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Antonio Abrisqueta Garca, 1999 Temario Especfico Tema 45

TEMAS DE FSICA Y QUMICA


(Oposiciones de Enseanza Secundaria)
-------------------------------------------------------------------------------
TEMA 45
TEORA DE BANDAS. CARCTER CONDUCTOR, SEMICONDUCTOR Y
AISLANTE DE LAS DISTINTAS SUSTANCIAS. SUPERCONDUCTIVIDAD. IM-
PORTANCIA DE LOS SEMICONDUCTORES Y SUPERCONDUCTORES EN LAS
NUEVAS TECNOLOGAS.

Esquema

1. Introduccin a la Conductividad elctrica.


1.1. Conductividad y Resistividad elctrica.
2. Teora de Bandas.
2.1. Niveles de energa. Bandas de conduccin y de valencia.
3. Conductores, Aislantes y Semiconductores.
3.1. Conductores metlicos. Electrones libres.
3.2. Aislantes.
3.3. Semiconductores.
3.3.1. Semiconductores intrnsecos.
3.3.2. Semiconductores extrnsecos.
4. Aplicaciones de los semiconductores.
4.1. Diodo de cristal.
4.2. Triodo de cristal o transistor.
5. Superconductividad.
5.1. Descubrimiento y desarrollo de la superconductividad.
5.2. Temperatura crtica.
5.3. Propiedades de los superconductores.
5.3.1. Resistencia nula.
5.3.2. Propiedades magnticas.
5.3.3. Coherencia de fase.
6. Aplicaciones de los superconductores.
6.1. Construccin de imanes superconductores.
6.2. Fabricacin de imanes fijos.
6.3. Fabricacin de alternadores.
6.4. Fabricacin de bobinas superconductoras.
6.5. Otras aplicaciones.

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TEMA 45
TEORA DE BANDAS. CARCTER CONDUCTOR, SEMICONDUCTOR Y
AISLANTE DE LAS DISTINTAS SUSTANCIAS. SUPERCONDUCTIVIDAD. IM-
PORTANCIA DE LOS SEMICONDUCTORES Y SUPERCONDUCTORES EN LAS
NUEVAS TECNOLOGAS.

1. INTRODUCCIN A LA CONDUCTIVIDAD ELCTRICA

Segn el comportamiento que presentan los materiales al ser introducidos en un


campo elctrico, se dividen en conductores y aislantes. La diferencia entre ambos se
encuentra en que los primeros contienen un gran nmero de portadores de carga libre
que tienen libertad de movimiento en el interior del conductor, mientras que los aisla n-
tes son sustancias en las que las partculas cargadas estn ligadas muy fuertemente a los
tomos y molculas que las constituyen.

Existen otros tipos de materiales que poseen propiedades intermedias entre los
conductores y los aislantes y son los semiconductores, en los que los portadores de car-
ga son medianamente libres de moverse en el seno de la estructura cristalina y necesitan
de un aporte ene rgtico superior al requerido en los conductores.

Los portadores de carga en los diversos conductores pueden ser iones, tanto posi-
tivos como negativos, as como electrones, segn la naturaleza de los conductores (me-
tlicos, electrolticos, gases a baja presin, etc.). En el caso de los conductores metlicos
(metales y aleaciones), los portadores de carga son exclusivamente electrones.

1.1. Conductividad y Resistividad elctrica.

Si mantenemos un campo elctrico en el interior de un conductor, sobre los porta-


dores de carga actuarn fuerzas (Fe=qE), que provocarn su movimiento en el interior
del conductor, denominndose corriente elctrica a la circulacin de la carga y conduc-
cin al proceso por el cual la carga se transporta.

La fuerza que acta sobre los electrones es proporcional al campo elctrico ac-
tuante y aunque el movimiento inicialmente es acelerado, ms adelante se hace unifor-
me, debido a los choques de partculas, de forma que la velocidad de los electrones re-
sulta proporcional al campo elctrico: vE. Por tanto, podemos decir que un cierto n-
mero de electrones atravesar cada segundo una seccin del conductor, transportando

una carga que es medida por la densidad de corriente, J . Esta densidad de corriente es
proporcional a la velocidad de los electrones, y sta a su vez al campo elctrico, luego la
densidad de corriente ser proporcional al campo elctrico:

J v y vE luego J E
proporcionalidad, esta ltima que se transforma en una igualdad introduciendo una
constante de proporcionalidad, que haga homognea a la expresin:

J = E (1)
siendo la constante de proporcionalidad , la llamada conductividad del conductor. Este
valor es caracterstico de cada sustancia, y nos da idea de la facilidad que presenta el
conductor a permitir en su seno el movimiento de las cargas. As, un buen conductor

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presenta una gran conductividad, mientras que un aislante presenta valores bajsimos de
conductividad.

A la magnitud inversa de la conductividad, se le llama resistividad, y se le designa


con , y representa una medida de la oposicin o dificultad que la sustancia presenta al
movimiento de las cargas en su seno:
1
E = J = J (2)


Como el Campo elctrico E viene dado por el gradiente de potencial, es decir:
dV
E=
dr
la diferencia de potencial entre dos punto 1 y 2 de un conductor metlico, de longitud L,
vendr dado por:

V1 V2 = E dr = E.dr = E dr = E.L
2 2 2
(3)
1 1 1

y sustituyendo la expresin (2) resultar:


V1 V2 = .J .L
FIG. 1
y multiplicando y dividie ndo el segundo miembro por la
Seccin del conductor A, resultar:
A 1 V V2 V1 V2
V1 V2 = .J L = .I L I= 1 = (4)
A A L R
.
A
denominndose resistencia elctrica, R, a la expresin R=L/A.

La resistencia elctrica es la medida de la oposicin de los hilos conductores al


movimiento de los electrones en su seno. Si hacemos L=1 m y A=1 m2 , obtenemos que
la resistencia se convierte en la resistividad o resistencia especfica: R= que se puede
definir como la resistencia de un conductor por unidad de superficie y por unidad de
seccin transversal.

