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Estrategia de control para el equilibrado de corriente en
transistores IGBT conectados en paralelo
Ral Prez*, Manuel Romn*, Guillermo Velasco*
* Escola Universitria dEnginyeria Tcnica Industrial de Barcelona (EUETIB-CEIB)
Departament dEnginyeria Electrnica (DEE) Universitat Politcnica de Catalunya (UPC).
Email: raul.perez-delgado@upc.edu
ResumenEn este artculo se realiza un breve estudio sobre las
caractersticas que influyen en el reparto de corriente entre
semiconductores conectados en paralelo. El estudio se centra en
el reparto de corriente en transistores IGBT conectados en
paralelo y los mecanismos que permiten compensar dicho
reparto. Para ello se proponen dos estrategias de control para el
equilibrado de corriente que estn basadas en un caso en el
clculo del valor medio de la corriente y en el otro, en la
asociacin de parejas de transistores. Finalmente se presentan
resultados experimentales basados en las estrategias de control
propuestas.
I. INTRODUCTION
L A asociacin en paralelo de interruptores permite incre-
mentar las prestaciones a partir de interruptores ms
pequeos. Cuando se requieren elevadas potencias se tiende a
recurrir a mdulos basados, en algunos casos, en la conexin
en paralelo de interruptores integrados [1] a [4]. En aplicacio-
nes en las que el precio de los semiconductores puede resultar
determinante, la asociacin en paralelo de interruptores
discretos permite reducir la relacin coste-Amperio del
interruptor [5].
El problema que se presenta en estos casos es debido al
reparto desequilibrado de las corrientes entre los semiconduc-
tores. La mayora de fabricantes de transistores de potencia
suelen facilitar notas de aplicacin que describen tcnicas que
favorecen el reparto de corriente entre dispositivos conectados
en paralelo [6], [7].
Cuando se habla de reparto de corriente entre transistores
resulta conveniente diferenciar entre reparto esttico y reparto
dinmico. Se considera reparto de corriente esttico cuando el
estado de conduccin de los transistores se mantiene durante
un cierto tiempo. En el caso de los transistores MOSFET, el
reparto esttico de corriente depende principalmente de la
resistencia de conduccin (RDSon). Esta resistencia tiene un
coeficiente de temperatura positivo y como consecuencia
tiende a ecualizar las corrientes que circulan a travs de los
transistores. No obstante, deben tomarse en consideracin
otros aspectos tales como la temperatura de la unin (TJ) y la
corriente de drenador (ID) puesto que de estos parmetros
depende RDSon. En estos casos, es muy eficaz el acoplamiento
trmico de los transistores como mtodo de reparto de
corriente. Dicho acoplamiento tiende a igualar la temperatura
en el disipador evitando de este modo un mayor desequilibrio
de TJ.
2012 SAAEI
El trmino dinmico no solo hace referencia a las
transiciones de corte a conduccin, tambin al reparto de
corriente en aquellos casos en los que los ciclos de trabajo son
pequeos y los mecanismos de reparto de corriente esttico
puedan ser despreciados. En los transistores MOSFET el
reparto de corriente dinmico es sensible a parmetros tales
como la transconductancia (gm), la tensin umbral puerta-
surtidor (VGSth), las capacidades de puerta, la resistencia de
conduccin y al driver de activacin de los transistores.
Transistores con caractersticas gm iguales permiten repartos
simtricos de corriente (1).
= (1)
En el caso de los transistores IGBT, el coeficiente de
temperatura de la resistencia de conduccin es negativo de
modo que la circulacin de corriente a travs de transistores en
paralelo tiende a incrementar el desequilibrio.
En este artculo se realiza un breve estudio de aquellas
caractersticas que provocan la falta de equilibrio en el reparto
de corriente en transistores IGBT y qu medidas pueden
tomarse con el objetivo de equilibrarlas. Para ello, se
comparan dos estrategias de control para el equilibrado de
corriente. Algunos autores proponen el clculo del valor
medio de la corriente entre transistores como estrategia de
control para el equilibrado [8]. En este artculo se presenta otra
estrategia basada en la asociacin de parejas de transistores.
Finalmente se muestran resultados de ensayos experimentales
obtenidos con el esquema de control propuesto.
II. REPARTO DE CORRIENTE
La gm y la tensin VGEth son las caractersticas que
contribuyen en mayor medida al desequilibro del reparto de
corriente en IGBTs conectados en paralelo (2), (3).
La existencia de inductancias parsitas en el emisor (Le) del
transistor influye tambin en el reparto de corriente. Las
fuertes variaciones de corriente asociadas a la conmutacin del
transistor provocan la aparicin de valores de tensin lo
suficientemente elevados como para modificar la tensin de
puerta del transistor en el instante de activacin.
( ) (2)
()
= + = + (3)
95
 2

