1

-$1(,52)(9(5(,52
1964

REVISTA
-
ELETRONICA
NDICE

9 AMPLIFICADOR HI-FI A TRANSISTORES

12 MATERIAL SEMICONDUTOR EM CABEOTES REPRODUTORES PARA
FITA MAGNTICA.
17 O AMPLIFICADOR DE F, VDEO
22 A PROVA DE TRANSISTORES COM HMETRO
24 AS FREQUNCIAS DOS CANAIS DE TELEVISO
25 MODULAO EM BANDA LATERAL NICA (SSB)
29 FONTE ESTABILIZADA DE 6 VOLTS.
30 A APLICAO DE ONDAS SNICAS NA INDSTRIA
37 INTERCOMUNICADOR A TRANSISTORES
39 CIRCUITOS BSICOS COM TRANSISTORES.

OS ARTIGOS ASSINADOS
REDAO E ADMINISTRAO: SO OE EXCLUSIVA RES-
PONSABILIDADE OE SEUS
AV. GUILHERME COTCHING, 85 AUTORES
Ter. 937425 - C. Postal 9 127 - So Paulo-Brasil

DIRETOR ADALBERTO MIEHE

VEDADA A REPRODU
REDATOR RESPONSA VEL PROF. NAHOR T. MONTEIRO
O DOS TEXTOS E DAS
REDATOR CHEFE ALFREDO FRANKE ILUSTRAES PUBLICA-
SECRETARIO FAUSTO P. CHERMONT DOS NESTA REVISTA,
CONSULTORES (1*. TOMAS HAJNAL SALVO MEDIANTE AUTO-
ENG. PIERRE J. EHRLICH RIZAO POR ESCRITO
DESENHOS ALCIDES J. PEREIRA DA REOAO.
PUBLICIDADE OSWALDO L. COPPOLA
IMPRESSO ESC. PROFISSIONAIS SALESIANAS

PRO3RIET A RIOS E EDITORES EXEMPLAR AVULSO Cr.S 220,00

NMERO ATRASADO Cr.S 250,00
ETEGIL . EDITRA TECNICO-GRAFICA INDUSTRIAL LTDA. ASSINATURA
AV. GUILHERME COTCHING, 85 TEL . 937425 C. POSTAL 9.127 S . PAULO 6 NMEROS Cr.S 1.200.00
AMPLIFICADOR
H l-FI
A No estgio pr-excitador foi utilizado um
TRANSISTORES
MARC AUBERT
Nos circuitos convencionais de amplifica-
dores transistorizados, vrias limitaes de-
vem ser levadas em considerao, principal-
mente em se tratando de equipamentos de
alta fidelidade . Os transformadores, excita-
dor e de sada, so os componentes de maior
influncia sbre o desempenho do aparelho,
l!mitando a sua dinmica, introduzindo dis-
tores e no permitindo um nvel suficiente pensar uma ligeira instabilidade, que pode
de realimentao negativa. Outra desvanta-
gem que, de um modo geral, o pso e o
volume dos transformadores so muito maio-
res que os de todo o restante dos componentes.
Os circuitos amplificadores de udio sem
transformadores excitador e de sada so ,
evidentemente, de pso muito inferior, permi-
tindo, alm disso, trabalhar com correntes
baixas e tenses mais elevadas, vantagem in-
discutvel no projeto e construo da fonte
de alimentao. Muito mais importante, po-
rm, a melhora na qualidade obtida na re-
produo, graas eliminao dos inconve- terminao simples (single-ended-push-pul!)
nientes acarretados pelos transformadores .
O amplificador que apresentamos neste
artigo, dispensando o uso de transformadores,
foi idealizado para proporcionar uma repro-
duo sonora de alta fidelidade, em monta-
gem bem mais compacta que as normalmente
possveis com circuitos a vlvulas ou mesmo
a transistores.
O circuito (Fig. 1) compe-se de trs
estgios : pr-excitador usando um transistor
AF118, excitador aplicando um par casado
AC127/AC132 e de sada utilizando um par
casado 2-AD139.
JAN./ FEV. 1964
transistor projetado para uso em altas fre-
qncias, tipo AF118, que apresenta, em rela-
o aos tipos especficos para audio-freqn-
cia, baixa capacitncia de realimentao e
baixa condutncia de sada. A baixa capa-
citncia de realimentao de grande impor-
tncia para evitar aparecimento de insta-
bilidade e oscilaes indesejveis, ao passo
que a baixa condutncia de sada um
fatr necessrio obteno de uma curva de
resposta ampla.
A polarizao de base dste estgio
conseguida atravs do resistor R que retorna
massa, e do conjunto R" C" R,., que retorna
aos estgios de sada. Em paralelo com R" R,.
existe um resistor, R,. cuja finalidade pro-
porcionar uma realimentao negativa nste
estgio. O capacitar c,. utilizado para com-
aparecer em freqncias superiores a 15 kHz.
A polarizao de emissor foi realizada de
maneira a permitir o ajuste preciso do valr
apropriado da tenso coletor-emissor v,. 1.:.
ste ajuste necessrio a fim de evitar o
aparecimento de distoro por corte assim-
trico. O resistor varivel R 7 utilizado para
o ajuste do valr ideal da corrente quiescente
do transistor T 1 (AF118l . O estgio excita-
dor 0 composto de dois transistores comple-
mentares NPN-PNP, tipos AC127 e AC132.
A utilizao de um circuito parafase em
com transistores, apresenta diversas vanta-
gens sbre um amplificador parafase con-
vencional.
Em primeiro plano podemos pr a elimi-
nao do transformador de sada que traz
sensvel melhora na faixa de resposta, au-
menta o rendimento e baixa a distoro, alm
de permitir montagem mais leve e compacta.
A utilizao de um estgio excitador com
um par complementar PNP-NPN permite
uma inverso de fase sem utilizar transfor-
mador driver, o que apresenta as mesmas
vantagens que a eliminao do transforma-
dor de sada.
9
 AC132 AD139

c3
22pF
CJ
25~-LF
an
o--{ji---4-----+---=1-...._~-[

FIG. I
Circuito esquemtico do amplificador de alta fidelidade transistorizado. Os valores
dos componentes so:

RESISTORES R,o 68 n c4 100 IJ.F, 16 v

R, 270 kQ R, 10 n C 5 IOO!J.F, 16 v
R, 39 kQ R, 2 68 n C 6 3750 IJ.F, 40 v
R" 4,7 k n RJ .I n
R_, 3,9 kQ RI .', n TRANSISTORES
R ,; I kQ T, AFl/8
Ra 5.6 k n CAPACITORES r. AC/27
R, 500 n c, 25 IJ.F, 25 I' T , ACI32
Rs 1,2 kQ c. 25 iJ.F, 25 I ' T_, ADI39
R, /80 n c" 22 pF T.; ADI39

Alm disso, a tenso de alimentao do O estgio de sada utiliza um par balan-

estgio de sada pode chegar quase ao valr ceado de transistores AD139. Os resistores
mximo da tenso Vc~; permissvel, sem da-
nificar os transistores. Isto no acontece 0.3
num circuito push-pull classe B convencional, --r- .-----

~L
onde esta tenso deve ser mantida abaixo
de um valr correspondente a VcE/2. A uti-
lizao de tenses elevadas faz desaparecer
os principais problemas que surgem em am- -r
plificadores convencionais, relativos s altas !E.
correntes.
Obviamente, o par complementar pode
ser usado no estgio de sada, mas, neste
caso, a potncia de sada mxima conseguida
estaria abaixo de lW. Por essa razo, no nos- FIG. 2
Dimenses da aleta de refrigerao
so caso, foram usados meramente como ex- recomendada para os transistores do
citadores/inversores de fase. estgio excitador.

lO REVISTA ELETRNICA
R 11 e R 12 , empregados para a polarizao das
bases dos transistores de sada T 4 e T 5
(2-AD139), servem simultneamente polari-
zao dos emissores dos transistores do est-
gio excitador, T 2 e T3 (AC127 I AC132).
FIG. 3
Circuito da fonte de alimentao
para o amplificador.
FfG. 4 -f:_.-:
Curva de resposta de fre- -3'--- .
f- -
qncia do amplificador - -
para vrias potncias, at
8W.
o oo
A realimentao negativa dste estgio
limitada pelo capacitar 0 4 ; o valr dessa
realimentao determinado pelo resistor R 8 .
Da juno de R 11 e R 12 so retiradas, a ten-
so de polarizao da base, bem como a reali-
mentao negativa base de T 1 .
Como o circuito dispensa o uso do trans-
formador de sada, o alto-falante (impedn-
JAN./FEV. 1964
cia de 8Q) ligado aos emissores de T 4 e Tr;
atravs de um capacitar, 0 6 .
MONTAGEM
A montagem no apresenta dificuldades
ou partes crticas. Os transistores de sada
devem ser montados sbre chapas de alu-
mnio enegrecido de 3 mm de espessura e
rea de 90 x 90 mm. Os transistores do es-
tgio excitador devem ser montados em ale-
tas de refrigerao (fig. 2) .
A figura 3 mostra o circuito da fonte de
alimentao dste amplificador; pode ser
m
{ 1 w- ----
0,1 w -
0,01 w ----
1000 10000 K>O.OOO
-fiHzl
usado um transformador com seco do n-
cleo de 18 mm x 18 mm, 1200 espiras de fio
esmaltado n.0 29 AWG no primrio e 230 es-
piras de fio esmaltado n .0 19 AWG no se-
cundrio.
Na figura 4 dada a curva de resposta
de freqncia do amplificador para vrias
potncias, at 8W. lllllllll
li
 MATERIAL
SEMICONDUTOR
EM h necessidade de gravar alguma coisa a
velocidade normal e reproduzi-la em baixa
CABEOTES velocidade, para efeito de anlise. Outra
aplicao quando so gravados pulsos de
REPRODUTORES contrle ou referncia, que devem ser dete-
tados e contados a velocidades diferentes e
variveis, mesmo quando a gravao diminui
PARA de velocidade, pra e recomea.
Foram sugeridos vrios mtodos para ca-
FITA MAGNTICA beas que seriam sensveis no variao do
fluxo , mas ao prprio fluxo. Estas cabeas
tm uma resposta intrinsecamente plana at
a freqncia zero, como na fig. 1-(B) . Uma
classe de detetores sensveis ao fluxo basea-
da na idia de interromper ou modular o
fluxo da gravao a uma velocidade bastante
Os cabeotes usados comumente para a alta, dando assim uma taxa de variao de
reproduo de gravaes magnticas so sen- fluxo que pode ser detetada com uma bo-
sveis smente s variaes do fluxo magn- bina. Foram sugeridas aletas movidas por um
tico da fita, e assim tm uma caracterstica motor e varetas vibrteis no ncleo da ca-
bsica importante : quando a freqncia di- bea, mas o resultado pode ser conseguido
minui, a tenso de sada cai proporcional- mais simplesmente pelo princpio do modu-
mente, chegando a zero para freqncia nula. lador magntico, onde o fluxo de sinal
Isto resulta na familiar curva de resposta modulado por meio de enrolamentos auxiliares
de corrente da fig. 1-(A). Para compensar a numa parte saturvel da cabea.
queda em baixas freqncias, os amplificado- Outra classe de detetores utiliza efeitos
res usados com os cabeotes de reproduo co- magneto-eltricos que no a induo eletro-
muns requerem um refro nos graves, de -magntica, incluindo magneto-resistncia,
30 a 40 dB em 30 Hz. Em freqncias efeito Hall, a deflexo de feixes eletrnicos,
ainda mais baixas, atinge-se um ponto em e a (pequena) sensibilidade dos transistores
a um campo magntico.
1 o c---"'
160
iTT
i . Podem ser usados ainda outros efeitos
!---' J magnticos, tais como rotao de feixes de
o
luz polarizada, fras magneto-mecnicas, e
o I
o
1-f.- - r-- ...I mudanas na permeabilidade incremental.
De todos les, o princpio do modulador

tf ti ~'
I I
! i
- magntico provvelmente tem sido o de maior
~ .
o I ---

10
/ii
I i li ' , I sucesso. Entretanto, le tem algumas limita-
o
~
li li I 2 3
11111 1 '2
es: necessrio uma fonte de excitao de
2
20 ' 1
100
2 '
1000 10000 20000 alta freqncia; h rudo de fundo devido ao
-HHzl
efeito Barkhausen; um limite superior da
FIG. I resposta de freqncia inerente estrutura
Resposta em freqiincia (ntio-equalizada) de dois tipos
de cabeas quando reproduzim/c. o mesma gravao do ncleo ferromagntico; e so ainda ne-
de corrente constante. cessrios enrolamentos como nas cabeas con-
vencionais.
que a sada da cabea baixa demais para Os elementos sensveis ao efeito Hall no
ser til, e deve-se encontrar outro mtodo tm as limitaes acima (apesar de terem
para reproduzir a gravao da fita. algumas outras, que lhes so prprias, como
Uma aplicao em que se exige uma res- logo veremos). A possibilidade de baixo custo
posta a freqncia muito baixas quando de fabricao e a resposta de reproduo ine-

I2 REVISTA ELETRNICA
rentemente plana permitiriam eventualmente
que tais cabeas viessem a substituir as con-
vencionais, que at o presente no tiveram
competidores, exceto para usos especiais e Em
instrumentos, onde o preo no era conside-
rao primordial. Conseqentemente, cpsulas
com elementos Hall foram investigadas, ana-
ltica e experimentalmente, para determinar
a possibilidade de ser realizado um projeto
vantajoso.
O EFEITO HALL
A frmula acima corresponde ao racio-
cnio de que a tenso gerada deve ser pro-
porcional intensidade do campo (H).,
densidade de corrente U / LE), e separao
<L) entre os pontos de medida da tenso.
Os materiais condutores comuns tm um
efeito Hall muito pequeno para ser de algu-
ma utilidade na deteco de campos magn-
ticos. Mas, determinados semicondutores pos-
suem coefi~iente de Hall aprecivelmente
maior, tornando prtica a deteco de campos
magnticos de gravaes em fita magntica.

