Tcnica de Czochralski

-Cientfico polaco Jan Czochralski descubre en 1916 el mtodo de crecimiento de un cristal

-silicio obtenido de la arena Si O2.

Se ubica en un horno el silicio con otras formas de carbon

Se obtiene silicio sobre el 98% de pureza

Luego se le aade cido clorhdrico (HCL), para obtener triclorosilano

El triclorosilano es un lquido a temperatura ambiente

-por destilacin fraccionada se remueven las impurezas no deseadas.

-para purificar el silicio del triclorosilano se emplea una reaccin de reduccin con hidrogeno para
preparar el silicio de grado electrnico (EGS)

La reaccin toma lugar en un reactor conteniendo una varilla de silicio calentada por resistencia,
este sirve como punto de nucleacin para la deposicin de silicio.

El EGS regularmente tiene impurezas en el orden de partes por billn.

-emplea un aparato llamado extractor de cristal:

Se compone de tres principales componentes:

un horno, el cual posee silicio fundido en un crisol, un susceptor de grafito, un mecanismo de

rotacin( sentido horario), un elemento de calefaccin y una fuente de potencia. El crisol rota
durante el crecimiento para prevenir fros o calores localizados.

Un mecanismo de extraccin de cristal que incluye un soporte de semilla y un mecanismo de

rotacin (sentido anti horario)
Un ambiente controlado que incluye una fuente de gas (por lo general argn para prevenir de
contaminacin el traslado del silicio) un controlador de flujo y un sistema de escape.

Nota la rotacin es invertida para lograr mayor homogeneidad en el dopado. El crisol se calienta a
1412C. Las impurezas deseadas son obtenidas por medio de la adiccin de impurezas a la masa
fundida en la forma de silicio altamente dopado anterior al crecimiento del cristal (se aaden
impurezas al silicio fundido).

El dopado se realiza regularmente con boro y fosforo segn el tipo deseado de semiconductor.

Dimetro obleas 450 mm y peso 450 kg lingote (en 2015).

existe una diferencia entre la concentracin de dopaje en el fundido slido y el fundido liquido el
radio de estas dos concentraciones se le conoce como coeficiente de segregacin de equilibrio.
K=cs/cl , cs y cl son equilibrio de concentracin en del dopado slido y liquido

impurezas de 10`^15 cm^-3

la cantidad tpica es de un microgramo por kilogramo.

Concentracin de dopaje menor en estado slido al liquido

silicio dopado al silicio intrnseco.

El silicio producido posee oxigeno lo que es inconveniente para el uso de semiconductores en

circuitos con alta potencia por la alta resistencia manejada. Este silicio es de baja resistencia.
Proceso de zona de flotacin de silicio

Puede ser usado para el crecimiento de silicio con menor contaminacin, que los normalmente
obtenidos por la tcnica de Czochralski.

Una vara poli cristalina de alta pureza con una semilla de cristal en el fondo retenida en una
posicin vertical y rotando. La vara es puesta en una envoltura de quarzo dentro de la cual hay
una atmosfera mantenida inerte (con argon).

Durante la operacin, una pequea zona (de solo unos centimetros) del cristal es mantenido
fundido por una radiofrecuencia calentadora, la cual es movida hacia arriba de tal manera que la
zona flotante atraviese la longitud de la varilla.

La varilla es retenida por medio de tensin ejercida en sus caras, al subir la zona flotante el
material de abajo se solidifica haciendo crecer el silicio mono cristalino.

Silicio poli cristalino dopado o se dopa por medio de la irradiacin de neutrones a el silicio,
transmutando el silicio a fosforo para obtener un semiconductor tipo n.

Galio-Arsenico
Galio y arsnico presiones de vapor elevadas a la temperatura de fusin del arseniuro de galio

Se realiza el proceso sobre presin de arsnico

Se posee un tubo de cuarzo en un horno con dos zonas a diferentes temperaturas, arsnico de
alta pureza en recipiente de grafito y se coloca se calienta 610c y el galio puro se calienta por
encima del punto de fusin del arsenuro de galio 1238c se establece sobrepresin de arsnico
que permite el transporte del gas de arsenico a la seccin de galio fundido y obteniendo arseniuro
de galio y se evita debido a las condiciones la descomposicin del arseniuro de galio.

Al enfriarse se obtiene arseniuro de galio de alta pureza.

Tcnica LEC (Liquid-Encapsulated-Czochralski).

El arseniuro de galio monocristalino se puede obtener por el mtodo Czochralski como en el silicio,
pero requiere condiciones especiales para evitar el escape del aseniuro.

Condiciones alta presin de arsnico, se aisla el fundido por medio de oxido borico principalmente
para evitar la salida del arsnico.

