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Correntes e Condutores
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CORRENTE E DENSIDADE DE CORRENTE

Cargas eltricas em movimento constituem uma corrente;
A corrente definida como a taxa de movimento de cargas
que passam por um ponto de referncia (ou atravessando um
plano de referncia ) de um Coulomb por segundo:

[A] Ampere

Ela definida como o movimento de cargas positivas, apesar

de a conduo em metais ocorrer pela movimentao de
eltrons;
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A densidade de corrente J definida como a corrente que flui por unidade de

rea, medida em ampres por metro quadrado (A/m2);
A corrente total pode ser obtida por integrao:

A densidade de corrente pode ser relacionada a velocidade da densidade

volumtrica de carga em um ponto v. Considere o elemento de carga Q = v
vol = v S L;
No intervalo de tempo t, o elemento de carga se moveu por uma distncia x;
Movemos, ento, uma carga Q = v S x por um plano em um incremento de
tempo t, e a corrente resultante I :

Um elemento de carga que se move

x em t produz uma densidade de
corrrente Jx
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Um elemento de carga que se

Quando tomamos o limite com relao ao tempo temos : move x em t produz uma
densidade de corrrente Jx.

onde vx representa a componente em x da velocidade v. Em termos de

densidade de corrente encontramos:

e, de uma forma genrica:

Densidade
de corrente Carga em movimento
de se
conveco constitui em corrente

Densidade volumtrica velocidade

de carga
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CONTINUIDADE DA CORRENTE
O princpio da conservao da carga determina que cargas no
podem ser criadas nem destrudas, apesar de quantidades iguais de
cargas positivas e negativas poderem ser simultaneamente criadas,
obtidas por separao, destrudas ou perdidas por recombinao.
A equao da continuidade vem deste princpio, quando
consideramos qualquer regio limitada por uma superfcie fechada.
A corrente pela superfcie fechada :

E esse fluxo para fora de carga positiva deve ser balanceado pelo
decrscimo de cargas positivas (ou, talvez, um aumento de carga
negativa) dentro da superfcie fechada.
Se a carga dentro da superfcie fechada denotada por Qi, ento a
taxa de decrscimo -dQi/dt, e o princpio de conservao de
cargas requer
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Esta a forma integral da equao da continuidade.

A forma diferencial, ou pontual obtida utilizando o teorema da
divergncia para mudar a integral de superfcie em uma integral
volumtrica, resultando na seguinte equao:

onde

Essa equao indica que a corrente ou carga por segundo, que

diverge de um pequeno volume, por unidade de volume, igual a
taxa temporal de decrscimo da carga, por unidade de volume, em
cada ponto.
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Como exemplo numrico, vamos considerar uma densidade de

corrente J que esta direcionada radialmente para fora de uma
esfera e decresce exponencialmente:
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#HW
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CONDUTORES METLICOS
Materiais podem ser classificados como condutores, isolantes ou semicondutores;

O que caracteriza um material como condutor, isolante ou semicondutor a

estrutura de suas bandas de energia:
No condutor metlico, a banda de valncia se une suavemente a banda de
conduo; energia cintica adicional pode ser dada aos eltrons de valncia
por um campo externo, resultando em um fluxo de eltrons;
No material isolante, existem uma banda proibida entre as bandas de valncia
e de conduo; para que o eltron passe da banda de valncia para a de
conduo necessria a transferencia de relativamente grande energia para
que ele seja suficientemente excitado para saltar da banda proibida para a de
conduo; nesta situao, o isolante rompido;
Os materiais semicondutores possuem uma condio intermediria; uma
pequena banda proibida separa a banda de valncia da banda de conduo;
pequenas quantidades de energia podem aumentar a energia dos eltrons no
topo da banda preenchida e proporcionar a base para a conduo.
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Estrutura em bandas de energia em diferentes tipos de materiais:

(a) 0 condutor no exibe banda proibida de energia entre as bandas de
valncia e de conduo;
(b) 0 isolante apresenta uma grande banda proibida de energia;
(c) 0 semicondutor tem apenas uma pequena banda proibida de energia
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Em um condutor, os eltrons de valncia, ou eltrons de conduo,

movem-se sob a influncia de um campo eltrico. Com um campo E, um
eltron que tem uma carga Q = - e experirnentar a fora

No espao livre, o eltron aceleraria e aumentaria sua velocidade (e

energia) continuamente. No material cristalino, o progresso do eltron
impedido pelas colises contnuas com a rede cristalina termicamente
excitada, e uma velocidade mdia constante logo atingida. A velocidade
vd chamada de velocidade de deriva, e linearmente relacionada com a
intensidade de campo eltrico pela mobilidade dos eltrons em um dado
material. Designamos mobilidade pelo simbolo , de forma que

Onde e a mobilidade de um eltron e positiva por definio.

