Convertisseur Multiniveaux Dans Les Systemes PV PDF

Rpublique Algrienne Dmocratique et Populaire
Ministre de lEnseignement Suprieur et de la Recherche Scientifique
Universit Mohamed Khider Biskra

Facult des Sciences et de la technologie

Dpartement :Gnie lectrique
:
Ref :
:
Mmoire prsent en vue de lobtention

du diplme de
Magister en : Electrotechnique
Option : Energies renouvelables
Convertisseurs multiniveaux dans les systmes PV

Connects au rseau
Prsent par :
Boucheritte wafa
Soutenu publiquement le
Devant le jury compos de :
Dr. Abdelhamid Benakcha Maitre de Confrences A Prsident Universit de Biskra

Pr. Ammar Moussi Professeur Rapporteur Universit de Biskra
Pr. Achour Betka Professeur Examinateur Universit de Biskra
REMERCIEMENTS
Tout dabord merci au bon dieu le tout puissant, de nous avoir donn la sant.
La force, la patience et la volont pour raliser ce travail dans des meilleures
circonstances et en bon tat.
Ce travail a t ralis au niveau du dpartement de gnie lectrique de

luniversit Mohamed khider de Biskra
MES premiers remerciements sadressent mon directeur de mmoire,

Monsieur MOUSSI AMMAR , professeur luniversit de Biskra qui a bien
voulu me proposer ce thme et maider sa ralisation.
JE remercie galement, Dr. Benakcha Abdelhamid, Maitre de confrences de

luniversit de Biskra davoir accept de prsider le jury de mon mmoire.
Je remercie aussi professeur Betka Achour pour avoir eu lamabilit dtre

examinateur de mon travail.
JE remercie galement, Dr. Rabhi Boualagua et Dr. Terki Amel, qui n'ont pas
cess de m'encourager pour pouvoir mener terme ce travail.
A tous ceux qui ont contribu de prs ou de loin la ralisation de ce travail.

DEDICACE
Je ddie ce travail
Mes chers parents
mes frres et mes surs.
Tous mes collgues et mes amies.
Toutes les personnes qui ont contribu la ralisation de ce travail.

Sommaire
SOMMAIRE
INTRODUCTION GNRALE 1
CHAPITRE I
GENERALITES SUR LES CENTRALES PV
CONNECTE AUX RESEAUX
I.1. Introduction... 3
I.2. Energie solaire ... 3

I.2.1. Rayonnement solaire. 3
I.3. Effet photovoltaque.. 4
I.3.1. Dfinition . 4
I.4. Description des lments d'un systme de captage photovoltaque... 5
I.4.1.Cellule photovoltaque 5
I.4.1.1. Historique.. 5
I.4.1.2. Constitution de la cellule photovoltaque.. 6
I.4.1.3. Caractristique de la cellule photovoltaque. 6
I.4.1.4. Influence de lclairement. 8
I.4.1.4. Influence de la temprature... 11
I.4.2. Gnrateur photovoltaque 11
I.4.2.1.Modlisation du gnrateur photovoltaque.. 12
a. Module photovoltaque. 12
b. Panneau photovoltaque 12
I.5. Classification d'un systme solaire photovoltaque ...... 13
I.5.1. Systme autonome..... 13
I.5.2. Systme Hybride... 14
I.5.3. Systme raccords au rseau. 14
I.6. Avantage et inconvnients d'une installation PV... 16
I.7. Conclusion......... 17
Sommaire
CHAPITRE II
CONVERTISSEURS DE PUISSANCE
II.1. Introduction.. 19
II.2. Convertisseur DC/DC pour les systmes d'nergie solaire.. 19

II.2.1. Hacheur dvolteur (srie) 20
II.2.2.Hacheur survolteur (ou parallle) 20
II.2.3.Hacheur dvolteur - survolteur (srieparallle). 21
II.3.Techniques dMPPT. 21
II.3.1.Technique MPPT tension constante... 23

II.4. Convertisseur multiniveau. 27
II.4. 1.Redresseurs multiniveaux ... 27
II.4.1.1.Structure gnrale d'un redresseur trois niveaux. 27

II.4.2.Diffrents topologie des onduleurs multiniveaux 28
1. Onduleur de tension a diode de bouclage.. 28
2. Onduleur de tension a condensateur Flottant. 30
3. Onduleur de tension en cascade 31
II.5.Diffrent stratgie de commande des convertisseurs multiniveaux... 32

II.5.1. Classification des stratgies de modulation.. 33
II.5.1.1. Commande par modulation de largeur dimpulsions. 33
a. Modulation sinusodale classique .. 33
b. Modulation sinusodal triangles multiples 34
c. modulation sinusodale modifie. 34
II.5.1.2. Modulation vectorielle 34
II.5.1.3. Elimination dHarmoniques slective 35
II.6. Conclusion..... 35
Sommaire
CHAPITRE III
ONDULEUR DE TENSION MULTINIVEAUX
DE TYPE NPC
III.1. Introduction 37
III.2. Onduleurs trois niveaux type NPC..... 37

III.2.1. Principe de fonctionnement.. 37
III.3. Onduleurs cinq niveaux type NPC... .. 39
II.3.1. Principe de fonctionnement . 40
III.4. Les techniques de modulation... 41
III.4.1. Commande triangulo-sinusodal n porteuses 41
III.5. Conclusion. 44
CHAPITRE IV
SIMULATION DU GENERATEUR PV CONNECTE
AU RESAU ET INTERPRETATION DES RESULTATS
IV.1. Introduction.............. 46
IV.2. Simulation le gnrateur photovoltaque GPV 46

IV.2.1. Module photovoltaque .. 46
IV.3. simulation de londuleur trois niveaux..................................................... 48
IV.3.1. Commande par modulation a doubles triangles . 49
IV.3.2. Interprtation des rsultats.. 53
IV.4. Simulation de londuleur cinq niveaux.......................................................... 54
IV.4.1. Commande par la modulation multi-triangles ... 55
IV.4.2. Interprtation des rsultats.. 59
IV.5.Simulation de l'onduleur cinq niveaux dans le systme PV connect au
rseau ... 60
1. Gnrateur photovoltaque. 60
2. Convertisseur Dvolteur (DC/DC).. 61
3. Convertisseur (DC/AC)... 61
Sommaire
4. Le Filtre LC. 61
5. Boucle de rgulation de la tension de sortie 61
6. Interprtation des rsultats... 65
IV.6. Conclusion. 66
CONCLUSION GNRALE........ 68
BIBLIOGRAPHIE
Liste des figures
Liste des figures
Figure 1.1 Composante du rayonnement global sur un plan horizontal 4

Figure 1.2 Spectre du rayonnement solaire... 5
Figure 1.3 Schma d'une cellule lmentaire 6
Figure 1.4 Schma quivalent dune cellule photovoltaque. 7
Figure 1.5 Courbe courant-tension spcifique chaque Type de cellule.. 7
Figure 1.6 Caractristique courant-tension dune cellule en fonction de lclairement 9
Figure 1.7 Caractristique puissance-tension dune cellule en fonction de lclairement 9
Figure 1.8 Caractristique courant-tension dune cellule en fonction de la temprature.. 10
Figure 1.9 Caractristique puissance-tension dune cellule en fonction de la temprature... 10
Figure 1.10 Structure d'un gnrateur photovoltaque. 11
Figure 1.11 Exemple de la structure d'un systme PV autonome... 13
Figure 1.12 Schma des installations photovoltaques couples au rseau. 15
Figure 2.1 Schmas de principe dun hacheur srie.. 20
Figure 2.2 Schmas de principe dun hacheur parallle 20
Figure 2.3 Schmas de principe dun hacheur srie-parallle... 21
Figure 2.4 Commande MPPT 22
Figure 2.5 Rpartition de la caractristique selon le fonctionnement du hacheur utilis.. 22
Figure 2.6 MPPT sans compensation de temprature... 25
Figure 2.7 MPPT avec compensation de temprature... 25
Figure 2.8 Zone de fonctionnement puissance maximale... 26
Figure 2.9 Rapport entre Vop et Voc en fonction de lclairement. 26
Figure 2.10 La tension Vop en fonction de temprature.. 26
Figure 2.11 Structure gnrale d'un redresseur de courant trois niveaux MLI... 27
Figure 2.12 Topologies donduleurs NPC.. 28
Figure 2.13 Topologies donduleurs NPC condensateur Flottant. 30
Figure 2.14 Structure d'un onduleur multiniveaux en cascade cinq niveaux 31
Figure 3.1 Schma dune branche donduleur NPC 3 niveaux... 37
Figure 3.2 Formes dondes dun bras donduleur triphas trois niveaux de type NPC... 38
Figure 3.3 Structure triphas d'un onduleur cinq niveaux. 39
Figure 3.4 Formes dondes dun bras donduleur triphas cinq niveaux de type NPC... 41
Figure 3.5 Schma dun modulateur multiniveaux avec un ensemble de porteuses.. 42
Figure 3.6 principe de la MLI double triangle 42
Liste des figures
Figure 3.7 Tension simple Va de sortie de l'onduleur trois niveaux MLI double
triangle 43
Figure 3.8 principe de la MLI triangle multiple... 43
Figure 3.9 Tension simple Va de sortie de l'onduleur cinq niveaux. 44
Figure 4.1 Block du module STP 17OS-24/Ab-1 dans SIMULINK 47
Figure 4.2 a) Courbe I(V) du module, b) Courbe P(V) du module 47
Figure 4.3 Circuit de l'onduleur de tension trois niveaux 48
Figure 4.4 Circuit de l'onduleur de tension trois niveaux dans le systme photovoltaque 49
Figure 4.5 Signaux de rfrences avec deux porteuses en phase ma=0.2... 50
Figure 4.6 Tension simple de sortie de l'onduleur VA 50
Figure 4.7 Tension VA et spectre correspondant pour mf=2250HZ 51
Figure 4.8 Tension VA et spectre correspondant pour mf=10KHZ 52
Figure 4.9 Circuit de l'onduleur de tension cinq niveaux. 54
Figure 4.10 Circuit de l'onduleur de tension cinq niveaux coupl au systme photovoltaque... 55
Figure 4.11 Signal de rfrence avec quatre porteuses en phase ma=0.2. 56
Figure 4.12 La tension simple de sortie de l'onduleur VA 56
Figure 4.13 Tension VA et spectre correspondant pour mf=2250HZ .. 57
Figure 4.14 Tension VA et spectre correspondant pour mf=10KHZ ... 58
Figure 4.15 Taux de distorsion dharmonique total en fonction de ma et mf 59
Figure 4.16 L'onduleur cinq niveaux dans les systmes PV connect au rseau.. 60
Figure 4.17 La variation de lclairement. 62
Figure 4.18 La tension du gnrateur PV et la tension optimise en fonction de la variation de
l'clairement 62
Figure 4.19 Point de fonctionnement optimal sur la courbe courante tension en fonction de la
variation de l'clairement 63
Figure 4.20 Signal de rfrence avec quatre porteuses en phase... 63

