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CONVERSOR BOOST
CONVERSOR BOOST
4
30 Grafico do Rendimento em funcao da Potencia de Sada. . . . . . . . . . . . . 41
31 Temperaturas dos componentes em funcao do tempo. . . . . . . . . . . . . . . 41
32 Tela do Termografico focando no Diodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
33 Tela do Termografico focando no MOSFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
34 Tela do Termografico focando no Enrolamento do Indutor. . . . . . . . . . . . 43
35 Tela do Termografico focando no Nucleo do Indutor. . . . . . . . . . . . . . . 43
Lista de Tabelas
1 Comparacao dos valores calculados e simulados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2 Valores calculados para os parametros fsicos do indutor. . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
3 Tensoes e Correntes de Entrada e Sada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
Sumario
1 OBJETIVO 1
2 INTRODUCAO 2
3 PRINCIPIO DE FUNCIONAMENTO 2
3.1 MODO DE OPERACAO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3.1.1 Formas de Onda para o Modo de Conducao Contnua . . . . . . . . . . 4
3.2 GANHO ESTATICO EM CONDUCAO CONTNUA . . . . . . . . . . . . . 8
3.3 DETERMINACAO DOS VALORES DOS COMPONENTES . . . . . . . . . 9
3.3.1 Determinacao da Resistencia de Carga RO . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.3.2 Determinacao da Capacitancia C e Calculos Relativos . . . . . . . . . 9
3.3.3 Determinacao da Indutancia L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
3.4 ESFORCOS NOS SEMICONDUTORES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.4.1 Tensao Maxima na Chave VSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.4.2 Corrente Eficaz na Chave ISe f . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.4.3 Tensao Maxima no Diodo D VDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
3.4.4 Corrente Media no Diodo D IDmd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
5 CIRCUITO DE COMANDO 20
5.1 MODULACAO POR LARGURA DE PULSO . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
5.2 O CIRCUITO INTEGRADO UC3525A APLICADO A MODULACAO POR
LARGURA DE PULSO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
5.3 DETERMINACAO DA FREQUENCIA DE TRABALHO . . . . . . . . . . . 22
6 DRIVER DE CORRENTE 22
6.1 RESISTENCIA DE GATILHO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
7 CALCULOS PRELIMINARES 23
7.1 GANHO ESTATICO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
7.2 VALORES DOS COMPONENTES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
7.2.1 Resistencia de Carga RO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
7.2.2 Capacitancia C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
7.2.3 Resistencia Serie Equivalente Maxima . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
7.2.4 Corrente Eficaz no Capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
7.2.5 Indutancia L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
7.3 CALCULOS DOS ESFORCOS NOS SEMICONDUTORES . . . . . . . . . . 25
7.3.1 Tensao Maxima na Chave VSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
7.3.2 Corrente Eficaz na Chave ISe f . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
7.3.3 Tensao Maxima no Diodo VDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
7.3.4 Corrente Media no Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
7.4 CALCULOS DAS PERDAS NOS SEMICONDUTORES . . . . . . . . . . . . 25
7.4.1 Perdas no MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
7.4.2 Perdas no Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
7.5 RESISTENCIA RT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
7.6 RESISTENCIA DE GATILHO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
9 IMPLEMENTACAO DO CIRCUITO 32
9.1 CONFECCAO DO INDUTOR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
8
9.2 CONFECCAO DA PLACA DO CIRCUITO DE CIRCUITO IMPRESSO . . . 32
10 VALIDACAO DO PROJETO 35
10.1 VALIDACAO DO CIRCUITO DE COMANDO . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
10.2 VALIDACAO DO CIRCUITO DE POTENCIA . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
10.3 ENSAIOS LABORATORIAIS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
10.3.1 Ensaio do Rendimento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
10.3.2 Ensaio Termico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
11 CONSIDERACOES FINAIS 43
A APENDICE 46
1
1 OBJETIVO
Este relatorio tem por objetivo apresentar a descricao do dimensionamento e da realizacao
de um conversor CC-CC elevador de tensao, Boost, contendo o passo a passo de todas as eta-
pas bem como mostrando os resultados obtidos teoricamente e por meio de simulacao, alem
dos resultados de testes fsicos realizados em laboratorio com o circuito, descrito neste projeto,
implementado.
