II111ft

ANALGICA

MOS~~T
Os HT do canal isolador so mais prticos f vfrstfis do qUf os df unio
possvel realizar um transistor de efeito de cam-
po (FET: Field Effet Transistor) tambm sem a unio
porta-canal caracterstica dos JFET.
Substrato o
Pode ser obtido isolando a porta do canal com um
leve estrato de bixido de silcio, um material de
grande resistncia.

Um FET realizado com esta tecnologia MOS (metal-

xido-semicondutor) recebe o nome de MOSFET: a
sua estrutura aparece na figura.
Estrutura simplificadi de um MOSFET: a porta metlica est
muito prxima do canal condutor, mas tambm est muito bem
isolado dele.

1\
Drenagem
A figura mostra o smbolo genrico de um MOSFET,
no qual est indicado claramente o isolamento entre
Porta G B a porta e o canal: at mesmo no desenho no se to-
cam.

~ Para canal
~ n S
Existe ainda um quarto terminal, o do substrato (B,
body: corpo) no qual o dispositivo foi realizado: este
forma uma unio com o canal.
G B
Nas aplicaes normais est freqentemente ligado
origem, mas este fato muitas vezes nem sequer
~ Para canal
~ p S
est indicado; em alguns casos no se pode sequer
aceder a ele atravs de um contato, pelo menos
~ 22(((((" 2H"222H
neste tipo de MOSFET.
Alguns dos smbolos utilizados para os MOSFET de canal e
de canal p; direita est a verso que indica a ligao com
o substrato (8).

Devido ao fato de a porta estar isolada, a corrente requerida pelo MOSFET
neste terminal quase nula: nem sequer existe uma corrente mnima de
perda da unio dos JFET.

Em compensao, suficiente uma rruruma carga eltrica (como a

originada pela deslocao de uma bolsa de plstico) para perfurar o
ligeiro substrato isolador, danificando-o irreparavelmente.

Portanto, so necessrias precaues especiais para manusear ou trans-

portar o MOSFET: por exemplo, a descarga contnua para a terra, ou
utilizar tapetes e braceletes condutores especiais.

No necessria a energia de um raio: a eletricidade esttica acumulada pelo corpo

mais do que suficiente para perfurar o isolador de um MOSFET.

85
 ANALGICA

Vazamfnto f dfSfnvolvimfnto
Ixistfm dois tipos df MOSUT: um rfduI a corrfntf no canal f o outro aumfnta-a
Consideremos o JFET e o MOSFET j mostrados nu-
ma figura anterior, ambos do canal N: nos dois casos,
se aplicarmos uma tenso negativa porta, o canal
fica obstrudo e a corrente reduz-se.
-v~ +vA
No entanto, com o MOSFET pode-se aplicar uma ten- Si~ N~

so positiva porta que corresponde fonte, fato

+v~
A diferena que
este que est vedado aos JFET. existe entre o JFET
-V~ e o MOSFET que
Enquanto o JFET poderia fazer passar corrente pela este ltimo pode
unio da porta, o MOSFET no faz mais do que aplicar tenses
Sim~ Sim~
das duas polaridades
aumentar a corrente no canal: a porta mantm-se
na porta.
isolada.

CORRENTE APENAS SOB PEDIDO

o comportamento dos JFET e do tipo do MOSFET j necessrio aplicar tenso porta com polaridade
descrito chama-se vazamento: normalmente pelo ca- direta.
nal passa corrente, se
aplicarmos tenso inversa A figura mostra o smbolo usado para indicar explici-
D
porta, esta reduz-se. tamente um MOSFET deste tipo, de canal N: o canal
interrompe-se para demonstrar que, na ausncia da
Tambm existem MOS- G ~-8 tenso na porta, este permanece aberto.
FET do tipo desenvolvi- ~strato)
mento, pelos quais nor-
malmente no passa cor- S Nos MOSFET do tipo desenvolvimento, no passa corrente pelo
rente; para que passe canal se no se proporcionar tenso na porta.

SOMENTE UM DISPOSITIVO

Os MOSFET dos dois tipos so distintos, mas o com-
portamento similar, como se pode ver no grfico
que aparece na figura, que mostra a corrente no canal
quando varia a tenso da porta.
Os dois MOSFET diferem pela tenso do
com O V da porta, como nos JFET, e um comporta-
mento do tipo vazamento (prefere-se o termo pinch-
oft ou cutoft para a tenso do limiar).
Corrente
descarga-origem

limiar: se positiva, sempre referindo-nos

Vazamento Desenvolvimento
a um MOSFET de canal N, no poder
passar corrente com O V da porta. Este
ser considerado, portanto, do tipo desen- o tipo
vazamento conduz
volvimento. tambm com O V O tipo
na porta desenvolvimento
Uma tenso do limiar negativa causar, tem um limiar
mnimo
no entanto, a passagem da corrente

A diferena entre os MOSFET do tipo vazamento Tenso

porta-origem
e do tipo desenvolvimento a tenso da porta -4V -3V -2V -1V OV +1V +2V +3V +4V +5V +6V
qual comeam a conduzir (pinch-off).

86
-----------------------------------------------------------------------------~-----,

MOS~(T de potinda
(m muitas aplica~fSr fStfS dispositivos OftrfCfm intfrfssantn vantaCJfns
rflativamfntf aos transisteres BJT

Como acontece com os transistores bipolares de unio

(BJT) normais, tambm os MOSFET podem funcionar
como interruptores.
Carga
Um MOSFET
pode controlar
Em particular, o tipo desenvolvimento corresponde
diretamente
(como um BJT) a um interruptor que est normalmente
o substrato (body) uma carga:
aberto: se lhe aplicarmos tenso, se fechar. est ligado origem quando est
conduzindo
Quando se fecha, o MOSFET comporta-se como um oferece uma
resistor de baixo valor, sem nenhuma tenso mnima baixa
de queda (como a tenso de saturao dos BJT). resistncia.

MENOS PROBLEMAS TRMICOS

Se um MOSFET aquece por causa da corrente que
atravessa o canal, a sua resistncia aumenta; por- D
tanto, pela lei de Ohm, aumenta tambm a tenso
nos seus extremos.

Este fato permite ligar vrios MOSFET em paralelo

sem resistores de equalizao (ver lio 15): a cor-
rente tender a fluir nos que tm uma menor resis- p--*----T---------T--~
tncia, ou seja, os que so mais frios.

o mesmo balano automtico da corrente produz-se o

num mbito microscpico, no interior do canal: os
MOSFET so, portanto, imunes ao desagradvel Ligando vrios MOSFET em paralelo, reduz-se a resistncia e
efeito de uma segunda rotura que afeta os BJT. aumenta-se a corrente suportvel.