Figure 4.21 La tension de sortie simple VA de l'onduleur. 64
Figure 4.22 La tension de sortie simple VA de l'onduleur aprs le filtre.. 64
Figure 4.23 Spectre de la tension VA de l'onduleur cinq niveaux.. 65
Liste de symbole
Liste de symbole
A Le facteur d'idalit de la jonction
Aref Amplitude du signal de rfrence
Ap Amplitude du signal de la porteuse
C la vitesse de la lumire
C Condensateur de filtre
Eph quantit d'nergie (ev)

Em Eclairement moyenne (W/m2)
E La tension continue d'entre de l`onduleur
FF Facteur de forme
fm Frquence du signal de rfrence
Fp Frquence du signal de la porteuse
G L'clairement (W/m2)
Gn L'clairement nominal (1000W/m 2)
h la constant de planck (6,62 10 -34 j.s )
I Courant de la cellule photovoltaque
Iph Le photo-courant (A)
Id Courant de diode (A)
Ig Courant du gnrateur
Icc Courant de court circuit (A)
I0,n Le courant de saturation nominal (A)
Isc,n Le courant de court circuit nominal (A)
I0 Le courant de diode de saturation (A)
K Constant de boltzman1.38 10 -23 J K
KI Le coefficient de courant en fonction de temprature A/ C
Kv Le coefficient de tension en fonction de temprature V/C
L Inductance de filtre
ma Le taux de modulation d`amplitude
mf Taux de modulation de frquence

Liste de symbole
n Le nombre de cellule
Ns Le nombre de module en srie

Np Le nombre de module en parallle
N Le nombre de niveau de tension de sortie
Pm Puissance maximale(W)
q La charge lectrique 1.6 10 -19(C)
RS Rsistance srie de la cellule
Rsh Rsistance parallle de la cellule

Rse, Rpe Rsistance srie et parallle du module
r Coefficient de rglage de MLI entre 0 et 1
Sx,y Interrupteur statique

T Temprature de la cellule (c)
Tc Temprature de la cellule (c)
Tn Temprature nominal (298K)
TUC Temprature d'utilisation de la cellule (c)
Uc Tension sur le bus continu du redresseur
V Tension aux bornes de la jonction

Voc La tension du circuit ouvert (V)
Vg La tension du gnrateur
Voc,n La tension de circuit ouvert nominal (V)
Vt La tension thermique
V1 La valeur efficace de la fondamental de la tension alternative
Vref La tension de signal de rfrence
Vp La tension de signal de porteuse
w Pulsation
La longueur d'onde
Le dphasage entre le courant absorb par le redresseur et la tension
T La variation de temprature (C)

Introduction gnrale
Introduction gnrale
La production d'nergie est un dfi de grande importance pour les annes venir. En effet, les
besoins nergtiques des socits industrialises ne cessent daugmenter. Par ailleurs, les pays en
voie de dveloppement auront besoin de plus en plus dnergie pour mener bien leur
dveloppement. De nos jours, une grande partie de la production mondiale dnergie est assure
partir de sources fossiles. La consommation de ces sources donne lieu des missions de gaz
effet de serre et donc une augmentation de la pollution. Le danger supplmentaire est quune
consommation excessive du stock de ressources naturelles rduit les rserves de ce type
dnergie de faon dangereuse pour les gnrations futures.
Par nergie renouvelable, on entend des nergies issues du soleil, du vent, de la chaleur de la
terre, de leau ou encore de la biomasse. A la diffrence des nergies fossiles, les nergies
renouvelables sont des nergies ressource illimite. Les nergies renouvelables regroupent un
certain nombre de filires technologiques selon la source dnergie valorise et lnergie utile
obtenue.
L'exploitation directe de l'nergie solaire au moyen des capteurs relve de deux technologies
bien distinctes : l'une produit des calories, c'est l'nergie solaire thermique, et l'autre produit de
l'lectricit, et c'est cette dernire nergie solaire photovoltaque qui fait l'objet de ce mmoire.
A travers l'effet photovoltaque, l'nergie fournit est trs variable et est toujours en courant
continu: il faut souvent la stocker et parfois la transformer. Les systme photovoltaques peuvent
tre diviss en deux catgories:, les systmes autonomes et les systmes hybrides connect au
rseau. Lassociation des centrales PV connectes au rseau lectrique se fait laide dun
convertisseur Courant Continu/Courant Alternatif (CC/CA).
Durant ces dernires annes, la technologie des convertisseurs de puissance a connues un

dveloppement fabuleux grce au dveloppent des technologies des semi-conducteurs et des
techniques numriques. Le dveloppent est assur que ce soit sur le volet architecture que
capacit de conversion. A nos jours, on vit la naissance de nouveaux convertisseurs de puissance
dit multiniveaux qui sont utiliss principalement pour lalimentation frquence variable des
machines alternatives de forte puissance. Le dveloppent dans le domaine nergtique a pouss
lintgration de ces dernier dans les rseaux de transport dnergie.
1
Introduction gnrale
Dans la littrature, plusieurs structures de ces convertisseurs multiniveaux ont t proposes.

On peut citer : les onduleurs multiniveaux cellules imbriques, les onduleurs multiniveaux
diodes flottantes et ceux structure NPC. Dans le cadre de notre travail, nous traitons lune des
structure les plus recommandes dite onduleur de tension trois et cinq niveaux structure
NPC (Neutral Point Clamping) qui sera utilis pour injecter lnergie lectrique issue dune
source PV vers le rseau de distribution. Cette topologie permet de gnrer une tension la plus
sinusodale que possible et damliorer le taux dharmoniques grce au nombre lev des
niveaux de tension offert par la structure de ce convertisseur.
Cette thse comporte quatre chapitres :
Dans le premier chapitre, les diffrents systmes photovoltaques sont exposs. De plus, une
description gnrale sur les lments d'un systme de captage photovoltaque et la modlisation
du module et gnrateur photovoltaque est prsente.
Dand le deuxime chapitre, les diffrentes topologies d'onduleur multi-niveaux ainsi que les
diffrentes stratgies de commande utilises sont illustre.
Dans le troisime chapitre on a prsent une tude thorique sur les onduleurs de type NPC
trois et cinq niveau et leurs stratgie de commande MLI n porteuse.
Le quatrime chapitre est consacr la simulation de l'onduleur multi-niveaux intgr dans un
systme photovoltaque. Les rsultats de simulation sont prsent ainsi que l'analyse spectrale
pour la commande utilis.
Finalement, nous terminerons ce mmoire par une conclusion gnrale qui rsume notre tude
dans sa partie thorique et de simulation.
2
Chapitre I Gnralits sur les centrales PV connect au rseau
I.1. Introduction
Cette premire partie rsume les concepts de base de l'nergie solaire et de la production
d'lectricit grce leffet photovoltaque. Les principaux lments du systme photovoltaque sont
tudis et un aperue gnrale sur les diffrents types des systmes photovoltaques est effectu.
I.2. Energie solaire
L'nergie solaire photovoltaque convertit directement le rayonnement lumineux (solaire ou

autre) en lectricit.
I.2.1 Rayonnement solaire :
Le rayonnement solaire est la matire premire de lnergie solaire. Cest une propagation
dune onde de longueur qui varie entre 0.2et 4.10 -6 m .Sans la ncessite dun support physique pour
se dplacer, il arrive au sol aprs la perte dune grande partie de son intensit, cause dune partie
de lultraviolet, qui sabsorbent.
Le rayonnement direct est reu directement du Soleil, sans diffusion par l'atmosphre. Ses
rayons sont parallles entre eux, il forme donc des ombres et peut tre concentr par des miroirs. Il
peut tre mesur par un pyrhliomtre.
Le rayonnement diffus est constitu par la lumire diffuse par l'atmosphre (air,
nbulosit, arosols).la diffusion est le phnomne qui rpartit un faisceau parallle en une
multitude de faisceaux partant dans toutes les directions. Dans le ciel, ce sont la fois les
molcules d'air, les gouttelettes d'eau (nuages) et les poussires qui produisent cet
clatement des rayons du soleil. Cela dpend donc avant tout des conditions
mtorologiques.
Le rayonnement solaire rflchi ou lalbdo du sol est le rayonnement qui est rflchi par
le sol ou par des objets se trouvant sa surface. Cet albdo peut tre important lorsque le sol
est particulirement rflchissant (eau, neige).
Le rayonnement global est la somme de tous les rayonnements reus, y compris le
rayonnement rflchi par le sol et les objets qui se trouvent sa surface. Il est mesur par un
pyranomtre ou un solarimtre sans cran.
Les stations mtorologiques gnralement mesurer le rayonnement global horizontal par un

Pyranomtre plac horizontalement l'endroit requis. [1,2]
3
Figure (1.1) : Composante du rayonnement global

sur un plan horizontal
I.3.Effet photovoltaque
I.3.1.Dfinition
Il a t dmontr que le rayonnement solaire est constitu de photons transportant chacun

une nergie Eph qui rpond, elle-mme, la relation suivante [3]:
Eph = h *(c/) (1.1)
D'aprs la relation (1.1), on voit que cette nergie est inversement proportionnelle la
longueur d'onde. Le flux d'nergie solaire est alors transmis sous forme de rayonnements
lectromagntiques dont les longueurs d'onde sont assez diffrentes du corps noir dans l'espace,
mais encore plus sur la terre ainsi que le montre la Figure (1.2), [4]. Il est remarquer que le spectre
de l'nergie solaire en atmosphre terrestre est dcal vers le rouge et l'infrarouge par rapport au
spectre hors atmosphre.
4
Figure (1.2) : Spectre du rayonnement solaire
I.4. Description des lments d'un systme de captage photovoltaque

I.4.1.Cellule photovoltaque
I.4.1.1.Historique
IL est important de citer les dates les plus importantes dans lhistoire du photovoltaque qui not:
1839 : Le physicien franais Edmond Becquerel dcouvre le processus de lutilisation de

lensoleillement pour produire du courant lectrique dans un matriau solide. Cest leffet
photovoltaque.
1875 : Werner Von Siemens expose devant lAcadmie des Sciences de Berlin un article sur leffet
photovoltaque dans les semi-conducteurs. Mais jusqu la Seconde Guerre Mondiale, le
phnomne reste encore une curiosit de laboratoire.
1954 : Trois chercheurs amricains, Chapin, Pearson et Prince, mettent au point une cellule
photovoltaque haut rendement au moment o lindustrie spatiale naissante cherche des
solutions nouvelles pour alimenter ses satellites.
1958 : Une cellule avec un rendement de 9 % est mise au point. Les premiers satellites aliments
par des cellules solaires sont envoys dans lespace.
1973 : La premire maison alimente par des cellules photovoltaques est construite LUniversit
de Delaware.
1983 : La premire voiture alimente par nergie photovoltaque parcourt une distance de 4 000 km
en Australie.
5
I.4.1.2. Constitution de la cellule photovoltaque

