TRANSISTORES FET,

MOSFET YJFET
Briceo Pablo
e-mail: pabriceno1@espe.edu.ec
Cachumba Santiago
e-mail: sjcachumba@espe.edu.ec

Ingeniera Automotriz, Cuarto nivel, Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE

- Extensin Latacunga, Mrquez de Maenza S/N
Latacunga, Ecuador.
Fecha de presentacin: 22/12/2016

RESUMEN:
El presente trabajo de investigacin contiene
informacin de importancia que le permite al lector
conocer acerca de los transistores de efecto de
campo denominados FET, los cuales se subdividen
en transistores del tipo JFET y MOSFET que son los
que ms se destacan. Dentro del tema se abarca las
caractersticas ms relevantes de estos transistores
comparndolos con los transistores BJT. Para cada
tipo de transistor se explicar las diferentes formas
en las que se los puede polarizar, y su
funcionamiento como amplificadores.
PALABRAS CLAVE: Transistores, efecto de
campo, polarizacin de transistores, configuracin de
transistores, JFET, MOSFET.
2. TRANSISTORES DE
EFECTO DE CAMPO
2.1 CARACTERSTICAS GENERALES
Los transistores de efecto campo son dispositivos
similares a los transistores BJT, con la diferencia de que
los transistores de efecto de campo basan su
funcionamiento en el campo elctrico para controlar la
forma y conductividad que tienen sus terminales, al igual
que los BJT estn hechos de un material
semiconductor, posee tres pines, ver Fig.1, los cuales
se denominan de izquierda a derecha, con la cara plana
del dispositivo frente a nosotros, reciben el nombre de
compuerta o puerta, drenaje y fuente.

1. INTRODUCCIN

Los transistores FET, son tambin conocidos como

transistores de efecto campo, su precursor fue un fsico
hngaro llamado Julius Edgand, quien en 1925 diseo
un aparato para controlar corrientes elctricas, pero en
1951 William Shockley fabric el primer transistor de
efecto de campo. [1]
El primer transitor MOSFET o tambin llamado
Metal-Oxide-Semiconductor, este usa un aislante Figura 1. Transistores JFET y MOSFET. Tomado
normalmente de xido de silicio, fue elaborado por los de: https://goo.gl/R4BGpR
ingenieros Dawon Kahng y Marti Atalla en 1960. [1]
Existen diferentes tipos de transistores, entre estos Estos dispositivos tienen una simbologa similar a
tenemos: los transistores BJT, con la diferencia del nombre de los
MOSFET pines, al igual que los BJT existen dos tipos los de
JFET enriquecimiento de canal N y los de enriquecimiento del
MESFET canal P, ver Fig. 2.
HEMT
MODFET
IGBT
FREDFET
DNAFET
En el presente trabajo analizaremos dos tipos de los
transistores FET, que son los JFET Y MOSFET.

1
 2.2 TRANSITORES JFET
Es un dispositivo de tres terminales que controla la
corriente a travs de uno de sus terminales, ver Fig. 4.

Figura 2. Simbologa de transistores de efecto de

campo. Tomado de: https://goo.gl/NyfjO3

La principal diferencia de los BJT y los FET radica en

que los ltimos son controlados por voltaje mientras que
los BJT son dispositivos contralados por corriente, ver
Fig. 3, es importante recordar que los transistores BJT
son bipolares y los FET son unipolares.

Figura 4. Constitucin de un transistor JFET.

Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L. Teora de
circuitos y dispositivos electrnicos.

2.2.1 POLARIZACIN DE UN
TRANSISTOR JFET
Para la polarizacin de los transistores existen varias
formas de polarizacin que son:

a) Polarizacin fija

Para el funcionamiento ms habitual, los

Figura 3. Comparacin de transistores BJT y FET. transistores de canal n se polarizan aplicando
Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L. Teora de una tensin positiva entre drenador y fuente,
circuitos y dispositivos electrnicos. de esta forma la corriente circula en el sentido
de drenador a fuente, en el caso de los JFET
En los transistores FET las cargas establecen un de canal p, la tensin debe ser negativa y
campo elctrico, este controla la ruta de conduccin del la tensin positiva, de esta forma la
circuito de salida sin que requieran un contacto directo corriente fluir en el sentido de la fuente al
entre las cantidades de control y las controladas, una drenador. [3]
de las caractersticas ms sobresalientes es su alta
impedancia de entrada [1], que es la resistencia de un
circuito en corriente alterna.
Las diferencias ms importantes en comparacin
con los transistores BJT son las siguientes:

La ganancia de voltaje de corriente alterna
para amplificadores de BJT son mayores que
para los FET

Los FET son ms estables en temperatura que
los BJT

Los FET son de menor tamao que los BJT

Son ms usados en circuitos integrados dado
su pequea dimensin.

