Universit Mohamed Premier

Facult Pluridisciplinaire
Nador Travaux Pratiques dlectronique analogique

Diodes et applications
I. Premire partie
1. Rappel de cours
La diode est un lment actif comportant deux lectrodes dsignes gnralement par anode et
cathode. La diode PN rsulte de la jonction de deux lments semi-conducteurs gnralement
en silicium (cf.fig. 1). Lun des lments a subit un dopage type P, lautre un dopage type N.
A cause des proprits particulires des semi-conducteurs, la circulation du courant travers
la jonction ne peut seffectuer que dans le sens PN.

Figure 1: Constitution et symbole d'une diode jonction PN.

1.1. Courbe caractristique

En examinant en dtail la relation courant-tension d.une jonction polarise, on constate que le
courant obit la tension applique selon la loi exponentielle suivante :

( ( ) 1) (1)

Le courant Is est appel courant inverse de saturation. Cest la valeur asymptotique du courant
traversant la jonction en polarisation inverse.

VT est la tension thermodynamique qui vaut VT = KT/q 26mV 25C

(q = 1,6 10-19C; K = 1,23 10-23J/K):

m est le coefficient dmission. Il dpend du matriau, voisin de 1 dans les jonctions de

transistors au silicium et dans les diodes au germanium, et compris entre 1 et 2 dans les diodes
au silicium.

La caractristique courant-tension (1) peut tre approxime convenablement par la relation

V
ID IS exp(mVD ) dans le cas o la tension VD excde 100mA.
T

La diode est dite polarise en direct lorsque la tension VD est positive. Dans ce cas, la
croissance exponentielle du courant est fortement marque par la tension de seuil VD0
(cf.fig.2). Pour la jonction au silicium, la tension seuil VD0 stablit environ entre 0,6V et
0,7V.

Pour une tension applique VD < 0, la diode est polarise en inverse. Le courant traversant la
diode de la cathode vers lanode est extrmement faible et crot rapidement avec la
temprature ; il vaut Is. On considre que la diode est bloque.
 Figure 2: Caractristique relle de la jonction PN
Diode
Lorsque la tension inverse |VD| augmente jusqua atteindre une tension |VBR| dite de claquage,
le courant augmente rapidement dans la diode entranant sa destruction.
Diode Zener
Le courant ID est ngligeable tant que |VD| < |VBR| = |VZ| (tension Zener). Au-del, le courant
ID crot trs rapidement et VD = VZ. Pour viter la destruction de la diode Zener, le
constructeur spcifie le courant maximal. |VZ| varie selon le type de la diode entre quelques
volts et plusieurs dizaines de volts.

1.2. Modle lectrique quivalent la diode en direct

a. Modles statiques

Figure 3: Modles de la diode en direct

Diode idale
Si VD < 0, le courant ID = 0.
Si ID > 0; la tension VD = 0.
La diode est quivalente un interrupteur :
A dsigne lanode et K la cathode.

Diode parfaite
Si VD < VD0, le courant ID = 0.
Si ID > 0; la tension VD = VD0.
La diode est quivalente soit un circuit ouvert, soit une source de tension parfaite de f..m
VD0 :
 Diode relle
Si VD < VD0, le courant ID = 0.
Si ID > 0; la tension VD = VD0 + RD.IAK.
La diode est quivalente soit un circuit ouvert, soit une source de tension de f..m VD0 et
de rsistance interne RD :

b. Rsistance dynamique et modle dynamique

Dans quelques applications, on cherche dterminer le comportement en AC du circuit
diodes autour dun point de fonctionnement. On a donc une superposition dun signal DC et
dun signal AC de faible amplitude.

Figure 4: Excitation AC de la diode de faible amplitude autour

Le signal instantan appliqu la diode est :

vD = VDQ + vd vd : composante AC

Le courant dans la diode correspondant scrit :

Il sensuit que :
 m VT
O rd est la rsistance dynamique de la diode dfinie par : = IDQ
En polarisation directe, la diode est quivalente en dynamique au circuit suivant :

Figure 5: Schma quivalent en polarisation directe petit signaux de la diode

c. Modle de la diode zener

Dans le sens direct, cette diode se comporte comme une diode normale, dans le sens inverse la
diode Zener est quivalente une source de tension de f..m VZ et de rsistance interne rz
(cf.fig.6) :

Figure 6: Modle, symbole et caractristique de la diode zener.

II. Deuxime partie

1. Manipulation
1.1. Relev de la caractristique de la diode

Figure 7: Schma pour le relev de la caractristique de la diode

1. Raliser le montage de la figure 7 et relever la caractristique de la diode. Dduire la

tension seuil VD0
 1.2. Redressements mono-alternance et double alternances
2. Raliser le montage suivant :

Figure 8: redressement mono-alternance et filtrage

3. Relever les oscillogrammes pour les 3 diffrentes valeurs du condensateur C,

explications.
4. Dterminer la valeur crte, la valeur moyenne et la valeur efficace pour la forme
donde correspondante C = 0.
5. Dterminer lamplitude des ondulations vr. Comparer ce rsultat avec la valeur
thorique pour les deux cas : C = 1F; C = 2,2F.
6. Reprendre les questions 3, 4 et 5 pour le circuit suivant :

Figure 9: Redressement double-alternances et filtrage

1.2. Diode Zener

a. Relev de caractristique
7. Raliser le montage de la figure suivante et relever la caractristique inverse de la
diode Zener. Dterminer partir du graphique, la tension Zener VZ et la rsistance rz.

Figure 10: Relev de la caractristique inverse de la diode Zener