Dipl Brandt PDF

Diplomarbeit
Elektrische Eigenschaften von Zinkoxid bei

erhhten Temperaturen
Matthias Brandt
Betreuer: Prof. Dr. M. Grundmann

Dipl. Phys. H. v. Wenckstern
Erstgutachter: Prof. Dr. M. Grundmann
Zweitgutachter: Prof. Dr. F. Kremer
vorgelegt: 24. Mai 2006
Universitt Leipzig
Fakultt fr Physik und Geowissenschaften
Institut fr Experimentalphysik II Abteilung Halbleiterphysik
INHALTSVERZEICHNIS
1. Einleitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2. Ladungstransport im Halbleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.1 Temperaturabhngigkeit der freien Ladungstrgerkonzentration . 6
2.1.1 Intrinsische Leitung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.1.2 Ladungstrger nur eines Typs . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.1.3 Donatoren und Akzeptoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.2 Boltzmann Transportgleichung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.3 Streuprozesse in Halbleiterkristallen . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2.3.1 Streuung an ionisierten Strstellen . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.3.2 Streuung an akustischen Phononen . . . . . . . . . . . . . . 15
2.3.3 Streuung an optischen Phononen . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.3.4 Streuung an Korngrenzen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.3.5 Berechnung der Mobilitt in Anwesenheit mehrerer Streu-
kanle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3. Hall - Effekt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.1 Generelle Betrachtungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3.2 Messverfahren nach Van der Pauw . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
3.3 Versuchsaufbau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.3.1 Messelektronik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
3.3.2 Tieftemperaturkryostat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.3.3 Hochtemperaturkryostat . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
4. Mikroelektrische Untersuchungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
4.1 Messverfahren und Gerte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
4.1.1 Funktionsweise des Rasterkraftmikroskopes . . . . . . . . . 33
4.1.2 Grundlagen der Scanning Capacitance Microscopy . . . . 35
4.1.3 Grundlagen der Scanning Surface Potential Microscopy . 39
4.2 Untersuchungen an Silizium-Querschnitten bekannter Dotierstoff-
konzentration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
Inhaltsverzeichnis 3
5. Ergebnisse der Messungen und Auswertung . . . . . . . . . . . . . . . . 47

5.1 Hall - Effektmessungen bei Raumtemperatur . . . . . . . . . . . . . 47
5.1.1 Undotierte ZnO Proben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
5.1.2 P dotierte ZnO Proben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
5.2 Temperaturabhngige Hall - Messungen . . . . . . . . . . . . . . . . 57
5.2.1 undotierte ZnO Dnnfilme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
5.2.2 P dotierte ZnO Dnnfilme . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
5.2.3 Implantationsversuche an Einkristallen . . . . . . . . . . . . 75
5.2.4 Hydrothermal gezchtete Einkristalle . . . . . . . . . . . . . 81
5.3 Messungen mittels Scanning Capacitance Microscopy . . . . . . . . 83
5.3.1 Undotierte PLD Proben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
5.3.2 P dotierte, homoepitaktisch gewachsene PLD Dnnfilme . . 84
5.3.3 Implantierte Einkristalle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
6. Zusammenfassung und Ausblick . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94
Anhang 96
A. Messstellenzuordnung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
B. Konstruktionsskizzen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
1. EINLEITUNG
Der Halbleiter Zinkoxid hat auf Grund seiner potentiellen Eignung fr optoelek-
tronische Anwendungen im UV Bereich in den letzten Jahren erneut erhebliche
Forschungsaktivitten erfahren. Zinkoxid (ZnO) hat eine direkte Bandlcke von
E1 = 3,37 eV bei Zimmertemperatur [1]. Die hohe Exzitonenbindungsenergie von
60 meV sollte exzitonische Laserverstrkung bei Raumtemperatur und darber er-
mglichen. Zinkoxid kristallisiert in Wurtzit-, Zinkblende- und Kochsalzstruktur,
wobei im thermischen Gleichgewicht die hexagonale Wurtzitstruktur vorherrscht.
Das ideale Achsenverhltnis wurtzitischer Kristalle betrgt c/a = 8/3 = 1, 633.
Zinkoxid hingegen zeigt ein abweichendes Achsenverhltnis von c/a = 1, 602
[2], was auf die stark unterschiedlichen Elektronegativitten der Elemente Zink
und Sauerstoff zurckzufhren ist. Fr die Herstellung optoelektronischer Bau-
elemente besteht die Notwendigkeit, sowohl n - als auch p - leitendes Material
reproduzierbar und von gleich bleibender Qualitt herzustellen. Leider ist dies im
Falle von p - Typ ZnO bisher noch nicht vollstndig realisiert. Zwar gibt es zahl-
reiche Berichte ber p - leitende Proben, eine bersicht ist z.B. in [3] zu finden,
allerdings zeigen viele dieser Proben sehr hohe spezifische Widerstnde, oder
sind nur in bestimmten Temperaturbereichen, oder im Dunkeln p - leitend. Die
Schwierigkeiten bei der Herstellung von p - Typ Material sind vor allem dadurch
begrndet, dass nahezu alle nominell undotierten ZnO Proben n - leitend sind,
mit teilweise sehr hohen Ladunsgtrgerkonzentrationen. Dies wird verschiede-
nen Donatoren zugeschrieben. Zum Beispiel zeigt ZnO die Tendenz auch in sau-
erstoffreicher Umgebung nicht stchiometrisch mit leichtem Zinkberschuss zu
wachsen [4]. Dies fhrt zum Auftreten zweier donatorartiger Defekte, Zinkato-
men auf Zwischengitterplatz ZnI , und Sauerstoffvakanzen VO . Die Anwesenheit
dieser Defekte wurde lange Zeit als Begrndung fr die Tatsache angefhrt, das
ZnO von Natur aus als n - Typ Material auftritt. Theoretische Berechnungen haben
allerdings ergeben, das VO einen tiefen Donator bildet [5].Die hohen freien Elektro-
nenkonzentrationen von 1,0 1017 cm3 in nominell undotiertem ZnO bei Zim-
mertemperatur legen nahe, dass VO deshalb als dominierender Donator nicht in
Frage kommt. Zudem hat sich gezeigt [6], dass die Bildungsenergie fr VO relativ
hoch ist, und die Anzahl dieser Strstellen fr die beobachtete n - Leitung nicht
ausreichen sollte. Deswegen haben nach theoretischer Vorhersage [7] verschie-
dene Untersuchungen Wasserstoff als dominanten Donator in Betracht gezogen,
1. Einleitung 5
welcher eine Aktivierungsenergie von 3050 meV haben sollte [8][9]. Allerdings
haben Experimente ergeben, das Wasserstoff durch thermische Behandlung aus
den Proben entfernt werden kann, und das dazugehrige Donatorniveau ver-
schwindet [10][11][12]. In anderen Verffentlichungen wird dieses Niveau dem
ZnI zugeschrieben [13]. Auerdem haben verschiedene Untersuchungen [14] wei-
tere flache Donatoren ED 60 meV festgestellt, welche mit groer Sicherheit auf
die Effektiv-Masse Donatoren der Gruppe III Elemente, insbesondere Aluminium
zurckzufhren sind. Aluminium stellt eine hufige Verunreinigung im Zinkoxid
dar, und kann z. B. whrend der Abscheidung auf Saphirsubstraten aus diesen
eindiffundieren.
Zur Herstellung von p - Typ ZnO ist es unerlsslich, die Anzahl der Hinter-
grunddonatoren zu senken, um der Kompensation eventuell eingebauter Akzep-
toren entgegenzuwirken. Dies muss sowohl durch die Kontrolle der donatorar-
tigen Fremdverunreinigungen, als auch durch die Unterdrckung intrinsischer
Defekte erfolgen, was vor allem durch die Wahl geeigneter Zchtungsbedingun-
gen erzielt werden kann.
Im Rahmen dieser Arbeit wurden dafr mehrere Serien nominell undotier-
ter Proben vermessen, um die Ursachen donatorartiger Verunreinigungen weiter
aufzuklren, als auch Messungen an mit Gruppe V Elementen dotierten Proben
durchgefhrt, um den Einbau von Akzeptoren in das ZnO Kristallgitter zu un-
tersuchen.
2. LADUNGSTRANSPORT IM HALBLEITER
Fr den in dieser Arbeit betrachteten Ladungstransport kommen im Wesentli-

chen zwei Ursachen in Frage. Zum einen das Anlegen eines ueren elektrischen
Feldes, zum anderen die Existenz eines Temperaturgradienten in der Probe. Bei-
de Ursachen erzeugen eine auf die Ladungstrger wirkende Kraft. Auerdem
kommen berlagerung beider Felder sowohl untereinander, als auch mit einem
angelegten Magnetfeld zu Stande, welche weitere Kraftwirkungen auf die La-
dungstrger hervorrufen. Die dabei auftretenden Effekte, und deren Einfluss auf
gewonnene Messgren werden in Kapitel 4 ausgiebig behandelt, bei den Betrach-
tungen dieses Kapitels wird stets von einem zeitlich konstanten und homogenen
elektrischen Feld E und einer sowohl in der gesamten Probe, als auch in Gren
der Messzeit konstanten Temperatur T ausgegangen.
2.1 Temperaturabhngigkeit der freien

Ladungstrgerkonzentration
Grundstzlich stehen im Halbleiterkristall nur diejenigen Ladungstrger zum
Transport zur Verfgung, welche auf Grund thermischer Anregung frei beweg-
lich sind. Man unterscheidet ihrem Ursprung nach intrinsische Leitung, wobei
Elektronen thermisch vom Valenz- ins Leitungsband gehoben werden, und Str-
stellenleitung, bei der die freien Ladunsgtrger durch Ionisation eines Donators
bzw. Akzeptors entstehen.
2.1.1 Intrinsische Leitung

Fr einen isotropen Volumenkristall ergibt sich in Effektivmassennherung die
Zustandsdichte im Leitungsband nach [15] zu
1
C (E) = (2me )3/2 (E EC )1/2 , (2.1)
2 ~
2 3
im Valenzband ergibt sich unter analogen Annahmen
1
V (E) = (2mh )3/2 (EV E)1/2 , (2.2)
22 ~3
2. Ladungstransport im Halbleiter 7
wobei me die effektive Masse der Elektronen im Leitungsband, und mh die effektive
Masse der Lcher im Valenzband bezeichnet. Elektronen und Lcher gehorchen
der Fermiverteilung
1
f (E, T) = , (2.3)
1 + e(EEF )
wobei = kB T, die sich, fr den Fall, dass E EF hinreichend gro ist (> 3kB T),
zur Boltzmannverteilung
f (E, T) = e(EF E) (2.4)
vereinfacht. Fr die Zahl der Elektronen im Leitungsband gilt
Z
n= C (E) f (E, T)dE. (2.5)
EC
Generell ergibt sich daraus unter Verwendung von (2.1) und (2.3) und den Sub-
stitutionen x = (E EC ) und = (EF EC )
n = NC 1/2 (), (2.6)
wobei 1/2 () das Fermiintegral

2 x dx
Z
1/2 () = (2.7)
0 1 + ex
analytisch nicht lsbar ist. Eine numerische Integration ist allerdings mglich, und
deren Ergebnis beispielsweise im Anhang von [15] dokumentiert. Die Rechnung
vereinfacht sich jedoch wesentlich fr den Fall das (2.4) statt (2.3) verwendet
werden kann. In manchen Fllen ist es jedoch ntig, das Fermiintegral zu be-
rechnen, beziehungsweise aus der Anzahl der freien Ladungstrger die Lage des
Ferminiveaus zu bestimmen. In diesen Fllen kann es ntzlich sein, eine Nhe-
rungsfunktion zu verwenden. Fr die entsprechenden Berechnungen werden in
dieser Arbeit zwei Nherungen verwendet. Die Nherung [16]
1
1/2 () (2.8)
e + ()
mit r
3/2
() = 3 + 2, 13 + (| 2, 13|2,4 + 9, 6)5/12 (2.9)
2
verursacht fr alle einen Fehler von weniger als 0, 53%. Umgekehrt lsst sich das
Ferminiveau mit folgender Nherung mit einem Fehler unter 0,15 meV bestimmen
[17]:
ln u v
= 2 +v (2.10)
u 1 1 + (0, 24 + 1, 08v)2
wobei !2/3
3 u
v= und u = 1/2 (). (2.11)
4
Im undotierten Halbleiter werden genauso viele Lcher wie Elektronen generiert.

Auerdem liegt die Fermienergie nahe der Bandmitte, und die Anwendung der
Boltzmannverteilung ist gerechtfertigt. Folglich ergibt sich:
n = NC e(EF EC ) , (2.12)
wobei NC die effektive Zustandsdichte im Leitungsband

!3/2
2me kB T
NC = 2 (2.13)
(2~)2
bezeichnet, und analog
!3/2
(EV EF ) 2mh kB T
p = NV e mit NV = 2 . (2.14)
(2~)2
Unter Verwendung der Neutralittsbedingung lsst sich die Lage des Ferminiveaus
bestimmen
Ec + EV 3kB T me

EF = ln . (2.15)
2 4 mh
Auerdem lsst sich mit dem Produkt der Ladungstrgerkonzentrationen
np = n2i = NC NV eE1 (2.16)
zeigen, dass intrinsische Leitung im Zinkoxid bei Raumtemperatur und weit

darber hinaus keine Rolle spielt.
2.1.2 Ladungstrger nur eines Typs

Die folgenden Betrachtungen werden fr Donatoren durchgefhrt, sind aber na-
trlich analog auch fr Akzeptoren anwendbar. Durch das Einbringen von Do-
tieratomen ergeben sich energetische Niveaus in der Bandlcke, deren Ionisation
Elektronen ins Leitungsband freisetzt. Hierbei werden zunchst nur einfach ge-
ladene Zentren betrachtet. Fr diese betrgt die Aktivierungsenergie in erster
Nherung
me e4
EI = EC E D 2 2 , (2.17)
8 h
was dem Bohrschen Wasserstoffatom entspricht. Mit EI = 54,5 meV liegt diese
Aktivierungsenergie deutlich unter der fundamentalen Bandlckenenergie von
ZnO. Es soll davon ausgegangen werden, dass die Strstelle nur in zwei Zu-
stnden, dem Besetzen und dem Unbesetzten vorkommt. Fr den Besetzten gilt
N1 = Nt 11 f (Et ), und fr den unbesetzten N0 = Nt 10 (1 f (Et )), wobei 11 und 10
den quantenmechanischen Entartungsgrad der jeweiligen Zustnde wiederge-
ben. Aus dem Verhltnis der Konzentrationen
N1 11 (EF Et )
= e (2.18)
N0 10
und der Tatsache das Nt = N1 + N0 , ergibt sich fr den unbesetzten Zustand

!1
N0 11 (EF Et )
= 1+ e . (2.19)
Nt 10
Die Anzahl der freien Elektronen kann fr den Fall eines Halbleiters, der aus-
schlielich Donatoren enthlt (n p), und deswegen die Konzentration der
unbesetzten Strstellen der Anzahl der Elektronen im Leitungsband entspricht,
als
ND
n = ND+ = 11 (E E )
(2.20)
1 + 10 e F D
geschrieben werden. Unter der Annahme eines nichtentarteten Halbleiters (EC
EF ) 1 gilt (2.12) und (2.20) kann weiter vereinfacht werden.
ND ND
n= = 11 n
(2.21)
1+ e(EF EC ) e(EC ED ) 1+
11
10 10 NC
eEI
Ersetzt man
10
n1 = NC eEI (2.22)
11
und lst nach n auf, erhlt man:
r
n1 1 + 4N D
1 (2.23)

n= .
2 n1
Im Falle kleiner Temperaturen wchst 4ND /n1 stark an, und (2.23) lsst sich zu
r
10
n= ND NC eEI /2 (2.24)
11
vereinfachen, wohingegen fr hohe Temperaturen 4ND /n1 klein wird, und n gegen
ND geht. Man spricht in diesem Bereich von Sttigung, alle verfgbaren Donatoren
haben ihr Elektron an das Leitungsband abgeben.
2.1.3 Donatoren und Akzeptoren

Nun treten in einem realen Halbleiterkristall stets Donatoren und Akzeptoren auf.
Weiterhin sind sehr oft sowohl verschiedene Donatoren als auch verschiedene
Akzeptoren enthalten, welche unterschiedliche Defektzustnde in der Bandlcke
bilden. Demzufolge mssen die bisherigen Betrachtungen verallgemeinert, und
auf die realen Gegebenheiten angepasst werden, um experimentelle Ergebnisse
damit erklren zu knnen. Betrachtet man nun zuerst einen Halbleiter in dem nur
Donatoren verschiedenen Typs eingebaut sind, so zeigt sich schnell, dass
X NDi
n = ND+ = , (2.25)
1+ e(EF EDi )
11i
i 10i
wobei einfach die Beitrge aller ionisierten Donatoren zur Konzentration der
freien Ladungstrger aufsummiert wurden. In einem realen Halbleiterkristall sind
weiterhin auch noch Akzeptoren anwesend, welche die Donatoren zumindest
teilweise kompensieren. Geht man davon aus, dass die Temperatur klein genug
ist, und keine freien Minorittsladunsgtrger vorhanden sind p 0, und ND > NA
gilt:
n ND+ NA ND+ NA , (2.26)
da davon auszugehen ist, dass smtliche Akzeptoren ionisiert sind, wenn EF ber
der Mitte der Bandlcke liegt. Aus (2.25) und (2.26) ergibt sich
X NDi
n= NA (2.27)
1+ e(EF EDi )
11i
i 10i
Fr nichtentartete Halbleiter gilt folglich

X N n
Di 1i
n= NA . (2.28)
(n1i + n)
i
Dies ist eine Gleichung vom (i + 1)ten Grad in n. Fr den Spezialfall eines einzi-
gen Donators vereinfacht sich diese zu einer quadratischen Gleichung, und eine
analytische Lsung ist mglich.
r
n1 NA 2 n1 NA

n= + n1 (ND NA ) (2.29)
2 2
Fr Systeme mit hheren Donatoranzahlen wird eine numerische Lsung von
(2.28) ntig. Eine detaillierte Lsung und mgliche Approximationen fr den Fall
zweier Donatoren ist in [18] zu finden.
2.2 Boltzmann Transportgleichung

Setzt man die freien Ladungstrger einem elektrischen Feld aus, beginnen sich
diese zu bewegen. Dabei verndert sich die Verteilung der Elektronen bezg-
lich ihrer Wellenvektoren ~k. Die Gleichgewichtsverteilung (2.3) geht ber in eine
Verteilung [19]
fT = f + x1 (2.30)
wobei f die ungestrte Verteilungsfunktion (2.3), x den Cosinus des Winkels
zwischen ~k und dem Feld F ~ und 1 den linear feldabhngigen Strterm bezeichnet.
Nun gilt die Boltzmanntransportgleichung
df df
! ! Z
e
~ ~ = d3 k~ s fT (1 fT ) s fT (1 fT ) , (2.31)

=~ ~
v fT + F kfT =
dt dri f t ~ dt coll
wobei gilt fT = fT (k~ ), und s = s(~k, k~ ) die differenzielle Streurate vom Zustand mit
dem Wellenvektor ~k in den mit dem Wellenvektor k~ bezeichnet. Weiterhin gilt
s = s(k~ , ~k). Durch Einsetzen von (2.30) in (2.31), Integration nach x und Trennung
der Variablen erhlt man:
Z
d3 k~ s f (1 f ) s f (1 f ) = 0 (2.32)

und
f eF f
Z Z
3 ~
d k X1 s (1 f ) + s f 1 d3 k~ s(1 f ) + s f , (2.33)

vz + =
z ~ k
wobei gilt F||z, und X den Cosinus des Winkels zwischen ~k und k~ bezeichnet.
Betrachten wir im Folgenden nur (2.33), und setzen voraus, dass weder Temperatur-
noch Konzentrationsgradienten in der Probe existieren, und der erste Term in
(2.33) verschwindet. Nun lassen sich die differenziellen Streuraten in zwei An-
teile, einen verursacht durch elastische und einen durch inelastische Streuung
zerlegen.
s(~k, k~ ) = sinel (~k, k~ ) + sel (~k, k~ ) (2.34)
Weiterhin gilt sel = sel . Bercksichtigt man nur elastische Streuprozesse vereinfacht
sich diese Gleichung wesentlich zu
eF f
1= (2.35)
~ k
mit
1
Z
el = = d3 k~ (1 X)sel . (2.36)

Hier bezeichnet el die Relaxationsrate, beziehungsweise die Relaxationszeit.

Im allgemeinen Fall, und wie sich zeigen wird, auch im Fall der in dieser Arbeit
untersuchten Proben, ist jedoch der Anteil inelastischer Streuprozesse nicht zu
vernachlssigen. In diesem Fall ist eine Lsung der Boltzmanntransportgleichung
nur noch numerisch mglich. Die Beitrge nicht elastischer Streuprozesse lassen
sich in einen Einstreuanteil
Z
Si (1 ) = d3 k~ X1 sin (k~ , ~k)(1 f ) + sin (~k, k~ ) f

(2.37)
und einen Ausstreuanteil

Z
So = d3 k~ sin (~k, k~ )(1 f ) + sin (k~ , ~k) f

(2.38)
zerlegen. Daraus lsst sich unter Verwendung von (2.33) der Strterm
f eF f
Si (1 ) vz z ~ k
1= (2.39)
So + el
bestimmen. Darauf wird in einem spteren Abschnitt genauer eingegangen. Be-
trachten wir zunchst rein elastische Streuprozesse. Die Driftmobilitt ergibt
sich als R
3
~ dk k (1/F)
= . (2.40)
3me
R
dk k2 f
Substituiert man k durch E ergibt sich
R
2 dE E 1(E, T)
= . (2.41)
3F me
R
dE E f (E, T)
Im Fall ausschlielich elastischer Streuprozesse vereinfacht sich (2.40) zu
e
= hi . (2.42)
me
Diese Vereinfachung nennt man gemeinhin Relaxationszeitnherung, wobei sich
die gemittelte Relaxationszeit aus
R f
3

d v (~v )vz vz
hi = R (2.43)

d 3v f
ergibt. Dieser Mittelwert ist abhngig vom Exponenten der Energieabhngigkeit

von . Hierbei wird vorausgesetzt, dass (~ v) = (|~
v|) richtungsunabhngig ist.
Setzt man nun
= 0 (E)r (2.44)
so lsst sich, unter Verwendung der Tatsache das f isotrop, und E = mv2 /2 ist,
(2.43) vereinfachen zu
1 ()
4 3

r+ 2
hi = r + !0 (2.45)
3 2 12 ()
beziehungsweise
4 3

hi = r + !0 (2.46)
3 2
fr einen nichtentarteten Halbleiter.
2.3 Streuprozesse in Halbleiterkristallen

Um nun Aussagen ber die Mobilitt treffen zu knnen, ist es zuerst notwen-
dig, die Streuraten fr die einzelnen Streuprozesse zu berechnen. Eine detaillierte
bersicht der in Frage kommenden Streumechanismen ist z.B in [20] [21] zu fin-
den. Im Rahmen dieser Arbeit werden folgende Streumechanismen betrachtet:
Streuung an ionisierten Strstellen, Streuung an akustischen Phononen, sowohl
durch Deformationspotentialstreuung als auch durch piezoelektrische Streuung,
Streuung an polar - optischen Phononen und Streuung an Korngrenzen. Dabei
ist zu beachten, dass die Streuung an optischen Phononen nicht als elastisch zu
betrachten ist. Sie ist nur in bestimmten Grenzen als ein solcher Streuprozess
anzunehmen. Darauf soll in einem spteren Abschnitt genauer eingegangen wer-
den. Streuung an Korngrenzen wird, je nach Herstellungsmethode der Proben,
nur bei einigen Proben eine, dann aber meist die dominierende Rolle spielen,
und ist deshalb mit in die Betrachtungen einzubeziehen. Generell stellt jeder
Streuprozess einen bergang eines Elektrons aus einem quantenmechanischen
Zustand in einen anderen durch Wechselwirkung mit einer Strung im periodi-
schen Potential des Kristalls dar. Sind diese Potentialunterschiede hinreichend
klein, oder Strungen entsprechend selten, kann eine lineare Strungsrechnung
angewandt werden, und die Elektronen-Wellenfunktionen des gestrten Kristalls
entsprechen denen des ungestrten Problems. Es gilt
H = H 0 + H . (2.47)
Hierbei bezeichnet H 0 den Hamiltonoperator des ungestrten Systems, und H die

kleine Strung desselben. Auerdem werden die Positionen der Atome auf der
Zeitskala der Elektronenstreuung als fest angenommen (Born-Nherung). Nun
ergibt sich die Streurate fr einen elastischen Streuprozess als
2 D~ ~ E2

s(~k, k~ ) = k|H |k (E~k Ek~ ), (2.48)
~

mit dem Matrixelement

M(~k, k~ ) = ~k|H |k~ .
D E
(2.49)
Dieses ist nun fr die mglichen Streupotentiale H zu bestimmen. Man bezeichnet
(2.48) als Fermis goldene Regel.
2.3.1 Streuung an ionisierten Strstellen

Im Folgenden wird die Streuung an ionisierten Strstellen in der Nherung von
Brooks und Herring betrachtet. Hierzu wird zuerst angenommen, dass ein einfach
geladenes Ion im Kristall als Streuzentrum dient. Die Streuung eines geladenen
Teilchens an einem solchen wird durch die Rutherfordsche Streuformel klassisch
behandelt. Diese basiert auf dem Ansatz des Coulombpotenials
e
U(~r ) = . (2.50)
4r
Im Halbleiterkristall jedoch wird dieses Coulombpotential durch freie Laduns-
gtrger, sowie benachbarte Strstellen abgeschirmt, und ein Potential
e r
U(~r) = e (2.51)
4r
ist anzusetzen. Hierbei bezeichnet die Abschirmlnge. Damit ergibt sich fr das
Matrixelement:
Ze2 1
Z
|e| ~ ~
M(~k, k~ ) = d3 r U(~r ) ei(kk )~r = . (2.52)
V V |~k k~ |2 + 2
Daraus berechnet sich nach (2.36) zu