O efeito Hall recebeu ste nome devido CABEOTES DE REPRODUAO

a E . H . Hall, que descobriu em 1879 que le
podia modificar a direo das linhas equipo- Um cabeote reprodutor utilizando o
tenciais num condutor eltrico pela aplicao efeito Hall pode ter a mesma estrutura do
de um campo magntico. ncleo que um cabeote convencional, mas
O efeito Hall ilustrado na fig. 2. Um
condutor de largura L e espessura E per-
corrido por uma corrente I. Na ausncia de
/
~---------------------------------.F"-itfo
7
um campo magntico, um voltmetro V co-
nectado s extremidades opostas de uma mes- Peo POlar
ma linha equipotencial, fornecer leitura zero .
Quando aplicado um campo magntico H
perpendicular aos eixos de tenso e corren-
te, o voltmetro apresenta imediatamente
uma deflexo. A magnitude desta tenso de
Hall
RIH

E
onde R o coeficiente de Hall, caracterstico
do material. FIG. 3
Elementos de uma cabea de efeito Hall com
ahert11ra posterior.
,----1~1----{"- 1:-A---,
em vez do enrolamento, um elemento semi-
condutor colocado onde o fluxo magntico
da fita possa agir sbre le. A fig. 3 mostra
um elemento Hall colocado no entreferro pos-
terior de um par de ncleos em forma de C,
ficando o entreferro (abertura) anterior em
contato com a fita de gravao. H quatro
FIG. 2 terminais dos quais dois recebem excitao
O efeito Hall
por uma corrente contnua de aproximada-
Ten.wo de Hall, V 11 RI H /E mente 50 a 500 miliamperes. Nos outros dois
I = corrente terminais aparece uma tenso de sada que
H == campo magntico depende do fluxo magntico da fita, recolhi-
E espessura do pelo ncleo. Isso vlido mesmo que a
n ==
nmero de
fita no esteja em movimento; neste caso a
portadores
R = coeficiente de Hall v /ne e= carga pe r sada uma tenso contnua de polaridade
p = rel istividade = I I neu portador positiva ou negativa, dependendo da direo
R/p = 11 I=
I 11 mobilidade do fluxo no ncleo.
dos porta- Mas um ncleo convencional no ne-
11 2 000 para o germamo
l dores
cessrio, e na realidade possvel construir
11 30 000 para o antimc.nieto de ndio (/11SB) uma cabea sem ncleo (bem como sem bo-

JAN./ FEV. 1964

bina), como mostra a fig. 4(a). Aqui uma
lmina de material semicondutor montada
de modo que a parte mais estreita pressiona
a fita. O campo da fita age diretamente
sbre o elemento. Na ausncia de bobinas
e ncleos, a resposta em alta freqncia
desta cabea limitada apenas pelo efeito
Hall; e o efeito Hall opera em freqncias
[lemel\loholl
b
FIG. 4
Cabeas de efeito Hall com abertura anterior.
que podem chegar a 10.000 MHz. No exis-
tem efeitos ferromagnticos, tais como no-
-linearidade, histrese, e rudo Barkhausen.
Embora a elegncia de um projeto sem
ncleo possa ter um intersse especial para
matemticos e entusiastas de alta-fidelidade,
a omisso do ncleo age em detrimento do
poder de resoluo e da sensibilidade da ca-
bea. Se no precisamos de tda a resposta
at 10 000 MHz (e provvelmente no preci-
saremos at que os engenheiros mecnicos
nos dem mecanismos de transporte da fita
mais rpidos) poderemos reforar a ao do
elemento com pedaos de ferrite, como na
fig. 4 (b) e ainda alcanar respostas at
aproximadamente 100 MHz. Ou podemos usar
ncleos finos de metal se o limite superior
de frequncia no exceder uns poucos me-
gahertz. Por convenincia, as cabeas acima
so designadas como cabeas de entreferro
anterior ("front gap" heads) .
Cabeas como as da fig. 4, onde o ele-
mento est prximo da fita, tm o problema
de como ligar o terminal face do semicon-
dutor sbre a qual deslisa a fita. Vrios
mtodos foram propostos para fazer essa co-
nexo. Entretanto, a construo e operao
da cabea so grandemente facilitadas se a
ligao for eliminada de todo. Na fig. 5 es-
14
to ilustradas trs maneiras para alcanar
sse fim. Na fig. 5 (a) estabelecido um
ponto equipotencial "fantasma" conectando-
se um dos terminais de sada a um resistor
ligado em lugar do terminal que falta no
semicondutor. Com ste arranjo perdida
crca de metade da tenso de sada. A fig.
5 (b) um elemento com cinco terminais
onde a corrente de excitao circula em di-
rees opostas do centro para cada extre-
midade ; assim os terminais de sada b e d
podem estar ao mesmo potencial quiescente,
mas assumem potenciais opostos quando es-
tiver presente um campo magntico. Os me-
lhores resultados sob o ponto de vista de
sada e baixo rudo foram obtidos com um
elemento em forma de K (fig. 5c).
FATORES PARA UM PROJETO IDEAL
Para cabeas de reproduo estamos in-
teressados em linearidade, sensibilidade e
baixo nvel de rudo. A linearidade prti-
Soido
o
Sai do
b
c
FIG. 5
Circuitos para uso com cabeas de entreferro anterior:
(a) trs terminais com equipotencial "fantasma".
(b) elemento push-pull de cinco terminais.
(c) elemento K de quatro terminais.
camente perfeita, mesmo com os campos mais
fortes encontrados em gravaes magnticas,
como indica a curva experimental da fig. 6.
tpica para elementos Hall.
REVISTA ELETRNICA
 A sensibilidade determinada pela geo- A maior limitao o calor gerado por per-
metria da cabea e do elemento, e pelas pro- das hmicas no circuito de excitao. Os
priedades eletromagnticas do elemento. Vol- elementos semicondutores so sensveis
tando novamente fig. 2 e equao da temperatura, e o nvel da sada ir variar
tenso Hall com o aquecimento da cabea. A corrente
RIH de excitao portanto determinada pela
estabilidade com a temperatura, bem como
VH = ----
pela possibilidade de queima.
E
evidente que devemos procurar um material
cujo coeficiente de Hall (R) fsse o maior
possvel. A experincia indica que isto no
TO "'
suficiente porque a resistividade (p) do ma- I
I
terial tambm importante de duas manei- 50
......
ras: 1) baixa resistividade provoca menor 40

aquecimento e permite o aumento da corren- 30

te (1) de excitao; e 2) menor resistividade I
20
'\
significa que a tenso de sada pode ser I \
10
aplicada a uma carga de menor impedncia. Nl...el de 1uido I
Um bom ndice de mrito eletromagntico a o20 100 5 1000 2 5 '10000 zoooo
-l="ttQUiiiC IO QIOYO,iO/OtCif"od1,160(Hz)
mobilidade, que o coeficiente de Hall divi-
dido pela resistividade. FIG. 7
Caractersticas de resposta no-equalizada de uma
R cabea experimental de efeito Hall.
mobilidade = fi.
p O campo (H) resultante de qualquer
O germnio tem uma mobilidade de apro- fluxo da fita que possa ser canalizado atravs
ximadamente 2000, enquanto que a mobilidade do elemento Hall. Uma fita da largura de
do antimonieto de ndio aproximadamente um quarto de polegada, na saturao, pode
proporcionar crca de 1/2 Maxwell; mas para
comprimentos de onda, intensidades e lar-
v guras da trilha normalmente gravados, uma
5

2
v estimativa realista seria um at dez por cento
dsse total. Fugas e perdas no ncleo redu-
zem isto ainda mais, de modo que o elemento
1/ opera em nveis muito baixos. Um projeto
5

2
v magntico eficiente mais importante em
cabeas de efeito Hall que nos tipos comuns
lO
11'
/ porque as baixas tenses de sada, que so
5
v uma frao de milivolt, no permitem mar-
gem de segurana. As fugas e prdas de aco-
2
I
v plamento devem ser reduzidas ao mnimo.
o, / A espessura (E) aparece no denominador
5/
da equao da tenso de Hall, e assim deve
O,2
ser a mnima possvel. A reduo da espes-
0I
'1 2 5 10 2 5 100 2 510002 510000 sura da lmina de Hall tambm melhora a
- Compo magntico (oersteds)
eficincia magntica pela reduo da relutn-
FIG. 6 cia do circuito magntico. Estas vantagens
Variao de sada com o campo para um elemento
Hall de germnio. so compensadas por uma seo transversal
menor do elemento e conseqentemente, maior
30 000. Experincias com cabeas usando sses resistncia hmica, de modo que a corrente
semicondutores confirmaram que o antimo- de excitao deve ser reduzida. Desde que
nieto de ndio superior. o aquecimento varia com 12, a corrente pre-
A corrente de excitao (1) ser normal- cisa ser reduzida somente em proporo
mente fixada no mais alto valor possvel, que raiz quadrada da maior resistncia hmica,
ainda oferea segurana, uma vez que a e h vantagem global no uso de elementos
tenso de sada aumenta proporcionalmente. delgados.

JAN ./ FEV. 1964 15

APLICAES
As cabeas magnticas empregando o efei-
to Hall so a forma mais simples de detetor
para reproduzir informaes em baixa fre-
qncia de fitas em baixa velocidade. Isto
vantajoso na anlise de informaes, sis-
temas de contrle, e instrumentao.
A sada da cpsula um sinal anlogo
do fluxo magntico registrado. Assim, formas
de onda complexas podem ser reproduzidas e
observadas sem distoro de fase.
A sensibilidade esttica a reas magne-
tizadas muito pequenas, da ordem das di-
m enses da abertura, faz da cabea Hall
uma ferramenta til no estudo do prprio
processo de gravao.
As limitaes de alta freqncia e no-
-linearidade do ncleo ferromagntico e cons-
truo da bobina podem ser evitadas por
certos projetos de cabeas Hall.
As cpsulas de efeito Hall so tambm
teis para usos gerais como por exemplo re-
produo de udio de alta fidelidade ; mas
sua aplicao nesse campo depende do as-
pecto econmico de sua produo, e relativa
vantagem nos circuitos, se comparada com
as cabeas atuais. 1!11!11!1

IDIAS
PRTICAS

-t- o------IIII-IM----41"., T

Aparelhos transistorizados so muito sensveis inver-

so da polaridade da tenso alimentadora. Para evitar
danos quando acidentalmente feita uma inverso, basta
usar o arranjo da figura (em cima) . Caso se queira um
alarma, usado o arranjo da figura de baixo. O diodo
usado pode ser do tipo BY 100 ou semelhante.

IMAGEM DE TV EM OSCILOSCPIO nexo de grade da vlvula de salda horizon-

Freqentemente, na reparao de televi-
sores, vantajoso substituir o cinescpio por
um osciloscpio. A maneira de realizar essa
substituio simples ( necessrio possuir-se
um osciloscpio com modulao de feixe-
eixo Zl:
- A entrada vertical do osciloscpio li-
gada ao anodo da vlvula de sada vertical.
- A entrada horizontal ligada sada
do oscilador horizontal do receptor TV (co-
tal) .
- A entrada do eixo Z ligada grade
ou ao catodo do cinescpio, dependendo se o
receptor emprega modulao por grade ou
catodo .
- A massa do osciloscpio ligada do
televisor e o contrlle de freqncia horizontal
colocado na posio "externo".
Observao : ao desligar o receptor de TV,
necessrio antes reduzir a intensidade do
teixe do osciloscpio ao mnimo.

16 REVISTA ELETRNICA
o
AMPLIFICADOR
DE FI
, capacitncias em um estgio amplificador
VIDE O
o amplificador de FI de um receptor de
televiso deve amplificar corretamente o si-
nal de vdeo, modulado em AM at as
mais altas freqncias de modulao, isto , sistncia de ressonncia do circuito, ou seja
de 4 MHz. Isto significa que o amplificador
de FI deve ter uma curva de resposta com
largura de faixa da ordem de 4 MHz. Esta
largura de faixa pode ser comparada com
a amplitude total da curva de sintonia da
faixa de ondas mdias de 1 MHz (500 kHz -
1500 kHz), na recepo de rdio AM. Se a
curva de resposta fsse formada por um ni-
co circuito, teria o aspecto da curva apre-
sentada na fig. 1.
0.7
" de carga para a vlvula amplificadora de FI.
FIG. I
Desde que a largura de faixa B em um
circuito ressonante derivada da relao en-
tre a freqncia ressonante e o fator de m-
rito do circuito, torna-se fcil avaliar as
qualidades requeridas.
Suponhamos uma freqnc!a ressonante
(meio da faixa) de 43 MHz. Obtm-se, en-
to, o valr de Q =
f, 43
= 10,8
B 4
A fim de se conseguir maior amplifica-
o possvel em cada estgio considera-se
como capacitncia do circuito smente a ca-
JAN./FEV. 1964
pacitncia de fiao e a capacitncia da vl-
vula (grande relao L/C) . O valor destas
normal atinge aproximadamente 15 pF. Com
43 MHz a impedncia ser :
<UC
250 ohms
6,28 X 43 X 106 X 15 X 10-12
Ento, pode-se determinar tambm a re-
Rres= Q.R0 =
10,8 X 250 ohms 2,7 kilohms. =
Em vista do fator de mrito real do circuito
- e, portanto, em vista da resistncia de
ressonncia do circuito de sintonia ser subs-
tancialmente maior, a resistncia de resso-
nncia deve ser diminuda para 2,7 k!), de-
vendo-se para isto, empregar um resistor de
amortecimento adicional. Cada circuito res-
sonante no amplificador de FI do receptor
tem, portanto, um resistor de amortecimento
adicional.
Pode-se agora determinar a estrutura
fundamental de um estgio amplificador de
FI. A fig. 2 mostra que o circuito ressonante
formado pela indutncia L e pelas capa-
citncias de fiao e da vlvula, represen-
tadas por C8 , enquanto a qualidade correta
do circuito, e consequentemente, a largura
de faixa requerida so determinadas pelo re-
sistor de amortecimento R. A resistncia de
2,7 K do circuito proporciona a resistncia
Se supormos um ganho real de 5 mA/ V para
a vlvula amplificadora de FI, obtemos um
fator de amplificao de:
g1 = S.Rn =
5 X 10-a X 2,7 X l()S 13,5 vzes, =
no estgio amplificador de FI.
I
I
oJ..
ics
I
+
FIG. 2
17
 Um receptor de televiso moderno deve
apresentar um ganho igual a 10 000 vzes na
amplificao total de FI, a fim de se obter
uma certa estabilidade e segurana contra
interferncia, mesmo com os menores si-
nais de entrada. Deve-se, portanto, ligar 4
estgios amplificadores de FI iguais, cada um
com amplificao da ordem de 10 vzes. In-
felizmente ao fazer isto, estreita-se a faixa
considervelmente e consequentemente pro-
voca-se uma perda na largura de faixa total.
O diagrama simplificado da figura 3 ilustra
o que acima citamos. Dois estgios com um
circuito ressonante de largura de faixa igual
a 4 MHz cada, so ligados em srie. Como
consequncia disto os estgios de amplificao
so multiplicados um pelo outro. Podemos,
portanto, multiplicar as curvas de resposta
uma pela outra pois estas representam a am-
plificao dos estgios com respeito fre-
qncia.
Cada um dos dois circuitos tem uma lar-
gura de faixa de 4 MHz e as curvas de res-
posta apresentam uma queda nos limites da
faixa (pontos onde o ganho cal a 0,7 vez o
valr mximo) - veja figura 3.
Dois estgios ligados em srie, portanto,
apresentam uma queda de amplificao de
0,7 x 0,7 "" 0,5 vez nos mesmos limites da
faixa (B =
4 MHzl. o mesmo se aplica aos
valores localizados entre os dois acima cal-
culados.
Dstes valres obtemos a curva de res-
posta Indicada pela linha Interrompida (fig.
3), com a largura de faixa correspondente
1 -----------
/': '\
I 1
I
I
I
'
'
0.1 --~---~
L.-----!.!.-... \I
o.s ------- -1-r--t- -~'
I
,' : : :\
/ I
,,
FIG. 3
B' (queda 0,7 vez) que, agora, tem somente
cerca de 3 MHz. Se quatro estgios forem
ligados em srie, evidente que a largura
de faixa total de todos os estgios torna-se
considervelmente menor.
18
Entretanto, uma vez que se requer uma
largura de faixa total de 4 MHz no ampli-
ficador de FI, necessrio tornar a largura
de faixa substancialmente maior em cada
circuito individualmente. Uma largura de
faixa maior em cada circuito, entretanto, re-
quer uma resistncia de amortecimento me-
nor e, conseqentemente, menos amplificao
em cada estgio. A fim de se conseguir a
FIG. 4
amplificao total necessria, deve-se nova-
mente usar mais do que quatro estgios de
amplificao. Isto, entretanto, estreita ainda
mais a largura de faixa e, desde que as duas
influncias mencionadas acima so interde-
pendentes, quase impossvel construir um
amplificador de FI, em ligao srie, com
circuitos perfeitamente sintonizados em cada
estgio, sem grande dispndio de esfro e
dinheiro.
Por esta razo, aplica-se o princpio de
"sintonia escalonada" no amplificador de FI.
As freqnclas ressonantes de cada um dos
circuitos so escalonadas atravs de tda a
gama de resposta.
Portanto, cada circuito tem uma freqn-
cia ressonante diferente e, similarmente, sua
largura de faixa depende da posio da fre-
qncia ressonante na curva de resposta.
\
\
\ Sintonizando-se cada um dos circuitos para
as freqncias ressonantes e larguras de fai-
xa corretas, pode-se obter uma largura de fai-
xa total de 4 MHz, com uma amplificao
I \ mdia de 10 vzes para cada estgio, inde-
\ pendentemente do nmero de estgios. A
fig. 4 apresenta o aspecto bsico das curvas
_, de um amplificador sintonizado pelo princ
pio de escalonamento.
Naturalmente, baseando-se nestas curvas,
possvel construir um amplificador de FI
que possua filtros de banda passante ao invs
de circuitos simples.
A curva de resposta de FI em receptores
que funcionam no sistema interportadoras,
REVISTA ELETRNICA
 2R.
40 40
I I I
dB
dB I I
t c- - Curva de resposta t - t--
l.;urvo de resposta
s22 (45, 75 MHzl
- - s 19 (41,25 MHzl
S1e (42,0 MHzl
- t-- 5 23 (44,0 MHz)
30 - - 30

