MEMORIAS

INTRODUCCION
Una parte importantsima en la mayora de los sistemas digitales es la dedicada a contener la informacin
que est tratando dicho sistema.
Los datos e instrucciones del programa de un sistema microcomputador son almacenados en la memoria.
Cada "celda" de la memoria puede almacenar un bit, estando las memorias constituidas por varios miles
de estas celdas. El conjunto de celdas en las que se almacena una palabra se llama "Posicin de
memoria"
Se han desarrollado numerosos sistemas capaces de almacenar o memorizar una informacin digital.
Todos ellos, persiguen como objetivo conseguir:
Alta velocidad
Bajo precio
Gran capacidad de almacenamiento
Bajo consumo
Cada uno de estos objetivos se conseguir en mayor o menor medida dependiendo del medio fsico
empleado, su organizacin, tecnologa, tc.
Por ejemplo, desde la dcada de los aos 1950, las memorias de ncleos de ferrita han predominado como
memorias principales en los ordenadores. Sin embargo gracias al desarrollo tecnolgico de los
semiconductores en forma integrada y ms concretamente LSI, ha permitido a partir de 1975 se
sustituyeran las memorias de ferritas por memorias de tipo semiconductor, por sus ventajas tanto en
rapidez como en precio y espacio.
Hoy en da las memorias de tipo semiconductor, constituyen el sector ms expansivo dentro de la
tecnologa de los semiconductores.
Antes de proceder al estudio de las memorias de tipo semiconductor, expondremos ls caractersticas ms
importantes de las memorias y una clasificacin general, que dar a su vez paso a una segunda
clasificacin de las de tipo semiconductor en forma integrada.
CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES DE LAS MEMORIAS
Al estudiar los flip-flops o biestables ya se definieron los trminos de lectura y escritura por tratarse de
elementos de memoria.
Las caractersticas ms importantes de las memorias son:
Tiempo de escritura
Es el tiempo que transcurre entre el momento en que se presenta la informacin a almacenar en la
memoria y el momento en que la informacin queda realmente registrada.
Tiempo de lectura
Es el que transcurre entre la aplicacin de la orden de lectura, y el momento en que la informacin est
disponible en la salida.
Tiempo de acceso
Es a menudo, la media de los dos tiempos de lectura y escritura definidos anteriormente.
Es la medida del tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la unidad de memoria hasta que
esta lo entrega.
Tiempo de ciclo
Despus de una operacin de lectura o escritura, es posible que la memoria necesite un tiempo de
reinscripcin (memorias de ncleos de ferrita, por ejemplo), o de recuperacin. El tiempo de ciclo es
entonces la suma de este tiempo y del tiempo de acceso.
Tambin denominado ciclo de memoria, es el tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la
memoria hasta que sta se halla en disposicin de efectuar una nueva operacin de lectura o escritura.
Acceso aleatorio
Una memoria es de acceso aleatorio cuando el tiempo de acceso a cualquier posicin de memoria es
siempre el mismo.
Cadencia de transferencia
Es la velocidad a la cual la memoria acepta informaciones de lectura o escritura (Bits por segundo)
Capacidad
Es el nmero de palabras o de bits que la memoria puede almacenar. Se denomina tambin volumen.
Densidad de informacin
