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Sumrio
1 Diodos: tipos, caractersticas e aplicaes 2

1.1 Juno PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Curva caracterstica do diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3 Reta de carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.4 Modelos de representao do diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.5 Tipos de diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.5.1 Diodo Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.5.2 Diodo Emissor de Luz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.5.3 Outros diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.6 Aplicaes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.6.1 Retificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.6.2 Regulador de tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.6.3 Multiplicadores de tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.6.4 Limitador (ceifador) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.6.5 Grampeador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2 Transistores: tipos, caractersticas, modelagem, tecnologia de fabricao, regies de operao

e aplicaes como chave, como amplificador e circuitos analgicos e digitais 17
2.1 Transistor de Juno Bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.2 Curvas caractersticas de transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.3 Circuitos para polarizao do transistor bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.3.1 Polarizao com duas fontes simtricas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.3.2 Polarizao com uma resistncia entre o colector e a base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.3.3 Polarizando com uma fonte de corrente constante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.4 Operao para pequenos sinais e Modelos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.4.1 A corrente de coletor e a Transcondutncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.4.2 A corrente de base e resistncia de entrada da base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.4.3 A corrente de emissor e resistncia de entrada do emissor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.4.4 O ganho de Tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.4.5 O modelo -hbrido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.4.6 O modelo T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.4.7 Modelos de pequeno sinal tendo em conta o Efeito Early . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3 Amplificadores operacionais: tipos, caractersticas, modelagem, parmetros, arquiteturas

internas, e aplicaes lineares e no lineares. Amplificadores de instrumentao. 29
3.1 Introduo ao amplificador operacional (AmpOp) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.2 Amplificador diferencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
3.3 Modos de operao do AmOp . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.4 Curto circuito virtual . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
3.5 Outras caractersticas importantes de AmpOps reais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
3.6 Circuitos Lineares com AmpOp . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
3.6.1 Amplificador inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
3.6.2 Amplificador no inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
SUMRIO 2
3.6.3 Buffer ou Seguidor de tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

3.6.4 Amplificador somador inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.6.5 Amplificador somador no inversor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3.6.6 Amplificador subtrator . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
3.7 Diferenciador e Integrador com AmpOp . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.7.1 O amplificador inversor generalizado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.7.2 Amplificador Diferenciador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
3.7.3 Amplificador Integrador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.8 Circuitos no lineares com AmpOp . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.8.1 Comparadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
3.8.2 Comparador por histerese . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.8.3 Oscilador com ponte de Wien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.8.4 Temporizador 555 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.8.5 Multivibrador astvel com AmpOp . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.8.6 Gerador de onda dente-de-serra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.8.7 Circuitos logartmicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
3.9 Amplificador de Instrumentao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4 O par diferencial, cargas ativas e fontes de corrente: caractersticas, aplicaes e limitaes. 46

4.1 Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
4.2 Par diferencial bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.2.1 Operao bsica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.2.2 Operao para grandes sinais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
4.2.3 Operao para pequenos sinais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
4.2.4 Ganho em modo comum e CMRR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
4.3 Par diferencial FET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
4.3.1 Operao bsica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
4.3.2 Operao para grandes sinais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
4.3.3 Operao para pequenos sinais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
4.3.4 Ganho em modo comum e CMRR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
4.4 Par diferencial com carga ativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
4.4.1 Par diferencial MOS com carga ativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
4.4.2 Par diferencial bipolar com carga ativa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
Tpico 1
Diodos: tipos, caractersticas e aplicaes
Contents
1.1 Juno PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Curva caracterstica do diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3 Reta de carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.4 Modelos de representao do diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.5 Tipos de diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.5.1 Diodo Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.5.2 Diodo Emissor de Luz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.5.3 Outros diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.6 Aplicaes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.6.1 Retificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.6.2 Regulador de tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.6.3 Multiplicadores de tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.6.4 Limitador (ceifador) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
1.6.5 Grampeador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
1.1 Juno PN
Diodos so dispositivos semicondutores de dois terminais, formados por uma juno PN (da seu
nome mais completo, diodo semicondutor de juno, podendo ser constitudos de germnio ou silcio, sendo
este ltimo o material mais largamente usado na sua fabricao.
Uma juno PN formada pela ligao de um material semicondutor tipo N, cujos cristais so
dopados com impurezas doadoras, ou seja, impurezas com 5 eltrons na camada de valncia, que ao se
ligar com os tomos tetravalentes de silcio/germnio, deixam um eltron fracamento ligado ao seu ncleo,
com um material semicondutor tipo P, cujos cristais so dopados com impurezas trivalentes, que, ao se ligar
com os tomos tetravalentes, criam um espao ou lacuna, capaz de se ligar a qualquer eltron livre.
Um semicondutor tipo N pode possuir diversos eltrons livres, de forma que estes ltimos recebem a
denominao, nesse caso, de portadores majoritrios e as lacunas, minoritrios, quando esse tipo de material
submetido uma diferena de potencial (o N vem exatamente de negativo, em aluso ao excesso de
eltrons livres). J em um semicondutor tipo P, as lacunas, predominantes, so as portadoras majoritrias e
os eltrons, minoritrios (P, de positivo) (ver fig. 1.1).
Diodos: tipos, caractersticas e aplicaes 4
Figura 1.1 Juno PN.
Na juno PN, devido a repulso mtua, os eltrons da juno N se espalham para todas as direes
e alguns conseguem atravessar a juno e se combinar com lacunas na juno tipo P, formando assim um par
de ons: um positivo, na camada N e um negativo, na camada P. Para cada par de on formado, uma par de
eltrons e lacunas deixou de circular. medida que aumenta o nmero de ons, diminui o nmero de lacunas
e eltrons livres na regio prxima a juno, que passa a ser conhecida como camada de depleo.
Cada par de ons formado possui um campo eltrico entre os ons positivo e negativo, que dificulta a
circulao de eltrons livres atravs da juno. medida que aumenta o nmero de ons formados, aumenta
a intensidade desse campo eltrico e aumenta a intensidade da camada de depleo, dificultando a difuso
de eltrons pela juno, at o ponto em que essa passa a atuar como uma barreira, no permitindo mais
a circulao de portadoras. Nesse ponto, o campo eltrico gera uma diferena de potencial, chamada de
barreira de potencial, cujos valores so, 25o C, 0,3V para o germnio e 0,7V para o silcio. A fig. 1.2 ilustra o
processo.
Figura 1.2 Formao da camada de depleo em uma juno PN.
Com o devido encapsulamento e conexo de terminais, a juno PN se torna um diodo, cuja

simbologia mais usual mostrado a seguir:
Figura 1.3 Smbolo do diodo.
1.2 Curva caracterstica do diodo
Diodos so dispositivos que possuem polarizao, isto , a depender da polaridade da tenso

aplicada aos seus terminais, ele pode ou no permitir a circulao de eltrons.
Quando o terminal positivo de uma fonte DC est ligado ao anodo (tipo P) e o negativo ao catodo
(tipo N), as lacunas e os eltrons so repelidos em direo a juno, penetrando-a e, assim, diminuindo a
barreira de depleo. Quando a tenso aplicada aos terminais do diodo superior a barreira de potencial,
ento o fluxo de eltrons se torna livre atravs da juno. Nesse caso diz-se que o diodo est diretamente
polarizado.
Invertendo-se as conexes da fonte de tenso, i.e., ligando o seu terminal positivo ao catodo e o
negativo ao anodo do diodo, os eltrons e as lacunas sero atrados para os terminais da fonte, afastando-se
da juno. A diminuio da quantidade de portadoras livres prximas a juno acarreta o aumento da camada
de depleo, tornando praticamente impossvel o deslocamento de eltrosn entre uma camada e outra.
Dessa forma, idealmente, o diodo se comporta como uma chave aberta quando diretamente
polarizado e como uma chave fechada, quando inversamente polarizado.
No entanto, seu comportamento real tem algumas nuances a serem consideradas. Uma forma de
ilustrar esse comportamento a apresentao da curva caracterstica do dispositivo, grfico que relaciona
cada valor da tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo, como ilustra a fig. 1.4.
Figura 1.4 Curvas caracteristicas ideal e real do diodo.
A curva caracterstica apresentada na fig. 1.4 pode ser descrita como tendo trs importantes regies:
i) regio de polarizao direta (VD > 0): na qual o diodo conduz corrente, quando a tenso aplicada
a seus terminais superior a barreira de potencial. Comumente a tenso prxima a essa barreira
chamada de tenso de joelho, pelo formato apresentado na curva. A corrente sobre o diodo ( I D ) e a
tenso aplicada a seus terminais (VD ) se relacionam da seguinte forma:
I D = IS (eqVD /kT 1).
em que k a constante de Boltzman, T a temperatura e q a carga do eltron. IS tem dependncia

direta da temperatura e das dimenses do diodo, sendo definida, com base na fsica de estado slido,
como

Dp Dn
IS = A q n2i + ,
L p ND L n NA
em que A a seo transversal do material semicondutor, q a carga do eltron, ni o

nmero de eltrons e lacunas livres por unidade de volume, ND e NA so as concentraes de
tomos, respectivamente, doadores e receptores de eltrons, Dp e Dn so as constantes de difuso,
respectivamente, de lacunas e eltrons e L p e L n so os comprimentos do material semicondutor,
respectivamente, tipo P e tipo N.
conhecida como corrente de saturao (valor mximo que o diodo suporta conduzir) ou corrente de
escala do diodo (devido a sua proporcionalidade com a seco transversal do diodo).
i) regio de polarizao reversa (VZ K > VD < 0): na qual, devido a tenso negativa aplicada aos
terminais do diodo, o mesmo praticamente no conduz corrente. Esse comportamento pode ser
ilustrado pela substituio de valores negativos de VD na funo de I D , o que vai fazer com que
I D IS , que se mantm praticamente constante, at que VD = VZ K , conforme mostra o grafico.
i) regio de ruptura (VD < VZ K ): regio no qual a tenso reversa mxima (maior tenso com polaridade
invertida aplicada sobre o diodo) atingida, danificando o componente. A partir desse valor inicia-
se um processo causado pelo efeito avalanche, efeito gerado quando a tenso reversa sobre uma
juno PN suficiente para fazer com que portadores minoritrios de movimentem e colidam com os
tomos dos cristais semicondutores, liberando outros eltrons para a circulao, que novamente se
chocaro com outros tomos e assim por diante, como uma avalanche (da o nome do efeito), at que
a corrente resersa se torne alta demais, danificando o dispositivo, permitindo com que ele conduza
corrente, mesmo reversamente polarizado. Se o diodo for fortemente dopado, sua camada de depleo
muito estreita e, por conseguinte, o campo eltrico pode se tornar intenso o suficiente para arrancar
eltrons da camada de valncia, deixando-os livres para circular, num processo conhecido como efeito
zener (ou emisso de alto campo). preciso notar que esse efeito diferente do avalanche, que precisa
da alta velocidade de deslocamento de portadoras minoritrias para deslocar eltrons livres. Importante
frisar tambm que ambos os efeitos podem ocorrer no mesmo dispositivo.
1.3 Reta de carga
Sendo a curva caracterstica do diodo no linear, se faz necessrio determinar em que ponto desse
curva o circuito sob anlise opera de forma satisfatria. A forma mais convencional de obter esse ponto
usando uma reta de carga.
Como, idealmente, o diodo um curto circuito quando diretamente polarizado, necessrio que ele
sempre tenha alguma resistncia associada em srie, que serve principalmente como limitador de corrente,
evitando danos ao circuito (ver fig. 1.5).
Figura 1.5 Circuito bsico com diodo e resistor em srie.
Nesse circuito, RS recebe o nome de resistor limitador de corrente, funcionando como uma carga
para a fonte.
A reta de carga pode ser construda a partir das caractersticas desse circuito. Dessa forma, pode-se
definir a corrente I atravs do circuito como
VR VS VD
I= = .
RS RS
Pode-se, dessa forma, considerar dois casos extremos dessa relao:
VD = 0, chamado de ponto de saturao por ser a condio na qual se tem a maior corrente possvel
no circuito; esse caso s ocorre considerando-se o diodo ideal (considerao que pode ser feita quando
VS VD );
VS = VD , chamado de ponto de corte, no qual I = 0.