2 INTRODUCAO
Os conversores CC-CC tem o funcionamento baseado no controle do fluxo de potencia,
eles sao formados por semicondutores que funcionam como chaves e elementos passivos como
indutores e capacitores. Uma vantagem dos conversores CC-CC sobre os reguladores lineares,
e o fato de eles ocuparem menor volume, o que facilita sua aplicacao, como por exemplo em
fontes chaveadas.
Um conversor Boost tem como objetivo elevar o nvel da tensao media de sada, de
forma que seu valor mnimo seja o valor medio da tensao de entrada. Na configuracao destes
conversores, como exibida na Figura 1, tem-se uma indutancia em serie com a fonte de tensao,
o que faz com que a entrada se comporte como uma fonte de corrente. Sabendo que uma fonte
de corrente so pode ser associada a uma fonte de tensao, tem-se que a carga deve-se portar como
uma fonte de tensao. Desta obrigatoriedade vem a necessidade de se utilizar um capacitor em
paralelo com a carga, caso esta seja indutiva.
Conversores Boost podem ser empregados tanto em aplicacoes de baixa potencia, uti-
lizados em sistemas de iluminacao portatil (lanternas); como de alta potencia, um exemplo
pratico pode ser o veculo hbrido Toyota Prius, que utiliza um motor eletrico e com o uso de
conversor Boost, eleva sua tensao disponvel, com uma quantidade reduzida de elementos de
acumulacao, de 200 V para os 500 V necessarios ao seu funcionamento [1].
3 PRINCIPIO DE FUNCIONAMENTO
O conversor Boost apresenta uma indutancia em serie com a fonte de tensao de entrada,
ainda, como para altas frequencias de chaveamento a ondulacao da corrente iL do indutor pode
ser desprezada, estes conversores podem ser representados da forma como esta mostrado na
Figura 1, como tambem pode-se realizar a simplificacao da fonte de tensao na entrada em serie
com o indutor por um equivalente em fonte de corrente, como mostrado na Figura 2.
Figura 2: Esquematico simplificado do conversor Boost tendo como entrada uma fonte de corrente.
Fonte: Autoria propria.
Este conversor tem seu funcionamento regido pela abertura ou fechamento da chave S,
que por sua vez, possui uma frequencia de funcionamento especfica, denominada f . O tempo
em que a chave permanece aberta e dito ta , o tempo em que a chave permanece fechada ou
conduzindo e dito tc e a soma destes intervalos de tempo deve ser igual ao perodo T total de
operacao do conversor.
Pode-se descrever tais etapas da seguinte forma:
1. Chave Fechada: Esta primeira etapa e a etapa de acumulacao de energia e esta represen-
tada na Figura 3. Estando a chave fechada, o diodo D e polarizado reversamente e a carga
e desconectada da fonte de entrada, de forma que a corrente fornecida pela fonte circula
apenas no indutor L, magnetizando-o.
2. Chave Aberta: Nesta etapa ocorre a desmagnetizacao do indutor. Com a chave aberta,
o diodo neste momento encontra-se polarizado diretamente, logo, conduzindo. Neste
segundo a carga e conectada a fonte de forma que, como mostrado na Figura 4, a corrente
iE que e fornecida ao circuito, depende da carga acoplada a este.
mesmo formato de iL , ja na segunda etapa, como a chave esta aberta, a corrente na mesma e
nula, tal como exibido na Figura 5 (b).
A Figura 5 (c) exibe a forma de onda para a corrente no diodo, tem-se que iD e nula
na primeira etapa, pois o diodo esta polarizado reversamente, entao nao conduz corrente, na
segunda etapa o diodo conduz e a corrente iD tem o mesmo formato da corrente iL que circula
no indutor.
A Figura 5 (d) ilustra a forma de onda da corrente no capacitor, como na primeira etapa
a corrente iC que circula no capacitor e a corrente IO da carga so que negativa, iC permanece
neste patamar constante enquanto a chave esta fechada. No momento em que a chave e aberta,
iC passa a ser IM subtrada de IO , esse resultado e obtido analisando o circuito da Figura 4.
Na Figura 5 (e), tem-se que a corrente de carga e constante, posto que a carga nao se
altera em nenhum momento durante o perodo de funcionamento do conversor. Em uma etapa
a corrente demandada e fornecida pela fonte de entrada, e na outra ela e suprida pelo energia
armazenada capacitor.
