Circuitos Integrados Final

Materiales y Dispositivos Electrnicos 1
ndice
1. Introduccin Pgina 2
2. Clasificacin segn seal de trabajo Pgina 2
2.1.Circuitos integrados analgicos
2.2.Circuitos integrados digitales
3. Clasificacin segn Escala de Integracin Pgina 3
3.1.CI SSI
3.2.CI MSI
3.3.CI LSI
3.4.CI VLSI
3.5.CI ULSI
3.6.CI GLSI
4. Clasificacin segn Familia Lgica Pgina 3
4.1.Familia TTL
4.2.Familia CMOS
4.3.Familia ECL
5. Clasificacin segn Forma de Fabricacin Pgina 7
5.1.Circuitos monolticos
5.2.Circuitos peliculares
5.3. Circuitos hbridos
6. Clasificacin segn Tipo de Encapsulamiento Pgina 8
6.1. Encapsulado DIP
6.2. Encapsulado SIP
6.3. Encapsulado PGA
6.4. Encapsulado SOP
6.5. Encapsulado TSOP
6.6. Encapsulado QFP
6.7. Encapsulado SOJ
6.8. Encapsulado QFJ
6.9. Encapsulado QFN
6.10. Encapsulado TCP
6.11. Encapsulado BGA
6.12. Encapsulado LGA
6.13. Encapsulado PLCC
7. Fabricacin de un Circuito Integrado Pgina 10
7.1. Elaboracin y diseo de CI
7.2. Elaboracin de las obleas
7.3. Oxidacin
7.4. Crecimiento epitaxial
7.5. Implantacin de iones
7.6. Difusin
7.7. Fotolitografa
7.8. Deposicin
7.9. Metalizacin
7.10. Ensamblado y encapsulado
7.11. Testeado
8. Circuito Integrado Tpico Pgina 21
8.1. Circuito Integrado LM741
9. Conclusin Pgina 31
10. Bibliografa y fuentes Pgina 32
Circuitos Integrados
1 - Introduccin
Un circuito integrado (CI), es una pastilla pequea de material semiconductor,

de algunos milmetros cuadrados de rea, sobre la que se fabrican circuitos
electrnicos generalmente mediante fotolitografa y que est protegida dentro de un
encapsulado de plstico o cermica. El encapsulado posee conductores metlicos
apropiados para hacer conexin entre la pastilla y un circuito impreso.
En abril de 1949, el ingeniero alemn Werner Jacobi (Siemens AG) completa la
primera solicitud de patente para circuitos integrados (CI) con dispositivos
amplificadores de semiconductores.
El primer CI fue desarrollado en 1958 por el ingeniero Kilby. Se trataba de un
dispositivo de germanio que integraba seis transistores en una misma base
semiconductora para formar un oscilador de rotacin de fase.
Los circuitos integrados se encuentran en todos los aparatos electrnicos
modernos, como automviles, televisores, reproductores de CD, reproductores de
MP3, telfonos mviles, etc.
El desarrollo de los circuitos integrados fue posible gracias a descubrimientos
experimentales que demostraron que los semiconductores pueden realizar algunas de
las funciones de las vlvulas de vaco.
La capacidad de produccin masiva de circuitos integrados, su confiabilidad y
la facilidad de agregarles complejidad, impuso la estandarizacin de los circuitos
integrados en lugar de diseos utilizando transistores discretos que pronto dejaron
obsoletas a las vlvulas o tubos de vaco.
Existen dos ventajas importantes que tienen los circuitos integrados sobre los
circuitos convencionales construidos con componentes discretos: su bajo costo y su
alto rendimiento. El bajo costo es debido a que los CI son fabricados siendo impresos
como una sola pieza, permitiendo la produccin en cadena de grandes cantidades con
una tasa de defectos muy baja. El alto rendimiento se debe a que, debido a la
miniaturizacin de todos sus componentes, el consumo de energa es
considerablemente menor, a iguales condiciones de funcionamiento.
2 - Clasificacin segn seal de trabajo
Los circuitos se clasifican en dos grandes grupos:

Circuitos integrados analgicos.
Trabajan con seales analgicas, es decir, que pueden adoptar un nmero
infinito de valores entre un mximo y un mnimo. Algunos de los circuitos integrados
pueden constar desde simples transistores encapsulados juntos, sin unin entre ellos,
hasta dispositivos completos como amplificadores, osciladores o incluso receptores de
radio completos.
Circuitos integrados digitales.
Trabajan con seales digitales o binarias, es decir, que pueden adoptar uno de
dos valores posibles (0 o 1). Ejemplos de CI digitales son las compuertas lgicas, los
flip-flops, los contadores, las memorias, los microcontroladores, los
microprocesadores, etc.
Las funciones digitales esenciales de todos los CI digitales son iguales,
independientemente de la familia de que se trate.
3 - Clasificacin segn Escala de Integracin
Atendiendo al nivel de integracin - nmero de componentes - los circuitos

integrados se clasifican en:
SSI (Small Scale Integration) pequeo nivel.

MSI (Medium Scale Integration) medio.
LSI (Large Scale Integration) grande.
VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande.
ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande.
GLSI (Ultra Large Scale Integration) giga grande.
3.1 - CI SSI
Es la integracin a pequea escala. Un CI con este nivel de integracin puede
estar compuesto por hasta 100 transistores y ocupar una superficie menor a 3 mm2.
Pueden cumplir de 2 a 20 funciones. Se fabrican con este nivel de integracin,
compuertas lgicas y biestables.
3.2 - CI MSI
Esta es la integracin a escala media. En sta, los CI estn compuestos por
entre 100 y 1000 transistores, y ocupan una superficie media de 8 mm2. Cumplen de
20 a 100 funciones. Ejemplos de CI con este nivel de integracin son los codificadores,
sumadores, registros, etc.
3.3 - CI LSI
En la integracin a gran escala los CI estn comprendidos por entre 103 y 105
transistores. Estn integrados a este nivel circuitos aritmticos complejos y memorias
entre otros.
3.4 - CI VLSI
Es la integracin a muy gran escala. Los CI a este nivel tienen entre 105 y 106
transistores y pueden cumplir de 50000 a 100000 funciones. La superficie media que
necesitan es de 40 mm2. Los microprocesadores, los microcontroladores y memorias
son algunos CI con este tipo de integracin.
3.5 - CI ULSI
La integracin a estaca ultra grande es utilizada en procesadores digitales y
microprocesadores avanzados. Cumplen de 105 y 106 funciones y tiene ms de 106
transistores.
3.6 - CI GLSI
Giga gran escala de integracin es utilizada en procesadores digitales y
microprocesadores avanzados. Utiliza ms de 1 milln de transistores por CI y ms de
100.000 puertas lgicas.
4 - Clasificacin segn Familia Lgica

Los circuitos digitales emplean componentes encapsulados, los cuales pueden
albergar puertas lgicas o circuitos lgicos ms complejos.
Estos componentes estn estandarizados para que haya una compatibilidad
entre fabricantes, de forma que las caractersticas ms importantes sean comunes. De
forma global los componentes lgicos se engloban dentro de una de las dos familias
siguientes:
TTL: diseada para una alta velocidad.