De posse das posies determinadas por esses pontos extremos (corte e saturao), pode-se
determinar a reta de carga relacionada a RS e, assim, verificar o ponto de cruzamento com a curva
caracterstica do diodo, chamado de ponto de operao ou ponto Q (de quiescente), como ilustrado na fig. 1.6.
Figura 1.6 Curva caracterstica com reta de carga.
1.4 Modelos de representao do diodo
Circuitos com diodo podem ser analisados utilizando-se circuitos equivalentes, que podem facilitar o
clculo da curva caracterstica do dispositivo.
Sero consideradas trs aproximaes:
1a aproximao nessa aproximao o diodo considerado ideal, i.e., se comporta como uma chave
aberta quando inversamente polarizado e como uma chave fechada quando reversamente polarizado.
A fig. 1.7 mostra a curva caracterstica e o circuito equivalente para essa aproximao.
Figura 1.7 Curva caracterstica e circuito equivalento do diodo para a 1a aproximao.
2a aproximao nessa aproximao, referenciado como modelo polarizado, considera-se a queda de

tenso referente a tenso de joelho, a partir da qual o diodo comea a conduzir. A fig. 1.8 mostra a
curva caracterstica e o circuito equivalente para essa aproximao.
3a aproximao nessa aproximao, tambm chamada de modelo de pequenos sinais, alm da

tenso de joelho, tambm considerada a resistncia interna do diodo, ou resistncia de corpo,
calculada com pontos prximos a regio do joelho da curva caracterstica.
Nem todos os diodos trazem essa caracterstica em suas folhas de dados, sendo, em alguns casos,
necessrio clcula-la, bastando, para isso, usar a seguinte relao:
V2 V1
rB = ,
I2 I1
em que V1 e I2 so um ponto da curva caracterstica na regio do joelho, e V1 e I2 so um ponto bem

acima dele.
1.5 Tipos de diodos
1.5.1 Diodo Zener
So diodos construdos especialmente para operar na regio de ruptura, usando o efeito zener
descrito anteriormente. A fig. 1.10 mostra a curva caracterstica e a simbologia desse diodo.
Figura 1.10 Curva caracterstica e simbologia para diodo zener.
Quando diretamente polarizado, o diodo zener comporta-se exatamente como um diodo

convencional, descrito anteriormente, conduzindo quando a tenso sobre ele ultrapassa 0.7, como mostra
o grfico. Na regio entre a tenso zero e a tenso de ruptura, existe uma mnima corrente, reversa. Atingindo
a enso de ruptura, que, a depender da dopagem, para esse tipo de diodo pode variar entre 2 e 200V, o diodo
entra em uma nova regio de conduo, similar a anterior, porm com polaridade invertida se comparado com
a primeira.
Tipicamente o diodo zener usado reversamente polarizado, sendo aplicado para regulao de
tenso (obteno de tenso estvel). A fig. 1.11 ilustra um circuito bsico e o clculo do ponto quiescente
usando a reta de carga. Para esse clculo, o ponto de corte ocorre com VZ = Vs e a saturao ocorre
quando I Z = VS /RS .
Figura 1.11 Reta da carga para diodo zener.
O diodo zener pode ser modelado por duas aproximaes, apresentadas na fig. 1.12. Na fig. 1.12
a), vemos que o diodo pode ser aproximado por uma fonte de tenso DC, que equivale a tenso de ruptura,
a partir da qual o zener opera reversamente. No segundo modelo, mostrado em fig. 1.12 b), uma resistncia
interna (de dimenso relativamente pequena) associada em srie a fonte de tenso DC.
Figura 1.12 Modelos de aproximao do diodo zener.
1.5.2 Diodo Emissor de Luz
O diodo emissor de luz (LED) um tipo de diodo que emite luz quando diretamente polarizado e
submetido a uma tenso, por meio de um processo conhecido por eletroluminescncia. Sua simbologia
ilustrada na fig. 1.13.
Figura 1.13 Diodo emissor de luz.
Ao contrrio dos diodos convencionais, ele no feito de silcio, podendo ser fabricado com glio,
fsforo ou arsnico. Devido a sua longa vida til, tornou-se largamente usado em equipamentos, como
indicador, sendo, atualmente, o queridinho de quem trabalha com iluminao.
A polarizao do LED feita exatamente da mesma forma que o diodo convencional, tendo-se,
inclusive, o cuidado de sempre associ-lo em srie com uma resistncia limitadora de corrente. Tipicamente,
a queda de tenso deste diodo de 1.5 a 2.5V, para correntes entre 10 e 50mA.
1.5.3 Outros diodos
Existem variaes do diodo convencional que possuem propriedades especiais de operao, dentre
os quais pode-se destacar:
diodo Schottky - dispositivo de aplicao especial, que no possui camada de depleo, o que o
torna ideal para o uso em altas frequncias; nessas condies o diodo convencional no consegue
passar do estado de conduo para o de corte com rapidez, por conta de um efeito conhecido
como armazenamento de carga, o que limita seu uso para aplicaes com sinais alternados com alta
frequncia. Por no possuir camada de depleo, o Schottky no acumula cargas, o que o faz entrar
em corte e voltar a conduo muito mais rpido, a ponto de o permitir operar com frequncias acima de
300 MHz. So largamente usados em computadores, como base para lgica TTL;
varactor conhecido tambm como capacitor varivel com a tenso, varicap ou diodo de sintonia,
largamente usado em receptores sintonizveis de TV, rdio e outros equipamentos de comunicao.
O princpio bsico de funcionamento de que a camada de depleo cresce a medida que a tenso
reversa sobre o diodo cresce. Como a camada opera como um dieltrico, acaba, em altas frequncias,
funcionando como se houvesse um aumento de capacitncia entre as junes do diodo. A ideia de
que ma capacitncia controlada pela tenso reversa aplicada.
varistor conhecido como supressor de transientes, funciona como se fossem dois diodos zener
ligados em antiparalelo, com uma tenso de ruptura alta nos dois sentidos de polarizao, e regulando
tenses variveis.
1.6 Aplicaes
1.6.1 Retificadores
Uma das principais aplicaes dos diodos em circuitos retificadores, presentes em fontes DC,
componente bsico em qualquer equipamento eletrnico.
Tipicamente, uma fonte DC transforme um sinal AC em um sinal DC, sendo a retificao desse sinal
um dos passos iniciais dessa converso.
Retificador de meia onda
O circuito retificador mais bsico feito com um diodo o retificador de meia onda, mostrado na
fig. 1.14.
Figura 1.14 Retificador de meia onda.
Quando uma tenso alternada, como a onda senoidal proveniente de um transformador como
mostrado no circuito, atravessa o circuito, o diodo estar durante um ciclo diretamente polarizado e durante
o outro, reversamente polarizado. Dessa forma, somente o semiciclo no qual ele se encontra diretamente
polarizado permitir a conduo de corrente sobre o resistor de carga, ou seja, somente meia onda aparecer,
como ilustrado no grfico da figura.
O valor DC ou valor mdio da tenso na sada desse retificador, com carga resistiva, que pode ser
medido com um voltmetro em escala DC, dado por
Vp
VDC = 0.318Vp ,

em que Vp a tenso de pico do sinal de entrada.
Retificador de onda completa com derivao central
Como o prprio nome diz, o retificador de onda completa permite que ambos os ciclos conduzam.
Isso possvel pelo fato da arquitetura do circuito contar com a presena de dois diodos, polarizados
de forma invertida um com relao ao outro.
Existem basicamente duas formas de construir retificadores de onda completa com diodos. A
primeira usando um transformador com derivao central. Esse tipo de transformador possui trs terminais
de sada, como mostrado no circuito da fig. 1.15, sendo o central um dividor da tenso dos terminais principais.
Sendo assim, tomando como base o diagrama do circuito mostrado, ao medir a tenso entre o primeiro e o
terceiro terminais do trafo, o multmetro mostrar a tenso esperada para o secundrio. Ao medir entre um
dos terminais externos e o central, mostrar a metade dessa.
Figura 1.15 Retificador de onda completa.
Devido a disposio dos diodos, nesse circuito, em um semiciclo D1 estar em conduo e D2

reversamente polarizado para esse ciclo, ora o inverso, de forma que, sobre a carga R sempre ir existir a
corrente referente a um ciclo, como ilustrado no grfico da figura.
O valor mdio da tenso sobre a carga desse retificador dada por
2(Vp /2)
VDC = 0.318Vp ,

considerando que a tenso aplicada a carga a tenso entre o terminal e a derivao, Vp /2.
Retificador de onda completa em ponte
O circuito para esse tipo de retificador mostrado na fig. 1.16. Nele so usados quatro diodos,
dispostos como ilustrado, numa configurao conhecida como ponte de diodos. Para o diagrama mostrado,
durante o semiciclo positivo da onda na sada do transformador, os diodos D3 e D2 esto diretamente
polarizados, D1 e D4 esto resersamente polarizados, e a tenso sobre a carga o semiciclo positivo da
sada do transformador. No semiciclo negativo, D1 e D4 passam a ficar diretamente polarizados, enquanto os
os outros no conduzem, e a tenso sobre a carga o semiciclo negativo.
A tenso DC para esse circuito o dobro da tenso dos retificadores anteriores
2Vp
VDC = 0.636Vp .

Figura 1.16 Retificador de onda completa em ponte.
Filtragem capacitiva
A tenso na carga na sada de um retificador no uma tenso DC; pelo contrrio, uma forma de
onda formada por pulsos, que, na maioria dos casos, no atende a necessidade de aparelhos que precisam
de uma tenso DC estvel para funcionarem. Para que a tenso obtida na sada do retificador seja similar
a de uma bateria, preciso que essa seja submetida a um processo de filtragem, sendo o tipo mais comum
para essa aplicao o uso do filtro capacitivo, num arranjo como o mostrado na fig. 1.17
Figura 1.17 Filtragem capacitiva na sada de um retificador.
Aps o ciclo positivo atingir o valor de pico, o capacitor est carregado, o que o faz funcionar como
chave aberta, fazendo com que o diodo pare de conduzir. Como a tenso no secundrio ligeiramente menor
que a do primrio, o diodo se mantm em polarizao reversa e o capacitor comea a descarregar sobre a
carga. Se o tempo de descarga do capacitor for significativamente maior que o perodo do sinal de entrada do
retificador, o sinal ser similar ao mostrado na figura acima, tendo o capacitor perdido somente uma pequena
parte de sua carga durante o tempo de corte do diodo, que volta a conduzir no prximo ciclo, assim que a
tenso no secundrio for igual a tenso sobre o capacitor.
Na figura acima mostrada a tenso sobre a carga, que agora tem um formato mais prximo de
um sinal DC estvel. A diferena entre o sinal DC puro e o mostrado na carga quando o sinal do retificador
filtrado uma pequena ondulao, chamada de ripple, causada justamente pelo processo de carga e descarga
do capacitor.
No projeto de filtros capacitivos para retificadores, quanto menor esse ripple, melhor o filtro
utilizado. Isso se consegue aumentando o tempo de carga/descarga do capacitor, pelo aumento da constante
RC. Na prtica, costume fazer o aumento somente do capacitor, tendo em vista que, em algumas situaes a
carga pode variar. Uma outra forma de diminuir o ripple usar um retificador de onda completa, cuja frequncia
de ondulao o dobro do retificador de meia onda. Nesse caso, o capacitor carregado duas vezes a cada
ciclo da tenso de entrada, descarregando s metade do tempo usado no retificador de meia onda, como
ilustra a fig. 1.18
Figura 1.18 a) filtrando o sinal de meia onda; b) filtrando o sinal de onda completa.
A tenso na carga na sada de um retificador com filtragem capacitiva dado pela seguinte relao
I Vp
UR = = ,
fC f RC
em que I a corrente DC na carga, f a frequencia de ondulao e C a capacitncia do filtro.
1.6.2 Regulador de tenso
O diodo zener tem como aplicao direta a regulao de tenso, usada como etapa seguinte a
retificao filtrada para garantir nveis fixos de tenso em fontes DC. O circuito do regulador com diodo zener
mostrado na fig. 1.19.
Figura 1.19 Regulador de tenso.
A tenso sobre a carga VR dada por

RL
VS , enquanto a tenso for maior que a tenso ruptura sobre o zener
VR L = R L + RS
V , a partir da tenso de ruptura.
Z
Como a corrente sobre o resistor RS dada por
VS VZ
IS = ,
RS
e a corrente sobre o resistor R L dada por
VZ
IL = ,
RL
ento a corrente sobre o zener dada por
I Z = IS I L .
1.6.3 Multiplicadores de tenso
Formados por dois ou mais retificadores que produzem uma tenso cc igual a um mltiplo da tenso
de pico da entrada.
Dobrador de tenso de meia onda
O primeiro circuito a se considerar o do dobrador de tenso, mostrado na fig. 1.20 para a confirao
com meia onda.
Em um dos semiciclos, D1 est em conduo e D2 est em corte, de forma que somente o capacitor
C1 carregado at atingir a tenso de pico Vp . No semiciclo seguinte, D1 entra em corte, e D2 em conduo,
fazendo com que o capacitor C2 se carregue at o valor 2VP , oriundo da soma da fonte com a tenso do
capacitor C1. Assim, conectando uma carga em paralelo a C2, a tenso sobre ela ser o dobro da tenso da
entrada do circuito.
Figura 1.20 Dobrador de tenso de meia onda.
Dobrador de tenso de onda completa
A fig. 1.21 mostra um dobrador de tenso de onda completa.

