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corriente, donde se prob que debido a la disipacin de potencia dentro del mismo este tiene un
comportamiento no lineal, lo que hace que su aplicacin sea bastante complicada, sino imposible.
Las grficas de las simulaciones varan a las medidas por la beta de ganancia que tena el transistor
debido al mismo ambiente que haba en el laboratorio, ms se ve claramente que su
comportamiento es el mismo
Seguimos con la Parte II donde se construy una fuente de corriente con un JFET que luego de
hacer las mediciones y graficarlas con respecto a las del software, este tiene la particularidad de
dar una salida de corriente constante a pesar de que cambie el voltaje disipado por el mismo
transistor, o sea en esta configuracin se podra decir que el JFET se comporta como una fuente de
corriente constante hasta que su voltaje VDS hace que cambie su polarizacin de saturacin
dentro de la simulacin. Aunque en el circuito fsico se ve que esta corriente varia, esto puede ser
causado por el mismo estrangulamiento que se presenta dentro del JFET en el momento de su
polarizacin y por esto va bajando el flujo de corriente mientras aumenta el voltaje disipado en el
mismo
Para la Parte III se implement una configuracin en espejo con 2 transistores BJT, donde esta
fuente de corriente, debido a la misma configuracin control el comportamiento intrnseco no
lineal del transistor bajo ciertos rangos de voltaje, luego de cierto punto su linealidad desapareci.
En la Parte II del mismo, se utilizaba el mismo circuito pero dejando esta vez la alimentacin
constante y variando la carga del colector en valores de centenas de ohmios, donde se apreci que
para valores bajos de resistencia (Por debajo de los 10k y encima de los 800 ohmios) la fuente
realmente da una salida considerablemente constante de corriente al igual que las cadas de
voltaje en varios de sus componentes, pero mientras aumenta la carga en el colector, este causa
una cada demasiado alta de voltaje, descompensando el circuito y haciendo bajar la corriente
producida por el mismo.
Y por ltimo en la Parte III se experiment de manera parecida a la Parte 2, pero en un caso un
poco ms extremo donde las resistencias de carga del colector van de 0 a 180 ohmios y se vari la
resistencia del emisor. Para esta configuracin el circuito tuvo una especie de comportamiento
amortiguado con un sobrepaso bastante alto en los valores ms bajos de resistencia, que al ir
aumentando, tienden a normalizarse con el supuesto comportamiento lineal que se obtuvieron en
los valores simulados.