20 20
I
J I
/ I
17 I
10 I lO 1\ I
\ /
\ / _\
\ / I

41
\
42
/ 1 - - .........
43 44 45
/
46 47 41
" 42
r---.
..........
43 44
./
45
I
46 47
-MHz ~MHz

40 40
I I I
dB
dB I I I
t t- t--
Curvo de resposta
s25/S27 (43,5 MHzl
t r- 1--- Total
Curva de resposta

~ t-- s2e/S29 (43,0MHzl

30 ~ t-- 30
S32/S33 (43,0MHzl

I
I I
20 20 I I
I I
I I
I I
7 I li
10 ~ 10
I
I I
I I I
\ I I
~ I
\, /
41 42 43 44 45
/
46
-MHz
47

FIG. 5
41 42
" 43 44 45 46
~MHz
47

nas proximidades da portadora de som do inversa, a interferncia de modulao de am-

canal sintonizado, apresenta uma queda gra- plitude muito grande da portadora de vdeo
dual em forma de degrau. Esta queda se ve- na freqncia interportadoras resultante, ou
rifica entre alturas de 5 a 8% em relao seja, 4,5 MHz.
ao meio da faixa, evitando a influncia da Na descrio do circuito, que faremos a
portadora de som na de vdeo e, de forma seguir, encontraremos, portanto, os cinco cir-

JAN./ FEV. 1964 19

cultos ressonantes do amplificador de FI de
quatro estgios. A portadora de som do canal
sintonizado tem um circuito de absoro.
DESCRIAO DO CIRCUITO
O amplificador de FI de quatro estgios
consiste das vlvulas B8, B9, B10 e Bll, com
os cinco filtros de banda passante correspon-
"'
----~~---~r-~--I
j;o+-Cs
S23 Rsg7
I fiao c. + C8 , sendo R67 a resistncia de
FIG. 6
dentes, ou seja, 818-819, 822-823, 826-827,
828-829, e 832-833. J!:stes cinco filtros de
banda passante determinam a forma comple-
ta da curva de resposta, por meio das res-
pectivas freqncias de sintonia e pelas lar-
guras de faixa de cada circuito; a incluso
de filtros de onda aplicados nos limites da
faixa tem uma influncia decisiva sbre o
aumento da inclinao da curva de resposta.
Os quatro estgios da fig. 5 apresentam a
constituio da curva de resposta total dos
filtros de banda passante montados em srie.
Os cinco filtros de banda passante no
tm capacitncias paralelas adicionais; assim
pode-se conseguir a relao L/ C mais favo-
rvel e, conseqentemente, a mais alta am-
plificao. 8mente as capacitncias da vl-
vula e da fiao agem como capacitncia do
circuito. A capacitncia de anodo da vlvula
precedente decisiva para o circuito do pri-
+ +
20
mano do filtro e a capacitncia de grade da
vlvula seguinte, para o circuito do secund-
rio, com as respectivas capacitncias de
fiao.
O valr destas capacitncias de 10 a
15 pF para cada circuito. Cada circuito
provido de uma resistncia de amortecimento
separada, a fim de se obter as larguras de
faixa necessrias.
A fig. 6 apresenta a disposio bsica do
filtro de banda passante 822-823. O circuito
do primrio formado pela bobina 822, com
a capacitncia de anodo e capacitncia de
amortecimento requerida. O circuito do se-
cundrio, que acoplado indutivamente ao
--,
..1..
____Teq
"'
FIG. 7
circuito do primrio, consiste da bobina 823,
das capacitncias de grade e de fiao Cg +
c. e da resistncia de amortecimento R69.
A poro da curva de resposta que re-
presenta o som no sistema de interportadoras
formada pela combinao C73-819/C74;
819/C74 tem caractersticas indutivas com
respeito portadora FI de som de 41,25 MHz
e juntamente com C73 forma um circuito de
absoro para esta freqncia. A atenuao
"o
,-t--t---;
S32 :is~~~.~
33
Ceg
de vdeo
Ro c90
+
FIG. 8
REVISTA ELETRNICA
em relao ao meio da curva de resposta de
FI aproximadamente 20 vzes.
Com uma tenso de C A G e com o au-
xlio da primeira vlvula de contrle de FI,
B8, a tenso de sada mantida constante,
independente da tenso de entrada. Desde
que a capacitncia de entrada da vlvula c.,
dependendo do potencial de contrle, altera-
se em 2 ou 3 pF, aplica-se um resistor de
68 ohms no desacoplado ao catado da vl-
vula de FI sob contrle, B8 (fig. 7) .
Se a carga capacitiva do circuito resso-
nante deve ser constante na grade da vl-
vula de FI sob contrle, a corrente de gra-
de r.-, bem como, a tenso alternada de
grade v. - devem igualmente ser constantes.
Consegue-se isto calculando-se o resistor de
catado no desacoplado, R0 , de tal forma que,
com um aumento do potencial negativo de
contrle, (ganho menor) por exemplo, a di-
minuio da tenso alternada de catado Vc-
LEMBRE-SE :
Revista Eletrnica distribuda somente atravs de assinaturas.
Envie seu pedido sem demora, a:
ETEGIL - Editra Tcnico-Grfica Industrial Ltda.
Caixa Postal 9127
SO PAULO - BRASIL
JAN. / FEV. 1964
esteja em equilibrio com a atenuao da ca-
pacitncia de entrada da vlvula Cg. A queda
na tenso alternada de catodo Vc- propor-
ciona a tenso de contrle Vs t Esta tenso
aumenta em tal proporo que a corrente
alternada de grade r.- seja constante, ape-
sar de a capacitncia de grade Cg mudar
com a tenso de CAG. Com um resistor de
catado no desacoplado, de 68 ohms, a vl-
vula B8 mantm quase constante e uniforme
a carga do circuito de grade, sbre a ex-
tenso da faixa de contrle.
A fig. 8 apresenta o circuito completo de
um amplificador de FI de quatro estgios.
Os filtros ou elementos desacopladores no
circuito so assinalados por C0 ou R0 , res-
pectivamente. No ltimo estgio amplificador
de FI, Bll, o supressor de interferncia 831
acoplado ao circuito ressonante 832 por
meio de R80, enquanto o dodo detetor de
vdeo ligado ao circuito do secundrio 833.
21
A
PROVA
Um critrio muito adequado para o jul-
DE gamento de um transistor fornecido pelas
correntes de fuga. So uma consequncia da
TRANSISTORES resistncia inversa no ideal dos diodos. Nesta
prova, necessrio que o transistor esteja
COM temperatura ambiente, pois, as correntes de
fuga variam fortemente com a temperatura.
"
OH METRO Um transistor apresenta quatro tipos di-
ferentes de corrente de fuga de coletor :
IcEo para a base aberta, leso para emissor
aberto, Ic.,1, para curto-circuito entre base e
emissor, IcER quando h um resistor entre
coletor e emissor. Tdas essas correntes po-
Ao se trabalhar com transistores, mui- dem ser medidas com bastante preciso,
usando-se um pequeno circuito auxiliar, de
tas vzes conveniente uma verificao rpida fcil montagem (V. fig. 1).
e fcil de seu funcionamento correto. Isto
de particular importncia para os amadores,
que normalmente fazem suas experincias
-9V
utilizando transistores retirados da "sucata"
e que no dispem de meios para a aquisi-
o de um provador para fazer a verificao
mais elaborada.
Um hmetro permite apenas uma verifi-
cao aproximada do funcionamento das
junes do transistor. :a:sse processo mais
seguro no exame individual dos diodos cons-
tituintes do transistor, para a constatao de
... ~----------------~+
Bu1
interrupo ou curto-circuito.
FIG. I
Para constatar interrupo, basta ligar o Circuito bsico para o teste de
plo negativo do hmetro base do transis- transistores PNP por meio de um
tor, ligando a seguir, alternadamente, o outro multmetro. As medidas efetuadas
para as vrias posies de S 1 so
plo ao coletor e emissor. se a resistncia
relacionadas na Tabela I. Nas po-
indicada fr inferior a 1 kQ, no h inter- sies 1, 2 e 4 usada a bucha
rupo dos dois diodos. Bu 2 e na posio 3, a bucha Bu I
Para o teste de conduo inversa, pro-
TABELA I
cede-se de maneira inversa, isto , liga-se o
plo positivo base e o negativo, alternada-
mente ao coletor e emissor. A indicao do POSIAO DE S 1 MEDIAO
hmetro deve ser superior a 5 k(.l; caso con-
trrio, as junes do transistor esto com 1 I('Eit
defeito. A nica exceo so os transistores
de avalanche ("drift"), cujo diodo emissor- 2 IcEo
-base tem resistncia muito baixa. Possuem
tambm uma tenso de ruptura do emissor 3 Icno
muito baixa, da ordem de 0,7 - 2 V. Porm,
a limitao da corrente pelo hmetro impede 4 lcct
que uma sobrecarga danifique o transistor.

22 REVISTA ELETRNICA
 Em sene com o coletor do transistor em
prova, colocado um resistor de proteo e
o multmetro M. Como as correntes de fuga
so em geral bastante diminutas, da ordem
de 1 a 10 !J.A, o multmetro deve possuir uma
9V
FIG. 2
Circuito aperfeioado, permitindo faz er todos os
testes com a bateria ligada s mesmas buchas e a
escolha do tipo de medio feita pela chave
S 1 ; S 2 permite testar, com o mesmo arranjo, transis-
tores NPN ou PNP. As posies de S 1 correspondem
tambm Tabela I
escala bastante sensvel, por exemplo com
30 JLA de deflexo total. O plo positivo da
bateria ser ligado, atravs da bucha Bu 1 e
da posio 3 da chave Sp base do transis-
tor, para a medio de Icno ou ento, atravs
da bucha Bu 2, ao emissor. A tabela I d
as indicaes necessrias para a medio.
A base fica sem ligao na posio 1 da
chave Sp na posio 2 fica ligada ao emissor
atravs de R. e. na posio 4 diretamente ao
plo positivo" (Bu 2). O circuito da fig. 1
pode ser utilizado para transistores PNP;
para transistores NPN necessrio inverter
os plos da bateria.
Pode-se aperfeioar o circuito, substituin-
do a chave S 1 por um tipo de 2 plos (ao
invs de 1) e 4 posies, e colocando uma
chave adicional, de 4 plos 2 posies, para
a inverso da bateria e do medidor (fig. 2).
O conjunto todo pode ser montado sbre
uma pequena placa de material Isolante. Con-
vm usar um soquete especial para transis-
tores, a fim de facilitar a colocao e retirada
dstes do circuito. 1:11:11:1

IDIAS PRTICAS

Rebarba.s de furos feitos em chapas de ferro, alumnio,

lato ou outro material usado para fazer chassis podem ser
retirados com a ferramenta simples mostrada no clich: um
pedao de tubo de ao, de dimetro apropriado e com um re-
corte em "V".

Um mtodo "elegante" para cortar os da lmina de serra ao ponto onde se deseja

eixos de potencimetros ou outros contrles cortar. A rebarba ficar assm no centro e o
emprega uma mquina eltrica de furar.
Prende-se o eixo no mandril e, colocando o corte mais limpo. Naturalmente, sse mtodo
motor em funcionamento, apoia-se os dentes no funciona com eixos chanfrados.

