Condensatoare MMIC

Introducere

Plessey Foundry suport dou tipuri de condensatoare: sandwich i interdigitale.

Condensatoarele sandwich folosesc nitrura de siliciu ca material isolator, putnd avea

capaciti ntre 1.3 59 pF. O alt variant folosete ca material dielectric o combinaie de
nitrur de siliciu i poliamid avnd capaciti ntre 0.06 -2,5 pF.

Condensatoarele interdigitale (pieptene) sunt formate din dini de pieptene intercalai, depui
pe metalizarea M2. Ei se folosesc pentru capaciti foarte mici ( <0.5 pF) sau la frecvene
foarte mari.

Condensatoare sandwich

Un exemplu de condensator cu poliimid este prezentat n fig.1.

Fig.1. Condensator sandwich cu poliimid

Acest condensator este format utiliznd metalizarea M2 pentru armtura inferioar i

metalizarea M3 pentru cea superioar. Materialul dielectric este compus din poliimid i
nitrur de siliciu. Aria armturii inferioare Me definete capacitatea condensatorului. Cnd se
construiete un condensator de decuplare, nu este permis s avem o trecere prin GaAs sub
metalizarea M2 Un exemplu de construcie a unui asemenea condensator de decuplare este
prezentat n fig.2.
 Fig.2 Condensator de decuplare realizat din condensator sandwich cu poliimid.

Modelul de circuit al acestui condensator este prezentat n fig.3. El este valabil pn la 20

GHz.

Fig.3. Modelul de circuit al unui condensator sandwich cu poliimid

C_prime este valoarea capacitii primare a condensatorului. L_M2 i CM2 sunt inductana i
capacitatea parazit asociat cu armtura M2. L_M3 i C_M3 sunt inductana i capacitatea
parazit asociate armturii M3. RES modeleaz pierderile rezistive i dielectrice n
condensator. Datorit efectului de margine, condensatorul este asimetric i deci trebuie avut
grij la producerea layout-ului la alinierea corect a condensatorului n circuit.

Valorile elementelor din model pot fi calculate cu formule furnizate de producator, n functie
de dimensiunile layout-ului. n cazul acestui condensator dimensiunea considerat este
lungimea armturii de pe metalizarea M2, exprimat n m.

Formulele pentru C_prime, RES, C_M2 i C_M3 sunt polinoame de forma :

y ax n b (1.1)

Unde x este dimensiunea layout, iar valorile coefcienilor sunt n tabelul 1.

Tabelul 1

y C_Prime(pF) RES() C_M2(pF) C_M3(pF)

a 2.81417x10-5 310156 1.982851x10-5 3.262996x10-7
n 1.943606 -2.424696 1.521669 1.884238
b 0.010967 0.724728 4.343976x10-3 2.981967x10-3

Formulele pentru L_M2 i L_M3 sunt polinoame de gradul 5 :

y ax5 bx4 cx3 dx2 ex f (1.2)

Unde x este din nou dimensiunea layout, n microni, iar coeficientii sunt dai n tabelul 2.

Tabelul 2

y L_M2(nH) L_M3(nH)
a 1.199327x10-13 7.223189x10-14
b -1.425209x10-10 -1.086451x10-10
c 5.925084x10-8 5.791041x10-8
d -9.977216x10-6 -1.352713x10-5
e 7.61417x10-4 1.548175x10-3
f -0.018913 -0.043643

Relatia de sintez pentru C_prime este :

1
C _ PRIME 0.010967 1.943606
x (1.3)
2.81417 105

De notat c modelul este valabil doar pentru geometrii ptrate de condensator.

n fig.4 este prezentat dependena lui C_PRIME de dimensiunile layout.

 Fig.4. Condensator poliimid, dimensiunea layout vs. C_PRIME

Exemplu de proiectare

Care este dimensiunea armturii M2 pentru un condensator poliimid de o.85 pF.

Soluie
1
0.85 0.010967 1.943606
x 5
200 m
2.81417 10

Layout-ul condensatorului este prezentat n fig.5.

Condensator MMIC cu nitrura de siliciu

Un exemplu de condensator cu nitrura de siliciu este prezentat n fig.6. Acest condensator este
format tot dintr-o armtur pe metalizarea M2 i un ape metalizarea M3. Deosebirea este c
materialul dielectric este nitrura de siliciu. n plus, se folosete o trecere de poliimid in jurul
creia se structureaz condensatorul. Aria trecerii de poliimid defineste capacitatea prima.
 Fig.5. 0.85pF condensator poliimid

Fig.6 Condensator cu nitrid de siliciu

n cazul construirii unui condensator de decuplare, la fel nu este permis de a face o trecere
prin GaAs sub metalizarea M2. Din acest motiv condensatorul se construieste ca n fig.7

Fig.7

Modelul electric al condensatorului cu nitrid de siliciu este acelasi ca n fig.3. Exist ns dou
diferene principale. Mai nti, circuitul este simetric : C_M2 = C_M3 i L_M2 = L_M3. n al
doilea rnd, doarece contribuia dominanta la pierderi vine de la pierderile rezistive din
armturi (i nu de la pierderile n dielectric), iar aceste pierderi rezistive sunt foarte mici, se
consider n model RES = 0.

C_PRIME i C_M2 (=C_M3) se exprim analitic printr-o relaie de forma (1.1) unde x este
lungimea laturii trecerii de poliimid, n microni. Coeficienii sunt dai in tabelul 3.

