INSTITUTO TECNOLIGICO DE PUEBLA

INGENIERA ELCTRICA

Electrnica Industrial

Equipo: 5

Tema: Dispositivo IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor)

1.- INTRODUCCIN

La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea
transistor bipolar de puerta de salida

Durante muchos aos se ha buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo

suficientemente veloz y que pudiese manejar grandes cargas pero han surgido
nuevas ideas con la unin de un mosfet como dispositivo de disparo y un tbj de
dispositivo de potencia y de esta forma se llego a la invencin del igbt el cual ser
expuesto en el siguiente documento

2.- Smbolo

Smbolo del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E)
 3.- La estructura bsica

La estructura recuerda mucho la de un transistor MOSFET de potencia donde se

utilizan obleas dopadas de Tipo N sobre las que se deposita una fina capa
epitaxial. El IGBT est construido de forma casi idntica. La capa epitaxial
presenta el mismo espesor y se dopa igual que en un FET. Sin embargo, existe
una importante diferencia: el material de partida es una oblea dopada Tipo P en
lugar de Tipo N. La unin PN adicional, as creada, inyecta portadores (huecos) en
la regin epitaxial Tipo N reduciendo su resistividad y rebajando la cada de
tensin en conduccin.

A este proceso se le conoce tambin por "Modulacin de la Conductividad" y

puede contribuir a incrementar la capacidad de conduccin de corriente hasta 10
veces ms.

Por otro lado, la adicin de esta capa Tipo P, introduce un nuevo transistor parsito
que con el NPN inherente a la estructura de un MOSFET, conforma un Tiristor
parsito, el cul en caso de ser activado puede destruir al IGBT.
 4.- CIRCUITO EQUIVALENTE

El transistor IGBT puede representarse funcionalmente por el modelo de

transistores equivalentes, dado el camino principal de la corriente, su regin de
operacin est en funcin del MOSFET horizontal de entrada, que puede
controlarse con precisin mediante la tensin de compuerta.

a)
b)

Circuitos equivalentes para un IGBT;

a) circuito equivalente completo. El cul incluye el transistor parsito NPN

formado por la fuente del MOSFET de tipo-n+, la regin del cuerpo del
tipo-p y la regin n- de la deriva.
b) circuito equivalente aproximado para condiciones normales de operacin.
En la fig. a) tambin se muestra la resistencia lateral de la regin de tipo-p. Si la
corriente que atraviesa esta resistencia es lo suficientemente alta producir una
cada de voltaje que polarice directamente la unin con la regin n+ que
encender el transistor parsito que forma parte del tiristor parsito. Una vez que
suceda esto hay una alta inyeccin de electrones de la regin n+ en la regin de p
y se pierde todo el control de la compuerta. Esto es conocido como latch up y
generalmente conduce a la destruccin del dispositivo.

El modelo completo con dos transistores bipolares corresponde a una estructura

de tiristor. La entrada en conduccin determina la activacin del transistor parsito,
con la consiguiente saturacin de ambos transistores, de modo que el IGBT
resulta prcticamente cortocircuitado entre colector y emisor. En estas
condiciones, el MOSFET no conduce y, por tanto, no existe control externo de la
estructura desde la terminal de compuerta y puede darse la destruccin del IGBT
si el circuito exterior no limita suficientemente la corriente.

El disparo indeseado del tiristor parsito se produce por la conduccin del

transistor T2, como resultado de una cada de tensin en R BE igual al valor de
conduccin de la unin base-emisor. Este fenmeno de amarre (latch-up) puede
suceder cuando el IGBT conduce una corriente excesiva. As mismo, toda la
tensin externa es soportada en rgimen permanente por la unin J2inversamente
polarizada, lo que provoca que el condensador C se cargue a la tensin de
bloqueo. De este modo, si la corriente de carga de C es suficientemente alta, con
un tiempo de conmutacin de la tensin suficientemente bajo, puede producirse la
conduccin de T2 y el amarre del IGBT.
 5.- Funcionamiento del dispositivo IGBT

(El IGBT cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C))

Cuando se le aplica un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente,

la corriente del colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de
bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la
seal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C debe ser
polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La seal de encendido es
un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.

Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts,

puede causar que el tiempo de encendido sea menos a 1 seg. Despus de lo cual
la corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como
constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de
voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de
potencia en la puerta es muy baja.

El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal

G. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de la conmutacin puede estar
en el rango de los 50 KHz.

El IGBT requiere un valor lmite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido
a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4V. Arriba de este valor el voltaje
VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de
encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V y la
corriente IC se auto limita.
 6.- Aplicaciones del IGBT

El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga
en corriente de los transistores bipolares, trabaja con tensin, tiempos de conmutacin
bajos, disipacin mucho mayor (como los bipolares).