JAN. / FEV. 1964 23

AS
.. "
FREQUEN CIAS Canal N . 0 Faixa de Freq. Port. V deo Port . Audio

MHz MHz MHz

DOS 33 584 - 590 585,25 589,75
34 590 - 596 591,25 595,75
CANAIS 35 596 - 602 597,25 601,75
36 602 - 608 603,25 607,75
DE TV 37
38
608 - 614
614 - 620
609,25
615,25
513,75
619,75
39 620 - 626 621,25 625,75
40 626 - 632 627,25 631,75
41 632 - 638 633,75 637,75
42 638 - 644 639,25 643,75
43 644 - 650 645,25 649,75
44 650 - 656 651,25 655,75
VHF
45 656 - 662 657,25 661 ,75
Canal N .0 Faixa de Freq . Po rt. Vdeo Port . udio
667,75
46 662 - 668 663,25
MHz MHz MHz 47 668 - 674 669,25 673,75
48 674 - 680 675,25 679,75
2 54- 60 55,25 59,75
61,25 65,75 49 680 - 686 681,25 685,75
3 60- 66
67,25 71,75 50 686 - 692 687,25 691,75
4 66- 72
81,75 51 692- 698 693,25 697,75
5 76- 82 77,25
52 698 - 704 699,25 703,75
6 82- 88 83,25 87,75
53 704- 710 705,25 709,75
7 174 - 180 175,25 179,75
181,25 185,75 54 710- 716 711,25 715,75
8 180 - 186
55 716- 722 717,25 721,75
9 186 - 192 187,25 191,75
197,75 56 722 - 728 723,25 727,75
10 192 - 198 193,25
57 728- 734 729,25 733,75
11 198 - 204 199,25 203,75
58 734 - 740 735,25 739,75
12 204- 210 205,25 209,75
59 740- 746 741 ,25 745,75
13 210 - 216 211,25 215,75
60 746 - 752 747,25 751 ,75
61 752 - 758 753,25 757,75
UHF
62 758 - 764 759,25 763,75
Canal N. 0 Faixa de Freq. Po rt . Video P ort. udio
63 764 - 770 765,25 769,75
MHz MHz MHz 64 770- 776 771 ,25 775,75
14 470 - 476 471,25 475,75 65 776- 782 777,25 781 ,75
15 476 - 482 477,25 481,75 66 782 - 788 783,25 787,75
16 482 - 488 483,25 487,75 67 788 - 794 789,25 793,75
17 488 - 494 489,25 493,75 68 794 - 800 795,25 799,75
18 494 - 500 495,25 499,75 69 800 - 806 801,25 805,75
19 500 - 506 501 ,25 505,75 70 806 - 812 807,25 811,75
20 506 - 512 507,25 511,75 71 812 - 818 813,25 817,75
21 512 - 518 513,25 517,75 72 818 - 824 819,25 823,75
22 518 - 524 519,25 523,75 73 824 - 830 825,25 829,75
23 524 - 530 525,25 529,75 74 830 - 836 831 ,25 835,75
24 530- 536 531,25 535,75 75 836 - 842 837,25 841 ,75
25 536 - 542 537,25 541,75 76 842 - 848 843,25 847,75
26 542 - 548 543,25 547,75 77 848 - 854 849,25 853,75
27 548 - 554 549,25 553,75 78 854 - 860 855,25 859,75
28 554 - 560 555,25 559,75 79 860 - 866 861,25 865,75
29 560 - 566 561,25 565,75 80 866- 872 867,25 871,75
30 566- 572 567,25 571,75 81 872 - 878 873,25 877,75
31 572 - 578 573,25 577,75 82 878 - 884 879,25 883,75
32 578 - 584 579,25 583,75 83 884 - 890 885,25 889,75

24 REVISTA ELETRNICA
MODULAO
EM
BANDA
LATERAL
,
UNICA
(SSB)
Os rdio-amadores tm sua disposio
uma faixa de fonia relativamente estreita.
Portanto, tratam de us-la to racionalmente
quanto possvel. Um dos meios existentes
para melhor se aproveitar as faixas de trans-
misso disponveis a modulao em banda
lateral nica ("single sideband") .
O objetivo dste artigo proporcionar aos
amadores de radiodifuso que ainda desco-
nhecem os princpios do "SSB", uma anlise
resumida a respeito dste sistema de modu-
lao. Para que se entenda melhor o prin-
cpio do SSB, deve-se compar-lo com a
modulao em amplitude, comumente empre-
gada. Analisando o espectro de freqncias
da transmisso pelo sistema AM, verifica-se
que uma onda portadora continuamente
transmitida. Se o transmissor fr modulado,
aparecero duas bandas laterais, que sero
simtricas com respeito onda portadora
(veja Fig. 1).
Portodoro Fc +3KHz
FIG. I
A largura de faixa, dentro da qual um
transmissor de AM opera, depende do sinal
de baixa freqncia a ser transmitido. Nas
faixas destinadas aos amadores, os sinais de
baixa freqncia transmitidos raramente ui-
JAN./ FEV. 1964
trapassam 3 kHz; portanto, a largura de
faixa requerida de 6 kHz.
Como a onda portadora no transmite
qualquer informao, sendo usada somente
como meio de transporte do sinal de baixa
freqncia, poder ser suprimida no trans-
missor, desde que seja reintroduzida artifi-
cialmente no receptor. Neste ltimo, um os-
cilador local pode se encarregar de reintro-
duzir a onda portadora suprimida no trans-
missor, contanto que seja projetado para
operar na ;nesma freqncia desta. Isto
necessrio para recuperar o nmero correto
de oscilaes de baixa freqncia aps o cir-
cuito detetor do receptor.
l!;ste mtodo de transmisso resulta em
considervel aumento de eficincia, pois a
energia que seria consumida pela onda por-
IIR2
FIG. 2
taciora pode ser utilizada para transmisso
apenas das duas bandas laterais.
A onda portadora pode ser fcilmente
suprimida no transmissor ; no receptor, en-
tretanto, podem surgir dificuldades, pois a
onda portadora adicionada pelo oscilador lo-
cal pode estar fora de fase em relao que-
la suprimida no transmissor. Entretanto, se
uma das bandas laterais for tambm supri-
mida na transmisso, a fase da onda porta-
dora adicionda no ter grande importncia
durante a deteo.
A supresso de uma das bandas laterais
no afeta a modulao a ser transmitida, pois
ambas as bandas so simtricas com respeito
onda portadora, possuindo portanto, cada
uma, a mesma informao. Com isto, o au-
mento de eficincia, com respeito modula-
o AM, torna-se ainda maior. A Fig. 2 mos-
tra o espectro da freqncia resultante da
supresso de uma das bandas laterais.
25
 Para fazermos uma comparao entre as
modulaes AM e SSB, suponhamos que um
sinal de alta freqncia esteja 100% modu-
lado com um sinal de 3 kHz. Observando-se
fls !li
I tamente com uma das bandas laterais, te-
I remos ento a energia total para ser aplicada
/
/r \ I
I "--...._ - --"'
I 1--------~Portodoro
I \
+---- . ____ j_
I I
\ I
\ I
\. I I
n Rl
" "'---.....__I _ __.._. . . , :Oo% /
modulo,o
I empregada. Como a onda portadora no
FIG. 3
o diagrama representativo da modulao AM
(veja Fig. 3) nota-se que a 100% de modu-
lao a amplitude da banda lateral igual
metade da amplitude mxima da onda por-
tadora. A Fig. 4 apresenta o espectro da
freqncia correspondente .
Analisaremos, em primeiro lugar, o
que uma poro percentual de potncia da
onda portadora representa com respeito
potncia das bandas laterais. Se a tenso de
0.5
Fc -3KHz Fc +3KHz
FIG. 4
pico da onda portadora tem valor 1, a tenso
de pico de cada uma das bandas laterais
ter o valor 0,5; se a potncia de pico da
onda portadora fr igual a 1, a potncia de
pico de cada banda lateral deve ser 0,25.
<Wpico proporcional a Vpico2 )* . Segue que a
(*) Potncia da onda PQrtadora : Potncia da primei-
banda lateral : Potncia da segunda banda lateral =
11411211
1:-
4 um mltiplo da amplitude do sinal de baixa
26
potncia da onda portadora igual a 2/3 da
potncia total da alta freqncia; a potn-
cia de cada banda lateral somente 1/6 da
potncia total.
Em outras palavras, um transmissor de
SSB de 100 W funciona to eficientemente
quanto um transmissor de AM de 600 W.
Se a onda portadora for suprimida jun-
em uma nica banda lateral. Desta forma,
a eficincia de potncia aumentada em
mais ou menos 6 vzes. Outra vantagem do
sistema SSB reside no fato de que, em re-
lao ao sistema AM, pode-se operar com
somente metade da largura de faixa. Conse-
qentemente, basta que a largura de faixa
na sada do transmissor seja de 3 kHz.
As interferncias existentes nas proximi-
dades do receptor so reduzidas consider-
velmente, devido pequena largura de faixa
transmitida, impossvel que o sinal de SSB
seja prejudicado por "fading" seletivo. Por
outro lado, um sinal de SSB causa menos in-
terferncias, que os sinais de AM.
D O
11R5
FIG. 5
Em princpio, um transmissor de SSB
deve preencher dois requisitos:
a) Suprimir a onda portadora
b) Suprimir uma das bandas laterais
0,5
Supresso da onda portadora
Existem diversas formas de suprimir a
onda portadora. O circuito mais usado para
ste fim um modulador balanceado <veja
Fig. 5).
A tenso da onda portadora aplicada
simetricamente atravs das duas derivaes
centrais do primeiro transformador, enquanto
a tenso de modulao aplicada ao enrola-
mento prlm11io do mesmo. Deve-se fazer
com que a amplitude da onda portadora seja
REVISTA ELETRNICA
freqncia, ou seja, o fator de modulao
deve ser pequeno. A onda portadora faz os
dois diodos conduzirem ou no, de acrdo
com sua freqncia. Os diodos, prticamente,
desempenham a funo de interruptores. Se
os dois diodos conduzirem, os dois transfor-
madores estaro ligados em srie e somente
a tenso de modulao passar atravs deles.
Se os dois diodos estiverem cortados, a liga-
o entre os dois transformadores estar in-
terrompida. Ento, a tenso de baixa fre-
qncia interrompida de acrdo com a
freqncia da tenso da onda portadora.
FIG. 6
A forma da tenso de sada do modula-
dor <Vm) mostrada na Fig. 6. Durante t 1
os diodos conduzem - durante t~ os diodos
esto cortados. Se esta curva fr analisada
de acrdo com "Fourier", pode-se notar que,
primordialmente, as duas bandas laterais
(f port. + f mod.) e
(f port. - f mod.) esto presentes.
A freqncia da onda portadora no est
mais presente pode-se observar que o modu-
lador perfeitamente simtrico, pois as cor-
rentes da onda portadora nas duas metades
do enrolamento so opostas e iguais entre si.
O mesmo resultado pode ser obtido por meio
de vlvulas (modulador balanceado) . Neste
caso as grades de um circuito "push-pull"
so excitadas em anti-fase enquanto os ano-
dos so ligados em paralelo <veja Fig. 7l.
Com ste circuito, a tenso v, obtida
representa as duas bandas laterais de um
sinal AM, sem qualquer componente da onda
portadora.
Supresso de uma das bandas laterais
Existem dois meios para se efetuar a su-
presso de uma das bandas laterais:
1- Mtodo de filtragem
2- Mtodo de alterao de fase
JAN./ FEV. 1964
H um 3. 0 mtodo, mas ste bastante
complicado, razo pela qual no entraremos
em detalhes a respeito. O mtodo de filtra-
gem o mais simples e, portanto, o mais
empregado. Aqui, o sinal de dupla banda
lateral produzido pelo modulador balanceado
aplicado a um filtro de banda lateral nica.
"ste filtro permite a passagem de uma s
banda lateral.
Verifica-se pela Fig. 1, que ste filtro deve
apresentar uma curva de resposta com um
declive muito bom para desempenhar bem
a sua funo. Atualmente, conhece-se dois
tipos de filtro que apresentam o declive re-
querido, ou seja, o filtro de cristal e o filtro
eletromecnico. Muitos dos filtros eletrome-
cnicos so baseados no assim chamado efeito
magnetostritivo. Entretanto, ste tipo de fil-
tro muito caro e, alm disso, os amadores
no so capazes de constru-lo.
Um bom declive pode ser conseguido tam-
bm com o uso de um filtro de cristal, que
possui a vantagem adicional de ser mais ba-
rato e poder ser eventualmente construdo
pelo amador.
Com o mtodo de alterao de fase
necessrio introduzir uma mudana de fase
de 90.0 na tenso de modulao, atravs de
tda a gama de freqncia de udio, e tam-
o
FIG. 7
bm alterar os sinais de alta freqncia de
90.0 entre si. Isto ocasiona dificuldades na
construo e ajuste dos moduladores. Alm
disso, a supresso da banda lateral de me-
nor eficincia do que com o mtodo de fil-
tragem.
A Fig. 8 apresenta o diagrama em blocos
de um transmissor simples para SSB. A su-
presso da onda portadora efetuada no
modulador M 1 , que um modulador balan-
ceado ou em anel. M 1 alimentado com o
sinal de um oscilador a cristal, proporcionado
27

Oscilador
Cristal
(Baixo frequncia)
x.o.
por XO, que representa a onda portadora, e
ainda com um sinal de baixa freqncia
(modulao). Na sada do modulador, apa-
recem somente as duas bandas laterais. Uma
das bandas laterais suprimida no filtro F
e o sinal da outra combinado com o sinal
de um VFO no estgio misturador M 2 .
O sinal resultante amplificado no es-
tgio de sada. Os estgios de alta freqncia
e de sada no podem provocar distoro, ra-
zo por que s podem ser ligados em classe B
(ou em classe A).
Recepo de um sinal de SSB
Na recepo de um sinal de SSB a onda
portadora suprimida na sada do transmissor
deve ser reintroduzida no receptor. Supo-
nha-se que um transmissor de SSB opere
numa freqncia de 3,6 MHz, isto , a onda
portadora suprimida tem uma freqncia de
3,6 MHz. Se ste transmissor fr modulado
com um sinal de bai:x;a freqncia de 2 kHz,
28
llRB
Oscilador de
Frequncia varivel
(Alta frequncia)
V.F.O.
FIG. M
para operar na banda superior (f port. + 2
kHzl , ser transmitido um sinal de 3,602 MHz.
O receptor sintonizado em 3,602 MHz e
tem uma FI de 470 kHz. Se a freqncia
do oscilador local do receptor for menor que
a freqncia de entrada (3,130 MHz), o sinal
do transmissor excita uma FI de 472 kHz.
Fornecendo o oscilador de batimento uma
freqncia de 470 kHz a combinao desta
freqncia com a de FI (472 kHz) dar lugar
a um sinal-diferena de 2 kHz, correspon-
dente freqncia de modulao.
Ao se trabalhar com SSB devem ser to-
madas tdas as precaues para que, tanto
o transmissor quanto o receptor tenham a
mxima estabilidade de freqncia.
Se as freqncias do transmissor e do
receptor no forem exatamente iguais, ocor-
rer uma mudana total da modulao de
baixa freqncia. Uma mudana de 50 Hz j
resulta em uma distoro aprecivel na qua-
lidade do som. 1:11:11:1
REVISTA ELETRNICA
FONTE
DE ALIMENTAO
ESTABILIZADA
PARA
6 VOLTS SATOSHI YOKOTA
Nas expenencias com circuitos transisto-
rizados importante poder-se contar com
uma tenso de alimentao bastante estvel.
como em geral a rde eltrlca, na maioria
das localidades em nosso pas, est sujeita a
Hutuaes bastante acentuadas, difcil,
sem provises especiais, conseguir a necess-
ria estabilidade. Uma soluo seria o uso de
pilhas, mas nem sempre isto interessante
ou possvel.
Por essa razo, resolvemos publicar, no
presente artigo, a descrio de uma dessas
fontes, capaz de propiciar uma regulao
satisfatria, sem que o tamanho fsse ex-
cessivo. No projeto, foram levadas em conta
variaes da tenso de rde, entre 80 e 130 V,
pois tais variaes so frequentemente en-
contradas nas rdes de distribuio de ener-
gia eltrica em algumas regies de nosso pas.
FIG. 1
Circuito esquemtico completo da fonte de tenso
estabilizada de 6 V .
O circuito utilizado neste projeto capaz
de fornecer tenso de 6V, a uma corrente de
at 200 mA. Foram usados, um total de dois
transistores e um dodo Zener, na parte re-
guladora. A figura 1 evidencia a simplicidade
do circuito.
o dodo zener, do tipo BZZ 10, usado
apenas para fornecer um padro de tenso.
JAN./FEV. 1964
Um aumento da tenso de sada fornecida
pela fonte no regulada, constituda pelo
transformador e pelo retificadorJ acarreta
um aumento na corrente atravs do dodo
Zener e, conseqentemente, um aumento na
queda de tenso atravs do transistor T 2
(OC74}. Portanto, o dodo Zener fornece a
corrente de contrle para T2 e, atravs dste,
para T 1 (0C26 ou ASZ18} . R 1 o resistor de
polarizao para os transistores e o dodo
Zener; seu valr (390 Q} foi escolhido de tal
maneira que, mesmo com a mxima tenso
de rde que possa ser esperada, a corrente
atravs do dlodo Zener nunca possa ultra-
passar o valor mximo permissvel. O valor
de R 2 de 270 Q, e o capacitar C2 de
1000 fJ.F, 10V. .
A fonte de tenso no regulada e cons-
tituda pelo transformador TR e pelo retifi-
cador. Neste, podem ser empregados dois
diodos de silcio do tipo BY 100, que, poden-
do fornecer at 500 mA de corrente retifi-
cada, trabalharo "folgados". O capacitar C1
de 650 !J.F, 16 V.
O transformador de fora <TR} possue
seco do ncleo de 1!2" x 1/2" 02 x 12 mm)
c<>m primrio (110 V} constitudo por 2000
espiras de fio n.0 35 AWG esmaltado e se-
cundrio de 2 x 175 espiras de fio n.0 29
AWG esmaltado.
Na montagem, no se fazem necessrias
recomendaes especiais. O dodo Zener dis-
pensa, no caso presente, o uso de um dissi-
pador de calor, o mesmo acontecendo com o
transistor T. (0C74}. O transistor regulador
(T } OC26 u ASZ18, trabalhando bastante
ab~ixo de sua mxima potncia admissvel,
requer apenas um dissipador de rea mode-
rada. Pode ser, por exemplo, usada uma
chapa de alumnio enegrecido com 3 mm de
espessura e 50 cm2 de rea, para temperatu-
ras ambientes at 600C.
Nas medies experimentais realizadas
com esta fonte, foram os seguintes os resul-
tados constatados :
Tenso de Rde Corrente de carga Tenso de sada
(V} (mA} (V)
80 200 5,4
110 200 5,7
130 200 5,8
130 20 6,0
Resistncia de sada: 1,1 Q
"Ripple" (C. A. sobreposta) : 0,05%
29
A
APLICAO
DE Cem presso
Roref.o.o mxim7
"
ONDAS SONICAS
maxmoj
.,
I I
I I
I I
NA I I
, : I
1 I