Como cada um diodo conduz em um determinador semiciclo, cada capacitor tambm se carrega em
determinado semiciclo, de forma que, aps um ciclo completo, a tenso sobre a carga a soma das tenses
nos dois capacitores, portanto, 2Vp . Esse circuito preterido em algumas aplicaes pela ausncia de um
ponto comum, o que pode levar a flutuaes.
Figura 1.21 Dobrador de tenso de onda completa.
Triplicador e quadruplicador de tenso
Para conseguir circuitos que tripliquem ou quadripliquem os sinais, como os mostrados na fig. 1.22,
basta acrescentar novos estgios de diodos e capacitores na sada dos circuitos anteriores. Em tese, pode-se
acrescentar quantos estgios desejar, mas a ondulao devido a carga e descarga do capacitor torna o uso
de multiplicadores com mais de 4x indesejvel.
Figura 1.22 a) Triplicador e b) quadruplicador de tenso.
1.6.4 Limitador (ceifador)
Circuitos limitadores retiram uma poro do sinal acima ou abaixo de um limiar estabelecido e so
muito usados como modificadores de sinal para proteo de circuitos, principalmente de multiplos estgios.
O limitador positivo corta uma poro da tenso positiva do sinal, cujo circuito mostrado na fig. 1.23.
Sem a tenso V , a nica poro de tenso que passaria para o smiciclo positivo seria 0.7V relativo ao diodo.
A associao da fonte em srie com o diodo funciona como uma variao do limite superior para a tenso nos
ciclos positivos do sinal.
O limitador negativo conseguido com a inverso da polaridade do diodo.
Figura 1.23 Limitador positivo polarizado.

1.6.5 Grampeador
Grampeadores, basicamente, somam uma tenso DC ao sinal de entrada, podendo essa tenso ser
positiva ou negativa.
Figura 1.24 Grampeador.

Tpico 2
Transistores: tipos, caractersticas, modelagem, tecnologia de fabricao, regies de

operao e aplicaes como chave, como amplificador e circuitos analgicos e digitais
Contents
2.1 Transistor de Juno Bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.2 Curvas caractersticas de transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.3 Circuitos para polarizao do transistor bipolar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.3.1 Polarizao com duas fontes simtricas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.3.2 Polarizao com uma resistncia entre o colector e a base . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.3.3 Polarizando com uma fonte de corrente constante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.4 Operao para pequenos sinais e Modelos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.4.1 A corrente de coletor e a Transcondutncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.4.2 A corrente de base e resistncia de entrada da base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.4.3 A corrente de emissor e resistncia de entrada do emissor . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.4.4 O ganho de Tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.4.5 O modelo -hbrido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.4.6 O modelo T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.4.7 Modelos de pequeno sinal tendo em conta o Efeito Early . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.1 Transistor de Juno Bipolar
O transistor um dispositivo semicondutor de trs terminais, que possui a capacidade de controlar

o fluxo de corrente atravs de seus terminais, o que lhe garante a possibilidade de atuar como chave, como
amplificador ou como componente em diversos tipos diferentes de circuitos analgicos e digitais.
O transistor de juno bipolar (TJB) formado por trs camadas de dispositivos semicondutores
dopados, arranjadas no formato de um sanduche, com duas junes, como mostra a fig. 2.1, tendo cada
uma dessas camadas um terminal.
Figura 2.1 Arranjo das camadas de transistores pnp e npn.

Transistores: tipos, caractersticas, modelagem, tecnologia de fabricao, regies de operao e aplicaes como
chave, como amplificador e circuitos analgicos e digitais 19
Esses terminais so chamados de coletor, emissor e base. Cada uma das junes tem a formao
de uma camada de depleo, que, assim como no diodo, dificulta ou impede a circulao de portadoras livres
entre as partes, de acordo com sua intensidade. Com os diferentes nveis de dopagem de cada cristal, as
camadas de depleo tem larguras diferentes. Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. Ela penetra
pouco na regio do emissor, bastante na base e mdio na regio do coletor.
As portadoras livres circulam no sentido do emissor para o coletor, devido as suas caractersticas
de dopagem. A base, poro central do transistor, responsvel por regular a intensidade das camadas
de depleo das junes, regulando, dessa forma, a circulao de eltrons entre o emissor e o coletor.
Analogamente, o funcionamento de um transitor se assemelha ao de uma torneira, no qual o cano de onde
vem a gua o emissor, a boca da torneira o coletor e o registro a base.
Os TJBs podem ser de dois tipos: npn, quando emissor e coletor so formados por semicondutores
tipo n cuja dopagem faz com que eltrons sejam as portadoras minoritrias e pnp, quando so formados
por semicondutores tipo p, que possuem lacunas como portadoras majoritrias. O fluxo emissor-coletor
determinado pela densidade de portadoras, maior no emissor que no coletor. Todas as anlises desse texto
sero feitas considerando o transistor do tipo npn; para transistores tipo pnp, como o fluxo de portadoras
segue um sentido contrrios ao do npn, basta que nas anlises tenses e correntes tenham suas polaridades
invertidas.
Polarizao do transistor NPN
O transistor pode ter suas junes polarizadas direta ou reversamente.

A fig. 2.2 mostra um arranjo para polarizao direta das junes, de forma similar ao que acontece
com diodos, sendo B1 a fonte que polariza o diodo emissor (juno entre emissor e base) e B2 a fonte que
polariza o diodo coletor (juno entre coletor e base). Nesse arranjo, as camadas de depleo so mnimas e
o fluxo de corrente nas duas junes alto.
Figura 2.2 Junes com polarizao direta.
J a fig. 2.3 mostra um arranjo para polarizao reversa das junes, arranjo que praticamente zera
o fluxo de corrente nas junes (somente corrente de fuga circula).
Figura 2.3 Junes com polarizao reversa.
Quando o diodo emissor diretamente polarizado (VBE > 0) e o diodo coletor reversamente
polarizado (VBC < 0), como mostrado na fig. 2.4, pode-se esperar uma alta corrente sobre o diodo emissor e
uma corrente quase nula sobre o diodo coletor. No entanto, em ambos os diodos, as correntes so altas.
Figura 2.4 Junes com polarizao direta-reversa.
Como no momento da polarizao do diodo emissor os eltrons do emissor ainda esto livres, se
a tenso entre o emissor e a base (VBE ) for maior que a tenso de joelho da juno, 0.7 V, muitos eltrons
atravessaro a juno indo para a base, podendo ir para o terminal negativo da bateria ou atravessar a juno
base-coletor. Os eltrons que retornam a fonte formam a corrente de recombinao. Mas como a base
pouco dopada, essa corrente pequena comparada com as outras correntes do circuito.
Como a base fina comparada ao emissor e ao coletor, a camada de depleo na juno base-
coletor pequena, permitindo que um nmero significativo de eltrons a atravesse chegando ao coletor e
sendo atrados pelo terminal negativa da fonte de tenso B2 .
Em resumo, com a polarizao direta do diodo emissor injetada uma alta corrente em direo a
base. Na base, uma pequena parcela dessa corrente vira corrente de recombinao, voltando para o terminal
da fonte B1 e a maior parcela flui para o coletor e da para o polo negativo da bateria B2 (tudo isso s ocorre
quando VC B VBE ).
No transistor pnp as regies dopadas so contrrias as do transistor npn. Isso significa que as
lacunas so portadores majoritrios no emissor em vez dos eltrons livres.
O funcionamento como a seguir. O emissor injeta lacunas na base. A maior parte dessas lacunas
circula para o coletor. Por essa razo a corrente de coletor quase igual a do emissor. A corrente de base
muito menor que essas duas correntes.
Qualquer circuito com transistor npn pode ser convertido para uso de transistor pnp. Basta trocar
os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentao, os diodos e capacitores polarizados. E o
funcionamento ser idntico ao modelo npn.
Correntes do transistor
A fig. 2.5 mostra os smbolos dos transistores npn e pnp, bem como o sentido do fluxo das correntes
sobre eles. No smbolo, a setinha indica o sentido da corrente convencional no emissor (perceber que
o inverso da corrente real, discutida logo acima; usar o sentido convencional em nada altera as anlises de
circuito, sendo necessrio somente que a escolha do sentido seja respeitada em toda a anlise).
Figura 2.5 Correntes sobre transistor.
Pela lei de Kirchhoff das correntes,
I E = IC + IB ,
em que I E a corrente sobre o emissor, maior por ser a fonte direta de corrente (de fato, quase todos os
eltrons que circulam a partir do emissor, circulam tambpem no coletor); I C a corrente no coletor e I B
a corrente na base, menor corrente de todas (em transistores de baixa potncia, essa corrente representa
menos de 1% da corrente do emissor).
Pelo descrito nos pargrafos acima, o transistor s tem utilidade pelo fato da corrente do coletor ser
significativamente maior que a corrente da base. A relao entre as correntes do coletor e da base chamado
de ganho de corrente do coletor e dado por
IC
C C = .
IB
Em geral, pode-se considerar, para fins de facilidade de anlise, que as correntes do emissor e
coletor so iguais. Como na prtica no so, pode-se definir um parmetro que relaciona essas duas correntes,
o cc , dado por
IC
C C = ;
IE
tendo que sempre cc < 1. O valor cc = 1 o caso ideal, no qual I C = I E . Quanto maior o valor desse
parmetro, melhor o transistor.
Estrutura dos transistores atuais
A fig. 2.6 mostra a ilustrao da estrutura mais realstica dos transistores TJB npn atuais. possvel
perceber que a regio do coletor circunda virtualmente a regio do emissor, o que dificulta que os eltrons
injetados na regio fina referente a base no passem para o coletor. Essa abordagem resulta em um parmetro
mais prximo da unidade e um muito maior.
Figura 2.6 Ilustrao da estrutura dos transistores atuais.
2.2 Curvas caractersticas de transistores
Para investigar as caractersticas de tenso e corrente em circuitos transistorizados, considere o

circuito mostrado na fig. 2.7
Figura 2.7 Circuito emissor comum.

Esse circuito chamado de configurao emissor comum, pois o emissor do transistor est ligado ao
terra do circuito. O circuito possui duas malhas: a malha da esquerda, que contm a tenso VBE , chamada de
circuito da base e a malha da direita, que contm a tenso VC E , chamada de malha do coletor, e as equaes
de tenso para essas duas malhas so:
VS = RS I B + VBE
VC C = VC E + I C R C .
Esse circuito pode ser utilizado para fazer o levantamento das curvas caractersticas do transistor.
Relao I B VBE
Para levantar a curva caracterstica de entrada, referente a primeira malha do circuito, deve-se variar
a corrente de base e medir a tenso entre base e emissor, mantendo uma determinada tenso entre coletor e
emissor constante. de se esperar que essa curva, mostrada na fig. 2.8 seja similar a curva do diodo.
Figura 2.8 I B VBE .
Relao I C VC E
Para levantar a curva caracterstica de sada, referente a segunda malha do circuito, deve-se fixar
os valores de os valores da corrente de base, variar a tenso entre coletor e emissor e medir a corrente do
coletor. A curva para esse caso mostrada na fig. 2.9.
Figura 2.9 I C VC E .
A primeira regio a se considerar a regio de saturao. Quando VC E = 0, o diodo coletor estar

diretamente polarizado, portanto o transistor no funciona e a corrente do coletor zero.
Para sair da regio se saturao, necessrio que o diodo coletor seja novamente reversamente
polarizado. Como isso s ocorre quando VBE = 0.7V , ento VC E precisa pelo menos ser igual a 1. Para
0V VC E 1V , a corrente no coletor aumenta numa taxa muito superior ao aumento de VC E , e depois para,
se mantendo praticamente constante. Isso acontece porque, um vez que o diodo coletor fica reversamente
polarizado, o coletor captura praticamente todos os eltrons que chegam da camada de depleo.
Acima de 0.7V, o valor de VC E no se torna mais importante, tendo em vista que a corrente no coletor
no varia. Essa regio chamada de regio ativa e a regio preferencial para a operao do transistor.
Acima de um determinado valor, a tenso de ruptura, o diodo coletor atingir a ruptura e o transistor
se danificar, fazendo com que a corrente no coletor cresa indefinidamente.. Transistores no so projetados
para operarem em regio de ruptura, sendo o valor dessa tenso um dos dados mais importantes a se
considerar no projeto de circuitos transistorizados.
Uma regio especial ocorre quando I B = 0 (terminal de base aberto), chamada de regio de corte.
A corrente no coletor nessa regio, I C EO , chamada de corrente de coletor com terminal de base aberta,
tendo seu valor muito prximo de zero.
Tipicamente as curvas caractersticas I C VC E so apresentadas em grupos, para vrios valores da
corrente de base, como mostra a fig. 2.9. Isso porque para a medio dos valores de I C preciso ter o valor
de I B fixado, como dito anteriormente.
Os transistores operam na regio ativa quando so usados como amplificadores. Sendo a corrente
de coletor (sada) proporcional a corrente de base (entrada), designa-se os circuitos com transistores na regio
ativa de circuitos lineares. As regies de corte e saturao, por simularem uma chave controlada pela corrente
de base, so amplamente usados em circuitos digitais.
2.3 Circuitos para polarizao do transistor bipolar
A polarizao permite estabelecer uma corrente DC constante de coletor em transstores bipolares.

Esta corrente tem que ser calculvel, previsvel e insensvel a variaes de temperatura e s largas
variaes no valor de encontrado nos transistores da mesma referncia.
Uma outra importante considerao na polarizao localizar o ponto de polarizao no plano
iC vC E de forma a garantir a mxima excurso de sinal. Agora a nossa abordagem ser a polarizao de
circuitos discretos.
Na fig. 2.10 so mostradas duas formas de polarizao no recomendadas.
No caso da fig. 2.10 a) tenta-se fixar o valor de VBE atravs de um divisor resistivo. Esta montagem,
devido a variaes das resistncias (tolerncia) ou at da tenso de VC C implica uma grande da variao de
corrente de coletor I C e, por isso, de VC E .
No caso da fig. 2.10 b), estabelece-se uma corrente de base I B (VC C 0.7)/R B . Devido a grandes
variaes do entre transistores com a mesma referncia, ocorrem grandes variaes de I C e, por isso, de
VC E .
Figura 2.10 Circuitos de polarizao.

