Infineon FB30R06W1E3 DS v02 01 en de

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FB30R06W1E3
EasyPIMModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC
EasyPIMmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC
VorlufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 600V
IC nom = 30A / ICRM = 60A
TypischeAnwendungen TypicalApplications
Hilfsumrichter AuxiliaryInverters
Klimaanlagen AirConditioning
Motorantriebe MotorDrives
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses
TrenchIGBT3 TrenchIGBT3
VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
NiedrigesVCEsat LowVCEsat
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
Widerstand
KompaktesDesign Compactdesign
Ltverbindungstechnik SolderContactTechnology
Robuste Montage durch integrierte Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23
preparedby:DK dateofpublication:2013-10-29
approvedby:MB revision:2.1 ULapproved(E83335)
1
IGBT-Module
VorlufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25C VCES 600 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80C, Tvj max = 175C IC nom 30 A

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25C, Tvj max = 175C IC 39 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 60 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25C, Tvj max = 175 Ptot 115 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sttigungsspannung IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25C 1,55 2,00 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 125C VCE sat 1,70 V
IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 150C 1,80 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 0,43 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C VGEth 4,9 5,8 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 0,30 C
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25C RGint 0,0
Internalgateresistor
Eingangskapazitt
f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,65 nF
Inputcapacitance
Rckwirkungskapazitt
f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,051 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzgerungszeit,induktiveLast IC = 30 A, VCE = 300 V Tvj = 25C 0,02 s
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = 15 V Tvj = 125C 0,02 s
RGon = 15 Tvj = 150C 0,02 s
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 30 A, VCE = 300 V Tvj = 25C 0,016 s
tr
Risetime,inductiveload VGE = 15 V Tvj = 125C 0,021 s
RGon = 15 Tvj = 150C 0,022 s
Abschaltverzgerungszeit,induktiveLast IC = 30 A, VCE = 300 V Tvj = 25C 0,14 s
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = 15 V Tvj = 125C 0,16 s
RGoff = 15 Tvj = 150C 0,18 s
Fallzeit,induktiveLast IC = 30 A, VCE = 300 V Tvj = 25C 0,045 s
tf
Falltime,inductiveload VGE = 15 V Tvj = 125C 0,06 s
RGoff = 15 Tvj = 150C 0,065 s
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 45 nH Tvj = 25C 0,50 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = 15 V, di/dt = 2100 A/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C Eon 0,65 mJ
RGon = 15 Tvj = 150C 0,75 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 45 nH Tvj = 25C 0,60 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = 15 V, du/dt = 4200 V/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C Eoff 0,75 mJ
RGoff = 15 Tvj = 150C 0,80 mJ
Kurzschluverhalten VGE 15 V, VCC = 360 V tP 8 s, Tvj = 25C 210 A
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE di/dt tP 6 s, Tvj = 150C 150 A
Wrmewiderstand,ChipbisGehuse
proIGBT/perIGBT RthJC 1,15 1,30 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proIGBT/perIGBT
RthCH 1,10 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 C
Temperatureunderswitchingconditions
approvedby:MB revision:2.1
2
IGBT-Module
VorlufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25C VRRM 600 V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF 30 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 60 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C 90,0 As
It
It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C 82,0 As

Durchlassspannung IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25C 1,60 2,00 V
Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 125C VF 1,55 V
IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 150C 1,50 V
Rckstromspitze IF = 30 A, - diF/dt = 2100 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C 44,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 300 V Tvj = 125C IRM 48,0 A
VGE = -15 V Tvj = 150C 49,0 A
Sperrverzgerungsladung IF = 30 A, - diF/dt = 2100 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C 1,30 C
Recoveredcharge VR = 300 V Tvj = 125C Qr 2,30 C
VGE = -15 V Tvj = 150C 2,70 C
AbschaltenergieproPuls IF = 30 A, - diF/dt = 2100 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C 0,35 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 300 V Tvj = 125C Erec 0,55 mJ
VGE = -15 V Tvj = 150C 0,65 mJ
proDiode/perdiode RthJC 1,60 1,75 K/W
Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proDiode/perdiode
RthCH 1,30 K/W
Tvj op -40 150 C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25C VRRM 800 V
Repetitivepeakreversevoltage
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80C IFRMSM 50 A
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
TC = 80C IRMSM 60 A
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StostromGrenzwert tp = 10 ms, Tvj = 25C 450 A
IFSM
Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 150C 360 A
Grenzlastintegral tp = 10 ms, Tvj = 25C 1000 As
It
It-value tp = 10 ms, Tvj = 150C 640 As

