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Resumen. En este laboratorio se analizaran las caracterstica de un transistor retroalimentado o realimentado, que es
unaestrategia general de diseo de sistemas, segn la cual una magnitud proporcional a la salida del sistema se resta a la
entrada de referencia. Se busca reducir la sensibilidad del sistema a variaciones de parmetros, aumentar el ancho de
banda y reducir la distorsin no lineal. Esto se consigue tomando una parte de la salida como entrada. Se busca
experimentar con el voltaje Vs hasta rectificar la salida Vo, mediante la utilizacin de osciloscopio
Descriptores: Amplificadores: Es todo dispositivo que, mediante la utilizacin de energa, magnifica la amplitud de un
fenmeno.; Ancho de banda: Caractersticas de ciertos tipos de circuitos electrnicos que especifica el intervalo utilizable
de frecuencias que pasan de la entrada a la salida.; Diferencia de Retorno: Es el factor por el que queda dividida la seal
de entrada al atravesar el comparador.; Ganancia de Lazo: Se define como el producto de la ganancia de la etapa
amplificadora por la ganancia de la red de realimentacin.; Realimentacin: Es ampliamente utilizada en el diseo de
amplificadores ya que presenta mltiples e importantes beneficios. Uno de estos beneficios es la estabilizacin de la
ganancia del amplificador frente a variaciones de los dispositivos, temperatura, variaciones de la fuente de alimentacin y
envejecimiento de los componentes.;
1. Introduccin.
En esta experiencia veremos cmo nos puede ayudar una configuracin en la cual tenemos dos transistores empalmados,
en etapas de amplificadores de clase B o AB.
Observaremos la configuracin caracterstica de este montaje y analizaremos las ventajas del mismo. Este mtodo es de
gran tema de estudio pues gracias a que se utilizan empalmes de transistores podemos trabajar de una manera diferente, una
manera en la cual se amplifica la seal de entrada en partes, dando una mejor oportunidad al amplificador de tener una
mayor capacidad.
2. Materiales y Metodos.
2.1. Materiales
Para el desarrollo de este laboratorio, los mtodos utilizados en esta experiencia fueron la parte experimental y como
apoyo para mejor precisin se utiliz el programa Multisim para comprobar que lo calculado fuese congruente.
2.3. Procedimiento.
Arme el circuito indicado:
V1
+10V
+V
Esta resistencia es de
2W
Q1
2N2222
R1
Q2 1k
2N2907
V2
-10V
a. Mida los voltajes DC con Vs = 0.
b. Aplique una seal Vs de frecuencia f = 1 kHz. Eleve Vs desde vero volt hasta que se observe un voltaje Vo
apreciable en la salida (Use un osciloscopio)
c. Dibuje (capture, guarde) las formas de onda
d. Eleve Vs hasta que se observe recorte en la amplitud de Vo. Registre el valor de Vs.
e. Arme el circuito mostrado:
R2
4.7k
V6
+10V
+V
Q4
2N2222
U1
LM741/NS
+
+
RL
R1 Q3 1k
- 10k 40% 2N2907
V5
-10V
3. Resultados y discusion.
Universidad Tecnolgica de Panam
Facultad de Ingeniera Elctrica
Ingeniera Electromecnica
Circuitos Electrnicos II
Profesora Luzmila Lan
Primer Circuito
Aplicamos una seal Vs de frecuencia f = 1 kHz. Eleve Vs desde vero volt hasta que se observe un voltaje Vo
apreciable en la salida (Utilizamos un osciloscopio)
XSC1
Ext Trig
+
V1 _
A B
XFG1 10V + _ + _
Q1
2N2222
R1
Q2 +
1.0k
Vo
-
2N2907
V2
-10V
Figura 2. Circuito conectado al osciloscopio.
Figura 3. Grafico Vo.
Elevamos Vs hasta que se observe recorte en la amplitud de Vo. Registre el valor de Vs.
Vs= 7 V
2. Segundo Circuito.
R2
4.7k
XMM1
V1
10V
Q1
7 1 5 U1
V1 3
2N2222
6
1.41 Vrms
60 Hz 2
Q2 +
RL
0 Vo
4 LM741H - 1.0k
R1
2N2907
10k
55 % V2
Key=A
-10V
4. Referencias bibliogrficas
SEDRA, ABEL & SMITH, KENNETH, 2002. Circuitos Microelectrnicos. Oxford University Press, Mexico
RASHID, MUHAMMAD H., 2004. Electrnica de Potencia: Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones. Pearson
Education, Mexico, 2004