INFOTEH-JAHORINA Vol. 16, March 2017.

Efikasno upravljanje IGBT tranzistora upotrebom

TD350 integralnog kola

Nenad Jovani, Nijaz Hadimejli, Pero ekli

Odjeljenje za energetsku elektroniku
KV Team (u saradnji sa DV Power, vedska)
Sarajevo
Bosna i Hercegovina
nenad.j@kvteam.com, nijaz.h@kvteam.com, pero.c@kvteam.com

Sadraj U cilju obezbjeenja pouzdanog i efikasnog rada
elektronskog ureaja, prilikom njegovog projektovanja, a zbog
negativnog uticaja parazitnih komponenti, esto je neophodno
realizovati dodatnu zatitu pojedinih elemenata. S tim u vezi, u
radu je razmatran uticaj parazitnih induktivnosti na pojavu
prenapona kod prekidakih elemenata, koji su nezaobilazan dio
kod veine pretvaraa energetske elektronike. Navedene su
osnovne metode za suzbijanje ovih pojava. Na konkretnom
primjeru pretvaraa opisana je realizacija prenaponske zatite
IGBT tranzistora na bazi upravljakog kola TD350.
Kljune rijei: parazitna induktivnost, prenaponska zatita,
pretvara energetske elektronike, IGBT tranzistor; Keywords:
parasitic inductance, overvoltage protection, power converter,
IGBT transistor
I. UVOD
Danas je teko zamisliti elektronski ureaj bez nekog od
pretvaraa energetske elektronike. U svakom od njih postoji
najmanje jedan prekidaki element (elektronski prekida) koji
igra kljunu ulogu u radu pretvaraa. Samim tim, pouzdanost i
efikasnost elektronskog ureaja direktno zavisi od pouzdanog
i efikasnog rada prekidaa.
Kod izbora prekidaa kljuno je da karakteristike, kao to
su nominalna struja i napon, zadovoljavaju strujne i naponske
prilike koje vladaju u njegovom radnom okruenju. Pored
nominalnih vrijednosti parametara elektrinih elemenata,
uvijek su, u manjoj ili veoj mjeri, prisutne i parazitne
komponente svakog od njih. Njihovo prisustvo obino ima
negativan uticaj na rad sistema.
U radu e biti rijei o uticaju parazitnih induktivnosti na
pojavu prenapona na prekidakim elementima, koje mogu
ozbiljno da ugroze njihovu pouzdanost i efikasnost u radu. S
tim u vezi, bie naveden pregled osnovnih metoda za
ublaavanje prenapona. Na kraju, bie predstavljeno jedno
konkretano rjeenje prenaposke zatite IGBT tranzistora na
bazi upravljakog kola TD350.
