Projeto de conversores -

Dimensionamento de componentes
Prof. Alceu Andr Badin
 Dimensionamento de Diodos

Tenso mxima reversa;

Clculo da corrente mdia;
Clculo da corrente eficaz;
Frequncia de operao;
Escolher um diodo disponvel;

Calcular Perdas: iF
Conduo
Comutao
Total
A C
Clculo trmico + vF -

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 nod
C
Diodos

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 Dimensionamento de Diodos iF
Caracterstica tenso x corrente A C
iF
Corrente
reversa
+ vF -
VF>V(TO) => Resistncia rT
1
rT entre A e C.
VRRM IR vF VF<V(TO) => Resistncia
V(TO) elevada entre A e C.
Bloqueia tenses reversas
menores que VRRM.
Tenso reversa Apresenta perdas de
mxima conduo e comutao.
Corrente reversa no nula.
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Dimensionamento de Diodos
Circuito equivalente em conduo
iF Onde:
VF V(TO ) VrT
A C
Perdas em conduo:
+ vF - PC VF I Dmed
OU
iF
PC V(TO ) I Dmed rT I Def 2
A C
VF = Tenso direta do diodo [V]
V(TO) r T PC= Perdas no diodo. [W]
V(TO)= Tenso limiar de conduo[V]
+ vF - rT = resistncia srie do diodo. []
IDmed = Valor mdio da corrente. [A]
IDef = Valor eficaz da corrente. [A]
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 Dimensionamento de Diodos
Diodo durante transitrio de bloqueio
(recuperao reversa) t0: Interruptor S fechado
t1: tenso direta no diodo
D IL
Qrr
-
+ C
i F
iD
L inicia decrscimo.
E
t2: tenso direta fica
iS
S negativa e tem um pico
iF di F

E (Vpico) que pode ser
t rr
IL
dt
tr t ri destrutivo ao circuito.
VD
t2 t3 t trr depende da
t0 t1
Qrr E temperatura da juno,
da taxa de decaimento da
I RM corrente direta e IF.
Vpico
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 Dimensionamento de Diodos
Diodo durante transitrio de bloqueio
(recuperao reversa) Perdas no bloqueio:

iF
P2 Qrr E f
di F E

dt t rr
IL
tr t ri
P2 = Perdas no bloqueio do diodo [W]
VD
Qrr = Carga armazenada em C
t2 t3 t durante conduo. [C]
t0 t1
Qrr E E = tenso reversa do diodo aps o
bloqueio. [V]
f = frequncia de comutao
I RM

Vpico

As perdas so significativas apenas quando a corrente de

transio no nula. O diodo nessa condio forado a comutar.

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 Dimensionamento de Diodos
Diodo durante transitrio de entrada em conduo
As perdas na entrada em conduo so ocasionadas pelo
atraso na transio do diodo o que provoca uma tenso
direta superior a de conduo.
Ocorre apenas quando a comutao de uma carga com
caractersticas de fonte de corrente.
So significativas apenas para frequncias superiores a
dezenas de kHz. P1 = Perdas na entrada em conduo do
diodo. [W]
Perdas:
V = Sobretenso direta na entrada em
FP
conduo. [V]
P1 0,5(VFP VF ) I o trf f f = frequncia de comutao do diodo.[Hz]
trf = tempo de atraso na transio. [s]
Io = Corrente em conduo do diodo. [A]

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 Dimensionamento de Diodos

Diodos standard: transio > 0,5s

(baixa frequncia)
Fast recovery - transio < 250 ns Fast:
50V/50ns 5000V/5us;
Soft-recovery transio
amortecida sem pico de tenso Ultra Fast:
200V/25ns 600V/40ns
(principalmente tecnologia Schottky)
ultrafast-recovery transio < 100 ns Hyper Fast:
200V/30ns 600V/16ns;
hyperfast-recovery transio < 50 ns
Zero recovery (Carbeto de silicio, Zero-recovery:
100-200V/1ns
(SiC) Silicon Carbide) transio em
tempo desprezvel.

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Dimensionamento de Diodos

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Diodo exemplos 1N400X

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Diodo exemplos IDH10G65C5

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 Dimensionamento de Diodos
Perdas totais no diodo:
PD PC P1 P2

PD = Perdas totais no diodo. [W]

PC = Perdas em conduo. [W]
P1 = Perdas na entrada em conduo. [W]
P2 = Perdas no bloqueio. [W]

Obs.:
Para operao em baixa frequncia P1 e P2, na
maioria dos casos, no so significativas.

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 Dimensionamento do interruptores

MOSFET
Tenso mxima no interruptor;
Clculo da corrente mdia;
Clculo da corrente eficaz;
Escolher um interruptor disponvel;
Observar a RDSon e os tempos de operao;

Calcular Perdas:
Conduo
Comutao
Total

Clculo trmico

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Dimensionamento do interruptores
Dimensionamento do interruptores
Perdas nos MOSFET
Comutao:

Conduo:

16
Dimensionamento do interruptores
Perdas nos MOSFET

Conduo:

ton 2 Pcon = Perdas em conduo. [W]

Pcon id rds ton = tempo em conduo. [s]
T id = corrente em conduo. [A]
rds=resistncia em conduo. []
T=Perodo de chaveamento
Dimensionamento do interruptores
Comutao:

Pcom = Perdas de comutao. [W]

ton = Tempo de entrada em
conduo
f VRM = Tenso reversa
Pcom (ton toff )id .Vds
2 f = frequncia de comutao
Dimensionamento do interruptores

Pmosfet Pcom Pcon Pmosfet = Perdas totais no mosfet. [W]

Pcom = Perdas de comutao. [W]
Pcon = Perdas em conduo. [W]

Consideraes importantes para MOSFETs:

- Apresentam diodo intrnseco entre os terminais
Source e Drain.
- Com terminal de gate aberto normalmente fechado
entre Drain-Source.
Outros Interruptores
Interruptores novas tecnologias
Interruptores novas tecnologias

Faixa quase plana de resistncia e maior temperatura de juno

 Clculo Trmico
Em semicondutores:
Problemas:
As perdas nos componentes produzem calor.
Os componentes semicondutores possuem limites de
temperaturas para o adequado funcionamento.
O calor gerado deve ser transferido para o ambiente.

Soluo:
Usar mecanismos para melhorar a transferncia de calor para o
ambiente. (dissipadores, ventilao forada etc.)

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 Clculo Trmico
Clculo trmico em regime permanente
Circuito trmico equivalente:
R jc R cd R da
Tj Tc Td Ta
P
R ja R jc Rcd Rda
Rjc - resistncia trmica entre a juno e
Tj - temperatura da juno (oC).
cpsula (oC/W).
Tc - temperatura da cpsula (oC).
Rcd - resistncia trmica entre o
Td - temperatura do dissipador (oC).
componente e dissipador (oC/W).
Ta - temperatura ambiente (oC).
Rda - resistncia trmica entre o
P - potncia trmica sendo
dissipador e o ambiente (oC/W).
transferida ao meio ambiente (W).
Rja - resistncia trmica entre a juno e o
ambiente (oC/W).
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 Clculo Trmico
Clculo trmico em regime permanente
O objetivo evitar que a temperatura mxima da juno
alcance valores prximos da mxima temperatura
permitida, dada pelo fabricante.
R jc R cd R da
Tj Tc Td Ta
P
Pelo circuito trmico temos:
T j Ta R ja P Tj - temperatura da juno (oC).
Ta - temperatura ambiente (oC).
T j Ta P - Perdas no componente. (W)

R ja
Rja - resistncia trmica entre a juno e
o ambiente (oC/W).
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 Clculo Trmico
Clculo trmico em regime permanente
Procedimento:
P - calculado a partir das caractersticas do componente e da
corrente que por ele circula.
Tj - fornecida pelo fabricante do componente.
Ta - valor adotado pelo projetista.
determina-se a resistncia trmica total:
T j Ta
R ja
P
determina-se a resistncia trmica do dissipador:
Rda R ja R jc Rcd

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 Clculo Trmico
Clculo trmico em regime permanente
Procedimento:
Rda R ja R jc Rcd

So dados pelo fabricante do componente:

Rjc - resistncia trmica entre a juno e cpsula (oC/W).
Rcd - resistncia trmica entre o componente e dissipador (oC/W).

Escolhe um dissipador com o valor da resistncia trmica

menor ou igual ao calculado (Rda).

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Dissipadores
DISSIPADORES Resistncia Trmica (Incluindo a
Resistncia de contato cpsula-
Massa dissipador
Aproximada Conveco Natural Ventilao Forada
6m/s
K9 - M4 50g 10,5oC/W -
K9 - M4 50g 9,5oC/W -
K5 - M6 100g 5,7oC/W -
K3 - M6 200g 3,8oC/W -
K1,1 - M6 700g 2,2oC/W -
K5 - M8 100g 5,0oC/W -
K3 - M8 200g 3,0oC/W -
K1,1 - M8 700g 1,3oC/W 0,60oC/W
P1/120 - M8 1300g 0,85oC/W 0,40oC/W
K3 - M12 200g 3,1oC/W -
K1,1 - M12 700g 1,2oC/W 0,40oC/W
P1/120 - M12 1300g 0,65oC/W 0,27oC/W
Prof. Alceu A.K0,55
Badin- M12 UTFPR/DAELT
2000g 0,65OC/W 0,25oC/W
 Clculo Trmico
Clculo trmico em regime transitrio
A capacidade trmica do componente impede que a
temperatura cresa abruptamente.
O comportamento da temperatura no transitrio de
interesse do projetista principalmente nas seguintes
ocasies:
O componente opera intermitentemente.
A energia envolvida no inicio do circuito elevada.

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 Clculo Trmico
Observaes:
Alguns catlogos de semicondutores apresentam curvas
de perdas em relao a corrente mdia atravs do
componente.
Muitos datasheets no apresentam V(TO) e rT. Apenas VF
mximo para corrente nominal.
A tenso VF tambm pode ser obtida, em muitos casos,
em grficos que relacionam a tenso direta x corrente
mdia direta.

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 Referncias

AHMED, Ashfaq. Eletrnica de Potncia; Editora:

Prentice Hall, 1a edio, 2000.
BARBI, Ivo. Eletrnica de Potncia; 6 Edio, UFSC,
2006.
Christian Miesner et al. thinQ! Silicon Carbide
Schottky Diodes: An SMPS Circuit Designers Dream
Comes True! (www.infineon.com)
Datasheets: Vishay, Infineon e Semikron.
Material do Prof. Alexandre Ferrari

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