!2 2 2 2
1 NI e2 ln(1 + BH ) BH (1 + BH )
= 3/2 , (2.53)
E 16 2m
wobei !1/2
2m 6kT

BH = LD (2.54)
~ me
nach Brooks und Herring und
r

LD = (2.55)
e2 n
die Debyelnge bezeichnet. Daraus ergibt sich nach (2.42) und (2.46):
27/2 (4)2
= (2.56)
()3/2 e3 m1/2 2 2 2
e NI .(ln(1 + BH ) BH (1 + BH ))
Dabei gilt fr einen teilweise kompensierten Halbleiter mit einfach umladbaren

Akzeptoren nach (2.26) und NI = ND+ + NA
NI = 2 NA + n. (2.57)
2.3.2 Streuung an akustischen Phononen

Deformationpotentialstreuung
Bei der Ausbreitung von Phononen im Kristall verndern sich lokal durch die
Schwingung der Gitteratome deren Abstnde. Diese vernderte Gitterkonstante
fhrt zu einer leichten zeitlichen Variation der Bandlcke, an der nun die La-
dunsgtrger streuen. Die Schwingungsamplitude sei klein, und die Schwingung
harmonisch.
~s ei(~qs~rs t)
~r = A (2.58)
Zur Behandlung dieses Streuprozesses wird eine konstante Schallgeschwindig-
keit angenommen, und es entsteht der lineare Zusammenhang
s
us = . (2.59)
qs
Fr die unterschiedliche Versetzung zweier benachbarter Atome mit Abstand a

gilt nun:
~ r ~r )a = i(~qs ~r )a,
|~r(a) ~r(0)| = ( (2.60)
was ausschlielich fr longitudinale Phononen Beitrge liefert. Wir ersetzen des-
halb qs durch ql und s durch l . Da die Versetzungsunterschiede bei akustischen
Phononen klein gegen die Gitterkonstante ist, gilt fr die Variation der Bandlcke
~ r ~r ),
E = EAD ( (2.61)
wobei EAD das Deformationspotential bezeichnet. Zur quantenmechanischen Be-

schreibung der Gitterschwingung werden diese als Phononen mit Energie ~l
und Impuls ~~ql betrachtet. Fr das Matrixelement gilt nun
Z
~ ~ EAD ql Al ~ ~
M(k, k ) =
d3 r ei(kk ~ql )~r . (2.62)
V
Aus der Impulserhaltung folgt nun: ~k = k~ q~l und es ergibt sich
M(~k, k~ ) = EAD ql Al . (2.63)

Die Amplitude der Schwingung entspricht den Besetzungszahlen des Nten sowie
des N 1 bzw. N + 1ten Schwingungszustands. So gilt:
(N ~/2Ml )1/2
(
fr N N 1
Z
3
Al N1 xN d r = , (2.64)

((N + 1) ~/2Ml )1/2 fr N N + 1
wobei der erste Ausdruck der Absorption und der Zweite der Emission eines
Phonons entspricht. Die Besetzungszahl folgt der Boseverteilung
1
N= , (2.65)
e~l 1
wobei hier die Energie eines akustischen Phonons als viel kleiner als die thermi-
sche Energie angenommen wird ~l kB T. In dieser Nherung gilt auch N N+1
und der Unterschied zwischen den beiden Ausdrcken in (2.64) verschwindet.
Daraus erhlt man fr (2.62)
s s
1 1
M(~k, k~ ) = 2EAD ql 2
= EAD , (2.66)
2Vl Vcl
mit cl = u2l . Die Relaxationszeit berechnet sich zu

3/2
2 2
1 me EAD v 2me E2AD
= = E1/2 . (2.67)
~4 cl ~4 cl
Daraus ergibt sich fr die ausschlielich durch Deformationspotentialstreuung

begrenzte Mobilitt:
2 2 e~4 cl 3/2
= . (2.68)
3 m5/2e E
2
AD
Piezoelektrische Streuung
Piezoelektrische Streuung tritt in Halbleitern auf, in denen mehrere Atomsorten
im Kristallgitter vorkommen, die auftretenden Bindungen also teilweise ionar
sind, und die Einheitszelle kein Inversionszentrum enthlt. Dies trifft fr alle
binren Halbleiter zu, und ist auch beim Zinkoxid der Fall. Verschiebt ein Phonon
die Atome gegeneinander, entsteht ein Dipolmoment, welches ein elektrisches
Feld, und damit ein Potential zur Folge hat. An diesem streuen nun bewegte
Ladungstrger. Es gilt
~r ~r ) = 0,
D = F + Pe = F + Epz ( (2.69)
wobei Epz die piezoelektrische Konstante bezeichnet. Das Streupotential ergibt

sich damit zu
eF eEpz ~
Z
E = e F dr = = (r ~r ) (2.70)
q q
Im Vergleich zu (2.61) enthlt diese Beziehung eine Abhngigkeit vom Wellenvek-
tor q. Die weitere Behandlung ist analog zu der im vorangegangenen Abschnitt,
und es gilt fr das Matrixelement
s s
eEpz 1 e2 P 2
M(~k, k~ ) = = , (2.71)
q 2Vcl 2Vq2
wobei P den elektromechanischen Kopplungkoeffizienten bezeichnet
2
E2pz /cl
P = (2.72)
+ E2pz /cl
Daraus folgt fr die Relaxationszeit
1 m1/2 e2 P2 1
= 3/2e 2 (2.73)
2 ~ E1/2
und die nur von piezoelektrischer Streuung begrenzte Mobilitt

16 2 ~2 1/2
= (2.74)
3 m3/2
e eP
2
2.3.3 Streuung an optischen Phononen

Die bisher behandelten Streuprozesse konnten in guter Nherung als elastisch
angenommen werden. Dies ist fr Streuung an optischen Phononen nicht mehr
gegeben, da die Phononenenergie in der Grenordnung der thermischen Energie
der Ladunsgtrger liegt. Deswegen werden die Streuraten fr Phononenabsorp-
tion und -emission sich unterscheiden. Die Relaxationszeitnherung (2.36) ist in
diesem Zusammenhang nicht mehr gltig. Aus diesem Grund werden hier die
Streuraten fr Phononenabsorption und -emission explizit angegeben. Es wird in
diesem Abschnitt ausschlielich die polar - optische Streuung behandelt, da die
Streuung am optischen Deformationspotential im Allgemeinen zu vernachlssi-
gen ist. Es gilt
e2 po 1 1 1
(
(E E + ~po )(Npo + 1) fr Emission

s(k~ , ~k) =
82 |k~ ~k|2 (E E ~po )Npo fr Absorption.
(2.75)
Hierbei bezeichnet die Niederfrequenz- und die Hochfrequenzdielektrizi-

ttskonstante, und po die Phononenfrequenz, welche als unabhngig von ~k als
(~k = 0) angenommen wird. Wie fr akustische Phononen folgt auch hier die
Besetzungszahl der Boseverteilung (2.65). Die Ausstreurate ergibt dich damit zu
So = (Npo + 1 f )o + (Npo + f + )+o (2.76)
wobei die Indizes + und anzeigen, dass die entsprechende Funktion von E+kB
bzw. E kB auszuwerten ist. Die besetzungszahlunabhngigen Streuraten o
ergeben sich als
2
e k me 1 1 a + 1

B
o = ln (2.77)
4 2~2 E a 1
wobei r
~o
a = 1 . (2.78)
E
Analog berechnet sich die Einstreurate durch
Si (1 ) = (Npo + f )i 1 + (Npo + 1 f )+i 1+ , (2.79)
wobei gilt

e2 kB me 1

1 2E + kB a + 1

i ln 1 (2.80)

= p
4 2~2 E 2 E(E + kB ) a 1
Fr einen nichtentarteten Halbleiter entfallen die f , f und f + Terme, und unter

Verwendung von (2.65) erhlt man
So = Npo (+o + e~o o ) = Npo (+o + e/T o ) (2.81)
und
Si = Npo (i 1 + e~o +i 1+ ) = Npo (i 1 + e/T +i 1+ ), (2.82)
wobei die Debyetemperatur, also die Temperatur der optischen Phononen be-
zeichnet. Gilt nun T und E ~o , kann man die Einstreuraten vernach-
lssigen und auch fr polar - optische Phononenstreuung eine Relaxationszeit
definieren.
e2 me o 1 1 /T

1/ e (2.83)
(2~)3/2
Daraus ergibt sich fr die Mobilitt

e3 o
1 1 1 /T

= e (2.84)
me (2~)3/2
2.3.4 Streuung an Korngrenzen

Die in diesem Abschnitt prsentierten Formeln sind einer Arbeit von J.W. Orton
und M.J. Powell entnommen [22]. Darin bestimmen die Autoren den Einfluss
der Korngrenzen aus folgenden Annahmen:
Die Probe setzt sich abwechselnd aus Regionen hoher (Krner) und geringer
Leitfhigkeit (Korngrenzen) zusammen, die jeweils die Ausdehnung l1 und
l2 besitzen.
Die Ursache fr die geringere Leitfhigkeit ist eine herabgesetzte Ladungs-

trgerkonzentration durch Defektzustnde im Bereich der Korngrenzen.
Diese wird durch eine beidseitige Schottkybarriere modelliert.
Ist die Anzahl der Defekte deutlich kleiner als die freie Ladungstrger-
konzentration im Korn, wird die Ladungstrgerverteilung in der gesamten
Probe als homogen angenommen, und die Reduktion der Leitfhigkeit einer
reduzierten Mobilitt zugeschrieben. Diese Annahme ist nicht immer erfllt,
und die getroffene Schlussfolgerung nur nherungsweise richtig. Es kann
deshalb durchaus eine thermische Aktivierung der Ladungstrgerkonzen-
tration in den Korngrenzen im Hall - Effekt gemessen werden, die dann
allerdings als Donator interpretiert wrde. Die Aktivierungsenergie dieses
Donators wird dabei allerdings mit der Barrierenhhe bereinstimmen.
Diese bestimmt sich nun nach folgendem Verfahren:

ber die Schottkybarriere fliet ein thermisch angeregter Strom mit der Strom-
dichte von
j = j0 eeVb 1 j0 eVb fr kleine Vb (2.85)
mit s
n1 ec eb (l1 + l2 )2 8
j0 = mit c = (2.86)
4 me
Der Widerstand pro Flche ergibt sich also zu
r
1 2

= n1 e eb (l1 + l2 )2 = n1 eb l (2.87)
r 8me
Unter Verwendung von l = l1 + l2 lsst sich daraus die Mobilitt, lediglich be-
schrnkt durch Streuung an Korngrenzen identifizieren als
r

b = e l eb , (2.88)
8me
und hngt damit nur von der Korngre l und der Barrierenhhe b ab. Unter der
Annahme das keine Energieabhngigkeit existiert, lsst sich die entsprechende
Streurate schreiben als s
1 1 8 b c b
= e = e (2.89)
l me l
2.3.5 Berechnung der Mobilitt in Anwesenheit mehrerer Streukanle

Bisher wurden alle Betrachtungen die Mobilitt betreffend unter der Vorrausset-
zung gemacht, dass es einen einzigen Mechanismus gibt, der fr die Streuung der
Ladungstrger verantwortlich ist. In einem realen Halbleiterkristall treten jedoch
alle bisher vorgestellten Streumechanismen parallel auf. Die Bestimmung der dar-
aus resultierenden Mobilitt ist ohne Lsung der Boltzmanntransportgleichung
nur nherungsweise mglich. In diesem Abschnitt soll auf die im Allgemeinen
verwendete Nherung, sowie auf die exakte Lsung eingegangen werden.
Matthiesens Regel
In der Relaxationszeitnherung gilt fr m unabhngige, elastische Streuprozesse
mit Streuzeiten i
n
1 X1
el = = . (2.90)
i=1
i
Nun gilt fr elastische Streuprozesse (2.42), und die Mobilit berechnet sich aus
der gemittelten Streuzeit. Diese bestimmt sich nach (2.43) aus der Relaxations-
zeit, und ist dieser proportional. Allerdings ist dieser Proportionalittsfaktor fr
verschiedene Streuprozesse auf Grund der unterschiedlichen Energieabhngig-
keit verschieden. Um dennoch die Mobilitt aus den Mobilitten der einzelnen
Streuprozesse gewinnen zu knnen, nimmt man an, dass einzelne Streuprozesse
bestimmte Temperaturbereiche dominieren, und verwendet implizit die Energie-
abhnigkeit dieses dominanten Streuprozesses.
+1 n n
1 me 1
*
me 1 me X 1 X 1
= = Pn 1 = (2.91)
e hi e i=1
e i=1 hi i i=1
i
i
Diese Nherung ist formal nur gltig, wenn sich die Streuraten stark unterschei-
den, und eine Relaxationszeit definiert ist, also elastische Streuprozesse vorliegen.
Iterative Lsung der Boltzmanntransportgleichung

Nhert sich die Temperatur eines Halbleiterkristalls der Debyetemperatur, so
ist im allgemeinen Fall polar - optische Phononenstreuung der dominierende
Streuprozess. Dieser ist, wie bereits ausfhrlich erklrt wurde, nicht mehr als
elastisch zu betrachten, und die im vorangegangenen Abschnitt eingefhrte N-
herung verliert ihre Gltigkeit. In diesem Fall ist eine numerische Lsung der
Boltzmanntransportgleichung ntig. Im Rahmen dieser Arbeit wurde eine L-
sung anhand der von Rode [23] [24] vorgeschlagenen Methode erarbeitet. Dazu
wird der Strterm der Elektronenverteilung 1 nach (2.39) bestimmt. Hierfr wer-
den die Relaxationsraten der elastischen Streuprozesse wie im vorangegangenen
Abschnitt aufsummiert. Im ersten Iterationsschritt werden die Einstreuraten Si
vernachlssigt und es gilt:
f
eF~ k
1(1) = . (2.92)
So + el
In jedem weiteren Schritt ergibt sich 1 unter Bercksichtigung der Einstreuterme,
die mit Hilfe des Strterms 1 aus dem vorangegangen Schritt bestimmt werden.
f

f
Si (j 1) eF~ k Npo i 1 (j 1) + e/T +i 1+ (j 1) eF~ k
1(j) = = . (2.93)
So + el Npo (+o + e/T o ) + el
Die Folge der 1(j) ist monoton wachsend, da in jedem nachfolgenden Iterations-
schritt grere Beitrge durch den Einstreuterm hinzugefgt werden. Allerdings
ist der Unterschied der nderung dieser Beitrge exponentiell abnehmend, und
die Konvergenz erfolgt sehr schnell. Bereits nach sieben Schritten ist die nderung
kleiner als 1%. Das von Rode entwickelte Verfahren wurde von Nag verbessert, und
es erlaubt die Bestimmung des Hall - Faktors [25] [26]. Die bisherigen Untersu-
chungen erlauben es, die Driftmobilitt zu berechnen, und ermglichen damit eine
Anpassung der gemessenen Mobilittsdaten unter Variation geeigneter Parame-
ter. Dazu wurde bisher lediglich eine Strung der Elektronenverteilung durch ein
ueres elektrisches Feld F bercksichtigt. Um nun den Zusammenhang zwischen
Hall- und Driftmobilitt herzustellen ist es ntig weiterhin die Strung durch ein
ueres magnetisches Feld B in die Betrachtungen einzuschlieen. Demnach muss
die Boltzmanntransportgleichung wie folgt geschrieben werden:
df

~k y fT
! ! !
e ~kx fT
F+B B = . (2.94)
~ me kx me k y dt coll
Demnach ergibt sich eine Elektronenverteilung mit zwei gekoppelten Strtermen:
e~F f eB
fT = f kx x + c k y y mit c = , (2.95)
me E me
welche durch
Lc x = 1 + 2c y (2.96)
und
Lc y = x (2.97)
miteinander verknpft sind. Hierbei bezeichnet Lc den so genannten Kollisions-
operator
Lc (E) = So (E) + el (E) Si ((E)), (2.98)
unter Verwendung der bisherigen Symbolik. Diese Strterme werden wie bereits
fr den Fall eines Strtermes in einem Iterationsverfahren bestimmt. Aus diesen
lassen sich nun die Komponenten des Leitfhigkeitstensors xx und xy bestimmen
f
R
3/2
2 ne dE x E E
2
xx = (2.99)
3 me dE E f (E, T)
R
f
R
2 ne 2 dE y E3/2 E
xy = c R . (2.100)
3 me dE E f (E, T)
Durch Kenntnis dieser Komponenten ist eine Bestimmung der Driftmobilitt aus
der Hall - Mobilitt mglich. Dazu wird zuerst die Hall - Mobilitt nach dem in
dieser Arbeit beschriebenen Verfahren angepasst. Aus der Kenntnis des anteiligen
Beitrags der einzelnen Streukanle zur Mobilitt knnen dann die Komponenten
des Leitfhigkeitstensors berechnet werden. Aus diesen gewinnt man nach 3.5
die Hall - Konstante, und unter Verwendung von 3.8 den Hall - Faktor. Nun
kann man die freie Ladungstrgerkonzentration und die Mobilitt entsprechende
korrigieren. Im nchsten Schritt wird die Mobilitt an die modifizierten Messdaten
angepasst. Dieses Vorgehen kann entsprechend oft wiederholt werden, es zeigt
sich allerdings, dass es bereits nach zwei bis drei Wiederholungen nicht mehr zu
einer signifikanten Vernderung des Resultates kommt.
3. HALL - EFFEKT
3.1 Generelle Betrachtungen

Mit dem 1879 von E. H. Hall entdeckten, und spter nach ihm benannten Hall
- Effekt, lassen sich wesentliche Erkenntnisse ber die elektrischen Eigenschaften
von Halbleitern gewinnen. Aus deren Temperaturabhngigkeit wiederum kn-
nen verschiedene Materialparameter, darunter die energetische Lage und Anzahl
flacher Strstellen, bestimmt werden. Bewegen sich Ladungstrger in einem ma-
gnetischen Feld wirkt auf diese die Lorentzkraft. Diese wirkt senkrecht zur Rich-
tung des magnetischen Feldes und des Stromflusses. Im Folgenden betrachte man
einen quaderfrmigen Leiter, dessen Kanten parallel zu den Koordinatenachsen
liegen.
Nach dem Ohmschen Gesetz gilt: ja = a,b Fb . Der Leitfhigkeitstensor enthlt im
Allgemeinen neun Eintrge, und es entsteht ein System aus drei Gleichungen.
~ z auch jz = 0
Dieses lsst sich aber unter der Vorraussetzung, das Fz = 0 und da B||~
vereinfachen zu
jx = xx Fx + xy F y (3.1)
j y = yx Fx + yy F y (3.2)
Zur Messung der Hall - Spannung wird ein konstanter Strom jx durch die Probe
getrieben. Abhngig vom Typ der Ladungstrger zeigt das auftretende Hall -
Feld F y in negative oder positive y-Richtung. Dementsprechend lsst sich eine
Potentialdifferenz zwischen zwei an den Stirnflchen angebrachten Elektroden
nachweisen. Es gilt
UH = F y b = RH B jx b (3.3)
wobei b die Ausdehnung der Probe in y-Richtung bezeichnet, und RH ein Materi-
alfaktor ist, der als Hall - Konstante bezeichnet wird. Geht man davon aus, dass
zur Messung des Effektes ein Messgert mit einem Innenwiderstand verwendet
wird, der sehr viel grer ist als der der Probe, so gilt F y 0, und
xy yx + xx yy
!
jx = Fy (3.4)
2yx
3. Hall - Effekt 24
Durch Lsen der Bewegungsgleichungen lsst sich zeigen, dass xx = yy und

xy = yx es ergibt sich also:
1 xy
!
RH = (3.5)
B 2xx + 2xy
Unter Verwendung der Relaxationszeitnherung ergibt sich [15]
e2 n
* +

xx = yy = (3.6)
me 1 + 2c 2
e2 n 2
* +
xy = yx = c (3.7)
me 1 + 2c 2
Im Falle eines sehr kleinen Magnetfeldes B 1/ gilt [27] c 0 und
1 2

rH
RH = 2
= (3.8)
qn hi qn
Hierbei bezeichnet rH = 2 / hi2 den Hall - Faktor, der aus der Energieabhn-

gigkeit von folgt. Gilt (2.44) ergibt sich rH fr ein nichtentartetes Elektronengas
zu
5 5
2
! 2
+ 2r !
rH = 2 (3.9)
5
2
+r !
Folglich kann rH Werte zwischen 1 fr einen energieunabhngigen Streuprozess
und 1,93 fr Streuung an ionisierten Strstellen annehmen. Da im Allgemeinen je-
doch nicht nur ein Streuprozess zur Mobilitt beitrgt, erhlt man eine gemischte
Energieabhngigkeit, und rH liegt deutlich unter 1,93. Natrlich gilt auch in die-
sem Fall die Beschrnkung, dass rH nur dann sinnvoll zu bestimmen ist, solange
die Definition einer Streuzeit gerechtfertigt ist, also im Falle elastischer Streuung.
Fr die Mobilitt ergibt sich der Zusammenhang (2.42). Allerdings kann diese
Driftmobilitt im Hall - Experiment nie direkt bestimmt werden. Aus Messungen
des spezifischen Widerstandes lsst sich die Hall - Mobilitt H bestimmen.
1 1 RH RH
= = = H = (3.10)
en H
Wegen (3.8) gilt

e hi 2

H = rH = (3.11)
me hi2
3. Hall - Effekt 25
3.2 Messverfahren nach Van der Pauw

Die 1958 von L. J. Van der Pauw entwickelte Messmethode ermglicht es Hall
- Messungen an Proben beliebiger Geometrie durchzufhren [28]. Bis dahin wa-
ren Messungen nur an Proben ausgewhlter Geometrien mglich, die schwierig
herzustellen waren, oder nur nherungsweise korrekte Ergebnisse lieferten. Die
Methode von Van der Pauw stellt dabei folgende Ansprche an die zu untersu-
chende Probe:
1. Die Probe muss planparallel und einfach zusammenhngend sein.
2. Die Kontakte mssen sich am Rand der Probe befinden.
3. Die Kontaktflche muss vernachlssigbar klein gegen die Probenflche sein.
Es zeigt sich hierbei, dass nicht alle diese Bedingungen immer zu erfllen sind.
Zum einen erfordert die Messung bei kryogenischen Temperaturen bestimm-
te Kontaktflchen, um den Kontaktwiderstand gering gegen den der Probe zu
halten, was zu einer Verletzung der letzten Bedingung fhrt. Die dabei auftre-
tenden Fehler sind jedoch korrigierbar [29], auf eine Korrektur wird wegen des
fr die verwendete Geometrie geringen Einflusses jedoch verzichtet. Auerdem
ist es bei der Herstellung der Proben problematisch eine homogene Probendicke
zu erreichen. Dadurch entstehen Messunsicherheiten, die im Allgemeinen nicht
vernachlssigbar sind, und die Messmethode nicht mehr fehlerfrei anwendbar
machen.
Ist die Probendicke d bekannt kann die freie Ladungstrgerkonzentration n er-
mittelt werden, die Mobilitt ist sogar ohne diese bestimmbar. Hierzu werden
verschiedene Widerstandsmessungen durchgefhrt. Der Widerstand RAB,CD ist
definiert als
UCD
RAB,CD = , (3.12)
IAB
wobei IAB den durch die Kontakte A und B flieenden Strom und UCD die dabei
zwischen den Kontakten C und D abfallende Spannung bezeichnen. Nun lsst
sich nach [28] der spezifische Widerstand wie folgt bestimmen:
!
d RAB,CD + RBC,DA RAB,CD
= h . (3.13)
ln 2 2 RBC,DA
Dabei bezeichnet h die so genannte Van der Pauw Funktion, welche sich durch
ein Polynom vierten Grades approximieren lsst.
h = a0 + a1 x + a2 x2 + a3 x3 + a4 x4 (3.14)
3. Hall - Effekt 26
hierbei gilt: !
RAB,CD
x = ln (3.15)

.
RBC,DA
3.3 Versuchsaufbau
Die Messung der elektrischen Eigenschaften von Zinkoxid wurden allesamt mit
den folgenden Messapparaturen durchgefhrt. Zur Verfgung stehen ein clo-
sed cycle 4 He Kryostat, welcher Messungen im Temperaturbereich zwischen
15325 K erlaubt. Fr die Untersuchung von Proben jenseits dieser Begrenzung
wurde ein Hochtemperaturkryostat entwickelt, welcher mit flssigem Stickstoff
gekhlt wird, und Messungen im Bereich von 80800 K ermglichen soll. Auf
die technischen Anforderungen, die an eine solche Versuchsanordnung gestellt
werden wird in einem eigenen Abschnitt genauer eingegangen. Beide Versuchs-
anordnungen werden unter Verwendung derselben Messelektronik betrieben.
Die Messung und die Aufzeichnung der Messdaten erfolgt vollautomatisch mit
Hilfe eines PCs. Ein entsprechendes Steuerprogramm wurde eigens fr diesen
Zweck entwickelt, und ermglicht die Erfassung zahlreicher Messpunkte, deren
manuelle Aufzeichnung mehrere Tage bentigen wrde, in wenigen Stunden.
3.3.1 Messelektronik
Der fr die beschriebenen Experimente verwendete Messplatz ist mit folgen-
den Gerten ausgerstet. Eine Keithley 220 Stromquelle wird verwendet, um
einen konstanten Strom durch die Probe zu treiben. Dieses Gert erlaubt es, einen
Strom von 1 nA mit einer Genauigkeit von 0, 6% zu stabilisieren [30] [31].
Zur Durchfhrung der Messungen ist es, da die Proben im Allgemeinen nicht
als symmetrisch zu betrachten sind, ntig, die Van der Pauw-Messungen in al-
len vier denkbaren Konfigurationen durchzufhren. Eine genaue Auflistung der
Messpunkte befindet sich im Anhang (Tab. A.1). Dabei mssen die Strom- und
Spannungskontakte vertauscht werden. Hierfr wird in unserem Versuchsauf-
bau ein Keithley 7001 Scanner verwendet, in den eine Keithley 7065 Hall -
Messkarte eingebaut ist [32] [33]. Diese Karte untersttzt zwei Messmodi, einen
fr niederohmige und einen fr hochohmige Proben. Im hochohmigen Modus
wird ein Eingangsverstrker mit einem sehr hohen Eingangswiderstand vorge-
schalten. Dies empfiehlt sich ab einem Probenwiderstand von R = 1 M, da fr
kleinere Widerstnde das Rauschen durch den Verstrker vergrert wrde. Eine
detaillierte bersicht ber die erreichbare Genauigkeit ist im Handbuch der Hall
- Messkarte zu finden [33]. Proben mit einem Widerstand von R 10 G sind
nicht mehr vermessbar, da die maximale Eingangsspannung der Hall - Messkar-
3. Hall - Effekt 27
te 10 V nicht bersteigen darf, und der minimal einstellbare Strom 1 nA betrgt.