II. PARAZITNA INDUKTIVNOST I NJEN UTICAJ NA POJAVU
PRENAPONA KOD PREKIDAKIH ELEMENATA
Kod elektrinih ema, veze izmeu elektronskih elemenata
predstavljene su kao idealni provodnici nulta otpornost,
induktivnost i kapacitivnost. Meutim, u praksi to nije sluaj,
jer su elektrine veze obino izvedene od materijala konane
provodnosti (bakar, aluminijum, platina, srebro, zlato...).
Takoe, povrina, oblik i meusobni poloaj veza odreuje
veliinu induktivnosti i/ili kapacitivnosti meu njima. Poto su
vrijednosti ovih veliina jako male i njihov uticaj obino
negativan, najee se nazivaju parazitnim. Primjera radi,
parazitna induktivnost bakarnog sloja tampe debljine 70 um,
duine 35 mm i irine 10 mm iznosi oko 20 nH. [1]
Kod iskljuenja prekidaa, energija koja je akumulisana u
parazitnim induktivitetima, kroz koje postoji struja i koju
prekida treba da prekine, biva osloboenja, pri emu dolazi
do pojave prenapona izmeu energetskih prikljuaka samog
prekidaa. Nivo prenapona direktno zavisi od koliine
nagomilane enegrije u parazitnom induktivitetu i brzine
iskljuenja prekidaa (1).
( )= [ ] (1)
Ovako formirani prenaponi sa sobom nose dovoljnu
koliinu energije koja moe trajno da oteti elektronski
prekida i/ili da generiu elektromagnetske smetnje, zbog ega
je jako vano da se prilikom dizajniranja pretvaraa ove
pojave ogranie ili potpuno eliminiu.
III. MJERE ZA SPREAVANJE NASTANKA I OGRANIAVANJE
PRENAPONA KOD PRETVARAA ENERGETSKE ELEKTRONIKE
Prilikom dizajniranja pretvaraa treba uraditi sve kako bi
vrijednosti parazitnih komponenti bile minimalne. To znai da
meusobne veze trebaju biti to je mogue krae. Takoe,
povrine petlji koje obrazuju reaktivni i prekidaki elementi,
to je mogue manje. U radu e biti pokazano kako se i
nainom upravljanja prekidakim elementima moe postii
redukcija nivoa prenapona.
Pored metoda za spreavanje uzroka nastanka, postoje
metode za priguenje ve nastalih prenapona, gdje se dio
energije prekidakih gubitaka disipira na elementima
prenaponske zatite (u engl. lit. snubbers ) ili se vraa prema
ulaznom izvoru energije. U literaturi postoje razliiti pokuaji
da se napravi generalna podjela tipova prenaponske zatite. Za
potrebe ovog rada, podjela je izvrena na sljedei nain: [2]

