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SIMBOLOGIA GENERAL
NOMBRE SIMBOLO NOMBRE SIMBOLO

Diodo
Diodo Zener
Rectificador

Diodo Led Fotodiodo

Diodo Tunel Diodo Schottky

Transistor BJT Transistor BJT

Transistor JFET Transistor JFET

 Transistor Transistor
MOSFET MOSFET
DEPLEXION DEPLEXION

Transistor Transistor
MOSFET MOSFET
ACUMULACIO ACUMULACIO
N N

Transistor Rectificador
MOSFET Controlado
DOBLE de Silicio (SCR)
PUERTA (TIRISTOR)

Triodo Diodo
Alternativo Alternativo
de Corriente de Corriente
(TRIAC) (DIAC)

Transistor
Transistor
Unionin
Uniunin
Programable
(UJT)
(PUT)

Conmutador Conmutador
Unilateral Bilateral
de Silicio (SUS) de Silicio (SBS)

Optoacoplador Regulador
(Optotriac) Integrado
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Transistor
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la
contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los aparatos domsticos de
uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos
de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes
de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes,

equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, Transistor de

efecto campo
De Wikipedia, la enciclopedia libre
(Redirigido desde Transistor de efecto de campo)
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El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una

familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de
un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.

reproductores mp3, telfonos mviles, etc.

Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin,
donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente
entre drenador y fuente. son usados extenssimamente en electrnica digital, y
son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

SMBOLOS DE
TRANSISTORES
A continuacin encontrars una relacin del conjunto o sistema de smbolos comnmente
utilizado para representar los transistores de unin, los transistores del tipo FET (Field Effect
Transistor - Transistor- de Efecto de Campo) y los transistores tipo MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor- - Transistor de Efecto de Campo Semiconductor de
xido Metlico).
TRANSISTORES DE UNIN

Transistor
Transistor
Transistor NPN Transistor
comn
comn PNP con multiemisor
NPN
unin en la
cpsula

FOTOTRANSISTORES

NPN
NPN sin
con
conexin a
conexin
base
a base
 TRANSISTORES FET

Canal N Canal P

TRANSISTORES DE UNIN FET (JFET) son usados

extenssimamente en electrnica digital, y son el componente
fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

Conteni
do
[ocultar]

(Joint Field Effect Transistor - Transistor de Unin de Efecto de

Campo )

Canal N Canal P

TRANSISTORES MOSFET

Con tres terminales o patillas y sustrato unido a la

fuente "S"
Tipo Tipo Tipo Tipo
Empobreci- Empobreci- Enriqueci- Enriqueci-
miento N miento P miento N miento P

Con cuatro terminales o patillas

Tipo N Tipo P

De doble puerta

DARLINGTON

NPN NPN PNP

SCHOTTKY
 PNP NPN

Otras variantes de MOSFET

Transistor de avalancha NPN

Transistor de tnel NPN

Transistor UJT* de doble base,

Canal N

Transistor CUJT** de doble

base, Canal P

* UJT (Unijunction Transistor - Transistor Monounin o Uni-

unin)

** CUJT (Complementary Unijunction Transistor - Transistor

Monounin o Uni-unin Complementario)

Todas las representaciones grficas de los transistores pueden ir encerradas en un crculo o

dibujadas- simplemente sin crculo.
 TRANSISTOR BJT

amp-op

Los amplificadores operacionales son, dispositivos compactos activos y

lineales de alta ganancia, diseados para proporcionar la funcin de
transferencia deseada. Un amplificador operacional (A.O.) est compuesto por
 un circuito electrnico que tiene dos entradas y una salida, como se describe
mas adelante. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por
un factor (G) (ganancia): Vout = G(V+ - V-).

Estos dispositivos se caracterizan por ser construidos en sus componentes

ms genricos, dispuestos de modo que en cada momento se puede acceder
a los puntos digamos "vitales" en donde se conectan los componentes
externos cuya funcin es la de permitir al usuario modificar la respuesta y
transferencia del dispositivo. Originalmente los A.O. se empleaban para
operaciones matemticas (suma, resta, multiplicacin, divisin, integracin,
derivacin, etc.) en calculadoras analgicas

TRANSISTOR MOSFET

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos

de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de
conduccin.

MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect

Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la
estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la industria
microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los circuitos integrados de
uso comercial estn basados en transistores MOSFET.

TRANSISTOR BJT
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de
encapsulado, as como el esquema de identificacin de los terminales.
Tambin tendremos que conocer una serie de valores mximos de
tensiones, corrientes y potencias que no debemos soprepasar para no
destruir el dispositivo. El parametro de la potencia disipada por el
transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que
esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura,
siendo a veces necesario la instalacion de un radiador o aleta refrigeradora. Todos
estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de
los distintos dispositivos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este
dispone de dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el
PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio
apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP.
Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:
1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta
como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base
(ganancia de corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante
dandonos un mximo y un mnimo para una corriente de colector dada (Ic);
adems de esto, suele presentar una variacin acusada con la temperatura y
con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su
valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta
medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro
mide este parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que
circular por el BJT una vez en el circuito.
2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de
conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un
cortocircuito entre el colector y el emisor.
3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia,
circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan
practicamente nulas (y en especial Ic).
3. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.