TALLER ELECTRONICA I

MICHAEL ARIZA PUENTES

OSCAR HERNANDEZ MARTINEZ

ARTHUR BURGOS RODRIGUEZ

UNIVERSIDAD DEL MAGDALENA

INGENIERIA ELCTRONICA
ELECTRONICA I
GRUPO 4
SANTA MARTA D.T.C.H
2017-II
UNIVERSIDAD DEL MAGDALENA
ELECTRONICA I
Taller N. 1

1. Describir el comportamiento del diodo ideal.

El diodo ideal presenta un comportamiento NO LINEAL y conducir la corriente en un
solo sentido y actuara como un circuito abierto en cualquier intento por establecer
corriente en direccin opuesta.
2. Determine las corrientes I_1, I_2 e I_D2

3. Determine V_0 e I en la siguiente configuracin de diodos.

4. Determine V_0 e I_D en la siguiente configuracin de diodos

5. Utilizando las caractersticas de funcionamiento del diodo en la figura 1.1,

determine I_D, V_D y V_R para siguiente circuito:
6. Con sus propias palabras, defina un material intrnseco, material Extrnseco y
enlace covalente.
Un material intrnseco es aquel que se encuentra en su estado puro es decir que no
contiene ninguna impureza ni tomos de otro tipo dentro de su estructura.
Un material extrnseco es aquel que se obtiene mediante un proceso conocido como
dopaje y que consiste en la introduccin de impureza.
Un enlace covalente se producen entre tomos de un mismo elemento no metal y entre
distintos elementos no metales y es necesario que la diferencia de
electronegatividad sea menor a 1,7.
7. Describa la diferencia entre materiales semiconductores tipo n y tipo p.
Los semiconductores tipo n son aquellos obtenidos por la adiccin de dopantes con
ms valencias que el semiconductor intrnsecos de partida. En el caso de los
semiconductores tipo p la situacin es la contraria que en los tipos n se utilizan
elementos con menos valencias que los semiconductores intrnsecos de partida.
8. Bosqueje la estructura atmica del cobre y explique por qu es un buen conductor
y en qu forma su estructura es diferente de la del germanio, el silicio y el
arseniuro de galio.

El cobre se caracteriza por ser uno de los mejores conductores de electricidad (el
segundo despus de la plata). Gracias a su alta conductividad elctrica, ductilidad
y maleabilidad.
El cobre forma parte de una cantidad muy elevada de aleaciones que generalmente
presentan mejores propiedades mecnicas, aunque tienen una conductividad elctrica
menor. Por otra parte, el cobre es un metal duradero porque se puede reciclar un
nmero casi ilimitado de veces sin que pierda sus propiedades mecnicas.
El cobre es un buen conductor de electricidad y de calor ya que en su ltima orbita
posee solo un electrn y al estar los tomos bien empaquetados juntos, lo cual
forma el metal, cada tomo pierde un electrn y queda con ion +1 lo que hace que el
electrn se mueva libremente en el metal.
Lo que hace que la estructura del cobre sea diferente a la del germanio, el silicio
y el arseniuro de galio (GaAs) es en el nmero de electrones en su ltima orbita,
el germanio y el silicio poseen 2e- y el GaAs que es un compuesto de arsnico 5e- y
galio 3e-.
9. Describa con sus propias palabras el funcionamiento de diodo de un unin PN en
la condiciones de polarizacin en directa, polarizacin en inversa y sin
polarizacin.
Polarizacin directa: al conectar el borne positivo (ctodo) de la fuente a la zona
P, y el borne negativo (nodo) a la zona N. si aplicamos tensin directa, se reduce
la barrera de potencial de la unin, puesto que la tensin aplicada impulsa a los
electrones de N y huecos de P hacia la unin (estrechando la zona de deplexin).
Por tanto, los electrones tienden a cruzar la unin de N a P y los huecos en
sentido opuesto. Si la tensin de la fuente es mayor que la tensin umbral, el
diodo conducir la electricidad a su travs.
Polarizacin inversa: al conectar el borne positivo (ctodo) de la fuente a la zona
N y el borne negativo (nodo) a la zona P. Debido a la polarizacin de la batera,
los electrones y los huecos se encuentran atrados hacia los extremos del diodo,
alejados de la unin PN, de manera que se ensancha la zona de deplexin. As los
electrones y huecos encuentran mayor dificultad para pasar a travs de la unin.
Por tanto, el diodo no permitir el paso de la corriente a su travs comportndose
como un interruptor abierto.
Sin polarizacin: Al unir un semiconductor tipo N con uno tipo P se origina un
flujo de electrones a travs de la unin PN. Los electrones libres (del
semiconductor N) se unen a los hueco (del cristal P) formndose un in positivo en
N y uno negativo en P. Esto origina una tensin de difusin que se opone al flujo
de electrones a travs de la unin. Esta tensin ir aumentando con el paso de ms
electrones de N hacia P, hasta llegar un punto que imposibilita el paso de ms
electrones. Al valor de la tensin en este momento se le llama barrera de potencial
o tensin umbral, (aproximadamente 0,7 V para diodos de Silicio, y de 0,3 V para
diodos de Ge). En la zona prxima a la unin PN aparece la llamada zona de
deplexin, en la cual no existen portadores de carga libres.

10. Indique las principales aplicaciones de los diodos.

Las principales aplicaciones de los diodos son:
Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa
Rectificacin en paralelo
Doblador de tensin
Estabilizador zener
Leed
Limitador
Circuito fijador