Tal y como hemos definido la conductividad y la resistividad, cualitativamente


podemos deducir que la temperatura aumenta la agitacin trmica de tomos o molcu-
las, luego aumentar los choques entre las cargas, que disminuirn su velocidad. Por
tanto la temperatura aumenta la "dificultad" de movimiento de las cargas y por cons i-
guiente aumenta tanto resistencia como resistividad. Como la conductividad es la inver-
sa de la resistividad, la temperatura disminuir la conductividad de las sustancias con-
ductoras.

2. TEORA DE BANDAS

Los estudios iniciales sobre la corriente elctrica fueron realizados experimental-


mente, principalmente por Ohm (1826) y por Joule (1841). En ellos se relacionaron las
magnitudes macroscpicas de diferencia de potencial e intensidad de corriente en un
conductor con la energa disipada por el paso de dicha corriente. Con el descubrimiento
del electrn (1897) se interpret la conduccin elctrica a partir del comportamiento de
ste dentro del material sometido a un campo elctrico, utilizando modelos tericos ba-
sados en la estructura atmica de la materia.

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Actualmente, la conduccin elctrica se fundamenta en modelos basados en la


Mecnica Cuntica, y en particular en el hecho de que los electrones del tomo poseen
unos valores discretos de energa ocupando unos niveles determinados separados por
zonas de energa prohibida. La estructura de los niveles ocupados por electrones es tanto
ms compleja cuanto mayor es el nmero de stos en el tomo, pero es idntica en to-
mos aislados de un mismo elemento en su estado fundamental.

Un cuerpo metlico tiene una estructura cristalina formada por una red de cationes
baada por una nube de electrones libres. Esta nube de electrones procede de las aporta-
ciones de uno o varios electrones (llamados electrones de valencia) por cada tomo, por
lo que es del orden de 1023 electrones/mol. Esta nube de electrones libres es responsable
de la conduccin elctrica y trmica, y su movimiento aleatorio depende de la tempera-
tura.

En los cuerpos no metlicos, no existen electrones libres, por lo que los campos
elctricos y magnticos slo producen movimientos imperceptibles en los electrones y
por tanto la conductividad elctrica es prcticamente nula. Los semiconductores pre-
sentan conductividad elevada a alta temperatura y son aislantes a bajas temperaturas.

La Teora de Bandas, basada en la Fsica Cuntica, permite explicar el comporta-


miento de estos materiales y los fenmenos a que dan lugar.

2.1. Niveles de Energa. Bandas de Conduccin y de Valencia.

Para estudiar la disposicin de electrones en los slidos, seguiremos un procedi-


miento similar al seguido en los orbitales moleculares.

Si tenemos un slo electrn y un ion, la representacin grfica de la energa po-


tencial elctrica viene dada por (a) en la fig.2. Para dos iones la representacin de la
energa potencial ser la (b) y para varios iones en fila como en una red cristalina uni-
dimensional, la represent acin es la (c).

FIG. 2

Si consideramos una red cristalina lineal compuesta por N iones a una distancia a,
un electrn con energa E~, se podr mover por unas zonas restringidas. Por eso los
electrones ms internos (de mayor energa) estn localizados. Un electrn de energa E2
tiene mayor libertad aunque sigue ligado a iones determinados. Finalmente, un electrn
de energa E3 no est ligado a ningn tomo particular y se puede mover por toda la red.
Estos electrones son los responsables de las propiedades del metal.

Si tenemos dos tomos iguales, infinitamente alejados, y consideramos el mismo


nivel energtico en cada tomo, el sistema formado por ambos tiene en cada nivel, elec-
trones con la misma energa (niveles degenerados). Si se aproxima los tomos, su inte-
raccin mutua hace que un nivel degenerado se separe en otros dos de distinta energa
de forma que la separacin aumenta a medida que disminuye la distancia interatmica.

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Si consideramos ahora N tomos de un mismo elemento, inicialmente muy sepa-


rados unos de otros, y que con ellos vamos a formar una red cristalina, consistente en
una disposicin geomtrica tridimensional con repeticin peridica de una unidad bsi-
ca o celdilla, el nmero de tomos que debemos juntar es del orden del nmero de Avo-
gadro. Si suponemos inicialmente los N tomos dispuestos como en la estructura del
cristal pero muy separados y sin interaccionar, los niveles de energa permitidos son
niveles atmicos, y considerados todos los tomos como un conjunto nico, en cada
nivel habr N electrones de la misma energa. Conforme disminuye la distancia entre los
tomos la interaccin entre ellos hace que cada nivel se separe en N niveles distribuidos
en un intervalo muy estrecho de energa, y por ser N muy grande, podemos considerar
que los N niveles forman una distribucin casi continua que llamaremos banda de ener-
ga. En la red cristalina de N iones, cada nivel de energa se desdobla en N niveles cer-
canos y sus espaciamientos y posiciones dependen de la separacin interinica, tal como
muestra la fig.3.

Para una distancia a, los niveles de energa caen


entre P y Q. Cuando N es muy grande, los diferentes
niveles de energa estn espaciados tan finamente que
se puede decir que forman una banda energa. Cada
nivel puede acomodar dos electrones de spines contra-
rios, segn el principio de exclusin de Pauli. Por tan-
to, una banda puede acomodar como mximo 2N elec-
trones por ion. Estas bandas se designan por s, p, d,...

En una red cristalina hay muchas bandas de ener-


ga, correspondientes cada una a uno de los niveles de FIG. 3
energa de los tomos, como se puede ver en la fig.4.

