Tecnologas de

Semiconductores para
Frecuencias ms Altas

E
l rango de ondas milimtricas (30-300 en el juego.
GHz) no est bien utilizado, excepto En este artculo, se presenta una vista panormica
en su parte baja. Las nuevas de los dispositivos activos de semiconductores
aplicaciones en imagenologa, disponibles para aplicaciones a 100-GHz y 100-Gb/s,
seguridad, basada en las
medicina,
transmisiones
y Andr Scavennec, propiedades de los
semiconductores y los
inalmbricas de Marko Sokolich, e requisitos de los
corto alcance, as como la dispositivos. Se
siempre creciente tasa de Yves Baeyens describen entonces las
transmisin de datos por fibra tecnologas de uso ms
ptica podran cambiar esta (Traduccin por Dr. Roberto S. Murphy, INAOE, comn, y se presenta el
situacin rpidamente [1],[2]. Tonantzintla, Puebla, Mxico) estado de las
Durante las ltimas tres tecnologas en
dcadas, las tecnologas III-V (GaAs y InP) se han competencia en dos reas distintas: divisores de
expandido progresivamente en todo el rango de frecuencia, que ilustran la capacidad de una
ondas milimtricas. Ms recientemente, y debido al tecnologa para circuitos digitales de alta velocidad,
escalamiento continuo de los procesos, las y osciladores, que ilustran su comportamiento para
tecnologas basadas en silicio tambin han entrado aplicaciones en circuitos analgicos.

__________________________________________________
Andr Scavennec (andre.scavennec@3-5lab.fr) est en Alcatel Thales III-V Lab, Route de Nozay, 91460, Marcoussis, Francia.
Marko Sokolich (MSokolich@hrl.com) est en los Laboratorios HRL, Malib, California, 90265-4797, EUA.
Yves Baeyens (baeyens@alcatel-lucent.com) est con Bell Labs, Alcatel-Lucent, Murray Hill, Nueva Jersey, 07974, EUA.