CMOS: diseada para un bajo consumo.
Actualmente dentro de estas dos familias se han creado otras, que intentan
conseguir lo mejor de ambas: un bajo consumo y una alta velocidad.
La familia lgica ECL se encuentra entre la TTL y la CMOS y naci como un intento de
conseguir la rapidez de TTL y el bajo consumo de CMOS, pero en raras ocasiones se
emplea.
4.1 - Familia TTL

TTL estndar
La familia lgica TTL-Estndar (TTL = transistor-transistor logic o lgica
transistor-transistor) es una familia "saturante" de TTL caracterizada
fundamentalmente por su rapidez.
Es saturante porque la mayor parte de los transistores que la forman trabajan
en corte-saturacin.
Una de las mejoras introducidas por la familia TTL estndar es la utilizacin de
un transistor de entrada multiemisor que favorece el paso del estado de saturacin al
de corte, retirando la carga almacenada en la base del transistor durante la saturacin.
TTL de baja potencia - L
La familia de baja potencia tiene la misma configuracin de circuitos que los
dispositivos TTL estndar. Sin embargo, los valores de los resistores son unas 10
veces mayores, lo que resulta en una considerable reduccin en la disipacin de
potencia. Esta reduccin de la potencia se logra a expensas de la velocidad del
dispositivo. Los retardos de propagacin aumentan unas 3 veces.
TTL Schottky de baja potencia - LS
Esta se caracteriza por una reduccin combinada, en corriente y en potencia,
del orden de 5 veces cuando se la compara con la TTL estndar. El dopante oro,
normalmente utilizado en los dispositivos de corriente, reduce tiempos de conmutacin
a expensas de la ganancia de corriente. El proceso elimina esta limitacin utilizando
un diodo Schottky en la unin base-colector del transistor. De esta forma, el transistor
nunca se satura completamente, y se recupera rpidamente cuando se irrumpe la
saturacin de la base. Al utilizar transistores con diodos Schottky de difusin profunda
y saturacin suave, se obtienen ganancias de corriente ms elevadas y tiempos de
conduccin ms rpidos. Los circuitos LS no tienen entradas multiemisoras, utilizan
entradas diodo-transistor y tienen una mayor tensin de ruptura de entrada.
TTL Schottky S
Esta ofrece alta velocidad de conmutacin de la lgica bipolar no saturada de
emisores acoplados, pero consume ms potencia que los TTL estndar. Para esta alta
velocidad, el diodo de barrera Schottky se incorpora como fijador para desviar el
exceso de corriente de base y evitar que el transistor alcance la saturacin profunda.
Esta familia tiene una disipacin de potencia de 20 mW por puerta, y un retardo de
propagacin 3 veces ms rpido que los dispositivos TTL.
TTL-ALS
La familia "Schottky de baja potencia avanzada" (Advanced Low-power
Schottky, ALS) es una de las ms avanzadas de la familia TTL. En sta se aumenta
dos veces la eficiencia de conduccin y se ofrece ms del 50 % de reduccin de
potencia en comparacin con la familia TTL-LS. Con esta familia se mejora el producto
Potencia-Velocidad.
Vamos a explicar el por qu de la importancia del producto Potencia-Velocidad.
El producto Potencia-Velocidad (power-speed) es un sistema de medida (cuya unidad
es el picojulio) utilizado en los circuitos donde la velocidad y la potencia son factores
muy importantes.
En los circuitos digitales vistos hasta ahora, hemos observado que siempre se
intenta reducir el consumo del circuito (con el fin de que gaste menos energa, sea
ms barato y sea menos propenso a la ruptura) y aumentar la velocidad de
conmutacin (con lo cual la informacin ser transmitida ms rpidamente). Por eso, el
producto potencia-velocidad es muy importante.
Lo ideal sera tener un circuito con un producto Potencia-Velocidad = 0.
En los ALS el producto potencia-velocidad es unas cuatro veces menor que en
TTL-LS y alrededor de veinte veces menor que en TTL. Los circuitos ALS ofrecen,
entre otras, las siguientes ventajas adicionales:
- Compatible con las familias 74, 74S, 74LS.
- Corriente de entrada reducida al 50 % respecto a TTL-Estndar.
TTL-AS
En el captulo anterior vimos que la familia TTL-ALS ofreca una serie de
ventajas con respecto a la familia TTL-LS. Por otro lado, segn lo visto hasta ahora, la
familia lgica que nos ofrece una mayor rapidez es la TTL-Schottky (TTL-S). Con el fin
de mejorar las caractersticas de TTL-S surge la familia TTL-Advanced Schottky (TTL-
AS = TTL-Schottky Avanzada).
La familia lgica TTL-AS ofrece una reduccin de disipacin de potencia y de
retardo de un 50 % con respecto a TTL-S, mientras que el producto Potencia-
Velocidad es reducido unas cuatro veces con respecto a esta misma familia.
La familia TTL-AS proporciona las siguientes ventajas adicionales:
- Reduccin del 50 % de la intensidad requerida a la entrada.
- Retardos de propagacin pequeos y elevadas frecuencias de reloj con
relativo bajo consumo.
4.2 - Familia CMOS

Utilizados por lo general para fabricar memoria RAM y aplicaciones de
conmutacin, estos dispositivos se caracterizan por una alta velocidad de acceso y un
bajo consumo de electricidad. Pueden resultar daados fcilmente por la electricidad
esttica. La lgica CMOS ha emprendido un crecimiento constante en el rea MSI,
mayormente a expensas de TTL, con la cual es de directa competencia.
El proceso de fabricacin del CMOS es ms simple que TTL y tiene una
densidad de empaque mayor, permitiendo por consiguiente ms circuitera en un rea
dada y reduciendo el costo por funcin.
CMOS usa solo una fraccin de la potencia que se necesita para la serie TTL
de baja potencia (74L00) y es as apropiada idealmente para aplicaciones que usan
potencia de batera o potencia con batera de respaldo. La velocidad de operacin de
CMOS no es comparable aun con las series TTL ms rpidas, pero se espera mejorar
este aspecto.
Existen varias subfamilias CMOS de circuitos integrados digitales:
Lgica CMOS Original (series 4000/14000)
Las primeras series CMOS fueron la serie 4000, y la serie 14000. La serie
original es la 4000A; la 4000B representa mejora con respecto a la primera y tiene
mayor capacidad de corriente en sus salidas. A pesar de la aparicin de la nueva serie
de CMOS, las series 4000 siguen teniendo uso muy difundido.
La serie 4000A es la lnea mas usada de CI digitales CMOS, contiene algunas
funciones disponibles es la serie TTL 7400 y est en expansin constante.
CMOS terminales compatibles con TTL (series 74Cxxx)
Esta serie sali al mercado esencialmente como una reorganizacin de la serie
CD4000 con el fin de hacer una familia CMOS compatible pin a pin con la serie 74 en
TTL.
CMOS de alta velocidad (serie 74HCxxx)