Es el nmero de informaciones por unidad de volumen fsico.
Volatilidad
Es el defecto de una memoria que pierde la informacin almacenada, si se produce un corte de
alimentacin
MEMORIAS. CLASIFICACION GENERAL
Las memorias pueden clasificarse atendiendo a diversos parmetros:
Por el modo de acceso:
Acceso Aleatorio (RAM)
Acceso Secuencial
Asociativas
Por el modo de almacenamiento:
Voltiles
No voltiles
Por el tipo de soporte
Semiconductoras
Magnticas
De papel
Por su funcin o jerarqua
Tampn o borrador: (LIFO,FIFO)
Central o Principal
De masas
POR LA FORMA DE ACCESO
Memorias de Acceso Aleatorio. Denominadas usualmente RAM (Ramdon Access Memory), son
memorias en las que cualquier informacin puede leerse o escribirse con el mismo tiempo de acceso,
cualquiera que sea la clula de memoria elegida.
Memoria de acceso secuencial o serie.- Para la lectura o escritura de una determinada clula, espreciso
leer todas las clulas que le preceden fsicamente
Memoria asociativa.- Es una memoria direccionable por su contenido, no por una direccin.
POR EL MODO DE ALMACENAMIENTO
Memoria voltil.- Es aquel tipo de memoria que pierde la informacin en ella almacenada, al cortar la
alimentacin.
Memoria no voltil.- Retienen la informacin en modo permanente an despus de eliminar o cortar la
alimentacin
POR EL TIPO DE SOPORTE
Memorias semiconductoras.- Son aquellas que utilizan dispositivos semiconductores para registrar la
informacin
Memorias magnticas.- El registro de la informacin se realiza por magnetizacin de un soporte de este
tipo.
Memorias de papel.- No son propiamente memorias. Sin embargo, el papel (cinta perforada o tarjeta)
permite almacenar una informacin en forma de marca o perforaciones.
POR SU FUNCION O JERARQUIA
Memorias tampn.- Son generalmente de tipo semiconductor y se caracterizan porque la
informacin en ellas se almacena durante un corto periodo de tiempo. Puede decirse que son
memorias borrador, de paso o adaptadoras.
Son memorias de baja capacidad y acceso rpido, puesto que normalmente se refieren a los
registros generales incluidos dentro del propio sistema microcomputador. Su funcin ser, pues,
actuar como memorias de trabajo auxiliares en las transferencias de informacin entre el
sistema y las unidades exteriores.
Las memorias LIFO y FIFO son memorias especiales del tipo tampn cuyo nombre proviene de
la forma de almacenar y extraer la informacin de su interior.
FIFO (First in-firts out), primero en entrar - primero en salir, es decir, es lo que se llama una
fila de espera
LIFO (Last in-first out), la ltima informacin introducida en la memoria es la primera en
extraerse, es lo que se llama una pila o apilamiento.
Memoria Central.- Es la que est incorporada en la Unidad Central de Proceso de un ordenador.
Su misin consiste en almacenar los programas y los datos implicados en la ejecucin de las
sucesivas instrucciones.
Hasta hace algunos aos, las memorias centrales estaban formadas a partir de ncleos de ferrita
o por hilos plateados. Actualmente, este tipo de memorias ha sido desplazado definitivamente
por las memorias integradas a semiconductores. Y la memoria central del sistema est formada
por la asociacin de un nmero de chips de memoria RAM y ROM a semiconductores, mayor o
menor, segn la capacidad de almacenamiento requerida por el sistema.

