DEPARTAMENTO DE INGENIERA Pginas 15

BIOMDICA
PRACTICA NMERO 1.
Representacin grfica y analtica de la curva caracterstica, del
Diodo de germanio y silicio.
Christofer J. Homen1
1 Pregrado de Ingeniera Biomdica, Universidad Antonio Nario, Popayn, Colombia

ResumenEn la practica denominada "representacin

grfica y analitica del diodo de silicio y germanio" se podr
observar el comportamiento respectivo de dichos tipos de diodo;
sto frente a dos polarizaciones singulares; polarizacin directa e
inversa; ello conllevara a obtener datos para representar tales
comportamientos mediante su curva caracterstica. Todo esto
acarrear los analisis respectivos para cada suceso mencionado.

Palabras Clave: Curva caracterstica, diodo, polarizacin.

AbstractIn the practice of so-called "analytical and

graphical representation of the diode on silicon and germanium"
will be able to observe the behavior of these respective types of
diode; compared to this unique two polarizations; polarization Fig. 1. Smbolo elctrico del Diodo.
direct and inverse; this will entail to obtain data to represent such
behavior by its characteristic curve. All this will entail the analysis
B. Polarizacin Directa.
for each respective event mentioned.

I. INTRODUCCIN Cuando existe una fuente de corriente contina conectada a

un diodo como se muestra en la Fig. 2. Y el terminal negativo
de dicha fuente esta conectado al material del diodo tipo n, y el
E s conocido generalmente en el campo de la electrnica, que
l comportamiento del diodo contiene ciertas caractersticas
que determinan su representacin grfica mediante una curva
terminal positivo al material tipo p; se evidenciar la llamada
polarizacin directa [2].
tpica, esto en determinadas polarizaciones y, que adems cada
polarizacin (directa o inversa) dar lugar a una conducta
propia que asociar el voltaje y corriente para cada diodo.
Gracias a estos conceptos se implementar la aplicacin de
apartes tericos vistos con anterioridad, y la veracidad o
verificacin de los mismos mediante la prctica.

II. MARCO TEORICO.

A. Diodo.
Un diodo es un dispositivo no lineal puesto que la grfica de
la corriente en funcin de la tensin no es una lnea recta. Ello
debido a la denominada barrera de potencial, esta da como
resultado que cuando la tensin del diodo es menor que la
barrera de potencial, ser por que la corriente del diodo es
pequea; ms sin embargo, si la tensin del diodo supera esta
barrera, la corriente del diodo se incrementa rpidamente [1].
Fig. 2. Polarizacin directa del Diodo.
Para este caso el diodo permite la circulacin de corriente,
donde se comporta como un conductor, permitiendo que dicha
circulacin sea en el sentido considerado como general y
representativo al smbolo del diodo.

El smbolo elctrico del diodo se puede ver representado en la

Fig. 1.

1 2014 - Universidad Antonio Nario

 Representacin grfica y analtica de la curva caracterstica, del Diodo de germanio y silicio.

C. Polarizacin Inversa. inversa de fugas). Este suceso tambin se puede observar en la

Fig. 4.
Cuando se invierte la polaridad de la fuente de corriente,
entonces el diodo quedar polarizado de forma inversa, como
se muestra en la Fig. 3. En este caso el terminal negativo de la
batera se encuentra conectado al lado p, mientras que el
positivo al lado n. Esta conexin es denominada polarizacin
inversa [3].

Fig. 4. Curva caracterstica directa e inversa del Diodo.

C. Corrientes en el diodo polarizado inversamente.

Tcnicamente el comportamiento del diodo polarizado de

forma inversa ciertamente posee dos tipos de corrientes. La
Fig. 3. Polarizacin inversa del Diodo.
primera es la llamda Corritente de portadores minioritarios, la
segunda Corritente superficial de fugas.
En este caso, el diodo no permitir el paso de la respectiva
corriente (de manera que se comporta como un aislante). Sin La corriente de portadores minioritarios esta dada debido a la
embargo se puede dar el caso en donde el diodo se llegase a energa trmica que crea pares de electronces libres y huecos,
deteriorar, esto, si supera un valor determinado de tensin mientras que la corriente superficial de fugas se da debido a
(habra una conduccin muy fuerte). impurezas en la superficie e imperfecciones en la estructura
interna del material [4].
III. CURVA CARACTERSTICA.
IV. DESARROLLO DE LA PRCTICA.
A. Polarizacin Directa.
En la Universidad Antonio Nario, en el laboratorio de
Para el caso en que el diodo esta polarizado directamente, ingeniera biomdica fue llevada acabo la prctica respectiva
existir una representacin grfica, esta represetacin esta dada para la obtencin de la curva caracterstica del diodo de Silicio
por una curva tpica del diodo que relaciona valores y Germanio, el da lunes 25 del mes de Agosto del ao 2014.
representativos del mismo, estos comprenden como primera Para dicha prctica se requiri las herramientas o materiales que
instancia la corriente en funcin de la tensin. Este suceso se se ven descritos en la Tabla. 1.
puede evidenciar en la Fig. 4. En ella se observa como cuando
el valor de tensin es 0,7 V aproximadamente (umbral), la Material Descripcin
intensidad de la corriente adopta un comportamiento de Diodo de Silicio Necesario para la prctica
crecimiento progresivo, esto debido a que un aumento Diodo de Germanio 1N4148 Necesario para la prctica
determinado de la tensin dar origen a un aumento en la Resistencias (1K) Necesario para la prctica
corriente respectiva. Fuente de voltaje regulable Para aplicar voltajes
determinados.
B. Polarizacin Inversa. Multimetro Realiza mediciones de
Voltaje y Corriente.
Protoboard Para realizar el montaje del
Cuando el diodo se encuentra polarizado en forma inversa, circuito.
como primera medida se conoce que el voltaje de la fuente Tabla. 1. Tabla de materiales utilizados en la prctica.
respectiva caer directamente sobre el diodo en cuestin, por lo
cual tendr un comportamiento de circuito abierto, es decir, no Para la prctica con el diodo de Silicio se implemento el circuito
se dar la circulacin de corriente (cave aclarar que de forma que se puede observar en la Fig. 5.
practica esta no es notoria, ms sin embargo tericamente existe Para la prctica con el diodo de Germanio se implemento el
una corriente ciertamente pequea, que para el caso oportuno circuito que se puede observar en la Fig. 6.
no se ha de considerar, esta corriente es denominada corriente

