TRANSISTORES DE

EFECTO DE CAMPO FETs

Todos ellos pueden ser Canal-N o Canal-P

MOS = Metal Oxide Semiconductor

D = Depletion [Decremental]
E = Enhancement [Enriquecimiento]
CMOS A Complementary - MOSFET, tecnologa MOSFET complementaria [en
un mismo circuito se usan MOSFETs canal-N y canal-P].

JFET (Junction Field Efect Transistor).- El JFET es un tipo de transistor

que opera con una juntura polarizada inversamente para controlar la
corriente de un canal. Dependiendo de su estructura, los JFET caen
dentro de 2 categoras: canal-N o canal-P. Las figs. 4.1 y 4.2 muestran
la estructura bsica de un JFET canal-N y de un JFET canal-P
respectivamente. El Drenaje [Drain] corresponde al terminal superior,
el Fuente [Source] el terminal inferior. Las 2 regiones tipo-P estn
difundidas en el material tipo-N para formar el canal, y las 2 regiones
tipo-P estn conectadas al terminal Compuerta [Gate].

FIG U R A 4.1 FIG U R A 4.2

Smbolo del JFET.- Las figs. 4.3 (a) y (b) muestran los smbolos
esquemticos para los JFETs canal-N y canal-P respectivamente.

FIG U R A 4.3 (a ) CA N A L-N (b ) CA N A L-P

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 2 83 -

Operacin Bsica.- Para ilustrar la operacin de un JFET, la fig. 4.4

muestra los voltajes de polarizacin aplicados al dispositivo canal-N.
VDD proporciona el voltaje Drenaje-a-Fuente y genera la corriente de
Drenaje-a-Fuente. VGG establece el voltaje inverso entre la Compuerta
y la Fuente. El JFET siempre opera con la juntura PN Compuerta-Fuente
polarizada inversamente. La polarizacin inversa de la juntura Compuerta-
Fuente con un voltaje de Compuerta negativo produce una regin desrtica
a lo largo de la juntura PN, que se extiende en el canal-N y as
incrementa su resistencia restringiendo el ancho del canal.
El ancho del canal puede controlarse variando el voltaje de la
Compuerta, por tanto, tambin se puede controlar la cantidad de corriente
de Drenaje ID.

FIG U R A 4.4

Caractersticas y Parmetros del JFET.- En esta seccin se ver como opera

un JFET como un dispositivo controlado por voltaje, con corriente
constante.

FIG U R A 4.5

Se considera primero el caso cuando el voltaje Compuerta-a-Fuente

es cero [VGS = 0V]. Esto se produce cortocircuitando la Compuerta a
la Fuente, como en la fig. 4.5, donde ambos terminales estn conectados
a tierra. Conforme VDD (es decir, VDS) se incrementa desde 0V, ID
incrementar proporcionalmente a travs del material tipo-N como se
muestra en la fig. 4.5 entre los puntos A y B. En esta regin la
Carlos Novillo Montero Can
FETs - 2 84 -

resistencia del canal bsicamente se mantiene constante puesto que

la regin desrtica no es muy grande para tener un efecto significativo.
Esta es la regin hmica debido a que VDS e ID estn relacionadas por
la ley de Ohm.
En el punto B de la fig. 4.5, la curva de ID comienza a ser
prcticamente constante. Conforme VDS se incrementa, a partir del punto
B hacia el punto C, el voltaje de polarizacin inversa de Compuerta-a-
Drenaje (VGD) produce una regin desrtica bastante grande para compensar
los incrementos de VDS, as ID se mantiene relativamente constante.

Voltaje PINCH-OFF [VP] (pinch-off = estrangulamiento, estrechamiento o

estriccin).- Para VGS = 0V, el valor de VDS en el que ID empieza a ser
casi constante [punto B de la curva caracterstica] es el voltaje pinch-
off VP. Para un JFET particular, VP tiene un valor fijo. Como puede
verse, un incremento continuo de VDS sobre el voltaje pinch-off produce
una corriente de Drenaje constante. Este valor de corriente de Drenaje
es IDSS [Drain to Source current with Gate Shorted = corriente Drenaje-a-
Fuente con la Compuerta cortocircuitada] y siempre est especificada
en las hojas de datos del JFET.
IDSS es la mxima corriente de Drenaje que puede circular a travs
del canal de un JFET especfico, sin importar el circuito externo,
y siempre est especificada para las condiciones VGS = 0V.
La ruptura ocurre en el punto C [fig. 4.5], cuando ID empieza a
incrementar rpidamente con incrementos posteriores de VDS. La ruptura
puede generar daos irreversibles al dispositivo, as los JFETs siempre
deben operar por debajo de la ruptura y dentro de la regin de corriente
constante [entre los puntos B y C del grfico].

Control de ID con VGS.- La conduccin de corriente a travs del canal se

la realiza mediante la conexin de un voltaje de polarizacin, VGG,
desde la Compuerta a la Fuente como se muestra en la fig. 4.6 (a).
Conforme VGS se hace ms negativo, ajustando VGG, se produce La familia
de curvas caractersticas de Drenaje, que se indica en la fig. 4.6
(b).

FIG U R A 4.6 (a ) (b )

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 2 85 -

Se observa que ID disminuye conforme la magnitud de VGS se hace ms

negativa debido al estrechamiento del canal. Si se sigue aumentando
el valor de VGG, llega un momento en que se cierra el canal e ID se hace
cero. Tambin puede verse que, para cada incremento de VGS, el JFET
alcanza el pinch-off [donde la corriente empieza a ser constante] en
valores de VDS menores que VP. De modo que, la cantidad de corriente
de Drenaje es controlada por VGS.

Voltaje CUTTOFF1 VGS<off>.- Si se contina aumentando VGG, llega un momento

en que se cierra el canal e ID se hace 0. El valor de VGS que hace que
ID = 0 es el voltaje cutoff. El JFET debe operar entre VGS = 0 y VGS<off>.
Para este rango de voltajes de Compuerta-a-Fuente, ID variar desde
una IDSS mxima hasta cero. Como se ha visto, para un JFET de canal-N,
mientras ms negativo es VGS, se genera menos corriente ID. Cuando VGS
alcanza un voltaje negativo suficientemente grande, ID se reduce a cero.
El efecto de corte [CUTOFF] se debe al ensanchamiento de la regin
desrtica al punto en que el canal se cierra completamente, como se
muestra en la fig. 4.7.

FIG U R A 4.7

La operacin bsica del JFET canal-P, es la misma que para el

dispositivo canal-N, excepto que requiere un VDD negativo y un VGS
positivo.