Debido a su alta velocidad esta serie mejor notablemente las caracterstica de
la familia CMOS. La velocidad, operando a 5V, es comparable a la serie 74LSxx TTL,
siendo alrededor de 9ns su tiempo de propagacin.
CMOS de alta velocidad compatible elctricamente con TTL (serie 74HCTxxx)
Esta serie solo puede operar con polarizacin de 5V, pero sus voltajes de
entrada y salida son perfectamente compatibles con los de TTL, por lo cual, en un
circuito dado es posible sustituir a un integrado TTL directamente por un CMOS de
esta serie.
CMOS avanzado de alta velocidad (serie 74ACxxx)
Son versiones mejoradas de las series anteriores, en cuanto a su velocidad se
refiere. Estos no son compatibles en conexiones respecto de los TTL.
CMOS avanzado de alta velocidad compatibles con TTL (serie 74ACTxxx)
Son versiones mejoradas de las series anteriores, en cuanto a su velocidad se
refiere. Estos son compatibles elctricamente respecto de los TTL.
4.3 - Familia ECL

La familia lgica acoplada por emisor es ms rpida que la TTL y se utiliza en
aquellas aplicaciones en donde son necesarias las ms altas velocidades. La gran
velocidad de esta tecnologa se debe en que sus transistores no se saturan debido a la
configuracin en la que estn dispuestos.
Los componentes ECL solo se utilizan donde se requieran circuitos muy
veloces, dado que su tiempo de propagacin es de aproximadamente 1ns. Los
requerimientos de velocidades inferiores pueden satisfacerse con la serie 74ASxxx de
TTL, dado al alto consumo de potencia de la ECL.
5 - Clasificacin segn Forma de Fabricacin

5.1 - CI monolticos
Es el tipo ms comn de los CI. Se caracterizan porque todos sus
componentes estn contenidos en un solo chip. Los tipos comercialmente disponibles
se pueden utilizar como amplificadores, reguladores de voltaje, conmutadores,
receptores de AM, circuitos de televisin y circuitos de computadoras. Pero los CI
monolticos tienen limitaciones de potencia. Ya que la mayora de ellos son del tamao
de un transistor discreto de pequea seal, generalmente tienen un ndice de mxima
potencia menor que 1 W. Esto limita su uso a aplicaciones de poca potencia.
Los CI monolticos se construyen sobre un monocristal de silicio denominado
sustrato, generalmente del tipo P, y se caracterizan porque todos sus componentes se
van formando simultneamente, y no pueden ser divididos.
5.2 - CI peliculares
Los componentes e interconexiones entre ellos se van formando sobre un
sustrato aislante que suele ser cermico, mediante la implantacin de capas sucesivas
de materiales adecuados. Segn el procedimiento de formacin de capas, se tienen CI
peliculares de capa delgada y de capa gruesa. Las capas de los primeros, de pocas
micras de espesor, se realizan mediante tcnicas de evaporacin y deposicin,
proyeccin catdica, etc.; pueden integrarse as resistencias (de 10 a 100 M),
condensadores (de 0.1pF a 2x104 pF), inductancias (de hasta 2 H), y transistores de
pelcula delgada TFT (Thin Film Transistor) anlogos a los MOS, pero sobre
semiconductor CdS. Las capas de los segundos, de 15 a 45 m de espesor, ser
forman por procedimientos serigrficos de impresin, cocido con tintas y distribucin
topolgica adecuada, se integran as resistencias (de 10 a 100 M), condensadores
hasta los 8x103 pF, inductancias de hasta 4.5 H, y la red de conductores de
interconexin.
5.3 - CI hbridos
Estos se realizan en sustratos aislantes como la almina (AL2O3), sobre los que
se integran componentes pasivos, mientras que los microcomponentes discretos
activos, generalmente para montaje superficial, son aportados e interconectados por
tcnicas diversas.
En los CI hbridos de capa delgada, la integracin de los componentes pasivos
se consigue mediante tcnicas de metalizacin, bajo vaco o por va qumica. Los
conductores pueden ser materiales como Au, Al, Cu, Ni, etc. Los condensadores
utilizan como dielctrico el monxido de silicio y el pntoxido de tntalo. El espesor
resultante de las capas depositadas suele estar comprendido entre 0.02 micras y 10
micras, por eso se emplea el trmino de capa delgada. Se aplican en sectores del tipo
profesional debido al costo, instalaciones necesarias, cualificacin del personal y
prestaciones.
Los CI hbridos de capa gruesa se denominan as, dado que los espesores de
las capas son superiores a los mencionados anteriormente. Los componentes pasivos
se depositan en ellos por serigrafa o fotograbado indirecto. Se consiguen de esta
forma conductores, resistencias, inductores, condensadores, etc., mediante la
serigrafa de tintas adecuadas, seguidas de un ciclo trmico de secado a 120 C para
eliminar los componentes orgnicos voltiles que facilitan la serigrafa por su reologa,
y un posterior quemado a elevada temperatura, de unos 800 C para conseguir la
integracin sobre el sustrato. Los espesores de las capas en fase hmeda son de
unas 25 micras y despus del quemado, de unas 15 micras. Su mbito de aplicacin
cubre los sectores de gran pblico y semiprofesional, por ser ms verstiles y
econmicos que los de capa delgada y, por supuesto, que los monolticos.
Comparativamente, respecto a los monolticos, los hbridos pueden reunir seal y
potencia en un mismo conjunto, y su rentabilidad es admisible a partir de un pequeo