A Figura 6 (a), demonstra a forma de onda para a tensao na chave. A tensao VS so existe
durante o tempo ta e seu valor corresponde a tensao de sada VO .
Partindo do princpio de que a tensao de sada nao e constante, tem-se na Figura 6 (b)
a ondulacao da tensao no capacitor C de sada. Durante a conducao da chave S o capacitor
C transfere energia a carga, isso faz com que a carga armazenada decresca reduzindo a tensao
em seus terminais. Quando a chave S e aberta, a fonte de alimentacao entrega energia a carga
e o capacitor e carregado novamente, consequentemente a tensao em seus terminais tambem
aumenta. Essa operacao produz uma ondulacao nos terminais do capacitor de valor constante
igual a Vc . Vale ressaltar que a curva para carga e descarga do capacitor e uma exponencial,
portanto as retas da forma de onda da Figura 6 sao uma boa aproximacao.
Na Figura 6 (c), tem-se a tensao de sada VO que representa a tensao media na carga,
nesta forma de onda nao esta sendo considerada a ondulacao da tensao sobre o capacitor.
Na Figura 6 (d), tem-se a tensao de sada VL que representa a tensao sobre o indutor,
durante tc , quando a chave esta aberta, VL e igual a tensao de entrada, ja durante ta , como o diodo
e considerado ideal e a queda de tensao sobre ele e 0, a tensao sobre o indutor e (VO E).
O ganho estatico em conducao contnua pode ser obtido analisando a forma de onda da
tensao nos terminais do indutor pois, em regime permanente, a tensao media sobre ele e nula.
Por meio da Figura 6 (d), tem-se que com a chave fechada, a tensao que nos terminais
do indutor e a propria tensao da fonte E. Logo tc e calculado a partir da Equacao 1.
tc = D T (1)
Quando a chave abre, a tensao que nos terminais do indutor e determinada pela E VO .
O tempo em que a chave permanece aberta e chamado de ta e e determinada pela 2.
ta = (1 D) T (2)
Por meio das equacoes 1 e 2, verifica-se que o perodo T e dado pela Equacao 3.
T = ta + tc (3)
E D T = (VO E) (1 D) T (4)
VO2
RO = (8)
PO
dvC
iC = C (9)
dt
VC VC
IO = C =C (10)
t tc
IO e calculado pela lei de Ohm ja que a tensao e a resistencia na carga sao conhecidas.
Para encontrar o valor do capacitor, isola-se C na Equacao 10, chegando-se ao resultado da
Equacao 11.
IO tc
C= (11)
VC
X Resistencia Serie Equivalente Maxima - RseM
Visando mais exatidao nos calculos, deve-se considerar a resistencia serie equivalente
do capacitor Rse que e a responsavel pelas perdas do capacitor, tendo assim efeito significativo
na ondulacao da tensao, para calcular seu valor maximo, deve-se usar a Equacao 12.
VC
RseM = (12)
IC
Centro de Energias Alternativas e Renovaveis - Departamento de Engenharia Eletrica
Laboratorio de Maquinas e Acionamentos (LMA)
Eletronica de Potencia - 2016.2
10
X Corrente Eficaz
Calcula-se a corrente eficaz no capacitor por intermedio da Equacao 13.
s
Z T
1
ICe f = iC2 (t)dt (13)
T 0
IO
IEmd = (15)
1D
r
D
ICe f = IO (16)
1D
IL
E = L (18)
tc
tc E
L= (19)
IL
A tensao na chave sera maxima quando ela estiver aberta, como o diodo e ideal nao ha
queda de tensao sobre ele, consequentemente a tensao maxima na chave sera a mesma da carga,
e possvel calcula-la usando a Equacao 20.
VSM = VO (20)
Observando a Figura 5 (b), ve-se que a corrente na chave sera diferente de zero apenas
na primeira etapa, a aproximacao que foi feita para o calculo da corrente eficaz no capacitor
tambem pode ser usada neste caso. Resolvendo a integral da Equacao 22 e obtido o resultado
da Equacao 23. r Z tc
1
ISe f = IE2 dt (22)
T 0
ISe f = IE D (23)
Para o calculo da tensao maxima no diodo, deve-se perceber apenas que quando a chave
esta fechada, o diodo nao conduz, diante disso a tensao sobre ele e igual a da carga, assim a
tensao maxima no diodo sera VO ,portanto tambem igual a tensao maxima na chave, tal como na
Equacao 24.