Resistencia Dinmica Controlada por Voltaje del JFET.- A la regin a la izquierda

del voltaje pinch-off de las curvas caractersticas del JFET, se la
conoce como regin hmica o regin de resistencia controlada por voltaje.
En esta regin, el JFET puede emplearse como una resistencia variable.
En las curvas caractersticas puede observarse que la pendiente de
cada curva y, por tanto, la resistencia del dispositivo entre el Drenaje
y la Fuente para VDS < Vp es una funcin del voltaje aplicado VGS. A
medida que VGS es ms negativo, la pendiente de la curva se hace cada

1 Cut-off = inte rrum p ir

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 2 86 -

vez ms horizontal, en correspondencia con un nivel ascendente de la

resistencia. La siguiente ecuacin proporciona una buena aproximacin
inicial al nivel de resistencia en funcin del voltaje aplicado VGS.

Donde ro es la resistencia a VGS = 0V y rd la resistencia a un nivel

particular de VGS. Para un JFET de canal-N con ro = 10K (VGS = 0V, VGS(off)
= -6V), la ecuacin anterior dar rd = 40K para VGS = -3V.

Comparacin entre los Voltajes PINCH-OFF y CUTTOFF.- Como se ha visto,

definitivamente hay una diferencia entre pinch-off y cuttoff. Tambin
hay una relacin. VP es el valor de VDS en el que la corriente de Drenaje
empieza a ser constante y siempre se mide para VGS = 0V. Sin embargo,
el voltaje pinch-off ocurre para valores de VDS menores que VP cuando
VGS es diferente de cero. As, aunque VP es constante, el mnimo valor
de VDS al que ID empieza a ser constante vara con VGS. VGS<off> y VP siempre
son iguales en magnitud pero de signo opuesto. Una hoja de datos
generalmente dar el valor de VGS<off> o el de VP, pero no ambos. Sin
embargo, cuando se conoce uno, se tiene el otro. Por ejemplo, si VGS<off>
= -6V, entonces VP = +6V.

Curva de Transferencia del JFET.- Se ha estudiado que el rango de valores

de VGS desde 0V hasta VGS<off> controla la cantidad de corriente de Drenaje.

FIG U R A 4.8

Para un JFET canal-N, VGS<off> es negativo, para un JFET canal-P, VGS<off>

es positivo. Puesto que VGS controla ID, la relacin entre estas dos
cantidades es muy importante. La fig. 4.8 es una curva de transferencia
Carlos Novillo Montero Can
FETs - 2 87 -

tpica que ilustra grficamente la relacin entre ID y VGS.

Se observa que el extremo inferior de la curva est en un punto sobre
el eje VGS igual a VGS<off>, y que el extremo superior de la curva est
en un punto sobre el eje ID igual a IDSS. Esta curva muestra que los
lmites de operacin de un JFET son

ID = 0 cuando VGS = VGS<off>

ID = IDSS cuando VGS = 0

VG S ID
[V] [m A ]

0 8 ,0

-1 4 ,5

-2 2 ,0

-3 0 ,5

-4 0

FIG U R A 4.9

La curva de transferencia puede obtenerse de las curvas caractersticas

de Drenaje, al dibujar los valores de ID para valores de VGS tomados
de la familia de curvas de Drenaje en la regin pinch-off [fig. 4.9],
para un conjunto especfico de curvas. Cada punto de la curva
caracterstica de transferencia corresponde a valores especficos de
ID y VGS sobre las curvas de Drenaje. Por ejemplo, cuando VGS = -1V,
ID = 4,5mA. Tambin, para este JFET especfico, VGS<off> = -4V e IDSS =
8mA.
La curva de transferencia de un JFET tiene una forma aproximadamente
parablica y puede expresarse como

Conocida como ecuacin de Shockley. Con esta ecuacin, se puede

Carlos Novillo Montero Can
FETs - 2 88 -

determinar ID para cualquier VGS si se conocen IDSS y VGS<off>. Estos

parmetros por lo general estn disponibles en la hoja de datos para
un JFET dado. Note el trmino al cuadrado en la ecuacin. Debido a
su forma, una relacin parablica, se la conoce como ley cuadrtica
y entonces a los JFETs y a los MOSFETs a menudo se los conoce como
dispositivos de la ley cuadrtica.

Transconductancia Directa del JFET.- La conductancia de transferencia

directa (transconductancia) gm, se la define como el cambio en la
corriente de Drenaje (ID) para un cambio dado en el voltaje de
Compuerta-a-Fuente (VGS) con el voltaje de Drenaje-a-Fuente
constante; se expresa como una relacin y sus unidades son siemens
[S].

FIG U R A 4 .1 0

Otras designaciones comunes para este parmetro son gfs y yfs

[admitancia de transferencia directa]. El parmetro gm es importante
en amplificadores con FET como el factor principal para determinar
la ganancia de voltaje.

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 2 89 -

FIG U R A 4.1 1

Debido a que la curva caracterstica de transferencia de un JFET

no es lineal, gm vara en valor dependiendo de la localizacin sobre
la curva de transferencia. El valor para gm es ms grande cerca de la
parte superior de la curva [cerca de VGS = 0] que cerca de la parte
inferior [prxima a VGS<off>] como se ilustra en la fig. 4.11. Una hoja
de datos para el JFET 2N5457 especifica un gmo (yfs) mnimo de 1000S
con VDS = 15V.
Dado gmo, se puede calcular un valor de gm aproximado en cualquier
punto de la curva de transferencia usando la siguiente ecuacin.

cuando no se dispone del valor de gmo, se lo puede calcular usando los

valores de IDSS y VGS<off>.

Impedancia y Capacitancia de Entrada.- Un JFET opera con la juntura

Compuerta-Fuente polarizada inversamente, por tanto, la impedancia
de entrada a la Compuerta es muy alta. Esta alta impedancia de
entrada es una ventaja del JFET sobre el transistor bipolar.
[Recuerde que el transistor bipolar opera con la juntura Base-Emisor
polarizada directamente]. La hoja de datos del JFET a veces
especifica la impedancia de entrada dando un valor para la corriente

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 2 90 -

inversa de la Compuerta IGSS para cierto voltaje de Compuerta-a-

Fuente. Entonces, la impedancia de entrada se puede determinar
mediante la siguiente ecuacin.

Por ejemplo, la hoja de datos del 2N5457 [JFET canal-N] indica que
IGSS(max) = 1nA, para VGS = -15V a 25C, por tanto Zin = 15G. IGSS
incrementa con la temperatura, entonces la impedancia de entrada
decrece. Si Zin tiende a infinito, ID tiende a cero.
La capacitancia de entrada, Common Source Short circuit Input
Capacitance Ciss, resulta de la operacin del JFET con una juntura PN
polarizada inversamente. Recuerde que una juntura PN polarizada
inversamente acta como un capacitor cuya capacitancia depende de la
cantidad de voltaje inverso. Por ejemplo, el 2N5457 tiene una Ciss(max)
de 7pF para un VGS = 0V.

