EE531 - Laboratrio de Eletrnica Bsica I

Experincia III Transistores de Efeito de Campo MOS e JFET

Prof. J. A. SIQUEIRA DIAS - DEMIC/FEEC/UNICAMP

1 Semestre de 2007

1 Objetivo

Explorar as principais caractersticas dos transistores JFET e MOS, em circuitos analgicos e digitais. Montar
e caracterizar circuitos simples que utilizam estes transistores. Comparar os resultados experimentais com os
resultados obtidos atravs de simulao no SPICE.

2 Introduo

Os transistores de efeito de campo apresentam algumas diferenas muito importantes quando comparados ao
transistor bipolar. Dentre as principais diferenas, destacamos o fato de que eles praticamente no possuem corrente
no terminal de controle (porta), o que resulta em correntes de dreno e de fonte iguais. A representao grfica destes
dois tipos de transistores a apresentada na Fig. 1, sendo que neste texto optamos por representar o transistor MOS
de forma similar ao transistor bipolar, como vemos cada vez mais na literatura moderna sobre eletrnica. Note que
mesmo em portugus comum a literatura se referir ao terminal de porta como "gate"e ao terminal da fonte como
"source".

JFET MOS

S D D S
G G G G
D S S D
Canal P Canal N Canal N Canal P

Figura 1: (a) Transistor JFET (b) Transistor MOS

1
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Nos transistores JFET e MOS as correntes de dreno apresentam um comportamento que varia de forma
quadrtica com a tenso Gate-Source VGS , sendo que para o transistor JFET temos:

VGS 2
Id = Idss [1 ] , (1)
VP
enquanto que para o transistor MOS temos:

Id = K[VGS VT ]2 , (2)

Devemos lembrar que estas expresses so vlidas apenas na regio de saturao.

3 Parte Experimental

Em primeiro lugar, iremos levantar as curvas ID x VGS para os dois tipos de transistores, de forma a podermos
calcular os principais parmetros eltricos do SPICE destes transistores. O transistor JFET que ir ser caracterizado
um BF245 e o transistor MOS um dos transistores NMOS de um "array"integrado CMOS CD 4007, que possui
transistores NMOS e PMOS.

3.1 Caracterizao do JFET

Para a caracterizao do transistor JFET iremos utilizar um circuito de auto-polarizao, pois de simples mon-
tagem e permite obter facilmente os valores de Idss e VP . Este circuito apresentado na Fig. 2. O potencimetro
RS permite a variao da tenso VGS e o resistor RD utilizado para medir a corrente de dreno.

Vdd = 8 Volts

RD ID
D
G
+
S
VGS
-

RS Is = ID

Figura 2: Montagem para caracterizao do transistor JFET

1. Monte o circuito e verifique a polarizao.

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2. O valor de Idss facilmente medido, bastando, para isso, fazer VGS = 0 na Eq.1. Mea o valor de Idss
usando este mtodo.

3. Para medir VP , se variarmos o potencimetro RS e medirmos VGS e ID , podemos, usando a Eq. 1, calcular
os valores de VP . Normalmente a forma mais fcil de obter os parmetros extrair a raiz quadrada dos dois
lados da Eq. 1, de forma a obter:

p p VGS
Id = Idss [1 ], (3)
VP

Como para o circuito da Fig. 2 podemos escrever

VRS ID = VGS (4)

basta medir vrios valores de VGS e ID e, fazendo um grfico de ID em funo de VGS , pode-se calcular
o valor de VP . Compare o valor de VP calculado com este procedimento com o valor indicado na folha de
dados do BF245.

3.2 Caracterizao do MOS

Para caracterizar o transistor NMOS vamos utilizar o circuito apresentado na Fig. 3. Para este circuito vamos
variar a tenso VGS diretamente na fonte de alimentao e medir a corrente de dreno, atravs do resistor RD .
Mantenha as conexes indicadas na Fig. 3 para os transistores que no so utilizados.

Circuito para medida CD 4007

Vdd = 5 Volts
Dreno
Vdd = 5 Volts

ID RD

8 D
G
6
+ 7 S
VGS -
Gate
Source

Figura 3: Medida das caractersticas do transistor NMOS do array CD4007.

1. Admitindo que o valor de VT definido como o valor de VGS que fornece ID =1 A, mea o valor de VT .

2. Aps medir VT , varie o valor de VGS (entre 2 V e 5 V, de 500 mV em 500 mV) e mea ID para todos estes
pontos. Extraindo a raiz quadrada de ambos os lados da Eq. 2, temos :
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p
Id = K[VGS VT ], (5)

3. Usando os dados medidos de ID x VGS , trace um grfico de ID em funo de VGS e calcule os valor de VT .
Compare com o VT definido como valor de VGS quando ID = 1A.

4. Utilize o par de transistores indicado na Fig. 4, que um circuito digital de um inversor CMOS, para fazer
uma caracterizao de Vin xVout , para V in variando de 0 a 5 Volts.

Vdd = 5 Volts
14 , 11

10 12
INPUT OUTPUT

100 pF

7 ,9

Figura 4: Par de transistores MOS no CD4007 formando um inversor.

Para isso, aplique uma onda triangular no terminal Vin e observe a tenso de sada com o osciloscpio. Anote
o valor de Vin que faz com que a sada mude de estado.

5. Como voc deve ter aobservado ao medir Vin xVout , o circuito inversor , na realidade, um amplificador
de ganho muito alto, para tenses de entrada em torno de V dd/2. Vamos utilizar esta caracterstica para
construir um detector/amplificador de alto ganho para sinais de um controle remoto por Infra-Vermelho (IR).

Projete o circuito da Fig. 5 calculando os resistores R1 e R2 de forma que o amplificador fique polarizado
em Vdd /2, ou seja, muito prximo do ponto onde ocorre a transio na sada.

I.R.
Vdd = 5 Volts
14 , 11
SFH206
R1
C 12
10
Vout
0,1F
R0 R2 100 pF
7 ,9

Figura 5: Circuito do Detector/Amplificador de Infra-Vermelho usando um "inversor digital"CMOS.

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O valor do resistor R0 deve ser tambm bastante alto, para que as correntes muito baixas geradas pelo
fotodiodo (SFH 206, um fotodiodo detector de infra-vermelho, com comprimento de onda centrado em
950 nm) possam causar uma variao de tenso sobre R0 de cerca de 5Vpp . Para calcular R0 consulte a
curva caracterstica do SFH206 (ver Fig. 6), admitindo que o contrrole remoto fornece uma potncia de 10
W/cm2 .

Figura 6: Curvas caractersticas do fotodiodo SFH206.

O capacitor C deve ser calculado de forma de onda que aparece em R0 (de freqncia f0 = 40 KHz, gerada
pelo conrole remoto) chegue ao terminal de entrada do par CMOS com boa amplitude e sem deformao
exagerada, para ser amplificada.

Monte o circuito, teste o ponto de operao. Se tudo estiver correto, teste o circuito jogado um sinal de um
controle remoto no SFH206 e observa a forma de onda no osciloscpio.