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Ciclo: 2017-I
Componente electrnico: El transistor bipolar
NPN
BIPOLARES
PNP
EFECTO DE
CAMPO
CANAL N (MOSFET-N)
METAL-OXIDO-
SEMICONDUCTOR
CANAL P (MOSFET-P)
- -
+
- - -
+
-
+
+
+
+
+
- - - - - -
+
+
+
+
-
+
- + + - -
-
+ +
-
+
+
+
+
- - - - -
+
-
+
+
-
+
-
+
- - +
+
- - -
+
+
+
P N N + - P
Concentracin
de huecos
Principio de funcionamiento del transistor bipolar
P N N N P
P N P
Principio de funcionamiento del transistor bipolar
P N P
Principio de funcionamiento del transistor bipolar
P N P
Base
Emisor Colector
Transistor PNP
P N P
N P N
Base
Emisor Colector
Transistor NPN
N P N
P N P
Emisor Base Colector
Concentracin de
portadores de carga
P P
pp0 nn0 p'p0
N
Principio de funcionamiento del transistor bipolar
P N P
Emisor Base Colector
E E
Concentracin de
P portadores de carga P
pp0 nn0 p'p0
np0 n'p0
Difusin
E N E
Principio de funcionamiento del transistor bipolar
Conclusiones:
Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN.
Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos
condiciones.
1) La zona de Base debe ser muy estrecha.
2) El emisor debe de estar muy dopado.
Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.
C
N- Descubiertos por
Shockley, Brattain
P N+ y Barden en 1947
(Laboratorios Bell)
B E
Caractersticas elctricas del transistor bipolar
Transistor NPN En principio necesitamos conocer 3
tensiones y 3 corrientes:
IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada
IC, IB, IE
IC
+ + VCE, VBE, VCB
VCB
En la prctica basta con conocer solo
IB - VCE 2 corrientes y 2 tensiones.
+
VBE Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE
IE y VBE.
-
-
Por supuesto las otras dos pueden
obtenerse fcilmente:
IE = IC + I B
IC = f(VCE, IB) Caracterstica de salida VCB = VCE - VBE
Caractersticas elctricas del transistor bipolar
Transistor NPN
IC IB
+
IB VCE
+
VBE VBE
-
-
IB
IB VCE
+
VBE
-
- VCE
h2
Caudal Apertura
h1 - h2
h1
Caractersticas elctricas del transistor bipolar: linealizacin
Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de salida
IB 30 300
+ VCE
20 200
VBE
- 10 100
- 0
Zona de 1 2 VCE (V)
saturacin
Zona de corte
IB Ideal
+ VCE
VBE
-
- VBE
IC IB
-
IB VEC
-
VEB VEB
+ +
IB
IB VEC
-
VEB
+ + VEC
12 V = 100
40 mA
36 W
3A I 3A
12 V
12 V
I 12 V
36 W
IC
Al igual que antes, sustituimos el
interruptor principal por un transistor. 4A IB = 40 mA
La corriente de base (ahora circula al F (ON) 3 A ON
reves) debe ser suficiente para asegurar la
zona de saturacin. OFF
12 V VEC
F (OFF)
Caractersticas elctricas del transistor bipolar
Caractersticas reales (NPN)
Activa Avalancha
Secundaria
IC
IB IB6
I
VCE1 VCE2 CMax
VCE = 0
IB5
IB3
Avalancha
IB2 Primaria
IB1
VBE IB= 0
1V VCEMax VCE
Caracterstica
Corte
de Entrada
Caracterstica
de Salida
Caractersticas elctricas del transistor bipolar
Caractersticas reales: datos proporcionados por los fabricantes
IC
C
IC-MAX Corriente mxima de colector B
ICMAX
VCE-MAX Tensin mxima CE E
PMAX Potencia mxima PMAX
VCE
rea de operacin segura
(Safety Operation Area)
Caractersticas elctricas del transistor bipolar
Estructura del transistor. NPN
Emisor muy dopado. Base muy fina y poco dopada.
Con la unin Base-Emisor polarizada directamente (VBE > V ) los electrones (mayoritarios) alcanzan el
Colector a travs de la Base muy fina. La unin Base-Colector se polariza inversamente, de manera que
ayuda al movimiento de los electrones provenientes del Emisor (minoritarios en una unin p-n
polarizada en inversa).