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Sustituindo em temos

Densidade de
corrente de
conveco
na qual e a densidade de carga de eltrons livres, um valor negativo. A
densidade de carga total v zero, porque cargas positivas e negativas iguais
esto presentes no material neutro. O valor negativo de e e o sinal de menos
levam a uma densidade de corrente J que est na mesma direo da
intensidade de campo eltrico E.
A relao entre J e E para um condutor metlico, tambem especificada
pela condutividade (sigma):

Onde medido em siemens por metro (S/m).

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A resistividade, que o recproco da condutividade, varia quase

linearmente com a temperatura na regio da temperatura ambiente e,
para o alumnio, o cobre e a prata, aumenta aproximadamente 0,4%
para um aumento de temperatura de 1 K. Para diversos metais, a
resistividade cai abruptamente at zero quando em uma temperatura
de poucos kelvin. Essa propriedade e chamada de supercondutividade.
Cobre e prata no so supercondutores, apesar de o alumnio s-lo, em
temperaturas abaixo de 1,14 K.
A condutividade pode ser expressa em termos de densidade de carga
e da mobilidade do eltron:

interessante notar que uma alta temperatura acarreta uma maior

vibrao da rede cristalina, maior impedimento para o progresso de
eltrons para uma dada intensidade de campo eltrico, menor
velocidade de deriva, menor mobilidade, menor condutividade e maior
resistividade.
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Vamos assumir que J e E so uniformes,

na regio cilndrica mostrada ao lado
Uma vez que J e E so uniformes

E
A razo da diferena de potencial entre
as duas extremidades do cilindro pela
corrente que entra no terminal mais
positivo conhecida da teoria
Ou elementar de circuitos como a
resistncia do cilindro e, logo,
Assim Lei de
Ohm
Na qual

Ou
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A equao ao lado nos permite calcular a resistncia R,

medida em ohms (abreviada como ), de objetos condutores
que possuem campos uniformes.

Se os campos no so uniformes, a resistncia pode ainda ser

definida como a razo de V por I, onde V e a diferena de
potencial entre duas superfcies equipotenciais especificadas
no material e I e a corrente total que atravessa a superfcie
mais positiva no material.

Podemos escrever essa expresso mais genrica para

resistncia quando os campos no so uniformes:
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#HW

#HW
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PROPRIEDADES DOS CONDUTORES

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Caractersticas de um bom condutor:

As cargas eltrica em excesso distribuem-se na superfcie do condutor,

no permanecendo no seu interior: como as cargas eltricas em excesso
tm mesmo sinal, elas se repelem, afastando-se uma das outras e
ficando o mais distante possvel. Desta forma elas ocupam a superfcie
externa do condutor.

O campo eltrico em pontos do interior de um condutor

em equilbrio eletrosttico nulo.

Para a eletrosttica, nenhuma carga e nenhum campo

eltrico podem existir em qualquer ponto dentro de um material
condutor. Contudo, a carga pode aparecer na superfcie, na forma de
uma densidade superficial de carga.

A superfcie de um condutor uma superfcie equipotencial.

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CONDIES DE FRONTEIRA DOS

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CONDUTORES
Condies de fronteira desejadas para a fronteira
do condutor - espao livre - em eletrosttica

tangencial

Normal
O fluxo eltrico deixa o condutor numa direo
normal a superfcie, e o valor da densidade de fluxo
eltrico numericamente igual a densidade
superficial de carga.
O campo eltrico e a densidade de fluxo eltrico
tangencial igual a zero .
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Para resumir os princpios aplicveis a condutores

em campos eletrostticos, podemos afirmar que:

1. A intensidade de campo eltrico esttico

dentro de um condutor zero.

2. A intensidade de campo eltrico esttico na

superfcie de um condutor, possui em todos os
pontos, direo normal a superfcie.