Une cellule photovoltaque est assimilable une diode photosensible. Son fonctionnement
est bas sur les proprits des matriaux semi-conducteurs.
Une cellule est constitue de deux couches minces d'un semi-conducteur qui sont dopes
diffremment, Figure (1.3). Pour la couche N, c'est un apport d'lectrons priphriques et pour la
couche P c'est un dficit d'lectrons, les deux couches prsent ainsi une diffrence de potentiel.
L'nergie des photons lumineux capts par les lectrons priphriques
(couche N) leur permet de franchir la barrire de potentiel et d'engendrer un courant lectrique
continu.
Pour effectuer la collecte de ce courant, des lectrodes sont dposes par srigraphie sur les deux
couches du semi-conducteur. L'lectrode suprieure est une grille permettant le passage des rayons
lumineux. Une couche anti reflet est ensuite dpose sur cette lectrode afin d'accrotre la quantit
de lumire absorbe. [5,6]
Figure (1.3) : Schma d'une cellule lmentaire
I.4.1.3.Caractristique de la cellule photovoltaque

Le schma quivalent dune cellule est illustr dans la figure (1.4). La caractristiques courant-
tension est prsent dans la figure (1.5) :
6
Figure (1.4):Schma quivalent dune cellule photovoltaque
Pour la cellule idale :

Iout = Iph Id o (1.2)
Id=I0exp (q Vout/ A K T) (1.3)
Une cellule photovoltaque est dfinie par sa courbe caractristique lectrique (courant-
tension). Elle indique la variation du courant quelle produit en fonction de la tension aux bornes de
la cellule depuis le court-circuit jusquau circuit ouvert.
0.8
courant(A)
0.6
0.4
0.2
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
tension(v)
Figure (1.5) : Courbe courant-tension spcifique chaque

Type de cellule.
7
Daprs les caractristiques courant-tension, il est possible de dduire dautres paramtres

lectriques spcifiques chaque cellule :
le courant de court-circuit (Icc) correspondant au courant dbit par la cellule quand la

tension ses bornes est nulle (en pratique, ce courant est trs proche du photo-courant Iph).
la tension du circuit (Vco) correspondant la tension qui apparat aux bornes de la cellule
quand le courant dbit est nul.
Entre ces deux valeurs, il existe un optimum donnant la plus grande puissance Pm ou puissance
crte caractrisant la performance de la cellule.
Le facteur de forme FF indique le degr didalit de la caractristique correspondant au rapport
suivant :
(1.4)
Avec :
Pm : puissance maximale mesure dans les conditions de rfrence (STC : Standard Test Condition),
cest--dire sous lensoleillement de 1000 W/m2, la temprature de 25 C sous un spectre AM 1,5.
La figure (1.5) est tablie dans des conditions de fonctionnement donnes (ensoleillement,
temprature la surface de la cellule, etc.) et varie selon le type de cellule. Par exemple, une cellule
en silicium amorphe a une tension plus leve quune cellule en silicium cristallin mais son courant
est nettement plus faible, en raison de sa faible collecte et de sa faible paisseur.
I.4.1.4. Influence de lclairement
Lnergie lectrique produite par une cellule dpend de lclairement quelle reoit sur sa
surface. La figure (1.6) reprsente la caractristique courant-tension dune cellule en fonction de
lclairement, une temprature et une vitesse de circulation de lair ambiant constantes :
Le courant est directement proportionnel au rayonnement, contrairement la tension qui ne varie

que trs peu en fonction de lclairement figure (1.6).
8
200W/m2
400W/m2
1 600W/m2
800W/m2
1000W/m2
0.8
courant(A)
0.6
0.4
0.2
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
tension(v)
Figure (1.6): Caractristique courant-tension dune cellule en fonction

de lclairement.
200W/m2
400W/m2
0.5 600W/m2
800W/m2
1000W/m2
0.4
puissance(W)
0.3
0.2
0.1
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
tension(V)
Figure (1.7): Caractristique puissance-tension dune cellule en fonction

de lclairement.
9
Figure (1.8): Caractristique courant-tension dune cellule en fonction

de la temprature.
10C
25C
0.5 40C
60C
75C
0.4
puissance(W)
0.3
0.2
0.1
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
tension(V)
Figure (1.9) : Caractristique puissance-tension dune cellule en fonction

de la temprature.
01
I.4.1.5.Influence de la temprature
Linfluence de la temprature est importante et a des consquences pour la conception des
panneaux et des systmes photovoltaques.
La temprature est un paramtre essentiel puisque les cellules sont exposes aux rayonnements
solaires, susceptibles de les chauffer. De plus, une partie du rayonnement absorb nest pas
convertie en nergie lectrique, il se dissipe sous forme de chaleur ; cest pourquoi la temprature
de la cellule (Tc) est toujours plus leve que la temprature ambiante (Ta).
(1.5)
La figure (1.8), montre que la tension dune cellule baisse fortement avec la temprature. Plus la
temprature augmente et moins la cellule est performante. En revanche, le courant augmente
lgrement en intensit : cette augmentation reste nanmoins ngligeable au point de puissance
maximale. [7]
I.4.2. Gnrateur photovoltaque
La puissance disponible aux bornes dune cellule est trs faible. Il est donc ncessaire
dassocier en srie et en parallle de telles cellules pour obtenir des modules de puissance
compatible avec le matriel usuel. Les modules sont ensuite connects en srie pour former une
chaine. Enfin, les chaines sont connect en parallle pour former un gnrateur photovoltaque .le
nombre de modules dans chaque chaine est spcifie selon le besoin du niveau de tension du
gnrateur. [8,32]
Figure (1.10) : Structure d'un gnrateur photovoltaque
00
I.4.2.1 Modlisation du gnrateur photovoltaque :

a- Module photovoltaque [33]
Le modle utilis pour simuler les performances du module PV (groupement de cellules en srie)
est dduit du modle de la caractristique dune cellule solaire par lquation suivante :
(1.6)
Avec I' : le courant dbit par le module photovoltaque.

Et Rse et Rpe rsistances srie et parallle du module dfinie par Rse = n Rs et Rpe = n Rsh
b- Panneau photovoltaque
La modlisation dun panneau compos de" Ns" modules en srie et "Np " modules en parallle est
donne par lquation :
(1.7)
Avec Rse et Rpe rsistance srie et parallle du module dfini par :
et
(1.8)
Le courant photovoltaque gnr dans les conditions nominal (T=25C et G=1000W/m2
(1.9)
Le courant de diode de saturation I0 dpende de la temprature par lquation suivante:
(1.10)
Eg =1.12ev pour le polycrystallaine et la temprature trouve la valeur T= 25C
(1.11)
01
(1.12)
I.5. Classification dun systme solaire photovoltaque :

Les systmes photovoltaques sont actuellement diviss en deux grandes catgories:
Les systmes autonomes et les systmes coupls au rseau. [13]
I.5.1. Systme autonome
Le rle des systmes autonomes est d'alimenter un ou plusieurs consommateurs situs dans Une
zone isole du rseau lectrique. Comme on le remarque sur la Figure 1.11 qui reprsente l'exemple
d'un systme PV autonome, un systme de stockage est associ aux gnrateurs PV pour assurer
l'alimentation chaque instant et pendant plusieurs jours malgr l'intermittence de La production.
Ce systme de stockage reprsente une part trs importante du cot de l'installation, et ces
conditions de fonctionnement sont trs contraignantes. Par consquent, des systmes de gestion de
l'nergie ont t dvelopp afin d'optimiser la dure de vie du systme de stockage et de rduire les
cots de fonctionnement. [9]
Figure (1.11) : Exemple de la structure d'un systme PV autonome
03
I.5.2. Systme hybride
Pour de trs nombreuses applications dintrt sensible et stratgique comme les relais de
tlcommunication, les postes frontaliers, lhabitat isol, les dispensaires, etc., hors rseau
dlectricit conventionnelle, la disponibilit permanente de la source primaire dnergie est vitale
et conditionne dans une trs large mesure, la fiabilit des installations et leur fonctionnement
permanent.
Les solutions technologiques classiques apportes par le stockage lectrochimique

conventionnel sont onreuses, limites techniquement en puissance et restreintes en capacit.
Les solutions apportes par les groupes lectrognes, de part la ncessit dapprovisionnement en
carburant et celle de leur maintenance, prsentent des inconvnients lis au bruit, la pollution et sur
tout leur mauvais rendement charge partielle. Les nouvelles solutions technologique sa apportes
par les systmes hybrides, mme si elles ne sont pas encore conomique comptitives, offrent par
contre une sret leve. Toutefois, la vue de la ncessit du dveloppement durable, ces
solutions, avec lappui de la volont publique, peuvent tre conomiquement viables, moyen et
long terme.
I.5.3. systme raccords au rseau
Les systmes photovoltaque est coupl directement au rseau lectrique laide dun
convertisseur Courant Continu/Courant Alternatif (CC-CA). tant donn que lnergie est
normalement emmagasine dans le rseau mme. La figure (1.12) montre les deux types
dinstallations existantes pour linjection de la production solaire:[11]
Injection de la totalit de la production: Lnergie produite par les modules est

directement injecte sur le rseau lectrique. Les priodes dinjections sur le rseau
correspondent aux priodes de production photovoltaque.
Injection du surplus de production: Lnergie produite par les modules est directement
consomme sur place par les charges. Lventuel surplus de production par rapport la
consommation instantane est inject sur le rseau.
04
a : Injection de la totalit de la production
b : Injection du surplus de production
Figure (1.12): Schma des installations photovoltaques couples au rseau
Les installations photovoltaques couples au rseau ont cependant deux inconvnients majeurs:
lintermittence de la production dnergie solaire ne permet pas le contrle des

priodes dinjections.
le dphasage entre la production et la consommation rduit la notion dautonomie
nergtique personnelle.
05
I.6. Avantages et inconvnients dune installation PV

