en un ambiente de produccin
Por ejemplo, la figura de la pgina siguiente muestra un esquema de rea de trabajo
donde se ensamblan equipos, protegida contra ESD, tomada de la norma EN
100015-1: Basic Specification: Protection of Electrostatic Sensitive Devices
Part 1: General Requirements del Reino Unido.
La figura presenta una amplia variedad de medidas de seguridad posibles, que qui-
zs no sean todas necesarias, en funcin de las circunstancias particulares.
El principio bsico empleado es el enlace equipotencial, es decir, el conectar juntas
todas las superficies para prevenir una diferencia de potencial entre distintos objetos.
Las superficies de trabajo [E1] deben ser disipativo-estticas, y
deben estar conectadas a tierra [C4] a travs de una instalacin
de tierra para ESD [C3]. Las conexiones a tierra se sealan
adecuadamente con el smbolo de la izquierda.
Los operadores en los puestos de trabajo estarn conectados al
potencial de tierra a travs de un cable a una pulsera conductora
[C1], mientras que para personal que requiere mayor movilidad es ms apropiado la
puesta a tierra mediante bandas en la suela y dedos del calzado [C8] sobre un piso
disipativo-esttico [G1].
Normas y Estndares
Existen diferentes regulaciones nacionales e internacionales para la prevencin,
testeo, clasificacin y control de fenmenos ESD. En USA el uso de estndares es
voluntario, aunque es comn que se usen en contratos privados. En la mayora del
resto del mundo el uso es obligatorio y existen organismos oficiales que se ocupan
de su control y cumplimiento.
Los estndares actuales se pueden dividir en tres grupos. Primero estn aquellos
que proveen guas o requerimientos de programas ESD. En este grupo se hallan,
por ejemplo, documentos como ANSI/ESD S8.1-ESD Awareness Symbols, ESD ADV2.0-
ESD Handbook, EIA 625-Requirements for Handling Electrostatic Discharge Sensitive Devi-
ces, MIL-STD-1686-Electrostatic Discharge Control Program, o EN100015-Protection of
Electrostatic Sensitive Devices.
Un segundo grupo cubre los requerimientos para productos o procedimientos espe-
cficos tales como el empaque o puesta a tierra. Ejemplos tpicos de este grupo son
ANSI/ESD S6.1-Grounding o EIA 541-Packaging of Electronic Products for Shipment.
Un tercer grupo de documentos cubre los mtodos de testeo para evaluar productos
y/o materiales. Histricamente, la industria electrnica se ha basado en mtodos de
testeo desarrollados para otras industrias u otros materiales (por ejemplo ASTM-257-
DC Resistance or Conductance of Insulating Materials). Hoy existen estndares desarro-
llados especficamente para productos electrnicos. Incluyen ejemplos como ESD
S5.1-Device Testing, Human Body Model and ANSI/ESD S7.1: Floor Materials -- Resistive
Characterization.
Tradicionalmente los estndares militares como MIL-STD-1686 - Electrostatic Dischar-
ge Control Program y MIL-HDBK-263 - Electrostatic Discharge Control Handbook (USA)
se han usado como guas para la confeccin de documentos para uso comercial.
En Europa, CENELEC ha publicado un estndar europeo de ESD: EN100015 - Pro-
tection of Electrostatic Sensitive Devices. Actualmente la IEC est desarrollando una
serie amplia de estndares que en el futuro reemplazar a este documento.
Japn ha publicado una propuesta de estndar sobre ESD, que rene muchos as-
pectos de los documentos norteamericanos y europeos.
RESUMEN
En este Captulo comenzamos la descripcin de los campos electromagnticos.
Comenzamos el estudio de las interacciones electromagnticas con el caso ms senci-
llo: las interacciones estticas (cuerpos cargados en reposo relativo entre s) de dos
cuerpos puntuales (partculas) en los que despreciamos la estructura interna de la
distribucin de carga elctrica en el cuerpo y su posible reacomodamiento frente a la
interaccin con otro cuerpo.