Die tatschliche Auflsung ist allerdings meist geringer. Oft unterscheiden sich
die Widerstnde zwischen den einzelnen Probenkontakten erheblich. Da zur Ver-
meidung von Messfehlern bei einer Messung fr alle Kontaktvarianten dersel-
be Strom verwendet wird, ist dieser durch den grten Widerstand der Probe
begrenzt. Zur Messung der auftretenden Spannungen wird ein Keithley 2000
Multimeter verwendet [34]. Es erlaubt Messungen bis hin zu einer Genauigkeit
von 3,5 V und begrenzt damit die erreichbare Genauigkeit fr besonders niede-
rohmige Proben. Auerdem steht ein Lakeshore 330 Temperature Controller
zur Verfgung, welcher die Temperatur des Probenhalters im Bereich 1,4800 K
stabilisieren kann [35]. Die dabei erreichte Mess- und Regelgenauigkeit hngt
stark vom verwendeten Messfhler ab. Eine HP 6030a Strom/Spannungsquelle
treibt einen Strom von 10,43 A durch den Magneten, welcher dann ein in weiten
Bereichen (r 10 mm) homogenes Magnetfeld von 0,43 T erzeugt [36].
3.3.2 Tieftemperaturkryostat
Der Tieftemperaturkryostat ist kommerziell erhltlich, und besteht aus einem lan-
gen Khlfinger, der von einem 4 He Kreislauf gekhlt wird. Etwas unterhalb der
Spitze des Khlfingers befindet sich ein Widerstandsheizer, welcher dem System
kontrolliert Wrme zufhrt. Der Probenhalter wird mit Hilfe eines Steckverbin-
ders an diesem Khlfinger angebracht und fest verschraubt. Zur Verbesserung
des thermischen Kontaktes wird ein Ring aus Indium zwischen Khlfinger und
Probenhalter gebracht. Die Temperaturmessung erfolgt mit einer kommerziell ge-
eichten GaAlAs Diode, welche eine maximale Messungenauigkeit von 50 mK auf-
weist. Die Temperatur wird vom Messprogramm als stabil angesehen, wenn sie
lnger als 200 Sekunden nicht mehr als 100 mK von der Zieltemperatur abweicht.
Die untere Grenze der erreichbaren Temperaturen ist durch das verwendete Khl-
aggregat gegeben, und liegt bei 15 K. Die obere Grenze ergibt sich durch das im
Kryostaten verwendete Indium zu 325 K. An der Basis des Kryostaten befindet
sich ein Referenzthermometer. Im Kryostaten herrscht Hochvakuum (0,01 Pa),
welches durch eine zweistufige Pumpenanordnung aus einer Drehschieber- und
einer Turbomolekularpumpe erzeugt wird. Unterhalb von 77 K geht der Druck auf
einen Wert unterhalb von 0,0001 Pa zurueck, da verbleibende Restgase ausfrieren.
Der Kryostat ist durch einen Strahlungsschild aus Aluminium gegen Wrmeein-
strahlung geschtzt. Auerdem wird damit der Probenraum verdunkelt. Es hat
sich gezeigt, dass es fr zahlreiche Proben ntig ist, diese lngere Zeit im Dunkeln
aufzubewahren, um stabile, und reproduzierbare Messergebnisse zu erhalten.
3. Hall - Effekt 28
3.3.3 Hochtemperaturkryostat
Motivation
Einige der bisher gemessenen Zinkoxidproben zeigen bei Zimmertemperatur nur
eine geringe Leitfhigkeit. Dies ist insbesondere der Fall, wenn die Proben vorstz-
lich mit Akzeptoren dotiert wurden, da dann bestehende Donatoren kompensiert
werden. Unterscheidet sich ND nur schwach von NA mssen nahezu alle Donato-
ren ionisiert sein, um Elektronen im Leitungsband anbieten zu knnen. Generell
ist auch ein leichtes bergewicht von Akzeptoren nicht auszuschlieen, es gelten
dieselben Betrachtungen wie fr Donatoren. Nun existieren im Zinkoxid aller-
dings zahlreiche tiefe Donatorniveaus, die bei Zimmertemperatur nicht, oder nur
zu einem sehr geringen Teil ionisiert sind. Auch wenn ND leicht ber NA liegt,
sind also hchstwahrscheinlich nicht alle Donatoren bei Zimmertemperatur io-
nisiert. Demzufolge ist die Anzahl der freien Ladungstrger in den betrachteten
hochkompensierten Proben sehr gering und der Probenwiderstand entsprechend
hoch. Eine Bestimmung der Ladungstrgerkonzentration, oder gar der Lage des
dominierenden Donatorniveaus ist nur mglich, wenn die Proben bis weit ober-
halb der Raumtemperatur gemessen werden knnen. Prinzipiell ist dann auch
die Bestimmung von Akzeptorniveaus nicht auszuschlieen, dafr muss aber
natrlich NA > ND sein.
Umsetzung
Der Schmelzpunkt von ZnO liegt bei 2250 K. Eine Messung bis zu diesem Punkt
ist natrlich nicht sinnvoll, und metallische Kontakte sind unter diesen Bedingun-
gen nicht zu realisieren. In unserem Fall ist die praktische Obergrenze durch die
maximal erreichbare Mess- und Regeltemperatur gegeben. Diese betrgt fr den
verwendeten Temperature Controller 800 K. Entsprechend wurden, um diesen
Bereich voll ausnutzen zu knnen, die im Kryostaten verwendeten Materialien
derart ausgewhlt, dass sie dauerhaft den bei solchen Temperaturen entstehenden
Belastungen standhalten. Als Isolationsmaterial kommen hierfr in erster Linie
Glser und keramische Werkstoffe in Frage. Alle hier beschrieben Arbeiten wur-
den in der Werkstatt der Physikalischen Fakultt durchgefhrt. Eine Fotografie
des Kryostaten ist in (Fig 3.1) zu sehen. Der rot markierte Ausschnitt zeigt den
Probenhalter, welche in (Fig. 3.2) vergrssert dargestellt ist. Die gesamte Trger-
konstruktion wurde aus nicht magnetischem Edelstahl gefertigt, um sowohl eine
Abschirmung des Feldes als auch eine permanente Magnetisierung zu verhin-
dern. Dies war vor allem ntig, um komplizierte Bauteile durch Schweinhte
verbinden zu knnen. Der Probenhalter ist in (Fig 3.2) gezeigt. Der Probenhalter
wird mit flssigem Stickstoff gekhlt, der unter leichtem berdruck durch einen
Mander im Inneren des Probenhalters gefhrt wird. Dies ist ntig, um einen kon-
3. Hall - Effekt 29
Fig. 3.1: Fotografie des Hochtemperaturkryostaten. Im rot markierten Bereich befindet

sich der Probenhalter, welcher in (Fig. 3.2) gezeigt ist.
3. Hall - Effekt 30
stanten Fluss des Khlmittels zu gewhrleisten. Die Hin- und Rckleitungen fr

den Stickstoff dienen gleichzeitig dazu, den Probenhalter zu befestigen. In den
Probenhalter selbst sind Aufnahmen fr keramische Heizwiderstnde eingear-
beitet. Diese Heizelemente sind aus einer Spezialkeramik hergestellt und knnen
lokal Temperaturen bis ber 1000 C erreichen, ohne beschdigt zu werden. Zur
Verdrahtung dieser Elemente sind Nickeldrhte an das Heizelement hartgeltet.
Diese Verbindungen lsen sich bei einer Temperatur von 600 C. Dies ist also als
physikalische Obergrenze anzusehen. Dieselbe Beschrnkung gilt auch fr alle
anderen Ltkontakte, die zur elektrischen Verbindung im Hochtemperaturbe-
reich bentigt werden. Die Position der Probe ist derart gewhlt, dass die Probe
im Zentrum des homogenen Bereiches des Magnetfeldes sitzt, der gnstigerwei-
se deutlich grer als die Probe ist. Sie sitzt in einer Vertiefung, und wird durch
vier Stahlfedern gehaltert, die gleichzeitig als elektrische Kontakte dienen. Dazu
drcken die Spitzen der Stahlfedern je auf einen Goldpunkt in den Ecken der Pro-
be, der einen ohmschen Kontakt herstellt. Die Federn werden durch Schrauben
fixiert, was ein relativ leichtes Wechseln der Proben ermglicht. Diese Schrau-
ben sind durch Keramikhlsen und -scheiben gegen den Probenhalter elektrisch
isoliert. Die Probe selbst wird durch eine 250 m dicke Saphirschicht gegen den
Probenhalter isoliert, welches die thermische Kopplung der Probe an den Pro-
benhalter nicht deutlich einschrnkt. Zur Bestimmung der Temperatur ist direkt
unter die Probe ein PT100 Widerstandsthermometer der Genauigkeitsklasse 1/5
DIN in den Probenhalter eingebettet. Nach den Angaben des Herstellers ist dieser
Messfhler im Bereich 200 C600 Celsius einsetzbar. Der Sensor hat bei Zim-
mertemperatur eine Genauigkeit von 60 mK, welche sowohl zu hohen als auch
zu tiefen Temperaturen mit einer Rate von 1 mK/C abnimmt. Demzufolge ist bei
Stickstofftemperatur eine Genauigkeit von 0,26 K und bei 600 C von 0,66 K er-
reichbar. Ein weiteres, typgleiches Widerstandsthermometer befindet sich direkt
unter der beheizten Zone des Heizelementes im Probenhalter. Die gesamte Ver-
drahtung des Probenhalters erfolgt ber vieradrige Kabel der Marke Thermocoax.
Dabei sind Kupferadern in ein Keramikpulver eingelegt, welches wiederum von
einer Stahlhlse ummantelt ist, und das Kabel gegen mechanische Belastung
schtzt. Nach Herstellerangaben knnen diese Kabel Temperaturen von bis zu
1000 C problemlos ausgesetzt werden. Der Isolationswiderstand des Keramik-
pulvers der einzelnen Adern gegeneinander und gegenber der Abschirmung ist
vom Hersteller tabelliert, und betrgt bei 600 C noch mehr als 1 M. Auch ist
der Serienwiderstand des Kabels durch die Kupferadern relativ klein, und liegt
unter 1 /m. Leider ist die Verarbeitung der Kabel, insbesondere durch die starre
Stahlhlse schwierig und zeitaufwndig. Dies betrifft zum einen das Freilegen
der Kupferadern, welche mechanisch sehr empfindlich sind, und deswegen ent-
sprechend vorsichtig behandelt werden mssen. Des Weiteren muss verhindert
werden, dass das Keramikpulver aus dem geffneten Kabel austritt. Auerdem
3. Hall - Effekt 31
Probe
Heizelement
Kontaktfedern
Fig. 3.2: Probenhalter des Hochtemperaturkryostaten, Vorder und Rckseite.

3. Hall - Effekt 32
mssen die freigelegten Adern zumindest punktuell fixiert werden, um Kontakt

der Adern gegeneinander, und mit dem metallischen Probenhalter zu verhindern.
Dazu wurde ein selbsthrtender Keramikkleber verwendet, der aus Zirkoniu-
moxid und Natriumsilikat prpariert wurde. Auerdem war es ntig die Kabel
als ganzes mehrfach zu fixieren, um zu verhindern, dass Bewegung der Kabel
durch thermische Ausdehnung oder Vibrationen die freien Adern beschdigen.
All diese Anforderungen gleichzeitig zu erfllen erforderte eine Reihe empiri-
scher Untersuchungen. Da sich diese Kabel nicht dazu eignen, in engen Radien
gebogen zu werden, ist ein bergang auf leichter zu bearbeitende Kabel ntig.
Dieser erfolgt an der Basis des Kryostaten, nahe der elektrischen Durchfhrungen,
um zum einen eine niedrige Temperatur an den Kontaktstellen zu gewhrleisten,
und zum anderen die Lnge der ungeschirmten Drhte so kurz wie mglich zu
halten. Um den Probenhalter befindet sich, wie beim Tieftemperaturkryostaten
ein Strahlungsschild aus Edelstahl. Eine Messung mit optischer Anregung ist
nicht vorgesehen. Der Kryostat wird durch eine Verschlusskappe aus Edelstahl
verschlossen, und mit der bereits beschriebenen Vakuumanlage evakuiert. Dabei
stellt man fest, dass sich in diesem Kryostaten ein Druck von 0,01 Pa erzeugen
lsst. Heizt man den Kryostaten, erreicht dieser sogar einen Wert von 0,0001 Pa,
was dem, mit dem vorhandenen Druckmessgert, kleinstmglichen messbaren
Wert entspricht. Fr dieses Verhalten ist das bei ber 100 C vllig verdampfte
Wasser verantwortlich, was wegen der Maximaltemperatur von 325 K aus dem
Tieftemperaturkryostaten nicht zu entfernen ist.
4. MIKROELEKTRISCHE UNTERSUCHUNGEN
Die im letzten Kapitel vorgestellte Untersuchungsmethode, die sich den Hall - Ef-
fekt zu Nutze macht, um Informationen ber die elektrischen Eigenschaften von
Halbleitern zu bekommen, erlaubt es, diese fr eine Probe mit hoher Genauigkeit
zu bestimmen. Diese Methode setzt dabei eine weitgehende Homogenitt der Pro-
be voraus und erfasst auch stets das gesamte Probenvolumen. Es ist allerdings bei
der Zchtung der Proben nicht vllig auszuschlieen, dass sich mikroskopische
Bereiche ausbilden, welche deutlich unterschiedliche Eigenschaften besitzen. Ei-
ne Hall - Effektmessung kann dann meist nur Aufschluss ber die Eigenschaften
eines bestimmten Bereichs der Probe geben, im Allgemeinen den, der die h-
here Leitfhigkeit besitzt. Durch temperaturabhngige Messungen ist es sowohl
mglich Bereiche mit unterschiedlicher Leitfhigkeits - Temperatur - Charakteris-
tik rechnerisch zu trennen, als auch Informationen ber die Auswirkungen der
Krnigkeit der Proben auf die elektrischen Eigenschaften zu erhalten. Dies ist
allerdings nicht in allen Fllen mglich und setzt voraus, dass die Probe ber
einen weiten Temperaturbereich die fr die Hall - Effektmessungen erforderli-
chen Gegebenheiten besitzt. Meist verhindert eine zu hohe Resistivitt detaillierte
Hall - Untersuchungen. In den folgenden Abschnitten werde ich Verfahren be-
schreiben, welche zur mikroskopischen Untersuchung elektrischer Eigenschaften
angewandt wurden und Beispiele fr die Leistungsfhigkeit dieser Methoden ge-
ben. Zu den wesentlichen Vorteilen dieser Methoden gehrt die hohe Ortsaufl-
sung von wenigen Nanometern, die mit dem verwendeten Rasterkraftmikroskop
1
erreicht werden kann.
4.1 Messverfahren und Gerte

4.1.1 Funktionsweise des Rasterkraftmikroskopes
Fr smtliche mikroskopische Untersuchungen die in dieser Arbeit beschrieben
werden, wurde das Rasterkraftmikroskop Dimension 3100 der Firma Veeco In-
struments verwendet 1 . In einem Rasterkraftmikroskop wird die Oberflche der
Probe mit einer Messspitze abgerastert, welche einen Krmmungsradius von we-
1
Finanziert durch das Bundesministerium fr Bildung und Forschung (FKZ08N870)
4. Mikroelektrische Untersuchungen 34
Stellschrauben
Laseranzeige (Laser)
Photodiode
(4 Quadranten) Laserdiode
Kollimator
Strahlteiler Linse
Laserstrahl
Stellschrauben
(Detektorspiegel)
Detektorspiegel 1 SCM - Modul

(beweglich)
Detektorspiegel 2 Linse
(fest)
Linse Piezokristall
Spiegel
Cantilever Cantileverhalter
Fig. 4.1: Prinzipskizze des Scanner Heads, gezeichnet von Gregor Zimmermann.
nigen Nanometern besitzt. Die Spitze befindet sich am Ende eines biegbaren und
schwingungsfhigen Silizium- oder Siliziumnitritbalkens, dem Cantilever. Dieser
ist auf dem Cantileverhalter eingespannt. Der Cantileverhalter ist am so genann-
ten Scanner Head befestigt. Der Scanner Head beinhaltet eine hochsensible
Laseroptik, deren Aufbau im Folgenden beschrieben ist (Fig. 4.1).
Das Licht einer Laserdiode = 670 nm wird auf das Ende des Cantilevers, welcher
mit einem hochreflektierendem Material beschichtet ist, gelenkt. Das reflektierte
Licht wird ber einen justierbaren Spiegel auf einen Vierquadrantendetektor ab-
gebildet. ndert sich nun der Winkel zwischen dem einfallenden Laserstrahl und
dem Cantilever durch dessen Verbiegung, so macht sich dies durch eine vern-
derte Position des auf den Detektor einfallenden Lichtflecks bemerkbar. Je nach
Operationsmodus sind einzelne Elemente des Detektorfeldes additiv oder sub-
traktiv geschaltet. Mit Hilfe einer Verstrkungs- und Auswerteelektronik kann
daraus die Position des Cantilevers und damit der Spitze bestimmt werden. Die
Elektronik steuert auerdem die Position des Cantileverhalters, welcher durch
Schrittmotoren und einen Piezokristall bewegt werden kann. Der Piezokristall
gestattet es den Cantilverhalter ber einen Bereich von 90 90 m ber die Probe
zu bewegen und dabei Hhenunterschiede von bis zu 6 m auszugleichen. Das
verwendete Rasterkraftmikroskop untersttzt Messungen sowohl im contact
mode als auch im tapping mode. Im contact mode berhrt die Messspitze
die Probenoberflche und die Hheninformation wird direkt aus der Verbiegung
des Cantilevers berechnet. Im tapping mode schwingt der Cantilever ber der
Probe. Dazu wird der Cantilever ber einen im Cantileverhalter befindlichen
Piezokristall zu Schwingungen angeregt. Die Resonanzfrequenz dieser Schwin-
gung ist davon anhngig, welche Kraft die Messspitze von der Probe erfhrt.
Aus der so gemessenen Resonanzfrequenz kann demzufolge auf den Abstand
zwischen Spitze und Probe geschlussfolgert und somit die Topographie der Pro-
be bestimmt werden. Dieses Verfahren hat gegenber dem contact mode den
Vorteil, dass die Spitze, da sie im Allgemeinen die Probe nicht berhrt, geringe-
ren mechanischen Belastungen ausgesetzt ist. Allerdings ndert sich der Abstand
zwischen Probe und Spitze whrend der Messung stndig, was im Hinblick auf
die Untersuchung abstandsabhngiger Krfte nachteilig ist. Um diese Proble-
me zu berwinden wurde ein weiterer Messmodus entwickelt, der interleave
mode. Dieser erlaubt es, den Abstand zwischen Probe und Spitze konstant zu
halten. Dazu wird das Hhenprofil der Probe im tapping mode aufgezeichnet,
und in einem zweiten Durchlauf derart abgefahren, dass sich die Spitze in einem
konstanten und vom Nutzer bestimmbaren Abstand von der Probe befindet. Nun
kann der Einfluss von langreichweitigen elektrischen oder magnetischen Krften
auf die Spitze studiert werden.
4.1.2 Grundlagen der Scanning Capacitance Microscopy

Die Scanning Capacitance Microscopy (SCM) ist ein contact mode Verfahren
und erfordert die Verwendung eines hochsensitiven Kapazittsmessmoduls. Eine
Abbildung des Messprinzips ist in (Fig. 4.2) zu sehen. In einem Metall-Isolator-
Halbleiter (MIS) Schichtsystem ist die Kapazitt des Halbleiters, und damit der
gesamten Anordnung, von der angelegten Spannung abhngig. Eine detaillier-
te Spannungs - Kapazitts - Charakteristik kann zum Beispiel in [37] und darin
zitierten Quellen gefunden werden. Fr das Verstndnis der Signalentstehung
ist jedoch eine detaillierte Kenntnis der MIS - Kennlinien nicht ntig. Im realen
SCM - Messprozess treten verschiedene Nichtidealitten auf, welche die MIS -
Kennlinie verndern. Sie sollen im Anschluss an die Prinzipbeschreibung disku-
tiert werden. Gehen wir zunchst von einer idealen MIS-Struktur aus, in der die
Dicke und folglich die Kapazitt des Isolators vom Ort unabhngig ist und keine
Strme ber den Kontakt flieen. Unter dem Einfluss einer ueren Spannung
verbiegen sich die Bnder im Halbleiter. Je nach dem Vorzeichen der angelegten
Spannung und dem Typ der Ladungstrger unterscheidet man verschiedene Fl-
Cantilever
Mess-
spitze
+++
U
Isolator
- - -
Halbleiter
Probenteller
Fig. 4.2: Skizze des SCM Messprinzips.
le. Hier soll zunchst auf den Fall eines n - Typ Halbleiters eingegangen werden,
wobei sich aus den getroffenen Aussagen leicht das Verhalten fr Lcher ablei-
ten lsst, wenn man das Vorzeichen der ueren Spannung umkehrt. Liegt eine
positive Spannung zwischen Metall und Halbleiter an, wie es in (Fig. 4.2) gezeigt
ist, so werden Valenz- und Leitungsband nach unten gebogen und Elektronen
sammeln sich an der Isolator-Halbleiter Grenzflche. Man spricht in diesem Fall
von Akkumulation. Durch eine negative Spannung werden die Bnder im Halb-
leiter an der Kontaktflche nach oben gebogen und Elektronen verlassen das
Gebiet, eine positive Raumladungszone bildet sich aus. Man spricht in diesem
Fall von Ladungstrgerverarmung. Erhht man die Spannung derart, dass durch
die Bandverbiegung das Ferminiveau in die Nhe der Valenzbandkante rutscht,
kommt es zur Ansammlung von Lchern im entsprechenden Gebiet. Man spricht
in diesem Fall von Inversion. Der Verlauf der Ladungs - Spannungs - und der
Kapazitts - Spannungs - Kennlinie ist in (Fig. 4.3) und (Fig. 4.4) zu sehen. Die
hierfr verwendeten Werte sind in (Tab.4.1) dargestellt. Die dargestellten Kennli-
nien geben das Verhalten der Struktur unter Gleichspannung wieder. Fr die auf
der Struktur aufgebrachte Ladung gilt:
2
!
npo
Qs = F s , , (4.1)
qLd ppo
mit
npo
!
npo
!