Os circuitos da fig. 2.11 so variaes mais estveis para a polarizao de transistores. A fig. 2.11
a) mostra um circuito de polarizao de transistores bipolares comum usando uma nica fonte de alimentao.
Consiste em alimentar a base com uma fraco da tenso de alimentao VC C atravs do divisor de tenso
constitudo por R1 e R2 . Alm disso ligada uma resistncia no emissor.
Figura 2.11 Circuitos de polarizao.
A fig. 2.11 b) mostra o mesmo circuito com o divisor resistivo substitudo pelo equivalente de
Thvenin. Com
R2 R1 R2
VBB = VC C e RB = .
R1 + R2 R1 + R2
A corrente I E calculada escrevendo a equao de malha de Kirchhoff L (ver fig. 2.11 b)) e,
substituindo-se I B = I E /(1 + ),
VBB VBE
IE = .
R E + R B /(1 + )
Para tornar a corrente de emissor I E menos sensvel temperatura e variao do projeta-se o
circuito de forma que
RB
VBB VBE e RE .
1+
A primeira das condies acima garante que uma pequena nariao de VBE no impactar no valor
de VBB .
No entanto existe um limite no valor de VBB . Para um determinado valor de VC C , quanto maior o
valor de VBB , menor ser a soma das tenses na resistncia R C e na juno Coletor-Base VC B . Por outro lado
pretende-se uma grande queda de tenso em R C para garantir um ganho alto e uma excurso adequada de
sinal sem entrar ao corte.
Tambm se pretende VC B (ou VC E ) grande de forma a que a excurso do sinal de sada no
coloque o transistor na saturao (na excurso negativa do sinal). Por isso a soluo final ser sempre um
1 1
compromisso. Por norma escolhe-se VBB por volta de 3 VC C , VC B (ou VC E ) por volta de 3 VC C e I C R C por volta
1
de 3 VC C .
R
A condio R E 1+ B
implica que a corrente de emissor I E fica menos sensvel a variaes do
do transistor. Para isso impe-se um R B pequeno. Baixando os valores de R1 e R2 implica mais consumo
de potncia e uma diminuio da impedncia de entrada do amplificador (se a entrada do amplificador estiver
ligada base do transistor) o que no desejvel.
Esta condio implica que a tenso da base fique quase independente de e somente dependente
do divisor de tenso. Isto ser satisfeito se a corrente no divisor resistivo for muito maior que a corrente de
base. Tipicamente as resistncias R1 e R2 so escolhidas de forma que a corrente nelas seja na faixa de I E a
0.1I E .
Para verificar como esta forma de polarizao estabiliza a corrente de emissor, pode-se considerar
o efeito de realimentao negativa de R E . Se a corrente de I E aumenta, a queda de tenso na resistncia de
emissor aumenta (e por isso VE ). Isto implica uma descida de VBE (considerando VB constante) o que implica
uma diminuio da corrente do emissor I E (efeito contrrio ao inicial) estabilizando a polarizao.
2.3.1 Polarizao com duas fontes simtricas
Se estiverem disponveis duas fontes de alimentao (em geral simtricas com uma massa central)
pode-se polarizar como mostra a fig. 2.12, obtendo a mesma estabilidade na polarizao dos circuitos
anteriores.
Figura 2.12 Circuitos de polarizao com fontes assimtricas.
A equao da malha L d origem a
VBB VBE
IE = ,
R E + R B /(1 + )
mesmo valor mostrado anteriormente.
No caso do transistor ser usado em base comum, a resistncia R B no necessria. Mas no caso
do sinal de entrada ser alimentado base ento R B necessria para garantir uma impedncia de entrada
no nula.
2.3.2 Polarizao com uma resistncia entre o colector e a base
Analisando o circuito da fig. 2.13 obtm-se
IE VC C VBE
VC C = I E R C + I B R B + VBE = I E R C + R B + VBE IE = .
1+ R E + R B /(1 + )
Para seleccionar um I E que seja pouco sensvel ao do transistor deve-se escolher R B /(1 + )
R C . Neste caso R B determina tambm a excurso de tenso no colector
VC B = I B R B = I E R B /(1 + ).
necessrio encontrar uma soluo de compromisso.
Figura 2.13 Circuitos de polarizao com uma resistncia entre o colector e a base.
2.3.3 Polarizando com uma fonte de corrente constante
O transistor bipolar pode ser polarizado utilizando uma fonte de corrente constante I como mostra
a fig. 2.14. Este circuito tem a vantagem de a corrente de emissor ser independente dos valores de e R B .
Por isso R B pode ser grande elevando a resistncia de entrada do amplificador sem afectar a estabilidade da
polarizao.
Uma implementao simples da fonte de corrente I mostrada em fig. 2.14 b). O circuito usa
dois transstores idnticos Q 1 e Q 2 com Q 1 ligado como diodo com o colector curto-circuitado com a base.
Assumindo que o elevado pode-se desprezar as correntes de base. A corrente em Q 1 ser dada por
VC C (VE E ) VBE
IRE F =
R
Como Q 1 e Q 2 tm o mesmo VBE , as suas correntes de coletor sero idnticas.
Desprezando o efeito de Early em Q 2 a corrente de colector de Q 2 manter-se- constante desde
que se mantenha na zona ativa (na prtica com a tenso do coletor superior da base).
Esta montagem conhecida como espelho de corrente.
Figura 2.14 Circuitos de polarizao com uma fonte de corrente constant.
2.4 Operao para pequenos sinais e Modelos
2.4.1 A corrente de coletor e a Transcondutncia
Considere os circuitos da fig. 2.15.

Figura 2.15 Circuitos para o calculo da transcondutncia.
A tenso total na base
vBE = VBE + vbe .

A correspondente corrente de coletor dada por
ic = IS e vBE /VT = IS e(VBE +vbe )/VT = IS e VBE /VT e vbe /VT = I C e vbe /VT .
Para v be VT , expandindo a exponencial da expresso acima em srie e aproveitando somente os
dois primeiros termos, tem-se
I C vbe
iC = I C + ,
VT
que diz que a corrente de coletor composta por uma corrente de polarizao I C e uma componente de sinal
iC = (I C vbe )/VT = g m vbe , sendo g m a transcondutncia do transistor. Observa-se que a transcondutncia do
transstor bipolar directamente proporcional corrente de polarizao do colector I C .
Essa aproximao vlida para vBE < 10mV e chamada aproximao para pequenos sinais.
2.4.2 A corrente de base e resistncia de entrada da base
A corrente na base pode ser definida, usando a definio da corrente no coletor feita acima, como
iC IC 1 I C vbe
iB = = + .
VT
Como iB = I B + i b e I B = I C / , ento a componente i b dada por
1 I C vbe gm
ib = = vbe .
VT
A resistncia de entrada para pequenos sinais, r (entre a base e o emissor-olhando para dentro da
base) dada por
vbe V
r = = = T,
ib gm IB
com g m = I C /VT e I B = I C / .
2.4.3 A corrente de emissor e resistncia de entrada do emissor
A corrente de emissor i E pode ser determinada por
iC I C ic
iE = = + .

Como i E = I E + ie e I E = I C /, ento a componente ie dada por
ic 1 I C vbe I E vbe
ie = = = .
VT VT
Designando por re a resistncia de pequeno sinal entre a base e o emissor, possvel defini-la como
vbe V
re = = T = .
ie IE gm
A relao entre re e r pode ser encontrada se combinarmos as suas definies
ie
r = re = ( + 1)re .
ib
2.4.4 O ganho de Tenso
A tenso de coletor dada por:
vc = VC C iC R C = VC C (I C + ic )R C = (VC C I C R C ) ic R C = VC ic R C ,
sendo VC a tenso de polarizao no colector. A tenso de sinal no coletor dada por
vc = ic R C = g m vbe R C
e o ganho de tenso A v dado por
vc IC RC
Av = = g m R C =
vbe VT
2.4.5 O modelo -hbrido
A fig. 2.16 mostra duas variantes do modelo -hbrido (para pequenos sinais).
Figura 2.16 Modelo -hbrido.
Pelo modelo de fig. 2.16 a),
vbe
ic = g m vbe e ib = .
r
No n do emissor
vbe vbe vbe vbe vbe

ie = + g m vbe = (1 + g m r ) = (1 + ) = r = r .
r r r e
1+
Um modelo ligeiramente diferente mostrado em fig. 2.16 b) onde a fonte corrente dependente
g m vbe expressa em funo da corrente de base
g m vbe = g m (i b r ) = i b .
Estes dois modelos so simplificados (por exemplo no tm em conta o Efeito de Early) e so os
mais utilizados no projecto e anlise de circuitos com transstores bipolares.
Deve notar-se que este modelo s vlido num ponto de polarizao. Alis determina-se o modelo
sabendo o ponto de polarizao do transstor. Este modelo vlido para transstores npn como pnp no sendo
preciso inverter polaridades.
2.4.6 O modelo T
O modelo em T um modelo mais adequado a ser utilizado em certas situaes. Comparando a

fig. 2.17 a) com o modelo anterior, verifica-se que este modelo d valores corretos para ic e ie .
Para i b obtm-se
vbe vbe vbe vbe vbe vbe

ib = + g m vbe = (1 + g m re ) = (1 ) = 1 = = .
re re re re +1 ( + 1)re r
O modelo em T na fig. 2.17 b) deduzido por
g m vbe = g m (ie re ) = ie .
Figura 2.17 Modelo T.
2.4.7 Modelos de pequeno sinal tendo em conta o Efeito Early
O efeito de Early faz com que a corrente de coletor dependa no s de vBE como de vC E . A
dependncia da corrente de colector de vC E pode ser modelizada no modelo -hbrido com uma resistncia
em paralelo com a fonte de corrente dependente com valor ro = VA/I C em que VA a tenso de Early.
Tpico 3
Amplificadores operacionais: tipos, caractersticas, modelagem, parmetros, arquiteturas

internas, e aplicaes lineares e no lineares. Amplificadores de instrumentao.
3.1 Introduo ao amplificador operacional (AmpOp)
O amplificador operacional um amplificador multiestgio com entrada diferencial, com

caractersticas que se aproximam de um amplificador ideal. Foi criado na dcada de 1940, com o intuito
de fazer operaes entre sinais (da o termo operacional), mas hoje largamente utilizado em diversos tipos
de aplicaes, como na concepo de circuitos lineares e no lineares, circuitos de controladores, amplificador
de instrumentao, filtros ativos, comparadores, e geradores de sinais diversos.
O smbolo mais usado para representar o AmpOp mostrado na fig. 3.1, mostrando suas entradas
inversora (A) e no inversora (B ) e a sada (Y ).
Figura 3.1 Simbologia do AmpOp.
As caractersticas ideais de um AmpOp so:
impedncia infinita na entrada e nula na sada: considere o circuito da fig. 3.2, que mostra um modelo
da ligao de uma fonte a um amplificador e deste a uma carga.
Figura 3.2 Modelo da ligao de fonte, amplificador e carga.
Desse circuito possvel obter, por um divisor de tenso, a seguinte relao:
R1
VR1 = VS .
R1 + RS
Amplificadores operacionais: tipos, caractersticas, modelagem, parmetros, arquiteturas internas, e aplicaes
lineares e no lineares. Amplificadores de instrumentao. 31
fcil ver, da relao e do circuito, que quanto maior o valor de R1 , maior a poro da tenso VS que
ser aplicada ele. Dessa forma, se R1 , ento VR1 VS .
Dessa forma, interessante que a impedncia de entrada do amplificador operacional seja alta se
comparada com a impedncia da fonte, pois isso diminui a atenuao do sinal na entrada; idealmente,
a resistncia de entrada tem de ser infinita.
Por outro lado, para que todo o sinal se concentre na carga, preciso que a impedncia de sada seja
muito menor que ela. De fato, novamente partindo do circuito, tem-se:
VR L = V0 VR T
Se R T 0, ento VR L V0 . Assim, a impedncia de sada do AmpOp deve ser idealmente nula.
ganho de tenso infinito em malha aberta: para que a amplificao seja vivel, inclusive para sinaos
oriundos de transdutores ou sensores, preciso que o ganho de tenso do amplificador em malha
aberta seja muito alto; idealmente, considera-se que esse ganho infinito;
resposta a frequncia infinita: quanto mais alta a faixa de frequncia na qual um amplificador
consegue manter seu ganho constante, ou seja, que o sinal no sofra nenhum corte ou atenuao,
maior a gama de aplicaes o AmpOp pode ser usado; idealmente, ele deve operar com sinais desde 0
Hz (DC) at infinitos Hz;
drift nulo: como transistores e diodo so sensveis a variaes de temperatura, variaes trmicas
podem causar alteraes acentuadas nas caractersticas intrnsecas de um AmpOp, fenmeno
conhecido como drift de temperatura; idealmente, ele deve ser nulo;
tenso de off-set de sada nula: o fato dos transistores internos do AmpOp no serem idnticos
provocam um desbalanceamento no circuito diferencial que gera uma tenso na sada mesmo quando
as entradas esto aterradas. Essa tenso conhecida como tenso de off-set de sada,e pode ser
ajustada externamente, com a ajuda um potencimetro, por exemplo. Esse ajuste especialmente
importante quando o AmpOp usado com sinais de baixa intensidade, como sinais biomdicos, ou
sinais de controle de erro em instrumentao, tendo em vista que pode causar distores nas leituras.
Idealmente, a tenso de off-set de sada precisa ser nula.
3.2 Amplificador diferencial
Internamente o AmpOp formado, basicamente, por um amplificador diferencial, seguido de um