Abril 2009 IEEE microwave magazine 77

El desempeo a frecuencias ms altas implica
tiempos de trnsito ms cortos y menores
efectos parsitos RC.
Propiedades Bsicas de Materiales y Procesos
Propiedades de Materiales Semiconductores
Los dispositivos electrnicos que operan a muy altas
frecuencias presentan un comportamiento
relacionado principalmente a 1) las propiedades del
material semiconductor constitutivo, y 2) la
estructura del dispositivo [3]. El Si, GaAs, y InP son
hoy en da los materiales ms adecuados a elegir
para dispositivos con frecuencias de corte de 300
GHz y mayores. En la Tabla 1 se reportan algunos
parmetros importantes en la caracterizacin de la
banda prohibida, propiedades de transporte de
portadores, y conductividad trmica. Tambin se
reportan las propiedades de la red de InGaAs
acoplada a InP, GaN, y InAs.
Una banda prohibida lo suficientemente grande
(Eg> 1 eV) es ventajosa ya que proporciona buenas
propiedades de ruptura. El Si, GaAs y InP de hecho
pueden soportar voltajes del orden de unos cuantos
volts en 100 nm; ms an, las uniones p-n presentan
un comportamiento rectificador bien definido, con
corrientes de fuga despreciables a temperatura
ambiente. Se obtienen voltajes de ruptura an
mayores con GaN, mientras que slo se pueden tener
dispositivos de muy bajo voltaje con InAs, ya que la
banda prohibida es pequea.
La movilidad de los electrones es ms alta para
materiales III-V que la del silicio, lo que indica menor
resistencia en serie para un nivel de dopado dado en
regiones de contacto tipo n, pero lo opuesto ocurre
para las regiones tipo p debido a la menor movilidad
de los huecos en los materiales III-V. Sin embargo, la
velocidad de los portadores en la regin de campo
alto del dispositivo, que controla ambos la
transconductancia y el tiempo de trnsito, est ms
cercana a la velocidad de deriva de saturacin (vsate
o vsath, dependiendo del tipo de portador; es
cercana a 100 nm/ps). Debido a efectos transitorios
(la transferencia de electrones desde los valles de
Tabla 1. Propiedades de materiales semiconductores: Banda prohibida de energa (Eg) y voltaje de ruptura
(Vbr), movilidad de electrones y huecos (e y h, respectivamente), y velocidad de saturacin (vsate, vsath para
electrones y huecos, respectivamente [4]).
78 IEEE microwave magazine
baja energa y alta movilidad en la banda de
conduccin hacia los valles de mayor energa y
menor movilidad no es instantnea), el transporte de
electrones se ve beneficiado por el sobretiro; por
ejemplo, una velocidad efectiva mayor a 3 x 107cm/s
se ha inferido del tiempo de trnsito base-colector en
transistores bipolares de heterounin (HBTs) de
colector delgado, que es cerca de cinco veces la
velocidad de saturacin [5].
Un mejor desempeo a frecuencias ms altas
implica tiempos de trnsito menores y ms bajos
componentes parsitos RC; esto se obtiene
generalmente al escalar los dispositivos hacia
dimensiones menores e incrementar la densidad de
corriente, tanto para los transistores de efecto de
campo (FETs) como para los bipolares (por ejemplo,
[6]). La conductividad trmica se vuelve un
parmetro muy importante para dispositivos y
circuitos de muy altas frecuencias, y la buena
conductividad del silicio es una ventaja real sobre las
tecnologas competitivas III-V, ya que una mayor
densidad de empaquetamiento es posible.
Una de las principales ventajas de los primeros
circuitos integrados monolticos para microondas
(MMICs) basados en III-Vs, fue resultado de las
propiedades semi-aislantes del substrato sin dopar (o
compensado), directamente relacionado a la gran
banda prohibida del semiconductor (resistividad del
substrato del orden de 108 cm contra 104 cm para
Si). Esto permiti la fabricacin de resistores,
inductores, y lneas de transmisin con bajos efectos
parsitos asociados. Siguiendo los recientes
desarrollos de aplicaciones en microondas de gran
mercado (por ejemplo, redes de telefona mvil), se
ha hecho mucho progreso con la introduccin de
componentes pasivos en tecnologas de silicio.
Adicionalmente, la tecnologa con substratos de
silicio-sobre-aislante (SOI) ha demostrado su
potencial en la reduccin de efectos parsitos (sin
embargo, con el costo de una menor conductividad
trmica del substrato).
FETs y Bipolares para Applicaciones en Altas
Frecuencias
Hoy en da, los transistores bipolares y FETs apro-
Abril 2009
piados para aplicaciones en altas frecuencias estn
basados en heterouniones (una excepcin importante
es el MOSFET, basado en silicio). Las heterouniones
han sido desarrolladas por ms de 40 aos, y han
continuado evolucionando en trminos de tensin de
red. Las heterouniones entre dos materiales distintos
(con la misma estructura cristalina y los mismos
parmetros de red) se caracterizan principalmente
por la diferencia en sus bandas prohibidas y la forma
en que esta diferencia se reparte entre
discontinuidades en banda de conduccin y banda
de valencia (Tabla 2). En la regin activa de los
transistores, las heterouniones se usan con dos
objetivos diferentes:
Para asegurar que en transistores bipolares la
inyeccin de electrones del emisor a la base sea
predominante sin importar sus respectivos niveles
de dopado.
Para confinar electrones en un pozo no dopado en
transistores de alta movilidad de electrones
(HEMTs).
An cuando se tomaron los pasos iniciales con
heterouniones de red apareada, pronto fue evidente
que se poda lograr un mejor desempeo con redes
desapareadas, siempre y cuando las capas cristalinas
tensionadas se mantuvieran dentro de sus lmites de
espesor pseudomrfico (si la pelcula crecida es lo
suficientemente delgada, su constante de red se
ajusta a la del substrato). Esta propiedad es usada
para crecer capas para la base con tiempo de trnsito
corto en HBTs (por ejemplo, con una composicin
gradual) as como pelculas para canales de alta
movilidad en HEMTs. Pasando un espesor crtico
(mientras ms alto sea el desapareamiento, ms
Ms all de un espesor crtico, la pelcula
crecida se relaja, y aparecen dislocaciones en
la estructura cristalina.
delgada la pelcula), la pelcula crecida se relaja y
aparecen dislocaciones en la estructura cristalina.
Esta situacin puede an ser usada para crecer una
pelcula de alta calidad cristalogrfica en un
substrato con una constante de red diferente, con una
pelcula de transicin intermedia (buffer) que atrapa
la mayora de las dislocaciones. Este tipo de
estructuras se encuentran, por ejemplo, en los
llamados HEMTs metamrficos, con una
heterounin activa de alta calidad crecida sobre una
pelcula inerte de transicin. En particular, las
estructuras metamrficas permiten el uso de canales
de alta movilidad de InAs [7],[8].
Actualmente, se pueden visualizar varias
tecnologas para aplicaciones a 100-GHz y 100-Gb/s:
HEMTs de GaAs y InP; HBTs de InP y SiGe, que han
estado disponibles en la ltima dcada; y el proceso
CMOS de Si, que ha aparecido ms recientemente
como un jugador potencial. Tecnologas
prometedoras como los HEMTs de GaN y los que
usan materiales de banda prohibida reducida
tambin podran entrarle al juego. Hasta ahora,
HEMTs de GaN se han desarrollado por su
impresionante manejo de potencia en frecuencias de
microondas y ondas milimtricas [9]. Ms an, ya
que la alta densidad electrnica en la interfaz (cerca
de 1013cm-2) resultante de los efectos piezo-elctricos
asociados a la estructura cristalina compensan la
relativamente baja movilidad de los portadores, un