CAPACIDADE DA PORTA
Como acontece com os MOSFET nem sequer
necessitam corrente da porta (se a tenso da
porta no variar), pareceriam comportar-se
como interruptores perfeitos e quase privados
de dissipao.
Carregar esta capacidade requer corrente
e tempo: durante este tempo o canal par-
cialmente condutor, nos seus extremos
existe tenso e no seu interior circula cor-
rente: o MOSFET dissipa potncia.

Mas, como sempre, h um limite para tudo: a

porta forma uma capacidade relativamente
elevada em direo ao canal, ou seja, tanto Os MOSFET de potncia so utilizados em
para a origem como, infelizmente, para a numerosas aplicaes, que vo dos amplificadores
descarga. de udio aos comandos dos motores eltricos.

87
 ANALGICA

(MOS
A utiliIa~o de MOSnT complementares tem permitido a realiIa~o dos modernos integrados digitais
A figura mostra duas verses do clssico interruptor
+Vcc +Vcc de MOSFET do tipo aumento do canal N, comparvel
com um transistor NPN (ver a lio 10).

In0------.,1--111--'
o segundo interruptor perfeitamente simtrico: uti-
..----- J Out liza um MOSFET de canal P e tem a origem ligada
Out (junto ao substrato) alimentao positiva, em vez de
In o-........jl--ll ligado massa.

Os dois circuitos podem funcionar como inversor mas

tm, no entanto, um inconveniente: a resistncia dis-
sipa a potncia quando o MOSFET conduz a mesma.

Dois inversores de MOSFET com diferente polaridade: um

a imagem especular do outro.

INTERRUPTORES COMPLEMENTARES

Como os dois MOSFET da figura entram em conduo

com polaridades opostas ao sinal de entrada, podem +Vcc +vcc
ser combinados, obtendo o inversor que mostrado
na figura.

Quando a entrada positiva pe o MOSFET de canal

N baixo, e quando negativa pe o canal P alto.
In Out ... -----l. Out

Como a sada est sempre ligada a um dos dois ali-

mentadores, no necessrio utilizar nenhuma resis-
tncia e no existe dissipao da potncia, exceto
durante um breve momento durante a ligao.

Com dois MOSFET complementares realiza-se um inversor

reduzido ao essencial, mas bastante eficaz.

~
Os inversores de MOSFET complementar ou CMOS +vcc
(complementary MOS), so utilizados para realizar gran- Resistncia que
de parte dos circuitos integrados digitais, das simples / limita a corrente
portas lgicas aos complicados microprocessadores.
Perno de Para o
entrada circuito
So compactos, rpidos, facilmente integrveis em
quantidade, no necessitando de componentes passi-
vos e tendo uma dissipao bastante limitada (pratica-
mente nula, na ausncia de ligaes). Diodo
distribudo ao longo
do resistor
Necessitam, no entanto, nos contatos de entrada e de
sada de protees adequadas contra as cargas elec-
trostticas, como por exemplo as que se mostram na Protees tpicas anti-estticas da srie 74HC; diodos e
resistores so realizados com o mesmo silcio.
figura.

88
~ ~L-_________________________________________ -------------------------------------- -----
 DIGITAL

ROM f PROM
o contedo de alguns tipos de memria programado apenas uma vez e no pode ser modificado
Existem diferentes variantes de ROM ou memria
s de leitura (ver a lio 20) que diferem em fun-
o da tcnica utilizada para guardar os dados.

Nas ROM propriamente ditas, utiliza-se um enco-

brimento adequado durante os processos foto-
qumicos realizados na fbrica: trata-se, portanto,
de circuitos realizados medida. As ROM so
produzidas na fbrica
com o contedo
o custo fixo (de fabricao) elevado, mas o
previamente
custo do componente independente bastante re- determinado pelo
duzido: esta tcnica utilizada, portanto, na pro- cliente, sendo depois
duo em srie a grande escala. impossvel modific-Io.

PROM DE FusVEIS

r A necessidade de realizar prottipos e pequenas Os fusveis inteiros e os queimados correspondem

t sries levou ao desenvolvimento das primeiras ROM aos dois estados lgicos (H e L ou vice-versa) que

II programveis pelo prprio utilizador: as PROM so

atualmente menos utilizadas, mas aparecem sob
outras formas.
se escrevem, portanto, na PROM de forma perma-
nente sem nenhuma possibilidade de anulao.

Contm um grande nmero de fusveis micros-

I cpicos utilizando um para cada bit, que podem ser

"queimados" com um programador
especial; PROM (Programmable
ROM) significa "ROM programvel". /
Ligao do
+vcc

fusvel

As PROM so programadas fazendo

passar uma corrente elevada pelos
micro-iusives que se deseja queimar .

Para programar ou "escrever" uma PROM (deste ou de
outro tipo) parte-se do contedo desejado; uma se-
qncia de dados, cada um dos quais ocupar uma
clula da memria.

Utiliza-se normalmente um computador pessoal a

partir do qual os dados so enviados para o programa-
dor de PROM, que um dispositivo onde se insere o
integrado que se quer programar.

Este produz as tenses e correntes adequadas para

queimar os fusveis correspondentes aos bits deseja-
dos, verificando depois se a programao foi realiza-
da corretamente.
Um programador de PROM: observe o soquete especial com a
alavanca que bloqueia os contatos do chip que se quer
programar.

85
 DIGITAL

~PROM f afins ~
As PROM qUl' f possVl'l apagar podl'm ser reutilhada
As PROM de fusveis tm, para alm da sua baixa densidade e do custo
relativamente elevado, o defeito de no serem reprogramveis: no
possvel recuperar as ligaes que esto queimadas.

Freqentemente, resulta til poder alterar os dados contidos nas clulas

da memria, por exemplo para fazer numerosos testes experimentais
diferentes, voltando a utilizar o mesmo chip.

As PROM que podem ser apagadas, ou EPROM (Erasable ROM: ROM

que se pode apagar), permitem faz-Io atravs de um sistema de escrita
diferente: foram uma carga eltrica que esteja numa zona isolada e onde
fique intercalada.

EPROM: uma tenso elevada que empurra os eltrons para alm de uma barreira, da
qual no tm bastante energia para fugir.