nmero de unidades.
6 - Clasificacin segn Tipo de Encapsulamiento

Los circuitos integrados son componentes electrnicos compuestos por una
pastilla o chip.
Todos los chips estn encapsulados bajo distintas formas y tamaos
dependiendo de la funcin que vayan a desempear, cada encapsulado tiene una
asignacin de terminales que puede consultarse en el catalogo de cada fabricante.
Con el encapsulado de los circuitos integrados se pretende principalmente
ahorrar el mximo espacio posible para minimizar los tamaos de las placas donde
van impresos.
6.1 - DIP
Se presenta en una carcasa de plstico rectangular con 2
filas de pines de conexin a cada lado, cuyo nmero mximo
suele ser de hasta 48 pines. Los mismos se extienden a lo largo
del encapsulado y tiene una muesca que indica el pin nmero 1.
Este encapsulado bsico fue el ms utilizado hace unos aos y
sigue siendo el preferido a la hora de armar plaquetas por partes
de los amantes de la electrnica casera debido a su tamao lo que facilita la
soldadura. Hoy en da, el uso de este encapsulado (industrialmente) se limita a
UVEPROM y sensores.
6.2 - SIP
Los pines se extienden a lo largo de un solo lado del
encapsulado y se lo monta verticalmente en la plaqueta. La
consiguiente reduccin en la zona de montaje permite una densidad
de montaje mayor a la que se obtiene con el DIP.
6.3 - PGA
Son las siglas de Pin Grid Array. Los mltiples pines de
conexin se sitan en la parte inferior del encapsulado. Este tipo se
utiliza para CPUs de PC y era la principal opcin a la hora de
considerar la eficiencia pin-capsula-espacio antes de la introduccin
de BGA. Los PGA se fabricaron de plstico y cermica, sin
embargo actualmente el plstico es el ms utilizado, mientras que
los PGA de cermica se utilizan para un pequeo nmero de aplicaciones.
6.4 - SOP
Siglas de Small Outline Package. Los pines se disponen
en los 2 tramos ms largos y se extienden en una forma
denominada gull wing formation, este es el principal tipo de
montaje superficial y es ampliamente utilizado, especialmente en
los mbitos de la microinformtica, memorias y IC analgicos que
utilizan un nmero relativamente pequeo de pines. Se compone
de entre 8 y 64 pines.
6.5 - TSOP
Simplemente una versin ms delgada del encapsulado
SOP.
6.6 - QFP
Son las siglas de Quad Flat Package. Es la versin
mejorada del encapsulado SOP, donde los pines de conexin se
extienden a lo largo de los cuatro bordes. Este es en la actualidad
el encapsulado de montaje superficial ms popular, debido que
permite un mayor nmero de pines, el cual vara entre 44 y 244.
Sus terminales tambin son de tipo gull wing. Es de montaje
superficial.
6.7 - SOJ
Siglas de Small Outline J-Lead. Las puntas de los pines se
extienden desde los dos bordes ms largos dejando en la mitad
una separacin como si se tratase de 2 encapsulados en uno.
Recibe ste nombre porque los pines se parecen a la letra J
cuando se lo mira desde el costado. Fueron utilizados en los
mdulos de memoria SIMM.
6.8 - QFJ
Al igual que el encapsulado QFP, los pines se extienden
desde los 4 bordes, con la diferencia de que sus pines son de tipo
J-Lead.
6.9 - QFN
Es similar al QFP, pero con los pines situados en los
cuatro bordes de la parte inferior del encapsulado. Este
encapsulado puede hacerse en modelos de poca o alta
densidad.
6.10 - TCP
El chip de silicio se encapsula en forma de cintas de
pelculas, se puede producir de distintos tamaos, el
encapsulado puede ser doblado. Se utilizan principalmente
para los drivers de los LCD.
6.11 - BGA
Siglas de Ball Grid Array. Los terminales externos, en
realidad pines con forma de bolas de estao-plomo, se sitan en
formato de tabla en la parte inferior del encapsulado. Este
encapsulado puede obtener una alta densidad de pines,
comparado con otros encapsulados como el QFP, el BGA
presenta la menor probabilidad de montaje defectuoso en las
plaquetas.
6.12 - LGA
Es un encapsulado con electrodos alineados en forma
de array en su parte inferior. Es adecuado para las operaciones
donde se necesita alta velocidad debido a su baja inductancia.
Adems, en contraste con el BGA, no tiene esferas de
soldadura por lo cual la altura de montaje puede ser reducida.
6.13 - PLCC
Son las siglas de Plastic Leaded Chip Carrier, y es
un tipo de encapsulado que se caracteriza, al igual que el
QFP, en que tiene terminales a los 4 lados del dispositivo y
por estar fabricado en plstico.
Los terminales que posee son de tipo J. Pueden ser
cuadrados o rectangulares variando su rango de terminales
entre 18 y 124. Se destacan por su bajo costo y alta
fiabilidad. Suelen ser usados en controladores, memorias, PC Chipsets, procesadores,
etc.
7 - Fabricacin de un Circuito Integrado
7.1 - Elaboracin y diseo de CI

Los componentes integrados poseen ventajas y limitaciones con respecto a los
discretos, lo cual requiere nuevas formas para la realizacin de esquemas, de las
cuales podemos citar:
a. Utilizar el mnimo de componentes pasivos. Es mucho ms fcil y
econmico integrar un transistor.
b. Limitar los valores de los componentes pasivos dentro de los mrgenes que
hacen posible su integracin.
c. No emplear, dentro de lo posible, inductancias.
d. Prever que la precisin de la razn entre dos resistencia, es mayor que la
precisin en el valor de una sola.
Cuando se realiza el esquema para el CI, se tiene en cuenta ante todo la
funcin que desarrolla cada componente en el CI. Por ejemplo, un condensador puede
desarrollar las siguientes funciones:
a. Diferenciador, usado como elemento serie.
b. Integrador, usado como elemento paralelo.
c. Retardador de fase.
d. Almacenamiento de carga elctrica.
Una vez que se determina la funcin que desarrollar, se determina cual es el
bloque funcional ms idneo para desarrollarlo.
Con la incorporacin de la computadora, que nos permite disponer de

capacidad de clculo, precisin y velocidad, tenemos como resultado en el diseo de
CI, ahorro de tiempo y costo y una alta confiabilidad del producto a obtener. Gracias a
esta herramienta, podemos ver en forma simultnea los posibles efectos secundarios
que se provocaran mientras se disea, como ser acoplamientos parsitos, corrientes
de fuga, tensiones de peligro, efectos de las corrientes por la forma o disposicin de
los elementos, y evita la construccin de prototipos y posteriores ensayos, ya que los
mismos programas poseen simuladores para la verificacin inmediata del CI.
Los aspectos ms destacados del empleo de la computadora en el diseo son:
a. Anlisis numrico de materiales y dispositivos semiconductores. Los

programas permiten el anlisis de la distribucin de portadores en las
distintas zonas del dispositivo, y de la distribucin de los campos
potenciales en todo punto de las regiones.
b. Simulacin de procesos tecnolgicos. Los programas analizan todos los
efectos posibles y ofrecen como salida parmetros tecnolgicos
(temperatura, tiempo, concentraciones, etc.) necesarios para cada proceso
que vaya a atravesar el CI. Tambin se puede proceder en sentido

contrario, o sea, aportando los parmetros fsicos del dispositivo.
c. Simulacin de CI. Los programas son capaces de realizar un anlisis
elctrico-lgico funcional completo a fin de verificar la obtencin de las
prestaciones requeridas.
Una vez finalizada la etapa de diseo del CI, es necesario comprobar su ptimo
funcionamiento, para lo cual tambin contamos con la computadora, pues mediante el
uso de interfases de salida y el uso de programas especficos podemos realizar esta
tarea.
7.2 - Elaboracin de las obleas

El proceso o mtodo de Czochralski
consiste en un procedimiento para la obtencin
de lingotes monocristalinos. Fue desarrollado por
un cientfico polaco llamado Jan Czochralski.
Este mtodo es utilizado para la obtencin
de silicio monocristalino mediante un cristal
semilla depositado por un bao de silicio. Es de
amplio uso en la industria electrnica para la
obtencin de wafers u obleas, destinadas a la
fabricacin de transistores y circuitos integrados.
El mtodo consiste en tener un crisol que
contiene el semiconductor fundido, por ejemplo
germanio. La temperatura se controla para que
est justamente por encima del punto de fusin y
no empiece a solidificarse. En el crisol se
introduce una varilla que gira lentamente y tiene
en su extremo un pequeo monocristal del
mismo semiconductor que acta como semilla. Al
contacto con la superficie del semiconductor
fundido, ste se agrega a la semilla,
solidificndose con su red cristalina orientada de
la misma forma que aquella, con lo que el monocristal crece. La varilla se va elevando
y, colgando de ella, se va formando un monocristal
cilndrico. Finalmente se separa el lingote de la varilla y
pasa a la fusin por zonas para purificarlo.
El grosor del lingote depende del control de
temperatura y la velocidad de la varilla. Cuando la
temperatura asciende, el propio lingote se va fundiendo,
pero si desciende, se forman agregados que no son monocristalinos.
Una oblea es una fina plancha de material semiconductor, como por ejemplo
cristal de silicio, sobre la que se construyen microcircuitos mediante tcnicas de
dopado (por ejemplo, difusin o implantacin de iones),
grabado qumico y deposicin de varios materiales. Las
obleas tienen, de esta manera, una importancia clave en la
fabricacin de dispositivos semiconductores tales como los
circuitos integrados.
Los obleas de silicio generalmente no son 100%
silicio puro, sino que son formadas con una concentracin de
dopado inicial de impurezas de entre 1013 y 1016 por cm3 de
boro, fsforo, arsnico o antimonio, el cual es agregado en el proceso de fundicin,