El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones:

Bajo ciclo de trabajo

Baja frecuencia (< 20 kHz)

Aplicaciones de alta tensin (>1000 V)

Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas:

Control de motores

Sistemas de alimentacin ininterrumpida

Sistemas de soldadura

Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia

El principal campo de aplicacin para estos transistores es la electrnica de

potencia, en donde son utilizados en aplicaciones de control de motores y fuentes
de alimentacin, principalmente.
En la actualidad se utilizan IGBT de la tercera generacin. La caracterstica ms
importante de esta generacin es que alcanzan velocidades muy similares a las
ofrecidas por los transistores bipolares, ofreciendo una mayor robustez, brindando
mayor soporte contra sobrecargas y consumiendo menor potencia.

Aplicaciones Generales:

Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de

potencia para aplicaciones de media y alta tensin, no slo por su capacidad de
potencia sino tambin porque son tan rpidos que la frecuencia de los impulsos
que generan son imperceptibles por el odo humano.
 Otro ejemplo curioso de aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin para
activar o desactivar los pxeles en las pantallas tctiles de nueva generacin,
sistemas de iluminacin de edificios o centrales de conmutacin telefnica.

Estos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en convertidores

CC/CA, en maquinaria, robots industriales, compresores de equipos de aire
acondicionado, equipos de fabricacin de semiconductores, unidades de control
de motores en automviles y vehculos elctricos hbridos, equipos de soldadura.

Aplicaciones de IGBT en control por modos deslizantes:

La teora de sistemas de Control por Modo Deslizante (CMD) consiste en el

empleo de acciones de control conmutadas o discontinuas sobre una o varias
superficies de conmutacin. Uno de los principales inconvenientes asociados a la
tcnica de CMD es la intensa actividad que debe ejercer la seal de control, lo que
resulta en la presencia de oscilaciones de alta frecuencia.
 7.- Costos
DISPOSITIVOS DE MAYOR Y MENOR CAPACIDAD

capacidad
de velocidad de
dispositivo potencia conmutacin
BJT/MD media media
MOSFET Baja rpida
GTO Alta lenta
IGBT media media
MCT media media
Tabla 1 comparacin de dispositivos

Solo pueden compararse pocos aspectos entre dispositivos, ya que

deberan considerarse varios parmetros simultneamente y porque todos ellos
estn evolucionando constantemente, sin embargo pueden hacerse observaciones
cualitativas entre ellos como las que aparecen en la tabla 1.

VCES
Dispositivo (V) IC (A)
CM50DY-24H 1200 50
CM150DY-24H 1200 150
IRG4PC50U 600 55
BSM25GD120DN2 600 200
BSM25GD120DN2E3224 1700 800
Tabla 2 capacidades de IGBT `s

Dispositivo costo ($)

CM50DY-24H 14,5
IRG4PC50U 19
CM150DY-24H 115
BSM25GD120DN2 1390
BSM25GD120DN2E3224 1720,5
Tabla 3 costo de los IGBT `s
 8.- Prctica Propuesta

Materiales:

1 fuente de voltaje VDC

1 circuito 555

2 capacitores de 0.1 F

2 resistencias de 1K

1 IGBT

3 diodos 1N5408

1 potencimetro

1 motor de CD

1 resistencia de 4.7 K
 Conclusin

Se puede observar que el IGBT es de gran utilidad, pues es un dispositivo

electrnico capaz de soportar altas frecuencias, alta tensin, en esta prctica lo
hemos utilizado como controlador de la velocidad del motor.

PRCTICA PROPUESTA

CONVERTIDOR DC-DC TIPO BUCK BOOST

OBJETIVO. Determinar las formas de onda de la corriente y voltaje en la

operacin buck y boost.

MATERIAL Y EQUIPO A UTILIZAR

2 dispositivos IGBT MPS7O6A

2 resistencias de 1k

1 capacitor de 470 f

2 diodos 1N4009

2 fuentes de voltaje variable

3 inductores de 1mH

1 osciloscopio
 CIRCUITO A ARMAR

A continuacin se muestra el desarrollo la operacin buck y la operacin boost.

OPERACIN BUCK

La operacin Buck consiste en conmutar el semiconductor T2, transfiriendo

as energa desde la fuente Vdc (de mayor tensin) a la fuente V2 (que en este
circuito reemplaza a los ultra capacitores). Al cerrarse T2 pasa corriente a travs
de ste y de la inductancia Ls en el sentido de las flechas (como aparece en el
circuito a armar); en ese instante parte de la energa se transfiere a la fuente V2,
una pequea fraccin se disipa en R2 y otra parte se carga en la inductancia Ls.
Cuando se abre T2 la energa que se carg en la inductancia Ls se descarga en
V2, a travs del diodo D1, obligando a la corriente a continuar en la direccin de
Ib.