Avantages
Dabord, une haute fiabilit. Linstallation ne comporte pas de pices mobiles qui la
rendent particulirement approprie aux rgions isoles. Cest la raison de son utilisation
sur les engins spatiaux.
Ensuite, le caractre modulaire des panneaux photovoltaques permet un montage simple et
adaptable des besoins nergtiques divers. Les systmes peuvent tre dimensionns pour
des applications de puissances allant du milliwatt au Mgawatt.
le cot de fonctionnement est trs faible vu les entretiens rduits et il ne ncessite ni
combustible, ni son transport, ni personnel hautement spcialis.
la technologie photovoltaque prsente des qualits sur le plan cologique car le produit
fini est non polluant, silencieux et nentrane aucune perturbation du milieu, sic nest par
loccupation de lespace pour les installations de grandes dimensions.
Inconvnients
la fabrication du module photovoltaque relve de la haute technologie et requiert des

investissements dun cot lev.
le rendement rel de conversion dun module est faible, de lordre de 10-15 %, avec une
limite thorique pour une cellule de 28%. Les gnrateurs photovoltaques ne sont
comptitifs par rapport aux gnrateurs diesel que pour les faibles demandes dnergie en
rgions isoles.
le faible rendement des panneaux photovoltaques sexplique par le fonctionnement mme
des cellules. Pour arriver dplacer un lectron, il faut que lnergie du rayonnement soit
au moins gale 1 eV. Tous les rayons incidents ayant une nergie plus faible ne seront
donc pas transforms en lectricit. De mme, les rayons lumineux dont lnergie est
suprieure 1 eV perdront cette nergie, le reste sera dissip sous forme de chaleur.
tributaire des conditions mtorologiques.
lorsque le stockage de lnergie lectrique sous forme chimique (batterie) est ncessaire, le
cot du gnrateur est accru.
le stockage de lnergie lectrique pose encore de nombreux problmes. [12 ,13]
06
I.7.conclusion
Ce chapitre nous a permis de donner un aperu gnral sur les systmes photovoltaques.
Dans la premire partie un petit rappel sur la description des lments d'un systme photovoltaques
est prsent. La seconde partie du chapitre est consacre la classification des systmes solaire
photovoltaques ainsi que leurs avantages et inconvnients. Pour notre travail on propose dtudier
la deuxime variante du systme inject au rseau.
07
Chapitre IIConvertisseurs de Puissance
II.1.Introduction
Selon leurs applications, les convertisseurs de puissance peuvent tre choisie en
configuration et en dimensionnement dans une diversit apparente qui stend jours aprsjours.Dans
le contexte de ce travail, et comme la source initiale est continue et lnergieacquise sera inject au
rseau alternatif ; nous aurions besoin dune conversion DC/AC.
Pour assurer une utilisation optimal de notre systme, lun doit maximiser la puissance PV
convertie en utilisant lune des technique MPPT bien connue [35,36].Dans le systme tudi, on a
opt pour une variante simple dans laquelle lMPPT est assure par un premierconvertisseurs
DC/DC et la commande dinjection dnergie au rseau est assure par un deuxime convertisseur
DC/AC ou on a opt pour le convertisseur multi-niveau.Biensre, ces deux fonctions peuvent tre
intgres, ce qui est nest pas le but de notre prsente tude.
Alors, dans ce mmoire, une synthse des principales topologies desconvertisseursDC/DC

(Hacheurs ddi lMPPT) et DC/AC (redresseur/onduleur)etexpose tout en prsentant leurs
structures, principe de fonctionnement et citation de quelques avantages et inconvnients.
II.2. Convertisseur DC/DCpour les systmes d'nergie solaire

Un hacheur peut tre ralis l'aide d'interrupteur lectronique commandable
l'ouverture et la fermeture tels que les thyristors GTO ou les transistors bipolaire ou effet de
champ grille isole fonctionnant en rgime de commutation. Le principe dun hacheur consiste
tablir puis interrompre priodiquement la liaison source- charge l'aide de l'interrupteur
lectronique. Celui-ci doit pouvoir tre ferm ou ouvert volont afin d'avoir une tension de sortie
continue rglable. [15]
Les convertisseurs DC-DC (ou hacheurs) sont utiliss dans les systmes d'nergie solaire
pour adapter la source continue amplitude variable (panneau PV) la charge qui demande en
gnral une tension DC constante. Les trois configurations de base sont :
- Convertisseur dvolteur.
- Convertisseur survolteur.
- Convertisseur dvolteur- survolteur.
91
II.2.1. Hacheur dvolteur (srie)
Ce nom est li au fait que la tension moyenne de sortie Vs est infrieure celle de l'entre
Vi. Pour un rapport cyclique donn, et en rgime de conduction continu, la tension moyenne
la sortie est donne par : [32,20]
Vs = .Vi (2.1)
Figure (2.1) : Schmas de principe dun hacheur srie
II.2.2.Hacheur survolteur (ou parallle)
Ce nom est li au fait que la tension moyenne desortieVs est suprieure celle de lentre Vi.
Pour un rapport cyclique donn, et enrgime de conduction continu, la tension moyenne la
sortie est donne par :
(2.2)
Figure (2.2) : Schmas de principe dun hacheur parallle
02
II.2.3. Hacheur dvolteur - survolteur (srieparallle)
Ce nom est li au fait que la tension moyenne de sortie Vsestinfrieure ou suprieure celle
de lentre Vi. Pour un rapport cyclique donn, et enrgime de conduction continu, la tension
moyenne la sortie est donne par
(2.3)
Figure (2.3) : Schmas de principe dun hacheur srie-parallle
II.3.Techniques dMPPT
Lamlioration du rendement du systme PV ncessite la maximisation de la puissance du
gnrateur PV. Cela est possible si le point de fonctionnement est bien choisi en adaptant
limpdance de la charge la source de tension. Le convertisseur DC/DC jouera le rle dun
adaptateur dimpdance assurant ainsi le fonctionnement au point optimal qui permet de produire la
puissance maximale du gnrateur PV.
Donc, la maximisation de puissance de la source PV, revient chercher ce point de

fonctionnement optimal. Cette opration est dite MPPT ou Maximum Power point Tracking .
Donc, en intercalant un hacheur entre la source PV et la charge et avec le contrle rigoureux

du rapport cyclique de cedernier, un suivie continue de la puissance est assur et la puissance
maximale est fournie.
09
Figure (2.4) : Commande MPPT
Figure (2.5) : rpartition de la caractristique selon le fonctionnement

du hacheur utilis
Dans la figure (2.5), la zone.1de la caractristique courant-tension I-V est une zone de
fonctionnement dans le mode hacheur dvolteur et lMPPT est assure pour toute rsistance Ri
comprise entre [0, Ropt]. Ceci sinverse pour la zone.2 de la caractristique courant-tension I-V qui
prsente la zone de fonctionnement dans le mode .hacheur survolteur ou le fonctionnement du
MPPT est assur pour toute rsistance Ricomprise entre [Ropt, ].
00
Un choix de convertisseur dvolteur ou survolteur pour une charge donne est impratif.
Lun peut utiliser lun des deux types de convertisseur selon la configuration du circuit. Si il y a
une possibilit de fluctuation de la tension demande par la charge au-dessous est au-dessus de celle
dbit par la source, un Hacheur dvolteur/survolteur savre ncessaire. [34]
Diverstravaux sur des commandes assurant un fonctionnement de type MPPTapparaissent

rgulirement depuis 1968, date de publication de lapremire loi de commande de ce type adapte
une source dnergie renouvelable de typePV.Enlittrature on trouvefrquemment les techniques de
maximisation de puissance suivantes
MPPT bas sur la tension du circuit ouvert Voc
- Avec compensation de temprature
- Sans compensation de temprature
MPPT bas sur le courant de court-circuitIsc
Vrai MPPT
- Perturbationet observation. (P&O).
- La mthode incrmentation de la conductance
- Mthodedecapacit parasite.
Chacune de ces techniques ces propre avantages et inconvnients du point de vue

simplicit, efficacit et robustesse.
Dans notre travail, et puisque notre tche principale est ltude du convertisseur multi-
niveau, en se contente par ltude de lMPPT a tension constante avec compensation de temprature
qui est trs simple implanter, et de bon rendement.
II.3. 1.Technique MPPT tension constante.
Cette technique connue aussi sous le nom de "Technique de fraction de la tension du circuit
ouvert" est facile mettre en uvre, moins coteuse pour les systmes photovoltaques.
Plusieurs tudes ont montr que le rapport entre la tension optimale (pour laquelle la puissance
dbite est maximale) et celle en circuit ouvert est approximativement constant, pour un mme
module, sous des niveaux dclairement et tempratures diffrents.
Dans ce contexte, deux procdures sont possible
- Technique MPPT tension constante sans compensation de temprature
- Technique MPPT tension constante avec compensation de temprature
02
La premire technique suggre la connaissance pralable des paramtres de la source

photovoltaque, principalement la tension circuit ouvert, a la base delaquelle on dtermine la
tension Vrf qui sera prise comme rfrence telqueVrf= K Voc . La valeur de la constante K est fixe
pourtoutes les conditions de fonctionnements et est donne empiriquement,figure (2.6).
Malgr sa simplicit et facilit dimplantation, cette technique soufre dun handicap majeur
qui rside dans sa insensibilit aux variations des conditions climatiques. Il est vidents que pour
toute variations de temprature, la valeur de la tension circuit ouvert varie,figure (2.10).
La deuxime technique prvient les limitation de la technique prcdente en tenant compte

des variation des conditions climatiques (temprature et clairement) en liant directement la valeur
de rfrence Vref la tension du circuit ouvert Voc rellement mesur travers un panneau pilote,
figure (2.7). [37,38]
Ceci est la base du fonctionnement fraction de tension constante avec compensation de

temprature qui peut tre interprt par :
VMPP
K (2.4)
Voc
La tension de circuit ouvert est mesure en utilisant un module pilot de mme
caractristiques que le gnrateur utilis et qui est implant dans les mmes conditions de
fonctionnement. Le point maximum de fonctionnement de puissance est calcul en utilisant
l'quation (2.4).La littrature [14] donne un intervalle de 71% et 78%comme bande de valeurs de la
constante K.En ralit K n'est pas constant et est affect par des niveaux de lclairement, la
temprature et de type de module.
02
Figure (2.6) : MPPT sans compensation de temprature
Figure (2.7) : MPPT avec compensation de temprature
02
Figure (2.8) : Zone de fonctionnement puissance maximale
Figure (2.9): Rapport entre Vop et Voc enfonction de lclairement
Figure (2.10) : La tension Vop en fonction de temprature
02
II.4. Convertisseur multiniveaux
Durant ces dernires annes, on vit la naissance de nouveaux convertisseurs de

puissancemultiniveaux qui sont utiliss dans le domaine des entrainements de grande
puissancetrouvent une intgration rapide dans le domaine PV. Parmi les convertisseurs
multiniveaux,onpeut citer les redresseur multiniveaux et les onduleursmultiniveaux.
II.4. 1.Redresseurs multiniveaux :
Par leur structure, Les onduleurs trois niveaux sontrversibles. Il peuvent fonctionner en
onduleur pour transfrer l'nergie de la source de tension continue la source de courant alternatif
ou bien fonctionner en redresseur et assurer alors le transfert nergtique dans le sens inverse. Dans
ce qui suit, on adoptera la convention gnrateur pour la source de courant et la convention
rcepteur pour la source de tension. [16,17]
II.4. 1.1.Structure gnrale d'un redresseur trois niveaux [17]
La figure (2.11), ci-dessous reprsente la structure gnrale d'un redresseur de courant trois
niveauxstructure NPC, le rle de ce redresseur de courant est de gnrer une tension de sortie
continue partir d'une source alternative
Figure (2.11): Structure gnrale d'un redresseur de courant trois niveaux MLI
02
II.4.2.Diffrents topologie des onduleurs multiniveaux
Par dfinition, londuleur de tension multiniveaux possde trois ou plusieursniveaux. Lobjectif de

cette partie est de donner unaperue gnrale des trois topologies debase des onduleurs
multiniveaux, [22]:
- la topologie diode de bouclage
- la topologie condensateur flottant
- la topologie en cascade
1. Onduleur de tension a diode de bouclage
Cette structure donduleur multiniveaux a t introduite par A. Nabae et H.Akagi en 1981.