TABLA 2. Las heterouniones ms comunes y sus principales aplicaciones en microelectrnica. En esta tabla,
Eg indica la diferencia en bandas de energa entre los dos materiales, mientras que Ec es la discontinuidad en
banda de conduccin.
Heterounin Caractersticas Aplicaciones
HeterounionesdeHBTsdeSiGe;elSiGe
MaterialTensionado
Si/Si0.8Ge0.2 tambinseusaenCMOSdeingenierapor
Eg=0.18eV;Ec=0.03eV
tensin
Redapareada EstructuradeBarrera/CanalparaHEMTsy
Al0.3Ga0.7/GaAs
Eg=0.4eV;Ec=0.25eV uninemisorbasedeHBTsdeGaAs
UninEmisorBaseparaHBTsdeGaAs;se
Redapareada
Ga0.5In0.5/GaAs consideraqueproporcionamayor
Eg=0.48eV;Ec=0.17eV
confiabilidadqueAlGaAs
Tensionado EstructuradeBarrera/CanalparaHEMTs
Al0.3Ga0.7/In0.2Ga0.8As
Eg=0.7eV;Ec=0.45eV pseudomrficos
Redapareada UnindeBaseEmisorparaHBTsdeInP,y
InP/In0.5Ga0.5As
Eg=0.6eV;Ec=0.25eV uninColectorBasedeDHBTs
HeterounindeBarrera/CanalparaHEMTs
Redapareada deredapareadaenInP,ascomoen
Al0.5In0.5As/In0.5Ga0.5As
Eg=0.7eV;Ec=0.52eV HEMTsmetamrficosensubstratode
GaAs
Tensionado HeterouninBarrera/CanalenHEMTsde
Al0.3Ga0.7N/GaN
Eg=0.85eV;Ec=0.55eV GaN(consubstratodezafiro,SiCoSi)