-1-
 Pasivna prenaponska zatita sastavljena od mree preteno
linearnih elemenata (otpornika, kondenzatora i/ili
induktiviteta). Energija prekidakih gubitaka disipira se na
elementima prenaponske zatite.
Slika 1. Primjeri pasivnih tipova prenaponske zatite
Aktivna prenaponska zatita sa disipacijom energije
sastavljena je od mree aktivnih elemenata, kao to su diode
(elektronski prekidai uopte) u kombinaciji sa otpornicima,
induktivitetima i/ili kondenzatorima. Energija prekidakih
gubitaka se disipira na elementima prenaponske zatite ili se
vraa u upravljaki krug prekidaa, na raun ega dolazi do
ponovnog ukljuenja prekidaa, to sprijeava dalji porast
prenapona.
Slika 2. Primjeri aktivnih prenaponskih zatita sa disipacijom energije
Aktivna prenaponska zatita sa rekuperacijom
energije realizovana je tako da se energija prekidakih
gubitaka, umjesto da troi na elementima prenaponske zatite,
najee preusmjerava na ulazni izvor energije, preko kruga za
prilagoenje napona.
Slika 3. Primjer aktivne prenaponske zatite sa rekuperacijom energije
-2-
IV. PRIMJER REALIZACIJE EFIKASNE PRENAPONSKE ZATITE
IGBT TRANZISTORA
Zbog svoje robusnosti (moe da podnese velika strujna i
naponska naprezanja) i jednostavnog upravljanja, IGBT
tranzistor esto ima ulogu prekidaa kod pretvaraa energetske
elektronike veih snaga (desetine kilovata, pa ak i stotine). Na
primjeru pretvaraa, iji opis slijedi u nastavku, bie
predstavljena efikasna zatita IGBT tranzistora od uticaja
prenapona, koja je bazirana na kombinaciji pasivnih i aktivnih
tipova prenaponske zatite kao i inteligentnog naina
upravljanja.
A. Struktura pretvaraa energetske elektronike i uslovi rada
IGBT tranzistora
Pretvara, koji je predmet ovog rada, predstavlja centralni
dio sistema elektronskog tereta ija je funkcija da oponaa
programabilno optereenje isto omskog karaktera. U osnovi,
sklop je veoma jednostavan (slika 4).
Slika 4 Blok ema elektronskog tereta
Na ulazu se nalazi filter, sastavljen od induktiviteta Lf i
kondenzatora Cf, ija je funkcija da obezbjedi neprekidnu
struju izvora Uu. Element na kome se vri disipacija najveeg
dijela snage ini spiralno postavljena otporna traka. Kao takva,
pored omskog otpora R, traka ispoljava i osobine induktiviteta
parazitnu induktivnost LR. Regulacija struje se vri pomoi
IGBT tranzistora T, koji radi u prekidakom reimu.
Kompletan sistem elektronskog tereta prilagoen je radu sa
naponima do 500 VDC i maksimalnim snagama do 25 kW.
B. Raunarski model pretvaraa
Za potrebe analize uticaja parazitnih induktivnosti veza
izmeu tranzistora i pripadajuih elemenata pretvaraa na
pojavu prenapona, razvijen je raunarski model pretvaraa
(slika 5) sa realnim modelima pojedinih elemenata pretvaraa
(u modele elemenata uvrtene su parazitne vrijednosti omske
otpornosti, kapacitivnosti i induktivnosti). Vrijednosti su uzete
iz katalokih podataka proizvoaa pripadajuih elemenata
pretvaraa. Dalje, parazitne induktivnosti otporne trake (LR),
kao i parazitne induktivnosti i otpornosti meusobnih bakarnih
veza na tampi (LV) mjerene su uz pomo RLC metra
SANWA LRC700.
Rezultati simulacije daju odgovore na dva pitanja: na koji
nain parazitne induktivnosti veza utiu na raspodjelu
prenapona izmeu pojedinih taaka pretvaraa i kakav uticaj na
nivo prenapona ima sam nain upravljanja tranzistorom.
Rezultati koji e biti prikazani i analizirani u nastavku,
dobijeni su pri sljedeim parametrima simulacije: Uul=480
VDC, Iul=60 A, f=20 kHz, napon gejta na ukljuenju i
iskljuenju Ug1=15 VDC i Ug2=-9 VDC, respektivno. Promjena
napona izmeu ova dva nivoa je linearna funkcija vremena.
parazitna otpornost i induktivnost
veze blok i filterskog kondenzatora
Rv 1
6m
U taki 3, nivo prenapona je praktino ostao isti. Meutim,
u ostalim takama dolo je do znaajne redukcije prenapona.
Tako je u taki 2 nivo prenapona manji za 38 V (6,5%), dok je
Lv 1
u taki 1 nivo prenapona manji za ak 57 V (8,7%).
80nH

