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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

INFORME PREVIO DE LAEXPERIENCIA N 4

I. OBJETIVOS

Construir amplificador base comn y verificar por medicin sus


caractersticas de funcionamiento.

II. CUESTIONARIO PREVIO

1. Defina los parmetros del transistor, explique los


modelos para pequea seal del transistor base
comn.

Parmetros caractersticos del transistor

En este captulo, se exponen los principales parmetros que se utilizarn


para el trabajo con transistores.

Parmetro

El parmetro de un transistor indica la relacin de semejanza que se


produce en la corriente de colector y las variaciones de las corrientes del
emisor.

As por ejejmplo, en el caso de que en un transistor se haya medido una


variacin de la corriente de colector de 7.92 mA, entre dos puntos de
funcionamiento, y una variacion de 8 mA en la corriente de emisor,
tendremos que:

Dado que la corriente de base, suele ser muy pequea, en la mayor parte
de los transistores el valor del parmetro se acerca a la unidad.

Ganancia de corriente o parmetro de un transistor

La circunstancia de que una pequea corriente de base controle las


corrientes de emisor y colector mucho ms elevadas, indica la capacidad
que posee un transistor para conseguir una ganancia de corriente. As, la
ganancia de corriente de un transistor es la relacin que existe entre la
variacin o incremento de la corriente de colector y la variacin de la
corriente base.

As, por ejemplo, en el caso de que en un transistor se obtenga una


variacin de corriente de colector de 8 mA y de 0.08 mA en la corriente de
base, la ganancia ser:

La ganancia de corriente de los transistores comerciales vara bastante de


unos a otros. As, nos podemos encontrar transistores de potencia que
poseen una de tan slo 20. Por otro lado, los transistores de pequea
seal pueden llegar a tener una de 400. Por todo ello, se pueden
considerar qe los valores normales de este parmetro se encuentran entre
50 y 300.

En las tablas de especificaciones tcnicas, que facilitan los fabricantes de


transistores, en vez de utilizarse la para identificar la ganancia de
corriente, se suele utilizar hFE. As por ejemplo, para el transistor de
referencia BC108 se lee en sus hojas de caractersticas, una hFE entre 150 y
290; lo que nos indica que la ganancia de corriente de este transistor, puede
encontrarse entre estos valores.

Cmo es posible que en las hojas de caractersticas del transistor BC 108


nos indiquen que posee una ganancia comprendida entre 150 y 290?

La respuesta est en que la ganancia de corriente de un transistor vara de


una forma sustanciosa con la corriente de colector. Adems, la temperatura
ambiente influye positivamente en el aumento de dicha corriente. Hay que
pensar que al aumentar la temperatura de la unin del diodo colector
aumenta el nmero de portadores minoritarios y, por tanto, se produce un
aumento de la corriente de colector.

Para poder cuantificar este fenmeno, los fabricantes de transistores


proporcionan, en las hojas de especificaciones tcnicas, curvas de ganancia
de corriente, donde se relacionan las variaciones que sufre con respecto a
la corriente de colector y a la temperatura ambiente.

En estas curvas, se puede apreciar cmo la ganancia de corriente aumenta


hasta un valor mximo mientras la corriente de colector aumenta;
sobrepasado ese lmite, para mayores valores de dicha corriente, la
ganancia decrece. Tambin, se hace observar la existencia de tres curvas
distintas, que indican diferentes condiciones de trabajo para diferentes
temperaturas ambiente.

Cuando se disea un circuito con transistores hay que tener en cuenta estas
variaciones de la ganancia de corriente, de lo contrario se podran cometer
errores sustanciales, que invalidaran las condiciones de trabajo requeridas
por el diseo inicial.

Relacin entre los parmetros y

Combinando las expresiones de los parmetros anteriores: = IC/IE y =


IC/IB y teniendo en cuenta la relacin existente entre las diferentes
corrientes que se dan en el transistor IE = IC+IB, se pueden encontrar las
expresiones matemticas que relacionen ambos parmetros, tal como se
indica a continuacin.

As, por ejemplo, para determinar el parmetro de un transistor que


tuviese una ganancia de corriente de 150, operaramos as:

Tensiones de ruptura

Al igual que ocurra con los diodos, cuando se polariza inversamente


cualquiera de las uniones de un transistor aparecen pequeas corrientes
inversas, que no provocarn la ruptura de dichas uniones si la tensin que
se aplica no supera los valores mximos fijados en las hojas de
especificaciones tcnicas.

Tensin inversa colector-base (VCBO) con el emisor abierto

En este caso, la unin formada por la base y el colector estn polarizadas


inversamente con la tensin VCB. Como ocurra con los diodos, esto provoca
la circulacin de una pequea corriente de fuga (ICBO) que no ser
peligrosa hasta que no se alcance la tensin de ruptura de la unin.
Normalmente esta tensin suele ser elevada (del orden de 20 a 300 V).
Nunca deber trabajarse, por supuesto, con una tensin superior a la
indicada por el fabricante en sus hojas tcnicas. Este dato suele aparecer
indicado con las siglas VCBO.