Tabelul 3

Y C_PRIME(pF) C_M2=C_M3
a 5.789419x10-4 3.068702x10-6
n 1.968719 1.719218
b 0.010062 9.886438x10-3

L_M2=L_M3 este dat de un polinom de gradul cinci a crui coeficieni sunt n tabelul 4.

Tabelul 4

y L_M2=L_M3 (nH)
a 1.008265x10-13
B -1.028124x10-10
c 4.04525x10-8
d -7.805765x10-6
e 8.906675x10-4
f -0.028514

Sinteza se face cu relaia :

1
C _ PRIME 0.010062 1.968719
x (1.4)
5.789419 104

De remarcat c modelul este valabil doar pentru geometrii ptrate.

n fig.8 este prezentat dependena lui C_PRIME de dimensiunea layout.

 Fig.8. Condensator cu nitrura de siliciu : dimensiune layour vs. C_PRIME

Exemplu de proiectare

Care este dimensiunea unui condensator cu nitrid de siliciu avnd capacitatea de 59 pF.

Soluie
1
59 0.010062 1.968719
x 4
350 m
5.789419 10

Condensatorul in dinti de pieptene

Aceste condensatoare sunt construite utilizind metalizarea M2. Un exemplu de condensator

pieptene este prezentat n fig.9. Spaiul dintre dini este de 5 microni. Limea dinilor este de
10 microni, iar a electrozilor de 25 microni. Aceste dimensiuni sunt pentru un condensator
piptene standard. Sunt posibile si alte configuraii.
 Fig.9 Condensator pieptene

Un model de circuit pentru acest condensator, valabil pn la 20 GHz, este prezentat n fig.10.

Fig.10. Model electric pentru condensatorul pieptene

C_PRIME este capacitatea primar generat de cuplajul dintre din. R i L sunt rezisten i
bobin parazit care modeleaz pierderile, iar C1 reprezint capacitatea legat de modelarea
cmpului electric de margine spre mas. Modelul de circuit este simetric.

Valorile elementelor modelului sunt exprimate prin relaii n functie de dimensiunea de

layout, care pentru condensatorul pieptene este numrul de dini, N. N poate fi orice ntreg
ntre 6 i 20.

Capacitatea primar C_PRIME i N sunt legate prin ecuatiile :

 N 1.999482 744.0775C _ PRIME 0.15125 (1.5)

C _ PRIME N 1 F 55 F 8.96 10 6.59 10

5 4
(1.6)

Unde F 10 N 5 N 1 i C_PRIME este n pF.

Termenii parazii R, L i C1 sunt dai de expresii polinomiale de forma:

y aN 5 bN 4 cN 3 dN 2 eN f (1.7)

Unde N este numrul de dini. Coeficienii polinomului sunt dai n tabelul 5.

Tabelul 5

y C1(pf) L(nH) R()

a 0 0 -2.22583x10-3

b 0 0 0.163427

c 0 -3.026908x10-4 -4.72975

d 4.132143x10-5 0.014089 67.48168

e 2.831357x10-3 -0.208423 -475.724

f -0.011336 1.063872 1337.138

Lungimea unui dinte este dat de expresia

F .L. F 55 m (1.8)

Iar lungimea laturii condensatorului (F n fig.11) este calculat cu relaia :

F 10 N 5 N 1 m (1.9)

De remarcat c modelul este valabil doar pentru geometrii ptrate de condensator.

Exemplu de proiectare

Care este dimensiunea unui condensator interdigital de 0.086 pF.

Soluie

Numrul de dini este dat de relaia :

N 1.999482 744.0775x0.086 0.15125 10

 Fig.11. Condensator pieptene

Lungimea laturii condensatorului se calculeaz cu relaia :

F 10 10 5 10 1 145 m

Iar lungimea fiecrui dinte este calculat cu relaia :

F.L. 145 50 5 90m (1.10)

n concluzie, N = 10, lungimea dintelui = 90m, limea dintelui = 10m, spaiul dintre dini
= 5m, iar dimensiunea total a condensatorului = 145m x 145m.

Layout-ul acestui condensator este prezentat n fig.12.

In fig.13 si 14 se prezint dependena capacitii primare de numrul de dini i a capacitii

primare n functie de lungimea laturii condensatorului.

Fig.12. Condensatorul pieptene de 0.086 pF

Fig.13. Condensator pieptene : N vs. C_PRIME

Fig.14. Condensator pieptene: F vs. C_PRIME

Date asupra toleranei

Tolerana procesului pentru condensatorul cu poliimid este de 12% , iar a celui cu nitrura de
siliciu de 13% . Aceasta nseamn c valoarea lui C_PRIME poate varia cu 12% n cazul
condensatorului cu poliimid i cu 13% n cazul condensatorului cu nitrura de siliciu. Aceste
valori reprezint mpratierea posibil indiferent de mostra de proces. n cadrul aceluiai
wafer, variaia in jurul valorii medii este doar de 5%.

Toate condensatoarele sandwich variaza n acelai sens pe un wafer. Aceasta nseamn c

pentru acelai wafer, fie toate condensatoarele sandwich sunt mai mari, fie toate sunt mai
mici.

Cnd se face o analiz de toleran este important de notat c valoarea tolerantei se aplica doar
lui C_PRIME. Cnd folosim un model, mai nti fixm x (dimensiunea layout) la valoarea
layout-ului din masc. Aceasta pentru c modelul utilizeaz C_PRIME pentru a calcula
dimensiunea de layout (iar aceasta este folosita mai apoi pentru a calcula elementele parazite).

Condensatoarele pieptene au tolerante neglijabile.