VBE VBC
Al igual que en los diodos:
- + - +
Emisor
iE iB iC
iE I S (evBE /VT 1)
Base
Colector E B Las corrientes en el transistor:
C
iC iE
N
iB (1 ) iE
N iE iC iB
Huecos iC iE
P i B (1 ) i E (1 )
Electrones iC i B Amplificacin
iC RC
C
iB B C
B
VCC VBB iB iC iB
VBB iE VCC
E
iC i B Amplificacin
Caractersticas elctricas del transistor bipolar
Zonas de funcionamiento
iE
iB VBC iC
B C iE iC Interruptor cerrado
VBE
iE
Luego: - = 0,7v
= 50 A
Al mismo tiempo, la corriente en el colector
ser:
= 4 mA
Y la correspondiente ganancia:
El transistor est en la regin lineal activa, ya que hay ganancia.
Finalmente, el voltaje entre colector y emisor:
= - = 0,7v
= - = 0,4v
ventajas inconvenientes
. Buena impedancia de . No destaca
entrada.
. Realimentacin negativa.
Caractersticas elctricas del transistor bipolar
C
RB iB
B
VBB iE VCC
E
vBE
Caractersticas elctricas del transistor bipolar
(a) (b)
Rpta:
= 9,3 A
= 2,79 mA
= 4,42 v
P = 12,3 mW
(c)
Caractersticas elctricas del transistor bipolar
Polarizacin: Anlisis en CC. (Emisor Comn)
VBB iB RB VBE
V
iB BB
RB Recta de carga a la entrada
VBB
Punto de operacin Q VBE 0 iB
IBQ RB
iB 0 VBE VBB
Solucin
= 1,1 V
= 6,04V
Polarizacin del transistor bipolar (anlisis preciso)
Aproximacin ms cercana
Para obtener un valor ms preciso para la corriente de emisor:
=
+
1 2
Ejemplo
Es el divisor de tensin de la fig. constante? Calcule el valor ms preciso de
la corriente de emisor utilizando la ltima ecuacin del prrafo anterior.
1 2 0,01 R E 1,8 k 2k
= =
1,8 0,7
= 1,09mA
+
1 2 1+
1,8
200
Otras configuraciones de polarizacin (ejemplos)
Ejemplo
Hallar el punto de trabajo del circuito de la fig. Considerar
que VCC = 15 V; RC = 1 kW; RB = 400 kW; = 200 y que
VBE = 0,7 V.
Sol.
Rpta.
IBQ = 27,35A
ICQ =2,735 mA
VCEQ =3,44V
PC = 9,44mW
Otras configuraciones de polarizacin (ejemplos)
Ejemplo Ejemplo
Para la red de polarizacin de emisor Dado que IcQ = 2mA y VBEQ = 10V,
de la figura, determine: IB ,IC,VCE, VC, c, determine R1 y RC para el circuito de
VB ,VBC la figura
Rpta:
IB = 40,1 uA
IC = 2,01 mA
VCE = 13,97 V
VC = 15,98 V
VB = 2,71 V
VBC = -13,27 V
Otras configuraciones de polarizacin (ejemplos)
Ejemplo
Rpta.
Rpta. V0 = 3,05 V
Otras configuraciones de polarizacin (ejemplos)
Ejemplo
El conmutador de la figura sirve para
poner en marcha el motor de continua, a
travs de un rel. La bobina del rel se
activa cuando pasa como mnimo 10mA
por ella, cerrando el interruptor (Relay 1)
en ese caso. (a) calcular el valor mximo
de Rb para que funcione el sistema. (b)
Tensin VCE en ese instante. (c) Si Rb
fuese un potencimetro, cul sera la
mxima corriente que podramos hacer
pasar por la bobina? (d) Calcular la
potencia que estara disipando la bobina
en ese instante.
Datos: R (bobina) = 100 , V1 = 5 V, V2 = 2
V , =100
TOSHIBA
VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20
El fototransistor
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base
desempean el papel de corriente de base
C
El terminal de Base, puede estar presente o no.
DISTINTOS ENCAPSULADOS
El fototransistor
OPTOACOPLADOR
OBJETIVO:
Deteccin de obstculos.
Conclusiones