El consumo de potencia de los BJT es mayor
que el de los FET

La velocidad de conmutacin de los FET es
mayor que el BJT
Figura 5. Polarizacin fija de un JFET de
canal N. Tomado de: Gonzles, M.
Transistores de efecto de campo.

2
 Figura 7. Recta de polarizacin de los JFET
tipo N. Tomado de: Glez, J. Polarizacin del
transistor de efecto de campo

Para el anlisis de la malla del drenado se

realiza el anlisis de la siguiente forma:

+ + = 0 (5)

Despejando la Ec. 5. Obtenemos:

= + (6)

Despejando de la Ec. 6 la variable

tenemos:

= (7)

Figura 6. Polarizacin fija de un JFET de A continuacin, se presenta la recta de carga

canal P. Tomado de: Gonzles, M. de los transistores JFET de canal P en
Transistores de efecto de campo. corriente continua.

Anlisis:

El voltaje en la compuerta siempre ser

negativo con respecto al terminal de fuente
para un JFET de canal N.

= (+) () (1)

Ley de Voltajes de Kirchhoff en malla de

compuerta:
+ + = 0 (2)

Dado que la fuente esta polarizada Figura 8. Recta de carga de los JFET tipo N.
inversamente, entonces significa que no existe Tomado de: Glez, J. Polarizacin del
corriente y por lo tanto = 0, obtenemos de transistor de efecto de campo
Ec.2:

= (3) Ejercicio 1:

Esta ecuacin representa a la recta de Encontrar la variacin del punto de operacin para
polarizacin, ver Fig. 7, en esta se puede el circuito mostrado:
observar la inestabilidad del punto de
operacin para los cambios de parmetros del
FET. [2]
Este tipo de polarizacin es la peor forma de
polarizar a un JFET, ya que el putos de
operacin ( , ) bastante inestable.

Figura 9. Esquema del ejercicio 1.

Tomado de: Glez, J. Polarizacin del
transistor de efecto de campo

3
 La Ec. 9. Se la conoce como ecuacin de la recta
= 12 = 20
de polarizacin, esta se la representa mediante la
= 1 = 8 Fig. 12, tiene una pendiente negativa y pasa por el
FET 2N5486
= 470 = 6 origen. [3]
= 1 = 2

Desarrollo:

Figura 12. Ecuacin de la recta de

polarizacin JFET tipo N. Tomado de: Glez, J.
Polarizacin del transistor de efecto de
Figura 10. Recta de carga ejercicio 1. campo
Tomado de: Glez, J. Polarizacin del
transistor de efecto de campo En esta figura la recta 1 representa a ideal para una
buena ganancia de corriente, pero con una gran
1 2 inestabilidad.
= 20 (1 ) = 13.89
6
La recta 2 es la que mejores condiciones presenta ya
1 2 que no compromete la inestabilidad.
= 8 (1 ) = 2
2 La recta 3 tiene una buena estabilidad, pero un bajo
valor de ganancia de corriente.
= 11.9
De estas rectas puede calcularse la ptima dado por:

b) Auto polarizacin
= (10)

Para la auto polarizacin el circuito equivalente es
el que se encuentra en la Fig. 11. Las coordenadas del punto de operacin cuando se
presenta ptima es:

= 0.382 (11)

= 0.382 (12)

Para la malla del drenaje el anlisis es homlogo al

anterior mediante leyes de Kirchhoff en la malla de
compuerta.

+ + = 0 (13)

Figura 11. Circuito equivalente de auto =

(14)
polarizacin JFET tipo N. Tomado de: Glez, J. +
Polarizacin del transistor de efecto de
campo A la ecuacin 14 se la conoce como recta de carga en
corriente continua, ver Fig. (13)
Se empezar el anlisis de las leyes de voltaje en
la malla de la compuerta.

+ + = 0 (8)

Despejando esta ecuacin se obtiene:

= (9)

4

= =

12 6 220(5.35)
=
5.35

= 900

se propone de un valor de tal modo que se

aproveche la alta impedancia del JFET. En este caso
se propone de:
Figura 13. Recta de carga en auto
polarizacin de JFET tipo N. Tomado de: = 1
Glez, J. Polarizacin del transistor de efecto
de campo
2
= (1 )
Ejercicio 2:

Polarizar el FET de la figura de tal modo que el punto 2(14 ) 1.5

de operacin se ubique a la mitad de la curva de = (1 )
transconductancia y a la mitad de la recta de (3) 3
polarizacin. Calcular adems el valor de en el
punto de operacin. = 5768

Datos: c) Polarizacin por divisor de tensin.

