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I. OBJETIVOS
Parmetro
Dado que la corriente de base, suele ser muy pequea, en la mayor parte
de los transistores el valor del parmetro se acerca a la unidad.
Cuando se disea un circuito con transistores hay que tener en cuenta estas
variaciones de la ganancia de corriente, de lo contrario se podran cometer
errores sustanciales, que invalidaran las condiciones de trabajo requeridas
por el diseo inicial.
Tensiones de ruptura
En este otro caso, se ha abierto la base, por tanto, se aplica una tensin
entre el colector y el emisor que es igual a la suma de las tensiones de las
fuentes de emisor a colector. Esta fuerte diferencua de potencial provoca un
pequeo flujo de electrones que emite el emisor y que se sienten
fuertemente atrados por el potencial positivo de la fuente. El resultado es
una pequea corriente de fuga de emisor a colector ICEO. Al igual que
ocurra anteriormente, el valor de esta corriente est determinado por la
tensin colector-base (VCEO) aplicada. En las hojas tcnicas tambin
aparece la tensin mxima de funcionamiento (VCEO) que en ningn caso
debe ser superada, para evitar el peligro de destruccin del semiconductor.
Resistencia de entrada
Se podra decir que la resistencia de entrada de un transistor es la que
presenta ste, visto desde los bornes de entrada.
Aplicaciones: