TEMA 4.

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
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1. Introduccin. 2. El diodo semiconductor: unin p-n no polarizada,
potencial de contacto. 3. Unin p-n polarizada, ecuacin de Schockley. 4. El
transistor bipolar (BJT): configuracin en base comn y configuracin en
emisor comn; 5. El transistor como amplificador y conmutador. 6.
Transistores de efecto de campo (FET).
1. INTRODUCCIN La difusin de portadores es un fenmeno tpico de los
semiconductores. Mediante la adicin de impurezas aceptoras o donadoras
se crean fcilmente gradientes de concentracin de electrones, o de huecos,
que originan flujos de difusin de portadores mayoritarios con densidades
de corriente. Jp = - qDp dp/dx Jn = qDn dn/dx Estos flujos son el
fundamento de los procesos que ocurren en los diodos de unin. Tambin es
el fundamento de los transistores de unin bipolar, BJT. Por ltimo se
estudiara el transistor de efecto de campo, FET, que es un dispositivo
controlado por una tensin, a diferencia del BJT que est controlado por una
corriente. En todos ellos existen uniones PN (o NP).
2. UNION P-N NO POLARIZADA 2.1. Generalidades Se obtiene una unin
cuando un monocristal semiconductor (Si, Ge, AsGa,...) se dopa
sucesivamente con impurezas aceptoras y donadoras, de forma que se
tengan dos zonas yuxtapuestas, P y N, de semiconductores extrnsecos tipo-
p y tipo-n respectivamente. Entre ellas, en la interfase, aparece una tercera
zona llamada de transicin, de deplexin, de carga espacial o de
vaciamiento, que es de pequesimo espesor, del orden del m. Es en la
zona de transicin donde tienen lugar los procesos fundamentales, de
rectificacin, absorcin y emisin de luz, etc., que ocurren en las diversas
clases de dispositivos de unin.