TRANSISTORES

El Transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es la
contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de transferencia).
Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de
uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vdeo, hornos
de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes
de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes,
equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

CLASIFICACIN

Los transistores se clasifican por:

Material semiconductor: germanio, el silicio, arseniuro de galio, el carburo de
silicio, etc.
Estructura: BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, "otros tipos".
Polaridad: NPN, PNP en los BJTs; N-canal, P-canal en los FETs.
Potencia mxima calificacin: bajo, medio, alto.
Frecuencia mxima de funcionamiento: bajo, medio, alto, la frecuencia de radio
(RF), de microondas, etc.
Aplicacin: cambiar, de propsito general, audio, de alta tensin, sper-beta, par.
Fsica embalaje: a travs de agujeros de metal, a travs de agujeros de plstico,
montaje en superficie, la bola de la red matriz, mdulos de potencia.
Factor de amplificacin Hfe.

As, un transistor puede describirse como: silicio, de montaje superficial, BJT, NPN,
de baja potencia, el interruptor de alta frecuencia, de propsito general.

ESTRUCTURAS DE LOS TRANSISTORES

BJT
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrnica
analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital como la
tecnologa TTL (Del acrnimo en Ingls de Transistor-Transistor Logic o "Lgica
Transistor a Transistor") o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado
por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin
muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones:
 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su

funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

JFET
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de campo
de unin) es un circuito que, segn unos valores elctricos de entrada, reacciona
dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto
de campo elctrico, estos valores de entrada son las tensiones elctricas, en
concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Segn este
valor, la salida del transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica
definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.

IGFET
Transistor de efecto de campo con electrodo de control aislado o "Insulated Gate
FET" (IGFET), se caracteriza por tener el gate aislado del canal por una capa de
oxido de silicio.
Actualmente se fabrican entre otros, los siguientes dispositivos IGFET:
MOSFET o "MOS" ("Metal Oxide Semiconductor FET"), cuyo nombre deriva de los
tres materiales que aparecen al realizar un corte vertical en su estructura, segn
puede observarse en la figura.

Hasta hace poco los trminos IGFET y MOS eran sinnimos.

SILICON GATE FET, difiere de MOS en que el gate es de silicio poli-cristalino, en

lugar de ser metlico. Se consigue as controlar la conductividad del canal a partir
de tensiones de gate mas bajas.

SOS("Silicon On Saphire FET"), en el cual el canal semiconductor de silicio esta

depositado sobre un sustrato aislante de zafiro, en lugar de un sustrato
semiconductor de silicio. De esta manera se alcanzan velocidades de conmutacin
mas altas.
DMOS (MOS de Doble Difusin), que presenta un canal de corta longitud para
permitir muy altas velocidades de conmutacin, gracias al breve tiempo de transito
de los portadores por el citado canal.

Una segunda clasificacin tiene en cuenta la conductancia del canal cuando al

gate no se le aplica ninguna tensin. Asi se tiene:

FET de Canal Normalmente Conductor o de "vaciamiento" ("Depletion FET"), que

permite en las condiciones mencionadas el pasaje de corriente entre los extremos
drain y source del canal, cuando entre los mismos se aplica tensin. Los JFET solo
admiten este tipo de funcionamiento, que tambin puede darse en los IGFET. Se
representa este FET por una lnea llena entre los terminales D y S que simboliza la
continuidad citada.

FET de Canal Normalmente Abierto, o no conductor, o de "enriquecimiento"

(enhancement FET): en este FET sin tensin en el gate no circula prcticamente
corriente entre los terminales drain y source al aplicrseles tensin. Se simboliza
con una lnea de trazos entre drain y source. La manera de representarlos es la
siguiente:

Por ltimo, por la naturaleza del canal conductor, los transistores de efecto de
campo pueden ser de dos tipos:

FET de Canal P: Los portadores mayoritarios que circulan por el canal son
lagunas.

FET de Canal N: Los portadores que circulan por el canal son electrones.

Un MOS de canal P o "PMOS" se indica con una flecha dirigida hacia el sustrato,
sealando que el mismo es de tipo N, aunque el canal ser de tipo P. Del mismo
modo, un MOS tipo N o "NMOS" se indica con una flecha saliendo del sustrato.
En los circuitos digitales integrados se emplean los IGFET, que renen las
propiedades enunciadas. En conmutacin se prefiere el FET de "enriquecimiento",
que conduce corriente solo cuando la tensin aplicada al gate supera cierto nivel.
Con referencia a la velocidad de conmutacin, los NMOS son mas rpidos que los
PMOS, puesto que la movilidad de los electrones es mas que el doble de la de las
lagunas.

IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia.
Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja
saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada e control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El
circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
caractersticas de conduccin son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos hasta entonces no viables en
particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en
maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y
por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automvil,
tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin,
Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida, etc.

