CURVA CARACTERISTICAS DEL TRANSISITOR DE JUNTURA BIPOLAR

(BJT)
1. OBJETIVOS
Evaluar la caracterstica del entrada: Base Emisor, del transistor NPN
Evaluar la caracterstica de salida: Colector . Emisor, del transistor NPN
Cuantificar los parmetros que permite modelar al transistor, en pequea seal
2. FUNDAMENTO TEORICO

INTRODUCCIN
El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de corriente a
travs de sus terminales

El smbolo de un transistor NPN

El smbolo de un transistor PNP

D e esta manera quedan formadas tres regiones:

Corte transversal simplificado de un transistor de

unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar
como la unin base-colector es mucho ms
amplia que la base-emisor.

Emisor que se diferencia de las otras dos or estar fuertemente dopada

comportndose como un metal.
Base, la intermedia, muy estrecha que separa el emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.

HISTORIA

El transistor fue descubierto en diciembre de 1947 y dado a conocer en Junio

de 1948, en los laboratorios Bell por Bardeen , Brattain y Shockley. Estos
cientficos buscaban un sustituto de los tubos de vaco, comnmente llamados
vlvulas. Descubrieron el transistor de punta de contacto. Ms tarde Shockley
cre el transistor de unin. En julio de 1951 los laboratorios Bell anuncian la
creacin de este dispositivo y en septiembre del mismo ao patentaron su
tecnologa de fabricacin para ambos tipos de transistor vendindolas a 25000
$. ste fue el principio de la industria del transistor. Los primeros en comprarlas
fueron RCA, Raytheon, General Electric,Texas Instruments y Transitron .

MODOS DE OPERACIN DEL TRANSISTOR

Transistor como interruptor

La funcin del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un

dispositivo mecnico: o bien deja pasar la corriente, o bien la corta. La
diferencia est en que mientras en el primero es necesario que haya algn tipo
de control
mecnico, en el
BJT la seal
de control es
electrnica. En la
Figura 3 se muestra
la aplicacin
al
encendido de una
bombilla.

Figura 3: El transistor bipolar como interruptor de corriente

En el primer caso, bajo la seal de control adecuada, que es introducida a

travs de la base, el transistor se comporta como un circuito abierto entre el
emisor y el colector, no existe corriente y la bombilla estar apagada. En el
segundo caso, cambiando la seal de control, se cierra el circuito entre C y E, y
los 12 V se aplican a la bombilla, que se enciende. Este funcionamiento entre
los estados de corte y conduccin se denomina operacin en conmutacin. Las
aplicaciones tpicas de este modo de operacin son la electrnica de potencia y
la electrnica digital, en la que los circuitos operan con dos niveles de tensin
fijos equivalentes al 1 y 0 lgicos.

Transistor como resistencia variable

En la Figura 4 se presenta la comparacin entre un potencimetro y un

transistor colocados en un circuito.
 Figura 4: Transistor bipolar operando como resistencia variable

Si el valor de la resistencia del potencimetro se fija en 5 kW, la tensin de

salida VOUT ser de 5 V. Al aumentar esta resistencia, la salida tambin
aumentar de valor. Por ejemplo, con 20 kW VOUT resulta ser 8 V. Modificando el
valor del potencimetro se puede obtener cualquier valor en la salida
comprendido entre 0 V y 10 V, ya que:

Al igual que en el potencimetro, en el transistor se puede ajustar su

resistencia entre colector y emisor, con la diferencia de que la seal de mando
no es mecnica, sino elctrica a travs de la base. Como se ver ms adelante,
con una pequea seal aplicada en la base puede gobernarse el BJT, con lo que
aparece un concepto nuevo: la amplificacin de seales. Esta funcin es la
base de la electrnica analgica, aquella en la que se procesan seales de
tensin respetando su forma de onda temporal.