INDUSTRIA I I

-
Oireo de
propagao
..I

Direo do movimento
do porticulo
FIG . lA
Na propagao de uma onda elstica com
Durante os ltimos vinte e cinco anos pressiona/, as partculas que formam o
desenvolveu-se uma nova classe de tcnicas meio condutor do som vibram em direo
paralela da propagao.
industriais empregando ondas snicas para
as mais diversas finalidades. O conhecimen-
to dos fenmenos fundamentais destas tc-
nicas surgiu, em muitos casos, de simples
pesquisas que a princpio no se destinavam
a qualquer aplicao imediata. Os desenvol-
vimentos subseqentes permitiram o aperfei-
oamento de valiosas "ferramentas" indus-
triais. Outras ainda esto em fase de exe-
cuo e experincia.
Para que se possa apresentar um esbo
da atual situao conveniente dividir o
campo de aplicao das ondas snicas em
duas reas. A primeira delas compreende as
aplicaes de "processamento". A onda acs-
tica aqui empregada para produzir trabalho
ativo e para iniciar ou acelerar alguma mo- FIG. 1-B
dificao nas propriedades do material sob O movimento da partcula, de forma
trabalho. A segunda rea de aplicao refe- transversal, perpendicular direo
re-se a uma variedade de tcnicas de inspe- propagao.
o e teste, nas quais a onda acstica
usada para proporcionar informaes sbre
as propriedades de materiais ou componentes. Direo do movimtn
Antes de examinar em detalhes as tc- Regies de desloca- to do porticuta
mento mximo
nicas disponveis til observar resumida-
mente as propriedades das ondas snicas e
definir alguns dos termos que usaremos. O
som transmitido atravs de meios slidos,
lquidos ou gasosos por ondas elsticas, que
podem ser de diversos tipos. Por exemplo, o
meio pode vibrar de forma compress!onal
<transmisso comum do som no ar), de
fonna transversal (as partculas do meio
FIG. lC
movem-se perpendicularmente direo da Em um basto fino podem existir vibraes de forma
propagao), ou de forma torsional (como torcida. O basto oscila em direo de sua extenso
aconteceria com uma vara fina e comprida (longitudinalmente) .

REVISTA FLETRNICA
 se uma de suas extremidades fsse sbita-
mente torcida).
Nos meios lquidos o som, normalmente,
s pode ser propagado de forma compressio-
nal. Os modos ou formas de propagao so
ilustrados na fig. 1. Podem ocorrer tambm
ondas de superfcie, como as ondulaes de
um lago.
As freqncias das ondas snicas percep-
tveis pelo ouvido humano, em mdia, loca-
lizam-se abaixo de 16 000 Hertz. As freqn-
cias superiores a 16 000 Hz so chamadas
ULTRA-SONICAS. Estas freqncias - que
podem alcanar alguns milhes de Hertz, so
particularmente teis na indstria, sendo o
trmo "ultra-som" empregado corriqueira-
mente para qualquer processo que envolva
ondas sonoras.
O valor particular destas altas freqn-
cias no trabalho industrial consiste princi-
palmente de duas propriedades que possuem.
As freqnclas na escala de 10 kHz a 1 MHz
so capazes de produzir em lquidos o fen-
meno conhecido como cavitao, Isto , for-
mao de blhas de gs dissolvido dentro do
lquido, por meio de vibraes. Estas vibra-
es provocam choque entre as ondas e pro-
porcionam presses de muitas atmosferas.
(As blhas so produzidas quando a presso
instantnea no lquido atinge valr inferior
sua presso de vaporizao. Normalmente,
so necessrias intensidades substanciais de
som para que se Inicie ste fenmeno). Estas
grandes presses de choque produzem efeitos
poderosos de eroso e destruio que so
utilizados para limpeza ultra-snlca, proces-
sos de emulso, etc.
A segunda propriedade, de particular
importncia, mais evidente em ondas s-
nicas de freqncias de 1 MHz para cima.
Estas ondas snicas podem ser comparadas
com um feixe de luz, sendo que os fenme-
nos de reflexo e refrao ocorrem da mesma
maneira. Podem, portanto, ser dirigidas para
dentro de um material qualquer a fim de
verificar possveis falhas ou defeitos inter-
nos, exatamente como uma luz visvel poderia
ser usada para examinar um diamante. A
transparncia relativa dos materiais para o
som e o modo pelo qual ste refletido e
retratado propiciam informaes a respeito
das propriedades elsticas e da homogenei-
dade dos materiais.
Os mtodos empregados para gerar ondas
acsticas so numerosos, mas para finalida-
des prticas somente trs so importantes:
JAN. / FEV . 1964
1) Apitos, nos quais um lquido ou gs
processado bombado atravs de um orifcio,
provocando vibraes ao colidir com uma l-
mina, ou ento, introduzido por uma cavi-
dade ressonante.
ste processo pode ser empregado somente
com lquidos de fluidez mdia.
2) Transdutores magnetostritivos, que
so feitos de certos tipos de materiais ferro-
magnticos. Tais materiais possuem a pro-
priedade de mudar suas dimenses quando
colocados num campo magntico. Um campo
magntico alternado produzido pela passa-
gem de corrente, fornecida por um gerador
eltrico de alta freqncia, atravs de uma
bobina que envolve o transdutor. Isto faz com
que o transdutor passe a vibrar. Extrema-
mente resistentes, stes transdutores so usa-
dos em diversas aplicaes, em freqncias
acima de 100 kHz.
3) Transdutores "piezoeltricos" e ele-
trostritivos, feitos de materiais que respon-
dem a um campo eltrico de modo similar
quele onde os materiais magnetostritivos res-
pondem a um campo magntico. Os materiais
adequados para sua fabricao so : quartzo.
titanato de brio, ou zirconato de chumbo.
Considervelmente mais frgeis, so emprega-
dos em altas freqncias, notadamente acima
de 100 kHz, onde os transdutores magnetos-
tritivos so impraticveis.
os geradores eltricos empregados para
excitar os tipos de transdutores magnetostri-
tivos e eletrostritivos so em geral equipados
com vlvulas termlnlcas robustas. Usual-
mente, compem-se de um oscilador que ex-
cita um estgio de sada, mas s vzes, con-
sistem de uma grande vlvula de potncia
usada como auto-oscilador. Em algumas
aplicaes de alta potncia requerendo diver-
sos kW em freqncias relativamente peque-
nas, abaixo de 25 kHz por exemplo, empre-
gam-se alternadores rotativas.
LIMPEZA E PROCESSAMENTO DE
MATERIAIS
Provvelmente, a aplicao do ultra-som
mais divulgada a limpeza ultra-snica. Re-
sultados absolutamente notveis foram alcan-
ados em grande variedade de aplicaes e
grandes melhoramentos foram obtidos em re-
lao aos mtodos convencionais, tanto no
que se refere rapidez como aos resultados
da limpeza.
11
 Os sucessos mais admirveis so obtidos
no caso de pequenos objetos de superfcie
irregular, tais como, esferas de mancais, com-
ponentes de relgios, elementos de vlvulas
eletrnicas, etc. Trabalhos recentes, entre-
tanto, tm propiciado a extenso destas tc-
nicas para muitos componentes volumosos,
tais como, corpos de vlvulas hidrulicas e
para peas fundidas antes do processo de
galvanoplastia, sendo que neste setor novos
melhoramentos j se fazem notar. Em prin-
cpio, os componentes a serem submetidos
limpeza so imersos em um solvente adequa-
do, que posto em estado de cavitao por
irradiao de ondas snicas de alta intensi-
dade. A freqncia empregada, normalmente
no ultrapassa 1 MHz. A cavitao desprende
as partculas de sujeira, que so ento eli-
minadas pelo solvente. Em freqncias mais
altas parece provvel que a alta acelerao
das partculas no solvente tambm desem-
penhe parte importante na ao de limpeza.
Existem tanques de limpeza de vrios tipos
e tamanhos, cuja capacidade varia desde
algumas fraes de litro a vrios litros.
FIG. 2
Princpio da limpeza u/tra-snica.
- Objeto a ser limpo; 2 - Lquido;
3 - Recipiente; 4 - Transdutor; 5 -
Gerador de ultra-som .
Pequenas "tijelas" de limpeza, operando
desde 50 W de potncia eltrica, so fabrica-
das para usos em bancadas de montagem.
Servem para efetuar a limpeza de pequenos
componentes de preciso antes de seu em-
prgo na montagem de um equipamento
qualquer. Existem tambm grandes instala-
es utilizando diversos kW de potncia, que
so necessrias para fazer parte de mtodos
modernos de alta produo. :ltstes equipa-
mentos grandes de limpeza possuem outras
vantagens, tais como : pr-lavagem, enxagua-
mento e possibilidade de constante filtragem
e distilao do solvente. Pode-se encontrar
tambm equipamentos de capacidades inter-
medirias.
Equipamento aproximadamente similar
usado para vrios tipos de outros processa-
mentos. A extrao de leos e decapagem de
metais so processos que se destacam. Para
decapagem de metais fundidos e das folhas
de metal normalmente submete-se o material
a um banho de cido, cuja concentrao
razovelmente alta. Com o uso de ultra-som
no banho de decapagem a concentrao pode
ser reduzida em alguns casos a um vigsimo
do valr normal. Alm da economia resultan-
te, isto significa reduo do risco de danifi-
car a superfcie do material.
A extrao de leos essenciais de muitos
produtos naturais, incluindo os destinados
alimentao, pode ser considervelmente ace-
lerada, com o emprgo de irradiao de som
de grande intensidade. A matria prima
tratada em quantidades, ao invs de pea
por pea, devendo ser colocada em um tan-
que provido de diversos transdutores e con-
tendo um lquido que age como portador do
leo extrado: Os transdutores normalmente
so do tipo magnetostritivo. O lquido deve
ser agitado por meios mecnicos a fim de
assegurar uma irradiao uniforme. A quan-
tidade de produto extrado, para uma certa
proporo de matria prima, aumentada
significativamente e o tempo de extrao
substancialmente reduzido, em relao ao
normalmente necessrio.
Emulsificao de lquidos e disperso de
pigmentos tambm podem ser executadas com
equipamento similar ao acima descrito. En-
tretanto, para tais processos, mais comum
o emprgo do sistema de fluxo contnuo,
usando apitos de alta freqncia, devendo o
iquido passar diretamente atravs de um
conduto portador. A intensa cavitao produ-
zida pelo ultra-som rompe as caractersticas
do lquido e proporciona completa mistura
dos componentes, produzindo uma emulso
ou suspenso muito boa.
Existem diversos tipos de reaes qumi-
cas que podem ser iniciadas ou aceleradas
por meio do ultra-som, sendo que a eletro-
-galvanizao destaca-se entre estas. Embora
ainda esteja sendo usada experimentalmente,
as concluses obtidas permitem que se espere
timos resultados. Um aumento de dez a quin-
ze vzes na intensidade de corrente resultou
em melhoria da qualidade de galvanizao.
J se encontram em uso pequenos equipa-
mentos para deposio de rdio e para banho
de ouro.
REVISTA ELETRNICA
TCNICAS DE FABRICAAO palmente como um martelo impulsionando as
partculas abrasivas, no h limitaes sbre
Os processos j descritos referiam-se a a forma dos cortes que se pode efetuar.
trabalhos qumicos ou acabamento de super- Sem dvida, as aplicaes mais teis refe-
fcies. Alm dstes, entretanto, desenvolveu- rem-se perfurao de materiais intratveis
se um sem nmero de tcnicas que so de dotando-os de orifcios das mais variadas
grande valr na prpria fabricao de com- formas, o que requereria muitas horas de
ponentes. trabalho manual pelos mtodos convencionais.
Existem perfuradores ultra-snlcos nas
diversas medidas em que so encontradas as
brocas rotativas padronizadas. Uma pequena
5 mquina de bancada, ideal para efetuar
orifcios acima de 9,5 mm em vidros, cer-
6 mica e carbonetos sinterizados. Tal mqui-
na opera em 20 kHz, alimentada por um
2 gerador de 60 W. Existem mquinas maiores,
trabalhando com potncia acima de 2 kW e
capazes de efetuar cortes numa espessura de
76 mm. Tais mquinas so, s vzes, provi-
das de dispositivos de transporte, como nas
mquinas ferramentas. Outra mquina, re-
3 centemente desenvolvida, operando com base
em princpio diferente, adaptada para per-
furar e escariar orifcios redondos em mate-
4 riais duros e quebradios.