Impedancia de Drenaje-a-Fuente.- En la curvas caractersticas de Drenaje

se estudi que sobre el voltaje pinch-off, la corriente de Drenaje
es relativamente constante en un rango de voltajes Drenaje-a-Fuente.
Entonces, un cambio grande de VDS slo produce un cambio pequeo de
ID. La relacin de este cambio es la impedancia de Drenaje-a-Fuente
(rds) del dispositivo.

A menudo, las hojas de datos especifican este parmetro como

conductancia de salida, gos, o admitancia de salida, yos. Para el
2N5457, yos = 10S (tpico), 50S (mximo).

Polarizacin del JFET.- Utilizando algunos de los conceptos estudiados

en las secciones anteriores, ahora se ver como polarizar con DC a
un JFET. El propsito de polarizar, es seleccionar un voltaje Compuerta-
a-Fuente apropiado para establecer una corriente de Drenaje deseada
y un punto Q apropiado. Se estudiarn los principales tipos de
polarizacin: fija, autopolarizacin y con divisor de voltaje.

Polarizacin FIJA.- La fig. 4.12 muestra un circuito con JFET de

polarizacin fija.

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 2 91 -

FIG U R A 4.1 2

Se vio que IG = 0mA, entonces se tiene que

VRG = IGRG = 0mA x RG = 0V

-VGG = VRG + VGS, entonces
VGS = -VGG

Puesto que VGS = -VGG, que es una fuente constante, entonces la

denominacin de polarizacin fija.
La corriente ID, se determina con la ecuacin de Schockley.

Una vez conocida ID, se pueden calcular los otros parmetros del
circuito.
Para la solucin grfica, primero se debe trazar la curva de
transferencia, como la indicada en la fig. 4.13. La recta de carga
est dada por la ecuacin

VGS = -VGG A Ecuacin de la recta de carga

La fig. 4.14 muestra la curva de transferencia junto con la recta

de carga, la coriente IDQ y el voltaje VGSQ. Para la configuracin de
polarizacin fija, es ms conveniente y precisa la solucin matemtica.

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 2 92 -

FIG U R A 4.1 3 FIG U R A 4.1 4

Ejemplo.- Para el circuito de polarizacin fija mostrado en la fig.

4.12 se tienen los siguientes datos: VDD = 20V; VGG = 2,5V; RD = 1,8K;
RG = 4,7M; IDSS = 10mA y VP = 8V. Determinar VGSQ; IDQ; VD; VG; VS y VDS.

Solucin.- De lo estudiado anteriormente se tiene que

VGS = -VGG = -2,5V; por tanto

VD = 20V - 4,73mA x 1,8K = 11,49V

VS = 0V
VG = -2,5V
VDS = 11,49V - 0V = 11,49V

Problemas Relacionados.- Datos: VDD = 21V; VGG = 2,2V; RD = 820; RG = 4,7M;

IDSS = 12mA; VP = 6V. Otro, caso: VDD = 15V; VGG = 1,8V; RG = 5,6M; RD
= 1,5K; IDSS = 8mA; VP = 5V. Determinar: IDQ, VGSQ, VDS; gm0; gm.
Los amplificadores con JFET de polarizacin fija no son muy utilizados
por cuanto requieren de dos fuentes independientes, por lo que, este
circuito, no resulta muy prctico.

Auto Polarizacin.- Recuerde que un JFET debe operar de manera que la

juntura Compuerta-Fuente siempre est polarizada inversamente.

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 2 93 -

FIG U R A 4.1 5 (a ) (b )

Esta condicin requiere un VGS negativo para un JFET canal-N y un

VGS positivo para un JFET canal-P. Esto puede obtenerse mediante el
arreglo de autopolarizacin mostrado en la fig. 4.15. La resistencia
de la compuerta, RG, no afecta la polarizacin porque casi no hay cada
de voltaje a travs de ella; entonces, la compuerta se mantiene a 0V.
La resistencia RG es necesaria solamente para aislar una seal ac de
tierra en aplicaciones de amplificadores.
Para el JFET canal-N de la fig. 4.15 (a), IS genera una cada de
voltaje en RS y hace que la Fuente sea positiva con respecto a tierra.
Puesto que ID = IS y VG = 0V, entonces, VS = ID x RS. El voltaje Compuerta-a-
Fuente es

VGS = VG - VS = 0 - ID X RS

Ecuacin de la recta de carga.

Para el JFET canal-P de la fig. 4.15 (b), la corriente a travs de

RS produce un voltaje negativo en la Fuente y entonces

entonces,

Para demostracin, en el siguiente anlisis, se utiliza al JFET canal-N

de la fig. 4.14 (a). Recuerde que el anlisis para el JFET canal-P
es el mismo, excepto que la polaridad de los voltajes es opuesta. El
voltaje de drenaje con respecto a tierra se determina as

VD = VDD - ID X RD

puesto que VS = ID X RS, el voltaje Drenaje-a-Fuente es

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 2 94 -

VDS = VD - VS = VDD - ID(RD + DS)

Ejemplo.- Encuentre VDS y VGS para el circuito de la fig. 4.16, en el

que VDD = 15V; RD = 1K; RS = 470; ID = 5mA.

FIG U R A 4.1 6

entonces

Problema Relacionado.- Datos: VDD = 21V; RD = 1,8K; RS = 680; IDSS = 10mA;

VP = 6,5V.

Establecimiento del Punto-Q de un JFET Autopolarizado.- La aproximacin bsica

para establecer el punto de polarizacin de un JFET, es determinar
ID para un valor deseado de VGS o viceversa. Luego calcular el valor
de RS requerido, usando la relacin derivada de la ecuacin de la recta
de carga y que se presenta a continuacin.

Para un valor deseado de VGS, se puede determinar ID de dos maneras:

de la curva de transferencia para el JFET particular o, de manera ms
prctica, usado la ecuacin

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 2 95 -

IDSS y VGS<off> est disponible en la hoja de datos del JFET. Los

siguientes ejemplos ilustran estos procedimientos.

Ejemplo.- Determinar el valor de RS requerido para autopolarizar un

JFET canal-N, que tiene la curva de transferencia que se muestra en
la fig. 4.17. Asuma que VGS = -5V.

Solucin.- Del grfico, se obtiene ID . 6mA, cuando VGS = -5V. Entonces

por tanto

FIG U R A 4.1 7

Si VGS = -3V, entonces, ID = 12,25mA, de donde RS = 245 [valor no

estandarizado].

Ejemplo.- Determinar el valor de RS requerido para autopolarizar un

JFET canal-P con IDSS = 25mA y VGS = 5V, VGS<off> = 15V.

A partir de la ecuacin para calcular ID, cuando se conocen IDSS, VGS

y VGS<off>

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 2 96 -

Ahora se determina RS,

Valor normalizado,

Cuando IDSS = 18mA; VGS = 4V y VGS<off> = 8V, se tiene que ID = 4,5mA y RS

= 889, resistencia normalizada RS = 910.