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 C. Homen-Chamizo

Fig. 8. Curva caracterstica diodo germanio.

Gracias a las anteriores graficass se puede notar como mediante

Fig. 5. Circuito diodo silicio.
Donde R2: Resistencia de 1 K
BAT4: Bateria de alimentacin para el circuito
D3: Diodo de Silicio
BAT4(+): Dispositivo para realizacin curva caracterstica (Proteus)
D3(A): Dispositivo para realizacin curva caracterstica (Proteus)
la implementacin del Software mencionado es factible la
obtencin de las curvas caractersticas del diodo de Silicio y
Germanio respectivamente. Adems de esto se puede observar
como en forma virtual el Diodo de Germanio conduce mucho
antes que el Diodo de Silicio, esto debido a sus caractersticas
internas y su comportamiento propio.
Posterior a la implementacin de los circuitos en el Laboratorio,
mediante la utilizacin del multmetro para realizar las medidas
de voltaje y corriente en el Diodo de Silicio (En polarizacin
Directa e Inversa), se obtuvieron los datos expuestos en la
Tabla. 2.

VFuente(v) VS(v) IS(mA) VIS(v) IiS(mA)

0.2 0.27 0 0.27 0
0.4 0.44 0.04 0.44 0
0.5 0.47 0.09 0.47 0
Fig. 6. Circuito diodo germanio. 0.6 0.50 0.19 0.50 0
0.65 0.51 0.19 0.51 0
Donde R1: Resistencia de 1 K 0.7 0.52 0.27 0.52 0
BAT3: Bateria de alimentacin para el circuito 0.72 0.52 0.29 0.52 0
D4: Diodo de Germanio
BAT3(+): Dispositivo para realizacin curva caracterstica (Proteus) 0.74 0.53 0.29 0.53 0
D4(A): Dispositivo para realizacin curva caracterstica (Proteus) 0.8 0.54 0.32 0.54 0
0.9 0.54 0.44 0.54 0
Como primera instancia se procedi con la utilizacin del 1.1 0.55 0.53 0.55 0
Software Proteus en su versin 8.1, esto, para obtener la 1.4 0.57 0.83 0.57 0
representacin grfica de la curva tpica del diodo de silicio y 2 0.57 1.36 0.57 0
germanio. 3 0.59 2.23 0.59 0
4 0.61 3.17 0.61 0
La curva caracterstica arrojada por el circuito de la Fig. 5. Con 5 0.62 4.09 0.62 0
el diodo de Silicio tuvo el comportamiento expresado en la Fig. 5.5 0.64 4.73 0.64 0
7. 6 0.65 5.27 0.65 0
6.5 0.65 5.62 0.65 0
6.8 0.65 5.95 0.65 0
7 0.66 6.20 0.66 0
8.5 0.67 7.56 0.67 0
9.8 0.68 8.97 0.68 0
Tabla. 2. Datos obtenidos con el multmetro para el circuito de la Fig. 5.

Donde VFuente: Voltaje aplicado por la fuente

Fig. 7. Curva caracterstica diodo silicio.
La curva caracterstica arrojada por el circuito de la Fig. 6. Con
el diodo de Germanio tuvo el comportamiento expresado en la
Fig. 8.
VS: Voltaje en el Diodo de Silicio
IS: Corriente en el Diodo de Silicio
VIS: Voltaje en el Diodo de Silicio con Polarizacin Inversa
IiS: Corriente en el Diodo de Silicio con Polarizacin Inversa

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 Representacin grfica y analtica de la curva caracterstica, del Diodo de germanio y silicio.