Podemos comprobar como a ms


energa, mayor es la distancia interatmi-
ca a la que empiezan a formarse las ban-
das, ya que cuanto mayor es la energa,
mayor es la regin en que se mueven los
electrones y ms fcilmente son afecta-
dos los electrones por los iones vecinos.
Por otra parte, conforme diminuye la
distancia interatmica, las bandas se su-
perponen (a'). Las bandas correspondien-
tes a las capas completas internas tienen
FIG. 4
electrones bastante localizados, pero las
correspondiente a la capa externa de electrones de valencia es sin duda la ms intere-
sante.

Para los niveles ms internos de cada tomo (fig.4), la perturbacin producida por
los dems tomos es muy pequea, comparada con la interaccin con el ncleo, y la
separacin de estos niveles ser muy pequea. Para los electrones exteriores, llamados
de "valencia", por ser los responsables de los enlaces entre los tomos y los enlaces que
intervienen en las reacciones qumicas, la separacin de niveles ser ms grande y de
hecho, las bandas pueden solaparse. La anchura de las bandas es tanto mayor cuanto
mayor es la energa de los niveles de que provienen.

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3. CONDUCTORES, AISLANTES Y SEMICONDUCTORES

Tal y como hemos visto al principio del tema, las sustancias presentaban distinto
comportamiento al introducirlas en un campo elctrico. Una de las razones del triunfo
de la teora de bandas es que permiti explicar de forma simple estas diferencias en el
comportamiento de los slidos. El comportamiento de las bandas de energa permitida
como responsables de la conduccin elctrica depende de que estn total o parcialmente
ocupadas por electrones.

Un nivel atmico est ocupado por los dos electrones que permite el principio de
exclusin de Pauli. En el cristal completo de N tomos, hay por tanto 2N electrones que,
en el cristal ya formado, llenan completamente la banda correspondiente. Para contri-
buir a la conduccin, un electrn debe desligarse de su tomo y acelerarse al recibir
energa de un campo elctrico, o bien, en trmicos mecano-cunticos, debe ser excitado
a un nivel de energa superior. Si nos limitamos a su propia banda y todos los niveles
estn ocupados en ella, la excitacin del electrn no puede ocurrir y por tanto una banda
completamente llena no contribuye a la conduccin. Los electrones slo pueden despla-
zarse si hay niveles prximos vacos y segn esto la banda de conduccin es la banda
de energa ms baja que no est completamente llena y a la banda inferior que se en-
cuentra llena se llama banda de valencia.

Esto se refiere a un cristal a 0 K de temperatura, ya que a una temperatura superior


pueden promocionar electrones de una banda a otra superior. Es evidente que por enc i-
ma de la banda de conduccin podemos considerar otras bandas correspondientes a es-
tados excitados de los tomos, y que a 0 K estarn vacas.

3.1. Conductores metlicos. Electrones libres.

En el cristal perfecto de un metal, los electrones de conduccin estn sometidos


por parte de los tomos de la red a fuerzas que se compensan, pudindose considerar
como libres de los campos internos. Cada tomo contribuye con uno o ms electrones
de conduccin que constituye lo que se denomina nube de electrones libres. Un electrn
de conduccin se mueve al azar en el interior del metal sin experimentar ninguna fuerza,
a no ser que se le aplique una diferencia de potencial externa entre dos puntos del metal.

Supongamos una sustancia como el Sodio


(Z=11), cuyos niveles de energa son los repre-
sentados en la fig.5. Las bandas correspondientes a
los niveles 1s, 2s y 2p estn completamente llenas,
pero la 3s est parcialmente llena, pudiendo aco-
modar an dos electrones.

Al elevar la temperatura, los electrones se


ven acelerados y excitados, pudiendo pasar a ocu-
par niveles permitidos vacos de mayor energa. Se
trata por tanto de un buen conductor de la elec- FIG. 5
tricidad, y por tanto un buen conductor del calor.

Por tanto, los buenos conductores son aquellos slidos en los cuales la ltima
banda ocupada slo lo est parcialmente. Pero tal y como hemos visto, es posible que

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las bandas ms altas se superpongan, con lo cual la situacin se complica. As, si cons i-
deramos el caso del Magnesio (Z=12), ste tendra todas las capas llenas, con lo cual no
debera ser conductor y sin embargo s lo es.

Si miramos las bandas de energa del Mag-


nesio (fig.6), vemos que las bandas 3s y 3p estn
superpuestas, por lo que los electrones 3s pueden
ocupar niveles 3p. Los niveles de energa sern,
por tanto:
3s 2 N
total 8N
3 p 6N
Estos 8N niveles estn ocupados por 2N
electrones. Por tanto el Magnesio es un buen con-
ductor tal y como demuestran los hechos experi- FIG. 6
mentales.

Los elementos que poseen una banda llena y una vaca superpuesta se denominan
semimetales.

3.2. Aislantes

Supongamos una sustancia en la que la banda de valencia est llena y no se super-


pone con la siguiente que est completamente vaca (fig.7). La energa que separa am-
bas bandas es superior a las energas trmicas que hacen saltar los electrones o a las
energas que pueden adquirir los electrones por las aceleraciones de campos elctricos
normales.

En este caso, las bandas de conduccin re-


sultan inaccesibles a los electrones de valencia, y
resulta imposible la conduccin de cargas en su
seno por lo que estas sustancias se llaman aislan-
tes. Es el caso, por ejemplo, del diamante, el cuar-
zo o la mica.

En el aislante ideal, la intensidad de la co-


rriente es nula para cualquier tensin aplicada. Sin
embargo, si algunos electrones reciben energa su- FIG. 7
ficiente para pasar a la banda de conduccin, deja
de comportarse como aislante ideal, aunque las intensidades de corriente que se pueden
producir suelen ser extremadamente pequeas.

3.3. Semiconductores.

Si la distancia entre tomos de la red cristalina es pequea, (distancia a, fig.4), la


disposicin relativa de las bandas de conduccin y valencia es la representada en la
fig.8, en la que la banda prohibida tiene una anchura pequea. Se trata en este caso de
semiconductores como el Silicio y el Germanio.