Durchlassspannung
Tvj = 150C, IF = 30 A VF 0,95 V
Forwardvoltage
Sperrstrom
Tvj = 150C, VR = 800 V IR 0,10 mA
Reversecurrent
proDiode/perdiode RthJC 0,95 1,05 K/W
Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proDiode/perdiode
RthCH 0,95 K/W
Tvj op C
3
IGBT-Module
VorlufigeDaten
PreliminaryData
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
Nennwiderstand
TC = 25C R25 5,00 k
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100C, R100 = 493 R/R -5 5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25C P25 20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
B-value
AngabengemgltigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Modul/Module
Isolations-Prfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
Isolationtestvoltage
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
Al2O3
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink 11,5
mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 6,3
Luftstrecke Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink 10,0
mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 5,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI > 200
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Modulstreuinduktivitt
LsCE 30 nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlsse-
RCC'+EE' 8,00
Chip TC=25C,proSchalter/perswitch m
RAA'+CC' 4,00
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Tstg -40 125 C
Storagetemperature
Anpresskraft fr mech. Bef. pro Feder
F 20 - 50 N
mountig force per clamp
Gewicht
G 24 g
Weight
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.
4
IGBT-Module
VorlufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150C
60 60
Tvj = 25C VGE = 19 V
54 Tvj = 125C 54 VGE = 17 V
Tvj = 150C VGE = 15 V
VGE = 13 V
48 48 VGE = 11 V
VGE = 9 V
42 42
36 36
IC [A]
IC [A]
30 30
24 24
18 18
12 12
6 6
0 0
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]
bertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=15V,RGon=15,RGoff=15,VCE=300V
60 2,5
Tvj = 25C Eon, Tvj = 125C
54 Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C
Tvj = 150C Eon, Tvj = 150C
Eoff, Tvj = 150C
48 2,0
42
36 1,5
E [mJ]
IC [A]
30
24 1,0
18
12 0,5
0 0,0
5 6 7 8 9 10 11 12 0 10 20 30 40 50 60
VGE [V] IC [A]
5
IGBT-Module
VorlufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWrmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJH=f(t)
VGE=15V,IC=30A,VCE=300V
3,0 10
Eon, Tvj = 125C ZthJH : IGBT
Eoff, Tvj = 125C
Eon, Tvj = 150C
2,5 Eoff, Tvj = 150C
2,0
ZthJH [K/W]
E [mJ]
1,5 1
1,0
0,5
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,1581 0,3892 0,8331 0,8696
i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
0,0 0,1
0 20 40 60 80 100 120 140 160 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [] t [s]
SichererRckwrts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=15V,RGoff=15,Tvj=150C
66 60
IC, Modul Tvj = 25C
60 IC, Chip 54 Tvj = 125C
Tvj = 150C
54
48
48
42
42
36
36
IC [A]
IF [A]
30
30
24
24
18
18
12
12
6 6
0 0
0 200 400 600 800 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VCE [V] VF [V]
6
IGBT-Module
VorlufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=15,VCE=300V IF=30A,VCE=300V
1,0 1,0
Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 125C
0,9 Erec, Tvj = 150C 0,9 Erec, Tvj = 150C
0,8 0,8
0,7 0,7
0,6 0,6
E [mJ]
E [mJ]
0,5 0,5
0,4 0,4
0,3 0,3
0,2 0,2
0,1 0,1
0,0 0,0
0 10 20 30 40 50 60 0 20 40 60 80 100 120 140 160
IF [A] RG []
TransienterWrmewiderstandDiode,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
ZthJIH=f(t) IF=f(VF)
10 60
ZthJH: Diode Tvj = 25C
54 Tvj = 150C
48
42
36
ZthJH [K/W]
IF [A]
1 30
24
18
12
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,2844 0,5998 1,2243 0,7915
i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 6
0,1 0
0,001 0,01 0,1 1 10 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
t [s] VF [V]
7
IGBT-Module
VorlufigeDaten
PreliminaryData
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
10000
R[]
1000
100
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TC [C]
8
IGBT-Module
VorlufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehuseabmessungen/packageoutlines
In fin e o n
9
IGBT-Module
VorlufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfrtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfrIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstndigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfrdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglicheGewhrleistungbernehmen.Eine
solcheGewhrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfrdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsbernommen.DieAngabenindengltigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbentigen,dieberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfrSiezustndigenVertriebsbroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FrInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenknnteunserProduktgesundheitsgefhrdendeSubstanzenenthalten.BeiRckfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfrSiezustndigenVertriebsbroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefhrdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfrdieseFlle
-diegemeinsameDurchfhrungeinesRisiko-undQualittsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualittssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinfhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhngigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlichenderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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