Clasificacin:

o Segn el modo de lectura

1. Lectura destructiva: al leer el contenido de una posicin de memoria, la informacin

almacenada desaparece. Este tipo de memoria precisa de una regeneracin del contenido,
despus de efectuada una operacin de lectura.
2. Lectura no destructiva: donde la operacin de lectura no provoca la prdida de la informacin
almacenada. Hay que hacer constar que la casi totalidad de las memorias centrales modernas
pertenecen a este grupo.

o Segn el modo de retener la informacin

1. Voltiles: para que el contenido permanezca memorizado, es necesario una fuente de

alimentacin. Al desconectarla, se pierde la informacin almacenada. Las memorias RAM
pertenecen a esta categora.
2. No voltiles: la informacin persiste an desconectando la fuente de alimentacin de la unidad
de memoria, esto es, el contenido es memorizado sin consumo energtico. Las memorias
centrales ROM son ejemplo de lo dicho.

Memoria de masas.- Es la memoria auxiliar de tipo externo de un ordenador.

Son memorias de acceso aleatorio o directo y de elevada capacidad. No son estrictamente

imprescindibles dentro del sistema microcomputador, como ocurre en las centrales. Se emplean
como bloques de almacenamiento auxiliar, con una velocidad de transferencia de informacin
elevada. Habitualmente este tipo de memorias contiene el archivo de informacin que manipula
el sistema dentro del conjunto de aplicaciones al que se halla orientado. Para que el
mricroprocesador pueda procesar la informacin almacenada en una memoria de tipo de masas,
sta debe pasar primeramente al interior de la memoria central del sistema.
En virtud del tipo de transferencia empleado, por bloques, la caracterstica bsica de las
memorias de masa es el caudal de transferencia o nmero de palabras de informacin que puede
transferirse por unidad de tiempo. El caudal se expresa en Kbytes o Mbytes por segundo.
Las memorias de masa que alcanzan mayor difusin en el campo de los microordenadores son
los discos magnticos, ms concretamente los discos magnticos flexibles o "Floppy disk".

Memorias de fichero
Al igual que las anteriores, este tipo de memorias son auxiliares de la meoria central de
microcomputador. La diferencia radica en que las memorias de fichero estn caracterizadas por
una velocidad de transferencia sustancialmente inferior a las de masa.

El acceso a la informacin almacenada se efecta de forma secuencial. Por lo tanto, el

tiempo de acceso a determinada informacin depende de su emplazamiento sobre el
 soporte fsico. En definitiva, el acceso a las memorias de fichero no es aleatorio, de ahi
que su velocidad de transferencia sea variable y en general reducida.
Como contrapartida a su baja velocidad de trabajo, las memorias de fichero suelen ser
relativamente econmicas (Cintas magnticas o cassettes)

Por ltimo, cabe precisar que dada su caracterstica de acceso no aleatorio, la velocidad de una
memoria de fichero se define a partir del "Tiempo medio de acceso" respecto a las posiciones
extremas de almacenamiento.

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS. CLASIFICACION

Existen una gran variedad de memorias de tipo semiconductor, tanto en tecnologa bipolar como MOS
Las clasificaremos atendiendo al modo de acceso como caracterstica principal, subdividindolas en la
forma de almacenamiento y por ltimo en la tecnologa empleada.
MEMORIAS SEMICONDUCTORAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM)
Usualmente se reserva el trmino RAM para aquellas memorias que permiten leer y escribir en ellas. Para
aquellas que siendo del siendo del tipo RAM (Acceso aleatorio), solo permiten la lectura se reserva el
trmino ROM o RPROM tc. En consecuencia, una "memoria RAM semiconductora", es una memoria de
acceso aleatorio y que permite leer o escribir indistintamente, una informacin sobre ella.

32-Word x 8-Bit Static RAM

ESQUEMA DE UNA MEMORIA RAM

Las entradas de control C y R/W permiten inhibir la memoria y leer o escribir (Read-Write)
respectivamente.

Fig. 1
Su funcionamiento es el siguiente:
Situar en los terminales de DIRECCION la combinacin adecuada a la clula de memoria a
operar.
En el caso de lectura, poner el terminal R/W a "0", y por ltimo permitir el funcionamiento de la
memoria, es decir, validar el proceso con C="1". En la salida de datos obtendremos la
informacin almacenada en la direccin de memoria correspondiente.
En el caso de escritura, adems de la direccin adecuada es preciso situar en los terminales de
"entrada de datos", el dato a almacenar o escribir. Ahora el terminal R/W deber ponerse a "1".
Por ltimo, validar la operacin con C="1", la informacin a la entrada de datos quedar
registrada en la direccin de memoria indicada.

Veamos un diagrama de los tiempos de las seales que intervienen en la operacin

Ciclo de lectura

Ciclo de escritura
CS AUTORIZACION DE FUNCIONAMIENTO

Una vez expuesto el principio de una memoria RAM en general, vamos a ver cmo estn realizadas las de
tipo semiconductor.
Se pueden clasificar en dos grupos:

Las RAM estticas estn basadas en estructuras biestable con un tipo de transistor u otro.
Las RAM dinmicas estn formadas por clulas dinmicas, (registros de desplazamiento dinmicos), las
cuales estn basadas en el aprovechamiento de las capacidades estructurales de los transistores MOS, para
almacenar una carga determinada.
Como sabemos, cada clula de memoria es capaz de almacenar 1 bit. Sin embargo, la forma de trabajo
habitual de los sistemas digitales, obliga a almacenar grandes cantidades de informacin, bien en forma
de bits aislados, o bien en forma de palabras.
Ello da lugar a dos tipos diferentes de organizacin de las memorias RAM
En la organizacin por palabras, al direccionar una posicin de memoria, se tiene a la salida una palabra
que puede estar constituida por 6, 8, 12, 16, 32, 64 incluso ms bits.
Sin embargo, al direccionar una posicin de memoria organizada en bits, slo se obtiene un bit de salida.
Para poder introducir datos en la memoria, y para poder sacarlos de ella, cada posicin de memoria viene
dada por su correspondiente "direccin". La direccin es, pues, una palabra binaria que define la posicin.
Es importante distinguir entre lo que es una direccin de una posicin de memoria, y el dato que puede
ser almacenado en esa direccin.
En general a nivel de pastillas de memoria en C.I. los fabricantes, ponen a disposicin del usuario
organizaciones de un bit (por ejemplo: 256 X 1 bits, 4096 x 1 bits, tc.) que asociadas en paralelo
permiten obtener palabras de la longitud requerida.
Memoria RAM esttica.-
Las memorias estticas tiene clulas de memoria en forma de flip-flops o biestables. Por tanto, como los
flip-flops pueden ser unos ms rpidos que otros, as ocurrir con las memorias. Si se desea una memoria
rpida puede elegirse una RAM a base de flip-flops en TTL Schottky o ECL. Si se desea una memoria
barata aunque lenta, puede realizarse a partir de flip-flops con MOS. Si el consumo ha de ser
extremadamente bajo, deber elegirse una RAM CMOS.
RAM esttica bipolar
Una clula de memoria en una memoria bipolar est constituida por un flip-flop sencillo a base de
transistores bipolares.
RAM ORGANIZADA EN PALABRAS (Ver Fig. 1)

i
n

A0 d

e
A1
P

l
ENTRADAS/SALIDAS a

r
a
RAM ORGANIZADA EN BITS
Estos biestables constan de dos transistores multiemisores en acoplamiento cruzado

LINEA DE SELECCION DE PALABRA

En condiciones normales, un transistor se encontrar siempre saturado y el otro en estado de bloqueo.

? Para leer el estado del biestable, se eleva la tensin de la lnea de palabra y el transistor saturado dejar
pasar corriente a travs de la lnea de bit, lo que a su vez es detectado para determinar el estado del
biestable..
? Para escribir datos, la tensin de la lnea de palabra se eleva nuevamente y la tensin de una de las
lneas de bit se baja, provocando que el transistor asociado a esta lnea de bit se sature.

En la matriz de memoria, todas las celdas de una columna comparten la misma lnea de bit, y todas las
celdas en una fila tienen la misma lnea de palabra.

En cuanto al biestable de una memoria MOS esttica, su celda corresponde a la estructura siguiente,
formada utilizando transistores unipolares MOS de acumulacin.
 LINEA DE SELECCION
DE PALABRA

Los transistores T1 y T2 trabajan en conmutacin y son los encargados de almacenar el bit de

informacin. Por su parte T3 y T4 actan como puerta de intercambio con el exterior. Cada uno de ellos
canaliza una informacin binaria (0 1) desde la lnea de bit correspondiente hasta el transistor de
almacenamiento

Cuando T3 y T4 se hallen en reposo, el biestable permanece aislado del exterior, preservando la

informacin memorizada.
La escritura de un bit "0" "1" se produce al excitar, a travs de T3 o T4 , al par T1-T2; uno de los dos
transistores pasar a saturacin, mientras que el otro evolucionar hacia el estado de bloqueo (OFF)
Dependiendo de la transicin de estados del par T1-T2 , el punto de memoria almacenar un estado lgico
u otro.
Para leer la informacin almacenada, se introduce un impulso de tensin a travs de la lnea de seleccin,
lo que provocar una corriente a travs de la rama T1-T3 o T2-T4, segn sea "0" o "1" el bit almacenado.