Abril 2009 IEEE microwave magazine 79

Si, GaAs, y InP son hoy en da los materiales
ms adecuados a elegir para dispositivos con
frecuencias de corte de 300 GHz y ms all.
mejor desempeo a muy alta frecuencia se presenta
como factible, si el diseo de la estructura especfica
pudiese ofrecer bajas resistencias de acceso [10].
Diferencias entre HBTs y FETs
Ms all del hecho de que los FETs son dispositivos
unipolares (slo un tipo de portador se involucra en
la operacin del transistor, mientras que un
dispositivo bipolar implica ambos tipos de
portadores), se pueden observar varias diferencias
entre las tecnologas bipolar y FET, en particular:
Un HBT tiene una caracterstica de operacin
exponencial [es decir, la corriente de colector
depende del voltaje de entrada de manera
exponencial: ic exp(Vbe/kT)], mientras que en
un FET es cuadrtica [la corriente de drenaje vara
conforme el cuadrado del voltaje compuerta-
fuente: ids (Vgs2)]. Esto se traduce en una
mayor dispersin de los voltajes de umbral para
los HEMTs. Es por esto que los circuitos
integrados (CIs) digitales de alta velocidad, o los
de modo mixto, son generalmente diseados
usando tecnologa de HBTs (pero hay que
recordar el xito de CMOS en CIs digitales). Por
el otro lado, los HEMTs presentan un menor
ruido de microondas que los transistores
bipolares (la resistencia de la compuerta de metal
es menor que la resistencia de base del
semiconductor).
Figura 1. Diagrama de bandas para la
heteroestructura HEMT ilustrando el canal de ancho
de banda angosto entre el substrato semi-aislante (SI)
y la capa de barrera. En este diagrama, la barrera
est dopada, lo que significa que los dopantes son
introducidos en una pelcula muy delgada. Los
electrones en el canal se acumulan en el pozo
cuntico en la interfaz, con una densidad superficial
ns controlada por la diferencia en la banda de
conduccin (EC).
80 IEEE microwave magazine
Un HBT es un dispositivo vertical que opera a
muy altas densidades de corriente (>100 kA/cm2
y hasta > 1MA/cm2 para los HBTs de ms alta
frecuencia de corte). Debido a su alta resistencia
trmica, el alto consumo de potencia de los HBTs
podra mitigar la ventaja inherente de su baja
dispersin de voltaje de umbral.
An cuando las frecuencias de corte pueden ser
similares (hasta 500 GHz), los transistores
bipolares para microondas son generalmente
dispositivos de baja impedancia, caracterizados
por ms altas transconductancia y capacitancia de
entrada. Esto tiene varias consecuencias,
incluyendo la menor sensitividad de los bipolares
a la carga.
Procesos Disponibles
Aunque los varios procesos no estn fcilmente
disponibles para un diseador, hay un nmero
limitado de fabricantes por medio de los cuales se
puede acceder a los siguientes procesos:
CMOS de 45-, 65-, y 90-nm
HBT de 130-nm de SiGe
HEMT de 100-nm
HBT de InP de 500-nm.
Los HEMTs de GaAs han estado bajo desarrollo
por mucho tiempo, con longitudes de compuerta
muy por debajo de 1 m; el principal cambio
tcnico con respecto a los primeros MESFETs est
relacionado con su ms compleja estructura
heteroepitaxial. De manera similar, los HBTs III-V
han encontrado xito comercial en amplificadores de
potencia de GaAs de baja frecuencia para telfonos
mviles. Es slo a travs del cambio de material a
sistemas basados en InP que esta tecnologa ha
entrado en el dominio de las muy altas frecuencias.
Ms recientemente los procesos de silicio, debido a
la continua reduccin de las dimensiones de los
transistores, tambin entraron en el campo de las
ondas milimtricas. Cuando se desarrollaron los
HBTs de SiGe, esta tecnologa fue directamente
introducida por fabricantes Bi-CMOS con procesos
sub-micromtricos profundos, rpidamente
presentando frecuencias de corte cercanas a las de
sus contrapartes III-V. Hoy en da, las principales
diferencias entre las dos son: 1) el ambiente
industrial ms maduro de los HBTs de SiGe
(complejidad circuital ms alta y el ambiente CMOS
aadido), y 2) el menor voltaje de ruptura del
colector del proceso.
Cuando se trata de aplicaciones, los principales
factores que decidirn cul tecnologa es la ms
apropiada son probablemente los siguientes, con su
peso respectivo dependiendo de la aplicacin.
1) Desempeo. ste es un factor clave, en
particular para aplicaciones que requieren de un
desempeo del estado del arte.
2) Especificaciones objetivo. Las especificaciones
para la aplicacin pueden cambiar (conforme
evolucionan los estndares), y algo de flexibilidad
puede ser apropiado para nuevas aplicaciones.
Abril 2009
 3) Consumo de potencia en DC. Un consumo bajo
es un factor importante para reducir el tamao del
equipo y el peso y consumo de potencia para
terminales mviles.
4) Nmero de compuertas. ste es otro aspecto
importante, ya que el procesamiento digital de
seales ha aumentado el peso en las aplicaciones.
5) Costo. ste es obviamente un aspecto
significativo, y se aplica al sistema completo. El
costo depende, a su vez, del nmero de piezas
requeridas (tamao de mercado): para cantidades
pequeas o moderadas (unas cuantas 103 hasta 105
piezas), los procesos III-V pueden ser menos caros
que los de SiGe; para cantidades ms altas, la
situacin puede ser la contraria.
Descripcin y Estado de los Procesos Maduros
GaAs con P-HEMTs y M-HEMTs de InP
Originalmente, los transistores de GaAs eran FETs de
compuerta Schottky (MESFETs) con canal tipo n, ya
que la movilidad de electrones es mucho ms alta
que la de huecos en los materiales III-V. El fuerte
fijamiento del nivel de Fermi en la superficie, que
impide la realizacin de una estructura MOS,
favoreci el desarrollo de la compuerta Schottky. El
desempeo del MESFET se mejor gradualmente al
aumentar el nivel de dopado del canal, sacrificando
la movilidad de los electrones (la movilidad
disminuye cuando el dopado aumenta) y la corriente
de fuga de la compuerta. La introduccin de la
estructura HEMT (ver Figura 1) en la dcada de
1980, permiti dos mejoras simultneas: 1) el
aumento de la corriente de canal con un canal de alta
movilidad (resultando en una transconductancia
alta) y 2) mejora en la corriente de fuga debido a la
gran barrera de la banda prohibida.
Desde la concepcin de la estructura HEMT, se han
introducido muchos refinamientos, dirigidos a
mejorar el desempeo (ns y vsate). Dos caminos han
sido usados principalmente: 1) incrementar la
diferencia en bandas prohibidas, lo que permite una
mayor acumulacin de electrones en el pozo de la
interfaz y 2) aumentar la movilidad del canal, lo que
significa aumentar el contenido de In en el canal de
InGaAs (de xIn=0% en el HEMT convencional de
GaAs hasta xIn=80% en el HEMT ms rpido de InP).
Actualmente, se estn desarrollando dos tipos de
HEMTs en substratos de GaAs:
1) El P-HEMT comn de GaAs (HEMT
pseudomrfico), con una barrera de AlGaAs y un
canal tensionado de InGaAs, que es
principalmente usado en aplicaciones de bajo
ruido o potencia en el rango de frecuencia de 20-
70 GHz [11].
2) Se obtiene una mayor velocidad con el M-HEMT
de GaAs (HEMT metamrfico), que es
bsicamente una estructura de red acoplada de
InP (con una heteroestructura de
AlInAs/InGaAs) crecida en una capa de
transicin relajada sobre un substrato de GaAs.
Abril 2009
Desde la concepcin de la estructura HEMT,
se han introducido muchos refinamientos,
con el objetivo de mejorar el desempeo.
Esta estructura se beneficia tanto de la mayor
velocidad de la estructura basada en InP como
del menor costo asociado con los substratos de
GaAs, que son ms grandes y menos
quebradizos. Esta tecnologa est actualmente
presentando un excelente desempeo en potencia
y ruido a 100 GHz [12], a pesar de la
relativamente pobre conductividad trmica de la
pelcula de transicin.
Sin embargo, un desempeo sobresaliente en
trminos de frecuencia de operacin ms alta y
mayor potencia de salida se obtiene todava con el