400 uH

La Fig.1 muestra el modelo simplificado de un transistor

Rg1 = 22 Rg2 = 22
IGBT [9] y en la Fig.2 se muestra la evolucin de la tensin de x1 x2
24 V 470 uF 15
puerta y la corriente de colector segn la relacin VGEth y gm de Le1 = 100 nH Le2 = 200 nH
Vin1 Vin2
un IGBT y la desviacin de esta caracterstica para variaciones
de un 10% de los valores nominales. La variacin de las
Fig.3. Convertidor elevador con conmutador basado en dos transistores IGBT
caractersticas tecnolgicas de los transistores da lugar a un conectados en paralelo.
reparto no equitativo de la corriente que circula a travs de
estos dispositivos. TABLA I
CARACTERSTICAS DEL CIRCUITO DE SIMULACIN
COLECTOR
CGC: Capacidad puerta-colector Smbolo Descripcin Valor
Lc
CGE: Capacidad puerta-emisor x1, x2 IGBT: STGP7NC60HD [1]

CCE: Capacidad colector-emisor VGEth Tensin umbral VGEth(x2) = 0.9VGEth(x1)

CGC gm Transconductancia gm(x2) = 1.1gm(x1)
Lg
PUERTA IC CCE Lc: Inductancia parsita de colector Rg1, Rg2 Resistencia de puerta en IGBT x1 y x2 22
CGE Lg: Inductancia parsita de puerta Le1, Le2 Inductancia parsita emisor de x1 y x2 100 nH, 200nH
L Inductancia 400 H
VGE Le: Inductancia parsita de emisor Vin Tensin de entrada 24 V
Le DC Ciclo de trabajo 42 %
IC = gm(VGE - VGEth) C Capacidad de salida 470 F
EMISOR
Fig.1. Modelo equivalente simplificado de un transistor IGBT RL Resistencia de carga 15
[1] Modelo de simulacin SPICE de ST Microelectronics.
Para observar este comportamiento, se ha simulado el
funcionamiento de un conmutador constituido por dos 8. 0A
transistores IGBT en paralelo operando en un convertidor
elevador (Fig.3). Las caractersticas del circuito de simulacin
se resumen en la Tabla I.
4. 0A
150A

100A 0A
19. 2ms 19. 4ms 19. 6ms
8. 0A

50A

4. 0A
0A
0V 5V 10V 15V 20V
150A
0A
19. 2ms 19. 4ms 19. 6ms
I ( x1: 1) I ( x2: 1) I ( L)
100A Ti me
Fig.4. Corriente de colector a travs de los transistores x1 y x2, a) transistores
idnticos y b) tensin umbral y transconductancia segn la relacin mostrada
en la Tabla I.
50A
Los resultados de simulacin muestran dos situaciones
distintas. En la Fig.4a se muestra la corriente a travs de dos
0A transistores idnticos. Las diferencias en la corriente de
0V 5V 10V 15V 20V conmutacin se deben nicamente al valor de la inductancia
I ( x1: 1) I ( x2: 1)
Vg1 parsita de emisor, no obstante, el reparto de corriente es
Fig.2. Simulacin de la relacin Tensin de puerta (Vg1) Corriente de adecuado. La Fig.4b muestra la misma simulacin pero
colector (Ix1) de un IGBT (STGP7NC60HD de ST) en las siguientes modificando las caractersticas del transistor segn la relacin
condiciones: a) variacin de un 10% de la tensin umbral y b) variacin de mostrada en la Tabla I. En la figura se observa el desequilibro
un 10% del valor de transconductancia.
en el reparto de corriente entre los dos transistores. Esta
situacin de desequilibrio podra verse an ms perjudicada si
se tomara en consideracin el efecto trmico en la conduccin