PRINCIPIO DE OPERACIN

En este apartado se va a trabajar exclusivamente con el transistor NPN. No

obstante, . cabe sealar que los razonamientos necesarios
para entender el transistor PNP son . . completamente
anlogos, por lo que se deja al lector la tarea de deducir los modelos M
. caractersticos de su funcionamiento.
En la Figura 2 pueden verse las dos uniones PN del transistor: la unin Base-
Emisor (BE), y la unin Base-Colector (BC). Cada una por separado constituye
un diodo, pero la conjuncin de ambas provoca un efecto nuevo, denominado
efecto transistor. Obviamente, el estado global del transistor depende de la
polarizacin, directa (PD) o inversa (PI), de las dos uniones.
Los casos posibles se adjuntan en la tabla siguiente:

Unin Unin Estado

 PI PI Corte
PD PD Saturacin
PD PI RAN
PI PD RAI
Los dos ltimos casos, la Regin Activa Normal (RAN) y la Regin Activa Inversa
(RAI) son conceptualmente similares. Si el transistor fuera simtrico,
estaramos ante la misma regin de funcionamiento, solo que con los
terminales intercambiados. Sin embargo el colector y el emisor se fabrican de
forma diferente, precisamente para adaptar su funcionamiento a la RAN. Por
ello no se suele trabajar en la RAI. Una vez aclarado este punto se va a analizar
el funcionamiento en cada regin de operacin.
Regin de Corte
Como elemento bsico para la discusin en este apartado se va a emplear el
circuito de la . Figura 5.

Figura 5: Transistor BJT polarizado en la regin de corte

En el circuito de la Figura 5:

En este caso las dos uniones estn polarizadas en inversa, por lo que existen
zonas de
depleccin en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores
de carga . mviles, por lo tanto, no puede establecerse
ninguna corriente de mayoritarios. Los . portadores minoritarios s
pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero dan .
lugar a corrientes muy dbiles. Por lo tanto, un transistor en corte equivale a
efectos . prcticos, a un circuito abierto.
A partir de esta definicin, se pueden deducir fcilmente los modelos
matemtico y circuital simplificados para este estado. El transistor
BJT en la regin de corte se resume en la Figura
 Figura Modelo del en corte para seales de continua
Obviamente, en estos modelos no se tiene en cuenta el efecto de las
corrientes de fuga de las . dos uniones, y slo son vlidos para
realizar una primera aproximacin al comportamiento de , un circuito.
Regin Activa Normal
Para facilitar el estudio y comprensin de los fenmenos que suceden cuando
se polariza el . transistor en RAN, se va a analizar en primer lugar
el comportamiento del transistor en las . situaciones descritas en
la Figura 8 a) y b).

Figura 8: Transistor NPN.

En la Figura 8 a), como la tensin E C est aplicada al colector, la unin base-
colector estar polarizada en inversa. A ambos lados de la unin
se crear la zona de depleccin, que impide la corriente de portadores
mayoritarios. No existir corriente de colector significativa, y el
transistor se encontrar operando en la regin de corte
En el caso de la Figura 8 b), la fuente EB polariza la unin base-emisor en
directa, que se comporta como un diodo normal, es decir, la
zona P inyecta huecos en la zona N, y esta . electrones en
aquella. Si el dopado de la base es muy inferior al del emisor, la inyeccin de
. huecos ser muy inferior a la de electrones, y se puede describir el
proceso as: el emisor inyecta electrones en la base. Estos se
recombinan con los huecos que provienen de la fuente de
alimentacin y se crea una corriente I B. En este caso el colector no entra en
juego.
La operacin en RAN se da cuando la unin BE se polariza en directa y la BC en
inversa. Los tres puntos caractersticos de esta regin de operacin
son:
1. Corriente de colector no nula: conduccin a travs de la unin BC pese a
que est polarizada en inversa.
2. La corriente de base es muy inferior a la de colector.
3. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base.

Figura 9: Transistor NPN en RAN.