PM-HEMT de InP, con ms de 400 mW a 90 GHz [13]
y ms de 2 mW a 300 GHz [14].
HBT de InP
El trabajo serio en transistores bipolares de
heterounin (HBTs) de InP comenz al final de la
dcada de 1990, en conjunto con el primer reporte de
un dispositivo exitoso usando sistemas de materiales
acoplados en red a un substrato de InP [15]. Este
sistema material ofrece varias ventajas sobre el SiGe
y el GaAs, incluyendo:
1) Ms alta movilidad y velocidad de los
electrones en InGaAs (acoplado a la red
cristalina del InP) que en GaAs o SiGe.
2) Una menor velocidad de recombinacin
superficial que en GaAs, y por lo tanto, una
mayor ganancia en corriente, resultando en
la habilidad de escalar a dimensiones ms
pequeas.
3) Voltaje de encendido del emisor ms bajo
que en GaAs, debido al uso en la base del
InGaAs, de ancho de banda ms angosto.
4) Un campo de ruptura mayor que el del SiGe
cuando el InP se usa como el material del
colector.
5) Un mayor producto campo de
ruptura/frecuencia de corte que cualquier
otro material de Si o III-V.
6) Un dopado mximo ms alto en la base de
InP y en la cubierta del emisor de InGaAs,
lo que resulta en valores ms pequeos de
la resistencia parsita de contacto.
7) La habilidad adicional de ingeniera de
banda prohibida del HBT debido a los
muchos semiconductores ternarios que
tienen su red acoplada a la del InP.
En aos recientes, el HBT de InP ha sido
responsable de los puntos de referencia para
transistores y circuitos ms rpidos. Recientemente,
grupos en Santa Brbara e Illinois han reportado
dispositivos con Ft ms all de los 700 GHz, y
Ft/Fmax balanceados arriba de los 500 GHz [16], [17].
IEEE microwave magazine 81
El bajo consumo de potencia es un factor
importante para reducir el tamao del equipo,
y el peso y consumo de potencia de las
terminales mviles.
HBT-BiCMOS de SiGe; CMOS y NMOS
Desarrollados al final de la dcada de 1980, los HBTs
de SiGe son procesados con la bien establecida
tecnologa de silicio. A travs de varios desarrollos,
incluyendo dopado de la base con carbono y auto-
alineacin del crecimiento de la base, se ha obtenido
un desempeo impresionanteen particular, con
HBTs presentando altas Ft, Fmax (>300 GHz) en una
configuracin Bi-CMOS [19]. Adicionalmente, se
obtienen propiedades excelentes de ruido 1/f, tiles
en mezcladores y osciladores, debido a las bien
pasivadas uniones. Todas estas caractersticas han
resultado en muchos CIs operacionales, como son
multiplexores (MUX) y demultiplexores (DEMUX)
usados en sistemas de transmisin de fibra ptica de
43-Gb/s, convertidores analgico-digital de alta
velocidad [20], y conjuntos de chips para radar
automotriz de 77 GHz, y hasta para transceptores
trabajando ms all de los 100 GHz [21].
Figura 2. Microfotografa de un DHBT de InP con
emisor de 0.6 m de ancho antes de interconectarse.
El HBT se fabrica con un proceso autoalineado de
triple mesa [18].
En aos recientes, con la disponibilidad de
procesos de compuertas muy cortas (ahora en el
rango de 45-90 nm), se han reportado muy altas
frecuencias de corte para transistores MOS de canal n
(Ft > 200 GHz) [22]. Estos resultados, que van de
acuerdo con el International Roadmap for
Semiconductors (ITRS), han sido obtenidos de la
reduccin en longitud de compuerta a niveles antes
restringidos al (expansivo) proceso de definicin de
compuerta por haz de electrones de los HEMTs III-V,
as como de las mltiples y continuas evoluciones de
la estructura MOS. Al igual que para la estructura
HEMT, el desempeo es mejorado por un canal de
mayor movilidad (obtenido, por ejemplo, con un
canal tensionado de silicio), y al mantener una
favorable razn de aspecto entre el espesor del xido
82 IEEE microwave magazine
y la longitud del canal, derivada de los llamados
dielctricos de compuerta de alta k (aunque el SiO2
proporciona una pasivacin del silicio sin rival, su
constante dielctrica relativaslo 4se vuelve muy
pequea conforme la longitud del canal, y el espesor
de la compuerta, se escalan hacia abajo).
Aprovechando los beneficios de este extendido
desempeo en frecuencia, se ha hecho trabajo
preliminar evaluativo del potencial de la tecnologa
MOS durante los ltimos aos para el dominio de la
banda milimtrica [23]. Una alta densidad de
integracin y el bajo costo (para cantidades grandes
de chips) son razones de peso para estar interesados
en los procesos de silicio.
Dispositivos III-V: Co-Integracin con CMOS
Para obtener los beneficios de ambos mundos, la
hetero-integracin de procesos es una solucin
prometedora. Se ha investigado por distintos
caminos con el fin de lograr la muy cercana
integracin de transistores III-V (de hecho,
transistores basados en InP) con CMOS de silicio, en
particular con el proyecto COSMOS financiado por
DARPA [24]. Se investigan varios enfoques, desde
integracin sper-alineada de chips encontrados (en
ingls flip-chip) (menos de 5 m), hasta la tcnica
completamente monoltica de capas epitaxiales
desapareadas. Los primeros resultados son muy
prometedores, con un poco degradacin de las
propiedades de los dispositivos de InP despus de su
integracin en obleas de procesos CMOS, y la
demostracin de amplificadores diferenciales de
gran ganancia-ancho de banda (mayor a 100 GHz),
caracterizados por un barrido de salida amplio y bajo
consumo de potencia [25]. Aunque no est
directamente relacionado, uno tambin debe darse
cuenta del progreso hecho a lo largo del ITRS a
travs de la investigacin de capas III-V para canales
de alta movilidad en tecnologa MOSFET [26].
De Transistores a Circuitos
La seccin anterior ilustra las caractersticas de los
distintos procesos disponibles para dispositivos
activos. Estos dispositivos son la llave para abrir la
puerta al rango de frecuencia sobre los 100 GHz,
pero no son suficientes. Tambin se necesitan
medios adecuados para transformarlos en circuitos
funcionales, lo que implica reas especficas de
desarrollo para lneas de transmisin, componentes
pasivos y tierras. Debido a estos factores, las
caractersticas de los dispositivos se traducen a reas
de aplicacin en las que un proceso puede ser ms
adecuado que otros.
Actualmente, uno puede identificar reas
especficas en las que un proceso destaca, como se
muestra en la Tabla 3.
Esta tabla nos da una imagen de la evolucin del
estado del arte. Esta imagen se sustenta en la
siguiente descripcin de dos tipos ilustrativos de
circuitos. El progreso en circuitos especficos de
ondas de luz de 100 Gb/s se trata en un artculo por
T. Swahn, Y. Baeyens y M. Meghelli en este ejemplar
[53].
Abril 2009
Tabla 3. Las principales tecnologas en competencia en las diferentes reas de aplicacin.
OndasMilimtricas
PHEMTdeInP
Elmejorprocesodisponiblepara
aplicacionessubmilimtricas[14]
PyMHEMTdeGaAs
Productoscomercialesdisponibles, Notanrpidocomoelde
concaractersticasdealtapotenciao InP,peromejorparaCIs
bajoruido[11]
HBTdeInPyGaAs
AltaFmax,quesetraduceen
demostracionesprometedoras[5]
HBTdeSiGe
Conjuntosdechipslistospara
aplicacionesenlabanda
milimtrica(porejemplo,evasin
decolisiones,radar)[27]
CMOSdeSi
CMOSnanomtricospermitenalto
desempeo,receptoresaltamente
integrados[32]
SealesDigitales ConversinA/D
HBTdeInP HBTdeSiGe
Losdivisoresms LderesdelacompetenciaconunADCa
rpidos,amplificadores 40Gsps,3b;sebeneficiarncon
debandabaseyCIs integracinBiCMOS[20]
MUXde4:1oDEMUX
1:4[28]
HBTdeSiGe CMOSdeSi
Usandounatopologadeintercaladode
tiempopermitenlacombinacindealta
demedianacomplejidad, resolucinyvelocidad,juntoconbaja
comocircuitosMUXde potencia,porejemplo,unADCa24Gspsy
4:1[29] 6b[30]
HEMTdeInP HBTdeInP
Ultrarpido,peroporlo Rangodinmicodeentradamsamplio;
generalmejorpara buendesempeoengeneral[31]
circuitosdemasbaja
complejidad[33]
CMOSdeSi
Excelenteintegracin
paracircuitosdeondade
luzdealtacomplejidad
[34];lavelocidadest
limitadaporahoraa
cercade80Gb/spara65
nm[35]