VDM = VO = VSM (24)
IDmd = IO (25)
Em quaisquer tipos de circuitos, sao utilizados componentes nos quais circula corrente
eletrica, devido a isso, ha a ocorrencia de um fenomeno que estabelece uma relacao entre a
corrente eletrica que percorre um condutor e o calor gerado, chamado de efeito Joule. A
problematica se resume a uma corrente em circulacao que produz calor, ocasionando perdas
termicas nos semicondutores, como os componentes a serem empregados neste projeto pos-
suem limitacoes termicas, que quando excedidas podem levar a falha ou ate mesmo estrago
do componente, ve-se a necessidade da utilizacao do dissipador. Ate mesmo por motivos de
seguranca os calculos termicos sao de fundamental importancia [3].
De forma simplificada, o calculo termico pode ser feito a partir de um circuito equiva-
lente como exibido na Figura 7 [2].
Na Figura 7 compreende-se que:
R jc e a resistencia termica entre a juncao e a capsula em graus Celsius por Watts ( C/W);
Rcd e a resistencia termica entre o componente e o dissipador em graus Celsius por Watts
( C/W);
Rda e a resistencia termica entre o dissipador e o ambiente em graus Celsius por Watts
( C/W);
A resistencia total do circuito equivalente para calculo termico pode ser representada
por R ja que e a resistencia termica entre a juncao e o ambiente e e dada pelas Equacoes 26 e 27.
T j Ta
R ja = (27)
P
Os valores de R jc , Rcd e T j sao obtidos a partir do manual do componente [5], enquanto
isso Ta e a temperatura ambiente a qual o conversor sera submetido. Portanto, sera preciso
determinar Rda para definir o tipo de dissipador a ser usado, esse dissipador pode ser encontrado
a partir da tabela da Figura 8, a qual estabelece a relacao entre os dissipadores, resistencias
termicas e massa.
Neste projeto sera utilizado o MOSFET IRF640 para o chaveamento, as perdas totais
em um MOSFET sao dadas pela Equacao 28.
ton
PM(cond) = r i2 = rds(on) i2De f (29)
T ds(on) d(on)
Sabe-se que ton = tc , iD(on) = iLmed , rds(on) e a resistencia de conducao, id(on) e a corrente
de dreno quando o transistor esta conduzindo e T e o perodo de chaveamento. O valor de rds(on)
e definido geralmente pelo fabricante para uma temperatura de juncao de 25 C, por isso sera
preciso fazer a correcao para a temperatura da juncao maxima desejada empregando o abaco
exibido na Figura 9.
Para obter o valor de rds(on) na temperatura T j desejada, usa-se a Equacao 30, o valor
de rds(on) normalizado e retirado do grafico para a T j almejada e rds(on)@25C , como ja falado
anteriormente, e fornecido no manual do MOSFET.
f
PM(com) = (tr + t f ) id(on) Vds(o f f ) (31)
2
Onde Vds(o f f ) e igual a tensao VO para etapa na qual a chave esta aberta, tr e t f sao dados
encontrados no manual [5].
Neste projeto sera usado o diodo MUR860, a potencia dissipada neste componente e
definida pela soma das perdas por conducao e por comutacao, tal como no MOSFET, e esta
descrita na Equacao 32.
As perdas por conducao e por comutacao no diodo estao exibidas, respectivamente, nas
Equacoes 33 e 34
2
PD(cond) = VF IDmed + r IDe f (33)
Onde VF e um dado fornecido pelo fabricante e simboliza a tensao direta sobre o diodo
quando ele esta conduzindo, Qrr e um dado do fabricante, E e a tensao sobre o diodo quando
ele encontra-se bloqueado e f e a frequencia de comutacao. A tensao VF tem que ser ajustada
para a operacao a 100 C, para ajusta-la sera usada a Equacao 35.
Para a confeccao do indutor que utilizou-se nesse projeto, foi seguido um passo a passo
que esta apresentado nos itens a seguir. Utilizou-se o software MATLAB para realizar todos
os calculos de dimensionamento. O programa encontra-se no Apendice A.