APAGAMENTO DAS EPROM

Para apagar uma EPROM, necessrio proporcionar
aos eltrons que esto encerrados a energia suficiente
para poderem se libertar: este fato possvel com a ex-
posio aos raios ultravioletas de uma determinada
freqncia.

o encapsulamento tem um postigo transparente para

permitir que se apague o contedo; convm tap-Io
para evitar apagamentos acidentais com a luz normal.
O postigo incorre no custo: na produo utilizam
EPROM que no tm postigos e, portanto, so progra-
mveis apenas uma vez (OTP: One Time Program-
ming: programao de uma nica vez), verso moder- opostigo de quartzo deixa passar os ultravioletas, que em
na das PROM. poucos minutos apagam o contedo da EPROM.

As EPROM tm tambm um nmero de apagamen-

tos limitado; alm disso, a operao lenta e no
permite uma rpida reutilizao da memria.

Deste modo nascem as E2PROM, ou EPROM (Elec-

trically Erasable PROM: PROM eletricamente
possvel de apagar) eletricamente possveis de apa-
gar, como o seu nome indica, em poucos segundos,
clula por clula ou todas em conjunto, conforme os
modelos.
Vrias cmaras fotogrficas
digitais armazenam as
Existe um tipo de memrias reprogramveis, que so
fotografias na memria Flash,
as Flash, utilizadas por exemplo nas cmaras foto-
que conserva os dados como
uma ROM mas que pode ser grficas digitais devido sua velocidade de escrita,
escrita novamente. que bastante elevada.

86
 Dfntrodf uma ~PRON
As memrias reprogramveis podem ser realizadas se utilizarmos um MOSnT r
como acontece com muitos outros integrados digitais
Nas EPROM e E2PROM, cada bit armazenado por da carga na porta contro-
um transistor MOSFET de um tipo especial, dotado de la a corrente que passa
uma porta adicional totalmente isolada (ver figura). pelo canal que, portanto,
ser distinta conforme a
No interior destas portas intercala-se a carga eltri- presena ou ausncia
ca, aplicando tenso suficiente para a fazer superar o da carga intercalada.
isolador sem o danificar (aproveitam-se fenmenos
Segunda porta Vrias ROM programveis
fsicos bastante complexos). isolada utilizam um MOSFETde porta
dupl, um deles isolado do
Como acontece com todos os MOSFET, a presena resto do circuito.

~
Em qualquer tipo de memria necessrio selecionar
a clula desejada aplicando entrada o endereo
-
I O
Descodificao das colunas

1 2 3 4 5 6 7
I
correspondente da prpria clula.
O

No interior do chip, este endereo dividido normal- ~~

,., <J)
1
eu
s:
mente em duas partes para que se possa realizar uma
matriz eficiente, como mostra a figura.
31
,.,
:
<J)
2

11 eu 3
'O
o
o- o
Deste modo possvel utilizar decodificadores mais ~
a.>
leu
o-
eu
4
'O <.>
pequenos (no exemplo, dois de 3 bits no lugar de um c
UJ
<;::: 5
15
de 6) e minimizar o nmero de ligaes internas, para o
o 6 Clula
<J)
~
alm do comprimento relativo, to importante para a
velocidade.
o
a.>

7 -, :.; selecionada

Descodificao da matriz: metade dos bits do endereo

'--
escolhem a linha, a outra metade a coluna: no cruzamento
est o compartimento pedido.

As memrias so dispositivos digitais, mas no seu in- Deste modo, os sinais so alterados ao longo do per-
terior realmente so analgicas: por exemplo, os si- curso, como se tivessem atravessado filtros: o trabalho
nais lidos pelas clulas so muito fracos e so amplifi- dos projetistas de memrias, especialmente se so de
cados. grandes dimenses, no nada fcil.

As linhas de ligao entre as clulas

apresentam uma indutncia micros- Sinal Sinal do final
limpo da linha
cpica e uma pequena capacidade
em direo massa e tambm para JL
Dado lgico
outras linhas, para alm da prpria
dos MOSFET.
PO Pl P255

o sinal enfraquece, torna-se lento e muda

de forma enquanto viaja pelas linhas
Clulas de 1 bit
internas; necessrio reconstru-Io
adequadamente.

87
 DIGITAL

Usos df ROM f PROM

As ROlei, sejam ou no programveis, so utilizadas quando os dados devem
permanecer tambm sem alimenta~o
Uma memria permanente pode carregar, sob a forma de cdigo
numrico, as instrues que um microprocessador (CPU) deve
executar. So escritas em clulas posteriores da memria, como
outras tantas filas numa folha de papel: cada instruo faz com
que o CPU execute uma determinada operao.

Por exemplo, quando se liga um computador pessoal, este exe-

cuta as instrues escritas numa ROM especial, chamada BIOS
(Basic 1/0 System: sistema bsico de entrada/sada): deste modo
pode-se reconhecer o teclado, os discos, etc.

As instrues escritas no ROM especificam em pormenor as operaes que o

microprocessador (CPU) deve executar.

Nas ROM ou (EPROM, etc.) podem tambm ser escri-

tos dados e informao variada, que devem ser con- (Dezembro) 11
servados mesmo quando o dispositivo est desligado.

A figura mostra, por exemplo, como uma ROM pode

memorizar o nmero de dias de cada ms do ano (ex-
cludos os bissextos), que se utiliza num relgio ou
r ~
Endereo
6
5
Dados de uma
ROM: utilizando
nmero do ms
o

num calendrio. (menos 1) como

1
endereo, o
Se associarmos um nmero para cada letra, como
acontece com o cdigo ASCII (A = 65, B = 66, etc.),
possvel tambm pr na ROM textos, por exemplo (Janeiro)
1
O
compartimento
selecionado
contm o seu
nmero de dias.
Salvat-Jackson Libri.