El Divisor Esttico como un Referente de la

Tecnologa
Los procesos de semiconductores para circuitos
digitales tpicamente se evalan por el desempeo de
divisores de frecuencia estticos. El desempeo de
un circuito de este tipo es una reconocida figura de
mrito para procesos de circuitos integrados
digitales ya que un divisor de frecuencia esttico
usa los mismos elementos flip-flop encontrados en
circuitos secuenciales ms complejos [36]. El mismo
flip-flop se usa como la base de divisores, circuitos
de decisin, y multiplexores en sistemas de 10/100-
Gb/s [37]. De entre los varios circuitos que usan
estos elementos base similares, se selecciona el
divisor esttico ya que sucede que ste es el
elemento que mejor se puede evaluar sin
ambigedad con equipo de prueba sencillo, e indica
la cota superior de la capacidad de la tecnologa.
La velocidad reportada para divisores estticos
desde principios de la dcada de 1990 al presente se Figura 3. Frecuencia mxima de operacin de
muestra en la Figura 3. Los datos indican un divisores de frecuencia estticos en funcin del ao
aumento continuo en los ltimos aos, an despus en que fue reportada. Los datos incluyen slo
del colapso del mercado para fibra ptica de alta aquellos resultados que fueron indicados como los
tasa de datos alrededor del ao 2000. Mucho del mejores para una tecnologa dada en su momento.
progreso reciente ha sido apoyado por DARPA a

Abril 2009 IEEE microwave magazine 83

El desempeo de los divisores de frecuencia
bloques bsicos esenciales para transpondedores
estticos es tpicamente la referente para seriales de 100 Gb/s, y para las telecomunicaciones
procesos semiconductores de circuitos de ondas milimtricas de siguiente generacin, radar
digitales. de alta resolucin, y sistemas de imagenologa. Estos
osciladores requieren de una combinacin de bajo
travs del programa de Tecnologa para ruido de fase, alta potencia de salida y buena
Transmisores giles en Frecuencia Digitalmente eficiencia DC a RF, especialmente a las ms altas
Sintetizados (TFAST). Ntese que los mejores frecuencias. Esto se traduce en un nmero de
resultados son consistentes con los obtenidos con importantes requisitos tecnolgicos:
tecnologa de HBTs de InP, con los HBTs de SiGe Una alta frecuencia de oscilacin mxima (fmax es
siguiendo muy de cerca [38]. Las tecnologas HEMT crtica para operacin en la banda sub-
o CMOS no han sido tan competitivas a las milimtrica; por lo tanto, los osciladores de ms
frecuencias ms altas debido al gran tamao que se alta frecuencia fundamental estn basados en
requiere para alcanzar la transconductancia HEMTs de nanoescala basados en InP). El
necesaria con un dispositivo basado en FET. Los oscilador de ms alta frecuencia reportado fue
mejores resultados publicados hasta ahora para un por ms de una dcada un oscilador HEMT de
divisor esttico son 150 GHz usando tecnologa HBT InP de 213-GHz [42]. Recientemente, mejoras
de InP de 250-nm, y el progreso reciente se ha adicionales en la fmax de los dispositivos han
enfocado en reducir la disipacin de potencia [39].
Este nivel de desempeo es congruente con circuitos
de decisin de tasa completa de 100-Gb/s, y
MUX/DMUX con un amplio margen de desempeo.
La disipacin de potencia es especialmente
importante a las tasas de operacin ms altas,
cuando una sola compuerta puede disipar
cientos de miliwatts. CMOS ha entrado
recientemente a la competencia, con resultados
prometedores (frecuencia de entrada en el rango de
90-100 GHz [40]), aunque el consumo de potencia
aumenta rpidamente conforme aumenta la razn de
conmutacin del divisor (por ejemplo, 23 mW a 87
GHz [41]). La mejor disipacin de potencia
reportada a 150 GHz es de 42 mW/compuerta,
usando tecnologa de HBTs de InP [39].