Polarizacin de Punto Medio.- Muchas veces es necesario polarizar un JFET

cerca del medio punto de su curva caracterstica de transferencia,
donde ID = IDSS /2. Bajo condiciones de seal, la polarizacin de medio
punto permite una mxima corriente de drenaje que oscila entre IDSS y
0. A partir de la ecuacin para ID, se puede demostrar que ID
aproximadamente es la mitad de IDSS, cuando VGS = VGS<off>/3,4.

De modo que al seleccionar VGS = VGS<off>/3,4, se consigue una polarizacin

de punto medio en trminos de ID.
Para definir un voltaje de drenaje a punto medio(VD = VDD/2) se
selecciona un valor de RD para producir la cada de voltaje adecuada.
Se escoge RG arbitrariamente grande para evitar que se cargue a la etapa
de comando en un arreglo amplificador en cascada.

Ejemplo.- Seleccionar los valores de resistencia para el circuito de

la fig. 4.18 [VDD = 12V], para fijar una polarizacin de punto medio.
Los parmetros del JFET son: IDSS = 15mA; VGS<off> = -8V. VD debe ser 8,4V.

FIG U R A 4.1 8

Solucin.- Para polarizacin de medio punto ID = IDSS/2 = 7,5mA.

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 2 97 -

entonces

de donde

valores normalizados:

Ejemplo.- Seleccionar el valor de la resistencia RS, para fijar una

polarizacin de punto medio. Los parmetros del JFET son: IDSS = 25mA;
VGS<off> = -15V.

Solucin.- Para polarizacin de medio punto ID = IDSS/2 = 12,5mA.

Resolviendo esta ecuacin se tiene

VGS = -4,39V; por tanto

, valor normalizado RS = 330.

Anlisis Grfico de un JFET Auto Polarizado.- Para determinar el punto Q (ID

y VGS) de un circuito auto polarizado, se puede usar la curva
caracterstica de transferencia y ciertos parmetros de un JFET. La
fig. 4.19 muestra tal circuito.

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 2 98 -

FIG U R A 4.1 9

Si no se dispone de una hoja de datos de la curva, se la puede obtener

a partir de la ecuacin de ID, mediante los valores de IDSS y VGS<off> de
la hoja de datos del JFET.
La ecuacin de la recta de carga es

Para determinar el punto-Q del circuito de la fig. 4.19, en la que

RS = 500, la lnea de carga DC de auto polarizacin se determina como
sigue: primero, calcular VGS cuando ID = 0,

Esto establece un punto sobre en el origen sobre el grfico [ID =

0, VGS = 0]. Luego, con ID arbitraria [por ejemplo, ID = 10 mA] se calcula
VGS cuando. Entonces

Esto establece un segundo punto sobre el grfico [ID = 10mA, VGS =

-5V]. Ahora, con 2 puntos se puede trazar la lnea de carga sobre el
grfico de la curva caracterstica de transferencia como se indica
en la fig. 4.19. El punto donde se interceptan la lnea de carga con
la curva caracterstica de transferencia es el punto-Q del circuito;
en este caso IDQ = 6,25mA y VGSQ = -3V.

Polarizacin con Divisor de Voltaje.- La fig. 4.20 muestra un JFET canal-N

Carlos Novillo Montero Can
FETs - 2 99 -

polarizado con divisor de voltaje. El voltaje en la Fuente del JFET

debe ser ms positivo que el voltaje en la Compuerta para mantener
la juntura Compuerta-Fuente polarizada inversamente. El voltaje en
la Fuente es

VS = ID x RS
IG = 0
I1 = I2

FIG U R A 4.2 0

El voltaje de la Compuerta est determinado por las resistencias R1

y R2 como se expresa en la siguiente ecuacin usando la relacin del
divisor de voltaje.

VG = VGS + VS = VGS + IDRS

y el voltaje Compuerta-a-Fuente es

VGS = VG - VS = VG - IDRS, entonces

Es la ecuacin de la recta de carga.

Por tanto:

la corriente de drenaje tambin puede expresarse como

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 00 -

sustituyendo se tiene

Ejemplo.- En el circuito de la fig. 4.21, VDD = 12V; R1 = 6,8M; R2 =

1M; RD = 3,3K; RS = 1,8K. Dado VD = 7V, determinar ID y VGS para el
JFET con polarizacin con divisor de voltaje.

el voltaje Compuerta-a-Fuente se calcula como sigue

FIG U R A 4.2 1

entonces,

VDS = 7V - 2,73V = 4,27V

si en este ejemplo no se hubiera dado VD, el punto-Q no se habra podido

obtener sin las curvas caractersticas de transferencia.

Anlisis Grfico de un JFET con Polarizacin con Divisor de Voltaje.- Una aproximacin
similar a la utilizada para autopolarizacin se puede usar para
polarizacin con divisor de voltaje para determinar grficamente el
punto-Q sobre las curvas de transferencia de un circuito.
En un JFET polarizado con divisor de voltaje cuando ID = 0, VGS no
es cero, como en el caso de autopolarizacin porque el divisor de voltaje

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 01 -

produce un voltaje en la compuerta independiente de la corriente de

drenaje. La recta de carga DC para el divisor de voltaje se determina
a partir de la ecuacin de la recta de carga.

Para ID = 0

VS = IDRS = 0mA x RS = 0V

VGS = VG - VS = VG - 0V = VG

entonces, el primer punto de la recta de carga es [ID = 0, VGS = VG].

Para VGS = 0

FIG U R A 4.2 2

El segundo punto es [ID = VG/RS, cuando VGS = 0]. La recta de carga

DC se muestra en la fig. 4.22. Entonces,

VD = VDD - IDQ x RD
VS = IDQ x RS
VDS = VD - VS = VDD - IDQ(RD + RS)

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 02 -

Resumen de Ecuaciones:

Caracterstica de transferencia

Transconductancia

Transconductancia para VGS = 0V

Impedancia de entrada

VGS = -ID x RS canal-N

VGS = ID x RS canal-P

VG con divisor de voltaje

ID con divisor de voltaje

Ejemplo.- El JFET de la fig. 4.23 tiene un VGS<off> = -5V. Asuma que VDD
se incrementa desde 0V hasta que el ampermetro alcance el estado
estacionario. Qu mide el voltmetro en ese punto?