estgio deslocador e finalizado por um estgio acionador da sada, como mostra o diagrama de blocos da
fig. 3.3.
Figura 3.3 Diagrama de blocos da estrutura interna do AmpOp.
O amplificador diferencial um circuito que apresenta uma tenso diferencial de sada, V0d igual a
tenso diferencial de entrada multiplicada por um fator de ganho, A Vid . O termo diferencial refere-se ao fato
das tenses de entrada e sada serem resultado da diferena entre as tenses em cada par de terminais do
circuito, como ilustra a fig. 3.4
Figura 3.4 Estrutura geral de um amplificador diferencial.
Em resumo, para esse circuito,
Vod = V3 V4 (3.1)
Vid = V1 V2 (3.2)
Vod = AVid . (3.3)
Como o ganho A depende das tenses diferenciais, comumente ele tambm chamado de ganho
diferencial de tenso.
O amplificador diferencial responsvel por diversas caractersticas intrnsecas do AmpOp, como:
resistncia de entrada;
corrente de polarizao de entrada e
razo de rejeio de modo comum (CMRR).
A tenso de sada diferencial Vod aplicada ao estgio seguinte, o estgio deslocador e amplificador
intermdirio, cuja funo aumentar ainda mais o ganho de tenso proveniente do estgio anterior, bem
como ajustar em um referencial zero (terra) seu nvel de tenso DC. Esse ajuste garante que, principalmente
na operao com sinais AC, no surjam alteraes nos referenciais das sadas do AmpOP.
O ltimo estgio o acionador de sada, tipicamente uma configurao do tipo seguidor de tenso,
que proporciona baixa impedncia de sada e corrente suficiente para alimentar a carga acoplada s sadas do
AmOp. Evidentemente a impedncia de entrada desse estgio deve ser alta para no sobrecarregar o estgio
anterior.
3.3 Modos de operao do AmOp
H, basicamente, trs modos de operao dos amplificadores operacionais:
sem realimentao: a configurao mostrada na fig. 3.5 chamada tambm de realimentao em

malha aberta, na qual no existe nenhuma ligao entre a sada e uma das entradas. Nesse caso o
ganho do circuito o ganho do prprio AmpOp. Esse tipo de operao comum para uso com circuitos
comparadores.
Figura 3.5 Operao sem realimentao.

com realimentao positiva: na operao com realimentao positiva existe uma malha fechada,
ligando a sada do AmOp a sua entrada no inversora. Apresenta o incoveniente de levar o circuito
a instabilidade, limitao que pode ser contornada durante o projeto das aplicaes que usam esse
modo, como circuitos osciladores, por exemplo. Devido a operao no linear, o ganho do circuito,
nessa operao, no pode ser controlado pelo projetista, sendo esse modo invivel para o uso como
amplificador.
Figura 3.6 Operao com realimentao positiva.
com realimentao negativa: modo mais comum de operao, no qual a malha fechada feita com
a ligao entre a sada do AmpOp e a entrada inversora. Como nesse modo o circuito opera com
resposta linear, o ganho do amplificador, comumente referido como ganho de malha fechada, pode
ser controlado pelo projetista. Dentre as aplicaes que usam esse modo, pode-se citar: seguidor de
tenso, amplificadores, somadores, integradores, derivadores, filtros ativos, etc.
Figura 3.7 Operao com realimentao negativa.
3.4 Curto circuito virtual
Considere o modelo de um AmpOp real, mostrado na fig. 3.8. Nele a entrada possui uma resistncia
R i = entre as portas inversora e no inversora, uma realimentao negativa por meio do resistor R2 .
Figura 3.8 Modelo simplificado de um AmpOp real.
Por conta da resistncia de entrada infinita, nenhuma parcela da corrente I1 na entrada inversora
mandada para a entrada no inversora, e nenhuma parcela da corrente da entrada no-inversora passa para
a entrada inversora, de forma que, para fins prticos, I B1 = I B2 = 0.
No modelo, o amplificador possui em seu interior uma fonte de tenso controlada por tenso (FTCT),
com valor igual ao produto do ganho de malha aberta vezes a tenso diferencial, definida por Vd = Vb Va .
Do circuito anterior,
V1 Va A vo Vd Va V1 Va A vo Vb Va (1 + A vo )
I1 + I2 = 0 + =0 + = 0.
R1 RO + R2 R1 RO + R2
Rerranjando os termos em funo de Vb , tem-se
Va R1 (1 + A vo ) + (Va V1 )(RO + R2 )
Vb = .
A vo R1
Como o ganho de malha aberta A vo , ento possvel ver que Vb Va e que, para fins
prticos, Vd = 0. Esse resultado se deve a presena de realimentao negativa, que tende a igualar os
potenciais nos pontos a e b dos terminais de entrada, independente dos valores de entrada V1 e V2 .
Devido a esse fato, afirma-se que entre as prtas inversora e no inversora do AmpOp existe um
curto circuito virtual. Especialmente quando V2 = 0, que implica em V1 = 0, dito existir um terra virtual, caso
particular do curto cirtuito virtual.
Essa condio imperscindvel para a anlise de circuitos lineares e no lineares que usam
realimentao negativa.
3.5 Outras caractersticas importantes de AmpOps reais
Alm das j discutidas aqui, outras caractersticas tpicas de amplificadores operacionais reais
podem ser importantes em determinados projetos, dentre as quais se destacam:
Taxa de subida ou slew-rate: definida como a mxima taxa de variao da tenso de sada do
amplificador por unidade de tempo, ou seja, a velocidade de resposta do amplificador, comumente
dado em V/s;
Saturao: representa os nveis mximos de tenso que um AmpOp pode atingir, operando em
qualquer um dos modos possveis, a partir dos quais o sinal ceifado, no podendo mais variar sua
tenso. A regio entre os limites de saturao superior e inferior referida como regio de operao
linear do amplificador;
Tempo de subida ou rise-time: definido como o tempo gasto pelo sinal de sada para variar de 10
a 90% de seu valor de pico, tendo ligao direta com a faixa de frequncia mxima na qual o AmpOp
pode operar;
Sobredisparo ou overshoot: definida como o percentual da tenso de pico que a ultrapassou durante
o perodo transitrio do circuito, ou seja, antes da sada atingir seu estado permanente.
3.6 Circuitos Lineares com AmpOp
3.6.1 Amplificador inversor
O circuito do amplificador inversor mostrado na fig. 3.9. Nesse circuito, o sinal de entrada
amplificado com um ganho A v e sofre uma inverso de 180o na sua fase (sua intensidade passa a ser
negativa).
Figura 3.9 Amplificador inversor.
Considerando a leis de Kirchhoff das correntes para o n a, tem-se
Vi Vo Vo Rf
I1 + I f = 0 + =0 Av = =
R1 R f Vi R1
O ganho de tenso A v completamente controlado pelos resistores de entrada e realimentao,
devido a realimentao negativa.
3.6.2 Amplificador no inversor
O circuito do amplificador no inversor mostrado na fig. 3.10. Nesse circuito, o sinal amplificado
com um ganho A v , sem inverso de fase.
Figura 3.10 Amplificador no inversor.

Considerando a leis de Kirchhoff das correntes para o n a, tem-se
Vi Vo Vi Vo R1 + R f
I1 + I f = 0 + =0 Av = =
R1 Rf Vi R1
3.6.3 Buffer ou Seguidor de tenso
Se no amplificador anterior R1 (circuito aberto) e R f 0 (curto-circuito), o ganho ser A v = 1

e o circuito funcionar como um buffer ou seguidor de tenso. Esse tipo de circuito importante para fazer
casamento de impedncia entre diferentes estgios de um circuito de amplificao, para fazer isolamento entre
estgio e para reforar correntes, devido, principalmente, a sua altssima impedncia de entrada.
Figura 3.11 Seguidor de tenso.
3.6.4 Amplificador somador inversor
Esse amplificador soma todos os sinais em cada uma de suas entradas, atribuindo um ganho ao
sinal resultante da soma e uma inverso de fase. O circuito do somador inversor mostrado na fig. 3.12.
Figura 3.12 Amplificador somador inversor.
Como I1 + I2 + I3 + I f = 0, ento
V1 V2 V3 Vf V1 V2 V3

+ + + =0 Vf = R f + +
R1 R2 R3 R f R1 R2 R3
3.6.5 Amplificador somador no inversor
Esse amplificador soma todos os sinais em cada uma de suas entradas, mas sem fazer a inverso
de fase do circuito anterior. O circuito do somador no inversor mostrado na fig. 3.13.
Figura 3.13 Amplificador somador no inversor.
Aplicando a lei de Kirchhoff das correntes ao ponto b, obtm-se
V1 Vb V2 Vb V3 Vb V1 R2 R3 + V2 R1 R3 + V3 R1 R2
I1 + I2 + I3 = 0 + + =0 Vb =
R1 R2 R3 R1 R2 + R1 R3 + R2 R3
Como a parte do circuito com os resistores R e R f formam um amplificador no inversor, ento

Rf R f V1 R2 R3 + V2 R1 R3 + V3 R1 R2
Vo = 1 + Vb = 1 +
R R R1 R2 + R1 R3 + R2 R3
3.6.6 Amplificador subtrator
O amplificador subtrator obtm a diferena entre o sinal da entrada no inversora e o da entrada

inversora, multiplicados por um ganho, tendo seu circuito mostrado na fig. 3.14.
Figura 3.14 Amplificador subtrator.
Aplicando a lei de Kirchhoff das correntes ao n a, obtm-se
V1 Va Vo Va R1 + R2 V1 R2
I1 + I2 = 0 + =0 Vo = Va
R1 R2 R1 R1
Repetindo o procedimento para o ponto b, obtm-se
V2 Vb Vb R2

=0 Vb = V2
R1 R2 R1 + R2
Como devido ao curto-circuito virtual, Va = Vb , ento substituindo a equao acima na anterior,
obtm-se, aps alguma manipulao,
R2
Vo = (V2 V1 )
R1
3.7 Diferenciador e Integrador com AmpOp
3.7.1 O amplificador inversor generalizado
A fig. 3.15 mostra uma verso generalizada do amplificador inversor, considerando impedncias, ao
invs de resistncias, na entrada e na realimentao. Esse arranjo, com impedncias tipicamente capacitivas
(resistores mais capacitores) a estrutura basica para os circuitos integradores e diferenciadores. Raramente
se encontram verses desse circuito com indutores.
Figura 3.15 Amplificador inversor generalizado.
Para esse circuito, o ganho de malha fechada dado por
Zf
Av = .
Z1
3.7.2 Amplificador Diferenciador
O circuito mostrado na fig. 3.16 apresenta uma sada proporcional a taxa de variao do sinal de
entrada, realizando, assim, a sua derivada. conhecido como diferenciador e muito utilizado em circuitos de
controle.
Figura 3.16 Amplificador diferenciador.