A princpio para a confeccao de um indutor deve-se escolher o tipo de nucleo, este pode
ser de dois tipos: ferrite (bom funcionamento em altas frequencias) ou de ferro-silcio (bom
funcionamento para baixas frequencias). Dois parametros tem extrema importancia na escolha
do nucleo que sera utilizado no projeto, estes sao a area de seccao transversal do nucleo Ae e a
area da janela Aw .
A escolha do nucleo apropriado e feita conhecendo-se o produto da area da seccao trans-
versal do nucleo, com a sua area de janela, como os fabricantes so disponibilizam alguns ta-
manhos e formatos padroes de nucleos, deve-se escolher o nucleo com o Ae Aw maior e mais
proximo do calculado. A Equacao 36 apresenta a relacao entre as areas citadas anteriormente e
outros parametros fundamentais na construcao do indutor.
L I pico Ie f
Ae Aw = 104 (36)
Bmax Jmax kw
Por meio da relacao entre fluxo magnetico e tensao induzida no indutor, e possvel apre-
sentar o numero de espiras que devem ser enrolados no carretel do projeto do indutor. O numero
de espiras a serem utilizadas no projeto do indutor e dado pela Equacao 37. E importante res-
saltar que o valor obtido deve ser proximo de um valor inteiro, ja que nao e viavel um numero
de espiras nao inteiro.
L I pico
NL = (37)
Bmax Ae
4.2.3 Entreferro
Para dimensionar a bitola dos condutores que serao usados no enrolamento, tem-se que
levar em conta o efeito pelicular, que atua de modo a limitar a area maxima do condutor a ser
utilizado. O valor da profundidade de penetracao do condutor e calculado pela Equacao 39.
7, 5
= (39)
fs
Assim, o condutor nao deve possuir diametro maior que duas vezes a sua profundidade.
Para o calculo da bitola, leva-se em conta a maxima densidade de corrente que passa pelo
condutor, assim a bitola e dimensionada pela Equacao 40.
Ie f icaz
Scondutor = (40)
Jmax
Uma solucao ao efeito pelicular e utilizar mais de um condutor em paralelo, conduzindo
assim a mesma corrente, mas evitando o efeito negativo. A quantidade de condutores e definida
pela Equacao 41.
Scondutor
Ncondutor = (41)
S f io
As perdas no cobre sao devido ao efeito Joule, como acontece no caso dos semiconduto-
res. Essas perdas sao analisadas a partir da resistencia do enrolamento, que e dada pela Equacao
42.
f io lespira NL
Rcobre = (42)
ncond
Na qual lespira e o comprimento medio de uma espira, e f io e a resistividade do fio por
cm. As perdas Joule sao dadas pela Equacao 43.
ambiente o qual ele esta inserido. Essas perdas, que ocorrem devido ao fenomeno da histerese
e correntes parasitas, a Equacao 44 e uma aproximacao para o calculo das perdas magneticas
principais.
Pnucleo = B2,4 (Kh f + K f f 2 ) Vnucleo (44)
Kh = 4 105 ;
K f = 4 1010 .
A elevacao de temperatura tem relacao com a potencia dissipada no nucleo e nos enro-
lamentos. Fazendo analogia com a lei de Ohm, pode-se defini-la a partir da Equacao 47.
5 CIRCUITO DE COMANDO
O circuito de comando foi implementado utilizando um circuito integrado UC3525A,
do fabricante Microelectronics , Figura 10. Utiliza-se para isso o conceito de modulacao por
largura de pulso.
A tecnica de modulacao por largura de pulso tem como princpio a codificacao digital
de um sinal analogico, onde a razao cclica de uma onda quadrada e modulada para se codificar
um nvel de sinal analogico. Assim, e possvel controlar o tempo de trabalho de uma chave.
Dessa forma e possvel fazer o controle da potencia media para uma determinada aplicacao,
injetar mais ou menos potencia a depender das necessidades requeridas. Isso torna sua utilizacao
popular em diversas aplicacoes como controle de motores eletricos, controles de potencia, fon-
tes chaveadas dentre outras.