CIRCUITOS COMBINATRIOS ARBITRRIOS

Uma ROM aceita qualquer combinao de bits de Na prtica, esta soluo um pouco cara: veremos
endereo, e restitui um dado formado pelos bits como as lgicas programveis (por exemplo PAL e
escritos na fase da programao. afins) permitem obter resultados similares com um
mtodo mais econmico.
Deste modo, pode substituir qualquer circuito
lgico combinatrio: podem ser programadas
as sadas desejadas para qualquer combinao C A2
das entradas, escrevendo na ROM a tabela c B Ai
~~~e. B y =
A AO D y

A----'
ROM de 8 compartimentos
Cada circuito combinatrio pode ser realizado com uma de i bit cada um
ROM que tenha suficientes entradas e sadas.

88
 COMPONENTES

Dados dos NOSF~T

Vejamos (omo podem ser lidos os dados prindpais de um transistor MosnT de potinda
o BUZ10 um MOSFET de canal N de potncia
mdia para ser utilizado de uma forma geral: por
exemplo como interruptor para as luzes ou motores,
ou numa etapa final de um amplificador de udio. D (2)

A figura mostra o aspecto fsico do transistor e do

seu smbolo, com a identificao dos dois
terminais; deve-se observar que o substrato (body:
G(1)n--HI~
corpo) est ligado internamente origem.

Este MOSFET comporta-se como se inclusse um

diodo Zener (ver a lio 14 de analgica) que per-
mite a passagem de correntes fortes sem causar S (3)
danos nos casos de excessos breves de tenso.

Aspecto e smbolo do BUZ10: a prtica cpsula TO-220 est

bastante difundida para os transistores de potncia mdia.

LIMITES MXIMOS

A figura mostra os valores que no devem ser supe- Embora o dispositivo seja para 20 A mximos (lp),
rados para evitar danificaes; alguns deles, como a pode suportar durante alguns momentos at 80 A
tenso entre a drenagem e a fonte (Vos) a corrente (10M) de maneira que a durao no seja de tal forma
(Ip) ou a potncia (Ptot) so similares aos dos BJT. que aquea a unio para alm do seu limite (Tj).

Uma caracterstica dos MOSFET , portanto, a Smbolo Parmetro Valor Unidade

tenso entre a porta e a fonte (V GS) que pode ser VOS Voltagem de drenagem-fonte (Vpo = O) 50 V
tanto positiva como negativa, no existindo VDR Voltagem de drenagem-porta (Rpo = 20 KQ 50 V
nenhuma unio com a excepo dos JFET. VGS Voltagem de porta-fonte +20 V
10 Corrente de drenagem (contnua) a Te=25 C 20 A
10M Corrente de drenagem (pulsada) 80 A
Ptot Dissipao total a Te = 25C 80 W
Valores mximos absolutos que podem ser tolerados pelo
Tstg Temperatura de armazenagem -65 to 175 C
BUZ10, dados essenciais que devem ser observados com
ateno em qualquer projeto. Tj Temperatura de unio operacional mxima 175 C

UTILIZAO COMO INTERRUPTOR

Dos dados informados na tabela v-se, por exem- muito importante a tenso do limiar VPO(um)
plo, que existe uma determinada corrente de perda alcanada. O MOSFET, quando se trata de um au-
com o interruptor aberto 1000 que depende bastante mento, comea a conduzir.
da temperatura.
Na conduo plena, a resistncia do
Smbolo Parmetro Condies do teste Min. Tip. Mx. Ud
canal ROS(on) de apenas 0,07 Q, neces-
IDss Corrente de drenagem VDO = Valor Mx. 1 /lA
da voltagem da porta VDO = Valor Mx. 10
sitando-se, no entanto, de 10 V na porta
/lA
zero (VOO= O) Tj = 125C para alcanar esta situao.
IGss Corrente de perda do VDO = 20 V 100 nA
corpo da porta (VOO= O)

VGS(th) Voltagem do limiar da porta VDO = Vpo ID = 1 mA 2.1 3 4 V Dados importantes na utilizao do MOSFETpara
o controle de cargas onjoff, ou seja,
RDs(on) Resistncia ligada da Vpo = 10V ID = 13 A 0.06 0.07 Q
drenagem-origem esttica ligadasj desligadas.

85
 COMPONENTES

Dados dinmicos
Quando o (anal do MOSHT no est totalmente na (ondu~o ou totalmente interrompido,
existem outros dados a serem (onsiderados
Cada uma das curvas da figura indica a corrente do
canal conforme a variao entre a drenagem e a fonte, ~VGS=10V
- -9V
para uma certa tenso da porta: acima de um determi- 8V
nado valor de Vos' a corrente quase constante.

Tambm pode ser lida de outra forma: devido a uma ,-....

7V
v
Voa, por exemplo 20 V, pode-se ver como muda a cor-
rente variando a tenso da porta, ou seja, passando de
uma curva para a outra. 6V -
/
Naturalmente, 20 V e 20 A no podem estar presentes I1
juntos mas sim durante breves instantes: seriam 20 x
20 = 400 W, contra os 80 mximos dissipveis. 5V I-
'/
4V
Caractersticas de do BUZ10; importante recordar que as curvas
indicam apenas valores tpicos, que no esto garantidos.

TEMPOS DE COMUTAO

Um interruptor aberto no dissipa potncia porque no Deve-se observar, em particular, o tempo de atraso na
existe corrente, e um que est fechado no a dissipa abertura td(off): as capacidades internas devem ser
porque no existe tenso: somente nas etapas inter- descarregadas antes do canal poder deixar de con-
mdiarias esto ambas presentes. duzir.

Um MOSFET de potncia deve, portanto, co- Smliolo Parmetro Condies do teste Min. Tip. Mx. Unids
mutar rapidamente: na figura ficam indicados Td(on) Tempo de estar ligado VDD = 30 V ID = 3 A 45 65 nseg
os tempos do BUZ10 quando esto nas melho- 65 95 nseg
T, Tempo de subida RGS = 50 Q VGS= 10 V
res condies.
Td(off) Tempo de atraso no desligado 115 160 nseg
Tempos de comutao: o tempo de subida o do
encerramento e o de descida o da abertura. r, Tempo de descida 80 120 nseg

CAPACIDADE E CARGA

A capacidade parasita mais incmoda a existente

entre a descarga e a porta: na realidade faz retroceder /
o sinal da sada, que se ope s variaes da entrada VDs=40V I
10
(efeito Miller, ver lio 15 de Analgica). 1/
8
/
Os dados indicam que existem algumas capacidades, /
mas normalmente o mais interessante a carga eltri-
ca (em coulombs, que depois um nmero de eltrons) 6
I Carga eltrica
requerida pela porta, que tambm est indicada na
/ que
figura. 4
I proporcionada
Ip=20A porta para
fazer
Esta carga eltrica obtm-se multiplicando tempo e
