GTO

Definicin 1
Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del ingls Gate Turn-Off Thyristor) es un
dispositivo de electrnica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso
de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal;
pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en
el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado
de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G).
El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado
son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las
terminales puerta (G) y ctodo (C o K), la corriente en la puerta (ig), crece.
Cuando la corriente en la puerta (G) alcanza su mximo valor, IGR, la corriente
de nodo comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza
a crecer. El tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente
menor a 1 us. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta
porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola.
La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en
la puerta (IGR) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por
ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO
normalmente requiere una corriente negativa de pico en la puerta de 250 A para
el apagado.

GTO (Gate Turn-Off Thyristor)

Definicin 2:

A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la dcada de los aos 60, ha sido
poco empleado debido a sus reducidas prestaciones. Con el avance de la tecnologa en el
desarrollo de dispositivos semiconductores, se han encontrado nuevas soluciones para mejorar
tales componentes que hacen que hoy ocupen una franja significa dentro de la electrnica de
potencia, especialmente en aquellas aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que
alcanzan los 5000 V y los 4000 A.

El GTO es un tiristor con capacidad de externa de bloqueo, la puerta le permite controlar las dos
transiciones: pasa de bloqueo conduccin y viceversa .
CARACTERISTICAS:

El disparo se realiza mediante una VGK >0

El bloqueo se realiza con una VGK < 0.
La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo
forzado que requieren los SCR.
La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el
generador debe estar mas dimensionado.
El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.

ESTRUCTURA:
La estructura del GTO es esencialmente la de un tiristor convencional. Existen 4 capas
de silicio (PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres terminales: nodo (A), ctodo (C o K)
y puerta (G).
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO:
Su caracterstica principal es su capacidad de entrar en conduccin y bloquearse
a travs de seales adecuadas en el terminal de puerta G.

El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que est

directamente polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula
corriente entre puerta y ctodo. Como la capa de la puerta es
suficientemente fina, gran parte de los portadores se mueven hasta la capa N
adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atrados por el potencial
del nodo, dando inicio a la corriente andica. Si sta corriente se mantiene
por encima de la corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la
seal de puerta para mantenerse en conduccin.

La figura 2.13 muestra una representacin simplificada de los procesos de

entrada y salida de conduccin del GTO.

La aplicacin de una polarizacin inversa en la unin puerta-ctodo puede llevar

a la abertura o bloqueo del GTO. Portadores libres (agujeros) presentes en las
capas centrales del dispositivo son atradas por la puerta, haciendo que sea
posible el restablecimiento de la barrera de potencial en la unin J2.

Aparentemente tal comportamiento tambin sera posible en el SCR. Pero, en

realidad, las diferencias estn en el nivel de construccin del componente. El
funcionamiento como GTO depende, por ejemplo, de factores como:

Facilidad de extraccin de portadores por el terminal de puerta esto es

posible debido al uso de impurezas con alta movilidad.
Rpida desaparicin de portadores en las capas centrales uso de
impurezas con bajo tiempo de recombinacin. Esto indica que un GTO
tiene una mayor cada de tensin en conduccin, comparado a un SCR
de dimensiones iguales.
Soportar tensin inversa en la unin puerta-ctodo, sin entrar en
avalancha menor dopado en la regin del ctodo.
 Absorcin de portadores de toda la superficie conductora regin de
puerta-ctodo con gran rea de contacto.

Al contrario del SCR, un GTO puede no tener la capacidad de bloquear

tensiones inversas

Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasar del estado OFF

al estado ON. Por el contrario, si la corriente por la puerta es negativa, el
semiconductor dejar de conducir, pasando del estado de ON a OFF.

Con ello se tiene un control total del estado del semiconductor en cualquier
momento. Ntese que al tratarse de un tiristor, la corriente slo puede circular de nodo
a ctodo, pero no en sentido contrario. Evidentemente, este dispositivo es ms caro que
un SCR y adems el rango de tensiones y corrientes es ms pequeo que en el caso de
los SCRs. En general se suelen llegar a potencias entorno a los 500kW como mximo. La
tensin nodo-ctodo en conduccin directa tambin es ms elevada que para los
tiristores convencionales.

ENCENDIDO DE UN GTO

Al igual que ocurre con un tiristor convencional, para llevar a cabo el encendido de un GTO es
necesario aplicar una determinada corriente entrante por la puerta. Sin embargo, en el encendido
de un GTO la corriente mxima por la puerta IGM y la velocidad de variacin de dicha corriente
al principio de la conduccin deben ser lo suficientemente grandes como para asegurar que la
corriente circula por todas las islas ctodo. Si esto no fuese as y slo algunas islas ctodo
condujeran, la densidad de corriente en estas islas sera tan elevada que el excesivo
calentamiento en zonas localizadas podra provocar la destruccin del dispositivo.

Del mismo modo, como muestra la figura, se requiere mantener una pequea corriente
iG durante todo el tiempo que se desee que el GTO conduzca, y evitar as que alguna isla se
apague de modo accidental.