POLARIDAD DE LOS TRANSISTORES

NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y
"P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.

PNP
El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

MATERIALES DE FABRICACIN

Materiales semiconductores
Las primeras BJTs fueron hechas de germanio (Ge) y algunos tipos de alta
potencia todava estn hechos con este material, otros tipos son de Silicio (Si),
pero actualmente predominan ciertos materiales avanzados de microondas de alto
rendimiento y las versiones ahora emplean el compuesto material semiconductor
de arseniuro de galio (GaAs) y la aleacin de semiconductores de silicio y
germanio (SiGe). Siendo estos materiales elementales para fabricacin de
semiconductores (Ge y Si).

NOMENCLATURA
Todos los semiconductores tienen ser-grafiados nmeros y letras que especifican y
describen de que tipo de dispositivo se trata. Existen varias nomenclaturas o
cdigos que pretenden darnos esta preciada informacin. De todas destacan tres:
 PROELECTRON (Europea).

JEDEC (Joint Electronic Devices Engineering Council) (Estados Unidos).

JIS (Japanese Industrial Standards) (Japon).

PROELECTRON
Consta de dos letras y tres cifras para los componentes utilizados en radio,
televisin y audio o de tres letras y dos nmeros para dispositivos industriales. La
primera letra precisa el material del que est hecho el dispositivo y la segunda letra
el tipo de componente. El resto del cdigo, nmeros generalmente, indica la
aplicacin general a la que se aplica. Para la identificacin de estos dispositivos se
utiliza la tabla siguiente:

La primera letra indica el material semiconductor utilizado en la construccin del

dispositivo.

A Germanio.

B Silicio.

C Arseniuro de Galio.

D Antimoniuro de Indio.

R Material de otro tipo.

La segunda letra indica la construccin y utilizacin principal del dispositivo.

A Diodo de seal (diodo detector, de conmutacin a alta velocidad, mezclador).

B Diodo de capacidad variable (varicap).

C Transistor, para aplicacin en baja frecuencia.

D Transistor de potencia, para aplicacin en baja frecuencia.

E Diodo tnel.

F Transistor para aplicacin en alta frecuencia.

L Transistor de potencia, para aplicacin en alta frecuencia.

P Dispositivo sensible a las radiaciones.

R Dispositivo de conmutacin o de control, gobernado elctricamente y teniendo

un efecto de ruptura (tiristor).

S Transistor de aplicacin en conmutacin.

T Dispositivo de potencia para conmutacin o control, gobernado elctricamente y

teniendo un efecto de ruptura (tiristor).
U Transistor de potencia para aplicacin en conmutacin.

X Diodo multiplicador (varactor).

Y Diodo de potencia (rectificador, recuperador).

Z Diodo Zener o de regulacin de tensin.

La serie numrica consta:

a) De tres cifras (entre 100 a 999) para dispositivos proyectados principalmente en

aparatos de aplicacin domstica (radio, TV, registradores, amplificadores).

b) Una letra (X,Y,Z), seguida de dos cifras (de 10 a 99) para los dispositivos
proyectados para usos principales en aplicaciones industriales y profesionales.

Ejemplos:

BC107 Transistor de silicio de baja frecuencia, adaptado principalmente para usos

generales.

BSX 51 Transistor de silicio de conmutacin, adaptado principalmente para

aparatos industriales.

En algunos casos, para indicar variaciones de un tipo ya existente, la serie

numrica puede ir seguida de una letra:

BSX51A Transistor similar al BSX51, pero especificado para una tensin ms alta.

JEDEC
En Estados Unidos se utiliza la nomenclatura de la JEDEC (Joint Electronic
Devices Engineering Council) regulado por la EIA (Electronic Industries
Association), fue creado en 1960 para trabajar junto con la EIA y NEMA, para
proteger la estandarizacin de dispositivos semiconductores y luego expandido en
1970 para incluir circuitos integrados. Esta nomenclatura consta de un nmero,
una letra y un nmero de serie (este ltimo sin significado tcnico). El significado
de los nmeros y letras es el siguiente:

1N Diodo o rectificador 2N Transistor o tiristor 3N Transistor de Efecto de Campo

FET o MOSFET

JIS
Los fabricantes japoneses utilizan el cdigo regulado por la JIS (Japanese
Industrial Standards), que consta de un nmero, dos letras y nmero de serie (este
ltimo sin ningn significado tcnico). El nmero y letras tienen el siguiente
significado:

Numero Primera Letra Segunda Letra.

0 Foto transistor S Semiconductor A Transistor PNP de A.F.
1 Diodo, rectificador o varicap B Transistor PNP de B.F.
2 Transistor, tiristor C Transistor NPN de A.F.
3 Semiconductor con dos puertas D Transistor NPN de B.F.
F Tiristor de puerta P
G Tiristor de puerta N
J FET de canal P
K FET de canal N

Ejemplo.- 2SG150: Tiristor de puerta N