2
1/ aumentar a
corrente: por exemplo, para deslocar 10 nC (nano-
I sua tenso; a
coulombs) ao longo da curva podem ser enviados 10
o/
parte plana
nA durante um segundo, ou 10 mA durante um micro- devida ao
O 5 10 15 20
segundo. efeito Miller.

86
 Dados da (PROM
Vejamos a folha de dados de uma lPROM tpica, que poder ser apagada
com os ultravioletas e programvel eletricamente
A 27C2001 uma EPROM de 2 megabits, r -1
Vcc Vpp
organizada como 256K x 8, ou seja, 256K
compartimentos de 8 bits (um byte) cada
uma. Normalmente diz-se que de 256 18 8
Kbytes. AO-A17~ ;t::>QO-Q7

o esquema resumido da figura faz sobres-

sair o barramento de endereos (AO-A 17), o M27C2001
barramento de dados (00-07), as alimenta- P
es e as linhas de controle. Estrutura da
E
EPROM: Ehabilita
Os dados indicam-se como bidirecionais, G o chip, G habilita
as sadas e fi
j que durante a programao entram na
serve para
EPROM, embora no trabalho normal seja
programar o
uma ROM e os dados apenas saiam. contedo.

~
importante numa EPROM o tempo necessrio para
ler o contedo de um compartimento (aqui um byte);
a figura mostra que a 27C2001 est disponvel em
verses com diferente velocidade.
desligado das sadas (tDF): se vrias EPROM estive-
rem ligadas ao mesmo barramento, as sadas devem
ser desligadas antes de se ativarem as outras sadas.
M27C2001

Smbolo Alt Parmetro Condio -55 -70 -80 -90 Unids

O tempo de acesso contado a do teste Mln. Mx. Min. Mx. Min. Mx. Min. Mx.
partir da variao dos endereos
(tACC), do chip select G (tCE) ou da
tAVQV tACC Endereo vlido para E = VIL G = VIL 55 70 80 90 nseg
a sada vlida
sada enable E (tOE)' tELQV tcE Chip enable baixo G = VIL 55 70 80 90 nseg
vlida sada vlida
tGLQV tOE Enable de sada baixe E = VIL 30 35 40 40 nseg
importante tambm o tempo de vlida oom sada vlidc
tEHQZ tOF Chip enable alto G = VIL 30 30 30 30 nseg
oom sada Z etta
A 27C2001-55 permite aceder aos dados
tcHQZ tAOF Enable de sada E = VIL 30 30 30 30 nseg
em 55 nano-segundos, a verso mais stto com Z
econmica 90 a mais lenta: 90 nseg.

A figura mostra um ciclo de leitura tpico: nos endere- r

osAO-A17 pe-se o nmero do compartimento deseja- AO-A17_JI'-- JI'-- _

do e tanto o E como o G devem estar baixos (L).

Depois de concretizadas estas condies e os tempos

de acesso para as trs, os dados aparecem nas s~das
go-07. Deve-se observar com ateno pois se o E e o I G
G j estavam ativos anteriormente, os dados estavam
presentes no barramento, mas no eram vlidos. QO-Q7 --{
SADA DE DADOS

Se mudarmos de endereo, um pouco mais tarde os da-

dos j no so vlidos: tirando o E ou o G, as sadas vo
Perodo de leitura: os tempos de acesso so aqui indicados com
para uma alta impedncia (Z), ou seja, ficam abertas.
as siglas mostradas na tabela de cima (coluna da esquerda).

87
 COMPONENTES

ProCJrama~o da (PROM
Os procedimentos de programa~o do contedo diferem de uma marca para a outra
Depois de apagada a EPROM com os raios ul-
travioletas, para que seja possvel escrever da-
Vlido
dos novos o dispositivo programador deve apli-
car uma seqncia exata de sinais, para tempos
QO-Q7 Sada de dados
definidos pelo construtor (ver figura).

Vpp
Normalmente necessria uma tenso relati-
tGLQV tGHQZ
vamente elevada, por exemplo de 12 V, embora
Vcc
alguns chips sejam capazes de produzir inter-
~---'+-tGHAX
namente partindo dos 5 V (ou menos) de ali-
mentao. Depois da programao efetua-se
sempre uma verificao para se ter a certeza
de que cada bit se encontra armazenado de
forma correta: deste fato encarrega-se, natural-
mente, o programador.

Seqncia da programao e verificao de um

:.-- Programao !.. Verificao~:

compartimento (byte) de 27C2001, deve-se a

tenso de Vpp.

FORMAS DE FUNCIONAMENTO
A figura mostra as possveis formas em que se pode Modo E G P A9 Vpp QO-Q7
encontrar o 27C2001, em funo do estado das Leitura VIL VIL X X Vcc o VSS Sada de
dados
linhas de controle: no caso de que, tanto o E como o Inabilitao da sada VIL VIH X X Vcc o Vss Z Alta
G, estejam baixos (VIL' ou seja, L), est em leitura. Entrada de
Programao VIL VIH VIL Pulso X Vpp
dados
Verificao VIH X Vpp Sada de
interessante o estado da leitura da assinatura VIL VIL dados

eletrnica que permite ao programador reconhecer Inibio do programa VIH X X X Vpp Z Alta
o dispositivo que foi inserido na sua base. Baixo consumo VIH X X X Vcc o Vss Z Alta
Assinatura eletrnica VIL VIL VIH VID Vcc Cdigos
Este fato requer a aplicao de 12 V sobre A9 e per-
mite ler os bites (em funo do valor AO) que identi-
ficam, respectivamente, o construtor e o modelo. Formas de funcionamento do 27C2001: por exemplo, se o E
est alto, o chip entra em modo de baixo consumo.

Como todos os circuitos integrados, as EPROM es-

to disponveis em diferentes encapsulamentos,
alguns dos quais muito mais pequenos do que o
clssico dual-in-line (duas filas de contatos).

As verses sem janela (OTP) so mais econmi-

cas mas apenas podem ser programadas uma vez:
so normalmente utilizadas em produo.

Existem tambm minsculas EPROM em encapsu-

lamentos de apenas 8 contatos: endereos e da-
dos entram e saem em srie, ou seja, um bit de-
pois de outro num mesmo fio. Na montagem superficial (SMD) utilizam-se encapsulamentos
muito mais pequenos com uma grande poupana de espao.

88
 APLICAES

o (entro de controle da inje~o

o automvel est (heio de pequenos (omputadores; um dos principais io que (ontrola o motor
No motor de um automvel moderno, a gasolina entra
pelos condutos de aspirao atravs de pequenas
vlvulas controladas por um eletrom denominado
injetor.

o centro de controle da injeo tem por objetivo de-

terminar o momento exato e a durao da injeo, Quando recebe
ou seja, da abertura dos injetores (abertura no sen- corrente, um
tido hidrulico: passa gasolina). injetor deixa
passar a gasolina