En el cero absoluto todos los electrones ocupan niveles energticos por debajo de
un nivel denominado nivel de Fermi, que en los semiconductores puros, sin impurezas y

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sin imperfecciones cristalinas en la red, se encuentra en el centro de la banda prohibida.


A 0 K, la banda de valencia est completa y la de conduccin vaca, con lo que a esa
temperatura se comporta como un aislante perfecto. Pero, como la anchura energtica de
la banda prohibida es tan pequea basta una pequea energa, consecuencia de un au-
mento de la temperatura, para que, cada vez ms electrones adquieren la energa sufi-
ciente para superarla. Gracias a las vibraciones trmicas de la red, el material aumenta
su conductividad, al revs de lo que ocurre en los metales. Los electrones que alcanzan
la banda de conduccin dejan huecos (+) en la banda de valencia que tambin contribu-
yen al proceso de conduccin.

3.3.1. Semiconductores intrnsecos.

Con el aporte de energa que se produce al


elevar la temperatura del semiconductor se pueden
producir dos resultados simultneos:

- Los electrones pueden pasar a la banda superior


de conduccin.
- Los huecos que quedan en la banda de valencia
se comportan como cargas positivas suscepti- FIG. 8
bles de aceptar ms electrones.

Los elementos semiconductores que se estudiaron primero y los ms representati-


vos son el silicio y el germanio. Existen otros elementos semiconductores como el esta-
o y compuestos semiconductores como el arseniuro de galio o el sulfuro de plomo (II)
entre otros muchos que se comportan como tales. Tanto el Ge como el Si poseen cuatro
electrones de valencia que forman parte de los enlaces covalentes de sus tomos. En la
estructura del silicio, cada tomo se encuentra rodeado de cuatro vecinos prximos con
los que comparte sus cuatro electrones de valencia.

A la temperatura del cero absoluto (0 K) electrones hacen exclusivamente su pa-


pel de enlace y tienen energas correspondientes a la banda de valencia. Si se aumenta la
temperatura aumenta la energa cintica de vibracin de los tomos de la red, y algunos
electrones de valencia pueden absorber la energa suficiente para liberarse del enlace y
moverse a travs del cristal como electrones libres. Su energa pertenece, en este caso a
la banda de conduccin. El semiconductor se ha convertido en conductor.

El electrn de valencia al convertirse en electrn de conduccin deja un hueco en


la banda de valencia, que puede ser ocupado por otro electrn el cual dejar a su vez
otro hueco y por consiguiente el hueco circula como si se tratara de una carga positiva.
Este tipo de conductividad se llama conductividad intrnseca y las sustancias que las
poseen semiconductores intrnsecos.

3.3.2. Semiconductores extrnsecos.

Pero existe otro tipo de semiconductores, los semiconductores extrnsecos, que


son aqullos en que se ha mejorado la conductividad por la adicin de ciertas impure-
zas, en un proceso que se denomina dopado. Los tomos que se aaden tienen un tama-
o parecido a los tomos sustituidos de la red para que puedan ocupar sin grandes ten-
siones los espacios de la estructura cristalina.

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Las impurezas proporcionan un nivel extra


en la zona prohibida, entre la banda de valencia y
la banda de conduccin. Si los tomos sustitu-
yentes poseen ms electrones que los tomos del
semiconductor, los electrones en exceso son debi-
dos a los tomos de la impureza y pueden ser ex-
citados a la banda de conduccin contribuyendo a
FIG. 9
la conductividad elctrica del semiconductor.

Los tomos de la impureza se llaman dadores y el semiconductor se llama semi-


conductor negativo o tipo n.

Pero la impureza puede consistir en tomos


que tengan menos electrones que los tomos del
semiconductor, como es el Galio comparado con el
Silicio. La impureza en este caso introduce niveles
de energa vacos, muy cerca de la banda de valen-
cia, por lo que es fcil excitar algunos electrones
de esta banda que pasarn a los niveles de impure-
za. As, se producen huecos en la banda de vale n- FIG. 10
cia que como vimos actan como partculas positi-
vas atrayendo nuevos electrones. Los tomos de la impureza se denominan aceptores y
el semiconductor se llama semiconductor positivo o tipo p.

Entenderemos mejor la obtencin de estos semiconductores con algunos ejem-


plos:
A) Aadimos a una muestra de Germanio,
impurezas de Arsnico (aproximadamente 1 ppm).
Ambos tomos tienen un volumen semejante, pero
el Arsnico tiene 5 electrones. Cuatro de ellos
forman enlaces covalentes con los tomos que le
rodean, pero el electrn en exceso puede pasar
fcilmente a la banda de conduccin.

Este electrn no es totalmente libre, por lo FIG. 11


que necesita una cierta energa para pasar a la ban-
da de conduccin y esto hace que la conductividad del Germanio aumente actuando el
Arsnico como dador de electrones. Se trata por tanto de un semiconductor de tipo n.
Sucede lo mismo al dopar Silicio con Arsnico.

B) Si ahora impurificamos el germanio con


Galio, como este tomo tiene tres electrones en su
nivel de valencia y un tamao similar a germanio,
puede sustituir a ste en la red cristalina sin gran-
des tensiones en el cristal. Los tres electrones for-
man tres enlaces covalentes, por lo que le falta un
electrn, es decir, se crea un hueco, similar a las
cargas positivas que puede atraer otros electrones.
FIG. 12
El Galio es un aceptor de electrones y el semicon-
ductor ser de tipo p. Otro ejemplo de este tipo es el Silicio dopado con Boro.

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4. APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES

Las aplicaciones fundamentales de los semiconductores consisten en una serie de


dispositivos que se construyen con estos materiales destinados al montaje de circuitos
electrnicos y microelectrnicos.