= 12
= ? La configuracin del divisor de voltaje aplicada a los BJT
tambin se aplica con amplificadores FET [1], la
= ?
construccin del circuito se presenta en la Fig. 12, sin
= ? embargo, su anlisis se realiza de manera diferente.

= 20
FET = 6

Figura 14. Esquema del ejercicio 1.

Tomado de: Glez, J. Polarizacin del transistor de
efecto de campo

Desarrollo: Figura 15. Polarizacin del JFET por divisor

de tensin. Tomado de: Boylestad, R.
Nashelsky, L. Teora de circuitos y
= | | dispositivos electrnicos.

= 214 220 Todos los capacitores de la figura, fueron

reemplazados por un equivalente de circuito abierto,
adems la fuente se dividi en dos fuentes

= | | equivalentes para separar las regiones de entrada y
salida de la red, ver Figura 13.
Dado que = 0, se puede deducir por la ley de
La coordenada del punto Q cuando se elige Rs ptima Kirchhoff que 1 = 2 se puede usar el circuito
es: equivalente de la Figura 15.

= 0.382 = 5.35

= 1.15

5
 Mediante estas dos ecuaciones se construye la
ecuacin de red para la configuracin del
divisor de voltaje en la Figura 15.

Figura 16. Circuito equivalente 1 para JFET

por divisor de tensin. Tomado de: Boylestad, Figura 18. Recta de la ecuacin de red.
R. Nashelsky, L. Teora de circuitos y Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L.
dispositivos electrnicos. Teora de circuitos y dispositivos
electrnicos.

Ejercicio 3:

Determine lo siguiente para la red de la figura.

Figura 17. Circuito equivalente 2 para JFET

por divisor de tensin. Tomado de: Boylestad,
R. Nashelsky, L. Teora de circuitos y
dispositivos electrnicos. Figura 19. Esquema del ejercicio 3.
Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en la malla de Teora de circuitos y dispositivos
la Fig. 13 se obtiene: electrnicos.

= 0 = ?
= ?
Despejando y reemplazando: = ?
= ?
= (15)
= ?
La Ecuacin 15 sigue siendo la ecuacin de una lnea Para las caractersticas de transferencia, si
recta, pero el origen ya no es un punto para trazar la
lnea, para determinar el otro punto de la recta se debe 8
colocar el valor de = 0 , con esto se asegura que = = = 2, entonces
4 4
la recta toque en algn punto del eje horizontal, para
descubrir el valor de este punto solo es necesario 4
= = = 2. La curva resultante que
reemplazarlo en la Ec. 15 y se obtiene: 2 2

representa la ecuacin de Shockley aparece en

= (16) la figura. La ecuacin de la red es:

6
 2 (270)(16) compuerta-fuente y mayores niveles de corriente
= = = 1.82 de drenaje. [1]
1 + 2 2.1 + 0.27
b) MOSFET tipo enriquecimiento
= = 1.82 (1.5)

Figura 16. Caractersticas de transferencia de

un MOSFET tipo enriquecimiento de canal N.
Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L.
Figura 20. Determinacin del punto Q para la red. Teora de circuitos y dispositivos
Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L. Teora de electrnicos.
circuitos y dispositivos electrnicos.

La lnea de polarizacion resultante aparece con Como podemos observar en la Fig. 16, para los
valores quiescentes de: MOSFET de tipo enriquecimiento de canal N, la
corriente de drenaje es cero con niveles de voltaje
de la compuerta menores que el nivel de umbral, la
= 2.4 corriente de drenaje se define como:
= 1.8
= ( () )2 (17)
= = 16 (2.4)(2.4)
= 10.24 De igual forma si se necesita definir K se lo puede
hacer despejndola de la Ec.17, se obtiene:
= = (2.4)(1.5) ()
= 3.6 = (18)
(()() )2