Normalmente, o mesmo centro de controle tambm presso,
vaporizando-a no
produz o impulso de ignio que, atravs da bobina,
conduto de
chega s velas (ver a lio 10). aspirao.

MICROPROCESSADOR E PROGRAMA
o centro de controle da injeo um microcomputa- As instrues do programa so escritas numa me-
dor tpico, no qual um microprocessador (CPU) mria ROM: algumas vezes numa EPROM, e fre-
executa as instrues de um programa: descrevem o qentemente numa EEPROM ou flash,que se pode
que se pode fazer em cada situao possvel. programar novamente para permitir atualizaes
sem substituir nenhum fragmento.
Este fato permite evitar o projeto de
um circuito lgico (hardware) comple-
xo e custoso, substituindo este por
um programa (software); o tema
tratado no curso de Digital.

Entradas
e sadas Para o
automvel
o programa do centro de controle,
que diz (S/E)
como se devem comportar, est armazenado
de fbrica numa memria especial.

No centro de controle recebe-se informao dos

sensores atravs de entradas digitais (on/oft) ou
analgicas: estas ltimas convertem-se em digi-
Referncia ~
tais com um ADC (ver a lio 21 de Digital). volante do motor ~ 4
Posio da ,-----, Injetores
vlvula de 7
As sadas que vo para os eletroms dos injeto- borboleta L Centro de ~--r><"l Luz do painel
controle de comandos
res so realmente interruptores de mdia potn-
cia: pode ser utilizado, por exemplo, um MOS- Temperatura f"6(;' ~L-~_-' ~ Bobina
do ar ~ Entradas Sadas ~ de ignio
FET. do motor

As entradas analgicas (continuamente variveis)

convertem-se em digitais com um ADC.
LIO

2
85
 APLICAES

Tabelas, aprendizagem e seguran~a

Muito do trabalho do cfntro df controlf consistf fm simplfs consultas
Para simplificar, supomos que o centro de controle
tem apenas que determinar a durao da abertura ROM
dos injetores de acordo com a posio do acelera-
dor (vlvula de borboleta). Para este fato suficiente
uma tabela em ROM, ou seja, uma srie de dados
em compartimentos sucessivos, como os que se
A fundo
Muito carregado
Pouco carregado
Solto
'-----------',
;I.~!I
1
o
3
Q
apresentam na figura; cada dado representa o tempo Posio Tempo de
do acelerador abertura
durante o qual os injetores devem ficar abertos, de
(endereo) (dado)
forma que a gasolina entre.

A posio do acelerador o ndice da tabela: indica

o dado que se deve escolher. Um centro verdadeiro
de controle contm vrias tabelas, afinadas de uma
forma pormenorizada por projetistas e encarregados Exemplo simplificado da tabela: a posio do acelerador
escolhe o tempo de abertura dos injetores.
dos testes.

APRENDIZAGEM E MEMRIA

Algumas situaes so de difcil codificao: por exemplo a ma-

nuteno do mnimo depende tambm das condies do am-
biente, da idade do motor, dos acessrios ligados (por
exemplo, ar condicionado), etc.

Neste caso, as tabelas no so suficientes: o circuito deve

aprender como na prtica se devem realizar, por
exemplo, mantendo alto o mnimo e depois baixando o
mesmo de uma forma gradual at ver onde pra.

o resultado pode ser armazenado, como referncia,

na memria RAM (com o perigo de se poder perder
caso se retire a pilha) ou no EEPROM ou similares.

Um pequeno passo de cada vez, e chegaremos antes ou depois

conduo totalmente automtica.

DEFEITOS E VALOR PREVIAMENTE DETERMINADO

Os danos mais normais na eletrnica automobilstica Fio Valor previamente

o
so devidos a problemas nos sensores ou dos fios de interlmPido ...-_d_et_er_m,inr
ligao ao centro de controle.
~I--r-: 1l!\'I!J(!,~'>--":="::"'--1I:
Por exemplo, o medidor de temperatura do ar pode se
Senso r de : ,
estragar e indicar um valor ligeiramente incorreto: temperatura ,- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -,
nem por isso o motor deve parar.

O centro de controle adota um valor previamente de-

terminado, ou seja, um valor fixo que se utiliza na au- Se a ligao com o sensor for interrompida, o centro de
sncia do verdadeiro: o motor funcionar mais devagar controle adota um valor razovel para permitir chegar
mas permitir sempre continuar em funcionamento. oficina.

86
 FERRAMENTAS

Limitfs do osciloscpio
Toda a ferramenta tem as suas limita~es; portanto, iimportan (onh Cf-
para que possam ser bem utlljil'lZIClH--;;--
As ferramentas so sempre teis, mas devem ser consi-
deradas pelo que so: ajudas. Em nenhum caso devem
substituir o bom senso. o

Quem acredita cegamente no que as ferramentas indicam

pode terminar tendo uma idia totalmente diferente do que
a realidade, se no levar em conta os limites destes o
,. dispositivos.

o osciloscpio uma das ferramentas mais teis e

importantes, mas tambm aquela que deve ser analisada
o
com mais ateno.
o

Se um osciloscpio chegar at 20 MHz de largura da Uma das conseqncias

banda, este fato significa que os sinais a partir desta deste fato mostrada na figura: uma on-
freqncia viro mais ou menos atenuados. da quadrada de 20 MHz perde os harmnicos (ver
lio de Analgica) e, no mximo, poderia permane-
cer apenas o fundamental, ou seja, uma senoide.

SLJ --. j\J Pelo mesmo motivo, uma frente da onda arredon-

~ --. ~
dada, ao passo que um impulso breve pode ser alar-
gado e enfraquecer, ou mesmo desaparecer total-
mente.

~ --. .r>: A perda dos harmnicos superiores redondeia os sinais:

especialmente no campo digital, este fato pode dar lugar a
erros de avaliao .
~-- -- -,_., ....~ _"" .,.,
" "'"

SINAL E INTERFERNCIA
Freqentemente, a sonda do osciloscpio capta (por
via capacitada ou indutiva) interferncias produzidas
por circuitos muito prximos, especialmente se a pina
da massa for ligada longe do ponto na qual medida.

Algumas vezes suficiente ligar a ponta da sonda

sua prpria massa para ver as interferncias na tela:
temos que contar com elas para que no se confun- Interferncia com
alta freqncia
dam com o sinal que vai ser medido. sobreposta ao
