Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
Abstrak
Penelitian ini dilakukan untuk mengetahui pengaruh konsentrasi dopant Sb (antimony) terhadap
aktifitas fotokatalitis dari semikonduktor ZnO. Untuk itu dilakukan proses sintesis untuk mendapatkan
nanopartikel Sb-doped ZnO dengan metode co-presipitasi dengan memvariasikan konsentrasi dari
dopant (2%, 6%, 12%, dan 24%). Sampel tersebut dikarakterisasi menggunakan X-ray Diffraction
(XRD), Ultraviolet-Visible spectroscopy (UV-Vis), dan Energy Dispersive X-ray (EDX) untuk
mengetahui keberhasilan pen-doping-an Sb pada ZnO. Larutan Methylene Orange (MO) digunakan
sebagai media degradasi untuk mengetahui aktifitas fotokatalisis dari nanopartikel.
Hasil penelitian menunjukkan bahwa doping Sb dapat meningkatkan aktifitas fotokatalisis dari
ZnO karena akan menghambat laju rekombinasi dari ZnO, memperkecil ukuran kristalit, meningkatkan
absorbansi, dan memperkecil bandgap energy (energy celah pita) pada semikonduktor ZnO. Akan
tetapi terbentuknya secondary phase (fasa pengotor) pada nanopartikel akan mengurangi aktifitas
fotokatalisisnya karena menghambat penyerapan energy foton dari UV sehingga pembentukan OH
radikal menjadi menurun.
Kata kunci :
Co-presipitasi ; dopant ; fotokatalisis ; aktifitas fotokatalisis ; ZnO
Abstract
This research was conducted to determine the effect of the concentration of dopants Sb
(antimony) on the photocatalytic activity of ZnO semiconductor. For that performed the synthesis
process to obtain Sb-doped ZnO nanoparticles by co-precipitation method by varying the concentration
of dopants (2%, 6%, 12%, and 24%). The samples were characterized using X-ray Diffraction (XRD),
Ultraviolet-Visible spectroscopy (UV-Vis), and Energy dispersive X-ray (EDX) to determine the
success of Sb-doping in ZnO. Solution Methylene Orange (MO) was used as a medium of
photocatalytic degradation to determine the activity of the nanoparticles.
The results showed that the Sb doping can improve the photocatalytic activity of ZnO because it
will inhibit the rate of recombination of ZnO, reduce the size of crystallites, increasing absorbance, and
minimize the bandgap energy in the semiconductor ZnO. However, the formation of secondary phase
(phase impurities) on the nanoparticles will reduce photocatalytic activity by inhibiting the absorption
of a photon energy of UV so that the formation of OH radicals is lowered.
Keywords:
co-precipitation ; dopant ; Photocatalytic ; photocatalytic activity ; ZnO
(3)
(6)
Untuk melakukan pengukuran ukuran kristalit dari semikonduktor ZnO telah mengurangi ukuran
nanopartikel ini digunakan 2 metode perhitungan yaitu pertumbuhan butir yang dapat menyebabkan
metode Scherrer (4)dan Williamson-Hall. Pada penurunan terhadap rata-rata ukuran butir.[42]
metode Williamson-Hall ini ada 3 jenis permodelan
yang digunakan yaitu UDM (Uniform Deformation Akan tetapi ada satu hal yang aneh dari hasil
Model), USDM (Uniform Stress Deformation Model), pengukuran kristalit di atas, pada kadar penambahan
dan UDEDM (Uniform Deformation Energy Density konsentrasi 24% ukuran kristalit menggunakan
Deformation Model). Pada penelitian ini yang metode Williamson-Hall menunjukkan peningkatan.
digunakan hanya 2 permodelan Williamson-Hall yaitu Padahal seharusnya dengan penambahan kadar
UDM (5) dan USDM (6). konsentrasi, ukuran kristalit menurun karena semakin
banyak ion Sb yang tersubtitusi ke dalam ZnO (karena
ukuran Sb lebih kecil dibandingkan ion Zn).
Sedangkan dengan metode Scherrer ukuran kristalit
pada konsentrasi 24% ukuran kristalit yang dimiliki
tetap menurun. Hal ini disebabkan karena pada
metode Williamson-Hall ini diperhitungkan
kemungkinan adanya cacat pada kristal, tidak seperti
pada metode Scherrer yang mengibaratkan kondisi
yang ideal.
Gambar 7. Grafik Hubungan Nilai Fr2 Nilai celah pita pada konsentrasi 24% berhasil
(Kubelka-Munk) Terhadap hv menurunkan bandgap paling signifikan apabila
dibandingkan dengan kadar konsentrasi yang lain. Hal
ini sesuai dengan pernyataan di atas bahwa semakin
banyak dopant yang diberikan maka semakin rendah
Seperti yang tertera pada gambar di atas bahwa pula nilai bandgap-nya karena terbentuknya pita
puncak nilai reflektansi baik reflektansi (R) ataupun tambahan (sub-bandgap) antara celah sehingga
reflektansi Kubelka-Munk semakin rendah seiring memudahkan elektron untuk tereksitasi dari pita
peningkatan kadar konsentrasi dopant Sb kepada valensi (valence band) menuju pita konduksi
semikonduktor ZnO (Zinc Oxide). Hal ini disebabkan (conduction band).
karena semakin banyak ion Sb3+ yang berhasil ter-
doping pada ZnO. 3.3. Analisis EDX
Penurunan nilai reflektansi seiring penambahan kadar Pengujian EDX ini dilakukan pada semua sampel
konsentrasi doping pada semikonduktor disebabkan yaitu ZnO doped Sb 2%, 6%, 12%, dan 24%.