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 3

de los transistores. Con el objetivo de tomar alguna accin que B. Variacin de la tensin de puerta
permita reducir o eliminar el desequilibrio, se observar el Se ha modificado el valor de la tensin de puerta para
efecto que produce la variacin del valor de la resistencia de comprobar el efecto que este cambio produce en el reparto de
puerta y la variacin del nivel de tensin de activacin de los corriente. La Fig.6 muestra que s es posible equilibrar la
transistores en el reparto de la corriente de conmutacin. corriente a travs de IGBTs conectados en paralelo
A. Variacin de la resistencia de puerta modificando el nivel de tensin de activacin del transistor.
En el siguiente apartado se presentan posibles estrategias de
El ajuste del valor de la resistencia de puerta modifica el
control de la tensin de activacin de los transistores para
tiempo de carga de la capacidad de puerta del transistor IGBT.
Este mtodo, utilizado por algunos drivers para reducir las equilibrar el reparto de la corriente de conmutacin.
prdidas de conmutacin, mejora el comportamiento
transitorio en la conmutacin del transistor [10]. La Fig.5 III. CONTROL DE REPARTO DE CORRIENTE
muestra el efecto que produce en la corriente de conmutacin Los resultados obtenidos en el apartado anterior muestran
la variacin del valor de la resistencia de puerta. que el ajuste de los niveles de tensin de la seal de activacin
de los transistores es un mtodo vlido para reducir e incluso
8. 0A cancelar el desequilibrio de la corriente que circula a travs de
asociaciones en paralelo de IGBTs.
En el artculo [8] se presentan tcnicas para aumentar el
rango de tensin y corriente en conmutadores basados en
4. 0A transistores IGBT mediante la conexin serie o paralelo de
estos dispositivos. En el artculo se propone un esquema de
control para equilibrar la corriente que circula a travs de
IGBTs. El esquema de control modifica, mediante el sensado
0A de la corriente de cada uno de los transistores, el nivel de
19. 2ms 19. 4ms 19. 6ms
tensin de puerta que debe aplicarse para repartir de forma
8. 0A
equitativa la corriente que circula a travs de cada transistor.
La referencia del circuito se obtiene mediante el clculo del
valor medio de la seal de corriente sensada. La Fig.7 muestra
una posible implementacin del esquema de control descrito.
4. 0A
Las ecuaciones (4) a (7) describen la relacin entre los niveles
de tensin de control de los transistores y la corriente que
circula a travs de ellos.
0A = + (4)
19. 2ms 19. 4ms 19. 6ms
I ( x1: 1) I ( x2: 1) I ( L) = (
) + (
) (5)
Ti me
=1
Fig.5. Variacin de la resistencia de puerta, a) Rg1 = 150 y Rg2 = 22 , () = (6)
b) Rg1 = 22 y Rg2 = 150 .
= (7)
8. 0A VPWM1
CONTROL + LIM IGBT
VS(AVG) + V +
1/2 GC GVI Ix1

VS1 FILTRO SENSOR

+ VS1 GS
4. 0A fLP
+
VS2
VPWM2
CONTROL + LIM IGBT
VS(AVG) + V +
GC GVI Ix2
0A
19. 2ms 19. 4ms 19. 6ms VS2 FILTRO SENSOR
I ( x1: 1) I ( x2: 1) I ( L) fLP GS
Ti me
Fig.7. Estrategia de control de reparto de corriente mediante el clculo del
Fig.6. Efecto de la variacin del nivel de tensin de activacin de los valor medio.
transistores conectados en paralelo VGE(X1) = 15 V y VGE(X2) = 12.5 V.