sinal digital

Reciprocamente, a capacidade da sonda ou (menos

comum) a sua resistncia, podem interferir no circui-
to, falsificando a medida ou mesmo alterando o seu Sinal digital com interferncia analgica, por exemplo por uma
funcionamento. ligao errada da massa ou.um forte campo electromagntico.

87
 FERRAMENTAS

Artffatos
(m determinadas condi~es podem aparecer na tela acontecimentos que no existem no circuito
Quando a base de tempos rpida, os diferentes tra- interrupes horizontais ou ondas quadradas que no
os so desenhados alternativamente: em cada pas- tm nada que ver com o circuito que se est medindo.
sagem desenhado apenas um: este o modo alterno.

No entanto, para baixas velocidades, utiliza-se o modo

ligado: o ponto luminoso salta continuamente de um
trao para o outro, produzindo a iluso de que esto
sendo todas desenhadas ao mesmo tempo.
T"01E] Ligado
(exagerado para

Se o modo ligado ficar inserido tambm para velocida-

des mdias ou altas, podem aparecer linhas verticais,

Os dois modos de funcionamento dos osciloscpios de vrios

T"02~ Alternado
~

traos so: um trao de cada vez, ou um pedao para cada um.

OSCILAO AMORTECIDA
No so somente os sinais digitais que empregam um
certo tempo para mudar de estado (ver lio 8 de
Digital), mas tambm porque tendem a ter uma breve
oscilao amortecida logo a seguir a cada transio.

Esta oscilao devida s inevitveis pequenas

indutncias e capacidades constitudas pelas ligaes
do circuito, e em alguns casos pode mesmo criar pro-
blemas, especialmente com os circuitos muito rpidos.

Infelizmente, tambm os fios do osciloscpio, especial-

mente a ligao da massa, causam oscilaes amor-
tecidas: como conseqncia desse fato, resulta algu-
mas vezes complicado distinguir entre o verdadeiro (do Oscilaes amortecidas depois de uma transio num sinal digital ...
circuito) e o da sonda. talvez criado nas ligaes com o osciloscpio que o mede.

OCORRNCIAS INViSVEIS
Trigger Trigger
Pelo contrrio, podem nem sequer aparecer na tela
ocorrncias que se vrificam no circuito, mesmo aque-
las que tm uma determinada importncia, especial-
mente se difcil utiliz-Ias para fazer saltar o sincro- ~
O perodo
nismo.
com a interferncia

<:
permanece fora
Um exemplo aparece na figura: se a ocorrncia se "-~-', da tela
/' I \

I \ I

produzir de dois em dois perodos e na tela se vir uma

delas, existe 50% de probabilidades de que seja vista.
-. - ~; .-/,'

Neste caso basta atrasar a base de tempos de modo

que seja possvel ver dois ou vrios perodos: provavel-
Os perodos pares no so mostrados, pelo que a interferncia
mente poder ser vista a ocorrncia sobreposta ao no aparece na tela: necessrio atrasar a base de tempos.
trao normal, mas menos luminoso.

88
 PROJETOS

Tfrmostato df 12 V
Um dispositivo para regular automaticamente a temperatura
As preocupaes por efeito do ar forte das serras, da altitude, da neve ou
de outras mudanas climticas, so devidas ao fato de bastarem poucos
graus a mais ou a menos para mudar radicalmente a vida na terra.

Sem falar de catstrofes, tambm na vida quotidiana

encontramos numerosas situaes nas quais
necessrio manter constante, nos limites do ~
~;;iiiiiiijii~,~~~
possvel, a temperatura de um objeto ou de
um ambiente.

Citemos por exemplo o sistema de aquecimento

da casa, o frigorfico, o ar condicionado, o aqurio,
o aquecedor de banho, o forno eltrico, o freezer, o
ferro de passar, etc.

~
A palavra termostato indica um ambiente no qual a
temperatura (termo) se mantm constante e, portanto,
no regime esttico (stato), mas o termo utilizado com
freqncia para referir-se ao dispositivo de controle.

o sistema requer um senso r que detecte a temperatu- Sensor Resistncia que

ra (vulgarmente chamado, como j dissemos, o ter- '-+--+-""-------'-t----t--' (reCebea~~~~~te se a
mostato) e um controlador que a faa subir ou descer temperatura for
se estiver fora dos limites indicados. demasiado baixa)

o nosso circuito desenvolve justamente a funo de

sensor, medindo a temperatura e controlando um rel, Num aqurio, quando a temperatura demasiado baixa, o
que dever ser ligado ao dispositivo que desenvolva termostato envia corrente para uma resistncia, que aquece
calor ou frio. a gua.

APLICAES

Diz-se que um dispositivo auto-regulado, como o

que acabamos de descrever, funciona com argola
fechada: controla a temperatura que, por sua vez,
medida entrada.

o termostato eletrnico pode ser utilizado, por

exemplo, para controlar um pequeno ventilador
situado em frente do dissipador de um transistor de
potncia: se aquecer demasiadamente, esfriado. A temperatura
do frigorfico
No entanto, nada impede utilizar o circuito da ar- est regulada
por um
gola aberta, ou seja, como um simples indicador
termostato que
de temperatura, por exemplo para fazer soar um no
alarme caso se detecte algum problema no freezer especialmente
da casa. sofisticado. LI(O

~_ ~22
85
 PROJETOS

Montagfm do drculte
Todos os componentes, com a excepo da sonda tr-
mica, o potencimetro para a configurao e a fonte de
energia de 9 a 12 Vcc. encontram o seu lugar na
pequena placa que se pode ver na figura.
o integrado IC1 (para o qual se pode utilizar um so-
quete) pode estragar-se irremediavelmente se a mon-
tagem estiver ao contrrio.

Como habitual, conveniente montar os com-

ponentes por alturas, tendo muito cuidado com a
correta orientao dos que j so polarizados:
electrolticos, diodos (includo o LED) e o transis-
tor. C
NC
o rel no apresenta problemas, podendo ser NA
montado apenas de uma maneira, ao passo que

- +
Disposio dos componentes na placa do circuito 9/14 V
impresso do termos tato eletrnico.

--------- -~--- LIGAES EXTERNAS

Dois fios vo para a alimentao (braadeiras + e -, aten-
o polaridade), dois para o potencimetro (P1 e P2) e