Lobjectif tait de rduire lamplitude des harmoniquesinjects par londuleur dans la chargepour
des applications de type alimentationde moteur [18]. L'onduleur NPC trois et cinq niveau est
illustr dans la figure (2.12). [19]
a) NPC trois niveaux, b)-NPC cinq niveaux

Figure (2.12):Topologies donduleurs NPC
02
Pour la gnration de trois niveaux de tension, la topologie NPC prsente plusieurs

avantages par rapport la topologie donduleur deux niveaux. [21,22]
les composants de puissance semi-conducteur bloquent une tension inverse gale
seulement la moiti de la tension de la source continue.
cette topologie peut tre gnralise et les principes employs dans la topologie donduleur
trois niveaux peuvent tre tendus pour lutilisation dans des topologies avec nimporte quel
nombre de niveaux.
Toutes les phases partagent le mme bus continu.
la frquence fondamentaleassure un haut rendement.
La mthode de contrleest relativementsimple.
La forme d'onde de trois niveaux rsulte dans une meilleure qualit spectrale par rapport
celle d'un onduleur triphas classique, ce qui rend les filtres passifs peu volumineux.
Par contre, cette topologieprsentes plusieurs difficults techniques dans les cas de grande
puissancetel que :
Pour les topologies avec plus de trois niveaux, les diodes de bouclage peuvent
augmenter les contraintes en tension jusqu' une valeur gale E (N-1)/N. Donc, les
connexions des diodes en srie pourraient tre exiges et cela complique la conception et
soulve des questions de fiabilit et du cot de ralisation.
Cette topologie exige des diodes de bouclage vitesse de commutation leve qui
doivent tre capable de supporter le courant de la pleine charge.
Diffrents calibres pour les appareils de commutation sont ncessaires en raison de
leurconduction cyclique.
Le maintiende lquilibre de la charge des condensateurs demeure toujours unequestion

ouverte pour les topologies des onduleurs NPC avec plus de trois niveaux.Bien que le londuleur
NPC trois niveaux fonctionne avec un facteur de puissance lev, il est employ surtout dans les
circuits de compensation.Cela est d au problme dquilibrage des capacits.
01
2. Onduleur de tension a condensateurFlottant
Dans la topologie multiniveaux propose par T. Meynard et H. Fochen 1992.La structure de

ce convertisseur est similaire celle de l'onduleur diode de bouclagesauf qu'au lieu d'utiliser des
diodes de blocage, l'onduleur utilise des condensateurs leur place. Dol'appellationOnduleur
Condensateurs Flottants . Cette structure est propose pour rsoudre dune part le problme de
balancement detension, et dautre part le nombre excessif des diodes.
Dans la topologiesuivante, figure (2.13), on reprsente l'onduleur a condensateur flottant a trois et
cinq niveau [23].
a)- trois niveaux b)- cinq niveaux

Figure (2.13):Topologies donduleurs NPC condensateur Flottant
Ce type de convertisseur prsenteplusieurs avantages : [25]

Le concept de condensateur Flottant peut tre applique un certain nombre de
convertisseurs de diffrents types, DC /AC ou AC/ DC
La plupart desstratgies de modulation sont facilement applique cette topologie
Les tensionssurles condensateurssont automatiquementquilibrespar cettestratgie de

modulation conventionnelle. Si dsir, les tensionsde condensateurpeuvent tre
activementcontrles parune modification appropriedes signaux de commande.
La chargeest par dfautpartag quitablement entreles commutateurs.
La topologieest modulaire etne dpend pasd'un transformateur.
22
Nanmoins, cette topologie prsente quelque inconvnients, tel que:

La topologieexige beaucoup decondensateurs haute tension-beaucoup plus nombreux
qued'autres topologies. Ces condensateursdoivent conduire le courantde pleine charge
pendantau moinsune partie du cyclede commutation.Heureusement,si lafrquence de
commutationest leve,ces condensateurspeuvent gnralement trerelativement faibles
envaleur de la capacit.
La topologienest pas intrinsquementtolrante aux pannes.
3. Onduleur de tension en cascade
Les onduleurssmultiniveauxencascade estune structurerelativement nouvelle.Un onduleur

multiniveaux en cascadeesttout simplement uneconnexion en srie de plusieurs
onduleursmonophass.
Lesonduleursmulti-niveaux encascadeonintroduit l'ided'utiliser des sourcesDCspare pour
produireuneonde de tensionAC. Chaque onduleurmonophas est connect sapropre sourceen
courant continue. Les sortiesde chaque onduleur monophas,est uneonde de tensionalternative,
Figure (2.14). [26]
Figure (2.14):Structure d'unonduleurmultiniveauxen cascade cinq niveaux
29
Comme toutes structures, londuleur multi-niveaux en cascadepossdedesavantages et

inconvnients dont on peut citer:
Avantage:
Pour atteindrele mme nombrede niveaux de tension, ce type de convertisseurncessite
moins de composants.
Contrairement londuleur diode de bouclage et condensateurflottant, aucune diode
supplmentaire nest ncessaire.
Fabrication modulaire, comme chaque pontmonophasa la mme structure.
La tension de sortie totale de phase est une sommation des tensions produites par chaque
onduleur monophas.
Les petitessources courant continusont gnralement impliques, ce qui entrane moins
deproblmes de scurit.
Le nombre deniveaux possiblesde tension de sortie estplus du double dunombre desources
courant continu (N =2s + 1).
Inconvnients:
Pour un systme trois phases, il faudra plus de commutateurs que dans un onduleur
traditionnel.
Ncessit d'quilibrerles sources DC entre les diffrents niveaux.
Besoinde plusieurs connecteurs/cbles pour connecterles sourcesDC. [26,27]
II.5. Diffrent stratgie de commande des convertisseursmultiniveaux

Afin de gnrer une tension la plus sinusodal que possible [28], des techniques dlimination des
harmoniques et de commutation d'onduleurs ont t l'objet de recherche [29]
Les stratgies de commande des convertisseurs multiniveaux sont en gnrale uneadaptation de
celles appliques aux convertisseurs deux niveaux. Dans cette partie, nous prsentons quelques
techniques de commande.
20
II.5.1. Classification des stratgies de modulation
Les mthodes de modulation utilise dans les onduleurs multiniveaux peuvent tre classes
en fonction de la frquence de commutation.
La mthode la plus populairedans les applications industrielles est celle MLI porteuse
sinusodale(SPWM) qui utilise la technique du dcalage de phase pour rduire les harmoniques de
la tension de charge.
II.5.1.1. Commande par modulation de largeur dimpulsions
La commande par MLI consiste dcouper la tension de sortie gnre par leconvertisseur
en une srie de motifs lmentaires de priode trs faible, et de rapport cycliquevariable dans le
temps. Lvolution temporelle du rapport cyclique de chaque interrupteur estalors dtermine par
un signal modulant que lon choisit en gnral sinusodal. Les ordres decommande de chaque
cellule sont gnrs par lintersection entre une porteuse triangulaire etle signal modulant. Selon la
stratgie adopte, ce dernier peut tre chantillonn ensynchronisme avec la porteuse triangulaire,
ou compar directement celle-ci. Chaqueinterrupteur commute une frquence impose par celle
de la porteuse. [24]
Dans cette partie, on analyse trois stratgies de modulation MLIsinusodale: classique,

double triangle et modifie. Il sagit de dterminer, pour unonduleur triphas trois niveaux de type
NPC, le signal de commande gnr parchacune des trois techniques. [22] cette mthode de
commande permet:
de repousser vers des frquences leves les harmoniques de la tension de sortie.
de faire varier la valeur du fondamental de la tension de sortie.
a. Modulation sinusodale classique
Comme pour les onduleurs deux niveaux, les signaux de commande des interrupteurs sont
obtenus a partir des intersections des troissignaux de rfrence sinusodauxdphass entre eux de
120, de frquence fref et damplitude Aref, avec un signal triangulaire damplitude Ap et de
frquence fp, trs suprieure fref.
22
b.Modulation sinusodal triangles multiples
Cette technique est base, dans son principe, sur la modulation sinusodaleclassique. Pour un
onduleur trois niveaux, elle recommande lutilisation de deuxsignaux triangulaires de mme
frquence fp et de mme amplitude Ap.
Ces signaux triangulaires sont compars, pour chaque phase, avec un signal de rfrence
damplitude Aref et de frquence fref. Cest la modulation sinusodale double triangle.
Pour les onduleurs avec un nombre de niveaux N suprieur trois, latechnique sinusodale
classique avec son signal triangulaire unique, ne permet pas lagnration de tous les signaux de
commande requis. Alors, cest la modulationsinusodale triangles multiples qui le permet. Cette
technique ncessite (N-1) signaux triangulaires de mme frquence fp et de mme amplitude Ap.
Le taux de modulation ma et le rapport de frquence m f sont donnerespectivement par les
expressions (2.1) et (2.2).
ma= Aref/ (N-1) Ap (2.4)
mf= fp/ fref (2.5)
c- modulation sinusodale modifie
Selon la caractristique de la MLI sinusodale, les largeurs des impulsions s'approchentde

l'amplitude maximale de l'onde sinusodale un point a pas changer significativement avecla
variation de l'indice de modulation.
Cela est d la caractristique d'une onde sinusodale et la technique de MLI sinusodale
peut tre modifie en appliquant l'onde sinusodale durant le dbut et la fin d'unintervalle de 60 par
demi-cycle; c'est dire 0 60 et de 120 180.
Ce type de modulation est connu sous le nom de MLI sinusodale modifie. Lacomposante
fondamentale est ainsi augmente et les caractristiques des harmoniques sontamliores. [10]
II.5.1.2 .modulation vectorielle
A la diffrence de la MLI intersective, dans la MLI vectorielle les vecteurs appliquer et

lestemps dapplication de ces vecteurs afin dobtenir en valeur moyenne une tension derfrence
partir des tats de commutation de londuleur sont calculs analytiquement travers des quations
mathmatiques.
22
Chacun des tats possibles du convertisseur est reprsent par un vecteur de tension.Lensemble de
ces vecteurs forme le diagramme vectoriel des tensions du convertisseur. Engnral, la valeur
moyenne du vecteur de rfrence peut tre calcule en utilisant plus dunvecteur par cycle de
modulation, par lapproximation MLI valeur moyenne. Si lonslectionne les vecteurs adquats et si
lon les applique dans lordre correct il est possibledobtenir une frquence de commutation la
sortie relativement leve avec une frquence decommutation rduite au niveau de composante.
La modulation vectorielle diffre, entre autres, des techniques intersectives par le faitque les
signaux de commandes sont labors en tenant compte de ltat des trois bras delonduleur en
mme temps. [30]
II.5.1.3. Elimination dHarmoniques slective.
Cette technique de modulation, qui est une mthode trs efficace et trs importante pour la
commande des onduleurs deux niveaux afin damliorer beaucoup plus la qualit de leurs tensions
de sortie. Elle consiste former londe de sortie de londuleur dune succession de crneaux de
largeurs variables. Gnralement, on utilise une onde qui prsente une double symtrie par rapport
au quart et la demi- priode. [31]
II.6.CONCLUSION
Dans ce chapitre, on a prsent les diffrents types de convertisseurs de puissances utiliss.
Lhacheur en tant quadaptateur dimpdances, est en premier prsent ; Ensuite lestechniques de
commandes associes sont discutes.
Le redresseur multiniveaux est aussi prsent avant dentamer ltude de londuleur multiniveaux
qui prsente notre intrt dans cette tude. Les diffrentes topologies de basede ce dernier sont
donnes toute en exposant leurs avantage et inconvnient a savoir :
La topologie NPC permet de rduire le taux de distorsion harmonique, ainsi