F , = e + 1 + e 1 (4.2)
ppo ppo
Daraus ergibt sich die Kapazitt der Raumladungszone im Halbleiter zu
|ln Q| (willk. Einheiten)
p Typ
n Typ
0.8 0.6 0.4 0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8

Spannung (V)
Fig. 4.3: Ladungs - Spannungs - Charakteristik einer idealen MIS Struktur, Niederfre-
quenzfall.
Kapazitt (willk. Einheiten)
p Typ NF
n Typ NF
p Typ HF
n Typ HF
1 0.5 0 0.5 1
Spannung (V)
Fig. 4.4: Kapazitts - Spannungs - Charakteristik einer idealen MIS Struktur, Hoch (HF)-
und Niederfrequenzfall (NF).
0.8
0.6
0.4
dC/dV, normiert
0.2
0.2
0.4
0.6
p Typ NF
0.8 n Typ NF
p Typ HF
1 n Typ HF
1 0.5 0 0.5 1
Spannung (V)
Fig. 4.5: Gre des SCM Signals in Abhngigkeit von der Vorspannung, Hoch (HF)- und
Niederfrequenzfall (NF).

npo
1 e s
+ ppo e 1 s

Qs
Cs = = . (4.3)
s LD

npo
F s , ppo
Die Gesamtkapazitt der Anordnung ergibt sich als Reihenschaltung der Kapazi-
tten von Halbleiter und Isolator. Im Falle hoher Messfrequenzen verndert sich
die Kapazitts - Spannungs - Kennlinie. Die fr das verwendete SCM - Mess-
modul empfohlene AC Messfrequenz betrgt 90 kHz. Die Ableitung der Kapa-
zitts - Spannungs - Charakteristik fr diesen Fall ist in (Fig. 4.5) angedeutet,
wobei diese nur nherungsweise berechnet wurde, um einen qualitativen ber-
blick zu ermglichen. Im Gegensatz zum Niederfrequenzfall fllt oder steigt je
nach vorherrschendem Ladungstrgertyp die Kapazitt monoton mit steigender
Spannung. Demzufolge ist die Ableitung der Kapazitt nach der Spannung stets
positiv fr Elektronen oder stets negativ fr Lcher (Fig. 4.5), und der Typ der
Majorittsladungstrger kann aus dem bei 0 V gemessenen SCM Signal bestimmt
werden.
Generell kann aus der Gre des Anstiegs auf die Hhe der Dotierung geschluss-
folgert werden. Bei hohen Dotierungen (n 1020 cm3 ) ndert sich die Ausdeh-
nung der Raumladungszone nur geringfgig und die nderung der Kapazitt mit
Ladungstrgertyp np0 (cm3 ) pp0 (cm3 ) S I dI (nm)

n 4,0 1017 1,0 1011 11,7 (Si) 3,9 (SiO2 ) 10
p 1,0 1011 4,0 1017 11,7 (Si) 3,9 (SiO2 ) 10
Tab. 4.1: Als Grundlage der in (Fig. 4.3 - 4.5) dargestellten Berechnungen verwendete
Koeffizienten.
steigender Spannung ist kleiner als im Falle geringer Dotierung (n 1017 cm3 ).
Allerdings nimmt die nderung der Kapazitt fr weiter sinkende Dotierung er-
neut ab und ist sowohl fr isolierende als auch fr metallische Proben Null. Aus
der Amplitude und der Phasenverschiebung des Messsignales zur angelegten
Spannung wird das SCM - Gesamtsignal berechnet.
4.1.3 Grundlagen der Scanning Surface Potential Microscopy

Die Scanning Surface Potential Microscopy (SSPM) ist ein interleave mode
Verfahren. Dabei wird im tapping mode die Probe abgerastert, und dabei die
Hheninformation aufgezeichnet. Danach wird dieselbe Linie erneut abgefahren,
wobei allerdings die Spitze dem vorher aufgezeichneten Hhenprofil folgt und in
einem konstanten Abstand ber die Probenoberflche bewegt wird. Nun wird die
Position der Spitze relativ zur Probe allein durch die langreichweitigen elektri-
schen Krfte zwischen diesen bestimmt. Zur Bestimmung des Oberflchenpoten-
tials wird eine Wechselspannung an die Spitze angelegt. Diese Wechselspannung
kann mit einer variablen Gleichspannung berlagert werden. Die Kraft auf die
Spitze ergibt sich als
dC
F= VDC VAC , (4.4)
dz
wobei VDC die Differenz der Potentiale von Spitze und Probenoberflche dar-
stellt. Sind diese gleich, versprt die Spitze keine elektrische Kraft und oszilliert
nicht. Die Regelelektronik des Mikroskopes variiert die an die Spitze angelegte
Gleichspannung, um diesen Zustand zu erreichen. Da dann das Potential der
Spitze dem der Probe entsprechen muss, kann so ein zweidimensionales Abbild
des Oberflchenpotentials gewonnen werden. Zu beachten ist dabei, dass dieses
Oberflchenpotential durch die Ablsearbeit der Spitze genauso beeinflusst wird
wie durch die der Probe. Um nun diese beiden Einflsse zu trennen und die Lage
des Ferminiveaus an der Probenoberflche zu erkennen, muss eine Vergleichs-
messung an einer Oberflche erfolgen, deren Ablsearbeit bekannt ist. Zu diesem
Zweck eignet sich beispielsweise eine Goldoberflche, welche sich ohnehin bereits
als Ohmscher Kontakt auf zahlreichen Proben befindet.
4.2 Untersuchungen an Silizium-Querschnitten bekannter

Dotierstoffkonzentration
Eindrucksvoll lassen sich die Mglichkeiten von SCM anhand der an Silizium-
proben durchgefhrten Messungen zeigen. Zum einen liefert der Hersteller des
Messinstrumentes eine Probe von bekannter Dotierkonzentration, einen DRAM
Speicherbaustein, um die Fhigkeiten des Gertes zu demonstrieren, zum anderen
wurden Querschnitte von Siliziumproben mit bekanntem Dotierprofil untersucht.
In (Fig. 4.6) ist ein zweidimensionaler bersichtsscan ber die vom Hersteller ge-
lieferte Probe zu sehen. Wie aus dem darber abgebildeten Balken ersichtlich ist,
reprsentieren gelb eingefrbte Bereiche p - leitende Gebiete, blau eingefrbte n -
leitenden Probenabschnitten entsprechen. Beide Bereiche haben nach Hersteller-
angaben eine Dotierungskonzentration von 1017 cm3 . Eine rote beziehungsweise
violette Frbung lsst keinen eindeutigen Schluss auf den Ladungstrgertyp des
untersuchten Gebietes zu. So besitzen die im linken und rechten Teil des Bildes
sichtbaren Strukturen zwar eine sehr hnliche Farbe, gehen aber auf einen unter-
schiedlichen Ladungstrgertyp zurck. Die Ladungstrgerkonzentration betrgt
in beiden Fllen 1020 cm3 . Um eine genaue bersicht zu erhalten, wurde aus
dem Flchenscan ein Histogramm erzeugt, welches in (Fig. 4.7) zu sehen ist. Aus
diesem lassen sich deutlich mehrere Hufungspunkte erkennen. Diese gehren
einerseits zum gelb gezeichneten p - Typ Gebiet (Hufungspunkt bei 0,4 V) und
andererseits zum blau gezeichneten n - Typ Gebiet (zwei Hufungspunkte bei
0,28 V und 0,33 V). Allerdings sind die Bereiche von 1020 cm3 Elektronen nicht
von denen der 1020 cm3 Lcher zu trennen. Wie sich bereits aus dem Flchenscan
abzeichnete, ergeben beide einen gemeinsamen Hufungspunkt im Bereich klei-
ner negativer bis kleiner positiver SCM Signale.
Weiterhin wurden Querschnitte von Silizium Proben untersucht, in welche mit-
tels Ionenimplantation ein Dotierprofil eingebracht worden war [38]. Ein zweidi-
mensionaler bersichtsscan ist in (Fig. 4.8) zu sehen. Dabei zeigt die Abbildung
drei deutlich unterscheidbare Bereiche. Die Probe besteht aus einem p - Typ Sub-
strat, welches in der Abbildung rechts unten zu erkennen ist. Die Probe wurde
mit Phosphorionen implantiert, was im Silizum eine donatorartige Strstelle dar-
stellt. Dies wird in der Abbildung durch die drei blauen Streifen reprsentiert.
Zu erkennen ist ebenfalls, dass dieses Dotierprofil nicht einheitlich ist, sondern
in verschiedene unterscheidbare Bereiche zerfllt. Die Probe ist in ein Kunstharz
eingebettet, um Zugang zu den Kanten der Probe zu erhalten, ohne dabei jedoch
wesentliche Hhenunterschiede an der implantierten Probenoberflche zu haben.
Dieser Bereich ist im bersichtsscan links oben zu erkennen, und zeigt ein Signal,
welches einem p - leitenden Bereich entsprechen wrde. Dies ist dahingehend
verwunderlich, dass vom entsprechenden Kunstharz keinerlei Messsignal erwar-
p - Typ n - Typ
Fig. 4.6: Zweidimensionales SCM Profil der vom Gertehersteller mitgelieferten DRAM
Probe.
Zhlwert (willk. Einheiten)
-0.50 -0.25 0.00 0.25 0.50

SCM Signal (V)
Fig. 4.7: Histogramm der SCM Messdaten, aus Fig. 4.6

tet wird, weil dieses isolierend ist. Zu erwhnen ist an dieser Stelle, dass bei allen
SCM Messungen stets ein Signaloffset beobachtet wird, welcher von den aktuellen
Messbedingungen abhngt. Dieser Offset ist allerdings weitgehend unvernder-
lich fr eine verwendete Messspitze, und wird, bei ansonsten nicht vernder-
ten Bedingungen, durch Messungen auf einer isolierenden Oberflche bestimmt.
Auch nach mehrstndigen Messungen hat sich dieser nur wenig verndert. Um
ein genaues Bild von den Ladungstrgerverhltnissen in den untersuchten Pro-
ben zu bekommen, muss dieser Offset nachtrglich numerisch korrigiert werden.
Um weitere Erkenntnisse ber die Ladungstrgerkonzentration in den unter-
schiedlichen Bereichen der Streifenstruktur zu gewinnen, wurden vorspannungs-
abhngige Untersuchungen durchgefhrt. Dazu wurden eindimensionale Scans
senkrecht zur Streifenstruktur ber die Probenoberflche gemessen. Dabei wurde
schrittweise die Spannung an der Spitze verndert. Nach jeder Spannungsnde-
rung wurden einige Scandurchlufe abgewartet, um ein zeitlich stabiles Messsi-
gnal zu erhalten. Eine Zusammenfassung der Resultate dieser Messungen ist in
(Fig. 4.9) zu sehen. Die einzelnen Messkurven wurden hierzu zu einem zweidi-
mensionalen Bild zusammengefgt, dessen x - Achse die Position auf der Probe,
und die y - Achse die angelegte Vorspannung darstellt. Dabei liegt die Spannung
stets an der Spitze an, whrend die Probe auf Masse liegt. Der Messwert an der
entsprechenden Orts - Spannungs - Koordinate ist, wie aus den vorangegangenen
Abbildungen bekannt, farbig kodiert. Der Vollstndigkeit halber ist zu erwhnen,
dass diese Messung nicht am selben Messtag wie die in (Fig. 4.8) Gezeigte durch-
gefhrt wurde. Der Offset der Messung ist also ein anderer.
Im linken Bereich der Abbildung ist das Kunstharz zu erkennen, es zeigt keine
Abhngigkeit des SCM Signals von der Vorspannung, was entweder auf metalli-
sches oder isolierendes Verhalten schlieen lsst. Im rechts daran anschlieenden
Bereich ist folgendes Verhalten zu erkennen: Ohne Vorspannung entspricht das
Signal dem eines n - Halbleiters. Dieses Signal wird durch eine positive Vorspan-
nung zuerst vergrert, da Elektronen an der Halbleiter - Isolator - Grenzflche
akkumulieren. Bei weiterer Erhhung der Vorspannung sinkt der Signalpegel
erneut ab, da die Grenzflche maximal aufgeladen ist und keine nderung der
Kapazitt mit der Spannung mehr erfolgt. Zu negativen Vorspannungen hingegen
sinkt das Messsignal zuerst, und schlgt dann in das fr einen p - Typ Halbleiter
charakteristische um. Dies ist darauf zurckzufhren, dass sich das Ferminiveau
bei starker Bandverbiegung im oder in der Nhe des Valenzbandes befindet und
sich Lcher an der Grenzflche sammeln. Die unterschiedlichen Vorspannungen,
bei denen dieses Verhalten fr die verschiedenen Bereiche eintritt, indizieren un-
terschiedliche Elektronenkonzentrationen, was sich bereits durch die Streifen im
bersichtsscan abgezeichnet hat. Am rechten Rand der Abbildung ist das p - Sub-
strat zu erkennen, in welchem ein analoges Verhalten, allerdings bei umgekehrter
Vorspannung, auftritt. Weiterhin fllt auf, dass bei sehr groen Vorspannungen im
r z
h a
s t
u n e
a) K o b
Pr
p - Typ n - Typ
r z
h a
s t
n n
Ku gi
o
Re
r te
t ie
an
pl
m
-i p t
P y
- T stra
p b
Su
Fig. 4.8: SCM bersichtsscan: Querschnitt einer P implantierten p - Siliziumprobe, welche

in Kunstharz eingebettet ist a) Schema der untersuchten Struktur.
a) implantierter Bereich Sub-

Harz
strat
-4
300
-3
200
SCM Signal (mV)

-2
Vorspannung (V)
100
-1
0 0
1
-100
2
-200
3
-300
4
0 5 10 15 20
Position (m)
Fig. 4.9: Vorspannungsabhngige SCM Linescans: Querschnitt einer P implantierten p -
Siliziumprobe, welche in Kunstharz eingebettet ist a) Schema der untersuchten
Struktur.
p - und n - Bereich das gleiche, relativ niedrige, aber von Null verschiedene Signal
auftritt. Dies ist von seinem Vorzeichen her dem der Vorspannung gleichgerich-
tet. Eine mgliche Ursache fr diese Nichtidealitt knnte der durch die dnne
natrliche Oxidschicht, welche in diesem Fall als Isolator dient, auftretende Tun-
nelstrom sein. Genaue Untersuchungen dieses Phnomens sind in Bearbeitung.
Weiterhin fllt auf, dass das Phnomen der Inversion nur zu beobachten ist,
wenn man davon ausgeht, dass es sich bei der zugrunde liegenden Kapazitts
- Spannungabhngigkeit um das in (Fig. 4.5) dargestellte Niederfrequenzverhal-
ten, und nicht um das vom Gertehersteller angenommene, und in (Fig. 4.5)
dargestellte Hochfrequenzverhalten handelt. Bei diesem tritt ber den gesamten
Messbereich kein Wechsel des Vorzeichens des SCM Signals auf. Auf einer wei-
teren Siliziumprobe wurden an feststehenden Positionen Vorspannungs - SCM -
Signal - Kennlinien aufgezeichnet. Die entsprechenden Charakteristiken fr p -
und n - Si sind in (Fig. 4.10) zu sehen. Es besttigt sich die hnlichkeit mit dem
in (Fig. 4.5) dargestellten Niederfrequenzverhalten. Inwieweit dieses Verhalten
damit begrndet ist, dass ein Stromfluss ber die Halbleiter-Isolator-Grenzflche
auftritt, ist nicht gesichert. Eine detaillierte Untersuchung dieses Phnomens wird
vorgeschlagen. Auch deutet sich an, dass dieses Verhalten sich fr Lcher und
Elektronen unterscheiden kann. Eine physikalische Begrndung fr ein solches
Verhalten ist durch die unterschiedlichen Lebensdauern und Generations - Re-
kombinationsraten der jeweiligen Minorittsladunsgtrger gegeben. Dies kann
sich auch fr verschiedene Materialien und fr verschiedene Defektkonzentra-
tionen unterscheiden. Auch hier sind weitergehende Untersuchungen ntig, um
die beobachteten Effekte klassifizieren zu knnen.
600
p-Si
400 n-Si
SCM-Signal (mV)
200
-200
-400
-600
-4 -2 0 2 4
Vorspannung (V)
Fig. 4.10: Vorspannungsabhngigkeit des SCM-Signals an festen Orten auf p - und n - Si.
5. ERGEBNISSE DER MESSUNGEN UND AUSWERTUNG
5.1 Hall - Effektmessungen bei Raumtemperatur

Um die Abhngigkeit der elektrischen Eigenschaften von den Zchtungsbedin-
gungen zu klren, wurden zahlreiche Proben prpariert. Diese wurden stets zuerst
bei Zimmertemperatur untersucht, um den spezifischen Widerstand , sowie die
freie Ladungstrgerkonzentration n und die Mobilitt zu bestimmen. Hierbei
sind stets die Hall - Mobilitt H und die im Hall - Effekt gemessene freie La-
dungstrgerkonzentration nH gemeint. Die so ermittelten Messgren erlauben
eine grobe Klassifizierung der Probe, und lassen Schlsse auf das Verhalten bei
tiefen Temperaturen zu. So ist bei entarteten Proben nur mit einer schwachen
Temperaturabhngigkeit von n und zu rechnen, und eine temperaturabhngige
Messung nicht unbedingt aufschlussreich. Auch wird bei Proben mit einer hohen
Resistivitt diese bei tieferen Temperaturen nur weiter ansteigen. Da, wie im im
Kapitel 3.3.1 erlutert, die Messgenauigkeit durch die Resistivitt begrenzt ist,
ist eine sinnvolle Messung fr viele dieser Proben unterhalb von Zimmertempe-
ratur nicht mglich. Auerdem existieren zahlreiche Proben, die die in Kapitel
3.2 dargelegten Bedingungen nicht erfllen. So ist insbesondere die Schichtdicke
der Proben oft nicht homogen, oder die Kristallstruktur der Probe lsst keinen
homogenen Strompfad zu. Dies uert sich meist durch stark abweichende Mes-
sergebnisse fr die vier mglichen Kontaktkonfigurationen, welche stets berein-
stimmen sollten. Auch solche Proben sind fr weitere Untersuchungen nach dem
angegeben Messverfahren nicht geeignet.
5.1.1 Undotierte ZnO Proben

Im Zusammenhang mit den in der Einleitung diskutierten Hintergrunddonatoren
im Zinkoxid wurden mehrere Serien nominell undotierter Proben untersucht, um
den chemischen Ursprung dieser Donatoren aufzuklren. Dabei wurden Proben
bei verschiedenen Sauerstoffpartialdrcken, aber ansonsten gleichen Zchtungs-
bedingungen hergestellt. Dies geschah mit dem Ziel, das Zink zu Sauerstoff-
verhltnis in den Proben zu variieren, und damit mgliche Abhngigkeiten der
Konzentration von VO und ZnI von diesem Zchtungsparameter festzustellen. Ei-
ne erste Serie zeigt bei Raumtemperatur folgendes Verhalten (Fig. 5.1). Die Linien
5. Ergebnisse der Messungen und Auswertung 48
160 61016
H (cm/Vs)
n H (cm -3)
140 51016
41016
H (cm/Vs)
120
nH (cm-3)
31016
100
21016
80
11016
60
01016
0.01 0.02 0.03 0.04 0.05
pO2 (mbar)
Fig. 5.1: Erste Serie: Abhnigkeit der freien Ladungstrgerkonzentration n und der Mo-
bilitt vom Sauerstoffpartialdruck.
sollen einen mglichen Trend veranschaulichen. Dabei ist die Zchtungstempe-

ratur der Probe auf 730 C festgelegt. Auffallend ist, dass die freie Ladungstr-
gerkonzentration im Durchschnitt sinkt, was auf eine geringere Anzahl intrinsi-
scher Donatoren oder eine erhhte Zahl instrinsischer Akzeptoren durch hheren
Sauerstoffgehalt hindeutet. Die maximale Mobilitt wird bei Drcken zwischen
0,020,03 mbar beobachtet. Dafr kommen zwei Ursachen in Frage: zum einen
knnen durch den unterschiedlichen Sauerstoffpartialdruck whrend der Zch-
tung unterschiedliche Korngren auftreten, welche die Mobilitt beeinflussen.
Zum anderen kann eine vernderte Gitterverspannung, welche durch das mit ver-
schiedenem Sauerstoffgehalt vernderte c- zu a-Achsenverhltnis begrndet ist,
zu einem vernderten Beitrag der intrinsischen Streumechanismen fhren. Um
diese Fragen zu klren, und die gemessenen Ergebnisse auf Reproduzierbarkeit
zu testen, wurde eine weitere Serie hergestellt, in welcher der Sauerstoffpartial-
druck strker variiert wurde.
Die Ergebnisse der Zimmertemperaturmessungen an diesen Proben sind in (Fig.
5.2) zu sehen. Es zeigt sich ein der ersten Serie hnliches Verhalten. Die freie
Ladungstrgerkonzentration zeigt die Tendenz zu kleineren Werten bei hherem
Sauerstoffpartialdruck. Auch ergibt sich qualitativ eine der ersten Serie hnliche
Abhngigkeit der Mobilitt vom Sauerstoffpartialdruck. Allerdings liegt die Mo-
160 61016
2
H (cm /Vs)
n H (cm -3)
140 51016
41016
H (cm/Vs)
120
nH (cm-3)
31016
100
21016
80
11016
60
01016
0.001 0.010 0.100
pO2 (mbar)
Fig. 5.2: Zweite Serie: Abhnigkeit der freien Ladungstrgerkonzentration n und der Mo-
bilitt der Probe, bei der man aus den Ergebnissen der ersten Serie ein Maximum
erwartet htte deutlich unter dem Durchschnitt der gesamten Serie. Auch sind
die Zimmertemperaturmobilitten der anderen Proben hher, als es nur aus den
Messungen an der ersten Serie zu erwarten gewesen wre. Es zeichnet sich ab,
dass eine Reproduzierbarkeit der Ergebnisse nicht im vollen Umfange zu errei-
chen ist. Dies ist unter anderem dadurch begrndet, dass fr die Herstellung der
beiden Probenserien verschiedene PLD-Targets verwendet wurden. Diese knnen
sich, trotz nominell gleicher Herstellung in ihrer Zusammensetzung, insbesonde-
re im mikroskopischen Bereich, unterscheiden. Demzufolge ist hier eine mgliche
Ursache fr Unterschiede zwischen ansonsten unter gleichen Bedingungen her-
gestellten Proben zu sehen. Um weitere Anhaltspunkte fr diese Verhalten zu
gewinnen wurde eine dritte Serie hergestellt.
Die Messergebnisse dieser Serie sind in (Fig. 5.3) zu sehen. Die Messungen best-
tigen in wesentlichen Zgen die der beiden vorherigen Serien. Mit steigendem
Sauerstoffpartialdruck whrend der Zchtung sinkt die freie Ladungstrgerkon-
zentration. Auerdem lsst sich im Bereich von 0,01 mbar erneut ein Maximum in
der Mobilitt erkennen. Um alle Messungen vergleichen zu knnen wurden die
Ergebnisse aller drei Serien in (Fig. 5.4) zusammengefasst. Es zeigt sich, wie schon
aus den einzelnen Serien erkennbar war, ein systematisches Verhalten fr die freie
160 61016
2
H (cm /Vs)
n H (cm -3)
140 51016
41016
H (cm/Vs)
120
nH (cm-3)
31016
100
21016
80
11016
60
01016
0.001 0.010 0.100
pO2 (mbar)
Fig. 5.3: Dritte Serie: Abhnigkeit der freien Ladungstrgerkonzentration n und der Mo-
Ladungstrgerkonzentration und die Mobilitt. Die eingezeichneten Linien stel-

len keine Anpassung der Messwerte dar, sondern sollen lediglich dieses Verhalten
betonen. Auch zeigt sich hier, dass einzelne Proben zum Teil stark von den an-
deren abweichen knnen. Generell kann also von einer Reproduzierbarkeit der
Ergebnisse gesprochen werden, allerdings sind Abweichungen einzelner Proben
nicht auszuschlieen. Die bisher betrachteten Proben kommen wegen ihrer ho-
hen Raumtemperaturmobilitt allesamt fr eine temperaturabhngige Messung
in Frage. Auf diese wird in einem spteren Kapitel nher eingegangen.
160 61016
H (cm 2/Vs)
n H (cm -3)
140 51016
41016
H (cm/Vs)
120
nH (cm-3)
31016
100
21016
80
11016
60
01016
0.001 0.010 0.100
pO2 (mbar)
Fig. 5.4: Vergleich der Ergebnisse aller drei Messserien (Fig. 5.1 - 5.3).
5.1.2 P dotierte ZnO Proben