4.1. Diodo de cristal

Para comprender fcilmente el funcionamiento del diodo de cristal o diodo de se-


miconductor, conviene describir inicialmente el funcionamiento del diodo de vaco o
lmpara de dos electrodos, que est basado el efecto Edison-Richardson o termoinico,
segn el cual: "todo metal cuando est caliente tiene la propiedad de emitir electrones
desde su superficie".

El diodo de vaco consiste en una ampolla de vidrio


a la que se ha hecho el vaco dentro de la cual se aloja,
como se describe en la fig.13, un filamento F que, me-
diante una pila de calefaccin P, se pondr incandescente.
Frente a l se sita una placa metlica M, conectada al
polo positivo de una batera que alimenta el circuito exte-
rior. Si se conecta en este circuito un galvanmetro G de
forma que el filamento funcione como polo negativo, los
electrones liberados por el filamento son atrados por la
placa producindose una corriente elctrica a travs del FIG. 13
espacio vaco comprendido entre el filamento y la placa.

A medida que va aumentando la diferencia de po-


tencial de la batera B, manteniendo constante la tempe-
ratura del filamento, aumentar la intensidad de la co-
rriente, pero a partir de una diferencia de potencial de-
terminada, la intensidad no sigue aumentando y se ma n-
tiene constante, como se puede apreciar en el grfico de
la fig.14. El valor de esta intensidad se denomina intensi-
FIG. 14
dad de saturacin.

Si representamos en un sistema coordenado las diferencias de potencial frente a la


intensidad de corriente obtenemos las llamadas curvas caractersticas del diodo.

El diodo sirve para la rectificacin de la corriente elctrica alterna, es decir, si lo


intercalamos en un circuito de corriente alterna, no deja pasar por l un sentido de co-
rriente. As, cuando la placa funciona como polo positivo, los electrones son atrados
por ella. Pero si funcionase como polo negativo, los electrones no pasaran, sino que
seran repelidos. Por lo tanto, al no pasar electrones no hay corriente elctrica.

Podemos ver este efecto en la fig.18. Obser-


vando que la corriente alterna se rectifica pasando
por el circuito una corriente continua pulsante.
Tambin es posible instalar un rectificador de onda
completa, que constar de dos diodos que produc i-
rn un efecto similar en los dos semiperodos. FIG. 15

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Los diodos de vaco tienen una gran capacidad elctrica por lo que presentan pro-
blemas para rectificar corrientes de altas frecuencias. Adems estos dispositivos de va-
co son voluminosos y consumen mucha energa, a veces con necesidad de refrigera-
cin. Por ello se usan en estos casos diodos slidos de semiconductores.

Los diodos slidos, de cristal, o de semiconductores, se fabricaron en principio, de


una punta metlica en contacto con un cristal de galena, pirita u otro mineral. Actua l-
mente estas sustancias se han sustituido por semiconductores como germanio o silicio.
Se construyen uniendo dos placas de semiconductor con distinto dopado.

En el diodo de germanio, el elemento activo es el metal, al


que se le aaden impurezas de estao, por lo que se convierte en
un semiconductor de tipo n, es decir, el estao es el donador de
electrones. Con el semiconductor se hacen pequeas placas que
se ponen en contacto con la punta metlica que suele ser un fino
alambre de wolframio, tal como se ve en la fig.16a.
FIG. 16

Cuando calentamos los metales, se produce la liberacin de electrones (efecto


termoinico), de forma que para cada metal esta energa ser distinta, y por tanto tam-
bin el trabajo de extraccin. En el caso del wolframio y el germanio, el trabajo de ex-
traccin es menor para el germanio, por lo que los electrones son arrancados de ste y
pasan al wolframio. La superficie del germanio queda con carga positiva formando stas
una capa de barrera, de espesor molecular. Fig.19b.

Si comunicamos al wolframio un potencial positivo, se elimina la capa de barrera


en el germanio y pasar corriente. Pero si el potencial del wolframio es negativo, la capa
de barrera aumenta y ofrece una gran resistencia al paso de corriente. Tambin existen
dispositivos (rectificadores) de rea grande en los que el contacto es una superficie, lla-
mada juntura, de forma que aquella sustancia a la que le corresponda menor trabajo de
extraccin ceder electrones a la otra a travs de la juntura.

4.2. Triodo de cristal o Transistor.

Como en el caso del diodo, para una mejor comprensin del funcionamiento del
transistor o triodo de cristal, analizaremos previamente el diseo y funcionamiento del
triodo de vaco.

Si al diodo o lmpara de dos electrodos le aadi-


mos un tercer electrodo consistente en una rejilla metli-
ca colocada entre el filamento y la placa, se obtiene un
triodo de vaco. Al comunicar a la rejilla un potencial
negativo se crea un campo de sentido contraro al creado
por la placa y mayor que ste, por lo que impide el paso
de la corriente.

Si aumentamos el potencial de la rejilla, haci n- FIG. 17


dolo cada vez menos negativo, llegaremos a un valor del
potencial que ser igual al de la placa (potencial de corte) de forma que al aumentar un
poco ms el potencial de la rejilla, ser posible el paso de corriente.

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Al ir aumentando el potencial negativo de la rejilla, llegaremos a un valor cero de


este potencial, momento en que se consigue una intensidad caracterstica. Al continuar
aumentando el potencial, la intensidad, por similitud con el diodo, debera llegar a una
intensidad de saturacin, pero aqu no sucede, ya que en la rejilla se crea una intensidad
que se resta de la de la placa. Regulando el potencial podemos conseguir grandes varia-
ciones en la intensidad de la corriente. Otra posibilidad es mantener constante el poten-
cial de la rejilla e ir aumentando el de la placa; obtendremos as intensidades ascenden-
tes.

La finalidad de instalar estos dispositivos en un circuito es la amplificacin, es de-


cir, el aumento de potencia de una corriente de baja potencia. As, si IRVR es la potencia
de entrada, IPVP ser la potencia de salida del triodo, que ser mayor que la de entrada.