Aplicando a lei de Kirchhoff das correntes ao n a, tem-se
d Vi Vo d Vi
I1 + I f = 0 C + =0 Vo = R f C ,
dt Rf dt
mostrando que o circuito deriva o sinal de entrada e multiplica por uma constante RC , alm de provocar uma
inverso de fase.
1
Tomando como base o amplificador inversor genrico discutido anteriormente, sendo Z1 = =
jC
1
e Z f = R f , tem-se que o ganho de malha fechada para esse amplificador dado, em mdulo, por
j2 f C
Rf
.A v = = j2 f R f C ou, em mdulo, |A v | = 2 f R f C
1/( j2 f C)
3.7.3 Amplificador Integrador
O circuito mostrado na fig. 3.17 apresenta uma sada proporcional a integral dosinal de entrada. Na
prtica muito mais usado do que o circuito anterior, principalmente por ser mais estvel do que ele.
Figura 3.17 Amplificador integrador.
Aplicando a lei de Kirchhoff das correntes ao n a, obtm-se
Z
Vi d Vo d Vo Vi 1
I1 + I f = 0 +C =0 = Vo = Vi d t.
R1 dt dt R1 C R1 C
Tomando como base o amplificador inversor genrico discutido anteriormente, sendo Z1 = R1 e

1 1
Zf = = e , tem-se que o ganho de malha fechada para esse amplificador dado, em mdulo,
jC j2 f C
por
1/( j2 f C) 1 1
.A v = = ou, em mdulo, |A v | =
R1 j2 f R1 C 2 f R1 C
O fato do ganho de malha fechada ser inversamente proporcional a frequncia mostra que esse
circuito muito menos sensvel a sinais de alta frequncia do que o diferenciador mostrado anteriormente.
3.8 Circuitos no lineares com AmpOp
3.8.1 Comparadores
Comparadores so circuitos que comparam os sinais nas entradas inversora e no inversora do

AmpOp, quando esses operam sem realimentao. Essa comparao se faz adotando-se um dos sinais como
referncia, de forma que a sada depender das variaes do sinal de entrada comparado com o sinal de
referncia, tipicamente um sinal DC. So circuitos muito teis para operao junto com sensores e atuadores
nas mais diversas situaes.
Como os comparadores funcionam com malha aberta, sem realimentao, o ganho sobre o sinal
de entrada o prprio ganho de malha aberta, que idealmente infinito, levando sempre o sinal de sada a
saturao. Assim sendo, a sada de circuitos comparadores sempre sero sinais com amplitudes nos nveis
de saturao positiva (+Vsat ) e/ou negativa (Vsat ). Existem, porm, artifcios para controlar essas amplitudes
para nveis abaixo do limiar de saturao que sero discutos mais adiante.
Comparador no inversor
No comparador no inversor, mostrado na fig. 3.18 a), o sinal varivel aplicado a porta no
inversora do AmpOp em malha aberta, e o sinal de referncia, aplicado entrada inversora. No circuito
mostrado, o sinal de entrada comparado com o nvel zero, tendo em vista que a entrada inversora est
aterrada. A resposta do circuito mostrada na fig. 3.18 b). Ela diz que, quando a tenso de entrada tem valor
inferior a zero, a tenso de sada ser Vsat , e quando for maior que zero, ser +Vsat . Um exemplo ilustrativo
tambm mostrado na figura. Esse circuito conhecido como detector de passagem por zero.
Figura 3.18 Comparador no inversor.
Dessa forma, a sada do comparador no inversor pode ser descrito pela seguinte funo

+Vsat , quando Vi > 0
Vo =
Vsat , quando Vi < 0
Comparador inversor
No comparador inversor (fig. 3.19), o sinal varivel aplicado entrada inversora e o sinal de
referncia, entrada no inversora. Para o circuito mostrado na figura, o nvel de comparao zero, pois a
entrada no inversora est aterrada. Dessa forma, o circuito retorna Vsat para todo valor do sinal de entrada
que estiver acima do nvel e +Vsat para todo sinal abaixo do nvel, como ilustra a resposta do circuito.
Figura 3.19 Comparador inversor.
A sada do comparador inversor pode ser descrito pela seguinte funo

Vsat , quando Vi > 0
Vo =
+Vsat , quando Vi < 0
Os dois tipos de comparadores vistos at agora comparavam o sinal de entrada com o zero, pois a
referncia estava ligado ao terra do circuito. No entanto, h aplicaes as quais existe a necessidade de se
compararar com nveis diferentes de zero. Para isso, basta aplicar um sinal diferente de zero, Vr e f a entrada
de referncia, como ilustra a fig. 3.20.
Figura 3.20 Comparador inversor com nvel de referncia diferente de zero.
No caso do comparador inversor com referncia diferente de zero mostrado na figura acima, quando
o sinal de entrada for maior que o sinal de referncia, a sada retornar Vsat e quando for menor, +Vsat ,
como descreve a funo de Vo a seguir

Vsat , quando Vi > Vr e f
Vo =
+Vsat , quando Vi < Vr e f .
O mesmo raciocnio se aplica aos comparadores no inversores com referncia diferente de zero.
Limitando a tenso de sada dos comparadores
Para se modificar a amplitude dos sinais da sada dos comparadores, para valores abaixo da tenso
de saturao dos AmpOps, existem duas abordagens mais comuns, ambas baseadas no uso de diodos
zeners.
A primeira mostrada na fig. 3.21, na qual feita uma realimentao negativa usando dois diodos
zener com polarizaes contrrias. Isso far com que a amplituda de sada, ao invs de ser Vsat , passe a
ser (Vz + 0.7), sendo Vz a tenso de ruptura do zener.
Figura 3.21 Limitao na sada de comparadores usando diodos zener.
Outro mtodo mostrado na fig. 3.21, que usa dois diodos, tambm com polarizaes contrrias,
ligando a sada ao terra, de forma que a tenso de sada seja obtida sobre os diodos, num processo parecido
com a da um regulador de tenso.
importante frisar que, caso um dos diodos seja curto circuitado, como ilustrado na fig. 3.23, apenas
um dos ciclos de sada sero mostrados.

3.8.2 Comparador por histerese
3.8.3 Oscilador com ponte de Wien
3.8.4 Temporizador 555
3.8.5 Multivibrador astvel com AmpOp
3.8.6 Gerador de onda dente-de-serra
3.8.7 Circuitos logartmicos
Tambm chamado de amplificadores logartmicos, so circuitos muito teis em computao

analgica ou quando se precisa comprimir a faixa dinmica de informaes coletadas, como, por exemplo,
o caso de um medidor de VU, ou instrumentao de radar, etc.
Circuito logaritmico
O amplificador logaritmico faz uso da relao no linear entre a corrente no coletor e a tenso
entre a base e o emissor do transistor bipolar, precisamente logaritmica em uma faixa que vai de alguns
pA at alguns mA. Para isso,um transistor bipolar na configurao base-comum colocado na malha de
realimentao negativa, como mostra o circuito da fig. 3.24.
Figura 3.24 Amplificador logaritmico.
Tendo que a tenso base-emissor (VBE ) se relaciona com a corrente no coletor ( I c ) pela seguinte
relao
Ic

KT
I c = I ES exp (qVBE /K T ) VBE = ln
q I ES
Como, do circuito, Vo = VBE e I c = Vi /R1 , ento
Vi

KT
Vo = ln .
q R1 I ES
A expresso para a tenso de sada mostra a dependncia da temperatura que o circuito tem, que
podem ser minimizados com o uso de transistores casados e de termistores (NTC ou PTC).
Circuito antilogaritmico
Se no circuito logaritmico o resistor R1 for substitudo por um transistor PNP e o transistor Q for
substitudo por um resistor R1 , obtm-se o circuito antilogaritmico bsico, mostrado na fig. 3.25.
Figura 3.25 Amplificador antilogaritmico.
Para esse circuito, Vi = VBE e I c = Vo /R1 , ento
Vo = R1 I ES exp (qVi /K T ).
Evidentemente, se Vi for negativo, o transistor a ser usado deve ser do tipo PNP.
Multiplicador de tenses
Combinando os circuitos logaritmico e antilogaritmico, possvel fazer diversas funes, como,

por exemplo, X 1/2 , X 2 , X 3 , 1/X , X /Y, X Y , etc. Como ilustrao, o circuito da fig. 3.26 tem como sada a
multiplicao de dois sinais de entrada.
Figura 3.26 Amplificador multiplicador de tenses.
Basicamente, o circuito tem como sadas em cada ponto:
ponto A: ln V1
ponto B: ln V2
ponto C: ln V1 + ln V2
ponto D: Vo = exp(ln V1 + ln V2 )
ou seja, Vo = V1 V2 .
3.9 Amplificador de Instrumentao
Amplificadores de instrumentao so um tipo especial de amplificador operacional com larga

utilizao em instrumentao eletrnica, principalmente devido a suas caractersticas:
resistncia de entrada extremamente alta (bem maior que os AmpOps comuns);
resistncia de sada muito menor que do a dos amplificadores comuns;
razo de rejeio de modo comum superior a 100dB;
ganho de tenso em malha aberta muito superior aos AmpOps comuns;
tenso de offset quase nula;
drift extremamente baixo.
Devido a suas aplicaes, no exigido desse amplificador caractersticas como alta largura de
faixa ou alto slew-rate.
Um diagrama de circuito, baseado no amplificador de instrumentao LH 0036 mostrado na
fig. 3.27, junto com o smbolo tpico dos amplificadores de instrumentao, com o potencimetro evidenciando
o ajuste do ganho do mesmo.
Figura 3.27 Amplificador de instrumentao.
Olhando para o amplificador A1 , pode-se verificar, devido ao curto circuito virtual, que
Vx V1 V2 V1 R g V1 + R2 (V1 V2 )
+ =0 Vx =
R2 Rg Rg
Analisando agora o amplificador A2 , tem-se
Vy V2 V1 V2 R g V2 + R2 (V2 V1 )
+ =0 Vy =
R2 Rg Rg
O estgio seguinte, A3 um amplificador subtrator, com todas as resistncias iguais, de forma que
R g V2 + R2 (V2 V1 ) R g V1 + R2 (V1 V2 )

2R2
Vo = Vy Vx = =1+ (V2 V1 )
Rg Rg Rg
Esse resultado mostra que, de fato, o amplificador de instrumentao pode ser controlado pelo
resistor R g .
Tpico 4
O par diferencial, cargas ativas e fontes de corrente: caractersticas, aplicaes e

limitaes.
4.1 Introduo
Um amplificador diferencial um circuito que possui duas entradas e cuja sada proporcional a
diferena entre os sinais dessas entradas.
H basicamente duas razes para que o uso de amplificadores diferencias seja mais vantajoso que
o uso de amplificadores com entrada simples. A primeira a menos sensibilidade a rudos e interferncias que
os circuitos diferencias possuem. A segunda, que a configurao diferencial possibilita ao projetista poder
polarizar e acoplar estgios em cascata sem o uso de capacitores de acomplamento ou seguidores de tenso.
Os circuitos tpicos usando um nico transistor geram em sua sada um sinal tipicamente medido
com relao ao ponto comum (terra) do circuito, portado por um nico terminal, como mostrado na fig. 4.1
a). J circuitos diferenciais produzem na sua sada sinais diferenciais, tipicamente de mesma mdulo e
fases invertidas (ou intensidades opostas), que podem ser medidos entre dois terminais no aterrados, como
ilustrado na fig. 4.1 b). O nvel DC comum aos dois sinais na sada diferencial (VC M na fig. 4.1 c) ) chamado
de nvel de modo comum, sendo o valor mdio aferido em qualquer uma das sadas do amplificador diferencial.
Figura 4.1 a) sinais monoterminais; b) sinais diferenciais; c) ilustrao do nvel de modo comum.
O circuito conhecido como par diferencial mostrado na fig. 4.2, para as verses com transistores
bipolares (a) e transistores de campo (b). Os circuitos dessa figura tem o mesmo funcionamento do circuito
O par diferencial, cargas ativas e fontes de corrente: caractersticas, aplicaes e limitaes. 48
mostrado na fig. 4.1 b), mas com a insero de uma fonte de corrente, conhecida como fonte de corrente da
cauda, que estabiliza o circuito, de forma que a soma das correntes em cada transistor seja tenha o seu valor.
Figura 4.2 Pares diferenciais a) bipolares e b) MOS.
O par diferencial de transistores (Bipolares ou FET) bastante utilizado em circuitos analgicos

integrados. utilizado na familia lgica de alta velocidade Emitter Coupled Logic (ECL), em que os estados
lgicos no utilizam a saturao dos transistores. So mais adaptados fabricao em circuitos integrados
pois necessitam de transistores com caractersticas muito idnticas.
A fonte de corrente implementada normalmente com um espelho de corrente. As resistncias R C
tambm podem ser substitudas por espelhos de corrente.
4.2 Par diferencial bipolar
4.2.1 Operao bsica
Para entender a operao bsica do par diferencial bipolar, considere os circuitos da fig. 4.3.
O primeiro circuito, fig. 4.3 a), mostra o par diferencial considerando que VB1 = VB2 = VC M . Supondo
que os transistores Q 1 e Q 2 so identicos, e considerando uma fonte de corrente com resistncia de saa
infinita, ento a corrente da fonte ser dividida igualmente entre os dois transistores, I E1 = I E1 = I/2 e a
tenso no emissor ser VE = VC M VBE . A tenso em cada coletor ser
I
VC1 = VC2 = VC C R C ,
2
e a diferena de tenso entre os dois coletores ser zero.
A aplicao de variao na tenso em modo comum da entrada, VC M , desde que Q 1 e Q 2 se
mantenham na regio ativa, a corrente I dividir-se- igualmente entre Q 1 e Q 2 e as tenses nos colectores
no variaro. Por isso o par diferencial no responde a sinais em modo comum.
O segundo circuito, fig. 4.3 b), mostra o par diferencial com entradas VB1 = +1V e VB2 = 0
(aterrada). Nesse caso, verifica-se que o transistor Q 1 entrar em conduo, e Q 2 em corte, o que far
com que toda a corrente I da fonte de corrente circule por Q 1 ( I E1 = I ). Nessa caso, as tenses nos coletores
sero
VC1 = VC C IR C e VC1 = VC C .
Invertendo a tenso da base do primeito transistor, VB1 = 1V (fig. 4.3 c)), ele entrar em corte,
enquanto o transistor Q 2 , e a corrente do coletor desse transistor ser I E2 = I . Os emissores dos dois
transistores, ligados a um ponto comum estaro a 0.7V , o que significa que a juno Emissor-Base de Q 1
estar inversamente polarizada com .0.3V . As tenses nos coletores para esse caso sero
VC1 = VC C e VC2 = VC C IR C .
Verifica-se com isso que o par diferencial responde sinais diferena ou diferenciais. Na verdade com
tenses diferenciais relativamente pequenas pode-se por um transistor em conduo com toda a corrente a
corrente toda e o outro em corte. Esta propriedade permite que o par diferencial funcione como porta lgica.
Figura 4.3 Modos de operao do par diferencial usando transistor bipolar.
Para usar o par diferencial de transsistores bipolares como um amplificador linear, necessrio que
um sinal diferencial (diferena entre os dois sinais de entrada) muito pequeno, que distribua as correntes entre
os coletores dos dois transistores, de forma que, por exemplo,
I E1 = I/2 + I e I E2 = I/2 I,
com I proporcional a tenso de entrada diferencial.
A tenso de sada em cada coletor seria dada, ento, por
I I
VC1 = VC C R C IR c e VC2 = VC C R C + IR c ,
2 2
e a tenso diferencial na sada do par, Vod , dada por
Vod = VC2 VC1 = 2IR c ,

que proporcioanl ao sinal de entrada Vi .
Esse ltimo caso ilustrado na fig. 4.3 d).
4.2.2 Operao para grandes sinais
Considere o circuito mostrado na fig. 4.4.
Figura 4.4 Configurao par diferencial de transistores bipolares.
Chamando a tenso no emissor comum de VE e despresando o efeito Early, pode-se escrever a

relao exponencial que descreve as correntes nos emissores dos dois transistores como
IS [(VB1 VE )/VT ] IS [(VB2 VE )/VT ]