Logo a depender da razao cclica pode-se controlar o tempo que a chave fica ligada
(tligada ) e consequentemente desligada (tdesligada ) e portando pode-se controlar a potencia media
entregue a uma carga. A mesma e deduzida como a relacao entre o tempo em que a tensao esta
tligada
D= (49)
T
O sinal de modulacao por largura de pulso foi gerado a partir do CI UC3525A. A Figura
10 apresenta a relacao entre os pinos e as conexoes e na Figura 12 esta exibido o esquematico
completo para o circuito de comando e driver de corrente. No pino 16 e gerado um sinal com 5
V de amplitude ligado ao um potenciometro que esta conectado a entrada nao inversora do CI,
pino 2, essa conexao regula a razao cclica e a onda portadora dente de serra gerada no pino 5
onde esta conectado CT . O pino 13 indica a sada, que no caso sera o sinal de comando.
1
f= (50)
CT (0, 7 RT + 0, 3 Rd )
6 DRIVER DE CORRENTE
O circuito de comando descrito acima nao possui capacidade de suprir a corrente ne-
cessaria para o acionamento do MOSFET utilizado. Como solucao optou-se pela utilizacao
de um drive de corrente que e um circuito com a finalidade de prover correntes para variadas
finalidades, o mesmo tambem exerce um papel de protecao para o circuito.
7 CALCULOS PRELIMINARES
As especificacoes do Conversor Boost a ser projetado sao as seguintes:
VO E 100 75
D= = = 0, 25 (52)
VO 100
O ganho estatico, assim como definido na Equacao 5, pode ser entao obtido, como
exibido na Equacao 53.
VO 1 1
= = = 1, 33 (53)
E 1 D 1 0, 25
VO2 1002
RO = = = 100 (54)
PO 100
7.2.2 Capacitancia C
Para que seja possvel usar a Equacao 11, deve-se calcular a variacao de tensao no capa-
citor. Atraves dos valores requeridos pode-se calcular a variacao de tensao, como mostrada em
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24
55.
VC = 0, 005 VO = 0, 005 100 = 0, 5 V (55)
1
IO tc 1 0, 25 35000
C= = = 14, 286 F (56)
Vc 0, 5
VC 0, 5
RseM = = = 1, 5 (57)
IC 0, 3333
r s
D 0, 25
ICe f = IO = 1 = 0, 577 A (58)
1D 1 0, 25
7.2.5 Indutancia L
p
ISe f = IE D = 1, 333 0, 25 = 0, 666 A (64)
IDmed = IO = 1 A (66)
= 0, 18 0, 293 (67)
= 0, 293 W
Em posse do valor de rds(on) , pode-se calcular as perdas por conducao usando a Equacao
Dando sequencia, pode-se definir as perdas por comutacao usando a Equacao 31 e che-
gando ao resultado apresentado na Equacao 69:
f
PM(com) = (tr + t f ) id(on) Vds(o f f )
2
35 103
= (51 109 + 36 109 ) 1, 333 100 (69)
2
= 0, 203
A resistencia termica entre a juncao e o ambiente, calculada pela Equacao 27 tem seu
resultado apresentado na Equacao 71.
T j Ta 100 50
R ja = = = 150, 51 C/W (71)
P 0, 3322
Usando a Equacao 26 e isolando Rda , e possvel chegar ao resultado apresentado na
Equacao 72.
Rda = R ja R jc Rcd = 150, 51 1 0, 5 = 149, 01 C/W (72)
A partir dos calculos efetuados, tendo em vista a necessidade exigida pelo projeto, sera
adotado o dissipador cuja convencao natural e de 10,5 C/W.
As perdas por conducao do diodo foram definidas atraves da Equacao 33 desprezando a segunda
parcela, pois r e muito pequeno, obtem-se a Equacao 74, lembrando que VF foi definido tendo
em vista o pior caso, que e T=50 C.
2 (74)
PD(cond) = VF IDmed + r IDe f VF IDmed = 1 1, 5 = 1, 5 W
A perda total de potencia no diodo e calculada a partir da Equacao 32, resultando na Equacao
75.
PDIODO = PD(cond) + PD(com) = 1, 500 + 0, 683 = 2, 183 W (75)
T j Ta 100 50
R ja = = = 22, 910 C/W (76)
P 2, 183
Assim, o dissipador escolhido foi o cuja convencao natural e de 10,5 C/W o que rea-
firma o resultado obtido no topico acima. Por meio dos resultados dos calculos e escolhas, e
possvel averiguar que nao foi necessario uso de ventilacao forcada nos dissipadores usados no
diodo ou no MOSFET.