laugmentationdu niveau des tensionsgnres
La topologie a condensateur flottantaussi permet la rduction du taux de distorsion mais elle
constitue en un grand nombre de condensateur
La topologie en cascade ou le nombre de niveaux possible de tension de sortie et plus du
double de nombre de sources courant continu.
On a aussi prsent les diffrents techniques de commande relatif a ce type de convertisseur.Le

chapitre suivant, sera consacr l'tude de londuleur de type NPC en mettant laccent sur le
principe de fonctionnement de l'onduleur trois niveau et cinq niveau.
22
Chapitre III Onduleur de tension multiniveaux de type NPC
III.1. Introduction
Le travail prsent dans ce chapitre porte en premier sur ltude dtaill de londuleur de
tension trois et cinq niveaux de type NPC, sa structure et son principe de fonctionnement.
III.2.Onduleur trois niveaux type NPC
Lide de base de londuleur NPC est lobtention dun et tension de sortie trois niveaux par
la superposition de deux interrupteurs supplmentaires aliment chacun par une source de tension
continue distincte, Figure 3.1.
Figure (3.1): Schma dune branche donduleur NPC 3 niveaux
En gnral un convertisseur NPC N-niveau trois phases, est compos de 2 *(N-1)

interrupteurs connects en srie et (N-1) liaison courant continu. La tension aux bornes du
condensateur est gale (Udc /N-1).
III.2.1. principe de fonctionnement
Pour dcrire le fonctionnement de londuleur triphas de type NPC, on considre un seul bras
dont la structure est reprsente dans la F igure (3.1) .Il faut dterminer les valeurs que peut prendre
la tension simple Vao entre la borne "a" de la charge et le point neutre 0.
Cette tension est entirement dfinie par ltat (0 ou 1) des quatre interrupteurs S11 ,S12, S11 ' et S12 '
du bras.
Pour ce type donduleur, seules trois squences sont fonctionnelles. Elles sont dcrites comme suit:
Squence1:S11 , S12 sontpassantsetS11 ', S12 ' sont bloqus:
- Dans ce cas la tension de sortie est : Vao = +E/2.
73
- La tension inverse applique aux bornes des interrupteurs bloqus est:

VS11 '=VS12 '= +E/2.
Squence2:S12 , S11 ' sont passants etS11, S12 ' sont bloqus:
La charge est mise en court-circuit travers lun des interrupteurs S12ouS11 'et lune des
diodes de bouclage (roue libre).Donc, le point a est reli directement au point neutre O.
Alors, la tension de sortie Vao est nulle: Vao=0.
- La tension inverse applique aux bornes des interrupteurs bloqus est:
VS11=VS12 '=+E/2.
Squence3:S11 , S12 sont bloqus et S11 ', S12 sont passants:
- Dans ce cas la tension de sortie est : Vao=- E/2.
- la tension inverse applique aux bornes des interrupteurs bloqus est :
VS11=VS12= +E/2.
Les figures suivantes illustrent les formes donde de la tension de sortie V ao, ainsi que les signaux
de commande de chaque interrupteur.
Figure (3.2): Formes dondes dun bras donduleur triphas trois niveau de type NPC
Cette analyse montre que la structure de londuleur trois niveaux limite E/2 la tension impose
chaque interrupteur lorsquils bloqu, alors que dans la structure classique de londuleur deux
niveaux, cette tension vaut la tension continue complte E.
Cest cette caractristique de londuleur trois niveaux qui permet de mont en tension et en
73
puissance dans le cas des applications de forte puissance
. III.3.Onduleur cinqniveaux type NPC
La figure (3.3) prsente londuleur triphas cinq niveaux structureNPCdans lequel les
diodes sont utilises pour raliser la connexionavec le point de rfrence O. Pour lobtention dune
tension de N-niveaux, N-1 capacits sont ncessaires. Les tensions aux bornes des
condensateurssont toutes gales E/(N-1). Chaque couple dinterrupteurs (S xy,S'xy) forme une
cellule de commutation, ces deux interrupteurs sont donc commands de faon complmentaire.
Figure (3.3): Structure triphas d'un onduleur cinq niveaux
73
III.3.1. principe de fonctionnement
Pour ce type donduleur, seules cinq squences sont fonctionnelles. Elles sont dcrites comme suit:
Squence 1
S11S12 S13 et S14 sont passant et S'11, S12 , S13 et S'14 sont bloqus:
- la tension de sortie est :Vao= +E/2
VS'11=VS'12= VS'13= VS'14=+E/4.
squence 2
S12, S13 , S14 et S'11 sont passantetS12, S13 , S14 et S11 sont bloqus :
- la tension de sortie : Vao = +E/4
VS'12= VS'13=V S'14 =V S11 = +E/4
squence 3
S13, S14 ,S'11 et S'12 sont passant et S 13,S'14, S11 et S12 sont bloqus :
- La tension de sortie : Vao =0
VS'13 =VS'14= VS11 = VS12= +E/4
squence 4
S14,S11, S'12 et S'13 sont passant et S11 , S12,S13 et S'14 sont bloqus:
- La tension de sortie : Vao = -E/4
VS11 = VS12= VS13 = VS'14= +E/4
squence 5
S'11, S12, S13 et S'14 sont passant et S11, S12 , S13 et S14 sont bloqus:
- La tension de sortie Vao = -E/2
VS11= VS12= VS13 = VS14 = +E/4
04
La figure suivante reprsente les formes donde de la tension de sortie Vao, ainsi que les signaux
decommande de chaque interrupteur.
Figure (3.4): Formes dondes dun bras donduleur triphas cinq niveau de type NPC
III.4.Les techniques de modulation
Grce ses performances leves, la technique MLI sinusodale est la plus utilise pour la
commande des onduleurs deux niveaux. Pour les mmes raisons, elle est aussi utilise dans les
onduleurs multiniveaux.
Dans ce chapitre, on analyse la stratgie de modulation MLI sinusodale, double triangle.
III.4.1.Commande triangulo-sinusodal n porteuses

Le principe de cette stratgie de commande, est de comparer le signal de rfrence ou
modulante Vrf de forme sinusodal avec le signal de n porteuses Vp de forme triangulaire, cette
comparaison compte sur les intersections.
Toutes les stratgies de commande triangulo-sinusoidal sont caractrises par deux

paramtres essentiels :
04
Figure (3.5):Modulation sinusodal avec un ensemble de

Porteuses
0.8
0.6
0.4
0.2
Vref,Vp
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
temps(s)
Figure (3.6) : principe de la MLI double triangle
04
100
80
60
40
tension Vao (v)
20
-20
-40
-60
-80
-100
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
Figure (3.7) : Tension simple Va de sortie de l'onduleur trois niveaux

MLI double triangle
1.5
0.5
Vref,Vp
-0.5
-1
-1.5
-2
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
temps(s)
Figure (3.8) : Principe de la MLI triangle multiple
07
100
80
60
40
Tension Vao (v)
20
-20
-40
-60
-80
-100
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps(s)
Figure (3.9) : Tension simple Va de sortie de l'onduleur cinq niveaux
III.5.Conclusion
Dans ce chapitre, on a prsent la modlisation du convertisseur multi-niveaux (onduleur

trois et cinq niveaux) de type NPC ainsi que la stratgie de commande adopte, ce qui permet la
simulation du systme (gnrateur photovoltaque, onduleur multiniveaux) quon va prsenter dans
le chapitre suivant.
00
Chapitre IV Simulation du gnrateur PV connect au rseau et interprtation des rsultats
IV.1. Introduction
Dans ce chapitre, et afin de montrer le fonctionnement dun source PV associ un rseau

lectrique, une simulation des diffrents tages est ralise. Lefficacit de la technique MLI
multiple est analyse et la poursuite de la puissance maximal est aussi inspecte. De plus, comme
notre gnrateur PV est reli au rseau domestique, cette interconnexion doit rpondre aux
exigences de cette action. La simulation est ralise sous environnement MATLAB.
IV.2. Le gnrateur photovoltaque G PV
IV.2.1. Module photovoltaque
Dans ce travail nous avons simul le module STP 17OS-24/Ab-1 qui comporte 72 cellules
solaires de silicium monocristallin connectes en srie.
Le module STP 17OS-24/Ab-1 peut produire une puissance maximale de 170 watts 43.8 volts.
Ceci nous a permis de dterminer la puissance et le courant en fonction de la tension du module
tudi pour un clairement de 1000 W/m2 et une temprature T=25.
Les caractristiques lectriques du module Photovoltaque STP 17OS-24/Ab-1 en conditions de test

standards sont reprsentes sur le tableau 4-1.
Grandeurs Valeur
-Eclairement standard, E. 1000w/m2
- Temprature standard, T. 25
-Puissance crte maximale, Pm. 170W
- Tension optimal, Vm. 35.2

-Courant optimal, Im. 4.83
- Tension de circuit ouvert, Vco. 43.8
- Courant de court-circuit,Icc. 5.14
Tableau 4-1 Paramtres du module PV tudi
64
La figure ci-dessous prsente le block du module photovoltaque dans l'environnement SIMULINK.
Figure (4.1): Block du module STP 17OS-24/Ab-1 dans SIMULINK.
Les figures (4.2) a et b montrent les caractristiques lectriques du module aprs simulation
avec MATLAB / SIMULINK pour diffrentes valeurs dclairement et pour une temprature de
25C.
6 200
200w/m2 200w/m2
400w/m2 180 400w/m2
5 600w/m2 600w/m2
160
800w/m2 800w/m2
1000w/m2 1000w/m2
140
4
120
puissance(w)
courant(A)
3 100
80
2
60
40
1
20
0 0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
tension(v) tension(v)
a) b)
Figure (4.2):a) Courbe I(V) du module, b) Courbe P(V) du module
64
IV.3.Simulation de l'onduleur trois niveaux
Pour raliser les diffrentes simulations de londuleur de tension trois niveaux de type
NPC avec la stratgie de commande MLI, on reprsente dabord sa structure gnrale donne par la
figure (4.3) schmatise par un schma bloc dvelopp dans lenvironnement MATLAB.
Figure (4.3) : Circuit de l'onduleur de tension trois niveaux
Le circuit globale simul est illustr dans la figure (4.4) ou londuleur considr (soit 3 ou
5 niveaux) est aliment par une source PV dont la tension de sortie est E. (E=131V). Les capacits
C1 et C2 assurent la rpartition quitable de cette tension entre les bras de londuleur. Autrement
dit, les bras suprieurs et infrieurs sont soumis une tension E/2 Chacun.
La sortie de londuleur est couple au rseau domestique travers un filtre passe-bas.
.
64
Figure (4.4) : Circuit de l'onduleur de tension trois niveaux dans le systme photovoltaque
Dans ce schma, la commande de londuleur NPC trois niveaux est assure avec la technique MLI
sinusodal multiniveaux avec la variation du taux de modulation dAmplitude "ma" et le rapport de
frquence "mf".
IV.3.1.Commande par modulation double triangles
Cas 1 : frquence de la porteuse f=2250HZ
Pour cette technique, deux porteuses (triangulaire) en phase et un signal de rfrence