FIG. 3
Construo de uma perfuratriz
ultra-snica.
- Registro de duas vias; 2 - Tu-
bulao ao bocal de sada, mesa e
aos jatos; 3 - Bomba; 4 - Tanque
de sedimentao; 5 - Bocal de sada;
6 - Mesa de trabalho; 7 - Tubulao
de retrno.

A tendncia atual para o uso de mate-

riais excessivamente duros, particularmente a
cermica, foi iniciada pelo desenvolvimento
de equipamentos ultra-snicos. Isto permite
que tais materiais, resistentes aos mtodos
normais, posam ser trabalhados com relativa
facilidade. Uma ferramenta de metal mole,
fabricada para proporcionar um orifcio de
determinada forma, posta a vibrar em alta
freqncia, com uma amplitude de alguns
milsimos de milmetro. Esta ferramenta
posta em contato com a pea que se preten-
de perfurar, aplicando-se um jato de gua FIG. 4
e um p abrasivo fino. Com a vibrao as O soldador a u/tra-som (em cima) e a
maneira como funciona (em baixo).
partculas abrasivas so impulsionadas para
o interior da pea extraindo desta pequenos
fragmentos. Devido aos milhares de golpes No. que se refere juno de metais, a
que ocorrem a cada segundo, o tempo de corte soldagem e ligao ultra-snica oferecem cer-
muito pequeno. tas vantagens. Muitos metais podem ser uni-
dos pela aplicao de suficiente presso, par-
Pode-se notar que, desde que a ferra- ticularmente em altas temperaturas, mas
menta no efetua rotaes, mas age princi- normalmente no se pode junt-los em vista

JAN./FEV. 1964 33
da presena de uma camada de xido que
se forma sbre a superfcie. O ultra-som pode
ser Wlado para eliminar esta camada e per-
mitir que as superfcies limpas do metal es-
tejam em perfeito contato. No caso da solda,
a camada de xido destruda pelo efeito
de cavitao na prpria solda fundida.
~ste mtodo to eficiente que, por exemplo,
o alumnio e suas ligas, que so prtica-
mente impossveis de soldar, so fcilmente
estanhados. Usa-se dois tipos de equipamen-
to. Componentes pequenos podem ser esta-
nhados mergulhando-os em um banho de
solda fundida, que colocada em estado de
cavitao por meio de irradiao ultra-snica.
Um soldador ultra-snico, no qual a ponta
de um ferro aquecido de modo convencional
posto a vibrar ultra-snicamente, ade-
quado para uso em componentes que no
possam ser bem estanhados por imerso.
A tra a face de uma pea, poder ser Wlado
FIG. 5
Princpio da unio ultra-
-snica de m etais.
A - apoio fixo ; P -
fra que comprime as
duas chapas; V - Ele-
mento de compresso, vi
brando na direo da seta.
A unio de metais por meio de ultra-som
um desenvolvimento relativamente novo.
Os dois componentes a serem juntados so
unidos e presos entre as garras da mquina,
no com muita fra. Uma das garras vi-
brada ultra-snicamente, rompendo as cama-
das de xido que separam as superfcies dos
dois metais e permitindo que estas fiquem
em perfeito contato. Proporciona-se ento
uma unio por presso. Normalmente, as
operaes de unio consideradas difceis, po-
dem ser fcilmente executadas. Os metais
podem ser unidos mesmo em camadas es-
pssas e pode-se juntar tambm metais de
34
espccies dnerentes. Alem diso, no ocorre lU-
~ao excesslVa aas peas. :t;sta tecnica ainda
nao encontrou aplicao comercia! em nosso
pa1s, mas poder tornar-se valiosa quando
ror melhor conheciaa.
APLICAES EM INSPEAO E TESTE
UE MA'l'.ERIAIS
No menos importantes que as aplicaes
Ja descritas, so as tcnicas de inspeo, que
se tornaram possveis com o uso do ultra-som.
Dentre estas, a que mais se desenvolveu
a deteo de defeitos de materiais. Nos
casos onde a segurana de um componente
considerada vital, como ocorre na indstria
de avies, ou onde maquinria de grande va-
lor deve funcionar com exatido, importante
que se examine a estrutura interna dos prin-
cipais componentes a fim de assegurar a
aWlncia de defeitos srios. Em muitos casos
a deteo ultra-snica de defeitos proporcio-
na um excelente meio de realizar ste exame.
Como j foi mencionado, os feixes de
ondas snicas de alta freqncia comportam-
se da mesma forma que os raios de luz. Se
um transdutor de cristal for pressionado con-
para propagar um pulso de energia snica
para o interior do material que constitui a
pea. Se ste pulso de som encontrar um
defeito no material, ser parcial ou totalmente
refletido e o conseqente eco poder ser re-
cebido por ste ou por outro transdutor. ~ste
processo ilustrado na fig. 6. O intervalo de
tempo entre o pulso transmitido e o retrno
do eco a medida da profundidade do defei-
to. Fazendo com que os dois pulsos sejam
visualizados por um tubo de raios catdicos,
a profundidade da falha pode ser indicada
visualmente.
Prticamente todos os detetores de de-
feitos operam sob tal princpio, embora o
nmero de variaes seja grande. ~ muito
comum, por exemplo, o uso de um transdutor
montado sbre uma pea de acoplamento,
feita de "Perspex". Isto permite o emprgo
de ondas transversais, que so preferveis s
ondas de compresso, proporcionando melhor
definio. Outros cabeotes transdutores em-
pregam cristais moldados para adaptao s-
. bre tubos e outras superfcies irregulares,
alm de cristais duplos <transmissores e re-
ceptores) adaptados em um cabeote, dispo-
sitivos especiais de acoplamento, destinados a
eliminar certos componentes indesejveis da
onda snica, alm de muitos outros apetre-
REVISTA ELETRNIC ',
chos especiais para melhorar a operao do mente desenvolvidos proporcionam resultados
instrumento. mais precisos. Um transdutor acoplado a
uma face da chapa a ser medida, sendo ali-
A fim de transmitir energia acstica do mentado com uma onda senoidal ininterrupta
transmissor para o material que est sendo proporcionada por um gerador de freqncia
examinado, ~ necessrio assegurar boa unio varivel.
acstica, empregando-se para tanto um meio
acoplador. Isto se faz, comumente, com leo Esta freqncia, por ser varivel, passa-
ou com gua, que se aplica em fina camada r por certos valres nos quais a espessura
sbre a face do transdutor. da chapa tornar-se- ressonante e a impe-
dncia aparente do transdutor sofrer mo-
Para componentes grandes, de forma ir-
dificao. Esta, poder ser indicada por um
regular, sempre difcil obter resultados pre-
medidor adequado. A recproca da freqn-
cisos devido ao mau acoplamento acstico
cia ressonante pode ser usada como medida
entre o cabeote de prova e a superfcie ir-
da espessura, desde que a velocidade do som
regular do componente. Em tais casos a pea
na chapa que est sendo medida seja conhe-
tda deve ser imersa em um tanque de l-
cida. So utilizados dois aperfeioamentos
quido, juntamente com os cabeotes transdu-
deste sistema. No primeiro, o oscilador mo-
tores. Os cabeotes, neste caso, nem sempre
dulado em freqncia, em banda estreita, por
precisam estar em contato com a superfcie
da pea e podem, de fato, ficar a vrios cen-
tmetros de istncia. :mste mtodo, por si s,
proporciona exame semi-automtico. Os ca-
beotes so movimentados em vrios sentidos
sbre a pea a ser examinada at que tda
sua superfcie tenha sido percorrida. O ope-
rador, ento, precisa smente observar a tela
do tubo de raios catdicos.
Um desenvolvimento que ainda no est
em uso geral, e que dispensa o tubo de raios
catdicos, emprega um registrador grfico,
que pode ser ligado de forma a representar
seces completas da pea, assinalando qual-
quer defeito ou irregularidade desta. Tais
equipamentos, que esto sendo rpidamente
melhorados, podem em breve dar resultados
equivalentes aos dos raios X, sem muitos de
seus inconvenientes.
A freqncia na qual o aparlho detetor FIG . 6
Princpio de operao de um detetor ultra-snico de
de falhas operado, determinada pelo ta- defeitos. A deflexo horizontal do osciloscpio
manho mnimo da falha que se pretende lo- disparada pelo pulso transmitido.. O eco que chega
calizar. Empregando-se uma freqncia de ao transdutor receptor usado para produzir uma
def/exto do trao do osciloscpio.
de 5 MHz, que a mxima comumente em-
pregada, pode-se localizar defeitos e porosi-
dades cujas dimenses no atingem um mi- uma freqncia de udio (AF). Sob condi-
lmetro. O som de tal freqncia, entretanto, es de ressonncia esta freqncia de udio
em geral rpidamente atenuado, razo pela aparecer como uma componente da corren-
qual, para objetos grandes, pode ser neces- te de anodo da vlvula que alimenta o trans-
dutor. Esta freqncia de udio, ento, pode
srio o emprgo de freqncia mais baixa.
ser amplificada e injetada em fones. Ao
Surgem problemas quando se torna ne- invs de efetuar manualmente a sintonia da
cessrio medir a espessura de chapas e outros ressonncia, possvel variar a freqncia do
componentes estruturais, onde smente uma oscilador automticamente, atravs de tda a
face convenientemente acessvel. Evidente- gama de freqncias do instrumento. A res-
mente, um detetor de defeitos do tipo j sonncia pode, ento, ser mostrada por meio
descrito poderia ser usado para esta finali- de um tubo de raios catdicos que pode ser
dade, mas medidores de ressonncia especial- equipado com um painel calibrado de acrdo

JAN./ FEV. 1964 35

 com as especificaes do material que se
deseja medir.
A velocidade do som, no que se refere
ao meio atravs do qual ste se propaga,
independente do movimento que o prprio
meio possa executar. :ste princpio serve de
base a um mtodo de medida, destinado a
determinar a velocidade do fluxo de lquidos.
Se forem lanados pulsos de som no interior
de uma substncia lquida, em duas direes
opostas entre si, as duas velocidades aparen-
tes nas duas direes, sero diferentes. Se
chamarmos c velocidade do som no lquido
e u velocidade do prprio lquido, as duas
velocidades aparentes sero:
v1 =c + u e c-u
Ento,
u ao problema econmico, ou porque a demanda
2 no suficientemente grande para compen-
Pode-se notar que, se v1 e v2 podem ser
determinados e medidos, u pode ser derivado.
Uma vez que as diferenas v 1 - c e c - v 2
so em geral pequenas a medio usual- incluido o suficiente para esclarecer as van-
mente executada por um mtodo de compa-
rao de fase.
Nas tcnicas de lnspeo e medida j
mencionadas a onda snica foi empregada
como uma "ferramenta" exploratria no
destrutiva. Existe uma aplicao que se ba-
seia em um princpio bastante diferente, ou
seja, o teste ultra-snico de fadiga dos ma-
teriais. Aqui, a amplitude de vibrao de um
transdutor magnetostritivo amplificada at
que seja suficientemente grande para produ-
zir em uma amostra do metal que se deseja
medir, esforos mecnicos alternados at que
excedam seu limite de fadiga. possvel,
ento, efetuar testes de fadiga sbre uma
variedade muito grande de metais.
O valor dos esforos alternados a serem
aplicados pode ser obtido medindo-se a am-
plitude de vibrao e a constante elstica do
material sob teste. O nmero de ciclos de
esforo mecnico alternado necessrios para
produzir a falha dado pelo produto entre
36
a freqncia e o tempo de durao do teste
em segundos. Desde que a freqncia em-
pregada nste mtodo de teste de fadiga
usualmente de 20 kHz, enquanto os testadores
convencionais operam em uma freqncia
mxima de crca de 100 Hz, a economia de
tempo indubitvel. De fato, um teste que
levaria semanas pelos mtodos convencionais,
pode ser efetuado em uma ou duas horas.
CONCLUSO
A literatura tcnica que trata das apli-
caes industriais do ultra-som abundante
e muito variada. Centenas de aplicaes pos-
sveis so descritas em detalhes. Muitas destas
so de grande valr potencial, outras j so
consideradas impraticveis no que se refere
sar os esforos de um desenvolvimento co-
mercial. Pudemos, neste artigo, mencionar
somente algumas das aplicaes mais impor-
tantes no campo industrial, mas cremos ter
tagens que o emprgo das tcnicas ultra-s-
nicas pode trazer.
Quando calculado, em escala industrial,
o custo da instalao de equipamentos ultra-
snicos pode em alguns casos parecer multo
grande. Enquanto em muitos casos ste custo
poder ser comparado favoravelmente com o
dos equipamentos convencionais, em outros,
onde simples mtodos tradicionais tm sido
empregados, o custo poder ser considerado
no econmico. Entretanto, freqentemente,
a economia obtida em mo-de-obra e nos
materiais de tal monta que a inverso ini-
cial para as instalaes rpldamente com-
pensada.
Deve-se lembrar tambm que as industrias
modernas esforam-se contnuamente para
desenvolver geradores e transdutores mais
econmicos e de se esperar que surja uma
considervel expanso no que se refere ao
emprgo de equipamentos ultra-snlcos na
indstria. mmm
REVISTA ELETRNIC.\
INTERCOMUNICADOR
A
TRANSISTORES
PAULO FIGUEIREDO L. ANDRADE
Aparelhos intercomunicadores j no
constituem mais novidade; existem mumeras
verses e execues diferentes, mas o seu
funcionamento bsico difere muito pouco.
No entanto, a grande maioria dos aparelhos
existentes emprega vlvulas e, como estas
devem ficar permanentemente com os fila-
mentos ligados, h um desperdcio consider-
vel de energia eltrica. Alm disso, depois de
algumas horas, a caixa do intercomunicador
aquece bastante, especialmente nos meses de
vero.
Tudo isso contribuiu para tornar o tran-
sistor extremamente adequado para o servio
de intercomunicao, acrescido do fato de,
por ser a sua alimentao a pilhas, indepen-
der de eventuais interrupes no forneci-
mento de energia eltrica da rde.
Em intercomunicadores, a considerao
primria no a fidelidade de reproduo,
motivo porque pode ser tolerada uma dis-
toro relativamente mais elevada que nos
demais tipos de amplificadores de udio.
Importante , por outro lado, uma potncia
suficiente para possibilitar perfeita audibili-
dade, mesmo em ambientes onde o rudo
acima do normal.
O intercomunicador descrito neste artigo
fornece potncia de sada mxima de 1 W,
sem saturao, com distoro mxima de
8,8% . Est portanto, apto a propiciar desem-
penho satisfatrio, mesmo em ambientes onde
o rudo atinge nveis relativamente altos.
Alimentado com pilhas de lanterna, de 1,5 V,
consome aproximadamente 210 mA.
A figura 1 representa o circuito esquem-
tico completo do amplificador. A fim de
obter uma sensibilidade adequada, foi neces-
sano utilizar um estgio preamplificador.
Dessa forma, falando-se normalmente, a uma
distncia de 50 cm do alto-falante/microfone,
consegue-se uma potncia de sada de 600 mW.
Por outro lado, porm, deve ser evitado um
excesso de sensibilidade, que provocaria corte
no amplificador, com uma. conversao nor-
mal. Conseguiu-se contornar o problema apli-
cando uma carga reduzida no estgio pr-
-amplificador (2,2 k(l) . Na entrada dsse
estgio foi utilizado um transformador com
relao de espiras de 6,1/1, para adaptar a
impedncia do alto-falante (usado como mi-

Rn
~--.---------------~--~--~NW~--~--~r---------~-------o-Ebb
1son
Ra.
1,51(

Tr3 Z=3,2 n

IC---~~
1 ~ 1'11

Entrado
FIG. I
Circuito esquemtico completo do amplificador do intercomunicador transistorizado.