OPERACIN BOOST

La operacin Boost consiste en conmutar el semiconductor T1 para

transferir energa desde V2 a Vdc. Esto se logra cargando la inductancia Ls al
producir un cortocircuito de corta duracin a travs de sta cuando se cierra T1.
Luego se abre T1 y la energa contenida en la inductancia pasa a travs del diodo
D2 y se descarga en las bateras. La transferencia de energa se logra debido a
que, al interrumpir violentamente la corriente por la inductancia, el alto di/dt induce
una tensin en sta, que sumada a la tensin de V2 superan la tensin en Vdc
haciendo entrar en conduccin al diodo D2.
GRFICAS DE OPERACIN BUCK
 GRFICAS DE OPERACIN BOOST

CONCLUSIONES

En el circuito se pudo observar y simular como se transfiere energa de la

fuente Vdc hacia la fuente V2 cuando se disparaba el elemento semiconductor T1
y cuando se transfera energa de V2 hacia Vdc a travs del disparo de T2.
 9.- BIBLIOGRAFA

Muhammad h. Rashid
1995
Electrnica de potencia circuito dispositivo y aplicaciones
Prentice Hall
Segunda edicin
16 captulos
Mxico
702 Pg.

Salvador Segui Chilet

Carlos Snchez Daz
Fco. J. Gimeno Sales
Salvador Orst Grau
2004
Electrnica de potencia fundamentos bsicos
Alfaomega
Primera edicin
4 captulos
Mxico
319 Pg.

Electrnica de potencia: TCNICAS DE POTENCIA

Juan Andrs Gualda
Pedro Manuel Martnez Martnez.
S. Martnez
No. de pginas: 492
No. de captulos: 15
Segunda emisin
ALFAOMEGA:
1995

http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Tiristores-Especiales.php, 06//09/13

Dr. Germn Cortes Reynoso.

 10.- Cuestionario

1.- Qu significa IGBT?

2.- Cmo est estructurado el dispositivo?

3.- Cmo se representa el circuito equivalente del dispositivo?

4.- Cmo funciona el dispositivo?

5.- Cules son sus aplicaciones?

6.- Qu tipo de aplicaciones tiene el dispositivo?

7.- En promedio cuales son los costos de los dispositivos?

8.- Con qu frecuencia y a qu niveles de voltaje trabaja el IGBT?

9.- Qu es conmutacin?

10.- Adems de IBGT de qu otra manera se le conoce?

 Cuestionario

1.- Qu significa IGBT?

R= La sigla IGBT corresponde a las iniciales insolated gate bipolar transistor

(transistor bipolar de puerta aislada).

2.- Cmo est estructurado el dispositivo?

R=La estructura recuerda a la del transistor MOSFET de potencia donde se

utilizan obleas dopadas de tipo N sobre las que se deposita una fina capa
epitaxial. El IGBT est construido de forma casi idntica, sin embargo, la diferencia
entre estos dos es el material, en el IGBT el material de partida es una oblea
dopada tipo en lugar de N. La unin PN adicional, asi creada, inyecta portadores
(huecos) en la regin epitaxial tipo N reduciendo su resistividad y rebajando la
cada de tensin en conduccin. (Proceso conocido como Modulacin de la
Conductividad)

3.- Cmo se representa el circuito equivalente del dispositivo?

R= El transistor IGBT puede representarse funcionalmente por el modelo de

transistores equivalente, dado el camino principal de la corriente, su regin de
operacin est en funcin de MOSFET horizontal de entrada, que puede
controlarse con precisin mediante la tensin de compuerta.

a) b)
 a) Circuito equivalente completo: incluye el transistor parsito NPN formado
por la fuente del MOSFET del tipo n+, la regin del cuerpo del tipo-p y la
regin n de la deriva.
b) Circuito equivalente aproximando para condiciones normales de operacin.

4.- Cmo funciona el dispositivo?

R=El dispositivo funciona como un interruptor, el cual nos abrir o cerrar por
pulsos de onda cuadrada.

5.- Cules son sus aplicaciones?

R= El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad

de carga en corriente de los transistores bipolares, trabaja con tensin, tiempos de
conmutacin bajos, disipacin mucho mayor (como los bipolares).

6.- Qu tipo de aplicaciones tiene el dispositivo?

R= Aplicaciones tpicas:

Control de motores
Sistema de alimentacin interrumpida
Sistema de soldadura
Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia.

Aplicaciones Generales:

El IGBT tienen aplicaciones de media y baja tensin, por su capacidad de potencia

y por la rpida frecuencia.

Se utilizan para activar o desactivar los pixeles en las pantallas tctiles de nueva
generacin, sistemas de iluminacin de edificios o centrales de conmutacin
telefnica.

7.- En promedio cuales son los costos de los dispositivos?

R= En promedio los costos van desde los $14.50 a los $1450.00, dependiendo el
uso que se le vaya a dar.
8.- Con qu frecuencia y a qu niveles de voltaje trabaja el IGBT?

R= La frecuencia con la que opera va desde la baja frecuencia hasta los 100 KHz.
Y puede trabajar en media y alta tensin. (desde los 12 V hasta 1KV)

9.- Qu es conmutacin?

R= Es la accin de modificar el camino del flujo de una diferencia de potencial.

10.- Adems de IBGT de qu otra manera se le conoce?

R= Se le conoce tambin como MOSFET.