(sinusodale) sont utilises pour gnrer la commande de chaque phase. Dans ce cas on fixe la
frquence de la porteuses f=2250HZ tout en variant le taux de modulation damplitude ma.
64
1.5
0.5
Vref,Vp
-0.5
-1
-1.5
-2
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
temps(s)
Figure (4.5): Signaux de rfrences avec deux porteuses en phase ma=0.2
150
100
50
tension (v)
-50
-100
-150
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
Figure (4.6): Tension simple de sortie de l'onduleur VA
05
80
Fondamental (50Hz) = 13.8 , THD= 20.04%
100
60
90
40 80
Amplitude (% du Fondamental)
70
20
tension (v)
60
0 50
40
-20
30
-40 20
10
-60
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
order harmonique
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
a : ma=0.2
80
Fundamental (50Hz) = 26.62 , THD= 16.52%
100
60
90
40 80
70
20
tension (v)
60
0 50
40
-20
30
-40 20
10
-60
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
-80 order harmonique
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
b : ma=0.4
80
100
60
90
40 80
70
20
tension (v)
60
0 50
40
-20
30
-40 20
10
-60
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
order harmonique
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
c : ma=0.8
80
100
60
90
40 80
70
20
Tension (v)
60
0 50
40
-20
30
-40 20
10
-60
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
order harmonique
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
Temps(s)
d : ma=1
Figure (4.7): Tension VA et le spectre correspondant pour fp =2250HZ
05
Cas 2: frquence de porteuse f=10KHZ

80
100
60
90
40 80
70
20
60
tension (v)
50
0
40
-20 30
20
-40
10
-60 0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
-80 order harmonic

0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
a : ma=0.2
80
100
60
90
40 80
70
20
60
tension (v)
50
0
40
-20 30
20
-40
10
-60 0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
order harmonique
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
b : ma=0.4
80
100
60
90
40 80
Amplitude (%du Fondamental)
70
20
tension (v)
60
0 50
40
-20
30
-40 20
10
-60
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
order harmonique
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
c : ma=0.8
80
100
60
90
40 80
70
20
tension (v)
60
0 50
40
-20
30
-40 20
10
-60
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
order harmonique
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
d : ma =1
Figure (4.8): Tension VA et le spectre correspondant pour fp=10KHZ
05
IV.3.2.Interprtation des rsultats

L'analyse rapide des courbes reprsentant la tension simple de sortie de l'onduleur et variation en
fonction de la variation de la frquence de la porteuse et la variation dans le taux de modulation
damplitude, nous permet de tirer les remarques suivantes :
- On remarque quavec l'augmentation de l'amplitude de la tension, le taux d'harmonique

diminue considrablement.
- Aussi, ce taux dharmonique est lie directement au taux de modulation de frquence m f.
Laugmentation de mf nous permet de rduire systmatiquement les harmoniques injectes
au rseau.
- Selon l'analyse spectral en remarque que, pour la technique utilis, les harmonique de la
tension se regroupent en premire famille centre autour de (m-1, m+1) et (m-3,m+3) celle
de la porteuse qui est la plus important du point du vue amplitude .La
deuxime familles est centre autour de (2m-1,2m+1) et (2m-3,2m+3) la frquence 2mf.
- Lamplitude de la tension de sortie est directement proportionnelle la tension du bus
continue de lentr.
05
IV.4.Simulation de l'onduleur cinq niveaux
De mme que prcdemment, pour raliser les diffrentes simulations de londuleur de tension
cinq niveaux de type NPC avec la stratgie de commande suggre, on reprsente sa structure
donne par la figure (4.9) par un schma bloc dvelopp dans lenvironnement Matlab.
Figure (4.9) : Circuit de l'onduleur de tension cinq niveaux
06
Figure (4.10) : Circuit de l'onduleur de tension cinq niveaux coupl au systme photovoltaque
Londuleur NPC cinq niveaux est simul avec la technique MLI sinusodal multiniveaux avec la
variation du taux de modulation "ma" et rapport de frquence "mf".
IV.4.1.Commande par la modulation multi-triangles
Cas 1 : frquence de porteuse f=2250HZ
Pour cette technique, quatre porteuses en phase sont utilises avec un signal de rfrence
pour gnrer la commande de chaque phase. En fixe la frquence des porteuses f =2250 HZ et en
varie le taux de modulation damplitude ma.
00
1.5
0.5
Vref,Vp
-0.5
-1
-1.5
-2
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018 0.02
temps(s)
Figure (4.11): Signal de rfrence avec quatre porteuses en phase ma=0.2
80
60
40
20
tension (v)
-20
-40
-60
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
Figure (4.12): La tension simple de sortie de l'onduleur VA
04
80
100
60
90
40 80

70
20
tension (v)
60
0 50
40
-20
30
-40 20
10
-60
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
order Harmonique
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
a : ma=0.2
80

60 100
90
40
80
70
20
tension (v)
60
0 50
40
-20
30
-40 20
10
-60
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
order harmonique
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
b : ma=0.4
80
100
60
90
40 80
70
20
60
tension (v)
0 50
40
-20
30
-40 20
10
-60
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
order harmonique
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
c : ma=0.8
80
100
60
90
40 80
70
20
tension (v)
60
0 50
40
-20
30
-40 20
10
-60
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
order harmonique
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
d : ma=1
Figure (4.13): Tension VA et le spectre correspondant pour fp =2250HZ

04
Cas 2: frquence de porteuse f=10KHZ

80
100
60
90
40 80

70
20
tension (v)
60
0 50
40
-20
30
-40 20
10
-60
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
order harmonique
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
a : ma=0.2
80
100
60
90
40 80
70
20
tension (v)
60
0 50
40
-20
30
-40 20
10
-60
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
order harmonique
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
b : ma=0.4
80
100
60
90
40 80
70
20
tension (v)
60
0 50
40
-20
30
-40 20
10
-60
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
order harmonique
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
c : ma=0.8
80
100
60
90
40 80
Amlitude (% du Fondamental)
70
20
60
tension (v)
0 50
40
-20
30
20
-40
10
-60 0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
order harmonique
-80
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.1
temps(s)
d : ma=1
Figure (4.14): Tension VA et le spectre correspondant pour fp=10KHZ
04
Les rsultats des figures 4.13 et 4.14 sont rcapituls dans la figure 4.15 qui illustre la variation du
taux de distorsion totale dharmonique (THD) en fonction de ma selon la structure utilise (3 ou
5niveau).
25
3N,f=2250HZ
3N,f=10KHZ
20 5N,f=2250HZ
5N,f=10KHZ
15
THD%
10
0
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
le taux de modulation ma
Figure (4.15) : Taux de distorsion total dharmonique

en fonction de ma et mf
Les courbes prcdentes montrent les rsultats de simulation de l'onduleur NPC trois et cinq
niveaux pour chaque variation des indices de modulation damplitude ma et de frquence mf.
On peut faire les constatations suivantes :
- La qualit de la tension de sortie samliore avec laugmentation des indice m a et mf .
- Cette qualit est beaucoup plus influe par lindice de modulation de frquence mf o on
remarque que les rsultats obtenus pour londuleur trois et cinq niveaux ne sont pas trop
diffrents pour une frquence de 10 kHz.
- De l'analyse spectral de la tension simple VA , on remarque que toutes les harmoniques sont
trs faibles et leurs amplitudes ne dpassent pas les 6% de la fondamentale.
- De plus, on remarque pour la technique utilise, les harmonique de la tension de sortie se
regroupent en premire familles centre autour de (m-1,m+1) et (m-3,m+3) de celle de la
porteuse fp (gale mf.fref), la plus important du point du vue amplitude. La seconde famille
est centre autour de (2m-1,2m+1) et (2m-3,2m+3) la frquence 2mf.
04
IV.5.Simulation de l'onduleur cinq niveaux dans le systme PV connect au rseau
Dans cette partie on va entamer la simulation du systme globale constitu de la source PV,
LMPPT, le convertisseur DC/AC et bien sre une boucle de rgulation pour assurer un
fonctionnement adapt aux conditions du rseau. Dans cette tude on utilise un rgulateur classique
PI. Le schma global de simulation sous MATLAB SIMULINK est donne par la figure (4.16), ci-
dessous :
Continuous
t
powergui Clock To Workspace
Va
To Workspace1
VA
g A a1 a A
G
VB
G DC+ +1
Eclairement
VC
vab-vbc-vac
DC+ B b1 b
+ B
IA
298 T DC- -1 IB
Temprature DC- C c1 c
-
C
IC Ia-Ib-Ic
Onduleur cinq niveaux FILTRE
GPV Convertisseur DC/DC
CHARGE
G
g
VA
VB
VC
MPPT
La commande
rgulateur
VAref1
VAref2
VAref3
VAref
VBref
VCref
Figure (4.16):L'onduleur cinq niveaux dans les systmes PV connect au rseau
1. Un gnrateur photovoltaque
Notre gnrateur est form 7 panneaux en srie o chacun est constitu de 3 modules en srie et 2
modules en parallle dont on a tudi les performances prcdemment (IV.3 et IV.4). Le nombre de
panneaux est choisie afin dassurer un fonctionnement optimal du systme pour une puissance
donn.
45
2. Convertisseur Dvolteur (DC/DC)
Lhacheur utilis dans cette tude est celui dvolteur. Sous sa forme de base il est constitu
des composants cls qui sont l'inductance (L), le commutateur (transistor), la diode (D) et le
condensateur (C).
3. Convertisseur (DC/AC)
Le convertisseur utilis dans ce cas est londuleur multiniveaux de type NPC cinq niveaux,
et la commande applique est celle sinusodale multi-triangulaire.
4. Le Filtre LC
Pour amliorer la qualit dnergie injecte au rseau, un filtre basse bas savre ncessaire pour
liminer les harmoniques de dcoupage. Pour calcul les paramtres du filtre on adopte la
mthodologie prsent par [39] ou la frquence de rsonance du filtre est fixe au dixime de celle
de dcoupage. Ainsi on a:
1 = LC2 (4.1)
2 =2 fc2 (4.2)
avec fc : la frquence de rsonance.
(4.3)
(4.4)
Fd : frquence de dcoupage.
Comme la frquence de dcoupage est fixe 1370Hz, donc on trouve :
L= 67.5 mH
C= 20F
5. Boucle de rgulation de la tension de sortie.
Le contrle de la tension de sortie de l'onduleur exige une boucle d'asservissement ferme.
La tension VA est mesur puis compar une tension de rfrence Vref =311v qui prsente la valeur
maximale de la tension simple du rseau. Le signal d'erreur issue du comparateur est inject au
rgulateur PI ainsi utilis. Les paramtres du rgulateur sont choisis comme suite, [40] :
Kp=0.1 et Ki= 0.01.
45
Pour la simulation de systme PV connect au rseau