Wie schon mehrfach erwhnt, ist das reproduzierbare Erzeugen von p - dotiertem
ZnO eine der bedeutendsten Herausforderungen der gegenwrtigen Zinkoxid-
forschung. In dieser Arbeit wurden Proben elektrisch vermessen, welchen Phos-
phor aus verschiedenen Phosphorquellen und in verschiedenen Konzentrationen
beigemischt wurde. Auf Sauerstoffplatz eingebaut, erzeugt Phosphor ein Akzep-
torniveau im ZnO. Es wurden Zinkphosphat Zn3 (PO4 )2 und Diphosphorpentoxid
P2 O5 als Phosphorquellen eingesetzt, und in Anteilen von 10ppm bis 10000ppm
den Zinkoxid - Targets beigemischt. Die Proben wurden als PLD Dnnfilme auf
Saphir und auf hydrothermal gezchteten Zinkoxideinkristallen abgeschieden.
Dabei wurden verschiedene Zchtungsbedingungen variiert, darunter die Zch-
tungstemperatur und der Sauerstoffpartialdruck whrend der Zchtung. Diese
Proben wurden mit einem nicht rotierenden Substrathalter gezchtet, was late-
rale Dickeninhomogenitten verursacht. Fr die Messungen ist eine homogene
Schichtdicke von erheblicher Bedeutung (siehe Kap. (3.2), da ansonsten Bereiche
von verschiedenen Leitfhigkeiten in der Probe entstehen. Die Hall - Effekt-
messungen bestimmen dann im Allgemeinen die Ladungstrgerkonzentration
im hochleitenden Gebiet. Die durch die Laserablation entstehende Plasmakeule
zeigt eine radialsymmetrische Dichteverteilung, welche vom Zentrum her ab-
nimmt. Whrend des Zchtungsvorgangs wird das PLD Target rotiert und be-
wegt. Dies ist ntig, um einen homogenen Abtrag des Targets zu erzielen, und
dabei die Zahl der Droplets zu minimieren. Allerdings verursacht diese einen
unterschiedlichen Einfallswinkel des Lasers auf das Target, was eine Vernde-
rung der Plasmadichteverteilung zur Folge hat. Da sich die Schichtdicke bei der
Abscheidung entsprechend dieser Plasmadichte entwickelt, ist eine vllig homo-
gene Schicht ohne rotierenden Substrathalter nicht zu erzeugen. Allerdings ist bei
geeigneten Bedingungen die Schichtdicke nur unmerklich verschieden, und der
dadurch in die Messungen eingehende Fehler zu vernachlssigen. In den Hall
- Effektmessungen werden stets die elektrischen Parameter fr alle vier theore-
tisch gleichwertigen Messpunkte aufgenommen und verglichen. Aus dem Mae
der bereinstimmung lassen sich Schlussfolgerungen ber die Homogenitt der
Proben gewinnen. Die folgenden Ergebnissen geben nur Daten zu Proben an, bei
denen eine hinreichende bereinstimmung gefunden wurde. Eine Abweichung
um einen Faktor von 2 wurde hierbei als Obergrenze verwendet. Dabei ist, ins-
besondere bei hochomigen Proben, zu beobachten, dass sich die Resistivitt
noch mit akzeptabler Genauigkeit bestimmen lsst, die anderen Parameter je-
doch nicht. Dies hngt unter anderem damit zusammen, dass der Einfluss der
Messfehler auf die wesentlich geringere Hall - Spannung entsprechend grer
ist. Dies tritt insbesondere bei Proben hoher Resitivitt auf, da dann der durch die
Probe flieende Strom sehr klein ist.
In der folgenden Abbildung (Fig. 5.5) sind Resistivitt und freie Ladungstrger-
konzentration fr Zinkoxidproben mit einem Anteil von 1% Zn3 (PO4 )2 in Ab-
hngigkeit vom Sauerstoffpartialdruck bei der Zchtung zu sehen. Wie schon
bei den undotierten Proben ist ein Abfall der freien Ladungstrgerkonzentration
mit steigendem Sauerstoffpartialdruck zu erkennen. Allerdings ist die Konzen-
tration freier Elektronen erheblich hher, als fr undotierde Proben. Dies ist auf
dem ersten Blick verwunderlich, da Phosphor ja in der Absicht Akzeptoren zu
erzeugen beigemischt wurde, welche die Elektronenkozentration zumindest re-
duzieren msste, wenn kein Umschlag zu Lochleitung erfolgt. Allerdings ist aus
der Literatur [39] bekannt, dass Phosphor in Zinkoxid dazu neigt Donatorkom-
plexe zu bilden. Weiterhin knnte die Verwendung von Zn3 PO4 die Bildung von
ZnI frdern, was ebenfalls zu einer Erhhung der Donatorkonzentration fhrt. Ein
Einbau von Phosphor auf Sauerstoffplatz PO , welcher den gesuchten Akzeptor er-
zeugen wrde, findet nicht, oder nur in geringem Mae, statt. Weiterhin lsst sich
erkennen, dass die Resistivitt in hnlichem Mae steigt, wie die frei Ladungstr-
gerkonzentration sinkt. Dies muss mit einer nahezu unvernderlichen Mobilitt
einhergehen. Diese ist aus Grnden der bersichtlichkeit nicht einzeln dargestellt,
und liegt im Bereich zwischen 1 cm2 /Vs und 10 cm2 /Vs. Weiterhin ist zu erkennen,
dass die Daten von drei Proben, die unter selben Bedingungen gezchtet wurden
um bis zu eine Grenordnung abweichen. Dies muss nicht zwangslufig fr eine
andere Zusammensetzung der Probe sprechen, sodern kann zumindest teilweise
durch die nicht vllig reproduzierbare Probendickeverteilung verursacht sein.
Um die donatorartigen Phosphorkomplexe thermisch zu zersetzen wurden die
Proben bei 700 C drei Minuten in Stickstoff ausgeheizt. In (Fig. 5.6) sind die
elektrischen Daten der Proben vor und nach dem Ausheizvorgang gegenber-
gestellt. Dabei bedeuten helle Marker stets Proben im Originalzustand, dunkle
stehen fr thermisch behandelte Proben. Bis auf eine Probe zeigen alle hierbei eine
Erniedrigung der freien Elektronenkonzentration, teilweise um mehrere Gren-
ordnungen. Dies spricht fr eine erhhte Akzeptor- oder eine geringere Dona-
torkonzentration. Beide Effekte sollten mit einem Zerfall der Phosphorkomplexe
einhergehen. Ein bergang zu Lochleitung ist allerdings auch hier nicht zu be-
obachten. Auch ist kein Zusammenhang zwischen der ursprnglichen, und der
nach dem Ausheizen gemessenen Ladungstrgerkonzentration zu erkennen. Fr
nahezu alle Proben korreliert die Erniedrigung derselben allerdings mit einer
hnlichen Erhhung der Resistivit. Die Mobilitt ist fr einige Proben leicht ge-
stiegen, was auf eine geringere Defektkonzentration hindeutet.
Die folgende Abbildung (Fig. 5.7) zeigt das Verhalten des spezifischen Wider-
standes fr Zinkoxidproben die mit P2 O5 dotiert wurden. Dabei wurden PLD -
Targets mit verschiedenem Diphosphorpentoxidgehalt verwendet. Im Gegensatz
zu den bisherigen Ergebnissen sinkt der spezifische Widerstand mit steigendem
Sauerstoffpartialdruck. Eine mgliche Erklrung wre die geringere Formations-
rho (Ohm*cm)
nH (cm-3)
10.00 1020
rho (Ohm cm)
nH (cm-3)
1.00 1019
0.10 1018
0.01 1017
0.001 0.010 0.100 1.000

pO2 (mbar)
Fig. 5.5: Resistivitt und freie Ladungstrgerkonzentration fr Zinkoxidproben mit 1%

Zn3 (PO4 )2 in Abhngigkeit vom Sauerstoffpartialdruck.
rho (Ohm*cm)
nH (cm-3)
100.00 rho (Ohm*cm) annealed
1020
nH (cm-3) annealed
10.00 1019
rho (Ohm cm)
n H (cm -3)
1.00 1018
0.10 1017
0.01 1016
0.001 0.010 0.100 1.000

p O2 (mbar)
Fig. 5.6: Resistivitt und freie Ladungstrgerkonzentration fr Zinkoxidproben mit 1%

Zn3 (PO4 )2 vor (helle Marker) und nach dem Ausheizen (dunkle Marker) in Ab-
hngigkeit vom Sauerstoffpartialdruck.
0,25% P2O5
0,1% P2O5
1,000.0
100.0
rho (Ohm cm)
10.0
1.0
0.1
0.01 0.10 1.00

p O2 (mbar)
Fig. 5.7: Resistivitt fr Zinkoxidproben mit 0,25 % bzw 1% P2 O5 in Abhngigkeit vom

Sauerstoffpartialdruck.
wahrscheinlichkeit fr PO bei hherem Sauerstoffangebot. Zudem ist nicht auszu-

schlieen, dass die Bildung des Phosphorkomplexes vom Sauerstoffpartialdruck
abhngt. Auffallend ist, dass die Resistivitt erheblich hhere Werte erreicht als
in den mit Zn3 PO4 dotierten Schichten. Auch die Konzentration der Elektronen
ist bei den Proben, fr die sie sich fehlerfrei bestimmen lsst, geringer als fr die
bisher diskutierten Proben. Sie bewegt sich im Bereich zwischen 1,9 1014 cm3
und 3,5 1019 cm3 . Dies knnte auf das Fehlen von Zink im Target und eine dar-
aus resultierende geringere Konzentration von ZnI zurckzufhren sein. Um eine
weitere Verbesserung dieses Verhaltens zu erreichen, wurden die Proben fr drei
Minuten bei 700 C ausgeheizt.
Die Ergebnisse der Ausheizexperimente sind in (Fig. 5.8) zusammengefasst. Dar-
in ist der spezifische Widerstand nach dem Ausheizprozess ber dem vorherigen
aufgetragen. Zur besseren bersicht ist eine Linie konstanten spezifischen Wider-
stands eingefgt. Auerdem ist das Verhalten von undotierten Zinkoxidproben
gezeigt. Diese liegen ausnahmslos auf der Linie unvernderten spezifischen Wi-
derstandes. Es zeigt sich, dass eine Vielzahl der phosphordotierten Proben nach
dem Ausheizen einen hheren Widerstand zeigen als davor. Allerdings herrscht
auch fr diese Proben Elektronenleitung vor. Die maximalen Resistivitten wur-
den fr Proben erreicht, die mit P2 O5 dotiert waren.
107
unverndert
Zn3PO4
spez. Widerstand annealed
105 undotiert
P2O5
103
101
10-1
10-3
10-3 10-1 101 103 105 107
spez. Widerstand unbehandelt
Fig. 5.8: Zusammenfassung der Ausheizexperimente an phosphordotierten Proben, n-

derung des spezifischen Widerstandes.
5.2 Temperaturabhngige Hall - Messungen

Aus den bei Zimmertemperatur gemessenen Proben wurden diejenigen ausge-
sucht, die eine temperaturabhngige Messung als sinnvoll erscheinen lassen. Eine
Beschrnkung ist ntig, da auch unter Verwendung des automatischen Messpro-
grammes dies eine betrchtliche Zeit in Anspruch nimmt. Die Messzeit steigt
sowohl linear mit der Zahl der Temperaturpunkte, als auch zur Zahl der parallel
gemessenen Strme. Diese werden in erster Linie zum Vergleich der Messdaten
variiert, da sich gezeigt hat, dass die Messergebnisse durchaus von dem durch
die Probe flieenden Strom abhngen knnen. Da sich der Widerstand der Pro-
ben zum Teil zwischen den Endpunkten der temperaturabhngigen Messung um
mehrere Grenordnungen unterscheiden kann, flieen bei gleicher angelegter
Spannung auch deutlich verschiedene Strme. Um die hchste Messgenauigkeit
zu erzielen, ist es ntig, den maximalen Strom durch die Probe zu treiben. Al-
lerdings muss geprft werden, inwieweit die Messwerte selbst durch diesen va-
riablen Strom beeinflusst werden. Aus diesem Grund werden bei jeder Messung
Vergleichswerte bei ber den gesamten Temperaturbereich konstanten Strmen
aufgezeichnet. Bei tiefen Temperaturen empfiehlt es sich manchmal, den Strom
auf Grund der von der Probe dissipierten Leistung zu begrenzen, um einer lo-
kalen Erwrmung der Probe und damit verflschten Messwerten vorzubeugen.
Das automatische Messprogramm begrenzt den Strom derart, dass diese Leistung
kleiner als 10 mW bleibt.
5.2.1 undotierte ZnO Dnnfilme

An den in Kapitel 5.1.1 beschriebenen Proben wurden nun temperaturabhnige
Messungen durchgefhrt. Dabei wurden aus Zeitgrnden nur die ersten beiden
Serien untersucht. Es zeigte sich ein deutlich unterschiedliches Verhalten fr ver-
schiedene Proben. Die Grafiken (Fig. 5.9 und Fig. 5.10) zeigen die Mobilitt und
die freie Ladungstrgerkonzentration der ersten Serie in Abhngigkeit von der
Temperatur.
Diese Messdaten wurden nun unter der Annahme, dass alle auftretenden Streu-
prozesse bei den gegebenen Temperaturen als elastisch anzusehen sind, ausge-
wertet. Dazu wurden die Materialparameter der einzelnen Streuprozesse variiert,
um eine mglichst genaue bereinstimmung mit den Messergebnissen zu erzie-
len. Variiert werden knnen hierzu die folgenden Materialparameter: die Kon-
zentration der Akzeptoren in der Probe NA , aus der sich die Anzahl der ionisier-
ten Strstellen nach (2.57) ergibt, das akustische Deformationspotential EAD , der
elektromechanische Kopplungskoeffizient P, die Debyetemperatur , sowie die
Korngre l und die Hhe der Barriere zwischen den Krnern b . Physikalische
Grnde fr die Unterschiede in den Konstanten der intrinsischen Streuprozesse
300
pO2:
0,05 mbar
250
0,03 mbar
0,02 mbar
200 0,01 mbar
H (cm2/Vs)
150
100
50
0
50 100 150 200 250 300
T (K)
Fig. 5.9: Temperaturabhngigkeit der Mobilitt fr Proben der ersten Serie.
1017
pO2:
0,05 mbar
0,03 mbar
0,02 mbar
0,01 mbar
nH (cm-3)
1016
2 4 6 8 10 12 14 16
1000/T (1/K)
Fig. 5.10: Temperaturabhngigkeit der freien Ladungstrgerkonzentration fr Proben der

ersten Serie.
pO2 ( mbar) NA ( cm3 ) ( K) l( nm) b ( meV)

0,01 1,0 1016 600 58 12
0,02 1,4 1016 650 35 13
16
0,03 1,8 10 720 38 9
0,05 Sinnvolle Anpassung nicht mglich
Tab. 5.1: Materialkoeffizienten der ersten Probenserie.
sind in der, bei der Zchtung auf Saphirsubstraten auftretenden, Fehlpassung

von 18% und der dadurch entstehenden Gitterverspannung zu suchen. Ein Bei-
spiel fr die Messwertanpassung ist in (Fig. 5.11) gegeben. Es wurde versucht, die
Mobilitt der bei 0,02 mbar abgeschiedenen Probe anzupassen. In diesem Beispiel
wurden lediglich die Parameter fr die Korngrenzenstreuung, die Streuung an
ionisierten Strstellen und die polar - optische Streuung variiert. Bei der Variation
der Parameter fr Korngrenzenstreuung ist zu beachten, dass die durch diesen
Prozess bestimmte Mobilitt, im Gegensatz zu allen anderen Streuprozessen, nicht
monoton anwchst oder abfllt. Demzufolge kommt es zu einer starken Korre-
lation der Parameter, wodurch diese nicht mehr eindeutig zu bestimmen sind.
Im Bereich tiefer Temperaturen berlagert sich Streuung an Korngrenzen mit der
an ionisierten Strstellen, im Bereich hoher Temperaturen mit den intrinsischen
Streuprozessen, insbesondere mit polar - optischer Streuung. In keinem Tempera-
turbereich bestimmt die Streuung an akutischen Phononen die Mobilitt und ihr
Beitrag ber den gesamten Temperaturbereich liegt teilweise deutlich unter dem
der anderen Streukanle. Aus diesem Grund werden die Variationen der Streu-
ung an akustischen Phononen als klein betrachtet und damit die Zahl der freien
Parameter reduziert. Es zeigt sich dennoch, dass eine exakte Bestimmmung insbe-
sondere der Akzeptorkonzentration nur in Grenzen mglich ist. Im betrachteten
Beispiel schwankt die berechnete Akzeptorkonzentration um eine Grenord-
nung zwischen 1,0 1015 1,4 1016 cm3 . Dabei wurden nur Werte fr zugelas-
sen, die weniger als 30% von 837 K abweichen. In der folgenden Tabelle werden
diejenigen Werte erfasst, die sich nach hinreichend vielen (>1000) Iterationsschrit-
ten ergaben und deshalb als stabil angenommen werden. Dabei sei erneut darauf
hingewiesen, dass die Stabilit der Lsung stark von den Anfangswerten abhngt
und bei ungeeigneter Wahl dieser zu unsinnigen Werten driften kann. Auch ist
nicht sichergestellt, dass die dargestellten Lsungen die einzig mglichen stabilen
Punkte sind. Dementsprechend sind die gewonnenen Ergebnisse stark fehlerbe-
haftet. Es zeigt sich, dass durch die Anzahl der Messpunkte und insbesondere
durch deren Verteilung ber einen greren Temperaturbereich die Konvergenz
verbessert werden kann. Mit den Werten, die fr NA bestimmt wurden, wurde die
freie Ladungstrgerkonzentration nach (2.27) fr den Fall eines Donators (i = 1) an
die Messwerte angepasst. Dabei wurden lediglich die Hochtemperaturanteile der
0
10
-1
10 Messwerte
(m2/Vs)
Fit der Mobilitt

ionisierte Strstellen
Deformationspotential
Piezoelektrisch
Polar - Optisch
-2 Korngrenzen
10
-3
10
20 30 40 50 60 70 80 90100 200 300
T (K)
Fig. 5.11: Beispiel zur Anpassung der Mobilitt.
pO2 ( mbar) NA ( cm3 ) ND1 ( cm3 ) ED1 ( meV)

0,01 1,0 1016 8,3 1016 42
0,02 1,4 1016 6,3 1016 40
0,03 1,8 1016 8,1 1016 33
0,05 1,0 1016 3,8 1016 103
Tab. 5.2: Donatorkonzentrationen und -aktivierungsenergien der ersten Probenserie.
pO2 ( mbar) NA ( cm3 ) l( nm) b ( meV)

0,01 1,8 1015 27 13
15
0,02 1,2 10 28 13
15
0,03 1,2 10 32 10
0,05 Sinnvolle Anpassung nicht mglich
Tab. 5.3: Materialkoeffizienten der ersten Probenserie, ohne Variation der Debyetempera-
tur.
in (Fig. 5.10) dargestellten Kurven bercksichtigt. Auerdem wurde untersucht,

inwieweit die berechnete Ladungstrgerkonzentration von der vorgegeben Ak-
zeptorkonzentration abhngt. Dabei wurde festgestellt, dass eine nderung der
Akzeptorkonzentration um eine Grenordnung nur in einer schwachen nde-
rung der Donatoraktivierungsenergie von ungefhr 10% resultierte. Auch blieb
die Differenz ND NA weitgehend von einer Variation von NA unbeeinflusst
(Tab. 5.2). Die fr die bei 0,05 mbar gewhlte Akzeptorkonzentration ist willkr-
lich gewhlt, und entspricht ungefhr den Akzeptorkonzentrationen der anderen
Proben. Allerdings war selbst unter der vereinfachenden Einbeziehung nur we-
niger Punkte die bereinstimmung der berechneten Kurven mit den gemessenen
unbefriedigend. Ein Beispiel fr eine solche Messwertanpassung ist in (Fig. 5.12)
zu sehen. Aus der Tatsache heraus, dass die in (Tab. 5.1) fr die Debyetemperatur
bestimmten Werte sehr stark von den Werten eines Volumenkristalls abweichen,
wurde eine weitere Anpassung der Mobilittsmesswerte unternommen, dabei
wurde allerdings die Debyetemperatur nicht variiert. Die Ergebnisse dieser Be-
rechnungen sind in (Tab. 5.3) zu sehen. Die daraus resultierenden Akzeptor-
konzentrationen liegen eine Grenordnung unter denen, die bei Variation der
Debyetemperatur gewonnen wurden. Betreibt man nun die bereits beschriebene
Messwertanpassung fr die freie Ladungstrgerkonzentration, ergeben sich dar-
aus leicht unterschiedliche Werte, eine qualitative Verbesserung der Anpassung
tritt nicht auf. Deshalb wurde nun, um eine bessere Anpassung an die gemes-
senen Daten zu erzielen, ein Zweidonatorfit (i = 2) nach (2.27) durchgefhrt,
dessen Ergebnisse in (Tab. 5.4) tabelliert sind. Auch hier wurde fr die Akzeptor-
konzentration der bei 0,05 mbar gezchteten Probe ein willkrlicher Wert in der
1017
Fit
Messwerte
nH (cm-3)
1016
3 4 5 6 7 8 9 10
1000/T(1/K)
Fig. 5.12: Beispiel fr die Anpassung der Ladungstrgerkonzentration.
Grenordnung der Akzeptorkonzentrationen der anderen Proben gewhlt. Ein

Beispiel fr diese Messwertanpassung ist in (Fig. 5.13) zu sehen, hierbei wurde
derselbe Satz Messdaten verwendet wie in (Fig. 5.12). Es ist aus der Beispielgrafik
deutlich zu erkennen, dass eine wesentlich bessere Anpassung der Messdaten in
diesem Zusammenhang mglich ist. Auch fllt auf, dass die fr ED2 bestimmten
Werte sehr nahe beieinander, und in der Umgebung des Donatorniveaus von
Aluminium liegen [14]. Dies deutet im Zusammenhang mit den verwendeten
Saphirsubstraten auf eine Eindiffusion aus dem Substrat whrend der Zchtung
hin. Zu beachten ist, dass fr die bei 0,05 mbar abgeschiedene Probe keine sinn-
volle Energie ED1 bestimmt werden konnte. Dies ist angesichts der geringen Zahl
pO2 ( mbar) NA ( cm3 ) ND1 ( cm3 ) ED1 ( meV) ND2 ( cm3 ) ED2 ( meV)
0,01 1,8 1015 3,5 1016 12 4,3 1016 65
15 16
0,02 1,2 10 2,1 10 12 3,0 1016 62
15 16 16
0,03 1,2 10 4,6 10 13 2,6 10 64
15 16
0,05 1,0 10 3,3 10 126
Tab. 5.4: Donatorkonzentrationen und -aktivierungsenergien der ersten Probenserie, un-
ter Verwendung eines Zweidonatorfits, berechnet aus den Akzeptorkonzentra-
tionen in (Tab. 5.3).
1017
Fit
Messwerte
nH (cm-3)
1016
3 4 5 6 7 8 9 10
1000/T(1/K)
Fig. 5.13: Beispiel fr die Anpassung der Ladungstrgerkonzentration mit einem Zwei-
donatorfit.
der Messpunkte allerdings nicht weiter verwunderlich. Setzt man, wie bereits
besprochen einen Eindonatorfit an, behlt aber die fr den Zweidonatorfit ge-
whlte Akzeptorkonzentration NA = 1,0 1015 cm3 bei, bleiben die Werte fr ND
und ED unverndert. Auffallend ist hier die relativ starke Abhngigkeit von ED
vom fr NA angenommenen Wert. Auch wenn dadurch die erzielbare Genau-
igkeit bei der Donatoraktivierungsenergie ED etwas zurckgeht, zeigt sich doch
eine deutliche bereinstimmung mit dem in der Literatur wiederholt berichteten
Energieniveau E1 , dieses kann damit erstmalig mit temperaturabhngigen Hall -
Effektmesungen an unseren Dnnfilmen beobachtet werden [40]. Es ist davon aus-
zugehen, dass dieser Defekt auch bei den anderen untersuchten Proben auftritt.
Bei diesen ist allerdings im untersuchten Temperaturbereich der flachere Alumi-
niumdonator dominierend, wodurch die tiefe Strstelle nicht beobachtet werden
kann. Auch ist auf Grund der gleichen Zchtungsbedingungen davon auszuge-
hen, dass auch in der bei 0,05 mbar abgeschiedenen Probe Aluminium zu finden
ist. Das hier aber dieser Donator nicht zu beobachten ist, lsst allein den Schluss
zu, dass NA grer ist als das zugehrige NDAl , und alle durch Donatorionisation
freigewordenen Elektronen an Akzeptoren gebunden wurden. Fr eine relative
hohe Akzeptorkonzentration spricht auch die hohe Temperatur unterhalb derer
die Probe isolierend wird. Demzufolge ist also eine Akzeptorkonzentration von
NA 1,0 1016 cm3 oder mehr sehr wahrscheinlich. Eine exakte Bestimmung ist
unter den gegebenen Umstnden allerdings nicht mglich. Auerdem ist zu be-
achten, dass es sich bei der bestimmten Aktivierungsenergie ED1 keineswegs um
eine Donatoraktivierungsenergie handeln muss. Nach den berlegungen von
J.W. Orton und M.J. Powell [22] beeinflussen die Korngrenzen nicht nur die
Mobilitt, sondern auch die im Hall - Effekt gemessene freie Ladungstrgerkon-
zentration. Genau wie die fr die Mobilitt wird hierbei von einer thermischen
Aktivierung ausgegangen. Die Aktivierungsenergie entspricht dabei der fr Be-
stimmung der Mobilitt eingefhrten Barrierenhhe. Dies zeigt sich hervorragend
aus dem Vergleich von b und ED1 . Um detaillierte Informationen ber eine mg-
liche Abhngigkeit zwischen den Donator- und Akzeptorkonzentrationen NA ,
ND und dem Sauerstoffpartialdruck whrend der Zchtung zu erhalten, wurden
temperaturabhngige Messungen an der zweiten Probenserie durchgefhrt. Die
Abhngigkeiten der Mobilitten sowie der freien Ladungstrgerkonzentrationen
sind in (Fig. 5.14 und Fig. 5.15) dargestellt. Zu erwhnen ist hierbei, dass eine
Messung der elektrischen Eigenschaften an der bei 0,06 mbar abgeschiedenen
Probe nicht mglich war, was wahrscheinlich auf geringe Kristallqualitt zurck-
zufhren ist. Im Allgemeinen sind die vermessenen Zinkoxidproben transparent,
und erscheinen, mit dem bloen Auge betrachtet, homogen. Fr einige Proben,
die ohne Verwendung des rotierenden Substrathalters hergestellt wurden, sind
verschiedenfarbige Interferenzen, die durch die unterschiedliche Schichtdicke
verursacht werden, zu erkennen. Bei der bei 0,06 mbar abgeschiedenen Probe
hingegen ist bereits mit dem Auge eine milchig graue Frbung zu sehen. Die
gemessene Mobilitt wurde auf die bereits beschriebene Weise angepasst. Hier-
zu wurden drei verschiedene Vorgehensweisen gewhlt. In allen Fllen wurden
die Parameter fr die Korngrenzenstreuung, sowie die Akzeptorkonzentration
variiert. In einem Fall wurde zustzlich die Debyetemperatur frei verndert, in
einem anderen Fall alle intrinsischen Streukonstanten. Die folgende Tabelle (Tab.
5.5) fasst alle entsprechenden Ergebnisse zusammen. Die Debyetemperatur wurde
auf einen Ausgangswert von 837 K gesetzt, die Deformationspotentialkonstante
auf 18,9 eV und die piezoelektrische Konstante auf 0,21. Zu erkennen ist hierbei,
dass die Werte fr die intrinsischen Streuparameter zum Teil betrchtlich vom
Bulkwert abweichen. Dies deutet auf eine dementsprechend hohe Gitterverspan-
nung hin. Um zu prfen, inwieweit die Gitterkonstanten von den Werten fr
Bulkzinkoxid abweichen, wurden von A. Rahm Rntgenbeugungsexperimente
durchgefhrt. Aus den - 2 Scans sind deutliche Unterschiede sowohl in der
Lage des Beugungsmaximums, als auch in dessen Halbwertsbreite zu erkennen.
Hierbei steht eine unterschiedliche Lage fr verschiedene Gitterkonstanten der
Proben untereinander, eine grere Halbwertsbreite deutet auerdem eine Ver-
spannung mit unterschiedlichen Gitterkonstanten in der Probe an. Auffallend ist,
dass die Probe, die den elektrischen Messungen nicht zugnglich war, hier die
grte Abweichung von den anderen Proben zeigt. Aus den Beugungswinkeln
225 pO2:
0,025 mbar
200
0,01 mbar
0,004 mbar
175
0,0015 mbar
150 0,0006 mbar
H (cm2/Vs)
125
100
75
50
25
0
50 100 150 200 250 300 350
T (K)
Fig. 5.14: Temperaturabhngigkeit der Mobilitt fr Proben der zweiten Serie.
1017 pO2:
0,025 mbar
0,01 mbar
0,004 mbar
0,0015 mbar
0,0006 mbar
nH (cm-3)
1016
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
1000/T(1/K)
Fig. 5.15: Temperaturabhngigkeit der freien Ladungstrgerkonzentration fr Proben der

zweiten Serie.
pO2 ( mbar) NA ( cm3 ) ( K) EAD ( eV) P l( nm) b ( meV)