Gracias a la implementacin del Software Excel se pudo VFuente(v) VG(v) IG(mA) VIG(v) IiG(mA)
obtener la representacin grfica referente a los datos de la 0.2 0.18 0.11 0.18 0
Tabla. 2. Esta represetacin grafica es la curva caracterstica al 0.4 0.20 0.27 0.20 0
Diodo de Silicio con Polarizacin Directa que se ve 0.5 0.21 0.32 0.21 0
evidenciada en la Fig. 9. 0.6 0.22 0.46 0.22 0
0.65 0.23 0.46 0.23 0
0.7 0.22 0.51 0.22 0
I vs V (Diodo de Silicio) 0.72 0.22 0.54 0.22 0
10 0.74 0.23 0.58 0.23 0
0.8 0.23 0.59 0.23 0
8
0.9 0.23 0.67 0.23 0
6
I(mA)

1.1 0.24 0.91 0.24 0

4 1.4 0.24 1.14 0.24 0
2 2 0.24 1.63 0.24 0
0 3 0.26 2.59 0.26 0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 4 0.27 3.53 0.27 0
V(v) 5 0.27 4.42 0.27 0
5.5 0.28 4.93 0.28 0
Fig. 9. Curva caracterstica diodo silicio Polarizacin Directa. 6 0.28 5.42 0.28 0
6.5 0.28 5.78 0.28 0
Efectivamente en la grafica de la Fig.9. se puede notar que es 6.8 0.28 6.05 0.28 0
respectivo el comportamiento de la Curva Caracterstica al 7 0.29 6.31 0.29 0
diodo de Silicio que se obtuvo mediante el Software Proteus 8.5 0.29 7.72 0.29 0
(cave aclarar que hay algunas variaciones incorrectas que se 9.8 0.30 9.07 0.30 0
dieron por factores externos en la Prctica) Tabla. 3. Datos obtenidos con el multmetro para el circuito de la Fig. 6.

Donde VFuente: Voltaje aplicado por la fuente

Acontinuacin en la Fig.10. se puede observar el
comportamiento grfico de los valores obtenidos en la Tabla. 2.
con Polarizacin Inversa
VG: Voltaje en el Diodo de Germanio
IG: Corriente en el Diodo de Germanio
VIG: Voltaje en el Diodo de Germanio con Polarizacin Inversa
IiG: Corriente en el Diodo de Germanio con Polarizacin Inversa

I vs V (Diodo de Silicio) Gracias a la implementacin del Software Excel se pudo

obtener la representacin grfica referente a los datos de la
1 Tabla. 3. Esta represetacin grafica es la curva caracterstica del
0.8 Diodo de Silicio con Polarizacin Directa que se ve
evidenciada en la Fig. 11.
0.6
I(mA)

0.4
0.2
I vs V (Diodo Germanio)
0 10
0 0.2 0.4 0.6 0.8 8
I (mA)

V(v) 6
4
Fig. 10. Curva caracterstica diodo silicio Polarizacin Inversa. 2
0
A pesar de que la corriente fue 0 para cada caso en el voltaje
0 5 10 15 20 25
en el Diodo, se podr evidenciar que igualmente el Diodo de
Silicio conduce mucho despus que el Diodo de Germanio. V(v)

Ahora bien, nuevamente mediante la utilizacin del
multmetro se realizarn las medidas de voltaje y corriente en
el Diodo de Germanio (En polarizacin Directa e Inversa), se
obtuvieron los datos expuestos en la Tabla. 3.
Fig. 11. Curva caracterstica diodo germanio Polarizacin Directa.
Para este caso se puede evidencia como efectivamente es el
Diodo de Germanio quin conduce mucho ms rpido que el
diodo de Silicio, cumple con el comportamiento de la Fig. 8.

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 C. Homen-Chamizo

(cave aclarar que hay algunas variaciones incorrectas que se

dieron por factores externos en la Prctica)

Finalmente en la Fig.12. se puede contemplar el

comportamiento grfico de los valores obtenidos en la Tabla. 3. REFERENCIAS
con Polarizacin Inversa para el diodo de Germanio.

I vs V (Diodo Germanio)
1
0.8
I (mA)

0.6
0.4
0.2
0
0 5 10 15 20 25
.
V(v)

Fig. 12. Curva caracterstica diodo germanio Polarizacin Inversa.

Para este caso se hace notorio la conduccin propia que posee

el diodo de Germanio para la prctica desarrollada, y como al
estar polarizado de forma directa adopta en la corriente valores
de 0mA, para cada voltaje correspondiente al Diodo.

CONCLUSIONES
En la prctica se evidencia como el diodo de Silicio tiene
una Corriente Inversa mucho ms baja que el de Germanio.
Es notorio como el Diodo de Silicio contiene
caractersticas que lo hacen mucho ms robusto frente al de
Germanio.
Resulto evidente el comportamiento determinstico que se
obvtuvo mendiante la representacin grfica (curva
caracterstca) de los datos obtenidos en la prctica.
En esta prctica se pudo determinar como la accin de
conduccin es mayor en el Diodo de Germanio frente al de
Silicio, es decir el diodo de Germanio posee una capacidad
de conmutacin mejor.

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