con lo cual se define la oblea como de tipo p o de tipo n. An as, se tiene una pureza
mayor a 99.9999%.
Se fabrican en varios tamaos que van desde 1 pulgada (25,4mm) a 11,8
pulgadas (300mm) y calibres del orden de medio milmetro. Generalmente se obtienen
mediante el corte de grandes cilindros de material semiconductor utilizando discos de
diamante para despus ser pulidas por una de sus caras.
Las obleas son limpiadas con cidos dbiles para remover partculas no
deseadas o para reparar algn dao causado en el proceso de cortado.
En las obleas por debajo de 200mm normalmente se indican los planos
cristalogrficos de alta simetra mientras que en las antiguas (aquellas con dimetro
inferior a 100mm) se indican la orientacin de la oblea y el tipo de dopado (ver
ilustracin). Las obleas modernas cuentan con una muesca para referir esta
informacin, evitando as el desperdicio de material.
Estndares de tamao.
1 pulgada.
2 pulgadas (50,8mm). Calibre 275 m.
3 pulgadas (76,2mm). Calibre 375 m.
4 pulgadas (100mm). Calibre 525 m.
La orientacin es importante en tanto en cuanto muchas de las propiedades
electrnicas y estructurales de los cristales simples son altamente anisotrpicas. Por
ejemplo, la formacin de planos definidos en los cristales en las obleas solamente
sucede en algunas direcciones concretas. Grabando las obleas en dichas direcciones
facilita su posterior divisin en chips individuales de modo que los miles de millones de
elementos de una oblea media pueden ser separados en multitud de circuitos
individuales.
Integracin
A partir de las obleas se inicia el estampado en superficie de los circuitos
integrados mediante fotolitografa, nanolitografa y otras tcnicas.
Testeo de las obleas

El testeo de las obleas tiene lugar durante la fabricacin de los dispositivos
semiconductores. En este paso, realizado antes de la divisin de la oblea, se prueban
todos los circuitos integrados individuales presentes en ella para comprobar que no
haya errores funcionales. Estas pruebas
son llevadas a cabo por un dispositivo
especial llamado probador de obleas o
wafer prober, siendo las ms comunes:
Wafer Sort (WS), Wafer Final Test (WFT),
Electronic Die Sort (EDS) y Circuit Probe
(CP).
Cuando un chip concreto supera
todos estos patrones de prueba, se
almacena su posicin en la oblea para su
uso posterior durante la fase de
encapsulacin. A veces un chip cuenta con
recursos internos de repuesto disponibles
para una eventual reparacin (por ejemplo, los CI dedicados a memoria flash). Si un
chip no supera las pruebas, pueden utilizarse estas partes; sin embargo, si no es
posible aplicar la redundancia de componentes o sta no soluciona el problema, el

chip es considerado defectuoso y se descarta. Los circuitos no vlidos suelen
marcarse con una pequea gota de tinta en el centro, as como en un archivo que
funciona como mapa de la oblea llamado wafermap donde se clasifican los chips como
vlidos o no. Este archivo es enviado entonces a la zona de ensamblado de chips,
donde solamente toman aquellos circuitos marcados como adecuados.
En algunos casos muy especficos, un chip que pasa solamente algunas de las
pruebas puede ser utilizado igualmente, pero con ciertas limitaciones. El ejemplo ms
comn de ello es un microprocesador en el cual solamente una parte de la cach
integrada funciona. En ese caso, el procesador puede que sea vendido como
componente de bajo coste al contar con menos memoria y por tanto, proporcionar un
menor rendimiento. Por otra parte, una vez que los chips defectuosos han sido
identificados, stos pueden ser empleados por el personal de la cadena de produccin
para pruebas del sistema de ensamblado.
Los contenidos de todos los patrones de prueba y la secuencia en que son
aplicados a un circuito integrado forman parte de lo que se conoce como programa de
prueba.
Una vez empaquetados, los chips sern comprobados de nuevo durante la fase
de prueba del circuito integrado, normalmente con patrones iguales o muy similares a
los anteriores. Por este motivo, puede pensarse que la comprobacin de las obleas
resulta innecesaria y redundante. En realidad no es as, ya que la retirada de los chips
defectuosos supone un importante ahorro al no empaquetar en la siguiente fase
dispositivos defectuosos. Sin embargo, en caso de que las pruebas de las obleas
resulten ms caras que el empaquetado de los dispositivos defectuosos puede
saltarse el primer paso, pasando todos los chips a la fase de ensamblado.
7.3 - Oxidacin
La oxidacin es uno de los procesos bsicos en la fabricacin de circuitos
integrados.
Presenta la desventaja respecto a la deposicin de que hay un consumo del
sustrato. La ventaja es que el xido as generado es mejor calidad.
La forma ms usada es la oxidacin trmica. Para el caso del silicio (Si) la
oxidacin puede ser:
Si + 2 H 2O SiO2 + 2 H 2
Si + O2 SiO2
La primera es la oxidacin hmeda y la segunda oxidacin seca. La oxidacin
hmeda se realiza a travs de vapor agua a una temperatura de 900 C a 1000 C. El
crecimiento es ms rpido pero presenta como desventajas mayores defectos y menor
control sobre la oxidacin. Se suele utilizar para la creacin de xido de Campo
(FOX). La oxidacin seca se realizar con oxgeno puro a una temperatura de 1200 C.
Es un proceso ms lento pero por el contrario produce menos defectos y ofrece un
mayor control sobre el proceso. El xido producido con la oxidacin seca es de mayor
calidad y se suele destinar para el xido de puerta (THINOX).
Las propiedades electrnicas de los xidos formados en seco son superiores a
las de los que se forman por oxidacin hmeda. Se ha demostrado que los xidos
secos tienen menor carga fija de xido, adems de menor densidad de carga atrapada
en la interficie xido-silicio que los xidos hmedos.
Las capas de xido pueden ser usadas como aislante (por ejemplo xido de
puerta de un MOS), para separar dos dispositivos entre s (xido de campo), como
mscara en otros procesos (implantacin, difusin...), para separar dos capas de
materiales conductores, etc.
A las obleas completamente procesadas se les aplica una capa protectora de

