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DISEO DE AMPLIFICADOR MULTIETAPAS

PRESENTADO POR:
PABLO ANDRES GUERRERO PALACIOS CODIGO. 1091077

PRESENTADO A :
ING. KARLA PUERTO LOPEZ

UNIVERSIDAD FRANCISCO DE PAULA SANTANDER


FACULTAD DE INGENIERIA
INGENIERIA ELECTRONICA
ELECTRONICA I
SAN JOSE DE CUCUTA
2015
INTRODUCCION

Los transistores son dispositivos semiconductores capaces de amplificar una


seal con las mismas caractersticas de la seal amplificada. La disposicin de
estos transistores hace que esta amplificacin se ajuste a diferentes
necesidades.

Se disear un amplificador multietapa para conseguir una ganancia (Av.)


equivalente con una variacin entre 10 a 13. Se utilizarn las ecuaciones de
diseo para encontrar los valores de ganancia deseados.
OBJETIVOS

Objetivo General

Disear, implementar y evaluar un amplificador multietapa.

Objetivos Especficos

Disear y evaluar amplificadores multietapas discretos e integrados empleando


las diferentes tcnicas de variacin de la ganancia

Utilizar ORCAD 16.3 Para la simulacin de cada uno de los parmetros ms


importantes de los amplificadores multietapas.
MARCO TEORICO

Amplificador Multietapa es un circuito capaz de procesar las seales de


acuerdo a la naturaleza de la aplicacin. El amplificador sabr extraer
informacin de toda seal, de tal manera, que permita mantener o mejorar las
caractersticas del sensor o transductor utilizado nuestra aplicacin. Por
ejemplo: Si la aplicacin est inmersa en algn tipo de ruido, el amplificador no
deber amplificar el ruido, es ms, debe atenuarlo de toda la seal y/o del
medio imperante. Un criterio universal al plantearse el diseo de un
amplificador, consiste en, seleccionar la primera etapa de este como un pre
amplificador, es decir, como un amplificador que permita preparar
adecuadamente la fuente de seal para ser posteriormente procesada y
amplificada. Una segunda etapa, consistir netamente en obtener amplificacin
de o las variables involucradas. En muchos casos, y con el fin de evitar niveles
de saturacin, se reserva ms de una etapa para esta tarea. Por regla general,
la etapa final ser exclusivamente una etapa de potencia. Esta etapa, es en
realidad la que permite la materializacin de nuestra aplicacin en un ambiente
completamente ajeno a las pequeas seales.
DISEO DEL AMPLIFICADOR MULTIETAPAS

El diseo est conformado por tres etapas de las cuales dos de ellas son
colector comn y una emisor comn, acopladas como se muestra en el
siguiente esquema:

EMISOR EMISOR
100 mVp COMUN COMUN
(INVERSOR) (INVERSOR)

COLECTOR
1-1.3 Vp
COMUN
(SEGUIDOR)

ANALISIS DEL AMPLIFICADOR MULTETAPAS

1. ETAPA 1: EMISOR COMUN (SEGUIDOR)


Para el anlisis de la primera etapa del multietapas se asumi la corriente de
vcc
colector (Ic) y el voltaje colector-emisor (Vce) como 2 , con un transistor
de beta igual a 164 medido con el multmetro.

(Ic= 0.6mA ; Vcc= 12v ; Vce= 6V ; = 164 ; Av= -3)

De acuerdo a los datos asumidos iniciamos con el anlisis de la malla externa


por LVK.

VccRcIcVceReIe=0

Como Ie es aproximadamente Ic ( Ie Ic )

VccRcIcVceReIc =0

Despejamos Rc y Re

VccVce
Rc+ =
Ic

Reemplazamos los valores y despejamos Re

126
= Rc
(0.6 mA )

=10 kRc

Hallamos R

Vt ( 25 x 10 ) ( 164 )
3
R= =
Ic ( 0.6 x 103 )

R=6.38 K

Con la ganancia de salida asumida hallamos Rc

Vo=IbRc
Vin
Ib=
R + ( +1)

Vo Rc
Av = =
Vin R+ ( +1)

Rc
Av =
R + ( +1)

=10 kRc

Av (R + ( +1 ) (10 kRc))=Rc

AvR+ Av((10 kRc) ( +1 ))=Rc

AvR+ Av( ( 10 kRc ) ( +1 ) )=Rc

AvR+ Av( ( 10 kRc ) ( +1 ) )=164 ( Rc )

36.83 k 3( ( 10 kRc )( 165 )) =164 ( Rc )

36.83 k 3 ( ( 1.65 M 165 Rc ) )=164 ( Rc )

20.49 k 4.95 M +495 Rc=164 ( Rc )

659 Rc=4.97 M

4.97 M
Rc=
6597

Rc=7.5 k

Resistencia comercial 8.2k

Una vez hallado Re podemos hallar Re

=10 k 8.2 k
=1.8 k

Hacemos un LVK para determinar Vc.