0,025 4,6 1014 27,7 9
1,3 1015 500 92 21
14
8,0 10 570 24,5 0,257 95 21
0,01 1,4 1015 12 7
1,2 1015 589 16,7 10
15
1,0 10 605 26,5 0,377 24,6 10
0,004 1,6 1015 51,9 14
1014 585 77,7 17
15
1,6 10 647 25 0,254 88,4 17
0,0015 1,6 1015 41,5 10
2,6 1015 559 78 15
15
1,3 10 781 24,7 0,27 52 14
0,0006 1,0 1015 32 9
1,4 1016 928 23 6
6,0 1014 836 28,6 0,283 59 8
Tab. 5.5: Materialkoeffizienten der zweiten Probenserie, erhalten unter Variation der je-
weiligen Parameter.
wurden die c - Achsen Gitterkonstanten berechnet und mit der in der Literatur
gefundenen c - Achsen Gitterkonstante fr Bulkzinkoxid verglichen. In der folgen-
den Grafik (Fig. 5.17) sind die prozentualen Abweichungen der Gitterkonstanten,
sowohl die prozentualen Abweichungen der Streukonstanten intrinsischer Streu-
prozesse vom Bulkwert gegen den Sauerstoffpartialdruck dargestellt.
Dabei ist zu erkennen, dass die c - Achsenverspannung fr alle Proben in ei-
nem Bereich von 0,25% bis 0,4 % liegt. Eine Abhngigkeit vom Sauerstoffparti-
aldruck ist nicht festzustellen. Die Abweichung der Streukonstanten hingegen
liegt in einem Bereich zwischen 0% und 80%. Es ist weder eine Abhngigkeit
vom Sauerstoffpartialdruck, noch von der c - Achsenverspannung zu erkennen.
Eine Ausnahme bildet hier vielleicht die Debyetemperatur, die mit steigendem
Sauerstoffpartialdruck sinkt. Fr alle Konstanten sind die absoluten Betrge der
nderungen gegenber dem Bulkwert aufgetragen, dabei zeigen allerdings die
nderungen fr ein und dieselbe Konstante stets ein und dasselbe Vorzeichen.
Fr eine vollstndige Analyse wren Kenntnisse ber die a - Achsen Gitterkon-
stante ntig. Weiterhin wre eine genaue Kenntnis der Abhngigkeit der Streu-
parameter von der Gitterverspannung erforderlich. Auf Grundlage dessen knn-
ten dann die intrisischen Streukonstanten als Funktionen der Gitterverspannung
ausgedrckt werden und zur Variation allein die Gitterverspannung herange-
zogen werden. Dies wrde sowohl die Anzahl der freien Parameter reduzieren
pO2:
Zhlwert (willk. Einheiten) 0,06

0,025 mbar
0,01 mbar
0,004 mbar
0,0015 mbar
0,0006 mbar
34.2 34.3 34.4 34.5 34.6

2 Theta ()
Fig. 5.16: Ergebnisse der Rntgenstrukturanalysemessung der zweiten Probenserie.

Relative nderung der Streukonstanten
relative nderung der Debyetemperatur
Relative c - Achsenverspannung
1.0 relative nderung des Deformationspotentials 0.0050
relative nderung der piezoelektrischen Konstante
relative nderung der c - Achse
0.8 0.0045
0.6 0.0040
0.4 0.0035
0.2 0.0030
0.0 0.0025
0.001 0.010
p O2 (mbar)
Fig. 5.17: Relative nderung der c - Achse sowie der intrinsischen Streuparameter in
Abhngigkeit vom Sauerstoffpartialdruck.
pO2 ( mbar) NA ( cm3 ) ND1 ( cm3 ) ED1 ( meV) ND2 ( cm3 ) ED2 ( meV)
0,025 4,6 1014 1,1 1016 20 2,8 1016 75
0,01 1,4 1015 2,5 1016 17 2,8 1016 65
15 16 16
0,004 1,6 10 1,3 10 11 3,3 10 62
0,0015 1,6 1015 1,9 1016 12 3,7 1016 67
15 15 16
0,0006 1,0 10 5,6 10 18 2,6 10 52
Tab. 5.6: Donatorkonzentrationen und -aktivierungsenergien der zweiten Probenserie,
unter Verwendung eines Zweidonatorfits, berechnet aus den Akzeptorkonzen-
trationen in (Tab. 5.5).
als auch einen experimentellen Vergleich mit den Rntgenstrukturmessungen

ermglichen. Es ist hierbei zu erwhnen, dass zum einen die Rntgenmessun-
gen zur Bestimmung beider Gitterkonstanten sehr zeitaufwndige Experimente
sind, zum anderen aber die Akzeptorkonzentrationen der hier untersuchten Pro-
ben fr die drei infragekommenden Flle nur schwach voneinander abweichen.
Aus diesem Grund wurden diese Untersuchungen fr die hier diskutierten Pro-
ben nicht durchgefhrt. Zur Bestimmung der Donatorkonzentration und Akti-
vierungsenergie wurden die Akzeptorkonzentrationen verwendet, welche durch
Variation der Akzeptorkonzentration und der fr die Korngrenzenstreuung n-
tigen Parameter gewonnen worden waren, da diese stets dem Mittelwert der
gewonnenen Akzeptorkonzentrationen am nchsten lagen und eine relativ gerin-
ge Variation von Probe zu Probe zeigten. Diese werden in der folgenden Tabelle
(Tab. 5.6) dargelegt. Hierbei schwanken die Energien der dominierenden Dona-
toren in einem Bereich, der fr den Effektivmassedonator typisch ist. Auch die
Konzentrationen dieser dominierenden Donatoren streut nur unwesentlich. Ein
Zusammenhang zum Zchtungsdruck ergibt sich nicht. Wie bereits in der ersten
Serie entsprechen die Aktivierungsenergien des flachen Donators sehr gut den
der Barrierenhhe zwischen den Krnern und sind daher nicht zwangslufig als
chemisch induziertes Energieniveau in der Bandlcke zu verstehen, sondern kn-
nen auch ein Indiz fr eine thermisch aktivierte Leitfhigkeit der Korngrenzen
sein. An einer der untersuchten Proben, nmlich der bei 0,0015 mbar abgeschie-
denen, soll hier exemplarisch der Unterschied zwischen der nherungsweisen
Anpassung der Mobilitt mit Hilfe von Matthiesens Regel und der exakten An-
passung mittels iterativer Lsung der Boltzmanntransportgleichung gezeigt wer-
den. In (Fig. 5.18) sind beide Ergebnisse dargestellt. Die durchgezogenen Linien
entsprechen den Nherungswerten, die Kreuze den exakt berechneten Ergebnis-
sen. Die Kreise stellen die gemessenen Daten dar. Zu beachten ist hierbei, dass
beiden Methoden die in (Tab. 5.5) dargestellten Parameter zugrunde liegen, wel-
che durch Anpassung der Nherungslsung gewonnen wurden, also fr diese
maximale bereinstimmung ergeben. Wie zu erwarten weichen die einzelnen
Terme fr die elastischen Streuprozesse nicht von denen der Nherungslsung

ab. Fr die Streuung an polar - optischen Phononen ist ein zunehmender Un-
terschied bei steigenden Temperaturen zu erkennen. Auch die Gesamtmobilitt
weicht fr die beiden Berechnungsverfahren ab, da hier Matthiesens Regel zum
Tragen kommt, wohingegen im Fall der exakten Lsung die Geschwindigkeits-
verteilung der Elektronen exakt berechnet wird. Aus dem dargelegten Beispiel
geht hervor, dass sowohl der Einfluss polar - optischer Streuung, als auch der
Fehler durch die Verwendung von Matthiesens Regel bis zu Zimmertemperatur
gering ist, und die Nherungslsung verwendet werden kann, ohne groe Fehler
zu verursachen. Allerdings ist bereits hier zu erkennen, dass fr steigende Tem-
peraturen der Einfluss polar - optischer Streuung zunimmt, und der Einsatz der
Nherung nicht mehr gerechtfertigt ist. Weiterhin ist zu bedenken, dass fr die-
sen, wie auch fr alle anderen Zinkoxiddnnfilme, die Korngrenzenstreuung der
dominierende Streuprozess ist. Fr diese ist, um einen Ausdruck fr die Streura-
te zu erhalten, angenommen worden, dass diese nicht von der Energie abhngt
(2.89). Dieser energieunabhngige Beitrag hlt den Hall - Faktor nahe eins, und
damit den Unterschied zwischen Hall - und Driftmobilitt klein. Inwieweit dies
fr einen Einkristall noch gilt, ist zu untersuchen. Auerdem ist genau zu prfen,
inwieweit die Annahme einer energieunabhngigen Streurate fr die Korngren-
zenstreuung gerechtfertigt ist.
Der Hall - Faktor wurde aus der Elektronenverteilungsfunktion fr die besag-
te Probe bestimmt, und ist in (Fig. 5.19) gezeigt. Er erreicht sowohl fr tiefe als
auch fr hohe Temperaturen Werte von bis zu 1,2. Fr sehr tiefe Temperaturen,
bei denen Streuung an ionisierten Strstellen dominiert, ist in Abwesenheit von
Korngrenzenstreuung mit Werten von bis zu 1,93 zu rechnen. Allerdings ist, wie
bereits gesagt, dafr eine Messung bis zu deutlich niedrigeren Temperaturen not-
wendig.
0
10
(m2/Vs)
Messwerte
-1 Fit der Mobilitt
10
Piezoelektrisch
Polar - Optisch
Korngrenzen
-2
10
40 50 60 70 80 90 100 200 300

T (K)
Fig. 5.18: Vergleich der Nherungslsung mit Matthiesens Regel und der exakten Lsung
fr Messergebnisse bis zu Zimmertemperatur. Durchgezogene Linien stehen fr
die Nherungslsung mit Matthiesens Regel, Kreuze fr die exakte Lsung
1.2
1.18
1.16
1.14
1.12
1.1
rH
1.08
1.06
1.04
1.02
1
50 100 150 200 250 300 350
T(K)
Fig. 5.19: Hall - Faktor fr die in (Fig. 5.18) dargestellte Probe.

NA ( cm3 ) ( K) l( nm) b ( meV)

5,6 1013 638 18 27
Tab. 5.7: Materialkoeffizienten einer Phosphordotierten Probe.
5.2.2 P dotierte ZnO Dnnfilme

Zimmertemperaturmessungen an Phosphor dotierten Proben haben fr alle un-
tersuchten Proben stets n - leitendes Verhalten ergeben. Dies kann durch die
Bildung von Phosphorkomplexen [39] erklrt werden. Ein Einfluss intrinsischer
Donatoren, sowie ungewollter Fremdverunreinigungen spielt hierbei sicher eben-
falls eine Rolle, kann aber die im Vergleich zu undotierten Proben zum Teil
sehr hohen Elektronenkonzentrationen nicht allein erklren. An zwei phosphor-
dotierten Proben mit Elektronenkonzentrationen von n = 1,0 1017 cm3 und
n = 2,7 1017 cm3 wurden temperaturabhngige Hall - Effektmessungen un-
ternommen, mit dem Ziel das dominierende Donatorniveau zu bestimmen. In
(Fig. 5.20) ist die gemessene Hall - Mobilitt fr eine der Proben dargestellt. Zum
Anpassen der Messdaten wurden folgende Parameter variiert: Korngre und
Barrierenhhe, Akzeptorkonzentration, sowie die Debyetemperatur, stellvertre-
tend fr durch Verspannung vernderte intrinsische Streukonstanten. Auf eine
Variation des Piezoelektrischen- und Deformationspotentials wurde verzichtet,
um die Anzahl der freien Parameter mglichst gering zu halten. Die sich erge-
benden Parameter sind in (Tab. 5.7) gezeigt.
Deutlich ist zu erkennen, dass Streuung an Korngrenzen ber den gesamten Tem-
peraturbereich dominiert, und bei tiefen Temperaturen derart berwiegt, dass
smtliche anderen Streuprozesse vernachlssigt werden knnen. Auerdem wird
eine verhltnismig kleine Akzeptorkonzentration bestimmt. Dies ist angesichts
der hohen Elektronenkonzentration nicht verwunderlich, allerdings ist zu be-
denken, dass bei einem Verhltnis ND /NA von 10000 die Akzeptorkonzentration
NA nicht merklich zur Konzentration der ionisierten Strstellen beitrgt, folglich
NI ND gelten muss, und damit der Wert fr NA durchaus stark verflscht sein
kann. Da jedoch davon auszugehen ist, dass dieser Wert deutlich kleiner ist als ND ,
kann man annehmen, dass sein Einfluss auch auf den folgenden Donatorfit gering
ist, weswegen der hier bestimmte Wert weiterverwendet wird. In (Fig. 5.21) ist die
freie Ladungstrgerkonzentration einer Probe dargestellt. Zustzlich ist das Er-
gebnis eines Eindonatorfits gezeigt. Dabei wurde die Akzeptorkonzentration bei
5,6 1013 cm3 festgehalten. Die Donatorkonzentration ist mit ND = 6,2 1017 cm3
der Erwartung entsprechend hoch, und fr die Donatoraktivierungsenergie ergibt
sich ED = 57 meV, die Energie des Effektivmassedonators. Hierbei ist zu erwh-
nen, dass die Probe auf einem Magnesiumoxidpuffer gezchtet wurde, um eine
Aluminiumdiffusion zu unterbinden. ber den chemischen Ursprung kann von
0
10
M1704
-1
10
Messwerte
(m2/Vs)
Fit der Mobilitt

Piezoelektrisch
Polar - Optisch
Korngrenzen
-2
10
-3
10
200 300
T (K)
Fig. 5.20: Fit der Mobilitt einer P2 O5 dotierten Zinkoxidprobe(M1704) nach Matthiesens
Regel.
Fit
Messwerte
1017
nH (cm-3)
1016
3 4 5 6 7 8 9
1000/T(1/K)
Fig. 5.21: Eindonatorfit der freien Ladungstrgerkonzentration einer P2 O5 dotierten Zink-

oxidprobe(M1704).
daher nur spekuliert werden. Zink auf Zwischengitterplatz ZnI wre genauso wie
unbeabsichtigte Verunreinigungen des Pulvers eine mgliche Ursache. Auch der
Einfluss der Phosphorkomplexe kann hier nicht ausgeschlossen werden.
ZnO
ZnO:N
1016
n (cm-3)
1015
1014
1013
5 10 15 20 25
1000/T(1/K)
Fig. 5.22: Freie Ladungstrgerkonzentration: Vergleich der implantierten und nichtim-

plantierten Probe, vor dem Ausheizen.
5.2.3 Implantationsversuche an Einkristallen

Ein in der Literatur vielbesprochenes Problem ist die geringe Lslichkeit von Stick-
stoff im Zinkoxid [41]. Die Menge an Stickstoff die typischerweise in Zinkoxidpro-
ben eingebaut wird, ist deutlich zu gering, um die intrinsische Donatorkonzentra-
tion zu kompensieren. Aus diesem Grund wurden zwei kommerziell erhltliche
Zinkoxid Einkristalle, welche mittels Pressurized Melt Growth (PMG) (Cermet
Inc., Alberta, Ga) gezchtet worden waren, wie folgt behandelt. Eine der Proben
wurde im Forschungszentrum Rossendorf bei einer Beschleunigungsspannung
von 150 keV senkrecht zur Oberflche mit einer Fluenz von 1 104 cm2 bei einer
Temperatur von 200 C mit Stickstoffionen beschossen. Eine Probe blieb vllig
unbehandelt. Danach wurden Hall - Effektmessungen an beiden Proben in un-
serer Einrichtung durchgefhrt. Daraufhin wurden die Proben 30 Minuten lang
bei 500 C in Luft ausgeheizt, um durch die Bestrahlung entstandenen Defekte
auszuheilen, und den Stickstoffakzeptor elektrisch zu aktivieren. Daraufhin wur-
den erneut Hall - Effektmessungen durchgefhrt. Die Resultate sind in (Fig. 5.22)
dargestellt. Aus Grnden der bersichtlichkeit ist die freie Ladungstrgerkonzen-
tration nur vor dem Ausheizen dargestellt. Sie ndert sich durch das Ausheizen
nur geringfgig. Zu erkennen ist eine hhere freie Elektronenkonzentration fr
den implantierten Einkristall, was fr eine hhere Konzentration donatorartiger

Defekte spricht. Bei tiefen Temperaturen hingegen ist die freie Elektronenkonzen-
tration des implantierten Einkristalles kleiner, was gleichzeitig fr eine hhere
Akzeptorkonzentration spricht, die die flacheren Donatoren zumindest teilwei-
se kompensiert. Eine hhere Konzentration beider Arten von Defekten ist leicht
durch die bei der Implantation entstandenen Schden zu erklren. In (Fig5.23)
ist die Mobilit der Einkristalle vor und nach dem Ausheizen dargestellt. Zu
erkennen ist, das der implantierte Kristall vor den Ausheizen im gesamten Tem-
peraturbereich eine geringer Mobilitt besitzt als der nichtimplantierte Kristall
vor dem Ausheizen. Dies drfte auf die whrend der Implantation entstandenen
Kristalldefekte zurckzufhren sein, welche sich bereits aus der Untersuchung
der freien Ladungstrgerkonzentration abzeichnen. Durch das Ausheizen steigt
die Mobilit des implantierten Einkristalls im gesamten Temperaturbereich. Dies
spricht fr eine zumindest teilweise Ausheilung der Kristalldefekte. Nicht zu er-
klren sind in diesem Zusammenhang die Mobilittsdaten des nichtimplantierten
Einkristalls nach dem Ausheizen. Bei diesem ist ein Abfall der Mobilitt bis unter
die des nichtausgeheizten implantierten Einkristalles festzustellen. Beim Aus-
heizvorgang knnen durchaus auch im unbehandelten Kristall Vernderungen
aufgetreten sein. Dies betrifft sehr wahrscheinlich Bereiche nahe der Kristallober-
flche, die dabei der Luft ausgesetzt sind, und sich in ihrer Zusammensetzung
ndern knnen. Das dies allerdings den gesamten Kristall beeinflusst ist fraglich.
Eine genauere Untersuchung dieses Verhaltens ist ntig. Weiterhin konnte durch
die Hall - Effektmessungen nicht geklrt werden, inwieweit die Erzeugung von
akzeptorartigen Strstellen durch die Implantation erfolgreich war. Angesichts
der erwarteten Implantationstiefe von 350 nm ist dies nicht verwunderlich. Der
gesamte Kristall hat eine Dicke von 500 m, also ber einen Faktor 1000 grer als
der implantierte Bereich. Demzufolge ist bei gleichem spezifischen Widerstands-
wert der Widerstand der implantierten Schicht um denselben Faktor hher, und
nahezu der gesamte Stromfluss verluft durch die nichtimplantierte Region. Lo-
gischerweise ist auch der Beitrag zur Hall - Spannung fr dieses Gebiet entspre-
chend hher. Eine genauere Bestimmung ist mit dieser integralen Messmethode
nicht mglich. Aus diesem Grund wurden mikroelektrische Messmethoden ein-
gesetzt, deren Ergebnisse weiter unten dargestellt werden. Im Weiteren werde
ich aus diesem Grund ausschlielich die Messdaten fr die vllig unbehandel-
te Probe betrachten, in der Annahme, dass diese typisch fr einen nach diesem
Zchtungsverfahren hergestellten Kristall ist.
Da diese Probe ein Einkristall ist, soll an ihr erneut der Unterschied zwischen der
exakten Lsung der Boltzmann - Transportgleichung und der Nherung durch
Annahme elastischer Streuprozesse unter Verwendung von Matthiesens Regel
illustriert werden. In (Fig. 5.24) ist ein Vergleich der mit beiden Methoden berech-
neten Mobilitten gezeigt. Dafr wurde die Mobilit auf Grundlage der exakten
1,600
ZnO
ZnO:N
1,400 ZnO ausgeheizt
ZnO:N ausgeheizt
1,200
1,000
(cm2/Vs)
800
600
400
200
0
0 50 100 150 200 250
T (K)
Fig. 5.23: Mobilitaet: Vergleich der implantierten und nichtimplantierten Probe, vor und
nach dem Ausheizen.
Methode NA ( cm3 ) ( K) EAD ( eV) P

Exakte Lsung 1,86 1015 761 19,7 0,21
Nherung 1,3 1015 942 27,7 0,2
Literatur 837 18,9 0,21
Tab. 5.8: Materialkoeffizienten eines PMG ZnO Einkristalles.
NA ( cm3 ) ND1 ( cm3 ) ED1 ( meV) ND2 ( cm3 ) ED2 ( meV)

1,86 1015 4,3 1016 51 2,0 1015 17,5
Tab. 5.9: Donatorkonzentrationen und -aktivierungsenergien eines PMG ZnO Einkristal-
les.
Lsung angepasst und durch Berechnung des Hall - Faktors (Fig. 5.25) die Drift-
mobilit bestimmt (Fig. 5.26). Diese wurde erneut angepasst, und das beschriebe-
ne Vorgehen mehrfach wiederholt, bis keine Vernderung der Driftmobilit mehr
zu beobachten war. Weiterhin wurde mit den nun bestimmten Streuparametern
die Mobilit nach Matthiesens Regel berechnet. Sie ist zum Vergleich in dieselbe
Grafik eingetragen. Es ist leicht zu erkennen, dass diese deutlich strker von der
exakten Lsung abweicht, als fr die bereits untersuchte PLD Probe. Die Streupa-
rameter sind in (Tab. 5.8) tabelliert. Zum Vergleich sind sowohl diejenigen Para-
meter dargestellt, welche sich fr eine Anpassung der Mobilitt nach Matthiesens
Regel ergeben, als auch die, die in der Literatur fr Bulkzinkoxid zu finden sind.
Eine deutlich bessere bereinstimmung mit den Literaturwerten wird durch die
exakte Lsung erreicht. Die Abweichung von den Literaturwerten liegt fr keinen
der Streuparameter ber 10%, wohingegen sie fr die Nherungslsung bis zu
ber 50% erreicht. Unter Verwendung der im Mobilitsfit bestimmten Akzeptor-
konzentration wurden die Parameter der dominierenden Donatoren bestimmt.
Ein Eindonatorfit erbrachte hierbei nur eine schlechte bereinstimmung mit den
gemessenen Daten, weswegen ein Zweidonatormodell verwandt wurde. Hierzu
wurde nur die aus der mittels exakter Lsung angepassten Mobilit gewonnene
Akzeptorkonzentration verwendet, da davon auszugehen ist, dass diese deutlich
exakter bestimmt worden ist als mit der Nhrung. Die Ergebnisse sind in (Tab.
5.9) wiedergegeben. Auffllig ist zuerst der erhebliche Konzentrationsunterschied
der beiden Donatoren. Das flachere Niveau lsst sich hierbei hchstwahrschein-
lich dem Wasserstoff zuordnen, das tiefere knnte auf ZnI oder Verunreinigungen
durch Gruppe III Elemente hindeuten.
Der Hall - Faktor, welcher sich nach Abschluss der Anpassung ergab, ist in (Fig.
5.25) in Abhnigkeit von der Temperatur dargestellt. Dieser erreicht bei tiefen
Temperaturen erheblich hhere Werte als fr die bereits betrachtete PLD Probe.
Dies ist auf den fehlenden Einfluss von Korngrenzenstreuung zurckzufhren.
Der steilen Anstieg in Richtung tiefer Temperaturen deutet auf einer erheblich
0
10
-1
10
(m2/Vs)
Messwerte
Fit an die Mobilitt
Ionisierte Strstellen
-2
10 Piezoelektisch
Polar - Optisch
Elastische Nherung
-3
10
40 50 60 70 80 90 100 200 300
T (K)
Fig. 5.24: Vergleich der Mobilittsanpassung mittels Nherung und exakter Lsung fr
einen PMG ZnO Einkristall.
grsseren Einfluss der Streuung an ionisierten Strstellen hin. In (Fig. 5.26) ist
die Korrektur der Hall - Mobilitt dargestellt, welche durch den Hall - Faktor
dividiert wird, um die Driftmobilitt zu erhalten. Blassere Farben stehen hier-
bei fr zeitlich weiter zurckliegende Iterationsschritte. Zur besseren bersicht
wurde die Hall - Mobilitt, so wie sie durch die Messung bestimmt wurde in
blauer Farbe dargestellt. Bereits nach dem zweiten Iterationsschritt weichen die
Daten nicht mehr deutlich von denen des folgenden Schrittes ab. Die Korrek-
tur ist bei tiefen Temperaturen am grten, und erreicht Werte von bis zu 30%.
Zusammenfassend lsst sich sagen, dass durch die Anwendung der im Rahmen
dieser Arbeit vorgestellten exakten Lsung der Boltzmann - Transportgleichung
eine nicht unerhebliche Reduktion der systematischen Fehler bei der Auswertung
von Mobilittsdaten erreichen lie. Diese haben fr Zinkoxideinkristalle bereits
unterhalb von Zimmertemperatur sprbare Auswirkungen.
1.5
1.4
1.3
rH
1.2
1.1
1
50 100 150 200 250 300 350
T(K)
Fig. 5.25: Hall - Faktor in Abhngigkeit von der Temperatur fr einen PMG ZnO Einkris-
tall.
1,000
( cm2/Vs)
100
40 50 60 70 80 90100 200 300
T(K)
Fig. 5.26: Systematische Korrektur der Hall - Mobilit, um die Driftmobilit zu bestimmen.
5.2.4 Hydrothermal gezchtete Einkristalle

