FR9903155

Physico-chimie de l'interaction ion-solide 87

Proprits physicochimiques des surfaces et interfaces de

matriaux
Physical and chemical pro/perties of materials surfaces and interfaces

G. B A R B I E R ( 2 ) , A. CHEVARIER( 2 ' 3) , N . CHEVARIER^ 2 ' 3 ), J-C. DUCLOT^ 1 '"), H. J A F F R E Z I C ^ ,

E. LEBLOND ( 1 ), N. MILLARD~PINARD ( 2 ' 3 ) , G. MAREST ( 1 ' 4 ) , N . MONCOFFRE* 1 ', A. PLANTIER
R. SOMATRI^
Services IPN-Lyon : ^ soutien aux expriences, "^ service acclrateurs
(1)
section 1, Collaboration: IPN-Lyon, ECL Lyon, INSA Lyon
(2) section 2, Collaboration : IPN-Lyon, INRS Energie et Matriaux (Varennes Qubec)
(3)
section 3, Collaboration : IPN-Lyon, UCB Lyon 1 , U J F Grenoble
(4) section 4, Collaboration : IPN-Lyon, Universit de Pune (Inde), Universit de Rouen

These studies are based on the combination of ion implantation and nuclear analysis techniques. They are performed
on metals, semiconductors and ceramic materials in collaboration with laboratories involved in the elaboration of
these materials. The different studies are the following: 1) surface treatment of aluminium using ion beam
techniques; 2) hydrogen release in new plasma facing materials in Tokamak devices; 3) development of ion beam
analysis methods to determine elementary depth profiles in thin films used in micro electronics; 4) Mssbauer
studies of oxides prepared by laser ablation and ion implantation.

1- Traitement de surface de l'aluminium ts et de taille plus importante (40nm).