I E1 = e e I E2 = e ,

ou ainda,
I E1
= e[(VB1 VB2 )/VT ] .
I E2
Rearranjando essa expresso para obter a forma do tipo I E x /(I E x + I E y ), obtm-se
I E1 1 1 1
= = =
I E1 + I E2 I 1 1 + e B2 VB1 )/VT ]
[(V
1 + E2 1 + [(V V )/V ]
I E1 e B1 B2 T
I E2 1 1
= = [(V VB2 )/VT ]
,
I E1 + I E2 I E1 1+e B1
1+
I E2
e tendo em conta que I E1 + I E2 = I e que VB1 VB2 = Vid , sendo Vid a tenso diferencial de entrada, ento
I I
I E1 = e I E2 = .
1 + eVid /VT 1 + e Vid /VT
As correntes nos coletores, I C1 e I C2 , podem ser obtidas multiplicando-se as correntes dos
emissores por . possivel verificar, nessas relaes, as condies operacionais descritas anteriormente.
Por exemplo, se VB1 = VB2 = VC M (Vid = 0), ento I E1 = I E2 = I/2, como mostrado antes. Pode-se verificar
tambpem que uma pequena variao de Vid faz com que a corrente I flua quase completamente sobre um
dos dois transistores.
A fig. 4.5 sumariza os resultados discutidos, mostrando a variao de das correntes nos coletores,
das tenses nos coletores, e da tenso diferencial de sada em funo da tenso diferencial de entrada.
Figura 4.5 Variao de correntes e tenses como funo das entradas do par diferencial.
4.2.3 Operao para pequenos sinais
Considere o circuito mostrado na fig. 4.6. Nele so mostradas as correntes e tenses no amplificador
diferencial quando um pequeno sinal diferencial de entrada aplicado.
Figura 4.6 Correntes e tenses no amplificador diferencial quando aplicado um pequeno sinal diferencial na entrada.
Substituindo o par diferencial pelo modelo de pequenos sinais usado para anlise de transistores,
verifica-se que Vid paarece numa resistncia total de 2re
VT V
re = = T ,
IE I/2
em que re a resistncia entre base e emissor do modelo T.
O sinal de corrente ie dado por
Vid
ie = .
2re
Por esse motivo, a corrente no transistor Q 1 tem um incremento de ic , e a de Q 2 , um decremento ic ,

sendo
Vid Vid
ic = ie = = gm .
2re 2
Essas quantidades esto em termos de sinal, considerando que cada transistor est polarizado com
a corrente I/2.
A corrente na base, i b dada por
ie Vid
ib = = .
+ 1 2re ( + 1)
A resistncia diferencial R id de entrada , ento, dada por
Vid
R id = = 2re ( + 1) = 2r ,
ib
em que r a resistncia entre base e emissor do modelo -hbrido.
O ganho de sada diferencial (sada entre os dois coletores) dado por
VC1 VC2
Ad = = g m R C .
Vd
No caso em que as resistncias dos emissores so consideradas (ver grafico direito da fig. 4.6),
tem-se que
Vid
ie = ,
2re + 2R e
a resistncia diferencial de entrada dada por
R id = 2(re + R E )( + 1),
e o ganho diferencial de sada dado por
2R C RC
Ad = ,
2(re + R E ) re + R E
considerando que 1.
4.2.4 Ganho em modo comum e CMRR
A fig. 4.7 a) mostra um amplificador diferencial bipolar com um sinal em modo comum na entrada
ViC M . Aqui, R E E considerada a resistncia interna da fonte de corrente no ideal. Esse circuito possui
equivalentes, mostrados na fig. 4.7 b) que podem ser usado para calcular o ganho, a resistncia diferencial de
entrada e a resposta de frequncia.
Partindo dos circuitos equivalentes, tem-se que os sinais Vo1 e Vo2 que aparecem nos coletores de
Q 1 e Q 2 , respectivamente, em funo de ViC M so dados por
R C R C
Vo1 = Vo2 = ViC M ViC M .
re + 2R E E 2R E E
Obviamente, se a saida for medida em modo comum, ela ser zero.
Tem-se ento que o ganho de moto comum (sada em um dos coletores) ser
Vo1 R C
AC M = = .
ViC M 2R E E
1
E como o ganho diferencial na sada de um dos coletores Ad = 2 gmRC , ento a razo de rejeio
de modo comum dada por

Ad
C M RR = 20 log = 20 log(g R ).
m EE
A CM

bom atentar que o ganho em modo comum tambm ser nulo caso seja usada a tenso de sada
diferencial.
Figura 4.7 a) Amplificador diferencial alimentado por uma tenso de entrada de modo comum ViC M ; b) circuitos equivalentes.
4.3 Par diferencial FET
4.3.1 Operao bsica
O primeiro modo de operao do par diferencial usando FETs usado aqui ser o de funcionamento
em modo comum, no qual a tenso diferencial de entrada nula e as tenses de porta so VG1 = VG2 = VC M ,
como ilustrado na fig. 4.8.
Figura 4.8 Par diferencial usando FETs com uma tenso de entrada em modo comum VC M .
Se o par diferencial simtrico, ou seja, mesmos transistores e mesmos resistores de polarizao, a

corrente da fonta divide-se igualmente para os dois transistores Q 1 e Q 2 . Como as correntes nos drenos so
iguais, I D1 = I D2 = I/2, ento a tenso nas fontes ser VS = VC M VGS , em que VGS a tenso porta-fonte
correspondente a corrente de dreno de I/2. Negligenciando a modulao de comprimento de canal, pode-se
relacionar VGS e I/2 da seguinte forma
v
I
u
VGS VT = .
t
Kn0 W /L
I
A tenso em cada dreno ser VD1 = VD2 = VDD 2 R D . Dessa forma, sendo a diferena entre as
tenses dos drenos nula, o par diferencial no responde a sinais em modo comum.
Uma especificao importante do amplificador diferencial a faixa de tenses de entrada em Modo
Comum, definida como a faixa de possveis valores de VC M no qual o par diferencial funciona bem. O
valor mais alto da tenso em modo comum VC M limitado pelo requerimento de que os dois transistores
permaneam na saturao. J o valor mnimo limitado pela tenso menor que a fonte de corrente pode ter
nos seus terminais para que funcione de forma satisfatria.
Considere agora a operao com sinal de entrada diferencial, Vid = VGS1 VGS2 , ilustrada na fig. 4.9.
Se Vid > 0, ento VGS1 > VGS2 e, por isso, uma corrente de dreno maior circular sobre o transistor Q 1 e a
tenso diferencial de sada Vod = VD2 VD1 ser positiva. Por outro lado, se Vid < 0, uma maior corrente de
dreno circular sobre Q 2 e Vod ser negativa.
Figura 4.9 Par diferencial usando FETs com uma tenso de entrada diferencial.
util saber que a tenso diferencial de entrada Vid que far a corrente passar de um transistor
para outro. Isto acontece quando VGS1 atingir o valor correspondente I D1 = I e VGS2 for reduzido ao limiar
mnimo de tenso entre porta e fonte.
4.3.2 Operao para grandes sinais
Assumindo que o par diferencial perfeitamente casado e que a modulao de canal pode ser
negligenciada ( = 0), possvel definir as correntes de dreno I D1 e I D2 em funo da tenso diferencial de
entrada Vid = VGS1 VGS2 como
v v
Vid 2 Vid 2
u u
Vid t Vid t

I I I I
I D1 = + 1 e I D2 = 1
2 Vov 2 2Vov 2 Vov 2 2Vov
Essas duas equaes descrevem o efeito da aplicao de uma tenso diferencial de entrada sobre
as correntes dos drenos dos transistores.
Figura 4.10 Par diferencial usando MOSFETs, para derivao da operao para grandes sinais.
4.3.3 Operao para pequenos sinais
A fig. 4.11 a) mostra o amplificador diferencial com as tenses de entrada
1 1
VG1 = VC M + Vid e VG2 = VC M Vid .
2 2
O sinal diferencial de entrada Vid aplicado de maneira complementar ou balanceada, ou seja, se
h um aumento na tenso de porta do primeiro transistor, haver uma diminuio de mesma intensidade na
tenso de porta do outro transistor.
Figura 4.11 Anlise de pequenos sinais em par diferencial com FET.
A fig. 4.11 b) mostra o circuito com a tenso de modo comum aplicada para ajustar a tenso de
polarizao DC das portas, alm de ilustrar a caracterstica complementar da tenso diferencial de entrada
aplicada, com todas as consideraes para a anlise de pequenos sinais.
Olhando para esse circuito, v-se que, para fins de anlise de sinal do amplificador diferencial, so
edsconsideradas as fontes DC, ficando somente os sinais circulando no circuito. desprezado tambm o efeito
da resistncia ro do MOSFET e o efeito de substrato. Considera-se tambm que Q 1 e Q 2 esto polarizados
com uma corrente I/2 e operam com uma tenso de overdrive Vov . Da simetria do circuito e da forma
balanceada na qual Vid aplicada observa-se que a tenso de sinal nas fontes ligadas deve ser zero (massa
virtual). Assumindo Vid /2 Vov , condio para a aproximao de pequenos sinais, as variaes de corrente
no dreno em Q 1 e Q 2 sero proporcionais a VG1 e VG2 , respectivamente. Q 1 ter um aumento na corrente do
dreno de g m(Vid /2) e Q 2 ter um decremento de mesmo valor, em que g m denota a transcondutncia, igual
para ambos os transistores e dada por
2I D 2(I/2) I
gm = = = .
Vov Vov Vov
Considerando que a essencia da operao de um par diferencial a complementaridade das
correntes nos drenos, possvel considerar as anlise olhando apenas para um dado do circuito, extendendo-
as depois.
Dessa forma, ganho do par diferencial usando apenas cada uma das sadas individualmente dado
por
1 Vo1 1 1 Vo2 1
Vo1 = g m Vid R D = gmR D e Vo2 = g m Vid R D = gmR D .
2 Vid 2 2 Vid 2
J o ganho do par diferencial dado por
Vo2 Vo1
Ad = = gmR D .
Vid
Ou seja, obtido o dobro do ganho quando se usam ambas as sadas.
4.3.4 Ganho em modo comum e CMRR
Para determinar a resposta do amplificador diferencial a um sinal de entrada em modo comum,

ViC M , considere o circuito da fig. 4.12 b). Como o circuito simtrico, ento os transistores portaro a mesma
corrente.
Figura 4.12 Anlise de rejeio de modo comum em par diferencial com FET.
Considerando, ento, ro R D , ento
4.4 Par diferencial com carga ativa
4.4.1 Par diferencial MOS com carga ativa
A fig. 4.13 a) mostra o par diferencial usando transistores MOS com carga ativa.
Figura 4.13 Par diferencial MOS com carga ativa.
A configurao mostrada na fig. 4.13 b) o circuito em equilbrio, considerando-se perfeito

casamento entre todos os componentes.
Nesse caso, considerando os dois terminais de entrada aterrados e simetria perfeita do par
diferencial, a corrente divide-se igualmente para Q 1 e Q 2 . A corrente do dreno de Q 1 fornecida ao transistor
do espelho de corrente Q 3 . Portanto, uma rplica desse corrente fornecida por Q 4 , sobrando uma corrente
nula para ser fornecida sada. A tenso de sada dada por Vo = VDD VGS3 .
Considere agora o circuito com um sinal diferencial de entrada Vid , como ilustra a fig. 4.13 c). Do
ponto de vista da circulao dos sinais de entrada, haver um terra virtual ligando as fontes comuns de Q 1 e
Q 2 . Ambos os transistores conduzem a mesma corrente I = g m1 Vid /2, com sentido diferente (mudana de
sinais).
A corrente de sinal no dreno i de Q 1 fornecida entrada do espelho de corrente Q 3 Q 4 da qual
gerada uma rplica no dreno de Q 4 . A corrente de sada vale 2i .
O efeito do espelho de corrente garantir o mesmo ganho tirado em sada nica que seria obtido
com sada diferencial. A resistncia de carga determina a tenso de sinal de sada (se for muito menor que as
resistncias de sada de Q 2 e Q 4 ).
A resistncia de sada ro do transistor tem um papel importante na operao de amplificadores de
carga activa. ro tem que ser levado em conta para encontrar a expresso do ganho diferencial Vo /Vid do par
diferencial MOS com carga ativa.
Infelizmente, pela falta de simetria do circuito, se faz necessrio calcular a transcondutncia em
curto circuito Gm e a resistncia de sada, R o , e ento o ganho ser Gm R o .
Determinando a transcondutncia de curto circuito Gm
Para determinar a transcondutncia Gm , considere a fig 4.14. A sada curto circuitada, de forma
que Gm = I o /Vid .
Figura 4.14 Circuito equivalente para o clculo da transcondutncia de curto circuito Gm .
Apesar do circuito no ser simtrico quando a sada curto circuitada massa o circuito quase
simtrico. Isto porque a tenso de sinal do dreno de Q 1 massa pequena pois Q 3 tem uma baixa impedncia
(como carga de sinal, 1/g m3 ). possvel assim invocar simetria e assumir uma massa virtual nas fontes
comuns de Q 1 e Q 2 , como mostrado na fig 4.14 b).
Na figura, o transistor Q 3 ligado como um diodo e substitudo pela sua resistncia equivalente
(1/g m3 )||ro3 . A tenso de sinal Vg3 , na porta comum aos transistores Q 3 e Q 4 dada por
Vid g m1 Vid