vidrio mediante deposicin qumica de vapor (CVD) o mediante bombardeo inico
reactivo. Esta aplicacin final debe hacerse a temperaturas inferiores a las del punto
de fusin de cualquier material utilizado en el procesamiento. El vidrio sirve para
proteger la superficie durante el manejo y corte.
7.4 - Epitaxia
La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricacin de
circuitos integrados. Es un mtodo de crecimiento de cristales en los que los tomos
se depositan sobre un sustrato, de tal modo que forman un monocristal continuo.
Mediante esta tcnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas
en el semiconductor, que son los que definen su carcter (N o P).
El crecimiento epitaxial se realiza en un recipiente denominado reactor, en
donde se colocan las obleas sobre un bloque de grafito (susceptor), el cual se calienta
hasta unos 1200 C. Las obleas se graban mediante alguno de los siguientes
mtodos:
Crecimiento epitaxial en fase vapor (VPE).
Crecimiento epitaxial en fase lquida (LPE).
Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE).
Qumica metalorgnica por deposicin a vapor (MOCVD).
En una operacin tpica, las obleas se colocan en el reactor y se aplica un
chorro de nitrgeno al sistema. Despus se hace pasar un flujo de hidrgeno, La
temperatura se ajusta a 1200 C y
las obleas se graban en HCl en una
proporcin de 1:100. El depsito
comienza con la introduccin del
SiCl4 en una proporcin de 1:800,
con una pequea cantidad de
fosfatina (PH3), diborato (B2H6) o de
un compuesto de arsnico a fin de
determinar la concentracin de
impurezas. La pelcula se deja
crecer durante algunos minutos,
tpicamente hasta grosores de 1 a
10 m.
La epitaxia en fase de vapor
tambin se emplea para desarrollar
capas de silicio sobre sustratos de zafiro, y la epitaxia en fase lquida (LPE) suele
emplearse en la tecnologa del arseniuro de galio.
7.5 - Implantacin de iones

La implantacin de iones es un proceso propio de la ingeniera de materiales
por el cual los iones de un material pueden ser implantados en otro slido, cambiando
por tanto las propiedades fsicas de ste ltimo. La implantacin de iones es utilizada
en la fabricacin de dispositivos semiconductores y en el revestimiento de algunos
metales, as como en diversas aplicaciones orientadas a la investigacin en ciencia de
materiales. Los iones provocan, por una parte cambios qumicos en el objetivo, ya que
pueden ser de un elemento distinto al que lo compone, y por otra un cambio
estructural, puesto que la estructura cristalina del objetivo puede ser daada o incluso
destruida.
Esquema del proceso de implantacin de iones con separador de masas

El equipamiento necesario para la implantacin de iones suele consistir en una
fuente de iones que produce los iones del
elemento deseado, un acelerador donde dichos
iones son electrostticamente acelerados hasta
alcanzar una alta energa, y una cmara donde los
iones impactan contra el objetivo. Cada in suele
ser un tomo aislado, y de esta manera la
cantidad de material que se implanta en el objetivo
es en realidad la integral respecto del tiempo de la
corriente de in. Esta cantidad es conocida como
dosis. Las corrientes suministradas suelen ser
muy pequeas (microamperios), y por esto la
dosis que puede ser implantada en un tiempo
razonable es tambin pequea. Por todo esto, la
implantacin de iones encuentra aplicacin en los casos en que el cambio qumico
necesario es reducido.
Las energas tpicas de in se encuentran en el rango de 10 a 500 keV (1.600 a
80.000 aJ). Tambin pueden utilizarse energas entre 1 y 10 keV (160 a 1.600 aJ),
pero la penetracin de los iones es de apenas unos nanmetros o incluso menos.
Energas inferiores resultaran en un dao prcticamente nulo al objetivo, recibiendo el
nombre de deposicin de haces de iones. Pueden ser utilizadas altas energas
mediante aceleradores capaces de elevar la energa de los iones hasta los 5 MeV
(800.000 aJ), los cuales son bastante comunes. Sin embargo, esto suele provocar un
notable dao estructural al objetivo y adems como la profundidad de distribucin es
importante, el cambio de la composicin neta en un punto cualquiera del objetivo ser
reducido.
La energa de los iones junto con la especie de in y la composicin del
objetivo determinan la profundidad de penetracin de los iones en el slido: Un haz de
iones monoenergtico generalmente tendr una gran profundidad de distribucin. La
penetracin media recibe el nombre de rango inico. Bajo circunstancias tpicas los
rangos oscilan entre los 10 nanmetros y 1 micrmetro. De este modo, la implantacin
de iones es especialmente til en los casos en que se busca que el cambio qumico o
estructural suceda cerca de la superficie del objetivo. Los iones van perdiendo
gradualmente su energa a medida que viajan a travs del slido a causa tanto de las
colisiones ocasionales con los tomos del objetivo (que suponen abruptas
transferencias de energa) como de un suave arrastre provocado por la coincidencia
de orbitales electrnicos (un proceso que sucede continuamente). La prdida de la
energa de in en el objetivo se conoce como parada.
Aplicacin en la fabricacin de dispositivos semiconductores

Dopado
La introduccin de impurezas en un semiconductor es la aplicacin ms comn
de la implantacin de iones. Los iones dopantes de boro, fsforo o arsnico entre otros
suelen proceder de fuentes gaseosas debido a su gran pureza. Una vez implantados
en el semiconductor, cada tomo dopante origina un desplazamiento de carga en el
semiconductor (hueco o electrn, dependiendo de si es un dopante tipo P o tipo N), de
forma que se modifica la conductividad del semiconductor a su alrededor.
Silicon on Insulator
Un importante mtodo para la preparacin de sustratos "Silicon on Insulator"
(SOI) a partir de sustratos convencionales de silicio es el proceso SIMOX (Separacin
por Implantacin de Oxgeno), en el cual un implante con una alta dosis de oxgeno en
su interior es convertido a xido de silicio mediante recocido a altas temperaturas.
Mesotaxia
El trmino mesotaxia se refiere al crecimiento de una fase de igual estructura
cristalina bajo la superficie del cristal semiconductor (comprese con epitaxia, donde
dicha fase aparece en la superficie). En este proceso, los iones son implantados a una
alta energa y dosis para poder crear una capa de una segunda fase, adems de ser
necesario controlar la temperatura para evitar que la estructura cristalina del objetivo
se destruya. La orientacin de la capa puede ser manipulada hasta conseguir que
coincida con la del objetivo, aunque la estructura exacta y el parmetro de red sean
muy diferentes.
7.6 - Difusin
En la fabricacin de circuitos integrados uno de los procesos es la difusin. Era
una tcnica muy empleada en los aos 1970 para definir el tipo (N o P) de un
semiconductor. Hoy en da tambin se usa aunque de forma diferente.
Consiste en la insercin de tomos dopantes dentro del semiconductor debido
a la alta temperatura a que ste es sometido. Con ello se consigue un perfil en la
concentracin de dopantes que disminuye montonamente.
El proceso consiste en introducir las obleas de semiconductor en un horno y
dejar pasar a travs de ellas un gas, el cual contiene las impurezas. La temperatura
del horno es de 800 a 1200 C para el Si (Silicio) y de 600 a 1000 C para el GaAs
(Arseniuro de galio).
Las impurezas que se emplean para el Si son:
P (Fsforo) y As (Arsnico) para crear semiconductores tipo N.
B (Boro) para semiconductores tipo P.
Hay dos tipos de difusin:
Por concentracin constante en superficie: se mantiene constante la
concentracin de impurezas en la superficie del semiconductor y desde ah
son difundidas al interior.
Por concentracin constante total: se deposita la cantidad final de
impurezas en la superficie de la oblea y desde ah se difunden.
7.7 - Fotolitografa
La fotolitografa o litografa
ptica es un proceso empleado en la
fabricacin de dispositivos
semiconductores o circuito integrado.
El proceso consiste en transferir un
patrn desde una fotomscara
(denominada retcula) a la superficie
de una oblea. El silicio, en forma
cristalina, se procesa en la industria en
forma de obleas. Las obleas se
emplean como substrato litogrfico, no
obstante existen otras opciones como
el vidrio, zafiro, e incluso metales. La
fotolitografa (tambin denominada
como "microlitografa" o "nanolitografa") trabaja de manera anloga a la litografa
empleada tradicionalmente en los trabajos de impresin y comparte algunos principios
fundamentales con los procesos fotogrficos.
Procesos de la fotolitografa
Un ciclo tpico de procedimientos en litografa de silicio podra constar de los
siguientes procesos:
Preparacin del sustrato. Se empieza depositando una capa de metal