Los triodos de cristal, de estado slido o transistores, son otras de las aplicaciones
de los semiconductores. Estos dispositivos electrnicos realizan el mismo papel que los
triodos de vaco y presentan las ventajas de ser mucho ms pequeos, consumir una
cantidad de energa muy inferior y ser ms selectivos y variados en sus aplicaciones.

Bsicamente el transistor consiste en una lmina


de material semiconductor tipo n formando un empa-
redado entre otras dos lminas de semiconductor tipo p
y conectado todo a un circuito. ste le comunica un
potencial positivo a la placa p de la izquierda (emisor)
y negativo a la de la derecha (colector). La lmina
central se llama electrodo de base. Este dispositivo es
un triodo slido o transistor. FIG. 18

Si les aplicamos un potencial positivo al emisor, al ser un semiconductor de tipo


p, lo que se producen son huecos que actan como cargas positivas, que pueden pasar al
electrodo base, producindose una corriente a travs de la juntura izquierda, que se ve
incrementada por el paso de electrones de la base al emisor. Parte de los huecos positi-
vos son neutralizados en la base, pero otros pasan al colector producindose en ste un
movimiento de electrones para neutralizarlos, a pesar de estar instalado en el sentido
inverso (grandes resistencias). La intensidad de corriente en el colector es funcin de la
del emisor, es decir, ste controla la corriente en el colector.

La funcin de este triodo slido es la misma que la del diodo de vaco, es decir, la
amplificacin de la corriente, la produccin de oscilaciones de alta frecuencia y la recti-
ficacin de corriente. A pesar del gran paralelismo observado entre el funcionamiento
del transistor y el triodo de vaco existen importantes diferencias entre ambos, como el
hecho de que en la rejilla del diodo de vaco no hay corriente (resistencia 106 ),
mientras en la base s hay una pequea corriente (resistencia 2.103 ). Por otro lado, la
ganancia de corriente en la amplificacin del triodo de vaco, que se mide por el factor
de amplificacin, , es una relacin entre intensidades, mientras que en el transistor,
este factor de amplificacin es una relacin de tensiones.

La principal aplicacin de los transistores es su funcionamiento como dispositivo


impulsional, que puede presentar dos estados, bloqueado (no corriente) y conductor (si
corriente), asociados con los dgitos 0 y 1 constituye un lenguaje binario, transmisible
por impulsos elctricos. Es la base de toda la Informtica.

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5. SUPERCONDUCTIVIDAD

5.1. Descubrimiento y desarrollo de la superconductividad.

De entre todos los gases comunes, el Helio es el que posee punto de licuefaccin
ms bajo (4'2 K). En 1908, el fsico holands Heike Kamerlingh Onnes consigui li-
cuarlo, lo cual abri una nueva era en la investigacin de la fsica de bajas temperaturas.
Gracias a su uso como refrigerante, se pudieron estudiar las propiedades de las sustan-
cias a tan bajas temperaturas.
En 1911, Onnes observ que cuando trataba de medir la resistencia de una mues-
tra de mercurio a baja temperatura (alrededor de los 4 K), sta era nula. Era de esperar
la disminucin de la resistencia con el descenso de la temperatura, pero no su desapari-
cin total. Sera este hecho el que marcara el descubrimiento de la superconductividad
y el nacimiento de su desarrollo.

Posteriormente se descubrira la superconductividad del cobre, plomo y estao,


aunque se encontrara ms tarde que la superconductividad desapareca cuando las co-
rrientes eran muy grandes. As, en la dcada de 1930 comenz el estudio de aleaciones
superconductoras que presentaban mayores ventajas que los superconductores de metal
puro.

Hasta hoy se ha descubierto el fenmeno de superconductividad en la mitad apro-


ximada de los elementos metlicos, en gran nmero de compuestos metlicos y en algu-
nos semiconductores.

5.2. Temperatura crtica.

La temperatura a la cual desaparece la resistencia elctrica del conductor, se de-


nomina temperatura crtica, Tc, y vara considerablemente de unas sustancia a otras,
como puede observarse en la siguiente tabla de valores:

Temperaturas crticas
Metal TC (K) Comp./Aleacin TC (K)
Berilio 003 TiCo 344
Titanio 04 InLa3 104
Zirconio 075 AuNb3 115
Molibdeno 093 MoN 120
Indio 34 NbN 160
Estao 37 AlNb3 175
Tantalio 45 SnNb3 1805
Plomo 72 Al08Nb2 209
Tecnecio 77 GeNb3 234
Niobio 93

Desde el descubrimiento de la superconductividad, las investigaciones se han


orientado a buscar materiales con temperaturas crticas ms elevadas. Esta bsqueda ha
sido lenta, sin duda provocado por el desconocimiento del mecanismo de este fenme-
no. As, hasta 1956, no existi una explicacin microscpica de la conductividad.

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Entre los avances ms recientes en superconductividad podemos mencionar un


compuesto llamado YBCO, xido de ytrio, bario y cobalto, que en 1987 se consigui
con una temperatura crtica de 93 K. Posteriormente Andreas Schilling logr un xido
de cobre, calcio, bario y mercurio, con una temperatura crtica de 134 K y comprimien-
do este compuesto se consigui una temperatura critica de 164 K (-109C).

5.3. Propiedades de los superconductores.

5.3.1. Resistencia nula.

Cuando la temperatura desciende por debajo de la temperatura crtica, la resisten-


cia del conductor es nula. Esto significa que si por un anillo superconductor se hace
circular una corriente, desconectndose el anillo de la fuente, la corriente se conserva en
el anillo. As, en un anillo superconductor esta corriente dur dos aos.