Tensin inversa colector-emisor con la base abierta

En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica una tensin
entre el colector y el emisor que es igual a la suma de las tensiones de las
fuentes de emisor a colector. Esta fuerte diferencua de potencial provoca un
pequeo flujo de electrones que emite el emisor y que se sienten
fuertemente atrados por el potencial positivo de la fuente. El resultado es
una pequea corriente de fuga de emisor a colector ICEO. Al igual que
ocurra anteriormente, el valor de esta corriente est determinado por la
tensin colector-base (VCEO) aplicada. En las hojas tcnicas tambin
aparece la tensin mxima de funcionamiento (VCEO) que en ningn caso
debe ser superada, para evitar el peligro de destruccin del semiconductor.

As, por ejemplo, para el transistor BC 108, en las hojas de especificaciones


tcnicas aparecen los siguientes valores para las tensiones de ruptura:
VCBO = 30V y VCEO = 20V, lo que significa que este transistor nunca
deber operar con tensiones superiores a estos valores especificados.

Resistencia de entrada
Se podra decir que la resistencia de entrada de un transistor es la que
presenta ste, visto desde los bornes de entrada.

Al observar la caracterstica de transferencia del transistor, representada en


la figura de abajo, se puede ver que la intensidad de base aumenta con la
tensin base-emisor.

Pues bien, a la relacin existente entre las variaciones de tensin base-


emisor y las de la corriente de base, que se corresponden con la tensin y la
corriente de entrada, se la denomina resistencia de entrada, es decir:

Para realizar el clculo de la resistencia de entrada nos valdremos de la


curva caracterstica de transferencia.

MODELOS PARA PEQUEA SEAL DEL TRANSISTOR BASE COMUN.


2. Analizar tericamente el circuito
DETERMINAMOS Q
3. Defina la estabiliad de polarizacion, de un ejemplo para base comn.

Estabilidad en el punto de trabajo


Punto de trabajo de un transistor Entendemos por punto de trabajo de un
trabajo del transistor la combinacin de tensiones y corrientes continuas
que existen en el mismo en funcionamiento normal. En funcin de la
aplicacin del circuito el punto de trabajo de un transistor puede variar
mucho. Se puede polarizar el transistor en cualquiera de las tres regiones de
funcionamiento dependiendo del uso que se haga del circuito. En el
cuaderno dedicado al transistor se estudi en detalle cmo polarizar el
transistor y cmo interpretar su punto de trabajo. Aqu se hablar de las
variaciones que puede sufrir el mismo, debido a factores externos.

Variacin del punto de trabajo


En esencia, el punto de trabajo de un transistor en un circuito variar
cuando cambie alguno de los elementos de los que depende. Estos
elementos pueden ser bien internos al propio dispositivo (Tensiones o
corrientes, caractersticas), bien externos, como por ejemplo variaciones en
las resistencias, alimentaciones, ... En la figura podemos ver el efecto de la
variacin de la resistencia de colector sobre el punto de funcionamiento del
transistor. Es evidente que si dicha resistencia disminuye, tendremos un
incremento en la corriente de colector (IC) para la misma tensin colector-
emisor (VCE), luego se ve claramente que la variacin de un componente
afecta directamente a la posicin del punto de trabajo, el cual con una
resistencia RC1 se encuentra en Q1 y con otra resistencia menor (RC2) pasa
a ser Q2.

Los componentes, y las caractersticas del transistor, pueden variar por


numerosos motivos, entre los cuales los ms importantes son: Debido a
cambios de temperatura Debido a cambio del componente en s por otro
igual o diferente

4. Explicar el efecto de Ci en el circuito

El condensador cumple la funcin de acoplo dejado pasar cierto ancho de


banda.
5. Relacionar algunas aplicaciones generales para las cuales la etapa Bc
puede y no puede ser ventajosa.

Las caractersticas de Base Comn son.

Ganancia de corriente pequea (aprox 1)

Ganancia de tensin elevada (50 a 300)

Impedancia de entrada pequea (aprox 100)

Impedancia de salida elevada(aprox 1Mohm )

Aplicaciones:

Para adaptar fuentes de seal de baja impedancia de salida como, por


ejemplo, micrfonos dinmicos.

No apto para circuitos de baja frecuencia, debido a la baja impedancia de


entrada.

6. Haga comparaciones tericas y prcticas entre los circuitos Ec y Bc.


7) Haga un comentario sobre los pasos 3g y 3h del procedimiento prctico

8) A qu atribuye las diferencias entre sus datos experimentales y


tericos?

Las diferencias que se han obtenido entre nuestros datos tericos y


prcticos se deben a que en nuestros componentes electrnicos siempre
existe una variacin y no tiene los valores exacto, a ello debemos sumarle
nuestros errores experimentales.
9) Conclusiones

En el circuito de Base-Comn se obtuvo una ganancia de impedancia con


respecto a la de salida y la seal de entrada se coloc en el emisor debido a
la configuracin de este circuito se obtienen las seales cuando trabajamos
en corriente alterna.

Para esta prctica lo que se determin principalmente el funcionamiento de


los amplificadores de acuerdo a su configuracin, como ya habamos visto el
funcionamiento del amplificador Emisor-Comn que tiene una ganancia de
Voltaje en estos el Amplificador Base-Comn se obtiene una ganancia de
impedancia y en el Colector-Comn se tiene una ganancia de corriente Ai.

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