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Technische Information / Technical Information

Dioden-Modul mit Chopper-IGBT


Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 100 N 16 RR

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Hchstzulssige Werte / Maximum rated values

Netz-Diode / Rectifier diode

Periodische Spitzensperrspannung Tvj = - 40C...Tvj max VRRM 1600 V


repetitive peak reverse voltage

Durchlastrom-Grenzeffektivwert (pro Element) IFRMSM 60 A


RMS forward current (per chip)

Ausgangsstrom TC = 100C Id 100 A


output current TC = 97C 104 A

Stostrom-Grenzwert Tvj = 25C, t p = 10ms IFSM 650 A


surge forward current Tvj = Tvj max, tp = 10ms 550 A

Grenzlastintegral Tvj = 25C, t p = 10ms It 2100 As


It-value Tvj = Tvj max, tp = 10ms 1500 As

IGBT

Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 V


collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom IC 50 A
DC-collector current

Periodischer Kollektor-Spitzenstrom tp = 1ms ICRM 100 A


repetitive peak collektor current

Gesamt-Verlustleistung TC = 25C Ptot 350 W


total power dissipation

Gate-Emitter Spitzenspannung VGE 20 V


gate-emitter peak voltage

Schnelle Diode / Fast diode

Dauergleichstrom IF 25 A
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom tp = 1ms IFRM 50 A


repetitive peak forward current

Modul

Isolations-Prfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min VISOL 2,5 kV


insulation test voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

Netz-Diode / Rectifier diode min. typ. max.

Durchlaspannung Tvj = Tvj max, iF = 100A vF 1,55 V


forward voltage

Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) 0,75 V


threshold voltage

Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT 5,5 m


forward slope resistance

Sperrstrom Tvj = Tvj max, vR = VRRM iR 5 mA


reverse current

IGBT

Kollektor-Emitter Sttigungsspannung Tvj = 25C, iC = 50A, vGE = 20V vCE sat 2,5 3,2 V
collector-emitter saturation voltage Tvj = 125C, i C = 50A, vGE = 20V 3,1

Gate-Emitter-Schwellspannung Tvj = 25C, iC = 2mA, v GE = vCE vGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V


gate-emitter threshold voltage

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Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 100 N 16 RR

IGBT min. typ. max.

Eingangskapazitt Tvj = 25C, f0 = 1MHz, Cies 3,3 nF


input capacitance vCE = 25V, vGE = 0V

Kollektor-Emitter Reststrom Tvj = 25C, vCE = 1200V, v GE = 0V iCES 0,8 1 mA


collector-emitter cut-off current Tvj = 125C, vCE = 1200V, v GE = 0V 4,0

Gate-Emitter Reststrom Tvj = 25C, vCE = 0V, vGE = 20V iGES 500 nA
gate leakage current

Emitter-Gate Reststrom Tvj = 25C, vCE = 0V, vEG = 20V iEGS 500 nA
gate-leakage current

Schnelle Diode / Fast diode

Durchlaspannung Tvj = 25C, iF = 25A vF 2,3 2,9 V


forward voltage Tvj = 125C, i F = 25A 1,8

Sperrverzgerungsladung iFM = 25A, -di/dt = 800A/s, v R = 600V Qr


recovered charge Tvj = 25C 2,3 As
Tvj = 125C 6,0 As

Thermische Eigenschaften / Thermal properties


Innerer Wrmewiderstand Netz-Diode / Rectifier diode, = 120rect RthJC max. 1,15 C/W
thermal resistance, junction to case Transistor / Transistor, DC max. 0,38 C/W
Schnelle Diode / Fast diode, DC max. 1,00 C/W

bergangs-Wrmewiderstand Netz-Diode / Rectifier diode RthCK max. 0,25 C/W


thermal resistance, case to heatsink Transistor / Transistor max. 0,24 C/W
Schnelle Diode / Fast diode max. 0,30 C/W

Hchstzulssige Sperrschichttemperatur Tvj max 150 C


max. junction temperature

Betriebstemperatur Tc op - 40...+150 C
operating temperature

Lagertemperatur Tstg - 40...+150 C


storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties


Gehuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3

Innere Isolation Al2O3


internal insulation

Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung Toleranz / tolerance 15% M1 4 Nm


mounting torque

Gewicht G typ. 185 g


weight

Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance

Khlkrper / heatsinks :

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