El paso de conductor a superconductor se debe a una transicin de fase. Esta tran-


sicin es diferente de las transiciones de fase estructurales, como la condensacin de
vapor en lquido. La estructura cristalina es la misma. Lo que resulta diferente es la es-
tructura electrnica. En el estado natural de un metal, la estructura electrnica se puede
describir mediante un esquema de bandas. En l, los electrones ocupan una banda (o
varias bandas solapadas) no llenas, de forma que un pequeo campo elctrico aplicado
produce una corriente de electrones. El slido puede tener imperfecciones, que pueden
dispersar los electrones. Esta dispersin es disipativa, y es responsable de la resistencia
del conductor.

En 1957, Bardeen, Cooper y Schrieffer desarrollaron la teora microscpica de la


superconductividad, que se conoce como teora BCS (iniciales de sus descubridores).
Esta teora supone un estado colectivo de todo el conjunto de electrones.

Un concepto clave para entender esta teora es el Par de Cooper, una atraccin
dbil entre un par de electrones que puede conducir a un estado ligado de ambos. As, la
energa de este par es algo menor que si no existiese interaccin. En el par de Cooper,
los spines de ambos electrones se suman, dando lugar a un momento angular de spin
total, igual a cero. Ocurre lo mismo con el momento lineal total. Por tanto, el par de
Cooper se puede describir como una partcula compuesta con spin cero y momento li-
neal nulo.

En la mayora de superconductores la interaccin de los electrones que conduce al


par de Cooper est relacionada con el movimiento de la red inica. Esta interaccin se
puede explicar del modo siguiente:

- Un electrn cargado negativamente desplaza hacia s las zonas positivas, dis-


torsionando la red.
- El aumento en la concentracin de carga positiva atrae otro electrn.

Por lo tanto, en los superconductores, quienes transportan la corriente elctrica no


son electrones individuales, sino pares de electrones enlazados, formando pares de Coo-
per. En estos superconductores, el proceso de dispersin no puede transferir energa
suficiente para romper el par, por lo que no existe dispersin y no hay resistencia.

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5.3.2. Propiedades magnticas.

Al estudiar el comportamiento de los superconductores inmerso en un campo


magntico, Meissner y Oksenfeld establecieron que, enfriando un superconductor en un
campo magntico por debajo de la Tc, en el punto de transicin a la superconductividad,
el campo magntico es expulsado de la muestra, ya que como todos los electrones se
mueven a la vez, un campo elctrico infinitesimal genera corriente suficiente para ex-
pulsar cualquier campo magntico aplicado. Este efecto se denomin efecto Meissner-
Oksenfeld.

Por sus propiedades magnticas, los superconductores pueden clasificarse en:

- Superconductores de tipo I: En estos superconductores, se observa el efecto


Meissner, por lo que la induccin magntica B, es cero, como se muestra en la
fig.19. El efecto Meissner se observa si el campo magntico aplicado no es exce-
sivamente grande, ya que para campos muy grandes, los superconductores pueden
volver a su estado de conductividad normal.
- Superconductores de tipo II: Estos superconductores rechazan los campos ma g-
nticos dbiles, mientras que los moderados penetran en algunas regiones de la
muestra. Por tanto coexisten regiones superconductoras con otras que no lo son.
En campos an mayores, las regiones superconductoras desaparecen y la muestra
vuelve a su estado de conductor normal.

FIG. 19

5.3.3. Coherencia de fase.

Otra de las propiedades de los superconductores es la denominada coherencia de


fase, es decir, la coherencia a largo alcance de todos los electrones del superconductor.
Esta es similar a la fase de una onda. Hosephson, en 1962 predijo los efectos de la su-
perconductividad dbil, estableciendo los llamados efectos de Josephson: efecto esta-
cionario y no estacionario.

Supongamos dos superconductores unidos por una


delgada capa de material aislante (fig.20). El efecto esta-
cionario consiste en que la supercorriente puede atravesar
la capa aislante si sta es lo suficientemente delgada (1-2
mm) en ausencia de campo elctrico. Si se aumenta el
campo aparece una tensin elctrica en el contacto y se
produce una corriente alterna de alta frecuencia, lo cual FIG. 20
constituye el efecto no estacionario.

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Por tanto, los electrones de los superconductores por medio del enlace dbil (capa
aislante) se unen en un colectivo cuntico nico. Esta coherencia de fase produce la
cuantizacin del flujo magntico.

6. APLICACIONES DE LOS SUPERCONDUCTORES

Los objetivos tecnolgicos que se plantean con estos nuevos materiales supercon-
ductores son construir imanes, motores y otros dispositivos tiles. Por el momento su
utilidad est limitada por los problemas que plantean, aunque las investigaciones conti-
nan para tratar de descubrir nuevos superconductores. Algunas de las aplicaciones de
esos materiales son:

6.1. Construccin de imanes superconductores.

An disponiendo de los materiales adecuados, la construccin de estos imanes su-


perconductores no es fcil. En una bobina de superconductor puro, si en una regin se
supera la densidad de corriente crtica, sta se comportara como una conexin de alta
resistencia y se vera sometida a un fuerte calentamiento. El calor desarrollado extingui-
ra las zonas prximas del superconductor que pasaran a ser normales. Una de las for-
mas de solucionar este problema es sustituir el conductor nico por un conjunto de pe-
queos cabos superconductores embebidos de un buen conductor normal, con el cobre.

Pero el diseo de imanes mayores destinados a la investigacin como los que se


usan en los aceleradores de partculas y en los reactores de fusin nuclear es ms com-
plicado, ya que estos imanes han de variar su campo rpidamente. En ellos las princi-
pales prdidas son dinmicas. Para solucionarlo, el material usado tiene una estructura
compleja. Se trata de una haz de filamentos superconductores torsionados y transpue s-
tos, embebidos cada uno en cobre y aislado de los elementos restantes por una pared
delgada de cobre-nquel.

6.2. Fabricacin de imanes fijos.

Estn destinados a generar un campo constante o que cambie muy lentamente. Es


posible que con el paso del tiempo se empleen en la industria, pero actualmente slo se
usan en investigacin.