VccRcIcVc=0

Vc=VccRcIc

Vc=12( 8.2 k ) ( 0.6 x 103 )

Vc=7.08V

Por medio del voltaje colector-emisor (Vce) hallamos Ve

Vce=VcVe

Ve=VcVce

Ve=7.08V 6 V

Ve=1.08V

Por medio del voltaje base-emisor (Vbe) hallamos Vb

Vbe=VbVe

Vb=Vbe+Ve

Vb=0.7 V +1.08 V

Vb=1.78 V

El voltaje de base hallada va ser igual al voltaje Thevenin (Vb=Vth)

VccR 2
Vth=
R 1+ R 2
Vth R2
=
Vcc R 1+ R 2

R1 R 2
Rth=
R 1+ R 2

Rth R2
=
R 1 R 1+ R 2

Igualamos ambas ecuaciones y despejamos R1

Vth Rth
=
Vcc R1

Vcc
R 1=Rth
Vrt

Rth la hallamos con la siguiente ecuacin

Rth=0.1 Re=0.1 (164 ) ( 1.8 k )

Rth=29.52 k

Ahora hallamos R1

12 V
R 1=( 29.52 k )
1.78 V

R 1=199 k

Resistencia comercial 220k

Con la formula de Rth despejamos y hallamos R2

R1 R 2
Rth=
R 1+ R 2
RthR 1
R 2=
R 1Rth

( 29.52k ) ( 199 k )
R 2=
( 199 k )( 29.52 k )

R 2=34.66 k

Resistencia comercial 33k

2. ETAPA 2: EMISOR COMUN (SEGUIDOR)


Para el anlisis de la segunda etapa del multietapa se asumi la corriente del
vcc
colector (Ic) y el voltaje colector-emisor (Vce) como 2 , con un transistor

de beta igual a 164 medido con el multmetro. Para esta etapa repetimos el
mismo proceso que la etapa anterior.

(Ic= 0.6mA ; Vcc= 12V ; Vce= 6V ; = 164 ; Av= -4)

De acuerdo a los datos asumidos iniciamos con el anlisis de la malla


externa.

LVK:
VccRcIcVceReIe=0

Como Ie es aproximadamente Ic ( Ie Ic )

VccRcIcVceReIc =0

Despejamos Rc y Re
VccVce
Rc+ =
Ic

Reemplazamos los valores y despejamos Rc

126
Rc=
(0.6 mA )
Rc=10 k

Hallamos R

Vt
R=
Ic

( 25 mV )( 164 )
Rth=
( 0.6 mA )

R=6.85 k

Con la ganancia de salida asumida hallamos Rc

Vo=IbRc

Vin
Ib=
R + ( +1)

Vo Rc
Av = =
Vin R+ ( +1)

Rc
Av =
R + ( +1)

=10 kRc

Av (R + ( +1 ) (10 kRc))=Rc

AvR+ Av((10 kRc) ( +1 ))=Rc

AvR+ Av( ( 10 kRc ) ( +1 ) )=Rc

AvR+ Av( ( 10 kRc ) ( +1 ) )=164 ( Rc )

46.83 k 4( ( 10 kRc )( 165 ) ) =164 ( Rc )

46.83 k 4( ( 1.65 M 165 Rc ) ) =164 ( Rc )


27.3 k 6.6 M +660 Rc=164 ( Rc )

624 Rc=6.62 M

6.62 M
Rc=
624

Rc=8.04 k

Resistencia comercial 8.2k

Una vez hallado Re podemos hallar Re

=10 k 8.2 k

=1.8 k

Hacemos un LVK para determinar Vc.