Si la corriente de puerta se hace cero una vez que el tiristor ha entrado en conduccin y la
corriente que circula desde el nodo hasta el ctodo (y que depende del circuito exterior)
disminuye lo suficiente, algunas islas ctodos podran dejar de conducir. De igual forma, si por
accin del circuito exterior la corriente de nodo volviera a aumentar slo conduciran aquellas
islas ctodo que no se apagaron. La densidad de corriente de estas islas es muy alta y el
excesivo calentamiento, localizado en algunos puntos, podra destruir al GTO.

APAGADO DE UN GTO

Al comenzar a circular corriente positiva por la puerta, la corriente de nodo a ctodo se

concentra en las zonas situadas entre los terminales de puerta, aumentando la densidad de
corriente en estas zonas .

De esta forma, el GTO no comienza a apagarse hasta que la corriente de nodo a ctodo ha
quedado reducida a pequeos filamentos entre los terminales de puerta. Entonces la tensin
vAK, hasta entonces muy pequea al estar el GTO en funcionamiento, comienza a aumentar.
Como la gran densidad de corriente que circula por estos pequeos filamentos podra
ocasionar su destruccin, se utiliza un condensador snubber en paralelo con el GTO, que
ofrece a la corriente un camino alternativo por donde circular. As, cuando vAK comienza a
aumentar el condensador comienza a cargarse, por lo que parte de la corriente que circulaba
por el GTO lo hace ahora por el condensador.

Como consecuencia de que al apagar un GTO la corriente que circula desde el nodo hasta el
ctodo se concentra en las zonas entre los terminales de puerta, la corriente de puerta debe
circular lateralmente en la capa P2 .Esta circulacin lateral de corriente provoca la aparicin
de una cada de tensin lateral denominada vL desde la zona de ctodo, donde se concentra
la corriente de nodo a ctodo, hasta la zona de terminal de puerta.

En un GTO, la ganancia de corriente de apagado OFF es pequea, oscilando entre los valores
de 3 a 5. Afortunadamente, esta corriente en el circuito de puerta slo se requiere durante
un tiempo pequeo.

Si vL se hace lo suficientemente grande (tpicamente 10 V), la unin J3 podra entrar en

ruptura por avalancha. Si sto ocurriese, un aumento de la corriente de puerta se desplazar
hacia la zona de avalancha de J3, lo que no contribuye al apagado del GTO.

CARACTERISTICAS DEL DIODO:

como se muestra en la figura se muestran las caracteristicas estaticas corriente-voltaje
del GTO . se muestra que si una corriente positiva pasa por la compuerta el dispositivo
pasara de un estado de apogado aun estado de ensendido. por lo contrario si la corriente
es negativa pasara de un estado de encendido a apagado. con elllo tenemos el dominio
del dispositivo en todo momento.
Al tener mas funciones que un SCR, este dispositivo es un poco ms costoso que un SCR.

Ventajas de los GTO sobre los SCR

Eliminacin de los componentes auxiliares en la conmutacin forzada, que
da como resultado una reduccin en costo, peso y volumen.
Eliminacin del ruido acstico y electromagntico debido a la eliminacin de
bobinas de induccin en la conmutacin.
Desactivacin ms rpida, permitiendo frecuencias de conmutacin ms
altas.
Una eficiencia mejorada de los convertidores.

Ventajas sobre los transistores bipolares en

aplicaciones de baja potencia.
Ms alta capacidad de voltaje de bloqueo.
Alta relacin de corriente de pico controlable a corriente promedio.
Alta relacin de corriente de pulsacin pico a corriente promedio,tpicamente
de 10:1.
Alta ganancia en estado activo tpicamente de 600 Seal de compuerta
pulsada de corta duracin. Bajo condiciones de pulsacin de carga, un GTO
 pasa a una saturacin ms profunda debido a la accin regenerativa. Por otra
parte, un transistor bipolar tiende a salirse de saturacin.

APLICACIONES:
El GTO se emplea actualmente en muchas aplicaciones interesantes en el
dominio de altas potencias cuyo control se realiza fcilmente
mediante transistores bipolares. Los bajos requerimientos de potencia de su
control facilitan la aplicacin de tcnicas de modulacin de anchura de pulsos.
Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede ser
apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper (conversiones
de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de potencia en
los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A bajos niveles
de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son preferibles. En la
conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las estrategias de
conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la potencia, como el
factor de potencia.
A nivel industrial algunos usos son:
troceadores y convertidores.
Control de motores asncronos.
Inversores.
Caldeo inductivo.
Rectificadores.
Soldadura al arco.
Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI).
Control de motores.
Traccin elctrica

*ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO

*FORMA DE ONDA EN EL ENCENDIDO DEL GTO

COMPARACIN CON OTROS DISPOSITIVOS
 http://electropotenciamei.blogspot.pe/2011/12/dispositivos-utilizados-en-
electronica.html
 https://www.ecured.cu/Tiristor_desactivado_por_compuerta_(GTO)

http://apontedispositivoselectronicapotencia.blogspot.pe/2011/12/gto-gate-turn-off-
thyristor.html

http://dispositivoselectronicadepotencia.blogspot.pe/2012/03/blog-post.html