7.5 RESISTENCIA RT
1 1
RT = = = 8, 7 K (78)
0, 7 CT f 0, 7 4, 7 109 35000
1, 3 nF e 36 ns.
tf 36 109
Rg = = = 12, 58 (79)
2, 2Ciss 2, 2 1, 3 109
8.1 SIMULACOES
9 IMPLEMENTACAO DO CIRCUITO
Como enunciado na subsecao 4.2, os calculos do projeto fsico do indutor foram todos
realizados por auxlio de um programa desenvolvido no software MATLAB e que se encontra
disponvel no Apendice A. Abaixo, na Tabela 2, estao apresentados os resultados obtidos por
meio do programa.
Parametro Valor
Produto das areas AeAw (cm4 ) 0,959
Indutancia (H) 0,004
Numero de espiras 111
Comprimento do entreferro (mm) 0,697
Comprimento total do chicote (m) 9,657
Numero de condutores 2
Possibilidade de Execucao 81,06%
Na etapa de confeccao indutor foi necessario a da ondulacao de corrente 10%, pois com
o valor determinado de projeto nao foi alcancado um executavel satisfatorio tendo em vista
que o nucleo dessa forma nao foi completamente preenchido,assim o novo valor do indutor
calculado foi de 4,02 mH.
Com as correcoes realizadas, a confeccao do prototipo seguiu as instrucoes apresentadas
na subsecao 4.2, o valor obtido foi de aproximadamente 5 mH (acima do desejado), assim, foi
necessario utilizar papeis entre as juncoes dos nucleos para aumentar o entreferro e diminuir a
indutancia. Foram utilizados 6 pedacos de papel de folha de caderno em cada lado do nucleo
para chegar na indutancia desejada de 4,02 mH. O resultado final pode ser observado na Figura
19.
O projeto da placa de circuito impresso (PCI) foi concebido usando o Proteus 8.5 , que e
um software sute que contem as ferramentas ISIS, que possibilita a elaboracao de esquematicos
de potencia) nao ultrapassaria 3 A, decidiu-se usar 120 mils para a parte de potencia e 60 mils
para a parte de comando e driver de corrente, alem disso, escolheu-se usar a malha de terra. O
leiaute completo esta representado na Figura 21.
Usando la de aco a placa de fenolite foi lixada ate que superfcie de cobre da mesma
ficasse limpa e brilhante;
O leiaute da placa foi posto sobre a placa de fenolite e o conjunto foi aquecido, para a
tinta soltar do papel e aderir a placa, usando uma plastificadora a 150 C;
Com a tinta aderida sobre a superfcie, a placa ficou mergulhada em solucao de Percloreto
de Ferro e apos 1 hora foi retirada da solucao, em seguida foi usada novamente la de aco
para limpar as regioes que continham resqucios de tinta;
Aplicou-se em toda a superfcie acobreada verniz incolor Isotec (apropriado para PCI),
esperou-se cerca de 20 minutos para o mesmo secar.
Na Figura 22 esta apresentado o resultado para a placa apos serem realizados os passos
citados acima.
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10 VALIDACAO DO PROJETO
Com a placa com todos os componentes soldados, iniciou-se os ensaios.
Figura 25: Organizacao dos equipamentos usados nos ensaios do conversor Boost.
nece energia a carga, logo, a corrente no indutor decresce, tal como na Figura 28. Em termos de
valores, a tensao reversa maxima adquirida foi 103 V e para a corrente no indutor foi 1, 357 A,
ambos concordaram com os valores calculados e simulados anteriormente.
A ultima forma de onda adquirida foi a da tensao sobre a chave, na Figura 29 e possvel
observa-la juntamente com a corrente no indutor. O valor maximo para a tensao na chave foi de
125 V, contrastando com o valor calculado, porem deve-se ficar atento ao fato que ha picos em
ao longo do perodo, provocando um erro ao exibir o valor em tela. Como exibido na Figura 29
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a escala do canal 2 esta configurada como 50 V por divisao, com isso fica evidente que a tensao
na chave varia entre 0 e 100 V, assim como calculado e simulado.