Osciladores (VCOs) como Referentes de Figura 4. Vista panormica del ruido de fase
reportado (a 1 MHz de la portadora) para osciladores
Tecnologa de ondas milimtricas implementados en distintas
Los osciladores controlados por voltaje (VCOs) son
tecnologas.

Figura 5. (a) Diagrama esquemtico y (b) vista del patrn geomtrico de un oscilador push-push de D-HBT de InP
[52].

84 IEEE microwave magazine Abril 2009

 permitido una oscilacin fundamental de hasta La disipacin de potencia es especialmente
346 GHz usando un HEMT de InP de 35-nm de
compuerta, con Fmax de 600-GHz [43]. DHBTs importante a las tasas de operacin ms altas,
de InP tambin han demostrado recientemente en las que una sola compuerta puede disipar
oscilacin fundamental a frecuencias cientos de miliwatts.
submilimtricas [44].
Para obtener un buen ruido de fase en la cercana mente demostrado. Se han reportado en la literatura
de la portadora en el oscilador, es importante varios osciladores push-push hechos con varias
usar una tecnologa con ruido de parpadeo tecnologas de semiconductores compuestos: en [47]
(flicker) bajo. Las tecnologas bipolares como el se reportan osciladores PHEMT de GaAs de 0.13 m
SiGe o los HBTs de InP presentan tpicamente trabajando hasta 140 GHz, y en [48] se reportan
esquinas de ruido 1/f ms bajas que los FETs osciladores de HBT en SiGe hasta 278 GHz. An las
como los HEMTs y CMOS, gracias a la influencia tecnologas CMOS han exitosamente demostrado
reducida de los estados superficiales. Cuando se fuentes arriba de los 100 GHz: un oscilador push-
revisa el ruido de fase a diferencias ms grandes push de 192-GHz fue reportado para una tecnologa
(por ejemplo, a 1 MHz de la portadoravea la CMOS de 130-nm [49].
Figura 4), los osciladores CMOS de onda
milimtrica han demostrado ruidos de fase
cercanos a los de sus contrapartes HBT en SiGe y
InP. Esta comparacin no toma en cuenta la
influencia del rango de entonacin y podra estar
sesgada por el hecho de que a frecuencias
milimtricas, se reporta un mejor ruido de fase
para osciladores sin un buffer de salida, como se
hace notar en [45].
Finalmente, a las frecuencias ms altas, la
potencia de salida disponible de los osciladores
se vuelve un parmetro de diseo importante,
especialmente cuando los dispositivos se operan
cerca de su fmax, ya que se vuelve
progresivamente ms difcil amplificar la seal de
salida. Para maximizar la potencia de salida, la
excursin de voltaje interno del oscilador debe
Figura 6. Espectro convertido hacia-abajo (LO=321.6
ser maximizada. La mayora de los dispositivos
GHz, banda lateral superior) de un VCO push-push
III-V, como son los HBTs de InP, tienen una clara
de D-HBT de InP operando a 355 GHz (sin
ventaja en trminos de ruptura, especialmente al
correccin de las prdidas del mezclador).
compararlos con CMOS. Esto resulta en una
potencia de salida mayor.

Osciladores Push-Push para Fuentes de Alta

Eficiencia ms all de 100 GHz
Para alcanzar mayor potencia de salida en los
osciladores arriba de 100 GHz, los diseadores por
lo general prefieren una topologa de oscilacin
push-push, en la que las salidas de dos osciladores
acoplados en anti-fase se combinan para
proporcionar una seal de salida de segunda
armnica fuerte. Esta topologa permite la
realizacin de fuentes ms all de la fmax de las
tecnologas disponibles para dispositivos activos,
y permite la extensin del rango de frecuencia de
las tecnologas de resonadores de alta Q [46]. An
ms, usando la topologa push-push, se puede
hacer una fuente atada en frecuencia al fijar al
oscilador en un lazo de amarre de fase (PLL) Figura 7. Vista panormica de la potencia de salida y
usando un divisor, ya sea esttico o dinmico, la frecuencia de operacin reportadas para
operando a la frecuencia fundamental en lugar de osciladores realizados con distintas tecnologas. Los
a la frecuencia de salida del segundo armnico, resultados obtenidos usando osciladores
reduciendo los requisitos de velocidad del divisor fundamentales y push-push se indican con smbolos
a la mitad. vacos y rellenados, respectivamente.
El potencial de los osciladores push-push en
la banda milimtrica de frecuencia ha sido amplia-