et vrifi le bon fonctionnement de notre MPPT et rgulateur de tension, on a utilis le systme
Cinque niveaux avec une perturbation sur lclairement de E=200w/m2 800w/m2.
1000
900
800
700
eclairement (W/m2)
600
500
400
300
200
100
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
temps(s)
Figure (4.17): La variation de l'clairement
1000
900
800
700
600
tension (v)
Vop
VGPV
500
400
300
200
100
0
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Temps(s)
Figure (4.18): La tension du gnrateur PV et la tension optimise
en fonction de la variation de l'clairement
45
12
800w/m2
200w/m2
10 point optimal
courant (A) 8
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Tension(v)
Figure (4.19): Point de fonctionnement optimal sur la Courbe courant tension
en fonction de la variation de l'clairement
1
Vref,Vp
-1
-2
-3
0.42 0.44 0.46 0.48 0.5 0.52 0.54 0.56
temps(s)
Figure (4.20): Signal de rfrence avec quatre porteuses en phase
45
400
300
200
100
tension VA (v)
-100
-200
-300
-400
0.4 0.42 0.44 0.46 0.48 0.5 0.52 0.54 0.56 0.58 0.6
Temps(s)
Figure (4.21): La tension de sortie simple VAde l'onduleur.
400
300
200
100
tension VA (v)
-100
-200
-300
-400
0.4 0.42 0.44 0.46 0.48 0.5 0.52 0.54 0.56 0.58 0.6
Temps(s)
Figure (4.22): La tension de sortie simple VA de l'onduleur aprs le filtre.
46
Fondamental (50Hz) = 311.7 , THD= 0.70%
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
order harmonique
Figure (4.23): Spectre de la tension VA de l'onduleur cinq niveaux
Aprs la simulation du systme globale et afin de vrifier lefficacit du module MPPT et celui de
rgulation de tension de sortie, une perturbation sur lclairement est ainsi admise.
Les rsultats montrent la poursuite du point de fonctionnement optimale lors de la perturbation

malgr que la technique utilise est trs classique. De plus aprs la perturbation, et la variation de la
tension de sortie (optimale) qui sen suit, le rgulateur de tension rajuste lindice de modulation de
tension ma pour garder lamplitude de la tension de sortie (tension fondamentale) constante. Il faut
rappeler que le system de rgulation est insensible aux variations de frquence du rseau (on
suppose que la frquence du rseau est maintenue constante dans notre cas).
On remarque que la tension, selon son allure et son analyse spectrale, est de bonne qualit et Le
taux d'harmonique de la tension est faible, les harmoniques sont tous pratiquement ngligeables par
rapport la fondamental.
Le module MPPT assure le fonctionnement puissance optimale, et le rgulateur PI assurer une

tension de sortie amplitude constante pour rpondre aux exigences dinterconnexion dune source
a un rseau lectrique.
40
On remarque que lors de laugmentation de lclairement, lamplitude de la tension du bus continue

augment do laugmentation de lamplitude de niveau de tension a la sortie de londuleur. Pour
maintenir lamplitude de la fondamentale constante (aprs le filtre), le rgulateur PI rajuste lindice
ma.
IV.6. Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons dvelopp les stratgies de commande MLI de l'onduleur de
tension trois et cinq niveaux. L'tude des caractristiques de la tension de sortie de l'onduleur pour
la stratgie dfinie dans ce chapitre, a montr qu'elle prsente un taux d'harmoniques faible.
L'augmentation du rapport de frquence "mf", repousse les harmoniques de tension vers des ordres
levs ce qui facilite leur limination. Mais cette augmentation cause biensre une augmentation
des pertes de commutation et impose lutilisation des interrupteurs statique de haute fiabilit
(rapidit).
Les rsultats montrent aussi que lutilisation dun onduleur trois niveaux associe une commande
MLI avec mf=200 donne des rsultats presque semblable ceux dun onduleur cinq niveaux associe
une commande MLI avec mf=45.
Donc on peut conclure quun compromis entre le nombre dtage utiliser et la frquence de
commutation des interrupteurs devrait tre fait.
44
Conclusion gnrale
Conclusion gnrale
Le travail prsent dans ce mmoire concerne ltude des onduleurs multiniveaux dans le systme
photovoltaque connect aux rseaux lectriques.
Ce mmoire est consacr l'laboration dun systme photovoltaque connect au rseau. Il

consiste choisir une configuration convenable donduleur NPC qui sera connect au rseau toute
en assurant un fonctionnement optimal de la source PV. Une boucle de rgulation est aussi
introduite pour rpondre aux questions dinterconnexion.
En premire partie, nous avons tudi le principe du systme photovoltaque o on a prsent le

modle des diffrents lments constitutif (module, gnrateur, ..) ainsi que les diffrents types
de central solaire.
En deuxime partie, nous avons brivement prsent les diffrentes configuration de convertisseurs
de puissance a noter ceux multiniveaux ainsi que les techniques doptimisation de puissance des
gnrateurs PV. ou on a opter pour notre tude pour le convertisseur 5 niveaux associe la
technique MPPT tension constante.
Dans la troisime partie, nous avons reprsent le principe de fonctionnement des onduleurs NPC
trois et cinq niveaux associ la commande triangule sinusodal n porteuses.
Dans le quatrime chapitre, on a prsent la simulation sous Matlab/Simulink de lensemble

gnrateur PV, convertisseurs, MPPT et boucle de rgulation o on fait une tude comparative
entres la qualit donde issue des deux type de convertisseurs, savoir 3 et 5 niveaux. Ltude
spectrale a montr la supriorit du convertisseur 5 niveaux. Nanmoins, on a montr aussi que
laugmentation de la frquence de commutation peut engendrer des ondes de tension acceptable
avec un onduleur 3 niveaux. Biensre, le compromis doit tre jou entre la complexit de la
configuration du convertisseur de puissance et la commande qui lui est associe.
En perceptive, on compte damlior le comportement des diffrents bloc; a savoir:

-Convertisseur DC/DC: -possibilit dutilisation dun convertisseur
dvolteur/survolteur
-utilisation des techniques de commande intelligente
68
Conclusion gnrale
-Convertisseur DC/AC: -Inspection des nouvelles topologies

- Utilisation des technique MLI avances
- implmentation de boucle de rgulation de tension
plus consistante
Simulation -simul les conditions de fonctionnement relle (dsquilibre,
fluctuation de la frquence . etc)
Possibilit dimplmentation pratique en utilisant la carte D Space.
68
Bibliographie
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inverter, International Journal of Applications volume. 9, N3, November 2010,
pp: 0975-8887.
:

, .
.
,
. ,.
NPC
. ILM
. , , :
Rsum
Lobjectif de ce mmoire est dassures linjection lnergie lectrique produite par un centrale
PV au rseau de distribution. La configuration de ce systme comporte un gnrateur
photovoltaque, connect un hacheur dvolteur, un onduleur de tension multinveaux et un filtre
et la charge.
Pour un fonctionnement optimale dusystme, on doit assurer un fonctionnement puissance

maximale du gnrateur photovoltaque quelque soit les conditions climatiques.
Ladaptation entre le gnrateurphotovoltaque et la charge a t effectue moyennant le

convertisseur DC/DC. Et linjection dnergie vers le rseau est assur vie un onduleur
multiniveaux de type NPC commande MLI triangulo- sinusodale multiple.
Mots cls :sources photovoltaque,qualit dnergie,rseaux lectrique hybrides

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Rpublique Algrienne Dmocratique et Populaire

Ministre de lEnseignement Suprieur et de la Recherche Scientifique

Universit Mohamed Khider Biskra

Mmoire prsent en vue de lobtention

Option : Energies renouvelables

Convertisseurs multiniveaux dans les systmes PV

Devant le jury compos de :

Dr. Abdelhamid Benakcha Maitre de Confrences A Prsident Universit de Biskra

Ce travail a t ralis au niveau du dpartement de gnie lectrique de

MES premiers remerciements sadressent mon directeur de mmoire,

JE remercie galement, Dr. Benakcha Abdelhamid, Maitre de confrences de

Je remercie aussi professeur Betka Achour pour avoir eu lamabilit dtre

A tous ceux qui ont contribu de prs ou de loin la ralisation de ce travail.

Mes chers parents

mes frres et mes surs.

Tous mes collgues et mes amies.

Toutes les personnes qui ont contribu la ralisation de ce travail.

I.2. Energie solaire ... 3

II.2. Convertisseur DC/DC pour les systmes d'nergie solaire.. 19

II.3.1.Technique MPPT tension constante... 23

II.4.1.1.Structure gnrale d'un redresseur trois niveaux. 27

II.5.Diffrent stratgie de commande des convertisseurs multiniveaux... 32

III.2. Onduleurs trois niveaux type NPC..... 37

IV.2. Simulation le gnrateur photovoltaque GPV 46

Liste des figures

Figure 1.1 Composante du rayonnement global sur un plan horizontal 4

Figure 4.20 Signal de rfrence avec quatre porteuses en phase... 63

A Le facteur d'idalit de la jonction

Aref Amplitude du signal de rfrence

Ap Amplitude du signal de la porteuse

Eph quantit d'nergie (ev)

E La tension continue d'entre de l`onduleur

Fp Frquence du signal de la porteuse

Gn L'clairement nominal (1000W/m 2)

h la constant de planck (6,62 10 -34 j.s )

I Courant de la cellule photovoltaque

Iph Le photo-courant (A)

Id Courant de diode (A)

I0,n Le courant de saturation nominal (A)

Isc,n Le courant de court circuit nominal (A)

I0 Le courant de diode de saturation (A)

K Constant de boltzman1.38 10 -23 J K

KI Le coefficient de courant en fonction de temprature A/ C

Kv Le coefficient de tension en fonction de temprature V/C

ma Le taux de modulation d`amplitude

mf Taux de modulation de frquence

Ns Le nombre de module en srie

N Le nombre de niveau de tension de sortie

q La charge lectrique 1.6 10 -19(C)

RS Rsistance srie de la cellule

Rsh Rsistance parallle de la cellule

r Coefficient de rglage de MLI entre 0 et 1

Sx,y Interrupteur statique

Tc Temprature de la cellule (c)

Tn Temprature nominal (298K)

TUC Temprature d'utilisation de la cellule (c)

Uc Tension sur le bus continu du redresseur

V Tension aux bornes de la jonction

Voc,n La tension de circuit ouvert nominal (V)

V1 La valeur efficace de la fondamental de la tension alternative

Vref La tension de signal de rfrence

Vp La tension de signal de porteuse

Le dphasage entre le courant absorb par le redresseur et la tension