6.3. Fabricacin de Alternadores.

Los alternadores de turbina son los generadores que se utilizan en la industria para
la produccin de energa elctrica (corriente alterna). El uso de superconductores pre-
sentaba en un principio complicaciones, pero la industria elctrica est proyectando un
alternador superconductor que una vez utilizado en una central elctrica constituir la
principal aplicacin industrial.

El uso de superconductores reducir las pedidas en ms del 50% con el consi-


guiente ahorro econmico. Por otra parte, si bien es necesario un refrigerador, la energa
que ste necesita es mucho menor de esta cantidad.

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6.4. Fabricacin de bobinas superconductoras.

Estas bobinas permitirn almacenar temporalmente la energa elctrica. As, en los


periodos en que se disponga de energa sobrante, la bobina extraer potencia del circuito
para crear un campo. Si se corta la corriente, la energa continuara circulando por la
bobina.
6.5. Otras aplicaciones.

Creacin de lneas de transmisin de corriente por superconduccin. Esta aplica-


cin se encuentra an en estudio, ya que su rentabilidad aplicada se produce slo a ni-
veles de potencia muy elevados. Ser una aplicacin rentable cuando las centrales, nu-
cleares por ejemplo, se construyan alejadas de los centros urbanos. En ellas no se regis-
trara prdidas, slo la energa necesaria para refrigerar la lnea.

Uso de circuitos electrnicos. Sin duda uno de los lmites actuales de la velocidad
de los ordenadores es la distancia de sus componentes. Actualmente es difcil acortar
estas distancias ya que hay que permitir la disipacin del calor generado en los materia-
les normales que constituyen el ordenador. Estos problemas se podran evitar usando
lminas delgadas de superconductores.

Todas estas aplicaciones y otras muchas estn siendo estudiadas e investigadas,


sin embargo, antes de que estas aplicaciones se hagan realidad, se requiere un mayor
desarrollo de los materiales que intervienen en su fabricacin.

BIBLIOGRAFIA RECOMENDADA

Santiago BURBANO DE ERCILLA, Enrique BURBANO GARCA y Carlos


GRACIA MUOZ. Fsica General. XXXI Edicin. Mira Editores. ZARAGOZA.

Raymond A.SERWAY. Fsica. Nueva Edit. Interamericana, S.A. 1985. MEJICO.

Robert W:CHRISTY y Agnar PYTTE. Estructura de la materia: una introduccin


a la Fsica Moderna. Editirial Revert. 1971. BARCELONA.

T.H.GEBALLE y J.K.HULM. Superconductores en circuitos de potencia. IN-


VESTIGACIN Y CIENCIA. Nm.52. Enero-1981.

PAUL C.W.CHU. Superconductores de alta temperatura. INVESTIGACION Y


CIENCIA. Nm.230. Noviembre.1995.

R.P.FEYMAN. Fsica. Vol.III. Editorial Interamericana.

PAULOV y JOLKOV. Fsica del Estado Slido. Editorial Mir. MOSC.

Marcelo ALONSO y Edward J.FINN. Fsica. Vol.III. Fundamentos Cunticos y


Estadsticos. Fondo Educativo Interamericano. 1971. MADRID.

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Tratamiento Didctico
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
OBJETIVOS
Estudio a fondo del fenmeno de la conduccin elctrica en distintos materiales, se-
gn sean de carcter conductor, semiconductor o aislante, y tambin dependiendo de las
condiciones de temperatura.
Explicacin y aplicacin de la teora de bandas, consecuencia de orbitales molecula-
res, a las distintas estructuras para demostrar su comportamiento conductor, semicon-
ductor o aislante.
Introducir el concepto de superconductividad como consecuencia final de una situa-
cin extrema y tratar de darle una explicacin por la teora cuntica.
De todo lo anterior, obtener aplicaciones tcnicas que supongan adelantos en la tec-
nologa al servicio de desarrollo humano.
UBICACION
El tema se ubicar en el currculo de Fsica de 2 de Bachillerato en el ncleo temti-
co de "Aplicaciones de la Fsica moderna", como base fundamental de la electrnica de
estado slido.
TEMPORALIZACION
El tema puede exponerse completamente en su aspecto terico en un perodo de 4
horas, sin profundizar excesivamente en el punto de aplicaciones tcnicas que pueden
resultar muy extenso.
METODOLOGIA
Se expondr el tema con claridad, minimizando los aspectos matemticos e insistien-
do en los modelos e interpretaciones fsicas.
Debe desarrollarse la Teora de Bandas para comprender que el carcter conductor,
semiconductor o aislante, obedece a un nico mecanismo energticos pero en condicio-
nes diferentes segn los niveles de energa previstos por la teora cuntica.
Debe cuidarse la comprensin de los conceptos bsicos, mediante una explicacin
activa y participativa por parte del alumnado.
CONTENIDOS MINIMOS
Conductividad elctrica. Resistividad.
Teora de bandas. Bandas de valencia. Bandas de conduccin.
Bandas de conduccin y valencia en conductores, semiconductores y aislantes.
Conductores metlicos. Mecanismo de la conduccin elctrica.
Emisin de electrones (efecto termoelctrico).
Semiconductores intrnsecos y semiconductores extrnsecos.
Dopado. Donadores y aceptores.
Superconductividad. Temperatura crtica.
Principales aplicaciones tecnolgicas.
MATERIALES Y RECURSOS DIDACTICOS
Transparencias para retroproyector de: diagramas de bandas, estructuras de semicon-
ductores y dems elementos grficos del tema.
Libros de consulta sobre aplicaciones de semiconductores y superconductores.
EVALUACION
Se evaluar el tema mediante ejercicios escritos de carcter objetivo sobre los con-
ceptos bsicos, sus interpretaciones y aplicaciones.
Pruebas escritas de respuesta mltiple, relativas a las cuestiones anteriores tendentes
a evaluar la capacidad de razonamiento terico y conceptual.

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