3. A superfcie de um condutor uma

superfcie equipotencial.
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Exemplo 5.2
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Exemplo 5.2
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Sabendo que encontramos E:

Superfcie
equipotencial
(V=300)

E assim, E no ponto P(x=2, y=-1):

Por encontramos D no ponto

P:

O campo est direcionado no sentido para

baixo e para a esquerda em P, e normal a
superfcie equipotencial. Com isso,

E a densidade superficial de carga :

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Exemplo 5.3

Cap. 2 Hayt
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#HW
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O MTODO DAS IMAGENS

campo potencial
(Linhas de potencial)

campo eltrico
(linhas de fora)

Potencial nulo V = 0
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Potencial nulo V = 0
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O MTODO DAS IMAGENS

Qualquer configurao de carga sobre um plano de terra
infinito pode ser substituda por um arranjo composto da
configurao de cargas dada e sua imagem, e o plano
condutor removido.

(a)Uma dada configurao de cargas sobre um plano condutor infinito pode ser
substituida pela (b) configurao de cargas dada mais a configurao imagem, sem o
plano condutor.
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Exemplo: A12

Encontre o campo Eltrico em P(2,5,0) no plano

condutor z = 0. Considerando uma linha de carga de
30nC posicionada em x = 0, z=3 ( conforme figura a).

Removemos o plano em z = 0 e inserimos uma linha de carga imagem de -30nC/m em x = 0

e z = -3. (conforme figura b). O campo em P pode ser obtido pela superposio dos campos.
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Exemplo: A12

(a) Uma linha de cargas sobre um plano condutor.

(b) 0 condutor e removido, e a imagem da linha de cargas e adicionada.
O campo eltrico E no ponto P ser dado por , onde:

R+ = P - L = (2,5,0) (0,5,3) R- = P - L = (2,5,0) (0,5,-3)

Somando as duas parcelas: Normal

ao plano
condutor
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#HW
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SEMICONDUTORES
Materiais semicondutores intrnsecos, tal como o germnio ou
silcio puro, possuem dois tipos de portadores de carga: eltrons e
lacunas;
Eltrons so aqueles do topo da banda de valncia preenchida, que
receberam energia suficiente para atravessar a relativamente
pequena banda proibida at a banda de conduo;
Os espaos deixados por esses eltrons representam estados de
energia no preenchidos na banda de valncia, os quais tambm
podem se deslocar, de tomo para tomo, no cristal;
Esse vazio chamado de lacuna, e muitas das propriedades dos
semicondutores podem ser descritas tratando as lacunas como se
tivessem carga positiva de e, uma mobilidade h e uma massa
efetiva comparvel do eltron;
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A12

Ambos os portadores (eltrons e lacunas) se movem em um campo

eltrico e em direes opostas;
Com isso, cada um contribui com uma componente da corrente
total, que est na mesma direo da componente do outro;
A condutividade uma funo de ambas as concentraes e
mobilidades dos eltrons e das lacunas:

Para o silcio puro, ou intrnseco, as mobilidades dos eltrons e das

lacunas so de 0,12 e 0,025, respectivamente, enquanto para o
germnio as mobilidades so 0,36 e 0,17. Essas mobilidades so
dadas para uma temperatura de 300 K;
As concentraes de eltrons e lacunas dependem fortemente da
temperatura;
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Note: a condutividade do semicondutor intrnseco aumenta com a

temperatura, enquanto a do condutor metlico decresce com a temperatura;
Essa uma das direnas caractersticas entre os condutores metlicos e os
semicondutores intrnsecos;
Semicondutores intrnsecos tambm satisfazem a forma pontual da lei de
Ohm, isto , a condutividade razoavelmente constante com a densidade de
corrente e com a direo da densidade de corrente;
O nmero de portadores de carga e a condutividade podem ambos ser
aumentados dramaticamente pela adio de quantidades muito pequenas de
impurezas.
Materiais doadores propiciam eltrons adicionais e formam semicondutores
do tipo n;
Materiais receptores fornecem lacunas adicionais e formam semicondutores
do tipo p.
Este processo conhecido como dopagem, e uma concentrao de doadores
no silcio to baixa quanto uma parte em 107 provoca urn aumento na
condutividade de um fator de 105.