Conduccin a travs de la unin BC
En el circuito de la Figura 9 la unin BE se polariza en directa, mientras que si
EC es mayor que EB, la unin BC estar en inversa, luego no debera circular
corriente a travs de esta ltima. Lo que sucede es que el emisor (tipo N)
inyecta electrones en la base (tipo P), en la que los portadores mayoritarios son
los huecos, y los minoritarios son los electrones. Como se explic
anteriormente, una unin PN en inversa bloquea el paso de mayoritarios, pero
no de minoritarios (que constituyen la corriente de fuga en inversa). Por lo
tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atrados por el
potencial positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unin BC, y dar
origen a la corriente de colector IC. Mediante el emisor, se inunda la base de
electrones, aumenta drsticamente el nmero de portadores minoritarios del
diodo base-colector, con lo que su corriente inversa aumenta tambin.
As que la primera contradiccin queda resuelta. El diodo BC no conduce
realmente en inversa, sino que sus corrientes de fuga se equiparan con la
corriente normal gracias al aporte de electrones que provienen del emisor.
La corriente de base es muy inferior a la de colector
En este punto de la explicacin surge una pregunta: y por qu los electrones
llegan hasta la unin BC y no se recombinan como en la Figura 8.b)?. La Figura
10 muestra la distribucin de corrientes.

Figura 10: Distribucin de corrientes en un transistor NPN en RAN.

Si la base es estrecha y est poco dopada, es relativamente probable que un
electrn la atraviese sin encontrarse con un hueco. Tpicamente, los BJT se
construyen para que se recombine el 1% de los electrones. En este caso se
obtiene una ganancia de corriente de 100, es decir, la corriente de base es 100
veces inferior a la del colector. Como la corriente de emisor es la suma de estas
dos, es obvio que su valor es cercano al de la corriente de colector, con lo que
en la prctica se consideran iguales (slo operando en RAN).
La corriente de colector es proporcional a la corriente de base
Centrando la atencin en la recombinacin de los electrones en la base
procedentes del emisor. All donde haba un hueco pasa a haber, tras la
recombinacin, un ion negativo inmvil. Si desaparecen los huecos de la base y
se llena de iones negativos, se carga negativamente, y se repelen los
electrones procedentes del emisor. En este caso se impedira la circulacin de
corriente, es decir, es necesario que la corriente de base reponga huecos para
que haya corriente de colector.
Por tanto, por cada electrn recombinado hay que introducir un hueco nuevo
que neutralice la carga negativa. Si la reposicin de huecos es lenta (corriente
IB pequea), la capacidad de inyectar electrones ser baja, debido a la
repulsin elctrica. Este fenmeno tiene la propiedad de ser aproximadamente
lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional denominado ganancia directa de

corriente, o bien ganancia esttica de corriente.
Resumiendo.
El transistor bipolar operando en la RAN se comporta como un amplificador
de corriente. La corriente dbil se reproduce amplificada en un factor

en .
Los modelos y condicin de existencia se presentan en la Figura 11. De nuevo
hay que resear que se trata de un modelo muy simplificado, que slo da
cuenta de los fenmenos bsicos sealados anteriormente.

Figura 11: Modelo del BJT en RAN para seales de continua.

La condicin de corriente de base mayor que cero se refiere a corriente
entrante en el dispositivo, es decir, la corriente debe entrar por la base para
que el est en RAN. Para los valores habituales de I B, la tensin VBE se sita
en torno a los 0,7 V. Por ello, en muchas ocasiones se toma este valor para
realizar un anlisis aproximado de los circuitos.
Regin de Saturacin
Supongamos que tenemos un transistor polarizado en la RAN segn el circuito
de la Figura 7). En la tabla de resultados del ejemplo 2 queda claro que segn
aumenta la tensin EB (o bien la corriente IB) el valor absoluto de la tensin V BC
disminuye. Llegar un momento en el que, si I B crece lo suficiente VBC cambiar
de signo y pasar a ser positiva. En ese instante, la unin BC dejar de estar
polarizada en inversa, y entrar en polarizacin directa. La consecuencia es
que el colector pierde su capacidad de recolectar electrones, y la corriente IC
resulta ser inferior al valor IB.