Segn los resultados obtenidos puede afirmarse que la
variacin del valor de la resistencia de puerta mejora el
transitorio de conmutacin pero no permite equilibrar
significativamente el reparto de corriente entre transistores
conectados en paralelo.
En este trabajo se propone un mtodo alternativo que
recurre a la asociacin de parejas de transistores como mtodo
de control de reparto de corriente (Fig.8). La diferencia del
mtodo que se propone con el mostrando en la Fig.7 est en
suprimir el clculo del valor medio puesto que el control de
reparto equitativo de corriente considera, de forma implcita,

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 4

la obtencin del valor medio de la corriente que circula a La Fig.10 muestra la evolucin de la corriente a travs de
travs de los transistores. El nmero de asociaciones los transistores en el caso de aplicar los mismos niveles de
depender del nmero de transistores que constituya el tensin en la seal de activacin. En esta figura se puede
conmutador del convertidor, segn la relacin mostrada en las apreciar un reparto desigual de la corriente.
ecuaciones (8) y (9).
A. Reparto de corriente mediante clculo de valor medio
La Fig.11 muestra la evolucin de la corriente que circula a

=
+
(8) travs de los dos transistores utilizando el esquema de control
basado en el clculo del valor medio de la corriente de cada

=
+ (9) transistor y se observa un mejor reparto de la misma.
VPWMi
CONTROL + LIM IGBT 8. 0A
VSj + Vi +
GC GVI Ixi

VSi FILTRO SENSOR

fLP GS
4. 0A

VPWMj
CONTROL + LIM IGBT
VSi + Vj +
GC GVI Ixj
0A
VSj FILTRO SENSOR
19. 2ms 19. 4ms 19. 6ms
fLP GS I C( Z1) I C( Z2) I ( L1)
Ti me
Fig.8. Estrategia de control de reparto de corriente mediante la asociacin de Fig.11. Resultados de simulacin del esquema de control mediante clculo
parejas de transistores. del valor medio. Evolucin de la corriente que circula a travs de Z1, Z2 y
corriente en el inductor L1.

IV. RESULTADOS DE SIMULACIN

B. Reparto de corriente mediante asociacin por parejas
Se han simulado en PSpice los esquemas de control de de transistores
reparto de corriente mostrados en las figuras Fig.7 y Fig.8.
Para validar los modelos de control propuestos se ha utilizado La Fig.12 muestra el comportamiento de la corriente que
el convertidor elevador de la Fig.9. En este caso se utilizan circula a travs de los dos transistores utilizando la estrategia
transistores de caractersticas distintas para asegurar un fuerte de control propuesta en este artculo.
desequilibrio de corriente a travs de los transistores.
8. 0A
L1 = 400 uH

Rg1 = 22 Z1 Rg2 = 22 Z2

VPWM1 VPWM2 470 uF 15

24 V 4. 0A
Le1 = 100 nH Le2 = 200 nH
Vs1 Ix1 Vs2 Ix2

Fig.9. Convertidor elevador con conmutador basado en dos transistores

IGBT conectados en paralelo (Z1: IXGH10N100 y Z2: IXGH17N100).
0A
19. 2ms 19. 4ms 19. 6ms
8. 0A I C( Z1) I C( Z2) I ( L1)
Ti me
Fig.12. Resultados de simulacin del esquema de control mediante asociacin
de parejas de transistores. Evolucin de la corriente que circula a travs de Z1,
Z2 y corriente en el inductor L1.

4. 0A
Como se puede observar, los resultados de simulacin de
los dos esquemas de control muestran comportamientos muy
similares. En el siguiente apartado se describe la
implementacin del control y se presentan resultados
0A experimentales.
19. 2ms 19. 4ms 19. 6ms
I C( Z1) I C( Z2) I ( L1)
Ti me V. IMPLEMENTACIN DEL CONTROL
Fig.10. Resultados de simulacin del circuito sin control de reparto de Se ha experimentado sobre un interruptor basado en la
corriente. Corriente a travs de Z1, Z2 y corriente por el inductor L1.
asociacin en paralelo de 2 transistores IGBT para validar la

