EE610 Eletrnica Digital I

Prof. Fabiano Fruett

Email: fabiano@dsif.fee.unicamp.br

2_a Conceitos Fundamentais de

Circuitos Digitais
2. Semestre de 2007

Conceitos Fundamentais 1

Circuitos lgicos-digitais
Conceitos Fundamentais

Parmetros para caracterizao de circuitos

lgicos
Escalas de integrao
Tecnologias de CIs digitais e famlias de
circuitos lgicos Famlias digitais

Conceitos Fundamentais 2

1
Parmetros para caracterizao
de circuitos lgicos
Margens de rudo
Atrasos de propagao
Dissipao de potncia
Produto atraso-potncia
Fan-in Fan-out
rea na pastilha de silcio

Conceitos Fundamentais 3

Correntes e tenses nos dois

nveis lgicos

Fonte: R. Tocci
Conceitos Fundamentais 4

2
Comparao entre fornecimento e
absoro de corrente

Fonte: R. Tocci
Conceitos Fundamentais 5

Correntes e tenses nos dois

nveis lgicos
VIH High-level Input Voltage
VIL Low- level Input Voltage
VOH High-level Output Voltage
VOL Low-level Output Voltage

IIH High-level Input Current

IIL Low-level Input Current
IOH High-level Output Current
IOL Low-level Output Current

Conceitos Fundamentais 6

3
 Margens de Rudo

MRH

MRL

Conceitos Fundamentais 7

Caracterstica de transferncia
de tenso do inversor real

Conceitos Fundamentais Fig. 13.28

4
Atraso de propagao de um inversor lgico

Conceitos Fundamentais Fig. 13.39

Dissipao de potncia

Potncia esttica
Mdia entre lgica alta e lgica baixa

Potncia dinmica
Exemplo: Inversor alimentado com VDD,
capacitncia de carga C chaveado na freqncia f

PD = fCV DD
2

Conceitos Fundamentais 10

5
 Produto atraso-potncia

Figura de mrito para comparao das famlias lgicas

Delay-Power product

DP = PD t p [J]

Quanto + DP, mais eficaz & a famlia lgica

Conceitos Fundamentais 11

Exemplo: Suponha que uma famlia lgica

tenha um tempo mdio de atraso de 10 ns e
uma potncia dissipada mdia de 5 mW. O
produto atraso potncia :

10 ns x 5 mW= 50 x10-12 watt-segundo

= 50 picojoules [pJ]

Conceitos Fundamentais 12

6
Tempo de atraso na propagao
Power Delay Product

Tempo de propagao
vs.
NMOS
Dissipao de potncia
CMOS

ECL
GaAs
MESFET

Dissipao de potncia
Conceitos Fundamentais 13

Escala de integrao
Small-Scale Integrated SSI circuit
menos que 12 portas lgicas
Medium-Scale Integrated MSI circuit
12 a 99 portas lgicas
Large-Scale Integrated LSI circuit
100 a 9.999 portas lgicas
Very-Large-Scale Integrated VLSI circuit
10.000 a 99.999 portas lgicas
Ultra-Large-Scale Integrated ULSI circuit
100.000 a 999.999 portas lgicas
Giga-Scale Integrated GSI circuit
1.000.000 ou mais portas lgicas
Conceitos Fundamentais 14

7
 rea na pastilha
A reduo da rea de silcio ocupada por
porta lgica/circuito pode ser feita de trs
modos diferentes:
Avanos da tecnologia de processam./fabric.
Avanos nas tcnicas de projeto do circuito
Otimizao do layout do circuito integrado

Conceitos Fundamentais 15

Fan-In
Fan-In (leque de entrada) o nmero de
entradas que uma porta lgica possui.

Conceitos Fundamentais 16

8
 Fan-Out
Fan-Out (leque de sada) o nmero
mximo de portas similares que uma porta
pode acionar permanecendo dentro das
especificaes.
importante saber quantas entradas uma
dada sada pode alimentar sem
comprometer a confiabilidade.

Conceitos Fundamentais 17

IC packages
DIL (Dual In Line)
Low pin count
Large
PGA (Pin Grid Array)
High pin count (up to 400)
Previously used for most CPUs
PLCC (Plastic leaded chip carrier
Limited pin count (max 84)
Large
Cheap
SMD
QFP (Quarter Flat pack)
High pin count (up to 300)
small
Cheap
SMD

Conceitos Fundamentais 18

9
Encapsulamento Dual-in-line (DIP)

Fonte: R. Tocci
Conceitos Fundamentais 19

Serdra p. Nove 65

Tecnologias de CIs digitais e

famlias de circuitos lgicos

Conceitos Fundamentais 20

10
 CMOS
Tecnologia dominante

& Baixa dissipao de potncia

& Alta impedncia de entrada

& Tamanho reduzido

Conceitos Fundamentais 21

Bipolar
TTL Transistor Transistor Logic
SSI, MSI e LSI
& Robusto
' Lento

ECL - Emitter-Coupled Logic

& Alta velocidade
' Aumento na dissipao de potncia e rea

Conceitos Fundamentais 22

11
 BiCMOS
& Combina alta velocidade dos transistores
bipolares com a baixa dissipao de
potncia do CMOS

' Alto custo

Conceitos Fundamentais 23

GaAs
& Alta velocidade de operao
Devida a alta mobilidade dos
eltrons no GaAs

' Custo
' No um processo standard

Conceitos Fundamentais 24

12
 Ciclo de vida das famlias lgicas

2005 1996 1985 1981 1964 Fonte: R. Tocci

Cortesia: Texas
Conceitos Fundamentais 25

Exerccio:

hUma famlia lgica, otimizada para baixo-

consumo, utilizada para o processamento digital
de sinais de uma prtese auditiva que pode operar
com uma nica bateria de 1,2 V. Sabe-se que para
seu inversor, o sinal de sada excursiona de 0 a
VDD, os pontos de ganho unitrio so separados
por pelo menos 1/3 VDD e a margem de rudo
baixa 90% da margem de rudo alta. Quais so
os valores de VIL, VIH, VOL, VOH, NML e NMH?

Conceitos Fundamentais 26

13