VccRcIcVc=0

Vc=VccRcIc

Vc=12( 8.2 k ) ( 0.6 x 103 )

Vc=7.08V

Por medio del voltaje colector-emisor (Vce) hallamos Ve

Vce=VcVe

Ve=VcVce

Ve=7.08V 6 V

Ve=1.08V

Por medio del voltaje base-emisor (Vbe) hallamos Vb


Vbe=VbVe

Vb=Vbe+Ve

Vb=0.7 V +1.08 V

Vb=1.78 V

El voltaje de base hallada va ser igual al voltaje Thevenin (Vb=Vth)

VccR 2
Vth=
R 1+ R 2

Vth R2
=
Vcc R 1+ R 2

R1 R 2
Rth=
R 1+ R 2

Rth R2
=
R 1 R 1+ R 2
Igualamos ambas ecuaciones y despejamos R1

Vth Rth
=
Vcc R1

Vcc
R 1=Rth
Vrt

Rth la hallamos con la siguiente ecuacin

Rth=0.1 Re=0.1 (164 ) ( 1.8 k )

Rth=29.52 k

Ahora hallamos R1

12 V
R 1=( 29.52 k )
1.78 V
R 1=199 k

Resistencia comercial 220k

Con la formula de Rth despejamos y hallamos R2

R1 R 2
Rth=
R 1+ R 2

RthR 1
R 2=
R 1Rth

( 29.52k ) ( 199 k )
R 2=
( 199 k )( 29.52 k )

R 2=34.66 k

Resistencia comercial 33k

3. ETAPA 3: SEGUIDOR EMISOR COMUN


Para el anlisis de la tercera y ultima etapa del multietapa se asumi la
vcc
corriente del colector (Ic) y el voltaje colector-emisor (Vce) como 2 , con un
transistor de beta igual a 276 medido con el multmetro.

(Ic= 3mA ; Vcc= 12V ; Vce= 6V ; = 160)

Ic
Ib=

3 mA
Ib=
160

Ib=18.75uA

De acuerdo a los datos asumidos iniciamos con el anlisis de la malla externa


para hallar la resistencia del emisor (Re).

VccVceReIe=0

Como Ie es aproximadamente Ic ( Ie Ic )

VccVce
=
Ic

12 V 6 V
=
( 3 mA )

=2 k

Resistencia comercial 2.2k

Hallamos Rth con la siguiente ecuacin

Rth=0.1 Re

Rth=0.1 ( 160 ) ( 2.2 k )

Rth=35.2 k
Hallamos Vth con la siguiente ecuacin

Vth=RthIb+ 0.7+ Ic

Vth=35.2k18.75 uA+ 0.7+2.2 k3 mA

Vth=7.96 V

R2
Vth=Vcc
R 1+ R 2

Vth R2
=
Vcc R 1+ R 2

Vth
R 1= R2
Vcc

12V
R 1= R2
7.96 V

R 1=1.5R 2

Hallamos R1

1 1 1
Rth=( + )
R1 R2

1 1 1
35.2 k=( + )
1.5R 2 R 2

R 2=58.66 k

Resistencia comercial 51k


Despejamos R1 de la ecuacin anterior

R 1=1.5R 2

R 1=76.5 k

Resistencia comercial 82k

Hallamos R

Vt ( 25 mV )( 160 )
R= =
Ic ( 3 mA )

R=1.33 k

Una vez hallada las resistencias hallamos la ganancia de voltaje del


seguidor

( +1 )
Av =
R + ( +1 )

( 161 ) ( 2.2 k )
Av =
( 1.33 k )+ (161 ) ( 2.2 k )

Av =0.996
MULTIETAPAS CON RESISTENCIAS COMERCIALES

SIMULACIONES DEL MULTIETAPA

VOLTAJES

CORRIENTES

GANANCIA DE VOLTAJE
IMPEDANCIA DE ENTRADA

IMPEDANCIA DE SALIDA
TABLA DE DATOS COMPARATIVOS

ETAPA1
VARIABLE TEORICO SIMULADO EXPERIMENTAL
Ic 0.6mA 0.46mA 0.53mA
Vce 6V 7.3V 6.8V
Av 3 4.04 4

ETAPA2
VARIABLE TEORICO SIMULADO EXPERIMENTAL
Ic 0.6mA 0.46mA 0.53mA
Vce 6V 7.3V 6.8V
Av 4 4.04 4

ETAPA3
VARIABLE TEORICO SIMULADO EXPERIMENTAL
Ic 3mA 1.583mA 1.84mA
Vce 6V 8.5V 8V
Av 0.996 0.992 0.994

MULTIETAPAS
VARIABLE TEORICO SIMULADO EXPERIMENTAL
Av 11.95 11.27 10.9
Zin 26.9k 26.24k 26.5k
Zout 47.46 55.21 51.3

CONCLUSIONES
Se evidenci que una mnima variacin de los valores de las resistencias o
voltajes en las fuentes, causa grandes variaciones en los valores de ganancia
de nuestro diseo.

Los clculos y simulaciones en Orcad 16.3, permiti observar las


caractersticas de cada elemento, y as poder tener una idea de dichos
elementos para poderlo llevar a la prctica.