conductivo de varios nanmetros de grosor sobre el substrato.
Aplicacin de las resinas fotoresistentes. Se aplica sobre la capa metlica
otra capa de resina fotoresistente. Suele ser una sustancia que cambia sus
caractersticas qumicas con la exposicin a la luz (generalmente radiacin
ultravioleta).
Introduccin en el horno (calentamiento ligero). En esta etapa se fijan las
resinas sobre el substrato de silicio.
Exposicin a la luz. Se usa una placa (denominada fotomscara) con reas
opacas y transparentes con el patrn a imprimir. La fotomscara se coloca
interponindose entre la placa preparada y la fuente luminosa, de este
modo, se exponen a la luz, slo unas partes de la fotorresina, mientras que
otras quedan ocultas en la oscuridad. La forma ms simple de exposicin
es una impresin de contacto o de proximidad. Una impresin de contacto
se obtiene colocando la fotomscara en contacto directo con la oblea. En
una impresin de proximidad existe casi siempre un pequeo hueco entre
la fotomscara y la oblea. El patrn de la fotomscara se imprime
directamente sobre la oblea fotoresistente en ambos casos.
La luz que se utiliza tiene una longitud de onda en la
zona ultravioleta (UV) del espectro. Cuanto ms corta la
longitud de onda, mayor la resolucin que se puede
alcanzar, por lo que siempre se han ido buscando fuentes de
luz (lmparas o lseres) con menor longitud de onda.
Inicialmente se utilizaron lmparas de mercurio (Hg), y
posteriormente empezaron a utilizarse lseres de excmero,
con longitudes de onda an ms cortas. Actualmente se
utilizan principalmente los lseres de KrF, con la longitud de
onda de 248nm y ArF, con una longitud de onda de 193nm,
que es lo que se conoce como Ultravioleta profundo (Deep
UV o DUV en ingls).
Desarrollo. En esta fase, la fotoresistencia est preparada para reaccionar
de forma diferente a un ataque qumico, dejando el patrn de la
fotomscara grabado en la placa.
Introduccin en el horno (calentamiento fuerte). Se fijan los cambios que la
impresin ha realizado anteriormente.
Aplicacin del cido ntrico o agua fuerte. Se limpian los restos de las
resinas fotorresistentes, dejando la oblea con las marcas originales de la
fotomscara.
Las salas blancas donde se realizan estas operaciones suelen estar libres de
partculas en suspensin, as como de la exposicin a luces azules o ultravioletas, con
el objeto de evitar tanto la contaminacin del proceso como la exposicin indeseada
de las fotorresinas. El espectro de luz empleado para la iluminacin de los procesos es
de color amarillo, para evitar cualquier tipo de reflejo.
La litografa se emplea en este complejo proceso de elaboracin ya que se
tiene un completo control del tamao y dimensiones de las partes impresas sobre las
obleas de silicio, adems de poder trasladar los patrones de la fotomscara a toda la
superficie de la oblea al mismo tiempo. Una de las principales desventajas, de este
procedimiento, son las necesarias dependencias de un substrato, adems el mtodo
no se puede usar en la generacin de imgenes que no son planas. A este
inconveniente habra que aadir las extremas condiciones de limpieza requeridas
cuando se tratan las obleas. Cuando se elabora un circuito integrado complejo, (por
ejemplo un dispositivo CMOS) la oblea pasa por el ciclo unas cincuenta veces. Para la
elaboracin de un transistor de capa delgada (TFT) el proceso de fotolitografa se
ejecuta unas cuantas veces.
La nanolitografa o litografa a la
escala del nanmetro, se refiere a la
fabricacin de microestructuras con un
tamao de escala que ronda los
nanmetros. Esto implica la existencia de
patrones litografiados en los que, al menos,
una de sus dimensiones longitudinales es
del tamao de tomos individuales y
aproximadamente del orden de 10 nm. La
nanolitografa se usa durante la fabricacin
de circuitos integrados de semiconductores
o sistemas nanoelectromecnicos,
conocidos como Nanoelectromechanical
Systems o NEMS.
La ms corriente de las tcnicas
nanolitogrficas es la litografa
de escritura directa por haces de
electrones (Electron Beam Direct
Write Lithography o EBDW). En
esta tcnica, el uso de un haz de
electrones imprime un patrn,
usualmente sobre una resina de polmero que se opone tal como PMMA.
Litografa del ultravioleta extremo (Extreme Ultraviolet lithography o EUV)
es una variedad de litografa ptica que usa longitudes de onda muy corta,
del orden de 13,5 nm. Es la que se denomina normalmente como tcnica
NGL
Litografa por partculas cargadas, tales como litografas por iones o
proyecciones de electrones (PREVAIL, SCALPEL, LEEPL). Estas tcnicas
son capaces de producir patrones de muy alta resolucin.
Litografa de nanoimpresin (Nanoimprint Lithography o NIL) y sus
variantes, tales como la litografa de impresin por pasos como LISA y
LADI. Estas tcnicas son tecnologas de replicacin de patrones muy
prometedoras. Pueden combinares con la impresin por contacto
Litografa de escaneo por sonda (Scanning Probe Lithographies o SPL)
parece ser una prometedora herramienta para la produccin de patrones en
la escala de los nanmetros. Por ejemplo, los tomos individuales se
pueden manipular usando la punta de un microscopio de efecto tnel
(Scanning Tunneling Microscope o STM). La nanolitografa de descenso de
sonda es la primera tecnologa comercial de tipo SPL disponible basada en
el microscopio de fuerza atmica.
El desarrollo ms evolucionado de la NGL contina con la litografa de
rayos X, que puede llegar a extenderse a resoluciones de 15 nm por el uso
de una reduccin de campo cercano.
7.8 - Deposicin
La deposicin en semiconductores es el proceso por el cual se crea una nueva
capa de un material sobre una oblea de semiconductor. La ventaja de esta tcnica es
que al crear capas nuevas no se afecta mucho a las ya existentes.
Dielctricos
o xidos
o Nitruros
Conductores
o Metales
o Polisilicio
Otros (por ejemplo fotoresina)
El proceso se suele realizar en un horno a alta temperatura y presin
controlada. Por medio de los gases que se introducen en el horno se logra una
reaccin qumica de la que se obtiene el nuevo material.
7.9 - Metalizacin
Es el proceso final de la produccin propiamente dicha del CI. Mediante este,
quedan incorporados los electrodos convenientemente, los cuales hacen de contacto
elctrico entre el metal depositado (Al, Au, Ni) y las regiones activas de la estructura y
dispositivos integrados en el chip. Es un
proceso de deposicin de capa o pelcula
metlica delgada, y se desarrolla en varias
fases.
Existen dos tcnicas bsicas de
metalizacin: deposicin fsica y deposicin
qumica, ambas en fase de vapor. La
primera se basa en la evaporizacin de
material a partir de una fuente (incluye la
evaporizacin en vaco, por calentamiento
Joule, por can electrnico y la
pulverizacin catdica), y la segunda se
basa en la reaccin qumica entre
materiales (incluye las reacciones activadas trmicamente, las enriquecidas con
plasma, las inducidas por fotones y la activada por lser).
Con estas tcnicas se obtienen capas metlicas de espesores entre 0.1 y 1 um
y ancho variable, segn la densidad de integracin y tcnica que se utilice; las
conexiones no tienen resistencias apreciables, debido a pequea longitud de las
mismas, y as mismo, las capacidades que introduce la malla metlica son muy
pequeas.
7.10 - Ensamblado y encapsulado