An hydrothermal gezchteten Einkristallen wurden Hall - Effektmessungen durch-
gefhrt. Die freie Ladungstrgerkonzentration ist in (Fig. 5.27) dargestellt. Dabei
ist zu beachten, dass an keiner der vermessenen Proben Hall - Effektmessungen
unterhalb von 200 K durchgefhrt werden konnten, da die freie Elektronenkon-
zentration in diesem Temperaturbereich so gering ist, dass die Resistivitt der Pro-
ben keine sinnvollen Messungen mehr zulsst. Dies ist durch den hohen Kompen-
sationsgrad der Proben zu erklren. Bei der Zchtung wird Zinkoxid bei 350 C
in alkalische Lsung gegeben. Vorwiegend wird dafr Lithiumhydroxid verwen-
det. Lithium erzeugt, wie alle anderen Alkalielemente, einen tiefen Akzeptor im
Zinkoxid wenn es auf Zinkplatz LiZn eingebaut ist. Demzufolge ist mit einer hohen
Akzeptorkonzentration zu rechnen. Weiterhin ist aus den elektrischen Messungen
zu erkennen, dass alle untersuchten Kristalle zwar unterschiedliches ND , aber eine
gleiche Donatoraktivierungsenergie zeigen. Bestimmt man diese fr verschiedene
Kristalle, ergibt sich ein Mittelwert von 355 10 meV. Dies entspricht dem aus der
Literatur bekannten Niveau E3 [40] [42]. Fr die Donatorkonzentration ergeben
sich Werte von (3,98,9) 1015 cm3 , unter Annahme einer Akzeptorkonzentra-
tion von 1,0 1015 cm3 . Wegen des eingeschrnkten Messbereichs ist es nicht
mglich das Maximum der Mobilitt zu vermessen. Demzufolge ist auch der bei
tiefen Temperaturen dominierende Anteil der Streuung an ionisierten Strstellen
der Messung nicht zugnglich, und eine getrennte Bestimmung der Donator- und
Akzeptorkonzentration nicht mglich. Auf eine Auswertung der Mobilit wird
an dieser Stelle wegen des geringen vermessenen Temperaturumfangs verzichtet.
Durch eine Messung im Hochtemperaturkryostaten konnte die Ladungstrger-
konzentration ber einen erheblich greren Bereich aufgezeichnet werden. Sie
ist in (Fig. 5.28) zu sehen. Dabei ist bei hohen Temperaturen eine nderung des
Anstiegs zu erkennen. Unter der Annahme, dass hier die freie Elektronenkonzen-
tration die Akzeptorkonzentration bersteigt, muss der Anstieg mit steigender
Temperatur auf die Hlfte seines Tieftemperaturwertes fallen. Unter dieser An-
nahme lsst sich, indem man die Lage des Donatorniveaus auf 355 meV festlegt,
die Donator und Akzeptorkonzentration bestimmen. Hierbei ergeben sich Werte
von ND = 5,1 1015 cm3 und NA = 3,5 1015 cm3
Crystec
1013 Mateck
Mateck
Mateck
nH (cm-3)
1012
1011
1010
3 3.25 3.5 3.75 4 4.25 4.5 4.75 5

1000/T(1/K)
Fig. 5.27: Freie Elektronenkonzentrationen fr hydrothermal gezchtete ZnO Einkristalle

verschiedener Hersteller.
1015
Fit
Messwerte
nH (cm-3)
1014
1013
1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0

1000/T(1/K)
Fig. 5.28: Eindonatorfit an die freie Elektronenkonzentration eines hydrothermalen Ein-

kristalles vermessen bei hohen Temperaturen.
5.3 Messungen mittels Scanning Capacitance Microscopy

Im Rahmen dieser Arbeit wurden an verschiedenen Proben SCM Messungen
durchgefhrt, umt Gebiete unterschiedlicher Dotierkonzentration zu untersu-
chen. Verschiedene Ursachen kommen dafr in Frage. Zum einen haben Hall
- Effektmessungen an PLD Dnnfilmen eine Krnigkeit der Proben festgestellt.
Nach [22] sind diese mit einer elektrischen Barriere zwischen den Krnern ver-
knpft. Diese Barriere fhrt zu einer lokal unterschiedlichen Ladungstrgerkon-
zentration, welche mit SCM detektierbar sein sollte. Weiterhin wurden Proben
untersucht, bei denen eine eventuelle p - Leitung an einer der Oberflchen auf-
treten knnte. Es wurden sowohl homoepitaktisch gezchtete P dotierte PLD
Dnnfilme, als auch N implantierte ZnO Einkristalle untersucht. In beiden Fllen
beschrnkt sich der dotierte Bereich auf einen Bruchteil der Probe, so dass eine
Hall - Effektmessung stets den wesentlich greren unbehandelten Volumenkris-
tall vermisst.
5.3.1 Undotierte PLD Proben

Zu Beginn der Untersuchungen wurden undotierte Zinkoxid PLD Dnnfilme mit
SCM vermessen, um ein Verstndnis der Kornstruktur und deren elektrischer
Eigenschaften zu erhalten. Die Ergebnisse der Messungen an einer dieser Pro-
ben sind in (Fig. 5.29) zu sehen. Dabei wurde die Hhe der Probenoberflche
gemeinsam mit der SCM Amplitude und Phase aufgezeichnet. Im Hhenscan
ist die Krnigkeit der Probe zu erkennen, wobei die Krner als Erhebungen hell
dargestellt sind. Im SCM Amplitudenscan erkennt man helle Bereiche in Gebieten
die im Hhenscan zwischen den Krnern lagen. Die Krner selbst sind dunkel
dargestellt, zeigen also ein schwcheres SCM Signal. Dies deutet auf Ladungs-
trgerkonzentrationsunterschiede zwischen den Krnern und den Korngrenzen
hin. Die SCM Phase ist stark verrauscht, und lsst keine Strukturen erkennen.
Auf einen Wechsel von Elektronen- zu Lochleitung kann nicht geschlussfolgert
werden. Um in bereinstimmung mit den Hall - Effektmessungen zu stehen,
muss die Ladungstrgerkonzentration in den Krnern die der Korngrenzen ber-
steigen. Diese Interpretation wird durch die SCM Messung gesttzt. Allerdings
ist auch eine andere Interpretation mglich, nmlich ein metallisches Verhalten
der Korngrenzen. Damit wren allerdings die Ergebnisse der Hall - Effektmes-
sungen nicht zu erklren, und der Widerstand der Proben sehr gering. Dieses
Beispiel zeigt, dass SCM Messungen allein nicht ausreichend sind, quantitati-
ve Ausknfte ber die Ladungstrgerkonzentration zu geben. Allerdings ist es
mglich, Gebiete verschiedener Ladungstrgerkonzentrationen voneinander zu
unterscheiden, was in Verbindung mit anderen Messungen dann Schlsse ber
die genauen Dotierverhltnisse zulsst.
Hhe (nm) SCM Amplitude (mV) SCM Phase ()
0 40 0 50 0 40
0 1m 0 1m 0 1m
Fig. 5.29: SCM Messung an einer undotierten, intrinsisch n - leitenden Zinkoxidprobe;

Hhe, SCM Amplitude und SCM Phase.
0 20 0 200 0 80
0 1m 0 1m 0 1m
Fig. 5.30: SCM Messungen an einer phosphordotierten homoepitaktisch gezchteten ZnO

Probe vor dem Ausheizen; Hhe, SCM Amplitude und SCM Phase.
5.3.2 P dotierte, homoepitaktisch gewachsene PLD Dnnfilme

Weiterhin wurden P dotierte homoepitaktisch gezchtete PLD Dnnfilme ver-
messen. Phosphor auf Sauerstoffplatz PO bildet einen Akzeptor im Zinkoxid.
Dies sollte eine erhebliche Reduktion der Elektronenkonzentration, wenn nicht
gar einen Umschlag zu Lochleitung hervorrufen, welche allerdings mit integra-
len Methoden bisher nicht nachgewiesen werden konnte. Das allerdings viele
der untersuchten Proben inhomogen waren, knnte auf eine zumindest lokale
Vernderung der elektrischen Eigenschaften hindeuten. Eine erste Untersuchung
konnte diese Vermutung nicht besttigen. In (Fig. 5.30) sind die Ergebnisse dieser
Messungen an einer Probe gezeigt. Diese Probe wurde bei 0,03 mbar Sauerstoff-
partialdruck und einer Heizerleistung von 90 W abgeschieden. Es wurden auer-
dem Proben bei 0,01 mbar und Heizerleistungen von 150 W und 200 W gezchtet.
Alle Proben enthielten nominell 10 ppm P2 O5 . Die Messdaten gleichen den im
letzten Abschnitt dargestellten Ergebnissen fr undotierte Proben. Krner und
Korngrenzen geben ein unterscheidbares Signal und lassen die Vermutung zu,
dass eine gleichmige Verteilung des Phosphors stattgefunden hat, beziehungs-
weise dieser nicht auf elektrisch aktiven Gitterpositionen eingebaut wurde.
Um den Phosphor elektrisch zu aktivieren, wurden die Proben bei 700 C fr 3
0 40 0 500 0 40
0 12m 0 12m 0 12m

Probe nach dem Ausheizen; Hhe, SCM Amplitude und SCM Phase.
Hhe (nm) SCM Signal (mV)

p - Typ n - Typ
0 40 -300 0 300
0 12,8m 0 12,8m
Probe nach dem Ausheizen; Hhe und SCM Signal.
Minuten in Luft ausgeheizt und die Messungen wiederholt. Die Ergebnisse fr

dieselbe Probe wie in (Fig. 5.30) sind in (Fig. 5.31) zu sehen. Hierbei ist klar zu
erkennen, dass sich die Probe durch die thermische Behandlung verndert hat.
Ein sehr starkes Signal tritt sowohl in Amplitude und Phase auf, welches rum-
lich nicht mit den vorher untersuchten Krnern korreliert. Allerdings fllt auf,
dass die kreisfrmigen Maxima stets um Erhebungen, vermutlich Droplets von
der Zchtung, zentriert sind. Dass hierbei ein erheblicher Unterschied in der La-
dungstrgerkonzentration auftreten muss, ist ersichtlich. Die bereinstimmung
der Maxima mit Maxima in der Phasenverschiebung nhrt die Vermutung, dass
auerdem ein Umschlag des Ladungstrgertyps stattgefunden hat. Deswegen
wurden die Messungen wiederholt, und dabei nicht SCM Amplitude und SCM
Phase, sondern das aus beiden gerteintern bestimmte SCM Signal aufgezeichnet.
In (Fig. 5.32) sind die Ergebnisse dieser Messungen dargestellt. Wie in der vorhe-
rigen Messung lassen sich Bereiche um die im Hhenbild sichtbaren Erhebungen
erkennen, welche sich deutlich vom Hintergrund unterscheiden. Bemerkenswert
ist hierbei, dass diese ein deutlich negatives Signal zeigen, was ein p - leitendes
Gebiet andeutet. Da das Gesamtsignal des Hintergrunds relativ schwach ist, lsst
sich auch hier keine genaue Aussage ber dessen Ladungstrgerkonzentration
treffen. Allerdings deutet sich an, dass hier Elektronenleitung vorherrscht. Der
Umstand, dass die p - leitenden Bereiche um die Droplets auftreten, lsst vermu-
ten, dass whrend des Ausheizvorgangs Phosphor aus diesen ausdiffundiert und
im umgebenden Kristall eingebaut wurde. Zu erwhnen ist an dieser Stelle, dass
das beobachtete Verhalten bei keiner unter anderen Bedingungen gezchteten
Probe auftritt.
5.3.3 Implantierte Einkristalle

Die in Kapitel 5.2.3 diskutierten Proben wurden nach ihrer Untersuchung mit
integralen elektrischen Messmethoden mikroelektrisch untersucht. Der implan-
tierte Bereich liegt hierbei an der Oberflche der Proben und ist deshalb einer
SCM Messung zugnglich. Die SCM Flchenscans sowie die daraus gewonnenen
Histogramme fr beide Proben sind in (Fig. 5.33) dargestellt. Hierbei ist deutlich
fr die implantierte Probe eine Hufung bei groen negativen Werten zu erken-
nen, wohingegen das Maximum der Zhlhufigkeit fr die Referenzprobe um
die Null zu sehen ist. Dies ist auch aus den Flchenscans deutlich erkennbar. Die
SCM Messungen weisen also darauf hin, dass der Implantationsversuch erfolg-
reich verlaufen ist und sich an der Oberflche der implantierten Probe eine p -
leitende Schicht gebildet hat. Dem Referenzkristall kann kein eindeutiges Verhal-
ten zugewiesen werden, wobei aus den Hall - Effektmessungen ein n - typartiges
Signal erwartet wird. Allerdings ist nicht auszuschlieen, das durch den Ausheiz-
vorgang die Probenoberflche verndert wurde. Dem SCM Signal zufolge muss
eine hochleitende oder isolierende Deckschicht entstanden sein. Eine Messung
des vorspannungsabhngigen Verhaltens beider Kristallle ist in (Fig. 5.34) darge-
stellt. Auch hieraus besttigt sich das bisherige Bild. Der N implatierte Einkristall
zeigt ein stark negatives Signal, wohingegen der nichtimplantierte Kristall eine li-
neare Kennlinie zeigt. Diese ist auf den fliesenden Tunnelstrom zurueckzufhren.
Der Tunnelstrom tritt fr beide Kristalle in ungefhr gleicher Gre auf, wie aus
den SCM Signalen bei maximaler und minimaler Vorspannung zu erkennen ist.
Dies gibt Anlass zur Vermutung, das eine sehr hochleitende Deckschicht auf dem
nichtimplatierten Kristall entstanden ist. Bei einer isolierenden Deckschicht w-
re mit einer betrchtlichen Reduktion des Tunnelstromes zu rechnen. Allerdings
sind, um hieraus verlssliche Aussagen zu gewinnen genauere Untersuchungen
zum Phnomen des Tunnelstroms in Abhngigkeit von der verwendeten SCM -
Messspitze ntig.
Weiterhin wurden Paladiumkontakte auf die Probenvorderseiten aufgedampft,
die auf n - ZnO Shottkykontakte ergeben [43]. Auf der Rckseite der Kristalle
wurde durch Magnetron - Sputtern eine Goldschicht aufgebracht, welche stets
Ohmsche Kontakte hervorruft. Nun wurden von H.v. Wenckstern Strom - Span-
nungs - Kennlinien der Paladiumkontakte untereinander (front - to - front) und
zwischen den Paladiumkontakten und dem Goldkontakt aufgenommen (front - to
- back). In (Fig. 5.35) sind die Kontaktkonfigurationen, sowie die entsprechenden
Kennlinien dargestellt. Fr die front - to - front Konfiguration ergibt sich deutlich
eine lineare, ohmsche Kennlinie, wohingegen die fr die front - to - back Konfi-
guration aufgezeichnete Kennlinie ein gleichrichtendes Verhalten zeigt. Dies lsst
folgende Schlussfolgerungen zu: die ohmsche Kennlinie ist nur damit zu erklren,
dass die Paladiumkontakte ohmsches Verhalten zeigen, da ansonsten die front - to
p - Typ nn -Typ
Typ
ZnO:N ZnO
Zhlwert (willk. EInheiten)
a) b)
-0.3 -0.2 -0.1 0.0 0.1 0.2 0.3

SCM Signal (V)
Fig. 5.33: Histogramm der SCM Daten fr die in Kap. 5.2.3 diskutierten Einkristalle a)
SCM Flchenscan des implantierten Kristalls b) SCM Flchenscan des Referenz-
kristalles.
50
0
-50 ZnO:N
SCM-Signal (mV)
ZnO
-100
-150
-200
-250
-300
-350
-10 -5 0 5 10
Vorspannung (V)
Fig. 5.34: Vorspannungsabhngigkeit des SCM Signals fr die in Kap. 5.2.3 diskutierten
Einkristalle, gemessen mit einer Spitze vom Typ NSG20.
- front Konfiguration die nichtlineare Kennlinie einer Metall - Halbleiter - Metall -

Diodenstruktur zeigen msste. Eine lineare Kennlinie beweist hingegen eindeu-
tig nichtgleichrichtendes Verhalten an beiden fraglichen Kontakten. Da nun also
sowohl der Forder- als auch der Rckseitenkontakt ohmsches Verhalten zeigt,
kann das gleichrichtende Verhalten nur durch einen p - n bergang im Kristall
verursacht werden. Aus der Richtung des Fluss- und Sperrstromes lsst sich ein-
deutig feststellen, dass der p - leitende Teil des Kristalles an der Frontseite liegen
muss. Dies deckt sich hervorragend mit den SCM Messergebnissen und ist natr-
lich auch auf Grund der Implantation nur dort zu erwarten. Weiterhin wurden
Einkristalle von G. Braunstein, University of Central Florida, mit den Gruppe V
Elementen N, P und As sowie mit Ar implantiert. Dabei wurden Fluenzen von
1,0 1015 cm2 verwendet und die Beschleunigungsspannungen derart variiert,
dass eine konstante Implantationstiefe von 100 nm fr alle Proben erreicht wur-
de. Die Proben wurden geteilt und unter verschiedenen Bedingungen ausgeheizt.
Dabei wurden Temperaturen zwischen 3001000 C gewhlt. Die Ausheizexpe-
rimente wurden in Luft und in Sauerstoff zwischen 30 und 45 Minuten lang
durchgefhrt. Danach wurden diese Proben mit SCM vermessen. In (Fig. 5.36)
sind beispielhaft die Ergebnisse der Messungen an P dotierten Proben zu sehen,
nachdem sich diese ber 48 Stunden im Dunkeln befanden.
Dabei ist zu erkennen, dass fr drei der vier Proben das Maximum des SCM
Spannung (V)
b) -1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
0,003
10-3
a) |I| (A) front - to - back 0,002 c)
I (A) front - to - front

10-4 -+
Pd 0,001
Pd
10-5
p+-ZnO
0,000 p+-ZnO
10-6
n-ZnO
-0,001 n-ZnO
10-7
Au -0,002 Au
-+ 10-8
-0,003
-3 -2 -1 0 1 2 3
Spannung (V)
Fig. 5.35: I - U Kennlinien des N implantierten Einkristalles a) front - to - back Kontakt-

konfiguration b) Kennlinien c) front - to - front Kontaktkonfiguration.
implantiert
Zhlwerte (will. Einheiten)
O2, 500C
O2, 700C
O2, 900C
-0.2 -0.1 0.0 0.1 0.2

SCM Signal (V)
Fig. 5.36: Vergleich der SCM Histogramme fr P implantierte Proben die unter verschie-
denen Bedingungen ausgeheizt worden sind.
Signals bei relativ kleinen positiven und negativen Werten liegt. Es ist dabei im
Rahmen der Messgenauigkeit nicht mglich zwischen hoch p - und hoch n - leiten-
den Proben zu unterscheiden, wie dies bereits in der Diskussion der Messungen
an der Referenzprobe des Herstellers diskutiert wurde (siehe 4.2). Auerdem ist
eine Aussage ber die Hhe der Ladungstrgerkonzentration unter diesen Be-
dingungen nicht mglich. Die Proben knnten sowohl hochleitendes als auch
isolierendes Verhalten zeigen. Im Folgenden wird also auf diejenigen Proben ein-
gegangen werden, welche ein hinreichend groes SCM Signal zeigen. In den
folgenden Abbildungen (Fig. 5.37, Fig. 5.38 und Fig. 5.39) sind diese Ergebnisse
zusammengefasst. bereinstimmend lsst sich in allen Grafiken erkennen, dass
das SCM Signal fr eine im Hellen vermessene Probe deutlich grere negative
Werte annimmt. Dies knnte durch persistente Photoleitung [44] verursacht sein,
die dazu fhrt, dass in beleuchteten Proben stets hhere Elektronenkonzentra-
tionen gemessen werden, als wenn diese Proben einige Zeit abgedunkelt waren
und in diesem Zustand gemessen werden. Dies kann weiterhin dazu fhren, dass
schwach p - leitende Proben als n - leitend erscheinen. Demzufolge sollte also im
Hellen eine geringere Lochkonzentration vermessen werden. Wenn dies gleich-
zeitig mit einem greren SCM Signal verknpft ist, kann dies nur bedeuten,
dass die Lochkonzentration im Dunkeln sehr hoch ist. Im Falle einer im Dunkeln
geringen Lochdichte wre bei Beleuchtung nur mit einer noch geringeren Loch-
dichte zu rechnen, die keinesfalls ein betragsmig greres SCM Signal erzeugt.
Weiterhin fllt auf, dass ausschlielich die bei 700 C ausgeheizten Proben diesen
Effekt zeigen, mit Ausnahme der As implantierten Proben, wo dieser Effekt auch
bei der bei 900 C ausgeheizten Probe auftritt. Weiterhin ist zu beachten, dass auch
die Ar implantierte Probe dieses Verhalten zeigt. Das kann nicht durch eine Ak-
tivierung eines extrinsischen Akzeptors entstanden sein. Dies gibt Anlass zu der
Vermutung, dass der beobachtete Effekt mit den durch die Bestrahlung erzeugten
Defekten, und der anschlieenden thermischen Behandlung zusammenhngt.
Auch ist nicht auszuschlieen, das es sich hierbei um einen Oberflcheneffekt
handelt. Eine genaue Untersuchung der Proben mit anderen Methoden ist n-
tig, um diese Effekte weiter einordnen zu knnen. Zum Beispiel knnten SSPM
Messungen Auskunft ber, die Lage des Ferminiveaus geben. Damit knnten
hochleitende und isolierende Proben unterschieden werden.
2 Tage im Dunkeln 700C

Nach Beleuchtung
P implantiert
-0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2

SCM Signal (V)
Fig. 5.37: Vergleich der im Dunkeln und Hellen aufgezeichneten SCM Histogramme eines
P implantierten Einkristalles, welcher bei 700 C in Sauerstoff ausgeheizt wurde.
2 Tage im Dunkeln 700C

Nach Beleuchtung
Ar implantiert
-0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2

SCM Signal (V)
Fig. 5.38: Vergleich der im Dunkeln und Hellen aufgezeichneten SCM Histogramme ei-
nes Ar implantierten Einkristalles, welcher bei 700 C in Sauerstoff ausgeheizt
wurde.
700C dunkel 900C dunkel

700C hell 900C dunkel
As implantiert
-0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2