98
 5

estrategia de control de reparto de corriente propuesta. El

control se ha desarrollado mediante una plataforma DSP
(TMS320F28335) y la medida de la corriente se obtiene
mediante resistencias Kelvin de 5 m.
La Fig.13 muestra el reparto de corriente en una carga
resistiva, aplicando los mismos niveles de tensin de puerta en
los dos transistores. En la Fig.14, utilizando los esquemas de
control basados en el clculo del valor medio y mediante la
asociacin por parejas de transistores, se muestran los niveles
de tensin de la seal de activacin de cada transistor que
permite equilibrar la corriente que circula a travs de los
mismos. En las figuras anteriores se aprecian picos de
corriente tal y como se haban observado en las simulaciones.
La aparicin de estos picos se debe a dos factores, el primero
al retardo entre las dos seales de activacin de los transistores
y el segundo al bajo Slew Rate de la tensin de puerta.

TABLA II
CONDICIONES DE ENSAYO

Smbolo Descripcin Valor

Vs Tensin de entrada 24 V
RL Resistencia de carga 15
Rs Resistenica Kelvin de medida de corriente 5 m
L1 Inductancia 400 H
fs Frecuencia de conmutacin 6 kHz
Z1, Z2 STGP7NC60HD 600 V / 14 A

Fig.14. Resultados experimentales en circuito resistivo, a) tensin de puerta y

b) reparto de corriente basado en el control mediante clculo del valor medio
y c) reparto de corriente basado en el control por asociacin de parejas de
transistores.

Finalmente se ha realizado un ensayo en un convertidor

elevador (Fig.9) en las condiciones mostradas en la Tabla II.
La Fig.15 muestra el reparto de corriente en tres situaciones
distintas. La primera muestra el comportamiento de la
corriente sin utilizar ningn control del nivel de tensin de
puerta. La segunda corresponde al reparto de corriente
utilizando el esquema basado en el clculo del valor medio. La
tercera muestra el reparto de corriente utilizando la estrategia
de control basada en la asociacin por parejas.
Fig.13. Resultados experimentales a) tensin de puerta y b) reparto de
corriente entre transistores.

99

Fig.15. Resultados experimentales en convertidor elevador: a) corriente en
transistores sin control de reparto de corriente, b) utilizando el control basado
en el clculo del valor medio y c) utilizando el control de reparto de corriente
por asociacin de la corriente entre transistores.
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Los resultados experimentales son coherentes y confirman
los resultados previamente obtenidos mediante simulacin.
VI. CONCLUSIONES
Se ha propuesto un esquema de control que permite
equilibrar el reparto de la corriente que circula a travs de
transistores IGBT conectados en paralelo.
El control es vlido en circuitos con cargas resistivas e
inductivas y, puesto que la medida de la corriente de
conmutacin se basa en la adquisicin de valores
promediados, el esquema de control no requiere una elevada
velocidad de clculo.
Se ha observado que la manera de implementar el control
del driver es fundamental en las estrategias para el equilibrado
de corriente. Resulta conveniente destacar que la variacin del
nivel de tensin puede provocar la aparicin de picos de
corriente en el transistor que primero entra en estado de
conduccin. Este fenmeno se hace ms patente en funcin
del Slew Rate de la seal de control.
En vista de los resultados obtenidos, puede resultar de
inters estudiar la influencia que pueda tener sobre las
perdidas en los semiconductores la aplicacin de estas
estrategias de control.
REFERENCIAS
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Systems, vol. 153, pp. 34-39, Feb 2006.
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1146, Jun. 2010.
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Modules Interantional Rectifier.
[6] International Rectifier Application Characterization of IGBTs, AN-
990 rev2, 2009.
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IGBT and SKiiPPACK modules, Application Manual, 2007.
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Performances of an IGBT in Short Circuit Conditions EPE 2007,
Aalborg, Sep. 2007.
[10] R. Hemmer, Intelligent IGBT Drivers with Excepctional Driving and
Protection Features EPE 2009, Barcelona, Sep. 2009.