Figura 14: Transistor BJT polarizado en la regin de saturacin

Por otra parte, segn se muestra en la Figura 14, al estar las dos uniones
polarizadas en directa, la tensin entre el colector y el emisor en saturacin
ser:
VCE SAT = VBE ON - VBC ON
Si los diodos BE y BC fueran idnticos, la tensin de conduccin de ambos sera
prcticamente igual, y entonces la tensin VCE SAT sera nula. Sin embargo, tal y
como se ha comentado anteriormente, el colector y el emisor se fabrican con
distintas caractersticas. Normalmente la tensin VBE ON es aproximadamente
igual a 0,7 V, mientras que VBC ON se sita en torno a los 0,5 V. Ello conlleva una
tensin cercana a 0,2 V. Dado que la tensin de codo de los diodos permanece
prcticamente constante para las corrientes de operacin habituales, la tensin
VCE SAT es tambin independiente de las corrientes I B IC. Con ello el transistor
pierde su capacidad de gobierno sobre la corriente de colector, que ser
controlada nicamente por el circuito externo.
Anlogamente al resto de regiones de funcionamiento, tambin puede hallarse
un modelo simplificado para realizar clculos con un transistor polarizado en la
regin de saturacin:

Figura 15. Modelo simplificado del BJT en saturacin.

Como puede observarse, en este modelo se toma la tensin V CE SAT nula, pero
podra considerarse cualquier valor sin ms que incluir una fuente de tensin
independiente del valor deseado entre el colector y el emisor.
A modo de recapitulacin,
La siguiente figura muestra la evolucin global de I C con respecto a EB, donde
se puede apreciar el paso del transistor por las tres regiones de operacin.

Figura 16: Grfica frente a .

Curvas Caractersticas del punto de Operacin

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis
parmetros para determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres
corrientes. Aplicando las leyes bsicas de resolucin de circuitos pueden
presentarse dos ecuaciones:

Por ello, los parmetros independientes se reducen a cuatro. En un circuito

determinado y bajo la accin de unas excitaciones concretas, existirn unos
valores de estos cuatro parmetros que caracterizan por completo el estado
del transistor. Dicho cuarteto se denomina punto de operacin (Q).
Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que relacionan
VBE con IB y VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los
fabricantes.
Caracterstica VBE-IB
La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse
todo lo dicho cuando se estudi aqul.

Figura 17: Caracterstica IB-VBE.

La curva representada en la Figura 17 sigue la expresin:

4.3.2 Caracteristica VCE-IC

Segn lo explicado hasta ahora, la caracterstica V CE - IC debera ser la
siguiente:
 Figura 18: Caracterstica VCE -IC ideal.
Idealmente, en la RAN la corriente de colector depende exclusivamente de la
de base, a travs de la relacin . Por lo tanto, en el plano - , la
representacin estar formada por rectas horizontales (independientes de V CE)
para los diversos valores de IB (en este caso se ha representado el ejemplo
para ). Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de I B para
no emborronar el grfico. Para , la corriente de colector tambin debe ser
nula. La regin de corte est representada por el eje de abscisas. Por contra,
para el transistor entra en saturacin, luego esta regin queda
representada por el eje de ordenadas.
Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la
realidad es un poco ms compleja (Figura 19):

Figura 19: Caracterstica - real.

Las diferencias son claras:
En la RAN la corriente de colector no es totalmente independiente de la
tensin colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la
resistencia interna del transistor.

La regin de saturacin no aparece bruscamente para , sino que

hay una transicin gradual. Tpicamente se suele considerar una tensin de
saturacin comprendida entre 0,1 V y 0,3 V.
Principales Parmetros Comerciales
De entre los numerosos datos que suministran los fabricantes de componentes
electrnicos, con respecto a los transistores cabe destacar los siguientes:
Tensin mxima en entre colector y emisor, colector-base y emisor-base
(VCEO, VCBO y VEBO): son las tensiones mximas a las que se puede someter a los
 terminales del transistor. Tensiones mayores pueden provocar una ruptura en
inversa y la destruccin del transistor.