SCM Signal (V)
Fig. 5.39: Vergleich der im Dunkeln und Hellen aufgezeichneten SCM Histogramme zwei-
er As implantierter Einkristalle, welche bei 700 C und 900 C in Sauerstoff
ausgeheizt wurden.
6. ZUSAMMENFASSUNG UND AUSBLICK
Im Rahmen dieser Arbeit wurden zahlreiche ZnO PLD Dnnfilm, und einige Ein-
kristalle mit integral elektrischen und mikroelektrischen Methoden untersucht.
Aus den Hall - Effektmessungen konnten die Parameter von dominierenden Do-
natoren sowie die wesentlichen Streumechanismen identifiziert werden. Fr PLD
Dnnfilme berwiegt hierbei fr alle Temperaturen die Streuung an Korngrenzen.
Ein numerisches Verfahren zur exakten Lsung der Boltzmanntransportgleichung
nach Rode und Nag wurde implementiert. Dieses wurde exemplarisch mit den Er-
gebnissen der bisher verwendeten Nherungsmethode nach Matthiesens Re-
gel verglichen. Dabei stellte sich heraus, dass die Nherungslsung fr PLD
Dnnfilme auf Grund des erheblichen Einflusses der Korngrenzenstreuung bis
zu Zimmertemperatur hinreichend ist. Hingegen zeigt sich fr ZnO Einkristal-
le bereits bei tiefen Temperaturen eine deutliche Reduktion der systematischen
Fehler durch die exakte Berechnung der Driftmobilitt, die nur an Hand der
exakten Lsung mglich ist. Die bereinstimmung mit Literaturwerten ist in
deutlich besserem Mae gegeben als unter Verwendung der Nherung. Dies
wurde exemplarisch fr einen Einkristall gezeigt, weitere Auswertungen bereits
vermessener Kristalle sind in Bearbeitung. Auch hier wird eine erhebliche Ver-
besserung der Genauigkeit erwartet. Weiterhin wurde im Rahmen dieser Arbeit
ein Hochtemperaturmesskopf konstruiert, welcher jetzt fr Hall - Effektmessun-
gen zur Verfgung steht. Mit diesem wurde das Hochtemperaturverhalten eines
hydrothermalen Einkristalls untersucht. Dabei konnte auf Grund des greren
Temperaturbereichs erstmal eine detaillierte Aussage ber die Donator- und Ak-
zeptorkonzentration getroffen werden. Weitere Messungen an PLD Dnnfilmen,
insbesondere an mit Gruppe V Elementen dotierten werden vorgeschlagen. Dabei
wird auf die Mglichkeit aufmerksam gemacht, eine mgliche elektrische Akti-
vierung von Akzeptoren durch die erhhten Temperaturen whrend des Mess-
vorgangs verfolgen zu knnen.
Mikroelektrische Untersuchungen an undotierten Zinkoxidproben ergaben Auf-
schluss ber die Kornstuktur der Proben. Die Annahme einer reduzierten La-
dungstrgerkonzentration in den Korngrenzen deckt sich mit den experimen-
tellen Ergebnissen. SCM Messungen an phosphordotierten, homoepitaktisch ge-
zchteten Proben konnten eine elektrische Aktivierung des Phosphorakzeptors
durch thermische Nachbehandlung nachweisen. Nach einem Ausheizschritt konn-
6. Zusammenfassung und Ausblick 95
ten p - leitende Gebiete auf einer Probe festgestellt werden, die auf dieser vorher
nicht vorhanden waren. Die sicherlich spektakulrsten Ergebnisse lieferten al-
lerdings die Messungen an mit Gruppe V Elementen implantierten PMG ZnO
Einkristallen. Auf einem stickstoffimlantierten Einkristall konnte eine p - leitende
Schicht nachgewiesen werden. Der Vergleich mit Strom - Spannungskennlinien
dieser Probe besttigt die erfolgreiche Herstellung einer p - n Diode im ZnO. Dies
sollte einen wesentlichen Schritt auf dem Weg zur Herstellung optoelektronischer
Bauelemente darstellen. Weitere implantierte Einkristalle zeigen bei der Untersu-
chung mit SCM ebenfalls ein Signal, das als p - leitende Deckschicht interpretiert
werden kann. Dabei tritt eine starke Abhngigkeit von der Ausheiztemperatur
auf. Fr diese Proben werden dringend weitere elektrische Untersuchungen vor-
geschlagen, um ein entsprechendes Verhalten zu verifizieren. Zum einen sollten
die bereits im Rahmen dieser Arbeit angedachten SSPM Messungen durchge-
fhrt, zum anderen mikroelektrische Messungen an Querschnitten dieser Proben
ausgefhrt werden. Weiterhin werden integral elektrische Messungen an diesen
Proben vorgeschlagen. Auerdem wird die Wiederholung der Stickstoffimplan-
tation empfohlen, um diese auf Reproduzierbarkeit zu testen und die Herstellung
weiterer p - n Dioden zu optimieren.
ANHANG
A. MESSSTELLENZUORDNUNG
In der folgenden Tabelle (Tab. A.1) sind die Messstellen den entsprechenden
Kontaktbelegungen zugeordnet. Dabei luft die Nummerierung der Kontakte im
Uhrzeigersinn.
A. Messstellenzuordnung 98
Messstelle Vorgegebener Magnetfeld Gemessene Berechneter

Strom Spannung Wert
1 I12 0 U34
1
2 I23 0 U41
3 I13 0 U42
RH1
4 I13 B U42
1 I34 0 U12
2
2 I41 0 U23
3 I24 0 U13
RH2
4 I24 B U13
1 I21 0 U34
3
2 I32 0 U41
3 I31 0 U42
RH3
4 I31 B U42
1 I43 0 U12
4
2 I14 0 U23
3 I42 0 U13
RH4
4 I42 B U13
Tab. A.1: Zuordnung der 16 Messstellen zu den Kontaktbelegungen.
B. KONSTRUKTIONSSKIZZEN
Alle notwendigen Konstruktionszeichungen wurden von P. Lorenz in der Werk-

statt der physikalischen Fakultt erstellt. Die hier gezeigte Auswahl beschrnkt
sich auf Prinzipsskizzen, welche aus Grnden der bersichtlichkeit im Wesentli-
chen ohne Bemaung gezeigt werden und sollen allein den prinzipiellen Aufbau
des Kryostaten veranschaulichen. Eine vollstndige Sammlung aller Konstrukti-
onszeichnung liegt am Messplatz aus. Die Skizzen zeigen
1. Den Hochtemperaturkryostaten (Fig B.1)
2. Den Hochtemperaturkryostaten und Teile der Klappvorichtung, welche n-

tig ist, um den Krystaten ins Magnetfeld zu bringen. Die Abbildung zeigt
den Kryostaten, wie er sich im Magneten befindet (Fig B.2).
3. Den Probenhalter im Hochtemperaturkryostaten (Fig B.3).
4. Den im Probenhalter befindlichen Mander, welcher zur Khlung desselben

verwendet wird (Fig B.4).
B. Konstruktionsskizzen 100
Fig. B.1: Konstruktionsskizze des Hochtemperaturkryostaten.

Fig. B.2: Skizze des Hochtemperaturkryostaten, wie dieser in den Magneten geklappt
wird.
Fig. B.3: Sizze des Probenhalters des Hochtemperaturkryostaten.

Fig. B.4: Konstruktionszeichnung des im Probenhalter befindlichen Manders, durch wel-

chen der flssige Stickstoff fliet.
ABBILDUNGSVERZEICHNIS
3.1 Fotografie des Hochtemperaturkryostaten. Im rot markierten Be-

reich befindet sich der Probenhalter, welcher in (Fig. 3.2) gezeigt
ist. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.2 Probenhalter des Hochtemperaturkryostaten, Vorder und Rckseite. 31
4.1 Prinzipskizze des Scanner Heads, gezeichnet von Gregor Zimmer-

mann. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
4.2 Skizze des SCM Messprinzips. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
4.3 Ladungs - Spannungs - Charakteristik einer idealen MIS Struktur,
Niederfrequenzfall. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
4.4 Kapazitts - Spannungs - Charakteristik einer idealen MIS Struktur,
Hoch (HF)- und Niederfrequenzfall (NF). . . . . . . . . . . . . . . . 37
4.5 Gre des SCM Signals in Abhngigkeit von der Vorspannung,
Hoch (HF)- und Niederfrequenzfall (NF). . . . . . . . . . . . . . . . 38
4.6 Zweidimensionales SCM Profil der vom Gertehersteller mitgelie-
ferten DRAM Probe. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
4.7 Histogramm der SCM Messdaten, aus Fig. 4.6 . . . . . . . . . . . . 41
4.8 SCM bersichtsscan: Querschnitt einer P implantierten p - Silizi-
umprobe, welche in Kunstharz eingebettet ist a) Schema der unter-
suchten Struktur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
4.9 Vorspannungsabhngige SCM Linescans: Querschnitt einer P im-
plantierten p - Siliziumprobe, welche in Kunstharz eingebettet ist
a) Schema der untersuchten Struktur. . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.10 Vorspannungsabhngigkeit des SCM-Signals an festen Orten auf p
- und n - Si. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
5.1 Erste Serie: Abhnigkeit der freien Ladungstrgerkonzentration n

und der Mobilitt vom Sauerstoffpartialdruck. . . . . . . . . . . . 48
5.2 Zweite Serie: Abhnigkeit der freien Ladungstrgerkonzentration
n und der Mobilitt vom Sauerstoffpartialdruck. . . . . . . . . . . 49
5.3 Dritte Serie: Abhnigkeit der freien Ladungstrgerkonzentration n
und der Mobilitt vom Sauerstoffpartialdruck. . . . . . . . . . . . 50
5.4 Vergleich der Ergebnisse aller drei Messserien (Fig. 5.1 - 5.3). . . . . 51
Abbildungsverzeichnis 105
5.5 Resistivitt und freie Ladungstrgerkonzentration fr Zinkoxid-

proben mit 1% Zn3 (PO4 )2 in Abhngigkeit vom Sauerstoffpartial-
druck. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
5.6 Resistivitt und freie Ladungstrgerkonzentration fr Zinkoxid-
proben mit 1% Zn3 (PO4 )2 vor (helle Marker) und nach dem Aus-
heizen (dunkle Marker) in Abhngigkeit vom Sauerstoffpartialdruck. 54
5.7 Resistivitt fr Zinkoxidproben mit 0,25 % bzw 1% P2 O5 in Abhn-
gigkeit vom Sauerstoffpartialdruck. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
5.8 Zusammenfassung der Ausheizexperimente an phosphordotierten
Proben, nderung des spezifischen Widerstandes. . . . . . . . . . . 56
5.9 Temperaturabhngigkeit der Mobilitt fr Proben der ersten Serie. 58
5.10 Temperaturabhngigkeit der freien Ladungstrgerkonzentration
fr Proben der ersten Serie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
5.11 Beispiel zur Anpassung der Mobilitt. . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
5.12 Beispiel fr die Anpassung der Ladungstrgerkonzentration. . . . 62
5.13 Beispiel fr die Anpassung der Ladungstrgerkonzentration mit
einem Zweidonatorfit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
5.14 Temperaturabhngigkeit der Mobilitt fr Proben der zweiten Serie. 65
5.15 Temperaturabhngigkeit der freien Ladungstrgerkonzentration
fr Proben der zweiten Serie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
5.16 Ergebnisse der Rntgenstrukturanalysemessung der zweiten Pro-
benserie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
5.17 Relative nderung der c - Achse sowie der intrinsischen Streupa-
rameter in Abhngigkeit vom Sauerstoffpartialdruck. . . . . . . . . 67
5.18 Vergleich der Nherungslsung mit Matthiesens Regel und der
exakten Lsung fr Messergebnisse bis zu Zimmertemperatur. . . . 70
5.19 Hall - Faktor fr die in (Fig. 5.18) dargestellte Probe. . . . . . . . . . 71
5.20 Fit der Mobilitt einer P2 O5 dotierten Zinkoxidprobe(M1704) nach
Matthiesens Regel. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
5.21 Eindonatorfit der freien Ladungstrgerkonzentration einer P2 O5
dotierten Zinkoxidprobe(M1704). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
5.22 Freie Ladungstrgerkonzentration: Vergleich der implantierten und
nichtimplantierten Probe, vor dem Ausheizen. . . . . . . . . . . . . 75
5.23 Mobilitaet: Vergleich der implantierten und nichtimplantierten Pro-
be, vor und nach dem Ausheizen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
5.24 Vergleich der Mobilittsanpassung mittels Nherung und exakter
Lsung fr einen PMG ZnO Einkristall. . . . . . . . . . . . . . . . . 79
5.25 Hall - Faktor in Abhngigkeit von der Temperatur fr einen PMG
ZnO Einkristall. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
5.26 Systematische Korrektur der Hall - Mobilit, um die Driftmobilit
zu bestimmen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
Abbildungsverzeichnis 106
5.27 Freie Elektronenkonzentrationen fr hydrothermal gezchtete ZnO

Einkristalle verschiedener Hersteller. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
5.28 Eindonatorfit an die freie Elektronenkonzentration eines hydro-
thermalen Einkristalles vermessen bei hohen Temperaturen. . . . . 82
5.29 SCM Messung an einer undotierten, intrinsisch n - leitenden Zink-
oxidprobe; Hhe, SCM Amplitude und SCM Phase. . . . . . . . . . 84
5.30 SCM Messungen an einer phosphordotierten homoepitaktisch ge-
zchteten ZnO Probe vor dem Ausheizen; Hhe, SCM Amplitude
und SCM Phase. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
zchteten ZnO Probe nach dem Ausheizen; Hhe, SCM Amplitude
und SCM Phase. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
zchteten ZnO Probe nach dem Ausheizen; Hhe und SCM Signal. 85
5.33 Histogramm der SCM Daten fr die in Kap. 5.2.3 diskutierten Ein-
kristalle a) SCM Flchenscan des implantierten Kristalls b) SCM
Flchenscan des Referenzkristalles. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
5.34 Vorspannungsabhngigkeit des SCM Signals fr die in Kap. 5.2.3
diskutierten Einkristalle, gemessen mit einer Spitze vom Typ NSG20. 89
5.35 I - U Kennlinien des N implantierten Einkristalles a) front - to -
back Kontaktkonfiguration b) Kennlinien c) front - to - front Kon-
taktkonfiguration. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
5.36 Vergleich der SCM Histogramme fr P implantierte Proben die
unter verschiedenen Bedingungen ausgeheizt worden sind. . . . . 90
5.37 Vergleich der im Dunkeln und Hellen aufgezeichneten SCM Histo-
gramme eines P implantierten Einkristalles, welcher bei 700 C in
Sauerstoff ausgeheizt wurde. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
5.38 Vergleich der im Dunkeln und Hellen aufgezeichneten SCM Histo-
gramme eines Ar implantierten Einkristalles, welcher bei 700 C in
Sauerstoff ausgeheizt wurde. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
5.39 Vergleich der im Dunkeln und Hellen aufgezeichneten SCM Hi-
stogramme zweier As implantierter Einkristalle, welche bei 700 C
und 900 C in Sauerstoff ausgeheizt wurden. . . . . . . . . . . . . . 93
B.1 Konstruktionsskizze des Hochtemperaturkryostaten. . . . . . . . . 100

B.2 Skizze des Hochtemperaturkryostaten, wie dieser in den Magneten
geklappt wird. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
B.3 Sizze des Probenhalters des Hochtemperaturkryostaten. . . . . . . 102
B.4 Konstruktionszeichnung des im Probenhalter befindlichen Man-
ders, durch welchen der flssige Stickstoff fliet. . . . . . . . . . . . 103
TABELLENVERZEICHNIS
4.1 Als Grundlage der in (Fig. 4.3 - 4.5) dargestellten Berechnungen

verwendete Koeffizienten. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
5.1 Materialkoeffizienten der ersten Probenserie. . . . . . . . . . . . . . 59

5.2 Donatorkonzentrationen und -aktivierungsenergien der ersten Pro-
benserie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
5.3 Materialkoeffizienten der ersten Probenserie, ohne Variation der
Debyetemperatur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
5.4 Donatorkonzentrationen und -aktivierungsenergien der ersten Pro-
benserie, unter Verwendung eines Zweidonatorfits, berechnet aus
den Akzeptorkonzentrationen in (Tab. 5.3). . . . . . . . . . . . . . . 62
5.5 Materialkoeffizienten der zweiten Probenserie, erhalten unter Va-
riation der jeweiligen Parameter. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
5.6 Donatorkonzentrationen und -aktivierungsenergien der zweiten
Probenserie, unter Verwendung eines Zweidonatorfits, berechnet
aus den Akzeptorkonzentrationen in (Tab. 5.5). . . . . . . . . . . . . 68
5.7 Materialkoeffizienten einer Phosphordotierten Probe. . . . . . . . . 72
5.8 Materialkoeffizienten eines PMG ZnO Einkristalles. . . . . . . . . . 78
5.9 Donatorkonzentrationen und -aktivierungsenergien eines PMG ZnO
Einkristalles. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
A.1 Zuordnung der 16 Messstellen zu den Kontaktbelegungen. . . . . . 98

Liste der wichtigen Symbole 108
Variable Bedeutung Erstes Auftreten

a, c Gitterkonstante im hexagonalen Kristall . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
inverse thermische Energie = kB1T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
BH Brooks - Herring Korrekturfaktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
C Kapazitt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
cl logitudinale Elastizittskonstante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
D dielektrische Verschiebung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
E Energie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
EAD akustische Deformationspotentialkonstante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
EC Energie des Leitungsbandminimums . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
ED Energieniveau des Donators . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
EF Energie des Valenzbandmaximums . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
EI Ionisierungsenergie des Donators . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
EV Energie des Valenzbandmaximums . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
E1 Bandlckenenergie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Et Energieniveau des Defektes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
e Elementarladung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Permitivitt des Halbleiters ( = 0 r ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Hochfrequenzpermitivitt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
~
F elektrisches Feld . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
f Verteilungsfunktion der Elektronen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
f Verteilungsfunktion der Elektronen im Zustand k~ . . . . . . . . . . . . . . . 11
fT gestoerte Verteilungsfunktion der Elektronen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
b Barrierenhoehe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
k Fermiintegral vom Grad k . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
x , y gekoppelte Stoerterme nach Nag . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1 Stoerterm der Verteilungsfunktion der Elektronen . . . . . . . . . . . . . . . 11
10 Entartungsgrad des unbesetzten Defektzustandes . . . . . . . . . . . . . . . . 9
11 Entartungsgrad des besetzten Defektzustandes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
H Hamiltonoperator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
h Van der Pauw Korrekturfunktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
~ Plancksches Wirkungsquantum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
I Strom . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
j Stromdichte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
~k Wellenvektor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
k~ Wellenvektor im gestreuten Zustand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
kB Boltzmannkonstante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
LD Debyelnge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
Lc Kollisionsoperator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
l Korngroee . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Abschirmlnge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
i besetzungszahlunabhngige Einstreurate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
o besetzungszahlunabhngige Ausstreurate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
M(~k, k~ ) bergangsmatrixelement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
me Effektive Elektronenmasse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
mh Effektive Lochmasse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Driftmobilitt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
H Hall - Mobilitt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
N Besetzungszahl . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16
NA Konzentration der Akzeptoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
NA Konzentration der ionisierten Akzeptoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
NC effektive Zustandsdichte im Leitungsband . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
ND Konzentration der Donatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9
ND+ Konzentration der ionisierten Donatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
NI Konzentration der ionisierten Stoerstellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
NV effektive Zustandsdichte im Valenzband . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Nt Konzentration des Defektes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
N0 Konzentration unbesetzer Defektzustnde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
N1 Konzentration besetzter Defektzustnde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
n Dichte freier Elektronen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
ni Dichte intrinsischer freier Ladungstrger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
~
Differentialoperator, partielle Ableitung nach den Koordinaten . . 11
~k Differentialoperator, partielle Ableitung nach den Komponenten des
Wellenvektors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
el Streurate durch elastische Streuung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Phononenfrequenz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
c Zyklotronfrequenz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
P elektromechanischer Kopplungskoeffizient . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Pe elektrische Polarisation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
p Dichte freier Loecher . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
s Spannungsabfall im Halbleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
Q Ladung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
q Phononenwellenvektor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
R Widerstand . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
RH Hall - Konstante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
r Exponent der Energieabhngigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
rH Hall - Faktor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Resisitivitt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
C Zustandsdichte im Leitungsband . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
V Zustandsdichte im Valenzband . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Si Einstreurate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
So Ausstreurate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
s differentielle Streurate vom Zustand ~k in den Zustand k~ . . . . . . . . . 11
s differentielle Streurate vom Zustand k~ in den Zustand ~k . . . . . . . . . 11
skalare Leitfhigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
i j Komponenten des Leitfhigkeitstensors . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
T absolute Temperatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
t Zeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Debyetemperatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
Streuzeit durch elastische Streuung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
0 Streuzeit, energieunabhngiger Anteil . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
hi gemittelte Streuzeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
U elektrisches Potential . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
UH Hall - Spannung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
u Schallgeschwindigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15
V Kristallvolumen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
~
v Geschwindigkeit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
~
vz Geschwindigkeit in Feldrichtung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
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114
Selbstndigkeitserklrung
Die vorliegende Diplomarbeit habe ich selbstndig und nur unter Verwendung
der angegebenen Hilfsmittel verfasst.
Datum: 24. Mai 2006 Unterschrift:
Einverstndniserklrung
Hiermit erklre ich mich einverstanden, dass meine Diplomarbeit nach positiver
Begutachtung zur Nutzung in der Zweigstelle Physik der Universittsbibliothek
Leipzig zur Verfgung steht.
Datum: 24. Mai 2006 Unterschrift:

115
Danksagung
Ich danke meinen Betreuern Prof. M. Grundmann und H. v. Wenckstern fr die
Untersttzung whrend meiner gesamten Arbeit. Ich danke Dr. H. Schmidt fr
die Einfhrung am Rasterkraftmikroskop, die umfangreiche Messzeit und die
zahlreichen Diskussionen. Ich danke G. Biene fr das Aufbringen der Kontakte
zu jeder Tageszeit. Ich danke H. Hochmuth, J. Lenzner und R. Riedel fr die
Hilfe bei technischen Problemen. Ich danke allen Mitarbeitern der Werkstatt der
physikalischen Fakultt fr Konstruktion und Montage des Hochtemperatur-
messkopfes, insbesondere P. Lorenz fr die Umsetzung physikalischer Ideen in
Konstruktionszeichnungen. Ich danke A. Rahm fr die Rntgenmessungen und
H. v. Wenckstern fr die Messung der Strom - Spannungs - Kennlinien. Ich danke
G. Zimmermann fr die Hilfe mit dem LATEXund dem Rasterkraftmikroskop, so-
wie die in dieser Arbeit verwendete Abbildung. Ich danke allen Mitgliedern der
Gruppe Halbleiterphysik fr das angenehme Arbeitsklima. Insbesondere mch-
te ich noch einmal H. v. Wenckstern danken, fr das stets offene Ohr bezglich
aller Probleme, zahlreiche Ratschlge und motivierende Worte, vor allem aber
das freundschaftliche Arbeitsgefhl. Ich danke meinen Eltern fr all ihre Unter-
sttzung und ihre Geduld. Ich danke Franzi fr ihre Liebe und das aufgebrachte
Verstndnis.

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Diplomarbeit

Elektrische Eigenschaften von Zinkoxid bei

Betreuer: Prof. Dr. M. Grundmann

vorgelegt: 24. Mai 2006

5. Ergebnisse der Messungen und Auswertung . . . . . . . . . . . . . . . . 47

6. Zusammenfassung und Ausblick . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94

Fr den in dieser Arbeit betrachteten Ladungstransport kommen im Wesentli-

2.1 Temperaturabhngigkeit der freien

2.1.1 Intrinsische Leitung

im Valenzband ergibt sich unter analogen Annahmen

n = NC 1/2 (), (2.6)

wobei 1/2 () das Fermiintegral

Im undotierten Halbleiter werden genauso viele Lcher wie Elektronen generiert.

wobei NC die effektive Zustandsdichte im Leitungsband

np = n2i = NC NV eE1 (2.16)

zeigen, dass intrinsische Leitung im Zinkoxid bei Raumtemperatur und weit

2.1.2 Ladungstrger nur eines Typs

und der Tatsache das Nt = N1 + N0 , ergibt sich fr den unbesetzten Zustand

2.1.3 Donatoren und Akzeptoren

Fr nichtentartete Halbleiter gilt folglich

2.2 Boltzmann Transportgleichung

Hier bezeichnet el die Relaxationsrate, beziehungsweise die Relaxationszeit.

und einen Ausstreuanteil

ergibt. Dieser Mittelwert ist abhngig vom Exponenten der Energieabhngigkeit

2.3 Streuprozesse in Halbleiterkristallen

Hierbei bezeichnet H 0 den Hamiltonoperator des ungestrten Systems, und H die

mit dem Matrixelement

2.3.1 Streuung an ionisierten Strstellen

Daraus berechnet sich nach (2.36) zu

Dabei gilt fr einen teilweise kompensierten Halbleiter mit einfach umladbaren

2.3.2 Streuung an akustischen Phononen

Fr die unterschiedliche Versetzung zweier benachbarter Atome mit Abstand a

wobei EAD das Deformationspotential bezeichnet. Zur quantenmechanischen Be-

Aus der Impulserhaltung folgt nun: ~k = k~ q~l und es ergibt sich

M(~k, k~ ) = EAD ql Al . (2.63)

mit cl = u2l . Die Relaxationszeit berechnet sich zu

Daraus ergibt sich fr die ausschlielich durch Deformationspotentialstreuung

wobei Epz die piezoelektrische Konstante bezeichnet. Das Streupotential ergibt

wobei P den elektromechanischen Kopplungkoeffizienten bezeichnet

2.3.3 Streuung an optischen Phononen

Hierbei bezeichnet die Niederfrequenz- und die Hochfrequenzdielektrizi-

So = (Npo + 1 f )o + (Npo + f + )+o (2.76)

Si (1 ) = (Npo + f )i 1 + (Npo + 1 f )+i 1+ , (2.79)

Fr einen nichtentarteten Halbleiter entfallen die f , f und f + Terme, und unter

So = Npo (+o + e~o o ) = Npo (+o + e/T o ) (2.81)

2.3.4 Streuung an Korngrenzen

Die Ursache fr die geringere Leitfhigkeit ist eine herabgesetzte Ladungs-

Diese wird durch eine beidseitige Schottkybarriere modelliert.

Diese bestimmt sich nun nach folgendem Verfahren:

2.3.5 Berechnung der Mobilitt in Anwesenheit mehrerer Streukanle

Iterative Lsung der Boltzmanntransportgleichung

Demnach ergibt sich eine Elektronenverteilung mit zwei gekoppelten Strtermen:

3.1 Generelle Betrachtungen

Durch Lsen der Bewegungsgleichungen lsst sich zeigen, dass xx = yy und

Unter Verwendung der Relaxationszeitnherung ergibt sich [15]

Im Falle eines sehr kleinen Magnetfeldes B 1/ gilt [27] c 0 und

Wegen (3.8) gilt

3.2 Messverfahren nach Van der Pauw

1. Die Probe muss planparallel und einfach zusammenhngend sein.

2. Die Kontakte mssen sich am Rand der Probe befinden.

3. Die Kontaktflche muss vernachlssigbar klein gegen die Probenflche sein.

te 10 V nicht bersteigen darf, und der minimal einstellbare Strom 1 nA betrgt.

Fig. 3.1: Fotografie des Hochtemperaturkryostaten. Im rot markierten Bereich befindet