outros dois para o senso r trmico (rgua S1 e S2).

Na ligao do potencimetro, o pior que pode acontecer

um funcionamento com escala inversa (vira-se o co-
mando para subir a temperatura ou ento baixa-se, ou
vice-versa).

Os contatos do rel, responsvel pelas reduzidas distn-

cias do isolador, no se utilizam para a tenso da rede
(220 VCA); se necessrio, pode-se acrescentar um rel ou
Circuito impresso do termos tato, visto pelo lado das
soldaduras. tele-ruptor externo, que esteja bem isolado.

A temperatura detectada por um resistor " Para evitar a captao de interfe-

sensvel temperatura, ou termistor, cujo 111: 1fJ rncias, se o fio superar os dez
-55 490
valor muda, com valores tpicos, como se -50 515
centmetros, prefervel utilizar fio
-40 567 blindado, ligando a malha da mas-
indica na tabela. -30 624
-20
10
684
747
sa associada ao terminal S2.
Como a resistncia aumenta quando sobe a o 815
10 886
temperatura, ela do tipo PTC (Positive 20 981
25 1000
Temperature Coefficient: coeficiente de tem- 30 1040
40 1122
peratura positivo). 50 1209
60 1299
70 1392
80 1490
Por se tratar de um resisto r, este no tem 90 1591
100 1696
nenhuma polaridade; pode ser montado 110 1805
120 1915
tambm longe do circuito, tendo o cuidado 130 2023 Valores tpicos da resistncia do
140 2124
de no entrar em contato eltrico com ou- 150 2211 termistor PTC utilizado no projeto, para
tros dispositivos. diferentes temperaturas.

86
Para verificar o funcionamento do termostato sufi-
ciente aplicar a alimentao e rodar lentamente o
comando de controle de um extremo para o outro do Ventilador
percurso. de 12 V

Num determinado ponto, dependente da temperatura

do sensor, o rel deve saltar (tem-se visto tambm no
LED); virando o potencimetro levemente no sentido
oposto, este deve voltar para a posio anterior.

Com a ajuda do termmetro, pode-se indicar a tem-

peratura de interveno de uma escala graduada
volta do potencimetro, repetindo o teste com diferen-
tes temperaturas do ambiente. Transistor
Sonda fixa
de potncia
ao dissipador
Uma possvel aplicao: o controle automtico de um pequeno
ventilador de refrigerao.

o dispositivopode ser montado numa pequena caixa se montar internamente a campainha, fazendo uns
ou encapsulamento de plstico, no sendo necess- orifcios para que possa passar o som.
ria nenhuma proteo especial ( parte, como j indi-
camos, sobre o fio do sensor).

o sensor pode estar simplesmente exposto ao ar, se

quisermos medir a temperatura ambiente, ou fix-Io
ao dispositivo que se deseja controlar, por exemplo
Exemplo de uma caixa de
com uma cauda termo-condutora. plstico adequada para o .
termos tato; devero ser feitos
Se o circuito tiver de funcionar simplesmente como na mesma dois furos para o
alarme porque est calor ou frio em demasia, pode- potencimetro e para o LED.

HISTERESE

Se o circuito fosse ativado num ponto exato, bastaria

uma mnima oscilao da temperatura, ou apenas
uma pequena interferncia, para que saltasse conti-
Sada J
nuamente nos dois sentidos. Temperatura
de ativao
ao baixar
Este fato no pode acontecer, porque se lhe acrescen-
tou uma pequena histerese: uma vez que o rel sal-
tou porque a temperatura superou o ponto marcado,
este ltimo desloca-se um pouco mais para baixo.

Deste modo, a temperatura dever diminuir um pou-

Temperatura
co mais para voltar para a posio de repouso (ver fi- de ativao
gura); obtm-se assim uma boa estabilidade, reduzin- aosubir~
do levemente a preciso.
..
A histerese, necessria para a estabilidade, faz com que a ,... ~I Temperatura
temperatura da ativao seja distinta nos dois sentidos: Histerese
existe uma zona vazia no centro.

87
 PROJETOS

Fun(ionam,nto do circulte
o termistor (sonda) forma um divisor com o resistor gunda, a sada est alta: o Q1 conduz e o rel salta.
R1, produzindo nos extre-
mos de C3 uma tenso
+12 V0-...---_-----,
mais alta quanto mais ele-
vada a temperatura na +6 V RLl
LOl
qual se encontra. --
01
C4 ,,
Um segundo divisor, forma- Ri R2
do pelos R2 e R3, este lti-

rn
mo em srie com o poten- 1
cimetro RV1, produz uma R4 Ql
R6
tenso de referncia regu-
R7
ladora variando a posio
do prprio potencimetro. R5 R9 NC NA C
R3
+12 V
o IC1 funciona como com-
+9/14 vcco-- .......
- .......
---- ..
parador, ou seja, compara
(12 V)
as duas tenses: se a pri- +
meira que controlada pela RVl +6 V
7
temperatura inferior se-

Esquema eltrico do
termostato eletrnico.

HISTERESE E ESTABILIDADE

A histerese obtida com uma fraca realimentao
positiva: o R9 faz com que retroceda uma parte da
tenso da sada, deslocando ligeiramente o limiar de
comparao quando se produz uma ligao.
Para assegurar uma alimentao estvel com os divi-
sares da entrada, o IC1 B funciona como alimentador
estabilizado: faz de buffer para a tenso estabilizada
produzida pelo diodo Zener DZ1 .
Os capacitores C3 e C4 tm a funo de anti-interfe-
rncias: formam filtros passa-baixa que evitam liga-
es acidentais; no interferem com as variaes de
temperatura, que so lentas.

LISTA DE COMPONENTES

Resistores (todos de 1/4 W 5%) (4 = capacitor cermico de 220 pF

R1, R6, R7, RlO = resistores de 4,7 KQ (amarelo, violeta, Semicondutores
vermelho) D1 = diodo de silcio 1N4002
R2 = resistncia de S,6 KQ (verde, azul, vermelho) DZ1 = diodo Zener 6,2 V . 1/2 W
R3, R4, RS = resistores de 1 KQ (marrom, preto, vermelho) Q1 = transistor NPN 8(237 ou equivalente
R8 = resistncia de 2,7 KQ (vermelho, violeta, vermelho) le1 = LM3S8
LD1 = diodo LED vermelho de 3 mm
R9 = resistncia de 1 MQ (marrom, preto, verde)
Vrios
RV1 = potencimetro linear de 1 KQ
SONDA = termistor PT( modelo KTY81-110
Condensadores RL1 = rel de 12 V, um contato de intercmbio de 2 A
(1 = capacitor electroltico de 470 IlF 16 V 3 terminais de parafusos de dois postos
(2, (3 = capacitores de polister de 100 nF 1 circuito impresso

88