Ce travail de recherche s'inscrit dans le cadre de la
thse de E. Leblond qui est cofinance par la rgion
Rhne-Alpes et la socit Nitruvid. Son but est de mo-
difier le comportement de l'aluminium par introduc-
tion d'azote sous forme ionique (implantation et nitru-
ration). Le compos AIN dont les proprits mcaniques
sont trs attractives, peut ainsi tre form sous forme de
microprcipits de taille optimisable sur des paisseurs
de l'ordre de la centaine de nanometres. Les couches la-
bores sont caractrises la fois sur le plan physicochi-
mique et structural, sur le plan mcanique (mesure de
nanoduret) et sous l'aspect tribologique (frottement et
usure). Les mthodes nuclaires d'analyse permettent
en particulier de mesurer les profils de rpartition de
l'azote et d'ventuelles impurets telles que l'oxygne.
Des analyses complmentaires par diffraction de RX
sous incidence rasante ou par microscopie lectronique
en transmission mettent en vidence les diffrentes mi-
crostructures formes.
Trois types de microstructures de prcipits de ni-
trure d'aluminium ont t labors en fonction des con-
ditions d'implantation. Aprs implantation de 4xlO17
N+.cm~2 40 keV et temprature ambiante, de trs
fins prcipits (environ 7nm) de AIN ayant une struc-
ture hexagonale et prsentant des relations d'pitaxie
avec la matrice, sont forms. Pour une temprature
d'implantation de 400C, les prcipits sont non orien-
c
Aprs recuit
thermique la temprature de 400 C, la taille des pr-
cipits est de l'ordre de 15nm et ceux-ci prsentent des
relations d'orientation avec la matrice. Une tude de la
diffusion d'azote dans l'aluminium a t mene en utili-
sant la raction 15N (p,a:7)12C, sensible au dplacement
de trs faibles concentrations d'azote 15.
Les mesures des proprits mcaniques et tribolo-
giques montrent que des rsultats trs intressants sont
obtenus sur des chantillons implants multi nergies.
2- Recyclage de l'hydrogne dans de
nouveaux matriaux utiliss dans
les racteurs fusion
Ce travail s'inscrit dans un programme de coopration
France-Qubec. La mise en commun de nos expertises
et appareillages a permis la ralisation d'expriences
indites qui n'auraient pu tre faites sans cette collabo-
ration. Ainsi les matriaux furent caractriss par m-
thodes nuclaires d'analyse, par spectromtrie de masse
et d'lectrons et par spectroscopie RAMAN. Les simu-
lations d'irradiation en H, He, N ont pu tre effectues
dans un domaine d'nergie allant de la dizaine d'eV
au MeV, avant que les chantillons soient exposs au
plasma du Tokamak de Varennes. Les rsultats les plus
probants sont les suivants :
- le lithium augmente considrablement la rtention
88 Physico-chimie de l'interaction ion-solide
de l'hydrogne dans les revtements a-C: H facilitant
ainsi le contrle du recyclage sur les parois des rac-
teurs fusion. Ce rsultat, obtenu partir de simula-
tions par implantation ionique, a t confirm par l'ex-
position d'chantillons au plasma du tokamak et peut
s'expliquer par la formation de liaisons LiH et par un
changement de structure du carbone.
- les dpts de SiC ont d'excellentes proprits de
rtention de l'hydrogne mais la prsence du silicium
(par autopulvrisation) dans les plasmas de bord des
tokamaks pourrait tre nfaste; l'implantation de li-
thium a peu d'effet sur les proprits de rtention de ce
matriau.
- la dsorption thermique dans les revtements a-C:
H et a-SiC: H, a mis en vidence une dsorption de
l'hydrogne selon deux cintiques qui dpendent de la
concentration de ce dernier.
Ces travaux ont fait l'objet de publications et sont
dtaills dans les mmoires des thses de G. Barbier et
F. Schiettekatte qui se sont droules dans le cadre de
cette coopration (1994-1997).
3- Caractrisation de dpts semi-con-
ducteurs base de silicium
Les dpts de films minces obtenus principalement
partir d'une phase gazeuse sont utiliss dans de nom-
breux domaines : semi-conducteurs, cramiques, rev-
tements divers. Dans le secteur de la micro-lectronique
o le silicium demeure le matriau de base, il importe
de raliser des dispositifs constitus d'htrostructures
sous forme de films minces et d'amliorer les intercon-
nexions des circuits intgrs par le biais de dpts de
couches minces protectrices.
Ce travail a ncessit le dveloppement de mthodes
d'analyse par faisceaux d'ions (Spectroscopie par diffu-
sion lastique non coulombienne, Spectroscopie par ra-
ction nuclaire) permettant de caractriser ces dpts et
d'optimiser leur laboration. Nous nous sommes intres-
ss la dtermination des sections efficaces 12C(a, a),
14
N(a,a), 16 O(a,a) et 28 Si(a,a) et ainsi qu' celle de
la raction 14N(a,p) dans une gamme d'nergie de 2
MeV 7 MeV. L'exploitation de la raction 14N(a,p) a
permis le dosage slectif de l'azote grce la mise au
point, d'un systme d'identification entre les particules
alpha diffuses et les protons mis.
Grce a ces rsultats, nous avons pu caractriser
les dpts de /? SiC obtenus par CVD ractive, en vue
d'une croissance pitaxiale de ,3-SiC et tudier l'inter-
face entre le carbure de silicium et le substrat de sili-
cium (100). La confrontation des donnes obtenues par
analyse l'aide de faisceaux d'ions, spectroscopie infra-
rouge et microscopie lectronique a permis une modli-
sation de la croissance de cette couche tampon.
Par ailleurs, des dpts de systmes ternaires Me-
Si-N (Me = Re, W, Ti, Ta) obtenus par CVD basse
pression ont t raliss dans le but d'obtenir une bar-
rire de diffusion pour le mtal d'interconnexion (cuivre)
dans les circuits intgrs. La dtermination de la stoe-
chiomtrie des systmes Me-Si-N a permis de situer ces
composs ternaires selon leur stabilit dans leurs dia-
grammes de phases respectifs. L'volution de la teneur
en azote des composs W-Si-N a permis l'tude de leur
stabilit en fonction des conditions de recuit.
4- Etudes Mossbauer de cramiques
supraconductrices et de provskites
magntorsistance colossale
Des films minces epitaxies de YBa2Cu37_^ ont t d-
poss par ablation laser sur un substrat monocristallin
de LaAlC>3 puis trs faiblement dops en 57Fe par im-
plantation ionique. Un traitement thermique adquat a
permis de gurir les dfauts et de placer 70% des atomes
de fer dans les chanes de cuivre. Dans le cas d'un codo-
page avec Fe et Zn, il a t montr que la temprature
critique disparat beaucoup plus rapidement qu'avec un
dopage monolment. Nous avons conclu que la princi-
pale cause de la suppression de Te est une diminution
de la densit des trous mobiles dans les plans Cu2 par
les atomes de fer.
Le rle important des complexes Mn4+-O-Mn3+
pour expliquer la magntorsistance colossale de cer-
taines provskites est maintenant bien tabli. Cepen-
dant, le double change lectronique ne suffit pas pour
interprter de faon satisfaisante cette proprit. Puis-
qu'il semble que la mobilit des porteurs de charge soit
lie des effets de polarisation locale du rseau ma-
gntique, nous avons pens qu'il serait intressant d'in-
troduire des perturbations dans les sites Mn du rseau
magntique. Effectivement, les rsultats que nous avons
obtenus concernant les proprits lectriques et les inte-
ractions hyperflnes dans Lao.75 CA0.25 Mni_ x Fe^ O3
dop en 57Fe avec 0 < x < 0.05 plaident pour faire
jouer un rle aux polarons magntiques et suggrent
une transition de type localisation - dlocalisation pour
une concentration critique du dopant.
Nous avons mis en vidence une corrlation trs
nette entre l'volution en fonction de la temprature
de la magntorsistance gante de composs dops en
fer avec x = 0.0425 et x = 0.045 et les paramtres hy-
perfins reflets de deux environnements diffrents pour
les noyaux de fer ainsi qu'avec l'apparition d'un magn-
tisme au-dessous d'une certaine temprature. Ces rsul-
tats indiquent l'existence de clusters de petites tailles
riches soit en Mn4+ soit en Mn 3+ .