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 03 -

FIG U R A 4.2 3

D-MOSFET: MOSFET Tipo Decremental.- [DEPLETION: Emprobecimiento;

Decremantal; Agotamiento].- Tiene caractersticas similares a las del
JFET, entre corte y saturacin (IDSS) pero luego tiene el rango adicional
de las caractersticas que se extienden ms all de la regin de
polarizacin inversa para la juntura G-S (VGS), es decir que VGS no
solamente puede ser negativo sino tambin positivo. La fig. 4.24 muestra
la construccin de un D-MOSFET. Se observa que hay una regin de
semiconductor, una de dixido de silicio [O2Si] y los contactos metlicos,
de ah el nombre [MOS = Metal - xido - Semiconductor]. La capa de
xido constituye un material aislante y es muy delgada, que no permite
una conexin directa entre la compuerta y el canal, adems, por ser
aislante, genera una alta impedancia de entrada al dispositivo.

FIG U R A 4.2 4

FIG U R A 4.2 5

La fig. 4.25 muestra los smbolos esquemticos para el D-MOSFET canal-N

[los dos de la izquierda] y canal-P [los dos de la derecha], de 3 y
4 terminales.

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 04 -

Operacin Bsica y Caractersticas.- La operacin del D-MOSFET es similar

a la del JFET, de modo que para determinar las curvas caractersticas
de salida y la curva de transferencia se utiliza la misma ecuacin
de Shockley, solo que ahora VGS tambin acepta valores positivos.

La fig. 4.26 muestra al D-MOSFET con la polarizacin del Drenaje,

pero con una polarizacin de Compuerta-Fuente igual a cero.

FIG U R A 4.2 6

En ese caso la mxima corriente que circular por el canal ser IDSS,
cuando el voltaje Drenaje-Fuente sea igual a VP, para otros incrementos
de VDS, la corriente ID se mantiene prcticamente constante.

FIG U R A 4.2 7

FIG U R A 4.2 8

Para valores de VGS diferentes de 0V [fig. 4.27], las curvas

caractersticas del D-MOSFET se muestran en la fig. 4.28, en ella se

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 05 -

ha incluido la curva de transferencia correspondiente.

Polarizacin del D-MOSFET.- Puesto que las curvas caractersticas del

D-MOSFET son similares a las del JFET, incluyendo la ecuacin de
Schockley, se deduce que las tcnicas de polarizacin de este tipo
de FETs son similares a las del JFET. De modo que aqu se estudiar
solamente la polarizacin con divisor de voltaje.
El circuito de la fig. 4.29 muestra un D-MOSFET canal-N polarizado
con divisor de voltaje. Para este circuito se pueden escribir las
siguientes ecuaciones.

IG = 0mA, por tanto, I1 = I2

FIG U R A 4.2 9

es decir que las resistencias R1 y R2 forman un verdadero divisor de

voltaje, de donde

VG = VGS + VS
VGS = VG - IDRS, [ecuacin de la recta de carga]

As mismo,

VD = VDD - ID x RD
VS = ID x RS
VDS = VD - VS = VDD - ID(RD + RS)

La determinacin del punto de trabajo Q, se puede hacer de dos formas.

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 06 -

Grficamente, para esto se determina el valor de VG, se grafica la curva

de transferencia del D-MOSFET y sobre ella se traza la recta de carga
con la ecuacin indicada anteriormente. La interseccin de la recta
con la curva de transferencia corresponde al punto-Q; de ah se obtiene
IDQ y VGSQ, los otros parmetros del circuito se los consigue con las
otras ecuaciones indicadas anteriormente.

Matemticamente, se encuentra el voltaje VG, se reemplaza en la ecuacin

de VGS, que, a su vez, se substituye en la ecuacin de Schockley indicada
antes y se resuelve la ecuacin de segundo grado, de la que se obtiene
ID, los otros parmetros se los obtiene con las ecuaciones respectivas.

Ejemplo.- Para el amplificador con D-MOSFET de la fig. 4.29, se tienen

los siguientes datos: VDD = 18V; R1 = 120M; R2 = 12M; RD = 1,8K; RS
= 750; IDSS = 6mA; VP = 4V. Determinar: VG; IDQ; VD; VS; VGS; VDS.

, entonces

VGS = 1,64V - 0,75KID, que se reemplaza en la ecuacin de Schockley.

, al expandir esta ecuacin se tiene

ID = 11,91mA - 3,19ID + 0,213 , de donde

0,21ID2 - 4,19mAID + 11,91mA2 = 0, que resolviendo da los siguientes

valores para ID.

ID = 16,19mA [IDSS = 6mA, entonces esta no es una respuesta vlida]

ID = 3,45mA [es la respuesta vlida].

Por tanto,
VD = 18V - 3,45mA x 1,8K = 11,79V
VS = 3,45mA x 0,75K = 2,59V
VDS = 11,79V - 2,59V = 9,2V
VGS = 1,64V - 2,59V = -0,95V

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 07 -

E-MOSFET: MOSFET Tipo Enriquecimiento o Incremental.- [ENHANCEMENT:

Enriquecimiento; Incremantal; Acrecentamiento].- Hay semejanzas y
diferencias si se lo compara con el JFET y con el D-MOSFET. Las
caractersticas del E-MOSFET son diferentes a las de los otros FETs.
La curva de transferencia no est definida por la ecuacin de Shocckley
y la corriente de Drenaje es cero hasta que el voltaje Compuerta-Fuente
[VGS] alcance un valor especfico.
En particular, el control de corriente, en un E-MOSFET canal-N, se
efecta ahora con un voltaje VGS positivo. Inicialmente no hay presencia
de un canal; esta es la principal diferencia entre el E-MOSFET y el
D-MOSFET. La capa de O2Si tambin est presente para aislar el contacto
metlico de la Compuerta de la regin entre el Drenaje y la Fuente,
pero ahora simplemente se encuentra separada por una seccin de material
tipo-P.

FIG U R A 4.3 0

La fig. 4.31 muestra los smbolos esquemticos para el E-MOSFET canal-N

[los dos de la izquierda] y canal-P [los dos de la derecha], de 3 y
4 terminales.

FIG U R A 4.3 1

Operacin Bsica y Caractersticas.- Cando VGS = 0V, y se aplica un voltaje

VDS al E-MOSFET, la ausencia de canal-N [con gran nmero de portadores
libres], no permitir la generacin de una corriente de drenaje, es
decir, ID = 0mA, muy diferente al D-MOSFET y al JFET, donde ID = IDSS.

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 08 -

No es suficiente tener muchos portadores libres en los terminales D

y S, se requiere adems una trayectoria entre esos terminales.