Povratna dioda

R9 L1
R5
Lt1 LR D6
L6 R18
1 2 1 2 3 1 2 1 2
2m 30uH 5uH 5nH 10u
I 4.1 V
1 DSEP29-12A
C1 C4 parazitna Dc
IC = 440 330u induktivnost Lp1
30nH
330u IC = 440 trake
1/2 Parazitna 2
2
Otporna traka induktivnost i
L7
R1 R2 Rp1 otpornost veze 5nH
V1
480 0.110 0.110
0.01m izmedju diode i
2 2 Lv/2 tranzistora 1
LC1 LC2 Cc
12nH 12nH 2
V R11
1 0.01m
1 1 1/2 Parazitna
0 0 induktivnost i Lp2 30nH
IC = 440
otpornost veze
izmedju diode i 2
Crc1 C2
3n3
Ulazni LC filter tranzistora 1u
1

Rp2
0.01m Lrc1 30nH
D10
Rof f 1 Lv/2 RC clan
2
10R 1 preko
D1N4448 M1 V
tranzistora
Ron1
IXXKX200N65B4
Rrc1
10R
4R7

V1 = -9
V2 = 15
TD = 0
TR = 0.01u
TF = 0.01u
PW = 30u
PER = 50u
0 0
Slika 5. Raunarski model sistema (u OrCAD-u)
1) Uticaj parazitnih induktivnosti veza na raspodjelu
prenapona. Veza izmeu kolektora IGBT tranzistora prema
diodi DC modelovana je iz dva dijela veza tranzistora (taka
1, sa slike 5) prema jednom kraju otpornika RRC (taka 2, sa
slike 5) modelovana je preko omske otpornosti (RV1=10 u) i
parazitne induktivnosti (LV1=30 nH). Dalje, veza izmeu
spomenute take 2 i anode diode DC (taka 3 sa slike 5) takoe
je modelovana preko omske otpornosti (RV2=10 u) i
parazitne induktivnosti (LV2=30 nH).
Slika 6. Uticaj parazitnih induktivnosti na raspodjelu prenapona (Tf=100 ns)
V2 D7
BZX84C18/ZTX
R21
D9
BZX84C12/ZTX
2k2
Slika 7. Uticaj vremena iskljuenja tranzistora na nivo prenapona (Tf=2 us)
0
0
0
Na osnovu injenice da nivo prenapona zavisi od brzine
promjene struje kroz tranzistor (jednakost (1)) i dobijenih
simulacionih rezultata, moe se zakljuiti da je kontrolom
brzine iskljuenja tranzistora mogue uticati na nivo
prenapona koji se javlja u trenutku njegovog iskljuenja.
Zbog nelinearnosti funkcije IC=f(UGE), koja je posljedica
postojanja parazitnih kapaciteta izmeu gejta i emitera CGE i
gejta i kolektora CGC (tzv. Milerova kapacitivnost) i fenomena
njihovog punjenja/pranjenja, u cilju to efikasnijeg
upravljanja, neophodno je primjeniti inteligentne naine
upravljanja [5]. Za potrebe upravljanja tranzistorom
razvijenog prototipa pretvaraa iskoriteno je upravljako kolo
TD350 o kojem e biti vie rijei u nastavku.
C. Realizacija inteligentnog naina upravljanja upravljako
kolo TD350.
Kolo TD350 predstavlja inteligentno upravljako kolo sa
integrisanim upravljakim i zatitnim funkcijama koje su
neophodne za pouzdan i efikasan rad IGBT tranzistora.
Razvijeno je od strane kompanije za proizvodnju elektronskih
komponenti STMicroelectronics (www.st.com) i posebno je
prilagoeno za rad sa 1200 V IGBT tranzistorima, nazivnih
struja od 15 A do 75 A. Na slici 8 prikazana je blok ema kola
kojeg karakteriu sljedee funkcije: [3]

Na slici 6 prikazani su talasni oblici napona u takama 1, 2

i 3, za sluaj kada je vrijeme pada struje kroz tranzistor
Tf=100 ns. Jasno se moe uoiti da je nivo prenapona najvei
na kolektoru IGBT tranzistora (taka 1). to pokazuje da je
nivo prenapona u direktnoj vezi sa veliinom parazitne
indukvitnosti koja se nalazi u liniji tranzistora prema ostalim
elementima pretvaraa.
2) Uticaj brzine iskljuenja tranzistora na nivo Slika 8. Interna blok struktura TD350 kola u okruenju tipine primjene [3]
prenapona. Na slici 7 prikazani su talasni oblici napona u tri
karakteristine take (1, 2 i 3) pri istim uslovima kao u Ulazni/okidni stepen (IN) predstavlja analogni ulaz.
prethodnom testu, s tim da je vrijeme pada struje kroz Dizajniran je tako da se kolo moe okidati preko otpokaplera
tranzistor poveano sa 100 ns na 2 us. ili impulsnog transformatora. Posto je za okidanje dovoljna
ivica ulaznog signala, prua se mogunost korienja
impulsnih transformatora male snage, dimenzija i cijene.