Vg3 = g m1 [(1/g m3 )||ro3 ||ro1 ] ,
2 g m3 2
tendo que ro1 e ro3 so muito maiores que 1/g m3 .
Essa tenso controla a corrente do dreno do transistor Q 4 , resultando em uma corrente g m4 Vg3 . O
curto circuito da sada faz com que as correntes em ro2 e ro4 sejam nulas. A corrente de sada ser dada por
Vid g m4 Vid Vid

I o = g m4 Vg3 + g m2 = g m1 + g m2 = g m Vid Gm = g m ,
2 g m3 2 2
considerando que g m4 = g m3 e g m1 = g m2 = g m .
Determinando a resistncia de sada R o
Para a determinao da resistncia da sada, considere o cirguito mostrado na fig. 4.15.
Figura 4.15 Circuito equivalente para o clculo da resistncia de sada R o .

A corrente i que entra no transistor Q 2 deve sair na sua fonte, entrar em Q 1 , saindo pelo seu dreno
e fornecendo corrente ao espelho de corrente Q 3 Q 4 . Como ro3 muito maior que 1/g m3 , a maior parte da
corrente ir para Q 3 . O espelho responde fornecendo uma corrente igual a i no dreno de Q 4 . Por essa razo
R o2 = Vx /i a resistncia de um transistor MOS (Q 2 ) em porta comum com resistncia da fonte.
Obtm-se, ento,
R o2 = ro2 + (1 + g m2 ro2 )(1/g m1 ) 2ro2 ,

considerando g m1 = g m2 = g m e g m2 ro2 1.
Tem-se ento, no n de sada,
vx vx vx vx vx
ix = i + i + =2 + + ,
ro4 R o2 ro4 ro2 ro4
e, portanto,
vx
Ro = = ro2 ||ro4 .
ix
Ganho diferencial
O ganho diferencial, ento, dado por
Vo 1
Ad = = Gm R o = g m (ro2 ||ro4 ) = g m ro ,
Vid 2
se ro2 = ro4 = ro .
Ganho em modo comum e CMRR
O amplificador diferencial MOS tem um baixo ganho em modo comum e por isso um alto CMRR.
Apesar do circuito no ser simtrico e de no ser possvel usar o circuito equivalente em modo
comum pode-se dividir RSS entre Q 1 e Q 2 como mostra a fig. 4.16 b).
Observa-se tambm que 2RSS usualmente muito maior que 1/g m de cada transistor Q 1 e Q 2 , e
os sinais em cada uma das fontes aproximadamente ViC M . Dessa forma, desprezando os efeitos de ro1 e
ro2 , pode-se escrever
ViC M
i1 = i2 .
2RSS
Figura 4.16 Anlise do amplificador diferencial MOS com carga ativa para determinao do ganho em modo comum.
A resistncia para sinal vista para dentro dos drenos de Q 1 e Q 2 dada pela resistncia de um
transistor MOS em porta comum com resistncia na fonte
R o = ro + (1 + (g m + g mb )ro )Rs .
Considerando RS = 2RSS e g mb = 0, ento
R o1 = R o2 = ro + 2RSS + 2g m RSS .
R o1 muito maior que a resistncia introduzida por Q 3 , (ro3 ||(1/g m3 )). R o2 ser muito maior que
ro4 . Podemos assim desprezar R o1 e R o2 para encontrar a resistncia total entre cada uns dos drenos e a
massa.
Assim, v g3 dado por
1 1

vg3 = i1 ||ro3 e i3 = g m4 vg3 = i1 g m4 ||ro3 .
g m3 g m3
No n de sada a diferena de corrente entre i4 e i2 passa por ro4 (atendendo que R o2 ro4 ) para
dar vo
1

vo = (i4 i2 )ro4 = i1 g m4 ||ro3 i2 ro4 .
g m3
ViC M
Como, mostrado anteriormente, i1 = i2 2RSS , e fazendo g m3 = g m4 , ento o ganho em modo
comum dado por
vo 1 ro4 1
Acm = = .
vicm 2RSS 1 + g m3 ro3 2g m3 RSS
A razo de rejeio de modo comum (CMRR) ser, ento
|Ad |
C M RR = = [g m (ro2 ||ro4 )](2g m3 RSS ) = (g m ro )(g m RSS ),
|Acm |
considerando ro2 = ro4 = ro e g m3 = g m .
4.4.2 Par diferencial bipolar com carga ativa
O par diferencial bipolar com carga ativa, mostrado na fig. 4.17 muito similar ao par diferencial MOS
com carga activa com a diferena do finito e de uma resistncia finita de entrada na base r . Pode neste
caso ignorar-se o efeito de finito na polarizao DC dos quatro transistores e assumir que em equilbrio os
quatro transstores operam com I/2.
Figura 4.17 Par diferencial bipolar com carga ativa.

Transcondutncia em curto circuito
A sada est ligada massa para calcular a transcondutncia em curto circuito Gm = io /Vid . Como
no caso dos MOS assume-se que o circuito est suficientemente balanceado de forma a garantir que uma
massa virtual existe nos emissores dos transstores Q 1 e Q 2 . Assume-se isto pelo fato de a tenso de sinal
no coletor de Q 1 ser baixa devido pequena resistncia entre esse n e a massa (aproximadamente igual a
re3 ). Assim,
Vid Vid
vb3 = vb4 = g m1 (re3 ||ro3 ||ro1 ||r4 ) g m1 re3
2 2
Vid Vid Vid
io = g m2 g m4 vb4 = g m2 + g m1 g m4 re3 .
2 2 2
Fazendo g m1 = g m2 = g m4 = g m e re3 = 3 /g m3 1/g m , tem-se
io = g m Vid Gm = g m .
Resistncia de sada
A anlise do circuito muito parecido ao caso do par MOS. A resistncia para sinal vista para dentro
do colector de Q 2 uma resistncia de sada dum transstor bipolar em base comum com resistncia no
emissor R o = ro [1 + g m (R e ||r )], com R e = re1 . Dessa forma, o resistor de sada do transistor Q 2 dado por
R o2 = ro2 [1 + g m (re1 ||r2 )] ro2 (1 + g m re1 ) 2ro2 .

A corrente i pode ser dada ento por
vx vx
i= = ,
R o2 2ro2
e a corrente i x pode ser obtida de um dos ns de sada
vx vx vx
i x = 2i + = + .
ro4 ro2 ro4
Sendo assim, a resistncia de sada pode ser dada por
vx
Ro = = ro2 ||ro4 .
ix
Ganho Diferencial
O ganho diferencial pode ser calculado ento como
vo 1
Ad = = Gm R o = g m (ro2 ||ro4 ) = g m ro ,
vid 2
se ro2 = ro4 = ro
Esta expresso idntica ao caso do circuito MOS. No entanto o ganho no caso do transstor
bipolar maior tendo como desvantagem a resistncia de entrada pequena que far diminuir o ganho se o
andar anterior tiver uma grande resistncia de sada.
Ganho em modo comum e CMRR
O ganho em modo comum e a CMRR podem ser encontrados seguindo a mesma metodologia usado
para o caso com transistores MOS. A fig. 4.18 mostra o circuito usado para a anlise do do ganho em modo
comum em um amplificador diferencial bipolar com carga ativa.
Figura 4.18 Anlise do amplificador diferencial bipolar com carga ativa para determinao do ganho em modo comum.
Considerando 2R E E re , ento
vicm
i1 = i2 .
2RSS
R o1 e R o2 so muito grandes se comparadas as outras resistncias do circuito e podem ser
negligenciadas.
Assim, a tenso v b3 pode ser dada por
vb3 = i1 [(1/g m3 ||r3 ||ro3 ||r4 )],

e a tenso de sada,
vo = (g m4 vb3 i2 )ro4 .
Substituindo-se v b3 em vo , e para i1 = i2 acima, pode-se definir ento o ganho em modo comum
como
1 1 1 2
+ +
vo ro4 ro4 r3 r4 ro3 ro4 r3 ro4
Acm = = [g m4 (1/g m3 ||r3 ||ro3 ||r4 )1] = .
vicm 2R E E 2R E E 1 1 1 2R E E 2 R E E 3
g m3 + + + g m3 +
r3 r4 ro3 r3
A razo de rejeio de modo comum dada por
|Ad | 1
C M RR = = 3 g m R E E ,
|Acm | 2
se ro2 = ro4 = ro .

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Sumrio

1 Diodos: tipos, caractersticas e aplicaes 2

2 Transistores: tipos, caractersticas, modelagem, tecnologia de fabricao, regies de operao

3 Amplificadores operacionais: tipos, caractersticas, modelagem, parmetros, arquiteturas

3.6.3 Buffer ou Seguidor de tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35

4 O par diferencial, cargas ativas e fontes de corrente: caractersticas, aplicaes e limitaes. 46

Diodos: tipos, caractersticas e aplicaes

Figura 1.1 Juno PN.

Figura 1.2 Formao da camada de depleo em uma juno PN.

Com o devido encapsulamento e conexo de terminais, a juno PN se torna um diodo, cuja

Figura 1.3 Smbolo do diodo.

1.2 Curva caracterstica do diodo

Diodos so dispositivos que possuem polarizao, isto , a depender da polaridade da tenso

Figura 1.4 Curvas caracteristicas ideal e real do diodo.

I D = IS (eqVD /kT 1).

em que k a constante de Boltzman, T a temperatura e q a carga do eltron. IS tem dependncia

em que A a seo transversal do material semicondutor, q a carga do eltron, ni o

1.3 Reta de carga

Figura 1.5 Circuito bsico com diodo e resistor em srie.

VS = VD , chamado de ponto de corte, no qual I = 0.

Figura 1.6 Curva caracterstica com reta de carga.

1.4 Modelos de representao do diodo

Figura 1.7 Curva caracterstica e circuito equivalento do diodo para a 1a aproximao.

2a aproximao nessa aproximao, referenciado como modelo polarizado, considera-se a queda de

Figura 1.8 Curva caracterstica e circuito equivalento do diodo para a 2a aproximao.

3a aproximao nessa aproximao, tambm chamada de modelo de pequenos sinais, alm da

Figura 1.9 Curva caracterstica e circuito equivalento do diodo para a 3a aproximao.

em que V1 e I2 so um ponto da curva caracterstica na regio do joelho, e V1 e I2 so um ponto bem

1.5 Tipos de diodos

1.5.1 Diodo Zener

Figura 1.10 Curva caracterstica e simbologia para diodo zener.

Quando diretamente polarizado, o diodo zener comporta-se exatamente como um diodo

Figura 1.11 Reta da carga para diodo zener.

Figura 1.12 Modelos de aproximao do diodo zener.

1.5.2 Diodo Emissor de Luz

Figura 1.13 Diodo emissor de luz.

1.5.3 Outros diodos

Retificador de meia onda

Figura 1.14 Retificador de meia onda.

Retificador de onda completa com derivao central

Figura 1.15 Retificador de onda completa.

Devido a disposio dos diodos, nesse circuito, em um semiciclo D1 estar em conduo e D2

Retificador de onda completa em ponte

Figura 1.16 Retificador de onda completa em ponte.

Figura 1.17 Filtragem capacitiva na sada de um retificador.

1.6.2 Regulador de tenso

Figura 1.19 Regulador de tenso.

A tenso sobre a carga VR dada por

Como a corrente sobre o resistor RS dada por

e a corrente sobre o resistor R L dada por

1.6.3 Multiplicadores de tenso

Dobrador de tenso de meia onda

Figura 1.20 Dobrador de tenso de meia onda.

Dobrador de tenso de onda completa

A fig. 1.21 mostra um dobrador de tenso de onda completa.

Figura 1.21 Dobrador de tenso de onda completa.

Triplicador e quadruplicador de tenso

Figura 1.22 a) Triplicador e b) quadruplicador de tenso.

1.6.4 Limitador (ceifador)

Figura 1.23 Limitador positivo polarizado.

Figura 1.24 Grampeador.

Transistores: tipos, caractersticas, modelagem, tecnologia de fabricao, regies de

2.1 Transistor de Juno Bipolar