= ( + )
= 16 (2.4)(2.4 + 1.5) 2.2 FUNCIONAMIENTO DE LOS JFET Y
= 6.64 MOSFET CON AMPLIFICADOR
= = 10.24 1.82 Los transistores de efecto de campo proporcionan
= 8.42 una mejor ganancia de voltaje y una alta impedancia de
entrada [2], se pueden considerar como configuraciones
de bajo consumo de potencia, se puede utilizar en JFET
2.2.2 POLARIZACIN DE UN y MOSFET de empobrecimiento.
Al contrario que los BJT controla una gran corriente
TRANSISTOR MOSFET de salida por medio de una corriente de entrada
pequea, en cambio los FET controlan una corriente de
Para los transistores tipo MOSFET se puede salida a travs de un voltaje de entrada, es por esto que
analizar dos tipos de configuraciones que son las ms los FET son un ms sencillos de entender, y pueden
importantes, estas son: usarse como amplificadores lineales.
De igual forma se cuenta con configuraciones que se
a) MOSFET tipo empobrecimiento pueden implementar en los amplificadores FET, entre
los cuales tenemos
La semejanza que existe entre los JFET y
MOSFET de tipo empobrecimiento permite a) Polarizacin Fija
analizarlos de la misma manera en corriente
continua, la diferencia ms importante es que los El anlisis de corriente alterna de amplificadores
MOSFET de empobrecimiento permiten una mayor con BJT es muy similar al del JFET y se debe
operatividad con los valores positivos de voltaje de determinar los siguientes parmetros:

7
 , , , para cada una de las configuraciones.

Para la configuracin de polarizacin fija se

incluye capacitores, los que aslan la
configuracin de polarizacin de corriente directa
de la seal aplicada y la carga; para el anlisis de
corriente alterna estos actan como equivalentes
de cortocircuito.

Figura 19. Configuracin del divisor de voltaje del

JFET. Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L. Teora
de circuitos y dispositivos electrnicos.

1 Y 2 estn en paralelo con la equivalencia de

circuito abierto del JFET y el resultado es:

= 1 ||2 (19)
Figura 17. Configuracin de polarizacin fija
del JFET. Tomado de: Boylestad, R. 0 Al determinar = 0 , se establecen y a
Nashelsky, L. Teora de circuitos y cero, y
dispositivos electrnicos.
0 = || (20)

b) Configuracin de autopolarizacin Para 10

En comparacin con la configuracin de 0 (21)

polarizacin fija, que utiliza dos fuentes de voltaje,
esta configuracin, requiere solo una fuente de cd
para establecer el punto de operacin deseado.

Figura 20. Red de la figura 19 en condiciones de ca.

Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L. Teora de
circuitos y dispositivos electrnicos.

Figura 18. Configuracin de autopolarizacin del JFET.

Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L. Teora de
circuitos y dispositivos electrnicos.

c) Configuracin del divisor de voltaje

Figura 21. Red de la figura 20 dibujada de nuevo.

Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L. Teora de
circuitos y dispositivos electrnicos.

8
 =

= ( || )

( || )
= =

= = ( || ) (22)

Si 10 ,

= (23)

Las ecuaciones para 0 y son las mismas para las

configuraciones de polarizacin fija y de
autopolarizacin (con puenteada). La nica
ecuacin diferente es , la cual ahora es sensible a la
combinacin en paralelo de 1 y 2 .

5. CONCLUSIONES Y
RECOMENDACIONES
Gracias a la presente investigacin se verific
que los transistores tipo FET guardan bastante
similitud con los transistores BJT, con la gran
diferencia que estos los FET son controlados por un
voltaje de entrada y los BJT son controlados por una
corriente de entrada, adems que los FET presentan
ciertas ventajas en consumo de potencia y espacio
en comparacin con los otros.
Existen diferentes tipos de polarizaciones de un
transistor JFET y MOSFET cada una con una
aplicabilidad diferente, es por esto que es importante
conocer este tipo de polarizaciones y realizar el
anlisis respectivo para poder saber que
configuracin es mejor para cada tipo de circuito.
Para poder comprender de mejor manera las
ecuaciones que describen el funcionamiento de los
transistores FET es necesario conocer las
ecuaciones de Shockley y aplicarlas dentro de los
anlisis.

6. REFERENCIAS

[1] Boylestad, R. Nashelsky, L. (2009).

Electrnica, Teora de circuitos y dispositivos
electrnicos. PEARSON EDUCATION. Mxico.
[2] Glez, J. (2008). Polarizacin del transistor
de efecto de campo. Revisado (17/12/2016).
[3] Gonzles, M. (2015). Transistores de efecto
de campo. Universidad Nacional de Quilmes. En
lnea: https://goo.gl/dknRp7. Revisado (17/12/2016)
[4] Universidad Nacional Abierta y a Distancia.
(2013). Aplicaciones de diodos zener. En lnea:
https://goo.gl/q31PE9. Revisado (06/11/2016)