Tcnica de bridgmann

Se emplea un horno de 2 zonas, una zona a 610c para generar sobre presin de arsnico. En la
otra zona el horno se mantiene a una temperatura por encima del GaAs . El tubo sellado es de
cuarzo y el recipiente con GaAs es de grafito, al pasar del segundo horno al primero con una
semilla en lado contrario al segundo horno, la seccin de la semilla se enfra y empieza a crecer,
gracias a la semilla comienza a crecer segn la semilla el cristal de GaAs.
Obleas, se quitan lo extremos del lingote, se marca la orientacin del cristal y el tipo de
conductividad. Se cortan y se tratan qumicamente las obleas para eliminar impurezas y otros
defectos causados con el contacto con el ambiente y los mismos qumicos.

Crecimiento epitexial:

Se emplea para hacer crecer una lmina delgada de cristal encima de un cristal substrato.

En este caso el substrato de la oblea acta como cristal semilla para el crecimiento. El
crecimiento epitexial se diferencia del crecimiento volumtrico por la facilidad de emplear
temperaturas menores a la de fusin del material.

Cuando un material crece epitexialmente en un substrato del mismo material, se denomina homo
epitaxia, de lo contrario se denomina heteroepitaxia en este caso los materiales de la capa y el
substrato deben ser similares en su estructura para poder obtener el crecimiento cristalino.

Existen diferentes tipos de crecimiento epitexial:

Epitexia en fase gaseosa (VPE): reactivos en fase gaseosa

Epitexia en fase liquida (LPE): reactivos en fase liquida

Epitexia por haces moleculares (MBE): los reactivos son haces de tomos o molculas, en entorno
vacio

VPE

Dentro de un reactor

Las obleas se ingresan dentro de un recipiente sobre un soporte de grafito

Para el arsenuro de galio

La capa de dopado se puede lograr para tipo p aadiendo diborano B2Cl4 y para tipo n arsina AsH3
y la fosfina PH3.

Debe haber sobrepresin de arsnico. Tipo n hidruro de azufre y selenio tetranetilestao, para el
tipo p dietilzonc, dietilcadmio.
Mbe

Crecimiento de cristal monocristalino, condiciones de alto vaco.

Es un proceso a bajas temperaturas 400 a 800c.

Control preciso del perfil de dopado

Crecimiento de mltiples capas mono cristalinas con espesores atmicos

El material copia las propiedades cristalinas del sustrato. Cmara ultra alto vaco, dentro una
celda(crisol con material a depositar), se calienta el crisol y se evapora el material, debido al ultra
alto vaco, camino medio libre de metros, esto ocasiona disparo de tomos en forma de haces,
permite controlar el dopado, posee cada celda un obturador interrumpe tomos que llegan al
substrato controlando el proceso.
Sputtering

http://www.icmm.csic.es/fis/espa/sputtering.html

Es un mtodo por el cual se posee un substrato y un material objetivo, el material objetivo

(ctodo) es bombardeado por gas ionizado, tpicamente argn o otros gases inertes o especies
reactivas como oxgeno y nitrgeno.
Bsicamente se emplean dos mtodos el dc y el rf. El dc se emplea una corriente directa, es
regularmente usada para la deposicin de una pelcula de un metal, empleando 2 electrodos se
forma un campo elctrico, como el ctodo es aplicado directamente sobre el material objetivo, los
electrones libres son acelerados y con suficiente energa ionizan los tomos de argn produciendo
el plasma, el argn es acelerado hacia la placa objetivo liberando tomos,, los cuales salen como
haces y se depositan en el substrato.

PVD (metalizacion)

Es un mtodo por el cual por medio del calentamiento de un material solido o el bombardeo con
iones energticos, el vapor termina condensndose en el material substrato. La evaporacin
ocurre cuando un material fuente es calentado a su punto de fundicin y evacuado en una
cmara. La evaporacin genera el recorrido a altas velocidades de los tomos en trayectorias
rectas. Es usual mente se empleaba la evaporacin y la evaporacin por haz de luz para la
fabricacin de circuitos integrados.
CVD

Se realiza por medio de gases (a veces en forma lquida) los cuales mediante reaccin dan un
producto nuevo que se condensa en forma de pelcula delgada en el substrato

Implica la interaccin entre una mezcla de gases y la superficie de un sustrato calentado, lo que
provoca la descomposicin qumica de algunas de las partes del gas y la formacin de una pelcula
slida en el sustrato. Regularmente se emplea un vidrio de silicio el cual se dopa con
borofosforosilicato BPSG y fosfosilicat FSG. Nitrilo de silicio se emplea para hacer pelculas
dielctricas

Existen tres mtodos principales:

Presin atmosfrica CVD

Baja presin LPCVD: permite eliminar reacciones de fase no deseados y una pelcula uniforme
sobre las obleas. Baja razn de deposicin.
CVD mejorado por plasma PECVD: permite la deposicin a bajas temperaturas, pero con un
dimetro de obleas limitado y el requisito de que las obleas no posean impurezas ya que causan
grandes fallos en la deposicin.

CVD polisilicio
litografa
Iluminacin con rayos ultravioleta, polimerizacin disolucin de dixido de silicio con acido
fluorhdrico.
Posteriormente a la exposicin del semiconductor se procede a dopar el mismo puede ser por
plasma 10^19 10^12 cm-3