Las pastillas obtenidas de las obleas mediante el corte de la misma con una
sierra de punta de diamante, las cuales pasaron las pertinentes pruebas y se califican
como no defectuosas, se empalman a presin en un empaque adecuado o sobre una
estructura conductora mediante adhesin eutctica, entendindose esta como la
mezcla de slidos ntimamente conectados, que posee un punto de fusin ms bajo
que el que poseen los compuestos individualmente. El empalme se realiza con una
soldadura de oro-germanio o con resinas epxicas. La intencin es lograr un buen
contacto trmico con la placa pasahilos, as como una fuerte adhesin mecnica. Otro
mtodo de montaje son los de vigas conductoras, las cuales son capas gruesas de
aluminio o titanio, platino y oro que se extienden desde el pozo de la almohadilla de
contacto hasta bien adentro de una ancha marca de corte. Las pastillas de vigas
conductoras se empalman en forma de estrella sobre una estructura o un sustrato
conductor idneo.
Si se emplea un empaque hermtico, la tapa se fija en una atmsfera
controlada de baja humedad. En cajetillas de doble lnea se emplea una tapa cermica
o kovar sujeta con una mezcla de fundicin de vidrio de baja temperatura. Un
empaque de plstico es mucho menos costoso. Adems, la pastilla se recubre con una
laca, y se forma un cuerpo plstico de epoxi o silicn, mediante moldeo por traspaso,
inyeccin o compresin.
7.11 - Testeado
Las piezas terminadas se verifican elctricamente y pueden someterse a una
amplia gama de pruebas, dependiendo de los requisitos del cliente. Algunas de las
pruebas que se realizan con mayor frecuencia son las de quemado, fugas intensas y
leves, almacenamiento a alta temperatura, ciclos de temperatura, choque trmico,
aceleracin, choque mecnico, soldabilidad, integridad de los conductores, ruido por
impacto de partculas, ensayos funcionales, corrientes de fuga, corrientes de
alimentacin, mediciones de retardo, condiciones de carga, niveles lgicos y mrgenes
de ruido. Estas pruebas son valiosas para eliminar fallas tempranas de funcionamiento
o para detectar problemas durante el procesamiento.
8 - Circuito Integrado Tpico
9 - Conclusin
El desarrollo de los circuitos integrados ha revolucionado los campos de las

comunicaciones, la gestin de la informacin y la informtica. Los circuitos integrados
han permitido reducir el tamao de los dispositivos con el consiguiente descenso de
los costes de fabricacin y de mantenimiento de los sistemas. Al mismo tiempo,
ofrecen mayor velocidad y fiabilidad. Los relojes digitales, las computadoras porttiles
y los juegos electrnicos son sistemas basados en microprocesadores.
La investigacin actual dirigida a aumentar la velocidad y capacidad de las
computadoras se centra sobre todo en la mejora de la tecnologa de los circuitos
integrados y en el desarrollo de componentes de conmutacin an ms rpidos. Se
han construido circuitos integrados a gran escala que contienen varios centenares de
miles de componentes en un solo chip. Han llegado a fabricarse computadoras que
alcanzan altsimas velocidades en las cuales los semiconductores son reemplazados
por circuitos superconductores que utilizan las uniones de Josephson y que funcionan
a temperaturas cercanas al cero absoluto.
10 - Bibliografa y fuentes
- Siemens Componentes electrnicos: Descripcin tcnica y caractersticas

para estudiantes MARCOMBO BOIXAREU Editores
- Charles Belove Enciclopedia de la Electrnica, Ingeniera y Tcnica

Editorial OCEANO
- Internet

Circuitos Integrados Final

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Materiales y Dispositivos Electrnicos 1

Un circuito integrado (CI), es una pastilla pequea de material semiconductor,

2 - Clasificacin segn seal de trabajo

Los circuitos se clasifican en dos grandes grupos:

3 - Clasificacin segn Escala de Integracin

Atendiendo al nivel de integracin - nmero de componentes - los circuitos

SSI (Small Scale Integration) pequeo nivel.

4 - Clasificacin segn Familia Lgica

TTL: diseada para una alta velocidad.

4.1 - Familia TTL

4.2 - Familia CMOS

CMOS de alta velocidad (serie 74HCxxx)

4.3 - Familia ECL

5 - Clasificacin segn Forma de Fabricacin

potencia en un mismo conjunto, y su rentabilidad es admisible a partir de un pequeo

6 - Clasificacin segn Tipo de Encapsulamiento

7 - Fabricacin de un Circuito Integrado

7.1 - Elaboracin y diseo de CI

Con la incorporacin de la computadora, que nos permite disponer de

a. Anlisis numrico de materiales y dispositivos semiconductores. Los

que vaya a atravesar el CI. Tambin se puede proceder en sentido

7.2 - Elaboracin de las obleas

boro, fsforo, arsnico o antimonio, el cual es agregado en el proceso de fundicin,

Testeo de las obleas

posible aplicar la redundancia de componentes o sta no soluciona el problema, el

A las obleas completamente procesadas se les aplica una capa protectora de

7.5 - Implantacin de iones

Esquema del proceso de implantacin de iones con separador de masas

Aplicacin en la fabricacin de dispositivos semiconductores

Preparacin del sustrato. Se empieza depositando una capa de metal

7.10 - Ensamblado y encapsulado

8 - Circuito Integrado Tpico

El desarrollo de los circuitos integrados ha revolucionado los campos de las

- Siemens Componentes electrnicos: Descripcin tcnica y caractersticas

- Charles Belove Enciclopedia de la Electrnica, Ingeniera y Tcnica

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