JAN./FEV. 1964 37
crofone) impedncia de entrada do tran-
sistor. Poderia ser obtido um aumento de
sensibilidade utilizando uma relao de es-
piras maior.
Os estgios excitador e de sada so con-
vencionais. No primeiro, foi empregado um
transformador com relao de espiras de
2,2/ 1+1; o transformador de sada, por sua
vez, possue relao de 1,9+1 ,9/1.
tanto o alto-falante local como o remoto esto
mudos (desligados do circuito), reduzindo ao
mnimo o consumo de corrente, ou seja a
crca de 6,5 mA.
No modlo experimental foi colocada ape-
nas uma estao remota. O sistema de co-
mutao ilustrado na figura 2, utiliza um
rel na estao local, para o comando remoto,
partir da sub-estao.

FIG. 2
Diagrama do sistema de comu-
tao Local/ rem oto, utilizado na
construo do prottipo.
2'

Mediante o emprgo de um sistema ade- Com referncia montagem, o umco cui-

quado de comutao, possvel usar um ni-
co amplificador para duas ou mais estaes.
Outra possibilidade oferecida o comando,
desde qualquer das estaes remotas; basta
para isso que o amplificador permanea cons-
tantemente ligado. No h inconveniente nis-
so, pois, na posio de repouso das chaves,
dado o de manter afastadas as ligaes do
estgio pr-amplificador das do estgio de
sada, a fim de evitar a introduo de rege-
nerao, pois, o estgio de entrada bastante
sensvel. A maneira mais elegante de fazer
essa montagem por meio de um painel de
circuito impresso.

RELAAO DOS COMPONENTES

a) Alto-Falantes R,. 2,2 kQ 1/4 w

Usamos alto-falantes de 4" de 3,2 O de R, 2,7 kO 1!4 w
impedncia, Novik N41, freqncia de resso- R,, 10 k(l 1/4 w
nncia 180 Hz. Rr. 2 k(l 1/4 w
b) Transformadores R, 270 ;(l 1/ 2 w
Tr1 - Entrada : Douglas AS B06246-072 RR 1,5 k(l 1!2 w
com relao de espiras de 6,1 + 6,1!1. Ru 33 (l 1/2 w
Usamos somente um tap., ou seja 6,1/1. RlO 4 (l 1/ 2 w
Tr2- Driver: Audium 7450 de relao 3,2/ 1 +1 Rl i 15o n 1/ 2 w
Tr3 -Sada : Audium 7470 de relao 3,8/ 1. cl 640 ~.F 16 v
c) Rel c" 10 ~.F 25 v
com as seguintes caractersticas : c,l 40 !J.F 16 v
Bobina p / 6v, 13 mA c., 100 !J.F 25 v
2 plos, 2 posies c,, 100 tJ.F 25 v
!fabricao Metaltex) eJ Transistores
dJ Resistores e Capacitares T, OC71
R1 120 kO 1!4 W T" = OC75
R2 22 kO 1!4 W T :v T, = OC74

38 REVISTA ELETRNICA
CIRCUITOS
,
BASICOS
COM
TRANSISTORES
Os transistores e diodos de cristal, isola-
damente ou em conjunto, quando empregados
em circuitos adequados podem desempenhar,
prticamente, tdas as funes que h al-
gum tempo eram executadas somente por
vlvulas terminicas de alto vcuo. Por
exemplo, um transistor em ligao de emis-
sor comum comparvel ao circuito de ca-
tado--massa de uma vlvula terminica ; a
ligao de base comum uma verso tran-
sistorizada do circuito de grade--massa; e.
finalmente , a ligao de coletor comum
anloga ao circuito de seguidor catodino.
Tal como nos equipamentos que utilizam
vlvulas terminicas, os aparelhos transisto-
rizados compem-se de um ou mais estgioo,
cada um com sua funo especial. A seleo,
quantidade e sequncia dstes estgios de-
pendem, principalmente, da aplicao e de-
sempenho pretendidos, mas usualmente, os
mesmos so baseados em modlos mais ou
menos padronizados.
Neste artigo vamos analisar detalhada-
mente os circuitos bsicos dos diversos est-
gios de um rdio-receptor superheterodino.
O estudo dstes estgios permitir que se
conhea boa parte dos requisitos de outros
equipamentos, cujas aplicaes nem sempre
se relacionam com o setor de entretenimento.
Essencialmente, um receptor superhetero-
dino de alta qualidade composto dos se-
guintes estgios :
1J Um circuito de antena, sintonizado, para
seleo do sinal de RF (freqncia da
estao) desejado. Em alguns casos, um
estgio amplificador de RF associado ao
circuito de antena.
2) Um estgio conversor de freqncia, no
qual a modulao do sinal de RF dos di-
versos transmissores transferida para
JAN ./ FEY. 1964
uma freqncia baixa - a freqncia in-
termediria de, digamos, 455 kHz.
3) Um ou mais estgios amplificadores de FI.
4) Um estgio detetor, no qual o sinal de
AF separado da portadora de freqn-
cia intermediria.
5) Um ou mais estagias amplificadores de
AF, o ltimo dos quais comumente de-
nominado de estgio excitador.
6) o estgio de sada, que desenvolve a po-
tncia de udio necessria para operar.
7) o alto-falante.
o nmero de estgios amplificadores e o
nmero de circuitos ressonantes includos nos
estgios de antena e amplificador de FI, de-
terminam entre si a sensibilidade e a sele-
ti vidade do receptor.
A sensibilidade definida como o sinal
de RF (modulado a 30%) na antena, em !J.V,
necessrio para proporcionar uma salda de
50 mW de udio ; a seletividade s,. a ate-
nuao do sinal quando o receptor est des-
sintonizado em 9 kHz.
CASAMENTO
Antes de considerar em detalhe o circuito
bsico de cada estgio, convm ressaltar que
os diversos estgios devem ser acoplados el-
tricamente, de tal forma que a sada de um
se torne a entrada do seguinte. Para mxima
transferncia de potncia, a impedncia de
entrada do estgio seguinte deve ser casada
(e idealmente ser igual) impedncia d ~
sada do estgio precedente.
Consegue-se isto, empregando um trans-
formador redutor com ncleo de ferro para
amplificadores de AF, ou, com ncleo de
"Ferroxcube" para altas freqncias . Como,
entretanto, o transformador um componente
dispendioso e ocupa muito espao, costuma-se
substitu-lo por um circuito acoplador R-C ,
embora com pequenos prejuzos ao bom ca-
samento, ou, nos amplificadores de alta fre-
qncia, por um circuito ressonante com de-
rivao.
39
 Se Z0 indica a impedncia de sada de
um determinado estgio e Z10 a impedncia
de entrada do estgio seguinte <veja fig. 1)
consegue-se um casamento considerado ti-
mo, no caso do transformador de acoplamen-
ESTAGIOS DE SADA
O estgio de sada de um rdio-receptor
deve ser projetado de forma a proporcionar
mxima potncia ao alto-falante. tste est-
gio pode consistir em um nico transistor

o,,.
FIG. I funcionando em classe A, ou, como mais
n:l ou 1:1 Ilustrao do casamento de comum, de dois transistores em ligao "push-
dois estgios acoplados a -pull", funcionando, ou em classe A, ou em

~o
transformador com impe- classe B.
dncia de sada Z 0 e impe-
dncia de entrada Z;n res- Naturalmente, procura-se carregar o tran-
pectivamente (Z 0 >> Zin sistor ou transistores ao mximo, porm, deve-
4RI em circuitos transistoriza- se reconhecer que a dissipao mxima per-
dos) supondo z. =n zin.

to, quando a relao de transformao, isto ,

a relao do nmero de espiras do primrio
para o nmero de espiras do secundrio, for

n =v o------~~--------o+
supondo-se um transformador ideal, ou seja, 4R3
livre de perdas.
Infelizmente, no existe um transforma-
dor livre de perdas; a eficincia de um trans-
formador pode ser calculada pela frmula:

"lltr =
n2 Rcaron + n2 Rsoc + Rpr
Na prtica, esta eficincia de crca de
70 a 80%.
No acoplamento por meio de um circuito
ressonante com derivao, a posio do ponto
FIG. 3
de derivao pode ser determinada de forma Circuito (a) e caracterstica (b) de um estgio de
que Rin =
t 2 R 0 , (veja fig. 2). sada classe A , com carga acoplada a transformador.
A bateria fornece V 8 / 01 watt de potncia d.c .
Potncia a.c. proporcionada
V8 101
v,ms . l, . ms == - - -
y2 2
Eficincia terica: 50%.

missivel para o coletor limita a potncia de

Nos tpicos a seguir os diversos estgios
no sero considerados na ordem em que se
encontram dispostos em um receptor. O es-
tgio de salda ser analisado em primeiro
lugar; depois os estgios detetor e amplifica-
dor de AF e assim por diante, at o circuito
de antena. Esta sequncia foi escolhida de-
liberadamente, por permitir que se analise os
problemas relativamente simples de baixa
freqncia antes de considerar os problemas
especiais relacionados com operao em altas
freqncias.
sada. Como a dissipao dependente da
resistncia trmica K, - P mox sendo igual a
(Tlmox - T.l/K - essencial proporcionar
meios adequados para a remoo do calor
gerado.
Tais providncias incluem o uso de ale-
tas de refrigerao, um dissipador, boa cir-
culao de ar, etc.
As figs. 3a e 3b apresentam o circuito e
caractersticas de um estgio de sada em
classe A, com carga (alto-falante) acoplada
por transformador. Desde que, com transfor-

40 REVISTA ELETRNICA
mador de acoplamento pode aparecer apro-
ximadamente o dbro da tenso de alimen-
tao no coletor, em vista da auto-indutncia
do transformador, o valor de v. no deve
exceder 1/2 Vc~-:m, x Em operao classe A,
onde o ponto de funcionamento se encontra
situado mais ou menos no centro do intervalo
de variao permissvel da tenso pode-se
considerar ste ponto como correspondente
a V, .
-...---~-._ ____....__+------<>+
v5
L----------4-------<>-
~ rolamento primrio no tem derivao, ou,
FIG. 4
Estgio de sada "push-pulf' classe B.
Valor r.m.s. da corrente (meio seno)= l r ms =I cM / tt
A bateria fornece 2 X V 8 . 1""' = 2 V 8 I 0 M j tt
Potncia a.c. forne cida = 1 j 2 I cM V ,
Eficincia terica = =
-:: j 4 . 100% 78%
Em operao "push-pull" classe A a po-
tncia total de sada o dbro da obtida
com um s transistor em classe A.
FIG. 5
Estgio de sada "push-pu/1'' sem transformador.
JAN ./ FEV. 1964
Tericamente, a eficincia mxima de um
estgio amplificador classe A, com o emprgo
de um s transistor ou dois transistores em
"push-pull", de 50% . Em um estgio de
sada "push-pull" em classe B, cujo circuito
bsico mostrado na fig. 4, a eficincia te-
rica de 78 %, com excitao total.
Na prtica, a eficincia um pouco me-
nor do que 78 %, uma vez que o transistor
pode ser excitado smente entre o limite
Ic = I, .., e v,. = V;,,.1, , , pois no se dispe
do intervalo total de variao. Alm disso,
existe uma perda de potncia entre o tran-
sistor e o alto-falante, j que a eficincia
do transformador smente crca de 80 %.
O volume ocupado por um transformador
de sada e o dispndio monetrio resultante
de seu emprgo podem ser evitados, empre-
gando-se o circuito de sada "push-pull" sem
transformador, mostrado na fig. 5. Entre-
tanto, neste circuito precisam ser usadas
duas baterias idnticas, ou uma s bateria
com derivao central. A sada pode ser ob-
tida atravs de um transformador cujo en-
ligando-se o alto-falante diretamente ao cir-
cuito caso sejam empregados transistores de
potncia adequados.
o DETETOR
A fig. 6 apresenta um circuito detetor
para sinais de AM. O sinal de alta freqn-
cia <RF ou FI) retificado por um diodo de
FIG. 6
Diagrama do circuito de um detetor para sinais
de AM.
cristal; o capacitar C", cuja capacidade deve
ser convenientemente alta, carregado com
a tenso de pico do sinal de alta freqncia .
O sinal de AF aparece, ento, sbre o resis-
tor de carga do diodo (R 1 ) e aplicado ao
primeiro estgio amplificador de AF.
Em principio, ste circuito igual ao
circuito de um diodo detetor terminico, mas,
como a impedncia de entrada R 1, de um
transistor muito menor que a de uma vl-
vula terminica, ela introduz um grande
41
amortecimento sbre o circuito ressonante de
RF, L 1 C1 , que, efetivamente, est em para-
lelo com R 1 . Alm disso, a ligao paralela
dos pequenos valores de R; 11 e R 1 apresenta
somente uma pequena reatncia ao sinal
de AF.
A fig. 7 mostra as caractersticas de de-
teco, isto , a corrente mdia do diodo, re-
presentada em funo da tenso contnua
negativa que aparece sbre R 1 , com a tenso
Ia v
por meio de um transformador (fig. 8-a),
cujo enrolamento do primrio deve ter uma
impedncia de uns poucos quilo-ohms em
baixas freqncias de udio. Caso se queira
evitar o emprgo dsse transformador, pode-
se substitu-lo por um resistor em srie (R 8 )
(veja fig. 8-b). A fim de reduzir o amorte-
cimento e melhorar a relao RAc/Rnc o
valor de R. deve ser alto. Como, entretanto,
a perda de potncia em R. proporcional ao
seu valor, necessrio, na prtica, estabele-
cer um compromisso de modo que R, seja
de cinco a dez vzes maior que R;n

t ESTGIOS AMPLIFICADORES DE AF

Ao sair do estgio detetor, o sinal de AF

injetado em um estgio amplificador de
AF, ou em dois ou mais dstes estgios em
cascata, onde amplificado em tal propor-
o que o estgio excitador possa proporcio-
nar uma variao de corrente suficiente para
carregar ao mximo o transistor ou transis-
tores do estgio de sada. O conjunto total
da seo AF do receptor deve ser projetado
-Voe em R1 - - - de tal forma que um funcionamento perfeito
FIG . 7 ~eja assegurado, mesmo sob as piores con-

Caractersticas de deteo com linhas de carga a.c.

e d.c.
de RF como parmetro. A resistncia R 1
representada pela linha de carga (d.c.), de-
terminando ento o ponto de funcionamento
P. A deteco real, entretanto, segue a linha
de carga a.c., RAc que tambm passa sbre P.
dies de temperatura, variao de caracte-
rsticas de transistores, etc.
bvio que os estgios amplificadores de
AF e, naturalmente, o estgio de sada devem
possuir meios de estabilizao, a fim de evi-
tar avalanche trmica ou mudana do ponto
de funcionamento, efeitos stes que ocorrem
como resultado da variao das caracters-
ticas do transistor.

o b
FIG. 8
la) - Acoplamento de um estgio amplificador de AF ao eJtgio detetor por meio de um transformador.
(h) - Acoplamento por meio de um resistor srie (R).