Este caso ideal se puede describir mediante la ley de Coulomb, que surge de las
q2 investigaciones experimentales lleva-
z F21
R21 1 q1 q 2
q1 F21 = R 21 F12 = F21
4 0 R 2
F12 21
r2 1 q1 q 2
F(r ) = R
r1 4 0 R 2
y = r r
R 21 = R21R 21 2 1
con:
R = R R = r r
x
das a cabo entre 1785 y 1791 por
Charles-Augustin Coulomb, ingeniero militar francs que emprendi estos estudios
con la esperanza de hallar una ley de fuerzas similar a la hallada por Newton para
la gravitacin, dependiente de la inversa del cuadrado de la distancia entre los
cuerpos interactuantes. Para ello dise y utiliz la balanza de torsin. Aos des-
pus Henry Cavendish us el mismo dispositivo para "medir" la constante gravi-
tatoria de la ley de Newton e inferir la masa de la Tierra a partir de la aceleracin
de la gravedad sobre su superficie.
En rigor, la ley de Coulomb, as como la ley de gravitacin de Newton, son vlidas
solamente para un par de cuerpos interactuantes. Para extender su validez a ms
cuerpos simultneamente inte-
ractuantes se debe postular el
principio de superposicin, que
vale para interacciones lineales,
donde la suma (o superposicin)
de las causas lleva a la suma de
los efectos.
Estos modelos son modelos
de interaccin a distancia. Sin
que conozcamos el mecanismo subyacente de la interaccin, se observa que cuer-
pos elctricamente cargados se influencian de manera que tal influencia altera sus
estados de movimiento y se puede describir me-
diante una accin o fuerza a distancia. La interac-
cin a distancia descripta por la ley de Coulomb
depende nicamente de la distancia entre los cuer-
pos interactuantes. Por lo tanto, si se deja mover a
los cuerpos, la distancia cambia instante a instante y la fuerza de interaccin de-
bera cambiar en forma concomitante. Sin embargo se observa que hay un retardo
PROBLEMAS
2.1) Un electroscopio mide la carga a partir de la desviacin angular de dos esfe-
ras conductoras idnticas muy pequeas de masa M suspendidas por cuerdas
aislantes de pesos despreciables de longitud L. Se deposita una carga total Q so-
bre las esferas del electroscopio. El ngulo , medido desde la vertical obedece
una relacin de la forma tan sen 2 = constante
Cul es la constante? [Respuesta: Q2/640L2Mg]
2.2) Una lnea de longitud L uniformemente cargada con Q est ubicada a una
distancia R de otra carga puntual q como se indica en la figura. Hallar la fuerza
que la carga ejerce sobre la lnea.
z
R
x
2.3) Un disco tiene una densidad superficial de carga = r2 donde es una
constante y r es la distancia al centro del disco. El radio del disco es R. Hallar el
campo elctrico sobre el eje del disco a una distancia z. Graficar E en funcin de z
y observar donde es discontinuo. Cmo se modifican las expresiones si el disco
est centrado en z 0 z ?
2.4) Un cilindro metlico muy largo, hueco de radio R est conectado a tierra. So-
bre el eje del cilindro hay una distribucin de carga lineal . a) Calcular y graficar
el campo elctrico y el potencial en todo el espacio. b) Hallar la densidad de car-
ga superficial inducida sobre la superficie del cilindro.
2.6) Se tiene una esfera no conductora de radio a cargada con una densidad vo-
lumtrica . La esfera est adentro de otra esfera metlica hueca de radio b > a
conectada a un potencial V0. Halle: a) el campo elctrico en todo punto, b) la car-
ga inducida en la esfera metlica y c) el potencial en todo punto.
[Respuesta: Qind = 40bV - (4/3)a3]
h
d
0
Va
L
[Respuesta: V = 4hdVa/L2]