Abril 2009 IEEE microwave magazine 85

Las tecnologas HEMT y CMOS no han sido tan
competitivas a las ms altas frecuencias debido al
gran tamao necesario para alcanzar la
transconductancia necesaria con dispositivos
basados en FETs.
Ms recientemente, una fuente operando alrededor
de los 410 GHz fue construida usando tecnologa
CMOS de 45-nm [50]. Sin embargo, an cuando se
use la topologa push-push, debido al reducido
voltaje de ruptura de las tecnologas de alta
velocidad basadas en silicio, y de la necesidad
de operar circuitos CMOS de nanoescala a bajos
voltajes de polarizacin, se observa una reduccin
significativa en la potencia de salida de los
osciladores push-push CMOS que operan arriba de
los 100-GHz. La fuente de 410-GHz basada en
CMOS, por ejemplo, tiene una potencia de salida de
20 mW, que puede no ser suficiente para
aplicaciones de transmisin o para manejar
mezcladores en receptores. Como se ilustra en los
siguientes prrafos, una seleccin ideal para
osciladores push-push de alta potencia es la
tecnologa de HBTs de doble heterounin (D-HBT)
de InP, que presenta una combinacin con alta fmax
y un voltaje de ruptura alto.
Se han logrado osciladores push-push integrados
con frecuencias entre 220 y 355 GHz con la tecnologa
HBT D-HBT de InGaAs/InP con emisor de 0.5 m de
Alcatel-Lucent/Bell-Labs, presentando una
frecuencia mxima de oscilacin de 335 GHz y un
voltaje de ruptura (Vbceo) de 4V [51].
Estos osciladores estn basados en una topologa
de osciladores Colpitts balanceados. Un segundo
armnico de seal fuerte es generado al combinar las
salidas fuera de fase y entonando reactivamente la
impedancia de salida del oscilador al segundo
armnico usando cortos a tierra [52], como se
muestra en la Figura 5. Se han logrado varios
osciladores usando esta topologa. Una vista del
patrn geomtrico de un oscilador de 287-GHz se
muestra en la Figura 5. Los resonadores de lnea de
transmisin, LE, LB, y LC, son hechos con microcinta
delgada usando un plano de tierra de chapa de oro
de 2-m de espesor sobre un dielctrico internivel de
baja k (er=2.6) de 7-m de espesor.
La seal de salida de los distintos osciladores fue
medida usando una punta de prueba WR03 de gua
de onda, y se convirti a baja frecuencia usando un
mezclador sub-armnico WR03. Hasta 1 mW de
potencia de salida y una eficiencia de DC a RF de 2-
3% fue medida a 210 GHz y 235 GHz. Una potencia
de salida de cerca de -5 dBm se obtuvo para
osciladores operando a 280 y 297 GHz. El espectro
de salida medido para el oscilador de ms alta
frecuencia logrado se muestra en la Figura 6. An
cuando la frecuencia de salida est ms all de la
banda de la gua de onda WR03 de las puntas de
prueba para oblea y el mezclador de conversin
hacia abajo, una seal IF fuerte fue detectada
despus de mezclar la seal del oscilador con un
86 IEEE microwave magazine
oscilador local efectivo (LO) de 321.6 GHz. Despus
de corregir las prdidas por las puntas de prueba y el
mezclador, que se estiman en 23 dB y 30 dB, se
obtuvo una potencia de salida sobre -13 dBm a 355
GHz.
En la Figura 7 se muestra la potencia de salida de
estos osciladores en funcin de la frecuencia de
oscilacin, y se compara con osciladores fabricados
en varias tecnologas de semiconductores. Gracias al
alto voltaje de ruptura de los D-HBTs de InP, y a la
tcnica de entonamiento de segunda armnica, que
aumenta la potencia de salida en unos 5 dB, los
osciladores push-push de D-HBT de InP logran
mayor potencia de salida y eficiencia que otras
fuentes basadas en transistores y reportadas hasta
ahora para este rango de frecuencia.
Conclusiones
Existen varios materiales y tecnologas
semiconductoras apropiados para satisfacer
aplicaciones de 100-GHz y 100-Gb/s. Algunas veces
compiten una con otra, como se podra esperar ya
que ste es un nuevo campo de aplicaciones y las
respectivas ventajas e inconvenientes de estas
tecnologas an se estn valorando. El propsito de
esta presentacin fue ilustrar la variedad y posible
potencial de estas tecnologas en evolucin con cada
vez mayor desempeo en frecuencia. Mientras que
la mejora en el desempeo del dispositivo se bas
por mucho tiempo solamente en la reduccin de las
dimensiones permitidas por el proceso de
fotolitografa, las heteroestructuras y la ingeniera de
tensiones son ahora medios poderosos para
aumentar el desempeo, tanto en velocidad como en
potencia, a un nivel que abre la puerta al campo de
aplicaciones en 100-GHz y 100-Gb/s.
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Abril 2009