-3-
 Izlazni stepen (OUTPUT) realizovan je kao dvokanalni. ukljuenje VH=15 VDC, nivo napona za iskljuenje VL=-9
Kanali su odvojeni, tako da dozvoljavaju nezavisno VDC, vrijeme zadrke na iskljuenju Ta=2 us i nivo
ukljuivanje i iskljuivanje tranzistora bez korienja meunapona na iskljuenju LVOFF =2,5 V. Kompletan talasni
eksternih dioda. Garantovana struja ukljuenja i iskljuenja oblik upravljakog signala na izlazu prema IGBT tranzistoru
tranzistora, za puni opseg promjene radne temperature (-40 prikazan je na slici 10.
125 C), iznosi 1,20 A i 0,75 A, respektivno. Maksimalni
napon za pojedine kanale je VH=18 V i VL=-12 V.
Funkcija iskljuenja u dva nivoa obezbjeuje pouzdano
iskljuenje tranzistora u normalnom radu i u sluaju detekcije
struje kratkog spoja. Unutar TD350 kola, umjesto nagle
promjene napona gejta sa VH na VL nivo, realizovana je
funkcija koja pravi vremensku zadrku (Ta) na redukovanoj
vrijednosti napona OUTH koja je VH<LVOFF<0 i na taj nain
usporava iskljuenje, to ograniava nivo prenapona preko
tranzistora. Vrijednosti Ta i LVOFF se preko eksternih
elemenata (otpornika i kondenzatora) mogu podesiti u
zavisnosti od okruenja i izabranog tipa tranzistora.
Aktivni Milerov ograniava obezjeuje kontrolu struje
gejta za vrijeme brzih promjena dV/dt, ime se eliminie
potreba za negativnim naponom gejta pri iskljuenju. Dok
traje iskljuenje tranzistora, vri se nadgledanje napona gejta i Slika 10. Talasni oblik upravljakog signala
kada on padne ispod 2 V, izlaz kola (CLAMP) postaje aktivan
i gejt tranzistora kratko spaja prema masi. Na taj nain se vri Na slici 11 prikazan je dio razvijenog prototipa pretvaraa.
Posebno su oznaene pozicije IGBT tranzistora i elemenata
pranjenje parazitnih kapacitivnosti na ulazu IGBT tranzistora
prenaponske zatite.
i obezbjeuje sigurno iskljuenje tranzistora.
D. Ostvareni rezultati kod razvijenog prototipa pretvaraa
Na bazi znanja steenog kroz teorijske osnove nastanka i
uticaja prenapona kod pretvaraa energetske elektronike, kao i
analize rezultata simulacionog modela, razvijen je prototip
pretvaraa ija je ema, sa pripadajuim elementima
prenaponske zatite, prikazana na slici 9.

Slika 11. Razvijeni prototip pretvaraa - pozicija IGBT tranzistora i elemenata

prenaponske zatite

Slika 9. Blok ema razvijenog prototipa pretvaraa sa pripadajuim
elementima prenaponske zatite
Zbog parazitne induktivnosti otporne trake (LR5 uH),
realizovana je prenaponska zatita IGBT tranzistora kao
kombinacija aktivne (DC-CC) i pasivne (RRC-CRC) prenaponske
zatite.Zbog prisustva parazitnih induktivnosti veza izmeu
IGBT tranzistora i njegovog okruenja (LV60 nH) i strogo
postavljenog zahtjeva za nivo prenapona na tranzistoru, bilo je
neophodno uvesti dodatne mjere, u vidu inteligentnog naina
upravljanja tranzistorom, kako bi se prenaponi sveli na
zadovoljavajui nivo.
Upravljanje IGBT tranzistorom realizovano je preko
upravljakog kola TD350. Parametri funkcije za iskljuenje u
dva nivoa konfigurisani su na sljedei nain: nivo napona za
Kao to se moe vidjeti, poloaj elemenata realizovan je
tako da duina meusobnih veza bude minimalna. Samim tim
i parazitne induktivnosti veza svedene su na minimum.
Takoe, oznaene su i take (1, 2 i 3) u kojima vladaju naponi
o kojima je bilo rijei u okviru analize simulacionih rezultata
(slika 6 i 7).
U nastavku slijedi pregled i analiza rezultata koji su
ostvareni na realizovanom prototipu pretvaraa:
Na talasnom obliku napona IGBT tranzistora (UCE) pri
Uul=480 VDC i Iul=60 A, koji je prikazan na slici 12, moe se
vidjeti da prenapona, u vidu uskog pica praktino i nema.
Jedino se primjeuje priguena sinusna oscilacija ija se
frekvencija poklapa sa rezonantnom frekvencijom pasivnog
dijela prenaponske zatite RC lana.