FIG U R A 4.3 2

Con un voltaje VDS ligeramente positivo, VGS = 0V y el terminal SS

conectado a la Fuente, [fig. 4.32], existen dos junturas inversamente
polarizadas entre las regiones N y el sustrato P, que se oponen a
cualquier flujo significativo de corriente entre el Drenaje y la Fuente.
En la fig. 4.33, tanto VDS como VGS estn a un voltaje positivo mayor
que 0V, por lo que el Drenaje y la Compuerta se encuentren a un potencial
positivo con respecto a tierra. Esto har que los huecos sean repelidos
hacia el terminal SS. A su vez, los electrones [portadores minoritarios
del sustrato] son atrados hacia la compuerta (pero no pueden circular
hacia ella, debido al aislante) esto forma un canal-N por donde puede
circular una corriente ID. Conforme VGS se hace ms positivo, la
concentracin de portadores cerca de la superficie de O2Si aumenta hasta
que eventualmente la regin tipo-N [capa de inversin tipo-N] inducida
puede soportar un flujo considerable de corriente ID. Al valor de VGS
que permite que se inicie un flujo de corriente ID se lo conoce como
VGS umbral [treshold] y se lo identifica con el smbolo VGS<th> = VGS<T>.
Debido a que el canal se incrementa cuando VGS es ms positivo, a este
tipo de MOSFET se lo conoce como MOSFET incremental [E-MOSFET].

FIG U R A 4.3 3

A medida que VGS se incrementa ms all del nivel umbral, la cantidad

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 09 -

de portadores libres en el canal aumenta, esto permite un mayor flujo

de corriente ID. Sin embargo, si VGS = constante, al aumentar VDS, ID
alcanzar un nivel de saturacin, tal como ocurri para el JFET y el
D-MOSFET.

En la fig. 4.34 se observa que conforme el nivel de VGS aumenta desde

VGS<th> hacia valores superiores, el nivel de corriente ID de saturacin
tambin aumenta. Tambin puede verse que el espacio entre los niveles
de VGS se incrementan a medida que la magnitud de VGS aumenta, resultando
en incrementos siempre crecientes de ID.

FIG U R A 4.3 4

Para niveles de VGS $ VGS<th>, ID se vincula con VGS por medio de la

siguiente relacin no lineal.

k es una constante que depende de la construccin del E-MOSFET. k

puede determinarse a partir de la siguiente ecuacin, derivada de la
anterior.

Donde ID<ON> y VGS<ON> son los valores de ID y VGS para los que la corriente

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 10 -

de drenaje empieza a ser esencialmente constante en las curvas

caractersticas del E-MOSFET. Como ejemplo, en las curvas anteriores,
se ve que VGS<th> = 3V, si, por ejemplo, ID<ON> = 8mA y VGS<ON> = 7V, se tiene

entonces, para este E-MOSFET particular, la ecuacin de ID ser

Ahora, si se desea calcular la corriente de saturacin para VGS = 6V,

Caractersticas de Transferencia.- La fig. 4.34 tambin muestra la curva

de transferencia del E-MOSFET canal-N. En ella se puede ver que VGS
siempre positiva y mayor o igual que VGS<th>.

Polarizacin del E-MOSFET.- A pesar de que la curva de transferencia

del E-MOSFET es muy diferente a la del JFET y del D-MOSFET, y no sigue
la ecuacin de Schockley, las tcnicas de polarizacin de este tipo
de FET son similares. Sin embargo, aqu se estudiar solamente la
polarizacin con realimentacin de voltaje [que es la que ms se utiliza
para este tipo de FET].
El circuito de la fig. 4.35 muestra un E-MOSFET
canal-N polarizado con realimentacin de voltaje desde el drenaje.
Para este circuito se pueden escribir las siguientes ecuaciones.

FIG U R A 4.3 5

VD = VDD - ID x RD

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 11 -

IG = 0mA, por tanto

VG = VD y
y puesto que VS = 0, entonces
VGS = VD, de donde
VGS = VDD - IDRD, [ecuacin de la recta de carga],
entonces

La determinacin del punto de trabajo Q, se puede hacer de dos formas.

Grficamente, para esto se grafica la curva de transferencia del E-MOSFET

y sobre ella se traza la recta de carga con la ecuacin indicada
anteriormente. La interseccin de la recta con la curva de transferencia
corresponde al punto-Q; de ah se obtiene IDQ y VGSQ, los otros parmetros
del circuito se los consigue con las otras ecuaciones indicadas
anteriormente.

Matemticamente, con los datos del E-MOSFET se calcula el valor de

k, se determina la ecuacin de VGS, con los valores del circuito y se
reemplaza en la ecuacin de ID, indicada antes y se resuelve la ecuacin
de segundo grado resultante, los otros parmetros se los obtiene de
las ecuaciones respectivas.

Ejemplo.- Para el amplificador con E-MOSFET de la fig. 4.35, se tienen

los siguientes datos: VDD = 16V; RG = 10M; RD = 2K; ID<ON> = 6mA; VGS<ON>
= 8V; VGS<th> = 3V. Determinar: IDQ; VD; VDS; VGS.

VGS = 16V - 2K x ID

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 12 -

ID = 40,56mA - 12,48ID + 0,96

0 = 40,56mA - 13,48ID + 0,96

Al resolver esta ecuacin se tienen los siguientes valores de ID.

ID = 9,67mA, que genera un VGS = -3,35V [negativo], NO VALE

ID = 4,37mA, que genera un VGS = +7,26V que s es vlido.
En ese caso, VDS = 7,26V

Anlisis de Pequea Seal de los FETS .-

3.36 G R FICO D E G M EN
FUN CI N D E V G S .

gmo se mide para VGS = 0V, y representa la ganancia mxima del JFET,
es constante para un FET. En cualquier punto de polarizacin en la
regin de operacin se obtiene un gm < gmo.

Ejemplo.- Calcular el valor de gm para un JFET con IDSS = 12mA y VGS<off>

= -3V, cuando VGS = -1V.

De donde

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 13 -

Ejemplo.- Calcule el valor de gm para un JFET [IDSS = 8mA; Vp = 4V]

polarizado para que opere en VGS = -1,8V.

Modelo para Pequea Seal [Circuito Equivalente ac] del FET.-

FIG U R A 4.3 7

El valor ideal de Zin es infinito; el valor prctico es de

aproximadamente 109 [JFET] y de 1012 - 1015 [MOSFET].

Resistencia de Salida del FET rd.- La fig. 4.38, muestra una caracterstica
de Drenaje del FET en la que se puede calcular el valor de rd, y que
constituye la resistencia de salida del FET, que se la define con la
siguiente ecuacin.

FIG U R A 4.3 8

si VDS = 10V y ID = 0,25mA, entonces

Normalmente las curvas son razonablemente planas con una resistencia

de drenaje, rd, de decenas de K. El valor tpico de rd generalmente
se obtiene de los datos proporcionados por el fabricante. La hoja de
datos, por lo general proporciona el valor de la conductancia de salida,
yOS, cuyo recproco es la resistencia de salida rd.

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 14 -

Impedancia de Entrada Z in .- La impedancia de entrada del FET, idealmente,

es un circuito abierto.

Impedancia de Salida Z o .- La impedancia de salida para Fuente-comn,

en un amplificador de pequea seal se la define como la admitancia
de salida yOS cuyas unidades son S. Entonces

Para el JFET-2N4421, determinar la impedancia de salida, si yOS = 20S.