PO
= (80)
PE
Na Tabela 3 estao apresentadas as correntes e tensoes medias para cada valor na carga,
onde E e IE representam os parametros da entrada, e VO e IO os da sada.
A grafico da Figura 30 foi gerado no MATLAB a partir dos valores da Tabela 3, nele e
possvel verificar o rendimento em funcao da potencia de sada.
O rendimento comeca a subir ate cerca de 50W para a potencia de sada e depois cai.
Seu valor maximo foi atingido usando tanto uma resistencia de 300 quanto a de 400.
E possvel perceber que de fato, o conversor mantem, aproximadamente, o mesmo ren-
dimento mesmo variando a carga.
A temperatura dos componentes do conversor afeta seus valores, assim um ensaio termico
dara uma resposta mais precisa caso o Boost seja usado durante um grande intervalo de tempo.
Utilizando um termografico, foram obtidas as temperaturas do MOSFET, do diodo, do enro-
lamento do indutor e do nucleo do indutor. O ensaio teve duracao de 45 minutos, tempo em
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11 CONSIDERACOES FINAIS
Para o projeto em questao, de acordo com as simulacoes, medicoes e resultados obtidos
em laboratorio, e possvel afirmar que todos os calculos foram executados corretamente. O
projeto fsico do indutor, onde utilizou-se um software computacional para determinar seus
parametros numericos, possibilitou enrolar o indutor de maneira manual.
Alem disso, as perdas no MOSFET e no diodo foram calculadas com o objetivo de es-
colher um dissipador adequado ao projeto, de modo que nao houvesse um sobreaquecimento de
componentes. Houve tambem a realizacao do circuito de comando para controlar o MOSFET,
neste circuito utilizou-se um CI UC3525A e um driver de corrente.
Atraves dos ensaios termico e de rendimento foi verificado que o conversor atende aos
criterios de operacao dos componentes, em regime termico permanente, e que possui um rendi-
mento superior a 95,5%.
Assim, ao decorrer de todo o projeto, o conhecimento teorico adiquirido pode ser poste
em pratica atraves do circuito fsico. Todas as analises e calculos de projeto foram de ex-
trema importancia para que o conversor funcionasse corretamente e apresentasse resultados
satisfatorios observados durante os testes de funcionamento do circuito.
Referencias Bibliograficas
[1] Page sur les transformateurs convertisseurs. Disponivel em: http://www.schema-
electrique.be/francais/convertisseur.html.
[4] Barbi I.. Eletronica de Potencia. Edicao do Autor, Universidade Federal de Santa Catarina
(2006).
Apendice A APENDICE
Contents
1. ESPECIFICAES
2. ESCOLHA DO NCLEO
3. CLCULO DO NMERO DE ESPIRAS
4. CLCULO DO ENTREFERRO
5. CLCULO DA BITOLA DO CONDUTOR
6. CLCULO DAS PERDAS
7. POSSIBILIDADE DE EXECUO
clc;
clear all;
1. ESPECIFICAES
2. ESCOLHA DO NCLEO
4. CLCULO DO ENTREFERRO
% Perdas no Cobre
pfio=0.000708; %Resistividade do fio (ohms/cm)
lespira=8.7; %Comprimento mdio de uma espira (cm)
lfio=(NL*lespira)/100; %Comprimento total do chicote (m)
Rcobre=(pfio*lespira*NL)/ncond; %Resistncia do cobre (ohms)
Pcobre=Rcobre*(Ief^2); %Perdas no cobre (W)
%Perdas Magnticas
delta_B=((L*delta_IL)/(NL*Ae))*1e4; %Variao da densidade do fluxo (T)
Kh=4*1e-5; %Coeficiente de perdas por histerese
Kf=4*1e-10; %Coeficiente de perdas por correntes parasitas
Vnucleo=17.10; %Volume do ncleo (cm^3)
Pnucleo=(delta_B^2.4)*((Kh*fs)+(Kf*(fs^2)))*Vnucleo; %Perdas no ncleo (W)
% Resistncia trmica do ncleo
Rtnucleo=23*(Ae*Aw)^(-0.37); %Resistncia trmica do ncleo (grauas-C/W)
% Elevao de temperatura
delta_T=(Pcobre+Pnucleo)*Rtnucleo; %Elevao de temperatura em graus Celsius
7. POSSIBILIDADE DE EXECUO