-4-

Slika 12. Talasni oblik UCE (CH1) i Iul (CH2) pri Uul=480 VDC
Poreenja radi, na slici 13 prikazani su talasni oblici
napona UCE pri vremenu iskljuenja TfA=100 ns (A) i TfB=2
us. U oba sluaja, vrijednosti ulaznog napona i struje iznosile
su Uul=300 VDC i Iul=70 A.
a)
b)
Slika 13. Talasni oblici napona UCE pri TfA=100 ns (a) i TfB=2 us (b)
-5-
Evidentna je razlika u nivoima prenapona za ova dva
sluaja. Za TfA=100 ns, maksimalna vrijednost napona UCE
iznosi 440 V, dok je za TfB=2 us, maksimalna vrijednost
napona znaajno nia i iznosi 350 V.
Prikazani ekspretimentalni rezultati jasan su pokazatelj da
se prekidakim elementima, kod pretvaraa energetske
elektronike, pravilnim dizajnom elemenata prenaponske
zatite i izborom adekvatnog naina upravljanja, mogu
obezbjediti uslovi rada koji u normalnim i havarijskim
stanjima garantuju pouzdanost i efikasnost.
V. ZAKLJUAK
Prilikom razvoja pretvaraa energetske elektronike treba
voditi rauna o uzrocima nastanka i negativnim uticajima
parazitnih induktivnosti, koje mogu da narue pouzdanost i
efikasnost rada prekidakih elemenata, koji su najee kljuni
elementi pretvaraa. U radu je napravljen osvrt na osnovne
principe nastanka i ublaavanja uticaja prenapona na rad
pretvaraa. Posebno je istaknut princip inteligentnog naina
upravljanja tranzistorom, kao efikasna mjera za spreavanje
nastanka prenapona. Predstavljen je primjer primjene
namjenski dizajniranog upravljakog kola koje na raun
usporavanja procesa iskljuenja tranzistora vri redukciju
prenapona. Kroz prikazane rezultate, koji su dobijeni
simulacijom i eksperimentalnim mjerenjima na razvijenom
prototipu pretvaraa, pokazano je da se kombinacijom aktivne i
pasivne prenaponske zatite, uz inteligentan nain upravljanja,
moe ostvariti efikasna prenaponska zatita IGBT tranzistora.
LITERATURA
[1] http://chemandy.com/calculators/flat-wire-inductor-calculator.htm.
[2] Rudy Severns, Snubber Circuits for Power Electronics, 2008.
[3] ST Microelectronics, Advanced IGBT/MOSFET driver DocID018539
Rev 3, 2013
[4] Yi Zhang, Saed Sobhani, Rahul Chokhawala, Snubber Considerations
for IGBT Applications International Rectifier Applications Engineering,
233 Kansas St., El Segundo, CA, 90245 USA
[5] Andreas Volke, Michael Hornkamp, IGBT Modules Technologies,
Driver and Application, Infineon Technologies AG, Munich, Second
edition 2012.
ABSTRACT
Securing reliable and efficient operation of electronic
devices often requires additional protection of individual
elements of a circuit from parasitic components during the
design stage. Therefore, this paper analyzes the influence of
parasitic inductance on overvoltages at switching elements,
which are an unavoidable part of most electronic converters.
The paper also lists the basic methods for avoiding this
phenomenon. One example of overvoltage protection of IGBT
transistors based on TD350 control circuit is provided on a
specific converter.
Efficient Control of IGBT Transistors Using a TD350
Integrated Circuit
Nenad Jovani, Nijaz Hadimejli, Pero ekli