Ganancia de Voltaje A V.- De acuerdo con la fig. 4.39, el voltaje de

salida VO = Vds y el voltaje de entrada Vin = Vgs, pero

FIG U R A 4.3 9

de donde

por tanto

El signo negativo se debe a la cada de voltaje, puesto que la

corriente pasa de negativo a positivo del Drenaje a la Fuente y refleja
la inversin de fase que ocurre entre la entrada (Vgs) y la salida (Vds).
La hoja de datos especifica gm como yfs, tal que

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 15 -

Ejemplo.- Cual es la magnitud de la mxima ganancia de voltaje que

puede tener el JFET-2N4421 con yfs = 4mS y yOS = 25S?

entonces

Circuitos Equivalentes para ac

Circuitos Bsicos con FET .- Polarizacin Fija

FIG U R A 4.4 0

FIG U R A 4.4 1

FIG U R A 4.4 2

Vin = Vgs

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 16 -

VO = -(gmVgs)(rd2RD)
AV = -gm(rd2RD)
Zin = RG

Auto Polarizado.-

FIG U R A 4.4 3

Vin = Vgs Zin = RG

VO = -(gmVgs)(rd2RD) ZO = rd2RD
AV = -gm(rd2RD)

FIG U R A 4.4 4

Polarizacin con Divisor de Voltaje.-

FIG U R A 4.4 5

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 17 -

FIG U R A 4.4 6

Vin = Vgs
VO = -(gmVgs)(rd2RD) AV = -gm(rd2RD)
Zin = R12R2 ZO = rd2RD

Amplificador en Fuente Comn con FETs.-

FIG U R A 4.4 7

Parmetros del FET

yOS IDS VGS<off>

VGS = -ISRS A Ecuacin de la recta de carga

1er punto ID = 0 A VGS = 0
2do punto ID A arbitrario VGS = -IDRS

FIG U R A 4.4 8

Del circuito equivalente

VO = -gmVgs(rd2RD)
Vin = Vgs
entonces

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 18 -

Ejemplo.- RD = 2,7K; RS = 750; RG = 10M; VDD = 15V. Datos del FET,

yOS = 40S; IDSS = 8mA; VP = 4V.

De los datos del FET,

VGS = -IDRS = -0,75KID, entonces

de donde

, eliminando parntesis y agrupado

0 = 128mA2 - 48mA x ID + 4,5 x ID2, de donde

, que resolviendo la ecuacin da

ID = 11,81mA [muy Grande]

ID = 2,41mA [valor correcto]; por tanto

VGS = -0,75K x 2,41mA = -1,81V

VDS = 15V - 2,41mA(2,7K + 0,75K) = 6,69V

AV = -2,2mS(25K22,7K)

Datos: R1 = 270M; R2 = 33M; RD = 2,7K; RS = 1,8K; VDD = 24V; Vin =

Carlos Novillo Montero Can
FETs - 3 19 -

100mVRMS; IDSS = 12mA; VP = 6V; YOS = 25S. De los datos del FET, gmo =
4mS y rd = 40K.

VGS = 2,61V - 1,8K x ID [Ec. Recta de carga]

FIG U R A 4.4 9

que se reemplaza en la ecuacin de Schockley, y se tiene

de donde

, eliminando parntesis y agrupado

0 = 890,4mA2 - 408mA x ID + 38,88 x ID2, de donde

, que resolviendo la ecuacin da

ID = 7,4mA [Muy grande]

ID = 3,1mA [Valor correcto], entonces

VGS = 2,61V - 3,1mA x 1,8K = -2,97V

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 20 -

VDS = 24V - 3,1mA(2,7K + 1,8K) = 10V

AV = -2,02mS(40K22,7K) = -5,11

VO = -5,11 x 100mVRMS = -511mVRSM

Ganancia de Voltaje con Resistencia de Fuente (Se asume rd = 4)

Vin = Vgs + VRS = Vgs + (gmVgs)RS

Vin = Vgs(1 + gmRS)
VO = -gmVgsRD

entonces

FIG U R A 4.5 0

FIG U R A 4.5 1

Ejemplo.- Para el amplificador D-MOSFET de la fig. 4.52, calcular la

ganancia de voltaje: a) con CS desconectado; b) con CS conectado. Datos:
VDD = 12V; RD = 1,5K; RS = 750; RG = 10M; IDSS = 10mA; VP = 3,5V.

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 21 -

VGS = -0,75KID

FIG U R A 4.5 2

Resolviendo esta ecuacin se tiene

IDQ = 2,47mA y
VGS = -1,85V,
VDS = 12V - 2,47mA(1,5K + 0,75K) = 6,44V

Entonces, cuando CS est desconectado, la ganancia es

Cuando CS est conectado la ganancia es

AV = -2,69mS x 1,5K, entonces

Ganancia de Voltaje con Resistencia de Fuente RS [se asume rd real].- El circuito

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 22 -

equivalente se muestra en la fig. 4.53. Se puede ver que

FIG U R A 4.5 3

VO = -IdRD
Vin = Vgs + VS
VS = ISRS
Vin = Vgs + ISRS

, entonces

Ejemplo.- Para el problema anterior, asumir que yOS = 25S y volver a

encontrar AV, a) sin CS y b) con CS conectado.

De los datos:

a)

Entonces AV = -1,34 [sin CS]

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 23 -

b)

Entonces AV = -4,13 [con CS]

Cuando se comparan los resultados obtenidos cuando no se toma en cuenta

la presencia de rd y cuando s se lo hace, se ve que el error que se
comete es mnimo [menor que el 5%], de manera que, al menos, en algunos
casos se podr despreciar el efecto de rd.

Impedancias de Entrada Z in y de Salida Z O .-

FIG U R A 4.5 4

FIG U R A 4.5 5

Circuito con Divisor de Voltaje.-

FIG U R A 4.5 6

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 24 -

FIG U R A 4.5 7

Amplificador en Drenaje Comn [Fuente Seguidor].-

FIG U R A 4.5 8

Ganancia de Voltaje.- Del circuito equivalente de la fig. 4.59 se tiene

FIG U R A 4.5 9

por tanto,

de donde o tambin

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 25 -

Ejemplo.- Para un emisor Fuente-Seguidor [Drenaje-Comn] se tienen los

siguientes datos: VDD = 9V; RG = 1,5M; RS = 2,2K; Vin = 500mV sen(t);
JFET: IDSS = 16mA; VP = 4V; yOS = 25S, de donde [gmo = 8mS y rd = 40K].
Determinar: AV; Zin y ZO.