En definitiva, la lectura se efecta detectando la presencia de corriente en una u otra lnea de bit.
Para terminar, diremos que el mayor inconveniente de las RAM estticas lo constituyen su elevado
consumo energtico, comparativamente con las dinmicas. Ello se debe, como hemos visto, a que las
resistencias R1 y R2 consumen permanentemente, al mantener el estado lgico en el que se halla
posicionado el biestable.
El hecho de que cada celda de memoria incorpore un notable nmero de componentes, tambin limita las
posibilidades de integracin de este tipo de memorias.

Algunos ejemplos comerciales de RAM estticas

Nos referiremos a continuacin a modelos reales de memoria de lectura/escritura. Para cada uno de estos
integrados se dan sus caractersticas bsicas ms importantes, asi como su esquema de bloques y relacin
de patillas.
La primera caracterstica de cada una de ellas es su organizacin de almacenamiento o nmero de
palabras de "n" bits que memoriza, extremo importante puesto que especificando su capacidad podemos
deducir el nmero de lneas de direcciones y datos que acceden a la memoria en cuestin.
Por ejemplo, una memoria de 128 palabras de 8 bits cada una (128x8), estar dotada de 7 entradas de
direccionamiento y poseer 8 lneas de datos. Esto es lgico ya que para seleccionar los 128 bytes son
necesarias 128 configuraciones de direccionamiento, ( 128=27 ), lo que significa que existirn 7 lneas de
direcciones.
Al mismo tiempo, puesto que cada palabra es de 8 bits, se requerirn 8 lneas para canalizar la entrada y
salida de datos.
As pues, observaremos los siguientes tipos de lneas:

A0-An: entradas de direcionamiento.

D0-Dn: entrada/salida de datos
R/W : contro lectura/escritura.
CS0-CSn: seleccin de chip

Las entradas CS pueden ser una o varias y a su vez pueden activarse por niveles "0" "1" lgicos.
En el caso de existir varias CS, stas suelen estar cableadas internamente en forma de puerta "Y". En
consecuencia, la seleccin de chip se conseguir cuando todas las entradas reciban simultneamente sus
posicionamientos activos.
RAM esttica 6810

Est organizada en 128 palabras de 8 bits y se emplea mucho en los sistemas basados en el
microprocesador 6800 de Motorola, debido a la facilidad de adaptacin. Dispone de 6 entradas CS: dos
con activacin alta y cuatro con nivel bajo.

Sus caractersticas ms sobresalientes son:

Organizacin 128 X 8 bits

Tecnologa NMOS
Alimentacin 5 V
Disipacin tpica 130 mW
E/S datos Bidireccional y tri-estado
Encapsulado DIL 24 patillas

GND Vcc
D0 A0
D1 A1
D2 A2
D3 A3
D4 A4
D5 A5
D6 A6
D7 R/W
CS0 CS5
CS1 CS4
CS2 CS3

? RAM esttica 2114

Tiene una estructura de 1024 palabras de 4 bits

Cada uno de los cuatro bits dato es bidirecional, con lgica tri-estado para permitir su desconexin virtual
del bus de datos.

Las lneas de control son dos:

 CS y WE

Esta segunda lnea es equivalente a R/W; si WE = 0 la operacin efectuada ser de escritura; y si WE = 1

ser de lectura.

Sus caractersticas ms sobresalientes son:

Organizacin 1024 X 4 bits

Tecnologa NMOS
Alimentacin 5 V
Disipacin tpica 300 mW
E/S datos Bidireccional y tri-estado
Encapsulado DIL 18 patillas

Vemos que para direccionar 1024 posiciones necesitamos 10 patillas puesto que 210=1.024
Para los datos, como son palabras de 4 bits necesitaremos 4 patillas
Para indicar Lectura o Escritura (R/W) necesitamos 1 patilla
Para selecccionar el integrado CS (Chip Select) 1 patilla
Para alimentacin 2 patillas
El nmero de patillas del integrado es pues de 18.

A6 Vcc
A5 A7
A4 A8
A3 A9
A0 I/O1
A1 I/O2
A2 I/O3
CS I/O4
GND WE