Corriente continua mxima de colector, : es la corriente mxima

que puede circular por el colector sin que el transistor sufra ningn dao.
Ganancia de corriente en DC (DC Current Gain): se suele especificar la
ganancia para varios puntos de operacin, incluso pueden ser suministradas
las grficas de la ganancia en funcin de la corriente de colector. La fluctuacin
de su valor es debida a los efectos de segundo orden.
Tensiones de saturacin VCE(sat), VBE(sat): son las tensiones que aparecen
entre los terminales en la regin de saturacin.
Potencia mxima disipable (Total Device Dissipation):

es la potencia mxima que puede disipar el transistor sin

sufrir ningn dao.
Adems es habitual facilitar la influencia de la temperatura en el
funcionamiento del transistor.
MODELOS DELTRANSISTOR BIPOLAR
Existen dos tipos principales de seales aplicadas al transistor BJT:
Seales de continua
Seales de alterna de pequea amplitud que oscilan respecto a un punto
de operacin en RAN
En este apartado se presentan modelos del transistor BJT vlidos para el
anlisis de ambas situaciones. En primer lugar se presenta el modelo de Ebers-
Moll, con el que puede realizarse el clculo de las corrientes y tensiones de
polarizacin de un transistor sea cual fuere su regin de operacin. A partir de
las ecuaciones dictadas por este modelo, se deducen posteriormente las
expresiones necesarias para el anlisis de seales de alterna de pequea
amplitud, a travs del modelo de parmetros hbridos.
3. TOMA DE DATOS
V BE ( mV ) PARAMETRO
V CE =0 V V CE =2V V CE =4 V V CE =6 V

0
500
550
600
650
700

V CE ( V ) PARAMETRO
I B=5 uA I B=10 uA I B=20 uA I B=40 uA I B=60 uA I B=80 uA

0 0 0 0 0 0 0
1 1.4 2.9 5.7 11.4 16.8 21.6
2 1.4 3 5.8 11.8 17.2 23.1
4 1.3 2.9 5.8 12.1 18.4 24.5
6 1.2 3.1 6.1 12.4 19.4 26.6
8 1.3 3 6.3 13.3 20.7 28.4
 I B=40 uA

V CE V BE (mV )

5.5 v 674 mV
4.0 v 680 mV

4. TRABAJO Y DESARROLLO, POSTERIOR A LA ADQUISICION DE DATOS

EXPERIMENTALES
A partir de la tabla 1 graficar la corriente base en funcin del
voltaje emisor parmetro voltaje colector emisor

A partir de la tabla, graficar la corriente de colector en funcin

del voltaje colector emisor parmetro corriente base
 Considere variaciones de corriente de colector, para las
variaciones de voltaje entre 4 y 6 voltios, de la tabla 2 y
determine el parmetro
hCE

hCE =4 v

Considere variaciones de voltaje colector emisor y sus

correspondientes variaciones del voltaje base emisor, de la tabla
h
t3 y determine
h =2

Considere variaciones de corriente de base, entre 40 y 60 uA y

sus correspondientes variaciones de corriente de colector de la
tabla 2 y determine el parmetro
h fe=2.7

Considere variaciones del voltaje de base -emisor , entre 600 y

650 mv y sus correspondientes variaciones de corriente base, de
la tabla 1 determine el parmetro
hie =6.3

A partir de los datos experimentales de las tres tablas anteriores,

elegir el punto de operacin
V ce=4 v ;
i b=40uA ; calcular las

resistencias de polarizacin, considere una fuente

V cc=10 v

R1 =15.75 k
R2 = 7.5k
R3 = 266
R4 = 133