VGS = -2,2K x ID

, de donde

Al resolver esta ecuacin se tiene que IDQ = 1,3mA,

VGS = -2,86V
VDS = 6,14V

y AV = 0,83

y ZO = 355

Zin = 1,5M

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 26 -

Amplificador en Compuerta Comn.- La configuracin del amplificador

en Compuerta Comn con JFET se muestra en la fig. 4.60. El terminal
de la Compuerta est conectado directamente a tierra. La impedancia
de entrada al amplificador [Zin] ya no es tan alta como en las otras
configuraciones, puesto que ahora depende de RS.

FIG U R A 4 .6 0

El circuito equivalente para el amplificador en Compuerta comn se

presenta en la fig. 4.61.

FIG U R A 4 .6 1

En la fig. 4.61 se ve que

Vgs = -Vin.

Impedancia de Entrada [Zin].- Para el clculo de Zin, se utilizar el circuito

de la fi. 4.62.

FIG U R A 4 .6 2

En el grfico se ve que

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 27 -

IX = Id - gmVgs = , por tanto,

IX = . Pero, VY = IX x RD2RL, entonces, y ordenando

, de donde

que es la impedancia que se ve despus de RS. De modo que Zin ser

En la ecuacin de Z, puede verse que cuando rd RD2RL, Z . y por

tanto,

Impedancia de Salida [ZO].- Si en la fig. 4.61, se cortocircuita la seal

del generador y se desprecia el efecto de Rg, se ve que

Ganancia de Voltaje [AV].- De las ecuaciones anteriores se despeja la

corriente IX y se tiene

; en la fig. 4.xx se observa que VY = VO, por tanto

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 28 -

, de modo que

VO = -gmVgs(RD2rd2RL) = -gmVin(RD2rd2RL)

Por tanto, la ganancia de voltaje del amplificador en Compuerta Comn

ser

Si se no se toma en cuenta la resistencia rd del FET, la ganancia de

voltaje ser

La impedancia de salida es

Para la impedancia de entrada, se tiene que

, de donde

, es decir,

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 29 -

Ejemplo.- Para el amplificador en Compuerta Comn con D-MOSFET de la

fig. 4.63 se tienen los siguientes datos: R1 = 91M; R2 = 11M; RD =
2,2K; RS = 1K; los datos de D-MOSFET son: IDSS = 7,5mA y VP = 4V.
Determinar: Zin; ZO y AV.

Solucin.- De los datos del problema se deduce que gmO = 3,75mS.

Polarizacin del circuito.

FIG U R A 4 .6 3

Tambin

VG = VGS + IDRS entonces 2,37V = VGS + 1K x ID de donde

VGS = 2,37V - 1K x ID

Reemplazando en la ecuacin de la corriente ID, se tiene

Al resolver esta ecuacin se obtiene

Por tanto VGS = 2,37V - 3,6mA x 1K = -1,23V

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 30 -

ZO = RD = 2,2K

AV = 2,2K x 2,6mS = 5,7

Ejemplo.- En el amplificador en Compuerta Comn de la fig. 4.64 se tienen

los siguientes datos: RD = 3,6K; RS = 1,1K; CS = 10F; CD = 10f; VDD
= 12V; los datos de JFET son: IDSS = 10mA y VP = 4V. Determinar: Zin;
ZO y AV.

FIG U R A 4 .6 4

De los datos del problema se tiene que gmO = 5mS. As mismo,

VGS = -ID x RS, por tanto,

, resolviendo , y

AV = 2,25mS x 3,6K = 8,1, esta es la ganancia ideal, despreciando el

efecto de rd.

ZO . 3,6K

Amplificador con E-MOSFET.- El circuito equivalente de E-MOSFET es

igual al del JFET y del D-MOSFET. La fig. 4.65 muestra el circuito
Carlos Novillo Montero Can
FETs - 3 31 -

equivalente del E-MOSFET. Se puede ver que la impedancia de entrada

es infinita [ideal] y la salida es igual a rd en paralelo con una fuente
de corriente de valor Vgm, igual que para los otros FETs. Entonces,
los anlisis que se hicieron antes, tambin sirven para este tipo de
FET, solamente que hay que, para calcular ID y VGS, hay que utilizar
las ecuaciones correspondientes.

FIG U R A 4.6 5

La fig. 4.66 muestra un amplificador con E-MOSFET con polarizacin

con realimentacin de voltaje desde el Drenaje. Para encontrar la
ganancia de voltaje, primero hay que hacer el anlisis DC, para
determinar IDQ y VGS, que puede hacerse en forma grfica o en forma
matemtica.

FIG U R A 4.6 6

FIG U R A 4.6 7

La fig. 4.67 muestra el circuito equivalente del amplificador con

E-MOSFET.

Se vio que

ID = k(VGS - VGS<th>)2

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 32 -

VGS = VD = VDD - IDRD

Del grfico, , si se saca Vin como factor comn, se tiene

, pero , entonces

, tambin , por tanto

As mismo del grfico anterior se puede ver que

Para la ganancia de voltaje se calcula VO [en la fig. 4.67 se ve que

Vin = Vgs] como se muestra a continuacin.
Utilizando el Principio de Superposicin, se calcular, primero VO1,
debido a Vin [sin considerara la fuente de corriente gm Vgs], en cuyo
caso el circuito equivalente se muestra en la fig. 4.68.

FIG U R A 4.6 8

En segundo lugar, se calcula VO2, asumiendo que Vin est en cortocircuito

y que solo existe la fuente de corriente gmVgs. El circuito equivalente
se muestra en la fig. 4.69.

Carlos Novillo Montero Can

FETs - 3 33 -

FIG U R A 4.6 9

Por tanto:

VO = VO1 + VO2 =

de donde

Ejemplo.- Para el circuito de la fig. 4.70 se tienen los siguientes

datos: VDD = 12V; RD = 2,2K; RG = 10M; VGS<th> = 3V; yOS = 20S; k = 3
-4 2
x 10 A/V .

FIG U R A 4.7 0

De los datos: rd = 50K

VGS = 12V - 2,2K ID

ID = 3 x 10-4A/V2(12V - 2,2K ID - 3V)2
ID = 3 x 10-4A/V2(9V - 2,2K ID)2
ID = 3 x 10-4A/V2(81V2 - 39,6VK ID + 4,84K2ID2)
ID = 0,0243A - 11,88ID + 1452ID2/A
Carlos Novillo Montero Can
FETs - 3 34 -
2 2
0 = 0,0243A - 12,88AID + 1452ID

Resolviendo la ecuacin anterior se tiene

ID = 6,149mA, por tanto VGS = 12V - 2,2K x 6,149mA = -1,53V [NO VALE]
ID = 2,72mA, por tanto VGS = 12V - 2,2K x 2,72mA = 6,02V [SI VALE]
gm = 2 x 3 x 10-4A/V2 x (6,02V - 3V) = 1,81mS

Entonces

= -4

D :\~ \ELECTR O N ICA \D E -Ca p 5.w p g

Revisin : M a rzo - 2 01 0

Carlos Novillo Montero Can