Pode-se notar que, em profundidades de mo- O nmero de estgios de AF requerido

dulao maiores que RAc/Rnc ocorrer gran-
de distoro em vista do corte dos picos de
modulao.
stes efeitos podem ser eliminados aco-
plardo-se o detetor ao amplificador de AF
determinado de acrdo com a sensibilidade
desejada e, portanto, depende da amplitude
do sinal recebido do detetor e da intensi-
dade do sinal necessrio para excitar o es-
tgio de sada.

42 REVlST A ELETRNICA

--------~--~--_. _____.__ +
a b
O ltimo estgio amplificador de AF, ou
seja, o excitador, usualmente acoplado ao
estgio de sada por meio de um transfor-
mador, mas, entre os demais estgios usa-se,
normalmente, um acoplamento R-C. Para isto
emprega-se um capacitor eletroltico de crca
de 1 [J.F (veja fig. 9).
AMPLIFICADOR DE FREQ~NCIA
INTERMEDIARIA (FI)
Os estgios amplificadores de FI so aco-
plados por meio de filtros de banda passante
pr-sintonizados (transformadores de FI), que
so responsveis pela maior parte da seleti-
vidade do receptor. A seletividade, designada
pelo smbolo 8 0 , numricamente definida
como a quantidade de atenuao de um sinal
quando o receptor est dessintonizado por 9
kHz. determinada pelo nmero e pelo fator
de mrito (Q) dos circuitos sintonizados de
radiofreqncia e freqncia intermediria.
Para se conseguir ba seletividade, ou
seja, um valor de 8 0 de crca de 50 a 100,
em geral necessrio empregar dois estgios
de FI, desde que o estgio de entrada de RF
aumenta a seletividade de um fator de s-
mente 1,5. O emprgo de dois estgios de
FI proporciona tambm ba sensibilidade RF
e assegura alta eficincia do detetor, sendo
prefervel, portanto, ao emprgo de um es-
tgio de AF adicional, que proporcionaria o
mesmo ganho total.
Na prtica, tanto os circuitos de sintonia
simples como os transformadores de FI (fil-
tros de banda passante) so usados como ele-
mentos sintonizados de acoplamento. Com
filtros de banda passante de dupla sintonia
a largura de faixa pode ser aumentada para
duas ou trs vzes em comparao quela amortecimento suficiente, para assegurar a
obtida com circuitos de sintonia simples,
tendo a mesma seletividade, porm, com ai-
.IAN. / FEV. 1964
H:... \1
c
(a) - Circuito h>ico do
acoplamento R-C de dois
estgios amplificadores de
AF.
!h)- Circuito equila/ente.
4RIO
guma reduo no ganho. li:ste sofre uma
queda de 3 dB quando se emprega transfor-
mador de FI de dupla sintonia ao invs de
transformador de sintonia simples. Portanto,
a escolha dos elementos de acoplamento, em
cada caso, ser determinada pela sensibili-
dade e seletividade que se requer.
Os transistores introduzem um elemento
de realimentao no circuito, representado por
Y 1 ~ no sistema Y de parmetros. Isto no
s afeta a largura de faixa e o ganho, mas,
o que mais srio, resulta em um risco de
instabilidade (oscilao), ou pelo menos em
uma curva de ressonncia assimtrica. O pro-
jeto e os clculos do circuito, particularmente
com respeito ao amortecimento dos circuitos
sintonizados e portanto de seus fatores de m-
rito, devem ser feitos de modo a manter a
estabilidade eltrica.
o-----_.--+---~--~_.--~~----._-+
FIG. 10
Transformador sintonizado, derivado. indutit,..amente,
como elemento acop!tulor em um circuito de FI.
A fig. 10 mostra um estgio de FI com
um transformador de acoplamento sintoniza-
do ; os enrolamentos do primrio e do se-
cundrio possuem derivao a fim de obter
estabilidade, e proporcionar o maior ganho
possvel de potncia e boa seletividade .
 Os pontos de derivao t 1 e t 2 , definidos
como uma porcentagem do nmero de espi-
ras dos respectivos enrolamentos, devem ser
escolhidos de forma que o amortecimento pa-
ralelo das bobinas do primrio e secundrio
A queda de tenso continua atravs de
Ro no problemtica, pois costuma-se ali-
m~ntar os transistores de FI com uma ten-
so mais baixa que a do estgio de sada.
Neste ltimo, usualmente, aplica-se a tenso

Fig. 11
Circuito prtico para conversor
de freqncia ef!l receptores de
onda mdia.

~-+----~----_. ____________.____ +
4RI2

seja R0 I t 1 2 e R 111 I t 2 2 respectivamente, onde
R0 a resistncia de sada do transistor
T 1 e R; 11 a resistncia de entrada do tran-
sistor T 2 . No diagrama estas resistncias es-
to indicadas com ligaes de linha inter-
rompida.
Tambm pode ser empregada uma deri-
vao capacitiva, como indicado na fig. 11,
com a vantagem de se poder usar transfor-
madores de FI padronizados, sem derivao.
Entretanto, esta combinao necessita de ali-
total de bateria. Pela mesma razo, no cir-
cuito de derivao indutiva da fig. 10 in-
cludo um resistor em srie no circuito de
coletor. Entretanto, neste caso, R 1 deve ser
desacoplado por um capacitor de grande va-
lor, indicado no diagrama como C~.
O resistor de coletor pode, ao mesmo tem-
po, ser usado para estabilizao do ponto de
funcionamento, quando o circuito alimen-
tado com metade da tenso da fonte, ou
em conjunto com um resistor de base (R 1 ).

Circuito RC neutralizador

----------4---~~~~--------~--._~~-t~+

L---
4RIJ

CAG
FIG 12
Combinao para neutralizao bsica em um estgio de FI.

mentao paralela (atravs do resistor R 2 , Esta combinao usualmente prefervel

no diagrama). Isto introduz amortecimento estabilizao feita com um potencimetro de
adicional no circuito ressonante, reduzindo o base e resistor de emissor desacoplado, uma
ganho em crca de 3 dB por estgio. vez que assegura um valor de amortecimento

44 REVISTA ELETRNICA
mais constante e, conseqentemente, um au-
mento na uniformidade da seletividade e da
largura de faixa dentro das variaes das
caractersticas do transistor.
A realimentao tambm pode ser redu-
zida por neutralizao, permitindo eventual-
mente um ganho maior. Para isto, aplica-se
base, atravs de uma combinao R-C, um
sinal obtido do primrio do transformador em
fase oposta realimentao. O sinal de neu-
tralizao deve ser ajustado de modo que a
realimentao Y 12 , seja zero ou de valor in-
significante . O circuito bsico de neutraliza-
o mostrado na fig. 12.
Seria ideal que cada transistor fsse in-
dividualmente neutralizado, mas isto apresenta
dificuldades prticas. Estas, entretanto, po-
dem eventualmente ser contornadas, empre-
gando-se um elemento neutra!izador fixo e
sub-dimensionado, que pode consistir, por
exemplo, de um simples capacitar.
Desde que, nos transistores "alloy" a ca-
pacitncia C12 muito pequena, os circuitos
que empregam transistores dste tipo no
precisam, via de regra, ser neutralizados.
O CONVERSOR DE FREQNCIA
No estgio conversor de freqncia o si-
nal de RF (freqncia da estao) combi- L-~-------- _ I
nado com uma oscilao de RF gerada lo-
calmente. Esta combinao produz uma fre-
qncia mais baixa, constante, que serve de
portadora do sinal original de modulao.
Como pode ser visto pelo circuito bsico re-
produzido na fig. 13, os dois sinais a serem
combinados so aplicados efetivamente em
srie entre a base e o emissor. !ste o nico
mtodo prtico para a converso, com um
dispositivo de trs terminais como um tran-
sistor.
A operao do conversor de freqncia
pode ser explicada como segue: A caracters-
tica ib I vb de um transistor no linear, e
portanto a componente alternada da corren-
te de base e ib = a, vh + a 2 Vb2 +
Na mistura aditiva, v" substitudo por
A A
v,., sen w,,t + vose sen <iloset.
Portanto, na corrente resultante apare-
cem componentes de vrias freqn-
cias, incluindo aquelas com freqncia
<w,, + <ilosel e <w,, - lose ).
JAN./FEV. 1964
A seo osciladora do conversor de fre-
qncia sintonizada simultneamente com
o circuito de antena estando os capacitares
de sintonia C1 e C2 , acoplados mecnicamente.
O valor de C2 em relao a C1 , escolhido
de forma que a "diferena" de freqncia ,
isto , <w,., - <ilose l seja constante em um
valor conveniente (por conveno = 455 kHz).
Os circuitos de acoplamento de FI so pr-
-sintonizados para a freqncia de FI, de
modo que esta freqncia separada e pos-
teriormente amplificada.
A oscilao local, <ilosc obtida pela in-
cluso de um circuito LC sintonizado no cir-
cuito de coletor, acoplado indutivamente ao
circuito de emissor. O oscilador do tipo
auto-oscilante e as oscilaes se verificam
Circuito
de R.F.
I
I
I
I I
4RI4
FIG. 13
Diagrama do circuito bsico de um conversor de
freqncia.
mediante excitao do circuito por um rudo
casual, aps o que estas so mantidas na
freqncia sintonizada.
Em um receptor projetado para diversas
faixas de onda, ou seja, faixa de ondas m-
dias OM e faixas de ondas curtas OC 1 , OC 2
e OC 3 , possvel s vzes, evitar o emprgo
de uma bobina osciladora separada para cada
faixa, adotando-se uma converso do "segun-
do harmnico". Por exemplo, para as OM
(0,5 - 1,6 MHz) o circuito oscilador deve
ser sintonizado na faixa de 0,95 - 2,05 MHz.
Os segundos harmnicos desta faixa de fre-
qncias abrangem 1,9 - 4,1 MHz e, por-
tanto, so apropriados para uso com a faixa
OC 3 , ou seja, 1,45 - 3,65 MHz. Similarmente,
o segundo harmnico da freqncia do osci-
lador, usado para a faixa OC 2 , pode ser usa-
do na faixa oc,. de modo que somente duas
45
bobinas osciladoras so necessanas para ope-
rao nas quatro faixas.
Um circuito prtico para um conversor
de freqncia auto-oscilante, para a faixa de
ondas mdias, apresentado na fig. 14. Para
assegurar um casamento timo e mnimo
I~
~~~------4-------------_.~------o+
L----------------------~
amortecimento, o coletor ligado a uma de-
rivao no primrio do transformador de FI.
O circuito estabilizado por meio do di-
visor de tnso da base, R 1 R 2 , e do resistor
de emissor R R, de modo convencional.
CONTRLE AUTOMATICO DE GANHO (CAG)
O contrle automtico de ganho assegura
uma sada mais ou menos constante, inde-
pendente das variaes do sinal de entrada,
FIG. 15
Contrle automtico de ganho
pela variao das condies de
polarizao de um transistor de
FI.
isto , das flututaes de intensidade da onda
portadora, causadas pelas diferenas de po-
tncia das estaes transmissoras e pela dis-
tncia entre estas e o receptor. Na ausncia
do CAG a sada obtida dos sinais distribui-
46
dos por tda a faixa de sintonia teria varia-
es de diversas ordens de grandeza, com o
conseqente risco de danificar o receptor.
O CAG compensa tambm as flutuaes na
intensidade de entrada ("fading") causadas
por mudanas nas condies atmosfricas.
FIG. 14
Circuito prtico para
conversor de freqn-
cia em receptores de
onda mdia.
9V
4RI5
O CAG funciona por meio de ajustes au-
tomticos do ganho de um ou mais estgios
na seo de RF do receptor e por realimen-
tao d.c. proporcional amplitude da onda
portadora de RF. derivado do detetor ou
de um estgio amplificador adjacente. Usual-
mente a tenso de CAG usada para con-
trolar a corrente de emissor de um dos tran-
sistores de FI, ajustando assim vrios par-
metrf'.s, resultando em reduo do ganho.
Se necessrio, o conversor de freqncia e os
,
--
-
Corrente de controle
4RI6
-~~
: stgios amplificadores de RF podem ser
controlados da mesma forma.
O contrle da corrente de emissor ob-
tido variando-se a corrente de base por meio
do sinal de CAG; isto resulta na alterao
REVISTA EI.ETRNJCA
 das condies de polarizao do transistor,
como indicado na fig. 15. O sinal de CAG
aplicado atravs da combinao R-C, que
opera como filtro de AF uniforme, para evi-
tar realimentao de AF nos circuitos de RF.
FIG. 16
Contr/e automtico de ganho de um estgio de FI pela variao do amortecimento do circuito ressonante ,
por meio do diodo D.
Para reduzir as inevitveis perdas de potn-
cia no filtro acima, um reator poderia subs-
tituir o resistor, entretanto, como tal com-
ponente dispendioso, prefere-se empregar a
combinao R-C.
O CAG requer uma considervel potncia
c.c., uma vez que o arranjo para estabiliza-
o do transistor sob contrle, evidentemente,
se ope ao do CAG. Portanto, torna-se
necessrio que a estabilizao do transistor
ou transistores sob contrle no seja dema-
siado rgida, a fim de se obter suficiente
contrle com a potncia c.c. disponvel. A
potncia disponvel para o CAG pode ser au-
mentada, tomando-se o sinal de CAG do l-
timo transformador de FI, por meio de um
dodo separado, ao invs de faz-lo do de-
tetor. Pode-se ainda obter o sinal de CAG
de um amplificador c.c. que segue o detetor.
Para esta ltima alternativa pode-se usar o
primeiro amplificador de AF, se o circuito
.J.'\1\j ./ FFV. 194
for projetado de forma que o estgio possa
operar simultneamente como um amplifica-
dor c.c. e como um amplificador de AF.
Outro mtodo de controlar o ganho de
um estgio de FI pela variao do amor-
CAG 41tl7
tecimento do circuito ressonante por meio de
um diodo, D, que polarizado negativamente.
A corrente de contrle do detetor aplicada,
ento, base do transistor de FI, como in-
dicado na fig . 16.
Com sinais fracos no detetor a corrente
de coletor grande, pois a tenso de contr-
le v. pequena. Enquanto V, for menor que
V" o dodo D estar cortado e o circuito LC
de F.I. no estar amortecido. Com o au-
mento progressivo dos sinais no detetor a
corrente de base do transistor diminui, e com
isto a corrente de coletor. A tenso efetiva
sbre o diodo D torna-se, ento, positiva, e
comea a passar corrente atravs dele. Como
a resistncia interna do diodo varia em pro-
poro inversa tenso aplicada, o amorte-
cimento do circuito ressonante aumenta com
o aumento da intensidade do sinal e, portan-
to, o ganho do estgio sob contrle diminui.
I:JI:JI:J
47